JP2003131084A - 双方向光伝送デバイス - Google Patents
双方向光伝送デバイスInfo
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- JP2003131084A JP2003131084A JP2001328421A JP2001328421A JP2003131084A JP 2003131084 A JP2003131084 A JP 2003131084A JP 2001328421 A JP2001328421 A JP 2001328421A JP 2001328421 A JP2001328421 A JP 2001328421A JP 2003131084 A JP2003131084 A JP 2003131084A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 光送受信デバイスが別個で、２本の光ファイ
バを使用し光伝送デバイスの小型化が困難がである。 【解決手段】 スルーホール電極１７を有するベース基
板１６に発光チップ（ＬＥＤ７／ＬＤ）とＩＣ８、受光
チップ（受光ＩＣ１２）を実装し、その上面を角錐形状
（又は円錐形状）に透光性の封止樹脂９で封止成形し、
封止樹脂９を半分に分割するようにダイシングして発光
デバイス２０と受光デバイス２１に区分し、分割面を含
み封止樹脂９の全面をメッキして光干渉防止保護膜１８
（Ｎｉメッキ）で覆った後、両デバイス２０、２１を分
割面で一体になるように組み合わせ接着剤２２で接着・
固定し、尖った先端部をカットし、光干渉防止保護膜１
８を先端のみ除去して光伝送路１９Ａ、１９Ｂを形成し
て一芯双方向光伝送デバイスを構成する。小型、面実装
が可能になる。
バを使用し光伝送デバイスの小型化が困難がである。 【解決手段】 スルーホール電極１７を有するベース基
板１６に発光チップ（ＬＥＤ７／ＬＤ）とＩＣ８、受光
チップ（受光ＩＣ１２）を実装し、その上面を角錐形状
（又は円錐形状）に透光性の封止樹脂９で封止成形し、
封止樹脂９を半分に分割するようにダイシングして発光
デバイス２０と受光デバイス２１に区分し、分割面を含
み封止樹脂９の全面をメッキして光干渉防止保護膜１８
（Ｎｉメッキ）で覆った後、両デバイス２０、２１を分
割面で一体になるように組み合わせ接着剤２２で接着・
固定し、尖った先端部をカットし、光干渉防止保護膜１
８を先端のみ除去して光伝送路１９Ａ、１９Ｂを形成し
て一芯双方向光伝送デバイスを構成する。小型、面実装
が可能になる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光ファイバプラグ
を光ミニジャック又は光伝送モジュールに係合して通信
可能となる双方向光伝送デバイスに係わり、更に詳しく
は、一芯の光ファイバを使って光信号をデータ伝送する
一芯双方向光伝送デバイスに関する。
を光ミニジャック又は光伝送モジュールに係合して通信
可能となる双方向光伝送デバイスに係わり、更に詳しく
は、一芯の光ファイバを使って光信号をデータ伝送する
一芯双方向光伝送デバイスに関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、発光デバイスと受光デバイスをハ
ウジング内に組み合わせたミニジャックやトランシーバ
型モジュールが存在している。ミニジャックモジュール
はＣＤプレーヤ、ＭＤプレーヤ、ノート型ＰＣなど、ま
た、トランシーバ型モジュールはルーター、モデムステ
ーション、ノート型ＰＣなどの家電機器に使用されてい
る。現在市場にあるこれらの光伝送モジュールは、光フ
ァイバを１本使用し、発光デバイスと受光デバイスを対
面させた一芯片方向通信や、光ファイバを２本使用し、
送受信モジュールが別個（２個）の二芯双方向通信の構
造のものがあり、いずれも大型でリードフレーム型であ
る。小型で、且つ面実装型の一芯双方向光伝送モジュー
