JP2003127028A5

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Publication number: JP2003127028A5
Application number: JP2001326322A
Authority: JP
Filing date: 2001-10-24
Publication date: 2005-05-19

Description

【書類名】明細書
【発明の名称】放電加工方法及びその制御装置
【特許請求の範囲】
【請求項１】放電電源と電極間を第１の導通遮断素子にて所定タイミングで導通遮断するとともにこの第１の導通遮断素子に比して導通遮断タイミングを所定時間遅延して放電電源と加工ワーク間を第２の導通遮断素子にて導通遮断して電極と加工ワーク間に差分電圧を印加して放電加工することを特徴とする放電加工方法。
【請求項２】第１と第２の導通遮断素子の導通遮断タイミングを、電極と加工ワーク間の放電加工電流及び電圧パルス幅が１００ｎｓｅｃ以下となるように制御することを特徴とする請求項１記載の放電加工方法。
【請求項３】放電電源と電極間を導通遮断する第１の導通遮断素子の導通後、所定時間後に放電電源と加工ワーク間を導通遮断する第２の導通遮断素子を導通させ、第２の導通遮断素子を遮断した後所定時間後に第１の導通遮断素子が遮断されるように、第１及び第２の導通遮断素子の導通遮断パルスのパルス幅と位相を調整して放電加工することを特徴とする放電加工方法。
【請求項４】電極と加工ワークの間の加工媒体として脱イオン水を用いることを特徴とする請求項１〜３の何れかに記載の放電加工方法。
【請求項５】放電電源と電極との間の回路を導通遮断する第１の導通遮断素子と、加工ワークと放電電源との間に接続された第２の導通遮断素子と、第１の導通遮断素子に対して導通遮断タイミングを指令するパルス発生手段と、パルス発生手段による導通遮断タイミングを所定時間遅延して第２の導通遮断素子に対して指令する遅延手段とを備え、第１の導通遮断素子の導通立ち上り後、第２の導通遮断素子を導通立ち上げして、差分電圧を電極と加工ワーク間に印加するようにしたことを特徴とする放電加工制御装置。
【請求項６】放電電源の一方の極性と電極との間の回路を導通遮断する第１の導通遮断素子と、加工ワークと放電電源の一方の極性との間に接続された第２の導通遮断素子と、加工ワークと放電電源の他方の極性との間に接続された第３の導通遮断素子と、第１の導通遮断素子に対して導通遮断タイミングを指令するパルス発生手段と、パルス発生手段による導通遮断タイミングを所定時間遅延して第２の導通遮断素子に対して指令する遅延手段と、パルス発生手段による導通遮断タイミングを所定時間進相して第３の導通遮断素子に対して指令する進相手段とを備え、第１の導通遮断素子の導通立ち上り後、第２の導通遮断素子を導通立ち上げし、差分電圧を電極と加工ワーク間に印加し、第３の導通遮断素子の遮断で第１と第２の導通遮断素子の導通を遮断するようにしたことを特徴とする放電加工制御装置。
【請求項７】放電電源と電極との間の回路を導通遮断する第１の導通遮断素子と、加工ワークと放電電源との間に接続された第２の導通遮断素子と、第１の導通遮断素子に対して導通遮断タイミングを指令する第１のパルス発生手段と、第２の導通遮断素子に対して導通遮断タイミングを指令する第２のパルス発生手段とを備え、第２のパルス発生手段は、その導通タイミングを第１のパルス発生手段よりも所定時間遅らせるとともに、その遮断タイミングを第１のパルス発生手段よりも所定時間早めるように構成して、差分電圧を電極と加工ワーク間に印加するようにしたことを特徴とする放電加工制御装置。
【請求項８】パルス発生手段、遅延手段、及び進相手段を、ＴＴＬレベルのデジタル信号処理素子で構成したことを特徴とする請求項５〜７の何れかに記載の放電加工制御装置。
