JP2003122270A

JP2003122270A - 表示装置とその製造方法

Info

Publication number: JP2003122270A
Application number: JP2001317799A
Authority: JP
Inventors: Kiyohiro Kawasaki; 清弘川崎
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 2001-10-16
Filing date: 2001-10-16
Publication date: 2003-04-25

Abstract

(57)【要約】【課題】大画面・高精細の表示装置ではＣＯＧ実装時
に高価なバスフレキフィルムが必要であるが特定の配線
の抵抗値を下げることができれば回避可能であり、配線
路の膜厚やパターン幅を増大する必要性も無くなり、歩
留と生産性が向上する。【解決手段】特定の配線路上に鍍金により低抵抗金属
層を選択的に形成する。さらに電着によって低抵抗金属
層上に有機絶縁層を形成して低抵抗金属層の耐酸化性・
耐熱性の向上を実現する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、画像表示機能を有
する表示装置、とりわけマトリクス型表示装置およびそ
の製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】一対の電極間に表示媒体を有するマトリ
クス型表示装置、例えば液晶表示装置は近年の微細加工
技術、液晶材料技術および実装技術等の進歩により５〜
５０ｃｍ対角の工業製品として実用上支障の無いテレビ
ジョン画像や各種の画像表示が商用ベースで提供されて
いる。また、液晶表示装置（液晶パネル）を構成する２
枚のガラス基板の一方にＲＧＢの着色層を形成しておく
ことにより、カラー表示も容易に実現している。特にス
イッチング素子を絵素毎に内蔵させた、いわゆるアクテ
ィブ型の液晶パネルでは、クロストークも少なくかつ高
速応答で高いコントラスト比を有する画像が保証されて
いる。

【０００３】これらの液晶パネルは、走査線としては10
0 〜 1200本、信号線としては 200〜 2000本程度のマト
リクス構成が一般的であるが、最近は表示容量の増大に
対応してさらなる大画面化と高精細化が同時に進行して
いる。

【０００４】図２３は液晶パネルへの実装状態を示し、
液晶パネル１を構成する一方の透明絶縁基板、例えばガ
ラス基板２上に形成された走査線の電極端子群６に駆動
信号を供給する半導体集積回路チップ３ｂを直接、接続
するＣＯＧ（Chip-On-Glass）方式や、例えば0.1mm程度
の膜厚のポリイミド系樹脂薄膜をベースとし、金メッキ
あるいは半田メッキされた銅箔の端子（図示せず）を有
するＴＣＰフィルム４を信号線の電極端子群５に導電性
媒体を含む適当な接着剤で圧接して固定するＴＣＰ（Ta
pe-Carrier-Package）方式などの実装手段によって、電
気信号が画像表示部に供給される。ここでは便宜上二つ
の実装方式を同時に図示しているが、実際には何れかの
方式が適宜選択されることは言うまでもない。

【０００５】７，８は液晶パネル１の大部分を占める画
像表示部と周縁部に形成された信号線および走査線の電
極端子群５，６との間を接続する配線路で、必ずしも電
極端子群５，６と同一の導電材で構成される必要はな
い。９は全ての液晶セルに共通の透明導電性の対向電極
を有するもう１枚の透明絶縁基板であるガラス基板で、
液晶パネル１を構成する２枚のガラス基板２，９は樹脂
性のファイバやビーズあるいは柱状スペーサ等のスペー
サ材によって数μｍ程度の所定の距離を隔てて形成さ
れ、その間隙（ギャップ）はガラス基板９の周縁部にお
いて有機性樹脂よりなるシール材と封口材とで封止され
た閉空間になっており、この閉空間に液晶が充填されて
いる。

【０００６】カラー表示を実現する場合には、ガラス基
板９の閉空間側に着色層と称する染料または顔料のいず
れか一方もしくは両方を含む厚さ１〜２μｍ程度の有機
薄膜が被着されて色表示機能が与えられるので、その場
合にはガラス基板９は別名カラーフィルタと呼称され
る。そして液晶材料の性質によってはガラス基板９の上
面またはガラス基板２の下面のいずれかもしくは両面上
に偏光板が貼付され、液晶パネル１は電気光学素子とし
て機能する。現時点では液晶にＴＮ（ツイスト・ネマチ
ック）系を用いたものが大半で、偏光板は通常２枚必要
である。また、図示はしないが、透過型の液晶パネルで
は液晶パネルの下方に位置する裏面光源から白色の光源
光が照射される。