ルは見当たらない。
ウジング内に組み合わせたミニジャックやトランシーバ
型モジュールが存在している。ミニジャックモジュール
はＣＤプレーヤ、ＭＤプレーヤ、ノート型ＰＣなど、ま
た、トランシーバ型モジュールはルーター、モデムステ
ーション、ノート型ＰＣなどの家電機器に使用されてい
る。現在市場にあるこれらの光伝送モジュールは、光フ
ァイバを１本使用し、発光デバイスと受光デバイスを対
面させた一芯片方向通信や、光ファイバを２本使用し、
送受信モジュールが別個（２個）の二芯双方向通信の構
造のものがあり、いずれも大型でリードフレーム型であ
る。小型で、且つ面実装型の一芯双方向光伝送モジュー
ルは見当たらない。
【０００３】図５及び図６は、従来の一般的な二芯の双
方向光伝送モジュールの構造を示し、図５は双方向光伝
送モジュールの要部断面図である。図６は図５に矢印Ａ
方向からの説明図である。
方向光伝送モジュールの構造を示し、図５は双方向光伝
送モジュールの要部断面図である。図６は図５に矢印Ａ
方向からの説明図である。
【０００４】図５及び図６において、符号１は光ファイ
バプラグで、光ファイバプラグ１は、ハウジング部に２
本の光ファイバ２ａ、２ｂが収納されている。
バプラグで、光ファイバプラグ１は、ハウジング部に２
本の光ファイバ２ａ、２ｂが収納されている。
【０００５】符号３は光伝送モジュールで、該光伝送モ
ジュール３は、ハウジング４の内部に発光チップを実装
した発光デバイス５と、受光チップを実装した受光デバ
イス１０とを単一のハウジング４により一体化してい
る。前記発光デバイス５は、３本のリードフレーム６
（６ａ、６ｂ、６ｃ）（図６）の表面に発光チップとし
て発光ダイオード（ＬＥＤ）７又はレーザー（ＬＤ）
と、ＬＥＤ７又はＬＤを制御するためのドライブＩＣ８
を実装し、リードフレーム６ａ、６ｂ、６ｃとの導通を
ワイヤで行っている。前記ＬＥＤ７又はＬＤ、ＩＣ８及
びワイヤを透光性の封止樹脂９で封止している。
ジュール３は、ハウジング４の内部に発光チップを実装
した発光デバイス５と、受光チップを実装した受光デバ
イス１０とを単一のハウジング４により一体化してい
る。前記発光デバイス５は、３本のリードフレーム６
（６ａ、６ｂ、６ｃ）（図６）の表面に発光チップとし
て発光ダイオード（ＬＥＤ）７又はレーザー（ＬＤ）
と、ＬＥＤ７又はＬＤを制御するためのドライブＩＣ８
を実装し、リードフレーム６ａ、６ｂ、６ｃとの導通を
ワイヤで行っている。前記ＬＥＤ７又はＬＤ、ＩＣ８及
びワイヤを透光性の封止樹脂９で封止している。
【０００６】受光デバイス１０は、３本のリードフレー
ム１１（１１ａ、１１ｂ、１１ｃ）（図６）の表面に光
信号を電気信号に変換する機能を有するホトダイオード
（ＰＤｉ）と増幅回路を一体化したＩＣ１２を実装し、
リードフレーム１１ａ、１１ｂ、１１ｃとの導通をワイ
ヤで行っている。前記ＩＣ１２及びワイヤを透光性の封
止樹脂９で封止されている。
ム１１（１１ａ、１１ｂ、１１ｃ）（図６）の表面に光
信号を電気信号に変換する機能を有するホトダイオード
（ＰＤｉ）と増幅回路を一体化したＩＣ１２を実装し、
リードフレーム１１ａ、１１ｂ、１１ｃとの導通をワイ
ヤで行っている。前記ＩＣ１２及びワイヤを透光性の封
止樹脂９で封止されている。
【０００７】前記発光側の３本のリードフレーム６ａ、
６ｂ、６ｃ及び受光側の３本のリードフレーム１１ａ、
１１ｂ、１１ｃは、共に同一平面に並列配置されてい
て、前記ハウジング４の下面から下方に突出している。
６ｂ、６ｃ及び受光側の３本のリードフレーム１１ａ、
１１ｂ、１１ｃは、共に同一平面に並列配置されてい
て、前記ハウジング４の下面から下方に突出している。
【０００８】前記発光側の３本のリードフレーム６ａ、
６ｂ、６ｃのうち、リードフレーム６ａは信号入力端
子、リードフレーム６ｂは電源端子、リードフレーム６
ｃは接地端子である。また、受光側の３本のリードフレ
ーム１１ａ、１１ｂ、１１ｃのうち、リードフレーム１
