JP2003129144A - 金属材料の電子ビーム溶解方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 歩留りの向上と酸素濃度の抑制とを両立する
ことができる金属材料の電子ビ−ム溶解方法を提供す
る。 【解決手段】 電子ビーム溶解炉内に本溶解材Ｑと予備
溶解材Ｐとを配置し、先ず予備溶解材を減圧下で電子ビ
ーム溶解して溶湯面を形成した後、減圧状態を保持した
まま溶解炉内において本溶解材Ｑを電子ビーム溶解す
る。この場合、予備溶解材Ｐを坩堝１３内に配置し、予
備溶解材Ｐの上面を電子ビーム溶解して溶湯面を形成し
た後、予備溶解材Ｐを冷却凝固して坩堝１３から取り除
き、次いで、本溶解材Ｑを電子ビーム溶解して溶湯を坩
堝１３に供給する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、金属材料の電子ビーム
溶解方法に係わり、詳しくは電子ビーム溶解で金属材料
の鋳塊（以下「インゴット」と称することがある）を製
造するに当り、得られる金属鋳塊の酸素濃度の上昇を抑
制することが可能となり、酸素が厳しく制限される半導
体材料などの分野で広く使用することができる溶解方法
に係わる。

【０００２】

【従来の技術】金属材料の電子ビーム溶解法では、電子
ビームを真空中で金属材料に照射することによって金属
材料を溶解し、その溶融金属を水冷された坩堝内に注ぎ
込むことにより凝固させ、次いで、坩堝の底部開口を塞
ぐスターティングブロックを下方に移動し、凝固した金
属材料を連続的に引き抜くことによってインゴットが製
造される。この電子ビーム溶解法は、Ｗ、ＮｂやＭｏな
どの高融点金属や活性金属であるＴｉ、高純度Ｃｕなど
のインゴット製造方法として広く利用されている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】ところで、電子ビーム
が照射されて金属材料の温度が上昇すると、被照射部か
ら輻射熱が発生する。一方、金属材料の溶解前には、溶
解炉の内壁や溶解炉の中にある様々な部品の表面に大量
の大気中の水分やガス分が吸着しており、内部を真空に
しても溶解炉の内部には相当量の吸着水分およびガスが
残留している。このため、溶解を開始するとこれら吸着
水分およびガスは、上記の輻射熱によって内壁や部品の
表面から離脱して溶解炉の内部空間に放出される。この
ため、離脱した水分やガスの一部は溶融金属に取込ま
れ、得られるインゴットの酸素濃度が上昇してしまうと
いう問題がある。

【０００４】上記のような輻射熱による吸着水分やガス
の離脱は、溶解の初期に盛んに起き、溶解の進行ととも
に徐々に減少する。また輻射熱が大きい程、吸着水分や
ガスの離脱は盛んになり、短時間で吸着水分やガスは減
少する性質がある。したがって、酸素との親和力が強い
Ｔｉ、Ｚｒ等の電子ビーム溶解では、全体のインゴット
の酸素濃度と比較すると、溶解初期の部分における酸素
濃度の上昇が５０ppmを越えてしまうことがある。この
ような酸素濃度が高い部分は、加工性の低下や半導体と
しての信頼性低下を引起こすことから切断除去され、そ
の結果、歩留まりを大きく低下させてしまう。

【０００５】上記のような酸素の上昇を抑制するため、
例えば特開平９−３１５５９号公報には、溶解金属と同
じ金属で予備溶解することを開示している。しかしなが
ら、同公報には、皿形水冷溶解容器を用いて予備溶解を
行うことしか記載されておらず（段落２４番）、いかに
して歩留りの低下と酸素濃度の上昇を抑制するかについ
ては未解決のままであった。したがって、本発明は、電
子ビームを照射して金属材料を溶解する電子ビーム溶解
法において、歩留りの向上と酸素濃度の抑制とを両立す
ることができる金属材料の電子ビ−ム溶解方法を提供す
ることを目的としている。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明者の金属材料の電
子ビーム溶解方法は、金属材料を溶解炉にて溶解するに
あたり、溶解炉内に本溶解用の金属材料と予備溶解用の
金属材料とを配置し、先ず予備溶解材を減圧下で電子ビ
ーム溶解して溶湯面を形成した後、減圧状態を保持した
まま溶解炉内において本溶解材を電子ビーム溶解するこ
とを特徴としている。