【０００７】液晶パネル１に画像を表示するためには、
先述したようにＴＣＰ実装またはＣＯＧ実装によって信
号線と走査線の電極端子５，６に電気信号（走査信号と
映像信号）を与える必要がある。最近は実装コストを削
減するために、あるいは接続点数を減らして液晶パネル
の信頼性をさらに高めるためにＣＯＧ実装が多用される
傾向にある。

【０００８】本発明者は先行特許である特願平１１―０
４７２７６号公報にて図２４（ａ）に示したような新規
な実装手段で実装されたアクティブ型の液晶パネルを開
示している。同図のＡ−Ａ’線上の断面図を図２４
（ｂ）に示す。プリント基板１３には駆動用半導体集積
回路チップ３ａ，３ｂよりも大きな開口部１４ａ，１４
ｂが形成されており、このプリント基板１３を、大半の
構成素子を形成された液晶パネルを構成する一方のガラ
ス基板（アクティブ基板）２の周縁部で、駆動用半導体
集積回路チップ３ａ，３ｂ上からアクティブ基板２に実
装することによって液晶パネルへの実装がなされてい
る。駆動用半導体チップに供給する電源線、制御信号線
等の供給線は低抵抗であることが必要であり、そのため
に従来は高価なバスフレキ配線が用いられていた。この
プリント基板に低抵抗の配線路を構成して電源線、供給
線として用いれば、高価なバスフレキ配線を使わなくて
もよい。

【０００９】図２４（ｂ）において、２１は半導体集積
回路チップ３ａをアクティブ基板２に実装するための熱
硬化性の異方性導電性ゴム（ＡＣＦ）であり、２２はア
クティブ基板２と対向するプリント基板１３の主面上に
形成された低抵抗の配線路であり、２３はアクティブ基
板２と対向する主面と反対側のプリント基板１３の主面
上に形成された低抵抗の配線路である。低抵抗の配線路
とは具体的には膜厚数〜数10μmの銅箔が最も一般的で
ある。なお、２４，２５は夫々半導体集積回路チップ３
ａ及びプリント基板１３の実装接続に必要なバンプ電極
を模式的に現したものである。また２６はアクティブ基
板２の主面上に形成されたゲート絶縁層やパシベーショ
ン絶縁層等を含む絶縁層であり、電極端子５ａ上と低抵
抗で接続が必要な、例えば電源端子３０，３１上の絶縁
層は選択的に除去されて夫々の電極は露出している。言
うまでもなく、電源端子３０，３１間を接続する配線路
３２は電極端子５ａ，５ｂと信号線とを接続する配線路
７と同時に形成されるのが合理的である。２７はアクテ
ィブ基板２と対向する主面と反対側のプリント基板１３
の主面上に形成された低抵抗の配線路２３を保護するた
めの絶縁層で、プリント基板１３の作製時に形成しても
良く、またプリント基板１３の実装後に適当な樹脂を塗
布しても良い。図示はしていないが配線路２２を保護す
るための絶縁層や樹脂層も適宜採用すると良い。

【００１０】プリント基板１３のアクティブ基板２への
実装方法に制約はなく、例えば熱硬化性の異方性導電性
ゴム（ＡＣＦ）２１’を使用して圧接しながら、加熱に
よって固定する等の手段が用いられる。ただし、プリン
ト基板１３の実装に当り既に実装済みの駆動用半導体集
積回路チップ３ａ，３ｂがはずれたりずれたりしないよ
うに、ＡＣＦ実装方式を採用するならば例えばプリント
基板１３の実装時の温度を下げるとか、駆動用半導体集
積回路チップ３ａ，３ｂを固定しながらプリント基板１
３を実装する等の実装方法の工夫は必要である。

【００１１】なお、外部からの電気信号は図２４（ａ）
にも示したように、従来と同様にアクティブ基板２の周
縁部でプリント基板１３の実装の障害とならない位置に
外部接続端子（群）８０を配置するか、プリント基板１
３のアクティブ基板２と対向する主面とは反対側の主面
上に外部接続端子８０’を配置し、可撓性のプリント基
板（ＦＰＣ：Flexible-Printed-Circuit）等を用いて実
装接続する等の接続手段で供給される。ただし、後者で
は可撓性のプリント基板の厚み分だけ、表示装置の厚み
が増すのが難点となる。

