JP2003123624A - 積層型電子源およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 容易に大面積に形成することができる積層型
電子源およびその製造方法を提供する。 【解決手段】 積層型電子源１０は、下部電極１２の上
に絶縁層１４が形成され、さらに絶縁層１４の上に上部
電極１６が形成される。上部電極１６は、格子状に形成
され、格子の開口部２０が絶縁層１４を露出するように
形成される。開口部２０の断面形状は、辺寸法Ｄ１に比
べて辺寸法Ｄ２の方が大きく形成され、開口部２０を画
成する壁部２０ｃが傾斜面状に形成される。上部電極１
６は、厚みＴ１が５０ｎｍを越える寸法に形成される。
上部電極１６の開口部２０の壁部２０ｃの厚みＴ２の部
位から電子が効率良く放出される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、積層型電子源およ
びその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】平面積層型冷陰極電子源（以下、単に積
層型電子源ということがある。）として、例えば、下部
電極、絶縁層および上部電極を順次積層した構造を有す
る素子が用いられる。

【０００３】従来の積層型電子源の一例について図１を
参照して説明する。

【０００４】図１に示す積層型電子源１は、下部電極２
上に絶縁層３が形成され、絶縁層３上に上部電極４が形
成されている。

【０００５】下部電極２は、例えば特開平５−３４２９
９５号公報に示されるようなＭＩＳ（Metal Insulator
Semiconductor）型の場合はｎ型シリコン基板が用いら
れ、また例えば特開平７−６５７１０号公報に示される
ようなＭＩＭ（Metal Insulator Metal）型の場合は例
えばアルミニウム等の金属材料が用いられる。

【０００６】絶縁層３は、例えばポリシリコンや酸化ア
ルミニウム等の材料により形成される。電子を安定して
高効率で放出することを目的として、特開２０００−１
００３１６公報には、絶縁層として表面が酸化された多
孔質ポリシリコンを用いたものが示され、特開平９−７
４９９号公報には、絶縁層として微粒子部を形成したも
のが示されている。

【０００７】上部電極４は、金等の金属材料により形成
される。

【０００８】絶縁層３は陽極酸化法や吹き付け法などに
より、また、上部電極４は例えばスパッタリング法や真
空蒸着法により、それぞれ形成され、上部電極４につい
ては、後述する理由により、１〜１０ｎｍ程度の非常に
薄くかつ均一な厚みｔの薄膜に形成される。

【０００９】このような積層型電子源１においては、下
部電極２に対して上部電極４が正電圧となる極性の電圧
Ｖｇを印加することにより、下部電極２から供給された
電子がトンネル現象により絶縁層３を通過し上部電極４
に到達するように構成されている。

【００１０】そして、上部電極４に対向して配置された
陽極５に上部電極に対してさらに正電圧となる極性の電
圧Ｖａを印加することにより、上部電極４から陽極５に
向けて電子が放出される。このとき、上部電極４に到達
した電子の一部が上部電極４の仕事関数の障壁を越え
て、上部電極４の表面から均一に放出可能なように、上
部電極４の厚みは、上部電極４内での電子の平均自由工
程と同程度の上記した厚みｔに形成される。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、これら
従来の積層型電子源は、上部電極を上記のように薄層に
形成するため、生産性が低く、また、大面積の積層型電
子源を製造することが困難であった。

【００１２】本発明は、上記の課題に鑑みてなされたも
のであり、容易に大面積に形成することができる積層型
電子源およびその製造方法を提供することを目的とす
る。

【００１３】

【課題を解決するための手段】本発明に係る積層型電子
源は、下部電極、絶縁層および上部電極を順次積層した
構造を有し、該下部電極に対して該上部電極が正電圧と
なる極性の電圧を印加することにより該上部電極から電
子を放出する積層型電子源において、該上部電極は、該
絶縁層を露出する孔部を有するように形成されてなるこ
とを特徴とする。