【請求項９】電極と加工ワークの間に並列に還流抵抗を配置したことを特徴とする請求項５〜７の何れかに記載の放電加工制御装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、インクジェットプリンタのノズル穴加工や化学繊維のノズル穴加工や自動車エンジンの燃料噴射ノズル穴などの微細径穴加工や、微細部品成形金型の加工等に好適に使用される放電加工方法及びその制御装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来の微細放電加工機の放電制御回路の構成例を図７に示す。図７において、電極２１にて加工ワーク２２に対して放電加工を行うように構成され、電極２１には、直流の電源２３、充電時定数を定める抵抗２４、２５、及び放電エネルギーを蓄積するコンデンサ２６からなる放電制御回路が接続されている。
【０００３】
電極２１が加工ワーク２２に近接すると、放電が自然発生し、抵抗２４、２５とコンデンサ２６によって規定される充放電時定数で充電・放電を繰り返し、放電加工が進行することになる。
【０００４】
このように、微細放電加工機においてコンデンサの充放電方式を採用するのは、放電加工電流のパルス幅を数１０ｎｓｅｃのオーダまで下げ、放電エネルギーを１０^-7Ｊレベルにできることにある。
【０００５】
また、他の従来例として、図８に示すような放電制御回路が知られている。図８において、電極２１にて加工ワーク２２に対して放電加工を行うように構成され、電極２１には、直流の電源２３、回路を導通遮断するトランジスタ２７、及び電流制限抵抗２８、２９からなる放電制御回路が接続されている。トランジスタ２７にはコントローラ３０から一定の周期のパルス電圧が印加され、放電加工が進行することになる。
【０００６】
このような構成においては、図７のコンデンサ放電に比べて回路を強制的に遮断することができる利点がある。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、図７の放電制御回路においては、抵抗２４、２５、コンデンサ２６、及び放電ギャップにより決まるほぼランダムに近い周期で放電パルスが自然発生することになり、電極送り速度が早い場合や加工深さが深い場合には、電極２１と加工ワーク２２の間が近接しすぎるため、また深穴で加工屑が除去されない場合においても、短絡電流が発生しやすくなり、加工が進まなくなるという問題がある。
【０００８】
また、短絡状態から再度放電加工を開始する間を含め、電極２１と加工ワーク２２間には電圧が常時かかった状態になるため、特に加工速度を高くするために、加工液として油でなく純水を用いて加工する場合には電解作用が起こり、目標とする加工以外に電解作用での異常加工が発生するという問題点もある。
【０００９】
また、短絡現象が発生すると加工が進まず、正常な放電状態に復帰するため電極を一旦退避動作させる必要があるために著しく加工時間が長くなり、そのため短絡が発生し始めると、放電パルスを長くとることが望ましいが、放電周期を変化させることは困難であるという問題がある。
【００１０】
一方、図８の放電制御回路においては、回路を強制的に遮断できるので上記のような問題は解消できるが、高速スイッチングＭＯＳＦＥＴでも、パルス波形の立ち上がり時間で１０ｎｓｅｃ程度の遅れがあり、トランジスタ２７のゲートに遮断指令を入れてから立ち下がりが始まるまで数１００ｎｓｅｃの時間遅れがあり、さらに立ち下がりが完了するまでで１００ｎｓｅｃオーダの遅れ時間を生じるため、コンデンサ充放電と同等の数１０ｎｓｅｃパルス幅の微少放電電流を得ることが困難であるという問題がある。
【００１１】