１ａは電源端子、リードフレーム１１ｂは接地端子、リ
ードフレーム１１ｃは信号出力端子である。
６ｂ、６ｃのうち、リードフレーム６ａは信号入力端
子、リードフレーム６ｂは電源端子、リードフレーム６
ｃは接地端子である。また、受光側の３本のリードフレ
ーム１１ａ、１１ｂ、１１ｃのうち、リードフレーム１
１ａは電源端子、リードフレーム１１ｂは接地端子、リ
ードフレーム１１ｃは信号出力端子である。
【０００９】以上述べた構成により、発光デバイス５側
のリードフレーム６ａに電気信号を入力し発光デバイス
５内のＩＣ８・ＬＥＤ７により光信号に変換される。Ｌ
ＥＤ７から出射された光は、光ファイバプラグ１の光フ
ァイバ２ａに入射され伝送される。次に、光ファイバ２
ｂより伝送された光は、受光デバイス１０内のＩＣ１２
のホトダイオード部に入射され電気信号に変換されてリ
ードフレーム１１ｃに出力される。
のリードフレーム６ａに電気信号を入力し発光デバイス
５内のＩＣ８・ＬＥＤ７により光信号に変換される。Ｌ
ＥＤ７から出射された光は、光ファイバプラグ１の光フ
ァイバ２ａに入射され伝送される。次に、光ファイバ２
ｂより伝送された光は、受光デバイス１０内のＩＣ１２
のホトダイオード部に入射され電気信号に変換されてリ
ードフレーム１１ｃに出力される。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述し
た双方向光伝送デバイスは、２本の光ファイバを使用し
ているのでコストアップになる。また、光送信／受信デ
バイスが別個であり光伝送デバイスの小型化が難しい。
更に、光送信／受信デバイスはリードフレームを使用し
た挿入実装部品であるため実装工数が多くかかるなどの
様々な問題がある。
た双方向光伝送デバイスは、２本の光ファイバを使用し
ているのでコストアップになる。また、光送信／受信デ
バイスが別個であり光伝送デバイスの小型化が難しい。
更に、光送信／受信デバイスはリードフレームを使用し
た挿入実装部品であるため実装工数が多くかかるなどの
様々な問題がある。
【００１１】本発明は上記従来の課題に鑑みなされたも
のであり、その目的は、光送信／受信デバイスを一体化
すると同時に、光干渉を防ぎ光入出力を効率良く伝送で
き、一芯双方向光伝送を可能にする。面実装タイプによ
りリフロー対応可能にし、小型で安価な一芯双方向光伝
送デバイスを提供するものである。
のであり、その目的は、光送信／受信デバイスを一体化
すると同時に、光干渉を防ぎ光入出力を効率良く伝送で
き、一芯双方向光伝送を可能にする。面実装タイプによ
りリフロー対応可能にし、小型で安価な一芯双方向光伝
送デバイスを提供するものである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明における双方向光伝送デバイスは、発光チッ
プ及び受光チップを実装し単一のハウジングにより一体
化し、外部との電気的接続のための電極端子を備えた光
ミニジャック又は光伝送モジュールと、該光ミニジャッ
ク又は光伝送モジュールに光ファイバプラグを係合した
双方向光伝送デバイスにおいて、前記光ミニジャック又
は光伝送モジュールは、前記外部との電気的接続のため
の電極端子であるスルーホール電極を有する一つのベー
ス基板に発光チップ及び受光チップを実装し、両チップ
の上面を角錐形状又は円錐形状に透光性の封止樹脂で封
止成形し、前記角錐形状又は円錐形状に形成された封止
樹脂を半分に分割するようにダイシングして発光デバイ
スと受光デバイスに区分し、前記分割面を含み封止樹脂
の全面をメッキして光干渉防止保護膜で覆った後、前記
発光デバイスと受光デバイスを分割面で接着して一体に
なるように組み合わせ接着・固定し、尖った先端部をカ
ットし、前記光干渉防止保護膜を先端のみ除去して光伝
送路を形成し、前記光ミニジャック又は光伝送モジュー
ルに一芯の光ファイバプラグを係合したことを特徴とす
るものである。
に、本発明における双方向光伝送デバイスは、発光チッ