【００１４】この場合、例えば、前記上部電極を格子
状、言いかえれば網状に形成し、孔部、言いかえれば、
開口部あるいは網目が略規則的に配列された形態に形成
する。

【００１５】本発明の上記の構成により、上部電極は、
孔部の周壁部分が絶縁層からの到達距離が短く、上部電
極内での電子の平均自由工程と同程度の距離を有する薄
厚部位を含み、この薄厚部位から電子が放出されるた
め、孔部の形成を精密に行う必要がなく、また上部電極
の厚みには制約がなく、好適には、５０ｎｍ以上の厚み
に形成することができる。このため、上部電極は、適宜
の方法を用いて容易に形成することができる。また、孔
部を精密に形成することもでき、この場合電子の放出が
より均一化される。また、このような上部電極は大面積
に形成することができる。

【００１６】この場合、前記上部電極の孔部が、上方の
開口側に向けて幅広に形成されてなると、上記した薄厚
部位をより確実に形成することができ、また、薄厚部位
の形成面積を容易に調整することができて、好適であ
る。

【００１７】このような上部電極の孔部は、下部電極お
よび上部電極からなる１つの電極対当たり２以上形成さ
れてなると、１つの電極対における電子の放出がより均
一化されて、好適である。

【００１８】また、本発明に係る積層型電子源の製造方
法は、下部電極、絶縁層および上部電極を順次積層した
構造を有し、該下部電極に対して該上部電極が正電圧と
なる極性の電圧を印加することにより該上部電極から電
子を放出する積層型電子源の製造方法において、マスク
を用いた物理蒸着法により、電極材料を該絶縁層上に堆
積させて、該絶縁層を露出し、上方の開口に向けて幅広
な孔部を有する該上部電極を形成することを特徴とす
る。

【００１９】この場合、前記マスクは、メタルマスクま
たは樹脂マスクであり、前記絶縁層の上面より離間した
位置に配設されてなり、あるいは、前記マスクは、レジ
ストマスクであり、露光により下方の堆積側の開口に向
けて幅広な開口部が形成されてなると、好適である。ま
た、印刷法により、乾燥するまでの間にダレを生じうる
低粘度の金属ペーストを該絶縁体上に塗布して、該絶縁
層を露出し、上方の開口に向けて幅広な孔部を有するよ
うに該上部電極を形成してもよい。

【００２０】本発明の上記の構成により、本発明に係る
積層型電子源を容易にかつ精密に形成することができ
る。また、このため、積層型電子源を大面積に形成する
ことができる。

【００２１】

【発明の実施の形態】本発明に係る積層型電子源および
その製造方法の好適な実施の形態（以下、本実施の形態
例という。）について、図を参照して、以下に説明す
る。

【００２２】まず、本実施の形態の第１の例に係る積層
型電子源について、図２の概略側断面図および図３の概
略平面図を参照して説明する。

【００２３】本実施の形態の第１の例に係る積層型電子
源１０は、図２および図３に示すように、下部電極１２
の上に絶縁層１４が形成され、さらに絶縁層１４の上に
上部電極１６が形成されている。なお、図２中、参照符
号１８は、上部電極１６に対向して配置された陽極を示
す。積層型電子源１０は、上部電極１６と陽極１８との
間の空間部が図示しない筐体に囲まれて、大気圧より低
い圧力状態下にある。

【００２４】積層型電子源１０は、下部電極１２および
絶縁層１４については前記した従来例と同様の構成とす
ることができる。

【００２５】積層型電子源１０は、上部電極１６が従来
例と相違する。

【００２６】上部電極１６は、格子状、言いかえれば、
網状に形成されており、格子の開口部（孔部）２０、言
いかえれば網目が絶縁層１４を露出するように形成され
ている。この場合、開口部２０の開口の平面形状は図２
のような矩形に限るものではなく、絶縁層を露出する開
口（孔部）であれば円形等の他の形状であってもよい。

【００２７】開口部２０の断面形状は、図２に示すよう
に、絶縁層１４を露出する下開口２０ａの辺寸法Ｄ１に
比べて上方に開口する上開口の対応する辺寸法Ｄ２の方
が大きく、すなわち、開口部２０は上方の開口側に向け
て幅広に形成され、開口部２０を画成する壁部２０ｃが
傾斜面状に形成されている。

【００２８】上部電極１６は、厚みＴ１が例えば５０ｎ
ｍを越える寸法に形成されている。この厚みＴ１は、後
述する理由により、従来の上部電極のように１０ｎｍ以
下程度の厚みに形成する必要がなく、所望の厚みに形成
することができる。

