JP2003124564A

JP2003124564A - 半導体レーザの駆動制御装置

Info

Publication number: JP2003124564A
Application number: JP2001320573A
Authority: JP
Inventors: Yasutaka Kataoka; 靖貴片岡; Hirotaka Sudo; 浩孝須藤
Original assignee: SMK Corp
Current assignee: SMK Corp
Priority date: 2001-10-18
Filing date: 2001-10-18
Publication date: 2003-04-25
Anticipated expiration: 2021-10-18
Also published as: JP3595532B2

Abstract

(57)【要約】【課題】回路素子の一部分が破損しても、安定してレ
ーザ光の発光出力を制御できる半導体レーザの駆動制御
装置を提供する。【解決手段】半導体レーザ（ＬＤ）に駆動電流を供給
する電源回路（３）に、第１電流制御素子（４）と第２
電流制御素子（５）を直列に接続するとともに、モニタ
用受光素子（ＰＤ）と、第１電流制御素子（４）及び第
２電流制御素子（５）との間に、それぞれ第１帰還制御
回路（６）と第２帰還制御回路（７）を並列に接続す
る。一方の帰還制御回路（６）（７）が故障しても、他
方の帰還制御回路（７）（６）に接続する電流制御素子
（４）（５）で、半導体レーザ（ＬＤ）の駆動電流を停
止させることができるので、レーザ光の発光出力を安定
して制御できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、レーザダイオード
等の半導体レーザの発光出力を安定化させる半導体レー
ザの駆動制御装置に関し、更に詳しくは、駆動制御回路
の一部が故障しても、人体に危険なレーザ光を発光させ
ることがない半導体レーザの駆動制御装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体レーザの駆動制御装置は、半導体
レーザの近傍にレーザ光の光量を監視するモニタ用受光
素子が備えられ、半導体レーザの駆動電流を制御する電
流制御素子に接続する帰還回路で、モニタ用受光素子で
検知される光量に応じて半導体レーザの駆動電流を制御
し、発光出力を安定化させ、過大な出力が発生しないよ
うにしている。

【０００３】図２は、この従来用いられている半導体レ
ーザの駆動制御装置１００の一例であり、以下、この駆
動制御装置１００について説明する。

【０００４】図中ＬＤは、半導体レーザであるレーザダ
イオードであり、＋３Ｖの正極と接地電位の負極間の定
電圧電源回路１０１に流れる駆動電流に比例する光量
で、レーザ光を発光する。

【０００５】レーザダイオードＬＤを駆動する駆動電流
は、レーザダイオードＬＤのカソード側で電源回路１０
１に直列に接続された電流制御素子１０２により制御さ
れる。電流制御素子１０２は、コレクタをレーザダイオ
ードＬＤのカソード側に、エミッタを抵抗Ｒ１０１を介
して負極側に接続させたＮＰＮトランジスタで構成さ
れ、ベースは、後述するＰＮＰトランジスタ１０３のコ
レクタ側の接続点Ｊ１０１に接続している。

【０００６】レーザダイオードＬＤの近傍には、レーザ
光を受光するモニタ用受光素子となるフォトダイオード
ＰＤが配置され、フォトダイオードＰＤは、カソードを
電源回路１０１の正極に、アノードを、抵抗Ｒ１０２と
可変抵抗Ｒ１０３を介して負極に接続させ、レーザダイ
オードＬＤと並列に電源回路１０１接続されている。

【０００７】フォトダイオードＰＤのアノードと抵抗Ｒ
１０２の接続点Ｊ１０２は、更に、ＰＮＰトランジスタ
１０３のベースに接続し、フォトダイオードＰＤの動作
でスイッチング素子となるＰＮＰトランジスタ１０３を
スイッチング制御している。ＰＮＰトランジスタ１０３
のエミッタは、抵抗Ｒ１０４を介して電源回路１０１の
正極に接続し、コレクタは、Ｒ−Ｃ並列回路１０４を介
して負極側に接続している。

【０００８】電源回路１０１の正極に接続することによ
りプルアップされたエミッタの電位は、ＰＮＰトランジ
スタ１０３と並列に、エミッタと負極間に接続されたツ
ェナーダイオードＺＤによって、＋２．２Ｖの電位に保
たれている。

【０００９】ＰＮＰトランジスタ１０３は、帰還制御回
路を構成するもので、コレクタとＲ−Ｃ並列回路１０４
との接続点Ｊ１０１を、ＮＰＮトランジスタ１０２のベ
ースへ接続させて、レーザダイオードＬＤの動作を制御
するようにしている。