本発明は、上記従来の問題に鑑み、微少放電電流を得ることができて超微細放電加工を実現できるとともに、導通遮断をコントロールできて、純水加工においても電解作用を解消して加工品位を向上でき、かつ短絡状態を発生し難くできて加工スピードを向上できる放電加工方法及びその制御装置を提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明の第１発明の放電加工方法は、放電電源と電極間を第１の導通遮断素子にて所定タイミングで導通遮断するとともにこの第１の導通遮断素子に比して導通遮断タイミングを所定時間遅延して放電電源と加工ワーク間を第２の導通遮断素子にて導通遮断して電極と加工ワーク間に差分電圧を印加して放電加工するものであり、第１と第２の導通遮断素子の導通遮断タイミングの設定によって極短時間の放電パルスを形成することができて超微細加工を実現することができ、また導通遮断素子にて導通遮断制御を行うことができ、放電状態に応じて放電パルスの時間幅を調整することができ、短絡状態を発生し難くできて加工スピードを向上できる。
【００１３】
また、第１と第２の導通遮断素子の導通遮断タイミングを、電極と加工ワーク間の放電加工電流及び電圧パルス幅が１００ｎｓｅｃ以下となるように制御することにより、１０^-7Ｊレベルの放電エネルギーによる超微細放電加工を実現でき、かつ加工液に水を用いても電解作用が発生せず、電解作用による加工品位の低下を防止して、加工精度を向上できる。なお、パルス幅は短ければ短い方が良いが、１ｎｓｅｃ以下は現実的でなく、これが下限値となる。
【００１４】
また、上記第１発明では、導通遮断素子の立ち上がり特性を用いて１０ｎｓｅｃレベルのパルス幅の電流・電圧を得ることができが、その場合導通遮断素子に印加されるパルス幅以下の周期でパルス電圧・電流を印加して加工するすることができない。
【００１５】
そこで、本発明の第２発明の放電加工方法は、放電電源と電極間を導通遮断する第１の導通遮断素子の導通後、所定時間後に放電電源と加工ワーク間を導通遮断する第２の導通遮断素子を導通させ、第２の導通遮断素子を遮断した後所定時間後に第１の導通遮断素子が遮断されるように、第１及び第２の導通遮断素子の導通遮断パルスのパルス幅と位相を調整して放電加工するものであり、第１及び第２の導通遮断素子として立ち上がり・立ち下がりの高速な素子を用いることにより、１つのパルス周期の間に２重のパルスを得ることができて、微細加工を高速にて加工することができる。
【００１６】
また、上記発明方法において、電極と加工ワークの間の加工媒体として脱イオン水を用いると、放電加工電流パルス幅が１００ｎｓｅｃ以下と小さくても加工ワークを確実にかつ高速にて加工することができる。即ち、電極と加工ワークの間の加工媒体として油を用いて放電加工電流パルス幅を上記のように小さくすると、加工速度が極めて遅くなって実用化が不可能となるが、脱イオン水を用いることで１０^-7Ｊレベルの放電エネルギーによる超微細加工を高精度にかつ高速にて加工することができ、超微細加工が実現される。
【００１７】
本発明の第３発明の放電加工制御装置は、放電電源と電極との間の回路を導通遮断する第１の導通遮断素子と、加工ワークと放電電源との間に接続された第２の導通遮断素子と、第１の導通遮断素子に対して導通遮断タイミングを指令するパルス発生手段と、パルス発生手段による導通遮断タイミングを所定時間遅延して第２の導通遮断素子に対して指令する遅延手段とを備え、第１の導通遮断素子の導通立ち上り後、第２の導通遮断素子を導通立ち上げして、差分電圧を電極と加工ワーク間に印加するようにしたものであり、第１と第２の導通遮断素子の導通遮断タイミングの設定によって１０〜数１０ｎｓｅｃレベルの極短時間の放電パルスを形成することができるとともに、導通遮断素子にて導通遮断し、遅延手段の遅延時間によって放電状態に応じて放電パルスの時間幅を調整することができるため、加工液を水を用いた放電加工においても電解作用を解消して加工品位を向上でき、かつ短絡状態を発生し難くできて加工スピードを向上できる。
【００１８】