【００２９】上部電極１６は、例えば金等の導電性金属
材料を１種類用いて形成される。この場合、２種類以上
の金属材料を用いて混合した単一層に形成してもよく、
また、２種類以上の金属材料を用いて複数の層を積層し
た積層構造に形成してもよい。

【００３０】上記のように構成される本実施の形態の第
１の例に係る積層型電子源１０の作用について説明す
る。

【００３１】積層型電子源１０は、下部電極１２に対し
て上部電極１６が正電圧となる極性の電圧Ｖｇを印加す
ることにより、下部電極１２から供給された電子がトン
ネル現象により絶縁層１４を通過し上部電極１６に到達
する。

【００３２】そして、上部電極１６に対して陽極１８が
正電圧となる極性の電圧Ｖａを印加することにより、上
部電極１６から陽極１８に向けて電子が放出される。

【００３３】このとき、前記したように、上部電極１６
に到達した電子の一部が上部電極１６の仕事関数の障壁
を越えて上部電極１６の表面から放出可能であるために
は、上部電極１６は、上部電極１６内での電子の平均自
由工程と同程度またはそれ以下の厚みの部位が存在する
ことが必要であるが、この場合、上部電極１６は開口部
２０を画成する壁部２０ｃが平均自由工程と同程度の厚
み（例示的にＴ２で示す。）の部位またはそれ以下の厚
みの部位を必ず有する。

【００３４】上記のように、開口部２０の壁部２０ｃに
電子放出部位を有するため、上部電極１６の厚みＴ１
は、制限を受けることなく所望の厚みとすることができ
る。

【００３５】上部電極１６の開口部２０の壁部２０ｃの
上記厚みＴ２およびそれ以下の厚みの部位から電子が効
率良く放出される。

【００３６】この場合、１つの下部電極１２および１つ
の上部電極１６で構成される１つの電極対当たり、４つ
の開口部２０を有する。このため、電子の放出箇所（面
積）が大きく、電子の放出が均一化されて、安定する。
但し、上部電極の製造の容易性との兼ね合いを考慮する
と、開口部は１つの電極対当たり２つ以上あれば足り
る。

【００３７】本実施の形態の第１の例に係る積層型電子
源１０は、上部電極を厚く形成可能であるため、適宜の
方法を用いて容易にかつ精密に上部電極形成することが
でき、電子の放出が均一化される。また、このため、上
部電極を大面積に形成することができる。

【００３８】つぎに、本実施の形態の第２の例に係る積
層型電子源について、図４の概略平面図および図５の概
略断面図を参照して説明する。本実施の形態の第２の例
は、本発明の積層型電子源を冷陰極ディスプレイに応用
した一例である。

【００３９】本実施の形態の第２の例に係る積層型電子
源２２を含む冷陰極ディスプレイ２４は、積層型電子源
２２と、積層型電子源２２を載置する背面基板２６と、
スペーサ２８と、スペーサ２８によって積層型電子源２
２と対向する位置に支持された陽極３０と、陽極３０の
裏面（前面）に取りつけられた前面基板３２とを有す
る。

【００４０】積層型電子源２２の下部電極３４は、背面
基板２６上に、図４中左右方向に延出する４本のストラ
イプ状に形成された下部電極部３４ａで構成されてい
る。下部電極３４上の画素となる部分に矩形状に形成さ
れた４×４＝１６の絶縁層部３６ａからなる絶縁層３６
が設けられている。絶縁層３６上に、図４中上下方向に
延出する４本のストライプ状に形成された上部電極部３
８ａからなる上部電極３８が設けられている。上部電極
３８は、画素となる部分において下部電極３４と交差
し、上部電極部３８ａが絶縁層部３６ａを介して下部電
極部３４ａと重なっている。この１６箇所設けられた上
部電極部３８ａの重なり部分には、それぞれ９つの開口
部４０が形成されている。なお、重なり部分以外の上部
電極部３８ａおよび下部電極部３４ａの部分は、適宜の
手段により絶縁されている。

【００４１】積層型電子源２２は、上記のように４本の
下部電極部３４ａおよび４本の上部電極部３８ａで構成
されるため、各下部電極部３４ａおよび上部電極部３８
ａの組み合わせ、すなわち電極対ごとに独立して電圧を
印加することができる。また、上部電極３８は、１つの
電極対当たり９つの開口部４０を有する。