プ及び受光チップを実装し単一のハウジングにより一体
化し、外部との電気的接続のための電極端子を備えた光
ミニジャック又は光伝送モジュールと、該光ミニジャッ
ク又は光伝送モジュールに光ファイバプラグを係合した
双方向光伝送デバイスにおいて、前記光ミニジャック又
は光伝送モジュールは、前記外部との電気的接続のため
の電極端子であるスルーホール電極を有する一つのベー
ス基板に発光チップ及び受光チップを実装し、両チップ
の上面を角錐形状又は円錐形状に透光性の封止樹脂で封
止成形し、前記角錐形状又は円錐形状に形成された封止
樹脂を半分に分割するようにダイシングして発光デバイ
スと受光デバイスに区分し、前記分割面を含み封止樹脂
の全面をメッキして光干渉防止保護膜で覆った後、前記
発光デバイスと受光デバイスを分割面で接着して一体に
なるように組み合わせ接着・固定し、尖った先端部をカ
ットし、前記光干渉防止保護膜を先端のみ除去して光伝
送路を形成し、前記光ミニジャック又は光伝送モジュー
ルに一芯の光ファイバプラグを係合したことを特徴とす
るものである。
【００１３】また、発光チップ及び受光チップを実装し
単一のハウジングにより一体化し、外部との電気的接続
のための電極端子を備えた光ミニジャック又は光伝送モ
ジュールと、該光ミニジャック又は光伝送モジュールに
光ファイバプラグを係合した双方向光伝送デバイスにお
いて、前記光ミニジャック又は光伝送モジュールは、前
記外部との電気的接続のための電極端子であるスルーホ
ール電極を有する一つのベース基板に発光チップ及び受
光チップを実装し、両チップの上面を角錐形状又は円錐
形状に透光性の封止樹脂で封止成形し、前記角錐形状又
は円錐形状に形成された封止樹脂を半分に分割するよう
に、ベース基板の上面に達するハーフダイシングを行い
ダイシング溝を形成し、該ダイシング溝で発光デバイス
と受光デバイスに区分し、前記ダイシング溝面を含み封
止樹脂の全面を光干渉防止保護膜で覆った後、尖った先
端部をカットし、前記光干渉防止保護膜を先端のみ除去
して光伝送路を形成し、前記光ミニジャック又は光伝送
モジュールに一芯の光ファイバプラグを係合したことを
特徴とするものである。
単一のハウジングにより一体化し、外部との電気的接続
のための電極端子を備えた光ミニジャック又は光伝送モ
ジュールと、該光ミニジャック又は光伝送モジュールに
光ファイバプラグを係合した双方向光伝送デバイスにお
いて、前記光ミニジャック又は光伝送モジュールは、前
記外部との電気的接続のための電極端子であるスルーホ
ール電極を有する一つのベース基板に発光チップ及び受
光チップを実装し、両チップの上面を角錐形状又は円錐
形状に透光性の封止樹脂で封止成形し、前記角錐形状又
は円錐形状に形成された封止樹脂を半分に分割するよう
に、ベース基板の上面に達するハーフダイシングを行い
ダイシング溝を形成し、該ダイシング溝で発光デバイス
と受光デバイスに区分し、前記ダイシング溝面を含み封
止樹脂の全面を光干渉防止保護膜で覆った後、尖った先
端部をカットし、前記光干渉防止保護膜を先端のみ除去
して光伝送路を形成し、前記光ミニジャック又は光伝送
モジュールに一芯の光ファイバプラグを係合したことを
特徴とするものである。
【００１４】また、前記光干渉防止保護膜は、ニッケル
メッキ層であることを特徴とするものである。
メッキ層であることを特徴とするものである。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、図面に基づいて本発明にお
ける双方向光伝送デバイスについて説明する。図１〜図
３は、本発明の第１の実施の形態である双方向光伝送デ
バイスに係わり、図１は、一芯双方向光伝送デバイスの
要部断面図、図２は、送受信デバイスの斜視図、図３は
送受信デバイスの断面図である。図において、従来技術
と同一部材は同一符号で示す。
ける双方向光伝送デバイスについて説明する。図１〜図