また、第４発明の放電加工制御装置は、放電電源の一方の極性と電極との間の回路を導通遮断する第１の導通遮断素子と、加工ワークと放電電源の一方の極性との間に接続された第２の導通遮断素子と、加工ワークと放電電源の他方の極性との間に接続された第３の導通遮断素子と、第１の導通遮断素子に対して導通遮断タイミングを指令するパルス発生手段と、パルス発生手段による導通遮断タイミングを所定時間遅延して第２の導通遮断素子に対して指令する遅延手段と、パルス発生手段による導通遮断タイミングを所定時間進相して第３の導通遮断素子に対して指令する進相手段とを備え、第１の導通遮断素子の導通立ち上り後、第２の導通遮断素子を導通立ち上げし、差分電圧を電極と加工ワーク間に印加し、第３の導通遮断素子の遮断で第１と第２の導通遮断素子の導通を遮断するようにしたものであり、上記第１発明の作用に加え、第３の導通遮断素子により、電源より供給される放電電流に寄与しない無効電流を大幅に低減することができる。
【００１９】
また、第５発明の放電加工制御装置は、放電電源と電極との間の回路を導通遮断する第１の導通遮断素子と、加工ワークと放電電源との間に接続された第２の導通遮断素子と、第１の導通遮断素子に対して導通遮断タイミングを指令する第１のパルス発生手段と、第２の導通遮断素子に対して導通遮断タイミングを指令する第２のパルス発生手段とを備え、第２のパルス発生手段は、その導通タイミングを第１のパルス発生手段よりも所定時間遅らせるとともに、その遮断タイミングを第１のパルス発生手段よりも所定時間早めるように構成して、差分電圧を電極と加工ワーク間に印加するようにしたものであり、第１及び第２の導通遮断素子として立ち上がり・立ち下がりの高速な素子を用いることにより、１つのパルス周期の間に２重のパルスを得ることができて、微細加工を高速にて加工することができる。
【００２０】
また、パルス発生手段、遅延手段、及び進相手段を、ＴＴＬレベルのデジタル信号処理素子で構成することにより、信号処理各素子の遅延時間の影響を無くして上記作用効果を確実に得ることができる。
【００２１】
また、電極と加工ワークの間に並列に還流抵抗を配置すると、導通遮断素子の内蔵電荷や浮遊容量の電荷を還流することができ、遮断時の残留電圧、浮遊電圧を瞬時に低減して上記作用効果を確実に得ることができる。
【００２２】
【発明の実施の形態】
（第１の実施形態）
以下、本発明の放電加工機の放電加工制御装置の第１の実施形態について、図１、図２を参照して説明する。
【００２３】
図１において、１は電極、２は加工ワークで、電極１にて加工ワーク２に対して放電加工を行うように構成されている。電極１に対して直流の電源３から電流を制限する抵抗４、５を介して電圧、電流を供給するように構成され、かつ電極１と電源３の間に第１の導通遮断素子６が介装されている。また、加工ワーク２と電源３との間に第２の導通遮断素子７が介装されている。コントロール部１０から指令される導通遮断指令信号は、第１の導通遮断素子６のゲート駆動回路８に対しては直接入力され、第２の導通遮断素子７のゲート駆動回路９に対しては遅延回路１１を介して入力されている。１２は電極１と加工ワーク２間に並列に介装された還流抵抗である。
【００２４】
以上の構成において、電極１と加工ワーク２との間隙が放電可能な距離になると、放電が始まり加工がスタートすることになる。超微細加工においては、１０^-7Ｊ程度のエネルギーで加工することが望ましく、通常１０〜４０ｎｓｅｃ程度のパルス幅で、０．５Ａ程度の波高値の放電電流で加工することになる。第１の導通遮断素子６として通常のトランジスタを用いた場合には、数１００ｎｓｅｃ程度のパルス幅発生が限度となる。コントロール部１０の指令信号に基づいてゲート駆動回路８を図２（ａ）に示すようにオン・オフした場合、第１の導通遮断素子６の実際の動作は、図２（ｂ）に示すようになる。すなわち、ゲートＯＮ信号よりｔｄ時間遅れ、さらに立ち上がりにｔｒ時間を要する。また、ゲートＯＦＦ信号より立ち下がりスタートするまでにｔscg 時間がかかり、また遮断が完了するまでにｔｆ時間の立ち下がり時間がかかることになる。一般に立ち上がり時間ｔｒは１０ｎｓｅｃ程度のスピードがあるが、立ち下がり時間ｔｆや遅延時間ｔscg は、立ち上がり時間ｔｒに比べて数１０倍の時間がかかるため、ゲート信号を１０ｎｓｅｃのパルス幅にしても実際の電流パルス幅は数１００ｎｓｅｃのオーダになる。