【０００７】上記金属材料の電子ビーム溶解方法にあっ
ては、予備溶解用の金属材料を減圧下で電子ビーム溶解
する（以下、これを「予備溶解」と称する）ことによ
り、予備溶解の輻射熱により溶解炉内に放出された水分
やガスが予備溶解材の溶湯に吸収される。そして、予備
溶解材を移動させた後、溶解炉中の水分やガスが減少し
た状態で金属材料を電子ビーム溶解するから、本溶解材
の溶湯への水分やガスの吸収が抑制される。この場合、
予備溶解材は、複数回の予備溶解に用いることができる
から、歩留りの低下が抑制される。

【０００８】

【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な実施の形態
について説明する。予備溶解に際しては、予備溶解材を
坩堝内に配置し、予備溶解材の上面を電子ビーム溶解し
て溶湯面を形成した後、予備溶解材を冷却凝固して坩堝
から取り除き、次いで、本溶解材を電子ビーム溶解して
溶湯を坩堝に供給することが望ましい。このような工程
により、予備溶解材と本溶解材とが完全に分離され、本
溶解金属材料に対する水分やガスの汚染が効果的に抑制
される。

【０００９】上記のような態様においては、坩堝の開口
された底部を上下方向に移動可能なスターティングブロ
ックで閉塞し、スターティングブロックの上面に予備溶
解材を載置すると良い。そして、予備溶解が終了して予
備溶解材が冷却凝固した後に、スターティングブロック
を上昇させてその上面を坩堝の上面と一致させ、本溶解
用材料を坩堝側へ押し出す機構によって予備溶解材を坩
堝から移動させるようにすることができる。このような
工程を採用することにより、既存の設備をそのまま利用
することができる。

【００１０】本発明の電子ビーム溶解方法に供する本溶
解材または予備溶解材は、Ｗ、Ｎｂ、ＶやＭｏなどの高
融点金属、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆなどの活性金属、あるいは
Ｃｕなどが挙げられ、これらの中でも特に酸素との親和
力の強いＴｉおよびＺｒが電子ビーム溶解に適してい
る。

【００１１】本発明の電子ビーム溶解方法では、予備溶
解材は本溶解材と異種のものを用いることも可能であ
る。しかしながら、予備溶解材も電子ビームにより一部
（又は全部）溶解を行うので、予備溶解材の蒸発による
本溶解材の汚染を防ぐために、本溶解材と同種の金属を
用いることが望ましい。さらに、予備溶解材は溶解炉内
の水分や酸素を吸収あるいは吸着して除去することが目
的であるので、水分や酸素を吸収し易い金属であること
が望ましく、具体的にはＴｉあるいはＺｒが良い。

【００１２】本発明においては、予備溶解材の一部を溶
解する操作と、溶解原料である金属材料を溶解する一連
の操作を、真空下において連続して行うため、予め電子
ビーム溶解炉内に予備溶解材と本溶解材とセットしてお
く必要がある。図１はそのような電子ビーム溶解炉の一
例を示す図である。図１において符号１は炉本体、２は
材料マガジンであり、両者は真空チャンバーを構成する
とともに互いに連通している。