３は、本発明の第１の実施の形態である双方向光伝送デ
バイスに係わり、図１は、一芯双方向光伝送デバイスの
要部断面図、図２は、送受信デバイスの斜視図、図３は
送受信デバイスの断面図である。図において、従来技術
と同一部材は同一符号で示す。
【００１６】図１において、光ファイバプラグ１Ａはハ
ウジング部に一芯の、例えばプラスチック材よりなる光
ファイバ２が内蔵されている。一方、光伝送モジュール
３Ａのハウジング４の内部には、後述する角錐形状又は
円錐形状を半分にした発光デバイスと受光デバイスを接
着剤などで一体化した送受信デバイス１５が収納されて
いて、光ファイバ２の先端面と光素子の前面側とは可能
な限り近接して配置される。
ウジング部に一芯の、例えばプラスチック材よりなる光
ファイバ２が内蔵されている。一方、光伝送モジュール
３Ａのハウジング４の内部には、後述する角錐形状又は
円錐形状を半分にした発光デバイスと受光デバイスを接
着剤などで一体化した送受信デバイス１５が収納されて
いて、光ファイバ２の先端面と光素子の前面側とは可能
な限り近接して配置される。
【００１７】図１〜図３において、前記外部との電気的
接続のための電極端子であるスルーホール電極を有する
ガラエポ樹脂又はセラミックなどよりなるベース基板１
６に発光チップとして発光ダイオード（ＬＥＤ）７又は
レーザー（ＬＤ）と、その素子を制御するためのドライ
ブＩＣ８を実装する。また、前記ベース基板１６に受光
チップとして受光ＩＣ１２を実装する。前記ベース基板
１６に形成された上面電極との導通をワイヤで行ってい
る。
接続のための電極端子であるスルーホール電極を有する
ガラエポ樹脂又はセラミックなどよりなるベース基板１
６に発光チップとして発光ダイオード（ＬＥＤ）７又は
レーザー（ＬＤ）と、その素子を制御するためのドライ
ブＩＣ８を実装する。また、前記ベース基板１６に受光
チップとして受光ＩＣ１２を実装する。前記ベース基板
１６に形成された上面電極との導通をワイヤで行ってい
る。
【００１８】前記発光ダイオード（ＬＥＤ）７又はレー
ザー（ＬＤ）とＩＣ８及び受光ＩＣ１２とワイヤを透光
性の封止樹脂９で樹脂形状が角錐形状又は円錐形状にな
るように封止する。
ザー（ＬＤ）とＩＣ８及び受光ＩＣ１２とワイヤを透光
性の封止樹脂９で樹脂形状が角錐形状又は円錐形状にな
るように封止する。
【００１９】前記角錐形状又は円錐形状に形成された封
止樹脂９を半分に分割するようにダイシングして発光デ
バイス２０と受光デバイス２１に区分し、前記分割面を
含み封止樹脂９の全面を金属メッキ、例えば、ニッケル
メッキなどを行い光干渉防止保護膜１８を施して覆った
後、前記発光デバイス２０と受光デバイス２１を分割面
で組み合わせ、接着剤２２などにより一体に接着・固定
する。
止樹脂９を半分に分割するようにダイシングして発光デ
バイス２０と受光デバイス２１に区分し、前記分割面を
含み封止樹脂９の全面を金属メッキ、例えば、ニッケル
メッキなどを行い光干渉防止保護膜１８を施して覆った
後、前記発光デバイス２０と受光デバイス２１を分割面
で組み合わせ、接着剤２２などにより一体に接着・固定
する。
【００２０】前記角錐形状又は円錐形状に形成された封
止樹脂９の尖った先端部をカットすることにより先端部
の光干渉防止保護膜１８を先端のみ除去して光伝送路１
９Ａと１９Ｂを形成し、送受信デバイス１５を構成す
る。
止樹脂９の尖った先端部をカットすることにより先端部
の光干渉防止保護膜１８を先端のみ除去して光伝送路１
９Ａと１９Ｂを形成し、送受信デバイス１５を構成す
る。
【００２１】以上述べた構成の送受信デバイス１５は、
発光デバイス２０と受光デバイス２１との外壁に金属系
の光干渉防止保護膜１８を施し、受発光部間の光干渉を
防ぐ。また、２つのデバイスを接着剤２２で一体化する
ことにより、小型で一芯双方向で光伝送が可能になる。
また、ベース基板１６に形成されたスルーホール電極１
７が面実装を可能にしリフロー対応が可能になる。