【００１０】このように構成された半導体レーザの駆動
制御装置１００は、レーザダイオードＬＤが消灯若しく
は低い駆動電流で点灯している間は、レーザ光が発光さ
れず、若しくは少ない光量で発光しているので、逆方向
に電圧が加わっているフォトダイオードＰＤには、電流
は僅かに流れるだけで、ＰＮＰトランジスタ１０３のベ
ース電位は、ローレベルとなる。

【００１１】その結果、ＰＮＰトランジスタ１０３のエ
ミッタ、ベース間の電位差は、動作電位に達してオンと
なり、Ｒ−Ｃ並列回路１０４に電流が流れ、ＲＣの時定
数で定まる所定時間後に、ＮＰＮトランジスタ１０２の
ベースは、ＮＰＮトランジスタ１０２の動作電位に達
し、レーザダイオードＬＤに駆動電流が流れる。

【００１２】レーザダイオードＬＤの駆動電流が増加
し、レーザ光の発光出力が増大すると、フォトダイオー
ドＰＤに、レーザ光を受光することによる光起電力が発
生じ、電源回路１０１の印加方向に電流が流れることに
より、ＰＮＰトランジスタ１０３のベース電位は、ハイ
レベルとなる。

【００１３】その結果、ＰＮＰトランジスタ１０３は、
オフとなり、ＮＰＮトランジスタ１０２のベースに流れ
る電流も遮断され、レーザダイオードＬＤに流れる駆動
電流も停止し、消灯する。

【００１４】このように、レーザ光の出力が増大すれ
ば、フォトダイオードＰＤが動作し、帰還制御回路１０
３によりレーザダイオードＬＤへの駆動電流が停止し、
レーザ光の出力が減少すると、逆にレーザダイオードＬ
Ｄへの駆動電流が増加し、安定したレーザダイオードＬ
Ｄの駆動制御が行われる。

【００１５】

【発明が解決しようとする課題】この従来の半導体レー
ザの駆動制御装置１００では、帰還制御回路を構成する
ＰＮＰトランジスタ１０３と、電流制御素子であるＮＰ
Ｎトランジスタ１０２により、上述のように、レーザ光
の光量に応じた安定した制御が得られるが、異常動作に
対する対処は、充分なものではなかった。

【００１６】例えば、これらを構成する回路素子、ＮＰ
Ｎトランジスタ１０２のコレクタ、エミッタ間や、ＰＮ
Ｐトランジスタ１０３のコレクタ、エミッタ間がショー
トすると、レーザダイオードＬＤへの駆動電流が増加し
続け、レーザ光の発光出力が増大し、事故を発生させる
恐れがあった。

【００１７】特に、リモコン送信機などに備えられるレ
ーザポインタは、レーザ光を遠隔位置まで拡散させずに
照射させることができることから、会議場などの大画面
において特定の表示位置を発表者が指示するために用い
られているが、その発光出力が制御素子の故障で増大す
ると、人体に危害を加えることとなるため、その安全性
が、規格上厳しく要求されている。

【００１８】本発明はこのような問題点に鑑みてなされ
たもので、回路素子の一部分が破損しても、安定してレ
ーザ光の発光出力を制御できる半導体レーザの駆動制御
装置を提供することにある。

【００１９】

【課題を解決するための手段】請求項１の半導体レーザ
の駆動制御装置は、レーザ光を発光する半導体レーザ
と、半導体レーザに駆動電流を供給する電源回路と、電
源回路に直列に接続され、駆動電流を制御する電流制御
素子と、レーザ光を受光するモニタ用受光素子と、モニ
タ用受光素子と、電流制御素子の間に直列に接続され、
モニタ用受光素子の受光量が基準値を越えた際に、電流
制御素子へ駆動電流をオフ制御する制御信号を出力する
帰還制御回路とを備えた半導体レーザの駆動制御装置に
おいて、電源回路に、第１電流制御素子と第２電流制御
素子を直列に接続するとともに、モニタ用受光素子と、
第１電流制御素子及び第２電流制御素子との間に、それ
ぞれ第１帰還制御回路と第２帰還制御回路を並列に接続
したことを特徴とする。

【００２０】モニター用受光素子の受光量が基準値を超
えない場合には、第１、第２電流制御素子のいずれに
も、駆動電流をオフ制御する制御信号は流れないので、
半導体レーザは、駆動電流を受けてレーザ光を発光す
る。