【００２５】
そこで、遅延回路１１にて図２（ａ）のゲートＯＮ信号に対してｔde時間、例えば５ｎｓｅｃの遅延時間をもたせて、ゲート駆動回路９にて第２の導通遮断素子７に図２（ｃ）に示すようなゲートオン・オフ信号を印加する。すると、第１の導通遮断素子６のオンによって電極１に電圧が印加されるが、第２の導通遮断素子７のオンによって、図２（ｄ）のような電圧が加工ワーク２に印加され、電極１と加工ワーク２間には、図２（ｅ）に示すように、立ち上がり時の各電圧差分のみが印加されることになり、（ｔde＋ｔｒ）時間、約１５ｎｓｅｃのパルス幅で放電電圧が電極１に印加され、パルス電流及び電圧の幅は約数１０ｎｓｅｃ程度になる。
【００２６】
このように所定の期間放電電圧及び電流を印加し、その後所定の時間遮断するというタイミングを強制的に繰り返すことで、放電加工を行う加工ワーク２への電圧・電流の印加を定期的に遮断することができる。かくして、従来例の連続電圧印加に比べ、電極１と加工ワーク２間への電圧印加の期間を調節することができ、これによって加工媒体に水を用いる場合でも電解作用が生じる前に電圧が遮断されて異常加工が防止される。また、短絡が生じた場合でも回路を遮断することになるので、通常短絡現象は復帰することになる。
【００２７】
また、電極１と加工ワーク２の間の加工媒体として、特に比抵抗値が１０〜１８ＭΩ・ｃｍの超純水と呼ばれる脱イオン水を用いると、放電加工電流パルス幅が１０〜４０ｎｓｅｃと小さくても加工ワークを確実にかつ高速にて加工することができる。即ち、電極１と加工ワーク２の間の加工媒体として油を用いて放電加工電流パルス幅を上記のように小さくすると、加工速度が極めて遅くなって実用化が不可能となるが、脱イオン水を用いることで１０^-7Ｊレベルの放電エネルギーによる超微細加工を高精度にかつ高速にて加工することができ、超微細加工が実現される。
【００２８】
なお、脱イオン水の比抵抗値は、Ｈ₂Ｏ分子の持つ比抵抗値に限りなく近い１８ＭΩ・ｃｍとなるように生成されるが、電極１と加工ワーク２の間に供給される間に環境のイオンや不純物に晒されて比抵抗値が直ちに低下するため、掛け流しながら加工して加工状態での加工媒体の比抵抗値を１０ＭΩ・ｃｍ程度以上となるように調整することにより、上記作用を確保することができる。因みに、通常の純水の比抵抗値は、１００Ｋ〜１ＭΩ・ｃｍ程度である。
【００２９】
放電電流及び電圧のパルス幅は、上記のように１０〜４０ｎｓｅｃとなるように制御すると、電流のパルス幅が小さいことによって加工面の粗さを少なくでき、電圧のパルス幅が小さいことによって電解腐食の発生を抑制できて効果があるが、特に１０〜３０ｎｓｅｃ、さらには１０〜１５ｎｓｅｃに制御すると、特に加工媒体として脱イオン水を用いる高速・高精度の超微細加工の実現に効果的である。
【００３０】
例えば、脱イオン水雰囲気中にて、ステンレス板に直径１５μｍのタングステン電極で５０μｍの深さの加工を行う場合、約３０μｍまでの深さは短絡の発生もなく加工は進むが、この深さから次第に短絡状態が増加し、加工が進まないことになる。これは、加工深さが深くなるに従って、物理的な放電環境が変化し、放電周期短い場合、短絡現象を発生し易くなるためと考えられる。そこで、図２に示す放電周期Ｔｐ、Ｔｓを、基準信号と遅延時間の調整により変更することにより、特にＴｓの長さを長くすることにより、短絡が発生し難くなり、より早く加工を行うことができる。なお、Ｔｓの値は絶縁媒体や加工ワークの材質によって異なるものである。
【００３１】
また、電極１と加工ワーク２間に並列に還流抵抗１２を介装しているので、ＭＯＳＦＥＴの内蔵電荷や浮遊容量の電荷を還流することができ、遮断時の残留電圧、浮遊電圧を瞬時に低減することができる。
【００３２】
（第２の実施形態）