【００１２】この他にも開口部１４に換えて駆動用半導
体チップ３の上面を覆うとともに前記駆動用半導体集積
回路チップの外形よりも大きくかつ深い凹部を有し配線
路の形成されたプリント基板を用いた技術、プリント基
板を走査線側と信号線側とで分割してプリント基板の製
作を容易とする技術、プリント基板を複数個に分割して
実装接続の合せ精度を確保する技術等の多くの技術が開
示されている。このように先願例ではプリント基板上に
内蔵された低抵抗の配線路を駆動用半導体チップに供給
する電源線、制御信号線等の供給線として構成すること
で高価なバスフレキ配線を不要としていることが分か
る。

【００１３】

【発明が解決しようとする課題】大画面化と高精細化の
同時進行は、表示装置にとっては走査線や信号線等の電
極線数の増大にともなって駆動用半導体チップ数が増大
し、かつ全ての配線が長くなってくることと等価であ
る。

【００１４】一般に配線路の抵抗値の増大を防止するた
めには、（１）配線路の幅を太くする、（２）配線路の
厚みを増す、（３）配線材に低抵抗性のものを用いる、
の何れか一つ以上の実施が必須である。

【００１５】しかしながら（１）では画像表示部では開
口率が低下し、かつ画像表示部外の面積が増大しガラス
基板の利用効率が低下するだけでなく、絶縁層を介して
多層配線が形成されている場合は多層配線の交差部にお
ける静電容量が増大して信号波形が鈍化して表示画像の
忠実度が低下する、あるいは消費電力が増大する、さら
には多層配線の層間短絡が増して歩留が低下する等の副
作用が大きい。（２）では当然であるが配線路を構成す
る導電材の製膜工程と食刻工程の生産性が低下して生産
コストの増大を招くだけでなく、絶縁層を介して多層配
線が形成されている場合は多層配線の交差部における絶
縁耐圧の低下や層間短絡の増加につながり歩留が低下す
る等の副作用が生じ易い。（３）では配線材に必要とさ
れる耐熱性、密着性、耐薬品性の観点からの見直しに加
えてデバイス・プロセスの総合的な見直しが必要とな
り、いわゆる新規技術開発に相当して短期間に結論を出
すことは困難である。

【００１６】本発明はかかる現状に鑑みなされたもの
で、画像表示部外の特定の配線のみを低抵抗化して高価
なバスフレキあるいは新規高密度対応実装プリント基板
等の採用を回避することを目的とする。

【００１７】

【課題を解決するための手段】走査線や信号線及びこれ
らの電極線と電極端子とを接続する配線路と異なって、
駆動用半導体集積回路チップに共通する特定の配線は駆
動用半導体集積回路チップ間に共通して繋がっているこ
とが多く、しかも基板外部から電気的接続が与えられる
ように必ず接続部が与えられているので、この外部接続
部を電極として鍍金によって低抵抗の金属層を付与する
ことが可能である。

【００１８】請求項１に記載の表示装置は、一対の電極
間に表示媒体を有するマトリクス型表示装置において、
前記マトリクス型表示装置を構成する基板の画像表示部
外の領域で特定の配線上に金属層が形成されていること
を特徴とする。

【００１９】この構成により、表示装置を構成する配線
の膜厚やパターン幅を増加することなく特定の配線の抵
抗を下げることが可能となる。

【００２０】請求項２に記載の表示装置は、一主面上に
少なくとも絶縁ゲート型トランジスタと、前記絶縁ゲー
ト型トランジスタのゲート電極も兼ねる走査線とソース
配線も兼ねる信号線と、ドレイン配線に接続された絵素
電極とを有する単位絵素が二次元のマトリクスに配列さ
れた絶縁基板と、前記絶縁基板と対向する透明性絶縁基
板またはカラーフィルタとの間に液晶を充填してなる液
晶表示装置において、絶縁基板の画像表示部外の領域に
駆動用半導体集積回路チップが実装されるとともに、特
定の配線上に金属層が形成されていることを特徴とす
る。