【００２１】モニター用受光素子の受光量が基準値を超
えると、第１、第２帰還制御回路は、それぞれ駆動電流
をオフ制御する制御信号を出力するので、駆動電流は、
第１、第２電流制御素子で遮断され、半導体レーザは、
発光を停止する。

【００２２】第１、第２帰還制御回路を構成するいずれ
かの回路素子に故障があっても、他方の帰還制御回路に
接続する電流制御素子で、駆動電流をオフ制御するの
で、半導体レーザの発光出力が増大しない。

【００２３】また、モニタ用受光素子から出力される受
光量に比例した電流が、いずれかの回路素子が短絡し、
第１、第２帰還制御回路の一方に集中して流れると、受
光量が基準値を超えなくても、オフ制御する制御信号が
電流制御素子に出力され、半導体レーザの発光が停止す
る。半導体レーザは、通常の動作状態であっても、レー
ザ光が出力されないことにより、いずれかの素子の故障
を発見できる。

【００２４】逆に、モニタ用受光素子から出力される受
光量に比例した電流が、第１、第２帰還制御回路を構成
するいずれかの回路素子の故障により遮断されると、他
方の帰還制御回路に集中して流れ、他方の帰還制御回路
に接続する電流制御素子に、オフ制御する制御信号が出
力される。その結果、受光量が基準値を超えない通常の
動作状態であっても、半導体レーザからレーザ光が出力
されないこととなり、いずれかの回路素子の故障を発見
できる。

【００２５】請求項２の半導体レーザの駆動制御装置
は、第１帰還制御回路と第２帰還制御回路の少なくとも
一方の帰還制御回路は、第１トランジスタのベースへ第
２トランジスタのエミッタを接続し、第１トランジスタ
のエミッタを接地したトランジスタブリッジを有し、第
２トランジスタのベースをモニタ用受光素子へ接続する
ととともに、第１トランジスタと第２トランジスタの共
通するコレクタと電源回路との接続点を、電源回路にコ
レクタとエミッタを直列に接続したトランジスタのベー
スへ接続し、トランジスタブリッジを有する帰還制御回
路を、モニタ用受光素子と、電流制御素子の間に接続し
たことを特徴とする。

【００２６】トランジスタブリッジを構成する一方のト
ランジスタの端子間に短絡、開放等の故障があっても、
他方のトランジスタの電流増幅、スイッチング機能が保
たれるので、トランジスタブリッジ全体の帰還制御機能
は、損なわれにくい。

【００２７】

【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施の形態につ
いて、図１を参照して詳細に説明する。図１は、本発明
の一実施の形態に係る半導体レーザの駆動制御装置１の
回路図である。

【００２８】尚、この図１では、便宜上、遅延回路、調
整用抵抗など、本実施の形態に係る説明と直接関係しな
い回路、回路素子について表示を省略している。

【００２９】図に示すように、半導体レーザであるレー
ザダイオードＬＤと、モニタ用受光素子となるフォトダ
イオードＰＤは、レーザダイオードＬＤから発光される
レーザ光の一部をフォトダイオードＰＤが受光して監視
できるように、適宜間隔をおいてワンチップ化されたパ
ッケージ２内に収容されている。

【００３０】レーザダイオードＬＤは、アノードを定電
圧電源回路３の＋３Ｖの正極３ａに、カソードを、第１
電流制御素子４と第２電流制御素子５を介して、定電圧
電源回路３の接地電位である負極３ｂに接続し、定電圧
電源回路３を駆動電源とし、第１電流制御素子４と第２
電流制御素子５に流れる駆動電流にほぼ比例する光量で
レーザ光を発光する。

【００３１】従って、レーザダイオードＬＤの発光出力
は、第１電流制御素子４と第２電流制御素子５によって
制御されるものであり、ここでは、第１電流制御素子４
と第２電流制御素子５を、コレクタを、正極３ａ側（レ
ーザダイオードＬＤ側）に、エミッタを、負極３ｂ側と
して、それぞれ定電圧電源回路３に直列に接続した一対
のＮＰＮトランジスタで構成している。

【００３２】フォトダイオードＰＤは、カソードを電源
回路３の正極３ａに、アノードを、抵抗Ｒ１を介して負
極３ｂに接続し、フォトダイオードＰＤへ逆方向電圧を
かけ、レーザダイオードＬＤと並列に電源回路３に接続
している。