発光デバイス２０と受光デバイス２１との外壁に金属系
の光干渉防止保護膜１８を施し、受発光部間の光干渉を
防ぐ。また、２つのデバイスを接着剤２２で一体化する
ことにより、小型で一芯双方向で光伝送が可能になる。
また、ベース基板１６に形成されたスルーホール電極１
７が面実装を可能にしリフロー対応が可能になる。
【００２２】図４は、本発明の第２の実施の形態である
双方向光伝送デバイスに係わる送受信デバイスの断面図
である。図４に示すように、ガラエポ樹脂又はセラミッ
クなどよりなる一つのベース基板１６の側面に、外部と
の電気的接続のための電極端子である複数個の半円形状
をした図示しないスルーホール電極が形成されている。
前記ベース基板１６の上面側には、後述する発光チップ
及び受光チップが実装される。
双方向光伝送デバイスに係わる送受信デバイスの断面図
である。図４に示すように、ガラエポ樹脂又はセラミッ
クなどよりなる一つのベース基板１６の側面に、外部と
の電気的接続のための電極端子である複数個の半円形状
をした図示しないスルーホール電極が形成されている。
前記ベース基板１６の上面側には、後述する発光チップ
及び受光チップが実装される。
【００２３】前記のベース基板１６の上面には、略中心
より一方の側に発光チップとして発光ダイオード（ＬＥ
Ｄ）７又はレーザー（ＬＤ）と、その素子を制御するた
めのドライブＩＣ８を実装する。ベース基板１６に形成
された上面電極との導通をワイヤで行っている。前記ベ
ース基板１６の他方の側に受光チップとして受光ＩＣ１
２を実装する。ベース基板１６に形成された上面電極と
の導通をワイヤで行っている。前記両素子の上面を透光
性の封止樹脂９で封止する。
より一方の側に発光チップとして発光ダイオード（ＬＥ
Ｄ）７又はレーザー（ＬＤ）と、その素子を制御するた
めのドライブＩＣ８を実装する。ベース基板１６に形成
された上面電極との導通をワイヤで行っている。前記ベ
ース基板１６の他方の側に受光チップとして受光ＩＣ１
２を実装する。ベース基板１６に形成された上面電極と
の導通をワイヤで行っている。前記両素子の上面を透光
性の封止樹脂９で封止する。
【００２４】前記封止樹脂９の形状は、角錐形状又は円
錐形状をしおり、前記角錐形状又は円錐形状に成形され
た封止樹脂９を半分に分割するように、ベース基板１６
の上面に達するハーフダイシングを行いダイシング溝２
３を形成する。該ダイシング溝２３により発光デバイス
２０と受光デバイス２１に区分する。
錐形状をしおり、前記角錐形状又は円錐形状に成形され
た封止樹脂９を半分に分割するように、ベース基板１６
の上面に達するハーフダイシングを行いダイシング溝２
３を形成する。該ダイシング溝２３により発光デバイス
２０と受光デバイス２１に区分する。
【００２５】前記ダイシング溝２３の面を含み封止樹脂
９の全面を金属メッキ、例えば、ニッケルメッキなどを
行い光干渉防止保護膜１８で覆った後、尖った先端部を
カットして光干渉防止保護膜を先端のみ除去し光伝送路
１９Ａと１９Ｂを形成し、送受信デバイス１５Ａを構成
する。
９の全面を金属メッキ、例えば、ニッケルメッキなどを
行い光干渉防止保護膜１８で覆った後、尖った先端部を
カットして光干渉防止保護膜を先端のみ除去し光伝送路
１９Ａと１９Ｂを形成し、送受信デバイス１５Ａを構成
する。
【００２６】以上述べた構成の送受信デバイス１５Ａ
は、発光デバイス２０と受光デバイス２１との外壁に金
属系の光干渉防止保護膜１８を施し、受発光部間の光干
渉を防ぐ。また、２つのデバイスを一つの基板上に一体
化することにより、小型で一芯双方向で光伝送が可能に
なる。また、基板に形成されたスルーホール電極１７が
面実装を可能にしリフロー対応が可能になる。
は、発光デバイス２０と受光デバイス２１との外壁に金
属系の光干渉防止保護膜１８を施し、受発光部間の光干
渉を防ぐ。また、２つのデバイスを一つの基板上に一体
化することにより、小型で一芯双方向で光伝送が可能に