【００１３】炉本体１の頂部には、真空ポンプ１０が取
り付けられている。また、炉本体１の頂部には、電子ビ
ーム発生機構１１が取り付けられ、電子ビーム発生機構
１１の下部には、電子銃１２が設けられている。また、
炉本体１の底部には、リング状をなす坩堝１３が配置さ
れている。坩堝１３は、銅などの熱伝導性が良好な材料
で構成され、その内部は冷却水が流通するようになされ
ている。この坩堝１３の下側には、円筒状をなす冷却機
構１４が設けられている。冷却機構１４の内径は、坩堝
１３の内径と等しくされている。また、冷却機構１４の
壁部も中空とされ、その内部を冷却水が流通する。そし
て、冷却機構１４の内部には、引抜機構１５が設けら
れ、引抜機構１５の上端部には、スターティングブロッ
ク１６が取り付けられている。スターティングブロック
１６は、溶解する金属材料と同種の材料で構成され、坩
堝１３の底部開口を塞ぐ寸法に設定されている。

【００１４】次に、材料マガジン２の下端側部には、材
料フィーダ２０が取り付けられている。材料フィーダ２
０には、材料マガジン２に収容された本溶解材を図中左
側へ押し出すフィーダ軸２１が設けられている。なお、
図中符号１７は台であり、その高さは坩堝１３の高さと
等しくされている。また、符号１８は懸吊機構であり、
これに本溶解材を吊り下げて坩堝１３の真上で電子ビー
ム溶解することもできる。

【００１５】次に、上記構成の電子ビーム溶解炉により
たとえばＴｉブリケットからなる金属材料を電子ビーム
溶解する手順を図１〜３を参照して説明する。まず、ス
ターティングブロック１６を坩堝１３の下端部に位置さ
せ、その上にＴｉ製の予備溶解材Ｐを載置する。次い
で、真空ポンプ１０を起動し、炉本体１の内部が所定の
真空度に達したら、電子銃１２より電子ビームＢを予備
溶解材Ｐの上面中央部に向けて照射する。これにより、
予備溶解材Ｐの上面が溶解される。ここで、予備溶解材
Ｐは、その上部の一部のみ溶解させる。このとき、予備
溶解材Ｐの下部まで溶解してしまうと、下側のスターテ
ィングブロック１６と溶着してしまい、予備溶解材Ｐが
移動できなくなってしまう。このため、ある程度の厚み
のある予備溶解材Ｐを形成して、溶解が予備溶解材Ｐの
下部に到達しない程度にして溶湯面を形成する必要があ
る。

【００１６】予備溶解を行う際の炉本体１内の圧力は、
８．０×１０^−３Ｐａ以下に設定される。予備溶解が開
始されると炉本体１内の水分等が脱離、蒸発して圧力が
上昇する。さらに溶解出力を上げて溶解するとさらに圧
力は上昇するが、次第に圧力は下降し設定圧力に戻る。
これは、炉本体１内の水分等が予備溶解材Ｐに取り込ま
れるためである。したがって、予備溶解では、炉本体１
内の圧力が設定値に戻るまで行うことが好ましい。

【００１７】次に、電子ビームＢの照射を終了し、溶湯
Ｍを冷却凝固させる。次に、スターティングブロック１
６を上昇させ、図２に示すように、スターティングブロ
ック１６の上面を坩堝１３の上面と一致させる。そし
て、その状態で材料フィーダ２０のフィーダ軸２１を前
進させ、予備溶解材Ｐをスターティングブロック１６か
ら台１７の上に移動させる。次に、スターティングブロ
ック１６を図１に示す状態まで下降させる。一方、材料
マガジン２に収容した本溶解材Ｑをフィード位置に落下
させ、フィーダ軸２１を前進させて本溶解材Ｑの先端部
を坩堝１３に臨ませる（図３参照）。そして、この状態
で電子銃１２から電子ビームＢをスターティングブロッ
ク１６の上面に照射して上面全体を溶解し、次いで電子
ビームＢを本溶解材Ｑの先端部に照射する。これによ
り、本溶解材Ｑの先端部が溶解され（以下、この溶解を
「本溶解」と称する）、生成された溶湯が坩堝１３内、
つまりスターティングブロック１６の上面に滴下する。