【００２１】この構成により、駆動用半導体集積回路チ
ップを実装して得られる液晶表示装置において、配線の
膜厚やパターン幅を増加することなく特定の配線の抵抗
を下げることが可能となり、ＣОＧ実装にあたりバスフ
レキフィルムを不要とすることができる。

【００２２】請求項３に記載の表示装置は、駆動用半導
体集積回路を内蔵したアクティブ型の液晶表示装置にお
いて画像表示部外の領域で特定の配線上に金属層が形成
されていることを特徴とする。

【００２３】この構成により、駆動用回路を内蔵した液
晶表示装置においても、配線路の膜厚やパターン幅を増
加することなく特定の配線の抵抗を下げることが可能と
なり、大画面・高精細の液晶表示装置が実現容易とな
る。

【００２４】請求項４に記載の表示装置は、少なくとも
一方の透明絶縁基板に行電極（走査線）と維持電極とを
有し、他方の透明絶縁基板に列電極（信号線）を有して
対向する一対の基板間に放電ガスを充填してなるＰＤＰ
において、透明絶縁基板の画像表示部外の領域に駆動用
半導体集積回路チップが実装されるとともに、特定の配
線上に金属層が形成されていることを特徴とする。

【００２５】この構成により、ＰＤＰを構成する配線の
膜厚やパターン幅を増加することなく特定の配線の抵抗
を下げることが可能となり、ＣОＧ実装にあたりバスフ
レキフィルムを不要とすることができる。

【００２６】請求項５に記載の表示装置は、一主面上に
少なくともスイッチング用絶縁ゲート型トランジスタ
と、前記スイッチング用絶縁ゲート型トランジスタのゲ
ート電極も兼ねる走査線とソース配線も兼ねる信号線
と、ドレイン配線に接続された蓄積容量と、駆動用絶縁
ゲート型トランジスタと、前記駆動用絶縁ゲート型トラ
ンジスタのドレイン配線に接続された表示電極とを有す
る単位絵素が二次元のマトリクスに配列された絶縁基板
と発光体とよりなる発光型表示装置において、絶縁基板
の画像表示部外の領域に駆動用半導体集積回路チップが
実装されるとともに、特定の配線上に金属層が形成され
ていることを特徴とする。

【００２７】この構成により、駆動用半導体集積回路チ
ップを実装して得られる発光型表示装置において、配線
の膜厚やパターン幅を増加することなく特定の配線の抵
抗を下げることが可能となり、ＣОＧ実装にあたりバス
フレキフィルムを不要とすることができる。

【００２８】請求項６に記載の表示装置は、駆動用半導
体集積回路を内蔵した発光型表示装置において、画像表
示部外の領域で特定の配線上に金属層が形成されている
ことを特徴とする。

【００２９】この構成により、駆動用半導体集積回路を
内蔵した発光型表示装置において、配線の膜厚やパター
ン幅を増加することなく特定の配線の抵抗を下げること
が可能となり、大画面・高精細の発光型の表示装置が実
現容易となる。

【００３０】請求項７に記載の表示装置は、画像表示部
外に形成された特定の配線が電源線、制御信号線、共通
容量線、断線救済線であることを特徴とする。

【００３１】この構成により、電流の多い配線や低イン
ピーダンスを要求される配線のみ低抵抗化がなされてい
る。

【００３２】請求項８に記載の表示装置は、画像表示部
外に形成された特定の配線上の金属層が金、銀または銅
の何れかであることを特徴とする。

【００３３】この構成により、鍍金によって低抵抗の金
属層の形成を効率的に行うことが可能となる。

【００３４】請求項９〜１３に記載の表示装置は、画像
表示部外に形成された金属層上に有機絶縁層が形成され
ていることを特徴とする。

【００３５】この構成により、画像表示部外に形成され
た特定の配線上も絶縁化され、表示装置の信頼性と安全
性が向上する。

【００３６】請求項１４は請求項２に記載の表示装置の
製造方法であって、アクティブ基板を形成する工程と、
アクティブ基板と対向基板またはカラーフィルタとを貼
り合わせて液晶パネル化する工程と、アクティブ基板の
画像表示部外の領域に形成された特定の配線上に鍍金に
より金属層を形成する工程と、アクティブ基板の電極端
子群に駆動用半導体集積回路チップを実装する工程とを
有することを特徴とする。