【００３３】フォトダイオードＰＤは、レーザダイオー
ドＬＤから発光されるレーザ光を受光して光電変換し、
レーザ光の発光量を表す受光電流をアノードから出力す
るもので、受光電流で、上述の第１電流制御素子４と第
２電流制御素子５を帰還制御している。

【００３４】この為、フォトダイオードＰＤのアノード
側で、抵抗Ｒ１との接続点Ｊ１には、帰還制御回路が接
続されるが、本実施の形態では、それぞれ他端が第１電
流制御素子４と第２電流制御素子５に接続する第１帰還
制御回路６と第２帰還制御回路７とが、並列に接続され
ている。

【００３５】第１帰還制御回路６は、一対のＮＰＮトラ
ンジスタ８、９をダーリントン接続したトランジスタブ
リッジ１０を有している。すなわち、一対のＮＰＮトラ
ンジスタ８、９のコレクタ間を接続するとともに、一方
のＮＰＮトランジスタ８のエミッタを、他方のＮＰＮト
ランジスタ９のベースへ接続している。

【００３６】一方のＮＰＮトランジスタ８のベースは、
調整抵抗Ｒ２を介してフォトダイオードＰＤのアノード
側の接続点Ｊ１に接続し、受光電流を入力するようにし
ている。また、他方のＮＰＮトランジスタ９のエミッタ
は、電源回路３の負極３ｂに接続し、接地されている。

【００３７】一方、トランジスタブリッジ１０の共通す
るコレクタは、プルアップ抵抗Ｒ３を介して電源回路３
の正極３ａに接続され、一定電位に保たれ、このコレク
タとプルアップ抵抗Ｒ３との接続点Ｊ２は、更に、帰還
抵抗Ｒ４を介して、第１電流制御素子であるＮＰＮトラ
ンジスタ４のベースに接続している。

【００３８】第２帰還制御回路７は、第１帰還制御回路
６の各構成とほぼ同一に構成されているもので、調整抵
抗Ｒ５と、一対のＮＰＮトランジスタ１１、１２をダー
リントン接続したトランジスタブリッジ１３と、プルア
ップ抵抗Ｒ６及び帰還抵抗Ｒ７とで構成されている。

【００３９】これらの回路素子は、順に第１帰還制御回
路６を構成する調整抵抗Ｒ２、トランジスタブリッジ１
０を構成するＮＰＮトランジスタ８、９、プルアップ抵
抗Ｒ３及び帰還抵抗Ｒ４に対応し、第１帰還制御回路６
と同一の接続関係で、相互に接続されている。

【００４０】第２帰還制御回路７では、帰還抵抗Ｒ７
が、トランジスタブリッジ１３の共通するコレクタとプ
ルアップ抵抗Ｒ６との接続点Ｊ３と、第２電流制御素子
であるＮＰＮトランジスタ５のベースとの間に接続され
ている点でのみ相違している。

【００４１】第１帰還制御回路６と第２帰還制御回路７
で、対応するこれらの回路素子は、同一若しくはほぼ等
しい回路定数を有することが好ましく、これにより、正
常な動作状態において、接続点Ｊ１から第１帰還制御回
路６と第２帰還制御回路７に流れる受光電流は、それぞ
れほぼ等しい値となる。

【００４２】このように構成された半導体レーザの駆動
制御装置１が正常に動作している状態では、レーザダイ
オードＬＤが消灯若しくは低い駆動電流で点灯している
間は、レーザ光が発光されず、若しくは少ない光量で発
光しているので、逆方向に電圧が加わっているフォトダ
イオードＰＤには、僅かな受光電流が流れるだけで、調
整抵抗Ｒ２、Ｒ５を介して接続するＮＰＮトランジスタ
８、１１のベース電位は、動作電位以下となる。

【００４３】その結果、トランジスタブリッジ１０、１
３には、いずれも電流が流れず、接続点Ｊ２、Ｊ３の電
位は、電源回路３の正極３ａの電位に近く、それぞれの
ＮＰＮトランジスタ４、５のベース電位が動作電位に達
し、帰還抵抗Ｒ４、Ｒ７に流れる電流に比例した駆動電
流がレーザダイオードＬＤに流れる。

【００４４】レーザダイオードＬＤの駆動電流が増加
し、レーザ光の発光出力が増大すると、フォトダイオー
ドＰＤに、レーザ光を受光することによる光起電力が発
生し、接続点Ｊ１の電位が引き上げられる。これによ
り、ＮＰＮトランジスタ８、１１のベース電位が動作電
位に達し、フォトダイオードＰＤに流れる受光電流の一
部は、調整抵抗Ｒ２、Ｒ５を通り、トランジスタブリッ
ジ１０、１３のエミッタから負極３ｂに流れる。