【００１８】上記のような操作は、真空状態を保持した
まま行う。真空を解除すると、炉外の大気や水分が炉内
に侵入してしまい、本溶解材を溶解した際に金属材料が
汚染されてしまう。坩堝１３内に滴下した溶湯は、坩堝
１３内で冷却凝固するので、その中央部に電子ビームＢ
を照射して上面のうち一部が溶湯Ｍとなる状態を維持す
る。これにより、本溶解材Ｑに含まれる不純物のうち本
溶解材よりも融点の低いものが蒸発し、金属材料の純度
が高められる。そして、引抜機構１５を作動させてスタ
ーティングブロック１６を徐々に下降させてゆき、溶解
が終了したら凝固した金属材料を下側へ引き抜く。

【００１９】上記のような金属材料の電子ビーム溶解方
法では、本溶解材Ｑを溶解する前に同種の予備溶解材Ｐ
を溶解し、その輻射熱により溶解炉の内壁や炉内の様々
な部品の表面に吸着した大気中水分やガス分を離脱さ
せ、一部は予備溶解材Ｐの溶湯Ｍに取り込ませ、他は真
空排気により系外へ排出する。また、予備溶解材Ｐを坩
堝１３から取り出して本溶解を行うが、この際も輻射熱
が発生するものの、炉本体１の内壁等に吸着した水分や
ガス分は、予備溶解によって既に離脱しているため、新
たな離脱は微量である。したがって、本溶解の初期に溶
湯Ｍに取り込まれる水分やガス分の量を少なくすること
ができ、製造した金属材料の純度（特に、酸素濃度）を
構成させることができる。また、予備溶解材Ｐは複数回
使用することができるので、材料の歩留りを向上させる
ことができる。

【００２０】ここで、本溶解における輻射熱が大きくな
ると、水分やガス分の新たな離脱が発生するので、予備
溶解の際の輻射熱は、本溶解の際の輻射熱と同等または
それよりも大きくすることが望ましい。溶解時に発生す
る輻射熱は、溶融温度の４乗に比例し、また溶融面積に
も比例するので、予備溶解時の電子ビ−ムの出力を本溶
解時と同等またはそれ以上に上げて溶融温度を高くする
ことや、予備溶解材の溶湯面積を、本溶解時の溶湯面積
と同等またはそれ以上に広くすることで輻射熱を大きく
することができる。ただし、前者の方策では、溶融金属
周辺部の冷却能を大きくする必要があることから、後者
の方策の方が望ましい。

【００２１】なお、上記実施の形態では、坩堝１３の上
で本溶解材Ｑを電子ビーム溶解しているが、皿型水冷溶
解容器を坩堝１３の横に配置し、そこで本溶解材Ｑを電
子ビーム溶解するハース溶解炉として構成することもで
きる。具体的には、皿形水冷溶解容器の縁部でＴｉブリ
ケットの先端を電子ビーム溶解して溶湯を皿型水冷溶解
容器内に溜めておき、そこからオーバーフローした溶湯
を坩堝１３に供給する。この場合、皿型水冷容器内の溶
湯が冷却凝固しないように溶湯も電子ビームで加熱す
る。このようなハース溶解炉を用いる場合においても、
予備溶解材の予備溶解を坩堝１３内で行うことができ
る。

【００２２】あるいは、予備溶解を皿型水冷溶解容器内
で行うこともできる。この場合には、予備溶解した後の
予備溶解材を冷却凝固させてから皿型水冷溶解容器から
取り出すのが望ましいが、予備溶解材を皿型水冷容器内
で完全に溶解し、続けて皿型水冷容器の縁部で本溶解す
ることもできる。この場合には、水分やガス分を吸収し
た予備溶解材の溶湯が皿型水冷溶解容器の底部に沈殿す
るため、坩堝１３には純度の高い溶湯が供給される。