なる。また、基板に形成されたスルーホール電極１７が
面実装を可能にしリフロー対応が可能になる。
【００２７】
【発明の効果】以上説明したように、光送信／受信デバ
イスを一体化すると同時に、光干渉を防ぎ光入出力を効
率良く伝送でき、面実装タイプにより、リフロー対応可
能にし、小型で安価な一芯双方向光伝送デバイスを提供
することが可能できる。
イスを一体化すると同時に、光干渉を防ぎ光入出力を効
率良く伝送でき、面実装タイプにより、リフロー対応可
能にし、小型で安価な一芯双方向光伝送デバイスを提供
することが可能できる。
【図１】本発明の第１の実施の形態を係わる一芯双方向
光伝送モジュールの要部断面図である。
光伝送モジュールの要部断面図である。
【図２】図１の送受信デバイスの斜視図である。
【図３】図２の送受信デバイスの断面図である。
【図４】本発明の第２の実施の形態を係わる送受信デバ
イスの断面図である。
イスの断面図である。
【図５】従来の二芯双方向光伝送モジュールの構造を示
す要部断面図である。
す要部断面図である。
【図６】図５に矢印Ａ方向からの説明図である。
１Ａ 光ファイバプラグ
２ 光ファイバ
３Ａ 光ミニジャックモジュール
４ ハウジング
７ ＬＥＤ（又はＬＤ）
８ ＩＣ
９ 封止樹脂
１２ ＩＣ（受光）
１５、１５Ａ 送受信デバイス
１６ ベース基板
１７ スルーホール電極
１８ 光干渉防止保護膜
１９Ａ、１９Ｂ 光伝送路
２０ 発光デバイス
２１ 受光デバイス
２２ 接着剤
２３ ダイシング溝
─────────────────────────────────────────────────────
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(72)発明者 萱沼 安昭
山梨県富士吉田市上暮地１丁目23番１号
株式会社シチズン電子内
Ｆターム(参考） 2H037 AA01 BA02 BA11 CA08 DA03
DA04 DA15 DA31
5F041 AA14 AA47 DA07 DA13 DA19
DA34 DA43 DA64 DA74 DA75
EE06 FF14
5F073 AB15 AB28 BA01 EA29 FA07
FA27
5F088 AA01 BA03 BA15 BA20 BB01
EA09 EA13 JA03 JA06 JA10
JA14 JA20
Claims (3)
- 【請求項１】 発光チップ及び受光チップを実装し単一
のハウジングにより一体化し、外部との電気的接続のた
めの電極端子を備えた光ミニジャック又は光伝送モジュ
ールと、該光ミニジャック又は光伝送モジュールに光フ
ァイバプラグを係合した双方向光伝送デバイスにおい
て、前記光ミニジャック又は光伝送モジュールは、前記
外部との電気的接続のための電極端子であるスルーホー
ル電極を有する一つのベース基板に発光チップ及び受光
チップを実装し、両チップの上面を角錐形状又は円錐形
状に透光性の封止樹脂で封止成形し、前記角錐形状又は
円錐形状に形成された封止樹脂を半分に分割するように
ダイシングして発光デバイスと受光デバイスに区分し、
前記分割面を含み封止樹脂の全面をメッキして光干渉防
止保護膜で覆った後、前記発光デバイスと受光デバイス
を分割面で接着して一体になるように組み合わせ接着・
固定し、尖った先端部をカットし、前記光干渉防止保護
膜を先端のみ除去して光伝送路を形成し、前記光ミニジ
ャック又は光伝送モジュールに一芯の光ファイバプラグ
を係合したことを特徴とする双方向光伝送デバイス。 - 【請求項２】 発光チップ及び受光チップを実装し単一
のハウジングにより一体化し、外部との電気的接続のた
めの電極端子を備えた光ミニジャック又は光伝送モジュ
ールと、該光ミニジャック又は光伝送モジュールに光フ
ァイバプラグを係合した双方向光伝送デバイスにおい
て、前記光ミニジャック又は光伝送モジュールは、前記
外部との電気的接続のための電極端子であるスルーホー
ル電極を有する一つのベース基板に発光チップ及び受光