【００４２】陽極３０には、図５中下面の、積層型電子
源２２の上記９つの画素となる部分ごとに対向する位置
に蛍光体４２が配列されている。

【００４３】背面基板２６と前面基板３２との間の空間
部Ａは、例えば図示しないガラスフリットによって封止
され、空間部Ａが大気圧より低い圧力状態に維持されて
いる。

【００４４】上記のように構成される冷陰極ディスプレ
イ２４は、下部電極３４から供給された電子が上部電極
３８から放出されるのに必要な電圧だけ、下部電極３４
に対して上部電極３８が正電圧になるように電圧を印加
する。これにより、上部電極３８の開口部４０の壁部の
厚みの薄い部分から電子が放出される。放出された電子
は、上部電極３８に対して正電圧になるように電圧を印
加された陽極３０に向けて加速して移動し、蛍光体４２
に到達し、蛍光体４２を発光させる。各下部電極部３４
ａおよび上部電極部３８ａに印加する電圧パターンを変
えることにより、４列×４行の画素にパターンを表示す
ることができる。

【００４５】以上のように構成される本実施の形態の第
２の例に係る積層型電子源２２を含む陰極ディスプレイ
２４は、表示画面の各画素の発光のバラツキがない。ま
た、大面積の表示画面を得ることができる。

【００４６】つぎに、本実施の形態の第３の例に係る積
層型電子源の製造方法について、図６を参照して説明す
る。

【００４７】積層型電子源の下部電極および絶縁層は、
前記した従来の製造方法を適宜選択して形成することが
できるため、説明を省略する。

【００４８】本実施の形態の第３の例に係る積層型電子
源の製造方法は、スパッタリング法あるいは真空蒸着法
等の物理蒸着法を用いて上部電極を形成する。

【００４９】例えばマスクを用いる場合、本実施の形態
の第１また第２の例に係る積層型電子源１０、２２の上
部電極１６、３８のような電極パターンを形成した、メ
タルあるいは樹脂マスク４４を下部電極４６および絶縁
層４８まで形成済みの背面電極５０の上に配置する。こ
のとき、マスク４４を絶縁層４８に密着させることなく
間隔Ｈ１を開ける。

【００５０】そして、マスク４４を通して金属材料のイ
オンあるいは分子からなるスパッタ粒子等の蒸着物質
（電極材料形成物質）を絶縁層４８上に堆積させる。蒸
着物質は、マスク４４の開口部４４ａを通過して絶縁層
４８に到達する。このとき、マスク４４と絶縁層４８と
の間に間隔Ｈ１を有するため、マスク４４の開口部４４
ａを通過した蒸着物質は開口部４４ａよりも広がって進
行する。これにより、側面（壁部）５２ａが傾斜面状の
格子状部（網部）５２が形成されるとともに、蒸着物質
が堆積しない部分が開口部（網の目部）５４となった上
部電極（上部電極パターン）５６が絶縁層上に形成され
る。上部電極５６は、厚みＴ３が５０ｎｍ以上に形成さ
れる。

【００５１】本実施の形態の第３の例に係る積層型電子
源の製造方法は、開口部５４を必ずしも精密に形成する
必要がなく、また、上部電極５６の厚みＴ３は精密さを
要さず、バラツキが許容される適度の厚い膜に形成すれ
ばよいことから、容易に積層型電子源を製造することが
でき、また、積層型電子源を容易に大面積に形成するこ
とができる。一方、開口部を精密に形成することもで
き、この場合は、電子の放出をより均一化した積層型電
子源を得ることができる。

【００５２】つぎに、本実施の形態の第４の例に係る積
層型電子源の製造方法について、図７を参照して説明す
る。

【００５３】本実施の形態の第４の例に係る積層型電子
源の製造方法は、上記第３の例に係る積層型電子源の製
造方法と同じく、上部電極の形成方法が従来のものと異
なる。

【００５４】本実施の形態の第４の例に係る積層型電子
源の製造方法は、第３の例に係る積層型電子源の製造方
法と同じく、スパッタリング法あるいは真空蒸着法等の
物理蒸着法を用いて上部電極を形成するが、このとき、
マスクに変えてレジスト（レジストマスク）を用いる。