【００３７】この構成により、駆動用半導体集積回路チ
ップを実装して得られる液晶表示装置において、配線の
膜厚やパターン幅を増加することなく特定の配線の抵抗
を下げることが可能となり、ＣОＧ実装にあたりバスフ
レキフィルムを不要とすることができる。

【００３８】請求項１５は請求項９に記載の表示装置の
製造方法であって、アクティブ基板を形成する工程と、
アクティブ基板と対向基板またはカラーフィルタとを貼
り合わせて液晶パネル化する工程と、アクティブ基板の
画像表示部外の領域に形成された特定の配線上に鍍金に
より金属層を形成する工程と、アクティブ基板の電極端
子群に駆動用半導体集積回路チップを実装する工程と、
金属層上に有機絶縁層を形成する工程とを有することを
特徴とする。

【００３９】この構成により、請求項１４に記載の製造
方法と同一の効果に加えて、特定の配線上に絶縁層が形
成されているので液晶表示装置の信頼性と安全性も向上
する。

【００４０】請求項１６も請求項２に記載の表示装置の
製造方法であって、アクティブ基板を形成する工程と、
アクティブ基板と対向基板またはカラーフィルタとを貼
り合わせて液晶パネル化する工程と、アクティブ基板の
電極端子群に駆動用半導体集積回路チップを実装する工
程と、アクティブ基板の画像表示部外の領域に形成され
た特定の配線上に鍍金により金属層を形成する工程とを
有することを特徴とする。

【００４１】この構成により、従来使用していた実装技
術に変更を加える必要もなく、請求項１４に記載の液晶
表示装置の製造方法と同一の効果が得られる。

【００４２】請求項１７も請求項９に記載の表示装置の
製造方法であって、アクティブ基板を形成する工程と、
アクティブ基板と対向基板またはカラーフィルタとを貼
り合わせて液晶パネル化する工程と、アクティブ基板の
電極端子群に駆動用半導体集積回路チップを実装する工
程と、アクティブ基板の画像表示部外の領域に形成され
た特定の配線上に鍍金により金属層を形成する工程と、
金属層上に有機絶縁層を形成する工程とを有することを
特徴とする。

【００４３】この構成により、従来使用していた実装技
術に変更を加える必要もなく、請求項１５に記載の液晶
表示装置の製造方法と同一の効果が得られる。

【００４４】請求項１８は請求項３に記載の表示装置の
製造方法であって、駆動用半導体集積回路を内蔵したア
クティブ基板を形成する工程と、アクティブ基板と対向
基板またはカラーフィルタとを貼り合わせて液晶パネル
化する工程と、アクティブ基板の画像表示部外の領域に
形成された特定の配線上に鍍金により金属層を形成する
工程とを有することを特徴とする。

【００４５】この構成により、駆動用半導体集積回路を
内蔵した液晶表示装置において、配線の膜厚やパターン
幅を増加することなく特定の配線の抵抗を下げることが
可能となり、歩留や生産性の低下をもたらすことなく大
画面・高精細の液晶表示装置が実現容易となる。

【００４６】請求項１９は請求項１０に記載の表示装置
の製造方法であって、駆動用半導体集積回路を内蔵した
アクティブ基板を形成する工程と、アクティブ基板と対
向基板またはカラーフィルタとを貼り合わせて液晶パネ
ル化する工程と、アクティブ基板の画像表示部外の領域
に形成された特定の配線上に鍍金により金属層を形成す
る工程と、金属層上に有機絶縁層を形成する工程とを有
することを特徴とする。

【００４７】この構成により、請求項１８に記載の製造
方法と同一の効果に加えて、特定の配線路上に絶縁層が
形成されているので液晶表示装置の信頼性と安全性も向
上する。

【００４８】請求項２０は請求項４に記載の表示装置の
製造方法であって、少なくとも行電極（走査線）と維持
電極とを有する一方の透明絶縁基板と、列電極（信号
線）を有する他方の透明絶縁基板とをシール材を用いて
所定の間隙を保ちながら放電ガスを充填してＰＤＰ（プ
ラズマ・ディスチャージ・パネル）を形成する工程と、
前記透明絶縁基板の画像表示部外の領域に形成された特
定の配線上に鍍金により金属層を形成する工程と、前記
走査線と維持電極及び信号線の電極端子群に駆動用半導
体集積回路チップを実装する工程とを有することを特徴
とする。