次に、本発明の放電加工機の放電加工制御装置の第２の実施形態について、図３、図４を参照して説明する。なお、以下の実施形態の説明においては、先行する実施形態と同一の構成要素については同一参照符号を付して説明を省略し、相違点のみを説明する。
【００３３】
本実施形態においては、加工ワーク２と電源３の逆極性側との間に第３の導通遮断素子１３が介装され、そのゲート駆動回路１４にコントロール部１０から指令される導通遮断指令信号が進相回路１５を介して入力されている。
【００３４】
以上の構成における各波形のタイミングを図４に示す。図４において、図２の波形に加えて、第３の導通遮断素子１３に加えるゲート信号を図４（ｆ）に示し、実際の動作波形を図４（ｇ）に示す。ゲート信号は図４（ａ）よりもｔdf時間進んだ位相で供給される。これにより、電源３より第２の導通遮断素子７、電流制限抵抗５を通って流れる、図４（ｄ）に示す放電加工に寄与しない無効電流を、図４（ｈ）に示すように大幅に低減することができる。図４（ｄ）に示すように、第２の導通遮断素子７に大量の無効電流が流れると、この第２の導通遮断素子７が発熱し、温度上昇によって各導通遮断素子６、７、１３による損失が大きくなり、加工効率の低下を来すという問題が発生するのを確実に防止することができる。
【００３５】
（第３の実施形態）
次に、本発明の放電加工機の放電加工制御装置の第３の実施形態について、図５、図６を参照して説明する。
【００３６】
本実施形態においては、第１の導通遮断素子６のゲート駆動回路８とコントロール部１０との間にパルス幅及びパルス位相をコントロールする第１のパルス幅・位相コントロール回路１６を介装し、第２の導通遮断素子７のゲート駆動回路９とコントロール部１０との間にパルス幅及びパルス位相をコントロールする第２のパルス幅・位相コントロール回路１７を介装している。また、第１及び第２の導通遮断素子６、７として立ち上がり・立ち下がりの高速な素子を使用している。
【００３７】
以上の構成において、第１のパルス幅・位相コントロール回路１６にてゲート駆動回路８を介して第１の導通遮断素子６に図６（ａ）の信号を印加し、第２のパルス幅・位相コントロール回路１７にてゲート駆動回路９を介して第２の導通遮断素子７に、図６（ｂ）に示すように、図６（ａ）の信号の立ち上がりより所定時間遅れて立ち上がり、図６（ａ）の信号の立ち下がりより所定時間早く立ち下がる信号を印加することにより、図６（ｃ）に示すように、１つのパルス周期の間に、各々１０ｎｓｅｃレベルの２重のパルスを発生することができ、微細な加工を高速にて加工することができる。
【００３８】
なお、以上の実施形態において、パルス発振や遅延、進相処理は、ナノ秒オーダの信号処理が必要であり、ＴＴＬレベルのデジタル信号処理回路にて構成している。そうしないと、信号処理各素子の遅延時間に影響し、目的とする信号を得ることができない。また、導通遮断を行う各導通遮断素子６、７、１３も、ゲートのＴＴＬドライブが可能なパワー素子にて構成されている。
【００３９】
【発明の効果】
本発明の放電加工方法によれば、以上のように放電電源と電極間を第１の導通遮断素子にて所定タイミングで導通遮断するとともにこの第１の導通遮断素子に比して導通遮断タイミングを所定時間遅延して放電電源と加工ワーク間を第２の導通遮断素子にて導通遮断し、電極と加工ワーク間に差分電圧を印加して放電加工するので、第１と第２の導通遮断素子の導通遮断タイミングの設定によって極短時間の放電パルスを形成することができて超微細加工を実現することができ、また導通遮断素子にて導通遮断制御を行うことができ、放電状態に応じて放電パルスの時間幅を調整することができ、短絡状態を発生し難くできて加工スピードを向上できる。
【００４０】
また、第１と第２の導通遮断素子の導通遮断タイミングを、電極と加工ワーク間の放電加工電流及び電圧パルス幅が１００ｎｓｅｃ以下となるように制御することにより、１０^-7Ｊレベルの放電エネルギーによる超微細放電加工を実現でき、かつ加工液に水を用いても電解作用が発生せず、電解作用による加工品位の低下を防止して、加工精度を向上できる。