チップを実装し、両チップの上面を角錐形状又は円錐形
状に透光性の封止樹脂で封止成形し、前記角錐形状又は
円錐形状に形成された封止樹脂を半分に分割するよう
に、ベース基板の上面に達するハーフダイシングを行い
ダイシング溝を形成し、該ダイシング溝で発光デバイス
と受光デバイスに区分し、前記ダイシング溝面を含み封
止樹脂の全面を光干渉防止保護膜で覆った後、尖った先
端部をカットし、前記光干渉防止保護膜を先端のみ除去
して光伝送路を形成し、前記光ミニジャック又は光伝送
モジュールに一芯の光ファイバプラグを係合したことを
特徴とする双方向光伝送デバイス。 - 【請求項３】 前記光干渉防止保護膜は、ニッケルメッ
キ層であることを特徴とする請求項１又は２記載の双方
向光伝送デバイス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001328421A JP3832728B2 (ja) | 2001-10-25 | 2001-10-25 | 双方向光伝送デバイス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001328421A JP3832728B2 (ja) | 2001-10-25 | 2001-10-25 | 双方向光伝送デバイス |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003131084A true JP2003131084A (ja) | 2003-05-08 |
| JP3832728B2 JP3832728B2 (ja) | 2006-10-11 |
Family
ID=19144485
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001328421A Expired - Fee Related JP3832728B2 (ja) | 2001-10-25 | 2001-10-25 | 双方向光伝送デバイス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3832728B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008078900A1 (en) * | 2006-12-27 | 2008-07-03 | Lg Innotek Co., Ltd | Semiconductor light emitting device package |
-
2001
- 2001-10-25 JP JP2001328421A patent/JP3832728B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008078900A1 (en) * | 2006-12-27 | 2008-07-03 | Lg Innotek Co., Ltd | Semiconductor light emitting device package |
| US8158996B2 (en) | 2006-12-27 | 2012-04-17 | Lg Innotek Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device package |
| US9166115B2 (en) | 2006-12-27 | 2015-10-20 | Lg Innotek Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device package |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3832728B2 (ja) | 2006-10-11 |
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