【００４９】この構成により、ＰＤＰを構成する配線の
膜厚やパターン幅を増加することなく特定の配線の抵抗
を下げることが可能となり、ＣОＧ実装にあたりバスフ
レキフィルムを不要とすることができる。

【００５０】請求項２１は請求項１１に記載の表示装置
の製造方法であって、少なくとも行電極（走査線）と維
持電極とを有する一方の透明絶縁基板と、列電極（信号
線）を有する他方の透明絶縁基板とをシール材を用いて
所定の間隙を保ちながら放電ガスを充填してＰＤＰ（プ
ラズマ・ディスチャージ・パネル）を形成する工程と、
前記透明絶縁基板の画像表示部外の領域に形成された特
定の配線上に鍍金により金属層を形成する工程と、前記
走査線と維持電極及び信号線の電極端子群に駆動用半導
体集積回路チップを実装する工程と、金属層上に有機絶
縁層を形成する工程とを有することを特徴とする。

【００５１】この構成により、請求項２０に記載の製造
方法と同一の効果に加えて、特定の配線上に絶縁層が形
成されているのでＰＤＰの信頼性と安全性も向上する。

【００５２】請求項２２も請求項４に記載の表示装置の
製造方法であって、少なくとも行電極（走査線）と維持
電極とを有する一方の透明絶縁基板と、列電極（信号
線）を有する他方の透明絶縁基板とをシール材を用いて
所定の間隙を保ちながら放電ガスを充填してＰＤＰ（プ
ラズマ・ディスチャージ・パネル）を形成する工程と、
前記走査線と維持電極及び信号線の電極端子群に駆動用
半導体集積回路チップを実装する工程と、前記透明絶縁
基板の画像表示部外の領域に形成された特定の配線上に
鍍金により金属層を形成する工程とを有することを特徴
とする。

【００５３】この構成により、従来使用していた実装技
術に変更を加える必要もなく、請求項２０に記載のＰＤ
Ｐの製造方法と同一の効果が得られる。

【００５４】請求項２３も請求項１１に記載の表示装置
の製造方法であって、少なくとも行電極（走査線）と維
持電極とを有する一方の透明絶縁基板と、列電極（信号
線）を有する他方の透明絶縁基板とをシール材を用いて
所定の間隙を保ちながら放電ガスを充填してＰＤＰ（プ
ラズマ・ディスチャージ・パネル）を形成する工程と、
前記走査線と維持電極及び信号線の電極端子群に駆動用
半導体集積回路チップを実装する工程と、前記透明絶縁
基板の画像表示部外の領域に形成された特定の配線上に
鍍金により金属層を形成する工程と、金属層上に有機絶
縁層を形成する工程とを有することを特徴とする。

【００５５】この構成により、従来使用していた実装技
術に変更を加える必要もなく、請求項２１に記載のＰＤ
Ｐの製造方法と同一の効果が得られる。

【００５６】請求項２４は請求項５に記載の表示装置の
製造方法であって、発光体を有するアクティブ基板を形
成する工程と、前記発光体を保護する手段を付与した
後、アクティブ基板の画像表示部外の領域に形成された
特定の配線上に鍍金により金属層を形成する工程と、ア
クティブ基板の電極端子群に駆動用半導体集積回路チッ
プを実装する工程とを有することを特徴とする。

【００５７】この構成により、駆動用半導体集積回路チ
ップを実装して得られる発光型表示装置において、配線
の膜厚やパターン幅を増加することなく特定の配線の抵
抗を下げることが可能となり、ＣОＧ実装にあたりバス
フレキフィルムを不要とすることができる。

【００５８】請求項２５は請求項１２に記載の表示装置
の製造方法であって、発光体を有するアクティブ基板を
形成する工程と、前記発光体を保護する手段を付与した
後、アクティブ基板の画像表示部外の領域に形成された
特定の配線上に鍍金により金属層を形成する工程と、ア
クティブ基板の電極端子群に駆動用半導体集積回路チッ
プを実装する工程と、金属層上に有機絶縁層を形成する
工程とを有することを特徴とする。