【００４１】
また、放電電源と電極間を導通遮断する第１の導通遮断素子の導通後、所定時間後に放電電源と加工ワーク間を導通遮断する第２の導通遮断素子を導通させ、第２の導通遮断素子を遮断した後所定時間後に第１の導通遮断素子が遮断されるように、第１及び第２の導通遮断素子の導通遮断パルスのパルス幅と位相を調整して放電加工すると、第１及び第２の導通遮断素子として立ち上がり・立ち下がりの高速な素子を用いることにより、１つのパルス周期の間に２重のパルスを得ることができて、微細加工を高速にて加工することができる。
【００４２】
また、上記加工方法において、電極と加工ワークの間の加工媒体として脱イオン水を用いると、放電加工電流及び電圧パルス幅が１００ｎｓｅｃ以下と小さくても加工ワークを確実にかつ高速にて加工することができる。
【００４３】
また、本発明の放電加工制御装置によれば、第１の導通遮断素子の導通立ち上り後、第２の導通遮断素子を導通立ち上げして、差分電圧を電極と加工ワーク間に印加するようにしたので、第１と第２の導通遮断素子の導通遮断タイミングの設定によって、１００ｎｓｅｃ、好適には１０〜数１０ｎｓｅｃレベルの極短時間の放電パルスを形成することができるとともに、導通遮断素子にて導通遮断し、遅延手段の遅延時間によって放電状態に応じて放電パルスの時間幅を調整することができるため、加工液に水を用いた放電加工においても電解作用を解消して加工品位を向上でき、かつ短絡状態を発生し難くできて加工スピードを向上できる。
【００４４】
また、第１の導通遮断素子の導通立ち上り後、第２の導通遮断素子を導通立ち上げし、差分電圧を電極と加工ワーク間に印加し、さらに第３の導通遮断素子の遮断で第１と第２の導通遮断素子の導通を遮断するようにすると、上記第１発明の作用に加え、第３の導通遮断素子により、電源より供給される放電電流に寄与しない無効電流を大幅に低減することができる。
【００４５】
また、第２の導通遮断素子の遮断タイミングを第１の導通遮断素子よりも所定時間早めるように、第１と第２の導通遮断素子に対して導通遮断タイミングを指令する第１と第２のパルス発生手段を構成し、第１及び第２の導通遮断素子として立ち上がり・立ち下がりの高速な素子を用いることにより、１つのパルス周期の間に２重のパルスを得ることができて、微細加工を高速にて加工することができる。
【００４６】
また、パルス発生手段、遅延手段、及び進相手段を、ＴＴＬレベルのデジタル信号処理素子で構成することにより、信号処理各素子の遅延時間の影響を無くして上記作用効果を確実に得ることができる。
【００４７】
また、電極と加工ワークの間に並列に還流抵抗を配置すると、導通遮断素子の内蔵電荷や浮遊容量の電荷を還流することができ、遮断時の残留電圧、浮遊電圧を瞬時に低減して上記作用効果を確実に得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】
本発明の放電加工機の放電加工制御装置の第１の実施形態の概略構成図である。
【図２】
同実施形態の放電制御タイミングの説明図である。
【図３】
本発明の放電加工機の放電加工制御装置の第２の実施形態の概略構成図である。
【図４】
同実施形態の放電制御タイミングの説明図である。
【図５】
本発明の放電加工機の放電加工制御装置の第３の実施形態の概略構成図である。
【図６】
同実施形態の放電制御タイミングの説明図である。
【図７】
従来例の微細放電加工機の放電制御装置の概略構成図である。
【図８】
他の従来例の微細放電加工機の放電制御装置の概略構成図である。
【符号の説明】
１電極
２加工ワーク
３電源
６第１の導通遮断素子
７第２の導通遮断素子
１０コントロール部
１１遅延回路
１３第３の導通遮断素子
１５進相回路
１６第１のパルス幅・位相コントロール回路
１７第２のパルス幅・位相コントロール回路