【００５５】まず、レジスト５８を下部電極６０および
絶縁層６２まで形成済みの背面電極６４の上に塗布す
る。レジスト材料は、露光現像後に図７中下側が幅広な
逆テーパ状の開口部５８ａが形成されるようなものを用
いる。このようなレジスト材料は、リフトオフ用のレジ
スト材料などとして市販されている。

【００５６】レジスト５８を露光現像して開口部５８ａ
を形成した後、レジスト５８を通して絶縁層６２上に蒸
着物質を堆積させる。このとき、レジスト５８の開口部
５８ａが下方に向けて幅広に開口しているため、蒸着物
質は開口部５８ａの形状に沿って広がって進行する。蒸
着物質を堆積させた後レジスト５８を除去することによ
り、本実施の形態の第３の例の上部電極５６と同様の形
態の上部電極６６を得ることができる。

【００５７】本実施の形態の第４の例に係る積層型電子
源の製造方法は、第３の例に係る積層型電子源の製造方
法と同様の効果を得ることができる。

【００５８】つぎに、本実施の形態の第５の例に係る積
層型電子源の製造方法について、図８を参照して説明す
る。

【００５９】本実施の形態の第５の例に係る積層型電子
源の製造方法は、上記第３および第４の例に係る積層型
電子源の製造方法と同じく、上部電極の形成方法が従来
のものと異なる。

【００６０】本実施の形態の第５の例に係る積層型電子
源の製造方法は、印刷法により上部電極を形成する。

【００６１】まず、本実施の形態の第１また第２の例に
係る積層型電子源１０、２２の上部電極１６、３８のよ
うな格子パターン（電極パターン）を形成したスクリー
ン６８を下部電極７０および絶縁層７２まで形成済みの
背面電極７４の上に配置する。ついで、スクリーン６８
を通して、ペースト（金属ペースト）を絶縁層７２上に
印刷、塗布する（図８（ａ））。このとき、ペースト
は、ナノオーダーの金属材料（電極材料）粒子を含んだ
所定の低粘度の材料を用いる。印刷、塗布されたペース
トは、乾燥するまでの間にダレが生じて、乾燥時には断
面形状が略台形状に形成される。これにより、本実施の
形態の第３または第４の例の上部電極５６、６６と同様
の形態の上部電極７６を得ることができる（図８
（ｂ））。

【００６２】本実施の形態の第５の例に係る積層型電子
源の製造方法は、第３または第４の例に係る積層型電子
源の製造方法と同様の効果を得ることができる。

【００６３】

【発明の効果】本発明に係る積層型電子源によれば、下
部電極、絶縁層および上部電極を順次積層した構造を有
し、下部電極に対して上部電極が正電圧となる極性の電
圧を印加することにより上部電極から電子を放出する積
層型電子源において、上部電極は、絶縁層を露出する孔
部を有するように形成されてなるため、孔部の形成を精
密に行う必要がなく、また上部電極の厚みには制約がな
い。このため、上部電極は、適宜の方法を用いて容易に
形成することができる。また、孔部を精密に形成するこ
ともでき、この場合電子の放出がより均一化される。ま
た、このような上部電極は大面積に形成することができ
る。

【００６４】また、本発明に係る積層型電子源によれ
ば、上部電極の孔部が、上方の開口側に向けて幅広に形
成されてなるため、上記した薄厚部位をより確実に形成
することができるとともに、特に薄厚部位の形成面積を
容易に調整することができる。

【００６５】また、本発明に係る積層型電子源によれ
ば、上部電極の孔部は、下部電極および上部電極からな
る１つの電極対当たり２以上形成されてなるため、１つ
の電極対における電子の放出がより均一化される。

【００６６】また、本発明に係る積層型電子源の製造方
法によれば、マスクを用いた物理蒸着法により、あるい
はまた印刷法により、電極材料を絶縁層上に堆積させ
て、絶縁層を露出し、上方の開口に向けて幅広な孔部を
有する上部電極を形成するため、本発明に係る積層型電
子源を容易にかつ精密に形成することができる。また、
このため、積層型電子源を大面積に形成することができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】従来の積層型電子源の概略構成を示す側面図で
ある。