【００２３】

【実施例】以下、実施例を挙げて本発明をさらに具体的
に説明するが、これは単に例示であって、本発明を制限
するものではない。 （実施例１）図１に示す電子ビーム溶解炉内の清掃及び
必要部品のセットを行い、直径１８０ｍｍの水冷銅坩堝
を用いるとともに、１０^−２Ｐａ台以下まで真空排気
し、以下の条件にて電子ビーム溶解を実施した。

【００２４】先ず、予め溶解原料金属と同じ材質（純度
９９．９９５％Ｔｉ）のスタ−ティングブロック（直径
１７６ｍｍ、高さ２５０ｍｍ）を坩堝の中に挿入し、ス
タ−ティングブロックを引抜機構と連結した。さらに、
スターティングブロックと同じ直径の予備溶解材（純Ｔ
ｉ２種材：直径１７６ｍｍ、高さ８０ｍｍ）をスターテ
ィングブロック上にのせ、予備溶解材の上面が坩堝の所
定位置になるようスターティングブロックを昇降させて
調整した。次に、電子ビ−ムの出力を５ｋＷピッチで段
階的に３５ｋＷまで上げ、予備溶解材上面を溶かして全
面を溶融した。この時、各出力で５分保持した。電子ビ
−ムの出力が０ｋＷのときの真空度は３．１×１０^−３
Ｐａであり、出力を上げると同時に真空度は急激に低下
したが、５分保持するとやや真空度は回復した。さら
に、出力を上げると同様の真空挙動を示した。出力を３
５ｋＷにすると最大１．３×１０^−２Ｐａまで真空度は
低下した。このままの出力で保持したところ真空度は徐
々に回復し、３０分後に４．８×１０^−３Ｐａに到達し
た。そこで、出力を停止し、スターティングブロックを
上昇させて予備溶解材を坩堝の上方に移動させ、さらに
横方向に移動させた。

【００２５】次に、スターティングブロックを坩堝の所
定位置にあわせて本溶解材である金属材料の溶解を実施
した。予備溶解材の溶解と同様の出力パタ−ンでスタ−
ティングブロックの上面を溶かし全面を溶融した。出力
０ｋＷの真空度は１．２×１０^−３Ｐａ、出力３５ｋＷ
では最大３．１×１０^−３Ｐａであった。このままの出
力で保持すると真空度は徐々に回復し３０分後１．５×
１０^−３Ｐａに到達した。次に、スターティングブロッ
ク上面全体が溶融状態になるように電子ビ−ムの照射位
置を調整しながら本溶解材を坩堝の横から坩堝の中心方
向に押し出し、その先端部に電子ビ−ムを照射して溶解
しスターティングブロック上に滴下した。これにより、
スターティングブロックの溶融面が上がってくるので、
溶融面が適正な位置になるようにスターティングブロッ
クを降下させた。この操作を繰返し実施して直径１７６
ｍｍ、長さ約５００ｍｍの金属のインゴットを製造し
た。

【００２６】得られたインゴットからスターティングブ
ロック部分を切断した後、サンプルを採取して酸素濃度
を分析した。インゴットのサンプル採取部分は溶解初期
に相当する切断面と、切断面から１００ｍｍピッチで離
間した部位と、溶解終了部分に相当する部位の計６ヶ所
ないし７ケ所とした。その分析結果を表１に示す。表１
から判るように、溶解初期に相当する切断面での酸素濃
度の上昇がもっとも大きく１０ｐｐｍであったが、切断
面から１００ｍｍ以上離れた部位での酸素濃度の上昇は
認められなかった。