【００４５】上述のように、第１帰還制御回路６と第２
帰還制御回路７の対応する各回路素子の回路定数は、ほ
ぼ等しい値となっているので、ＮＰＮトランジスタ８、
１１のベースには、それぞれほぼ等しい大きさの受光電
流が流れる。

【００４６】トランジスタブリッジ１０、１３は、２個
のＮＰＮトランジスタをダーリントン接続してなるもの
なので、電流増幅率は、各トランジスタの電流増幅率の
積となり、調整抵抗Ｒ２、Ｒ５からベースに流れる受光
電流は、大きく増幅されて共通するコレクタに流れる電
流として表れる。

【００４７】一方、上記ベースに流れる受光電流の値
は、レーザ光の発光出力を表しているので、トランジス
タブリッジ１０、１３の共通するコレクタに流れる電流
は、発光出力の変化を大きく拡大して表すものとなる。

【００４８】レーザ光の発光により、増加するコレクタ
電流は、プルアップ抵抗Ｒ３、Ｒ６に流れるので、正極
３ａ近くの電位にあった接続点Ｊ２、Ｊ３の電位は、引
き下げられ、ＮＰＮトランジスタ４、５のベース電位
は、動作電位以下となり、ベースに流れる電流が停止す
る。これにより、レーザダイオードＬＤに流れる駆動電
流は、ＮＰＮトランジスタ４、５の２カ所の位置で遮断
され、レーザダイオードＬＤは、消灯制御される。

【００４９】このようにして、各回路素子が正常に動作
する上記状態では、レーザダイオードＬＤの発光出力
は、一定の範囲内で安定して制御されるが、以下、回路
素子の一部が故障した場合について、説明する。

【００５０】始めに、第１帰還制御回路６若しくは第２
帰還制御回路７を構成する回路素子が故障し、特定箇所
のショート若しくは絶縁すると、いずれかの帰還制御回
路６、７に多大な電流が流れたり、流れるべき状態で遮
断される。

【００５１】例えば、ＮＰＮトランジスタ９のコレク
タ、エミッタ間等が短絡したり、ＮＰＮトランジスタ８
のコレクタ、エミッタ間（ＮＰＮトランジスタ９のベー
ス、コレクタ間）が短絡すると、トランジスタブリッジ
１０に多大な受光電流が流れることとなる。

【００５２】特定箇所のショートにより、帰還制御回路
６、７の一方（特に接続点Ｊ２、Ｊ３）に多大な電流が
流れる場合には、消灯の制御を設定した基準値に受光電
流の値が達する前に、その帰還制御回路に接続する電流
制御素子が、駆動電流を遮断する。従って、レーザ光の
発光出力が異常に増大することを防止できるとともに、
低い発光出力で消灯してしまうことで、回路素子のショ
ートを発見できる。

【００５３】逆に、例えば、帰還抵抗Ｒ２とＮＰＮトラ
ンジスタ８のベース間等、帰還制御回路の一部が開放
し、常時絶縁状態となると、絶縁された帰還制御回路
６、７の一方には、受光電流が流れないが、他方の帰還
制御回路に集中して流れ、消灯の制御を設定した基準値
に受光電流の値が達する前に、他方の帰還制御回路に接
続する電流制御素子が、駆動電流を遮断する。従って、
この場合にも、レーザ光の発光出力が異常に増大するこ
とを防止できるとともに、低い発光出力で消灯してしま
うことで、回路素子の絶縁を発見できる。

【００５４】これに加えて、第１、第２帰還制御回路
６、７に、それぞれ２個のトランジスタをダーリントン
接続したトランジスタブリッジ１０、１３を用いている
ので、トランジスタブリッジを構成する一方のトランジ
スタの端子間に短絡、開放等の故障があっても、他方の
トランジスタの電流増幅、スイッチング機能が保たれる
ので、レーザ光の異常発光出力を制御できる。

【００５５】例えば、一方のＮＰＮトランジスタ８のベ
ース、エミッタ間やベース、コレクタ間が故障し短絡す
ると、ＮＰＮトランジスタ８は、電流増幅機能を失う
が、他方のＮＰＮトランジスタ９の電流増幅機能は保た
れるので、受光電流が増加した場合に、Ｊ２の電位を低
下させて、電流制御素子４をオフ制御し、発光出力の上
昇を停止させることができる。