【図２】本実施の形態の第１の例に係る積層型電子源の
概略構成を示す側断面図である。

【図３】図３の積層型電子源の平面図である。

【図４】本実施の形態の第２の例に係る積層型電子源の
概略構成を示す平面図である。

【図５】図４の積層型電子源の図４中Ｖ−Ｖ線上断面図
である。

【図６】本実施の形態の第３の例に係る積層型電子源の
製造方法を説明するための図である。

【図７】本実施の形態の第４の例に係る積層型電子源の
製造方法を説明するための図である。

【図８】本実施の形態の第５の例に係る積層型電子源の
製造方法を説明するためのものであり、（ａ）はペース
トを印刷した直後の状態を示す図であり、（ｂ）はペー
ストが乾燥した後の状態を示す図である。

【符号の説明】

１０、２２ 積層型電子源 １２、３４、４６、６０、７０ 下部電極 １４、３６、４８、６２、７２ 絶縁層 １６、３８、５６、６６、７６ 上部電極 １８、３０ 陽極 ２０、４０、５４ 開口部 ２０ｃ 壁部 ２４ 冷陰極ディスプレイ ２６、５０、６４、７４ 背面基板 ２８ スペーサ ３２ 前面基板 ３４ａ 下部電極部 ３６ａ 絶縁層部 ３８ａ 上部電極部 ４２ 蛍光体 ４４ マスク ５２ 格子状部 ５８ レジスト ６８ スクリーン

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 後沢 瑞芳 東京都世田谷区砧一丁目10番11号 日本放 送協会 放送技術研究所内 (72)発明者 上田 智志 東京都世田谷区砧一丁目10番11号 日本放 送協会 放送技術研究所内 (72)発明者 武井 達哉 東京都世田谷区砧一丁目10番11号 日本放 送協会 放送技術研究所内 (72)発明者 萩原 啓 東京都世田谷区砧一丁目10番11号 日本放 送協会 放送技術研究所内

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 下部電極、絶縁層および上部電極を順次
   積層した構造を有し、該下部電極に対して該上部電極が
   正電圧となる極性の電圧を印加することにより該上部電
   極から電子を放出する積層型電子源において、 該上部電極は、該絶縁層を露出する孔部を有するように
   形成されてなることを特徴とする積層型電子源。
2. 【請求項２】 前記上部電極が格子状に形成されてなる
   ことを特徴とする請求項１記載の積層型電子源。
3. 【請求項３】 前記上部電極の孔部が、上方の開口側に
   向けて幅広に形成されてなることを特徴とする請求項１
   または２に記載の積層型電子源。
4. 【請求項４】 前記上部電極の厚みが５０ｎｍ以上ある
   ことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の
   積層型電子源。
5. 【請求項５】 前記上部電極の孔部が、下部電極および
   上部電極からなる１つの電極対当たり２以上形成されて
   なることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記
   載の積層型電子源。
6. 【請求項６】 下部電極、絶縁層および上部電極を順次
   積層した構造を有し、該下部電極に対して該上部電極が
   正電圧となる極性の電圧を印加することにより該上部電
   極から電子を放出する積層型電子源の製造方法におい
   て、マスクを用いた物理蒸着法により、電極材料を該絶
   縁層上に堆積させて、該絶縁層を露出し、上方の開口に
   向けて幅広な孔部を有する該上部電極を形成することを
   特徴とする積層型電子源の製造方法。
7. 【請求項７】 前記マスクは、メタルマスクまたは樹脂
   マスクであり、前記絶縁層の上面より離間した位置に配
   設されてなることを特徴とする請求項６記載の積層型電
   子源の製造方法。
8. 【請求項８】 前記マスクは、レジストマスクであり、
   露光により下方の堆積側の開口に向けて幅広な開口部が
   形成されてなることを特徴とする請求項６記載の積層型
   電子源の製造方法。
9. 【請求項９】 下部電極、絶縁層および上部電極を順次
   積層した構造を有し、該下部電極に対して該上部電極が
   正電圧となる極性の電圧を印加することにより該上部電
   極から電子を放出する積層型電子源の製造方法におい
   て、 印刷法により、乾燥するまでの間にダレを生じうる低粘
   度の金属ペーストを該絶縁体上に塗布して、該絶縁層を
   露出し、上方の開口に向けて幅広な孔部を有する該上部
   電極を形成することを特徴とする積層型電子源の製造方
   法。