【００２７】

【表１】

【００２８】（比較例）図１に示す電子ビーム溶解炉の
清掃及び必要部品のセットを行ってから真空排気し、予
備溶解をせずに最初から所望の金属材料と同じ材質（９
９．９９５％Ｔｉ）のスターティングブロック（直径１
７６ｍｍ、高さ２５０ｍｍ）に電子ビ−ムを照射し、実
施例１で示した出力条件でインゴットを製造した。電子
ビ−ムの出力が０ｋＷのときの真空度は３．７×１０−
３Ｐａであったが、出力を上げると同時に真空度は急激
に低下し、５分保持するとやや真空度は回復した。さら
に出力を上げると同様の真空挙動を示した。出力を３５
ｋＷにすると、真空度は最大９．７×１０^−２Ｐａまで
低下した。このままの出力で保持したところ、真空度は
徐々に回復し、３０分後に５．０×１０^−３Ｐａに到達
した。

【００２９】次に、スターティングブロック上面全体が
溶融状態になるように電子ビ−ムの照射位置を調整しな
がら所望の金属材料を坩堝の横から坩堝の中心方向に押
し出し電子ビ−ムを照射して溶解し直径１７６、長さ約
５００ｍｍの所望金属のインゴットを製造した。得られ
たインゴットからスターティングブロック部分を切断
し、サンプルを採取して酸素濃度を分析した。以上の分
析結果を表１に示す。表１から判るように、溶解初期に
相当する切断面での酸素の上昇がもっとも大きく８０ｐ
ｐｍであった。また、切断面から１００ｍｍ以上離れた
部位でも酸素の上昇が認められ約４００ｍｍ離れた部位
で酸素の上昇は認められなくなった。

【００３０】

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、溶
解初期に相当する部位での酸素等の不純物濃度の上昇を
抑制することができ、半導体などの電子材料に適した高
純度の金属インゴットが得られるとともに、歩留りも向
上させることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の実施形態における電子ビーム溶解炉
を示す側断面図であり、ＥＢ溶解をしている状態を示す
図である。

【図２】 本発明の実施形態における電子ビーム溶解炉
を示す側断面図であり、図１に示す状態からスターティ
ングブロックを上昇させた状態を示す図である。

【図３】 本発明の実施形態における電子ビーム溶解炉
を示す側断面図であり、本溶解を行っている状態を示す
図である。

【符号の説明】

１ 炉本体 １６ スターティングブロック Ｐ 予備溶解材 Ｑ 本溶解材

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 金属材料を溶解炉にて溶解するにあた
   り、溶解炉内に本溶解材と予備溶解材とを配置し、先ず
   予備溶解材を減圧下で電子ビーム溶解して溶湯面を形成
   した後、減圧状態を保持したまま上記溶解炉内において
   本溶解材を電子ビーム溶解することを特徴とする金属材
   料の電子ビーム溶解方法。
2. 【請求項２】 前記予備溶解材を坩堝内に配置し、同予
   備溶解材の上面を電子ビーム溶解して溶湯面を形成した
   後、同予備溶解材を冷却凝固して坩堝から取り除き、次
   いで、前記本溶解材を電子ビーム溶解して溶湯を上記坩
   堝に供給することを特徴とする請求項１に記載の金属材
   料の電子ビーム溶解方法。
3. 【請求項３】 前記予備溶解材がチタンであることを特
   徴とする請求項１または２に記載の金属材料の電子ビー
   ム溶解方法。
4. 【請求項４】 前記予備溶解材が前記本溶解材と同種の
   金属であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに
   記載の金属材料の電子ビーム溶解方法。
5. 【請求項５】 前記予備溶解材を電子ビーム溶解した際
   の溶湯面の溶融面積を、前記本溶解材を電子ビーム溶解
   した際の溶湯面の溶融面積と同等またはそれ以上にする
   ことを特徴とする請求項２〜４のいずれかに記載の金属
   材料の電子ビ−ム溶解方法。
6. 【請求項６】 前記予備溶解材を電子ビーム溶解する際
   の溶解出力を、前記本溶解材を電子ビーム溶解する際の
   溶解出力と同等またはそれ以上にすることを特徴とする
   請求項２〜４のいずれかに記載の金属材料の電子ビ−ム
   溶解方法。