【００５６】本実施の形態では、フォトダイオードＰＤ
に流れる受光電流は、抵抗Ｒ１で分流され、更に、第１
帰還制御回路６と第２帰還制御回路７に分流されるの
で、その値の変化は小さいが、２個のトランジスタをダ
ーリントン接続して増幅するので、その変化を大きく増
幅して電流制御素子へ帰還させることができ、レーザダ
イオードＬＤの発光出力に対してきめ細かく応動制御で
きる。

【００５７】以上の実施の形態では、第１、第２帰還制
御回路６、７にダーリントン接続した２個のトランジス
タからなるトランジスタブリッジを用いているが、受光
電流の値により、電流制御素子を阻止できる回路であれ
ば、必ずしもトランジスタブリッジを用いる必要はな
い。

【００５８】また、トランジスタブリッジを構成する２
個のトランジスタは、逆極性の回路に接続する２個のＰ
ＮＰトランジスタであってもよい。

【００５９】また、電流制御素子は、半導体レーザの駆
動電流をオン、オフ制御できるものであれば、他のスイ
ッチング素子で構成してもよい。

【００６０】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
モニタ用受光素子の出力に、２つの帰還制御回路を並列
に接続し、いずれかが故障しても、他方の帰還制御回路
に接続する電流制御素子で、半導体レーザの駆動電流を
停止させることができるので、レーザ光の発光出力を安
定して制御できる。

【００６１】また、設定した基準値に達する前に半導体
レーザの駆動が停止することにより、いずれかの回路素
子の故障を発見できる。

【００６２】これに加えて、請求項２の発明では、トラ
ンジスタブリッジを構成するいずれかのトランジスタが
故障しても、他方のトランジスタの電流増幅、スイッチ
ング機能は、損なわれない場合があるので、更に、確実
にレーザ光の発光出力を確実に制御できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施の形態に係る半導体レーザＬＤ
の駆動制御装置１の回路図である。

【図２】従来の半導体レーザＬＤの駆動制御装置１００
の回路図である。

【符号の説明】

３電源回路４第１電流制御素子（ＮＰＮトランジスタ）５第２電流制御素子（ＮＰＮトランジスタ）６第１帰還制御回路７第２帰還制御回路８、１１第１トランジスタ（ＮＰＮトランジスタ）９、１２第２トランジスタ（ＮＰＮトランジスタ）ＬＤ半導体レーザ（レーザダイオード）ＰＤモニタ用受光素子（フォトダイオード）

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】レーザ光を発光する半導体レーザ（Ｌ
Ｄ）と、半導体レーザ（ＬＤ）に駆動電流を供給する電源回路
（３）と、電源回路（３）に直列に接続され、駆動電流を制御する
電流制御素子と、レーザ光を受光するモニタ用受光素子（ＰＤ）と、モニタ用受光素子（ＰＤ）と、電流制御素子の間に直列
に接続され、モニタ用受光素子（ＰＤ）の受光量が基準
値を越えた際に、電流制御素子へ駆動電流をオフ制御す
る制御信号を出力する帰還制御回路とを備えた半導体レ
ーザの駆動制御装置において、電源回路（３）に、第１電流制御素子（４）と第２電流
制御素子（５）を直列に接続するとともに、モニタ用受光素子（ＰＤ）と、第１電流制御素子（４）
及び第２電流制御素子（５）との間に、それぞれ第１帰
還制御回路（６）と第２帰還制御回路（７）を並列に接
続したことを特徴とする半導体レーザの駆動制御装置。
【請求項２】第１帰還制御回路（６）と第２帰還制御
回路（７）の少なくとも一方の帰還制御回路は、第１ト
ランジスタ（８）（１１）のベースへ第２トランジスタ
（９）（１２）のエミッタを接続し、第１トランジスタ
（８）（１１）のエミッタを接地したトランジスタブリ
ッジを有し、第２トランジスタ（９）（１２）のベースをモニタ用受
光素子（ＰＤ）へ接続するととともに、第１トランジスタ（８）（１１）と第２トランジスタ
（９）（１２）の共通するコレクタと電源回路（３）と
の接続点を、電源回路（３）にコレクタとエミッタを直
列に接続したトランジスタのベースへ接続し、トランジスタブリッジを有する帰還制御回路（６）
（７）を、モニタ用受光素子（ＰＤ）と、電流制御素子
（４）（５）の間に接続したことを特徴とする請求項１
記載の半導体レーザの駆動制御装置。