【００５９】この構成により、請求項２４に記載の製造
方法と同一の効果に加えて、特定の配線上に絶縁層が形
成されているので発光型表示装置の信頼性と安全性も向
上する。

【００６０】請求項２６も請求項５に記載の表示装置の
製造方法であって、発光体を有するアクティブ基板を形
成する工程と、前記発光体を保護する手段を付与した
後、アクティブ基板の電極端子群に駆動用半導体集積回
路チップを実装する工程と、アクティブ基板の画像表示
部外の領域に形成された特定の配線上に鍍金により金属
層を形成する工程とを有することを特徴とする。

【００６１】この構成により、従来使用していた実装技
術に変更を加える必要もなく、請求項２４に記載の発光
型表示装置の製造方法と同一の効果が得られる。

【００６２】請求項２７も請求項１２に記載の表示装置
の製造方法であって、発光体を有するアクティブ基板を
形成する工程と、前記発光体を保護する手段を付与した
後、アクティブ基板の電極端子群に駆動用半導体集積回
路チップを実装する工程と、アクティブ基板の画像表示
部外の領域に形成された特定の配線上に鍍金により金属
層を形成する工程と、金属層上に有機絶縁層を形成する
工程とを有することを特徴とする。

【００６３】この構成により、従来使用していた実装技
術に変更を加える必要もなく、請求項２５に記載の発光
型表示装置の製造方法と同一の効果が得られる。

【００６４】請求項２８は請求項６に記載の表示装置の
製造方法であって、駆動用半導体集積回路と発光体とを
有するアクティブ基板を形成する工程と、前記発光体を
保護する手段を付与した後、アクティブ基板の画像表示
部外の領域に形成された特定の配線上に鍍金により金属
層を形成する工程とを有することを特徴とする。

【００６５】この構成により、駆動用半導体集積回路を
内蔵した発光型表示装置において、配線の膜厚やパター
ン幅を増加することなく特定の配線の抵抗を下げること
が可能となり、大画面・高精細の発光型表示装置が実現
容易となる。

【００６６】請求項２９は請求項１３に記載の表示装置
の製造方法であって、駆動用半導体集積回路と発光体と
を有するアクティブ基板を形成する工程と、前記発光体
を保護する手段を付与した後、アクティブ基板の画像表
示部外の領域に形成された特定の配線上に鍍金により金
属層を形成する工程と、金属層上に有機絶縁層を形成す
る工程とを有することを特徴とする。

【００６７】この構成により、請求項２８に記載の製造
方法と同一の効果に加えて、特定の配線上に絶縁層が形
成されているので駆動用半導体集積回路を内蔵した発光
型表示装置の信頼性と安全性も向上する。

【００６８】

【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を図１〜図２
２に基づいて説明する。図１は本発明の第１の実施形態
による多面取り基板（マザーガラス）における金属層の
形成に必要な付加パターンの配置（ａ）と半導体集積回
路チップ３ｂと特定の配線６０との相対的な位置関係
（ｂ），（ｃ）とを示し、図２、図３、図４、図５は夫
々、第１の実施形態の第１、第２、第３、第４の実施例
によって得られる液晶表示装置の部分拡大した断面図を
示す。以下の説明では便宜上、同一部位には従来例と同
じ符号を付すことにする。

【００６９】（第１の実施形態）本発明の第１の実施形
態は画素毎に内蔵される絶縁ゲート型トランジスタの半
導体材料として主としてアモルファスシリコンを用いた
アクティブ型の液晶表示装置で実施される。通常これら
の液晶表示装置では駆動用半導体集積回路チップは画像
表示部周辺に実装されており、電源線、制御信号線、断
線救済線等の特定の配線は通常、アクティブ基板２の外
周部に適当な実装手段、最も一般的にはＡＣＦを用いた
接続本数２０〜４０本のＴＣＰ実装がなされるが、特に
狭額縁を要求されない限りコネクタ接続でも何ら支障は
ない。

【００７０】そこでまず、アクティブ基板の作製に当た
り特定の配線上の絶縁層を除去しておくことが肝要であ
る。あるいは特定の配線６０，６１の形成はアクティブ
基板２の最終工程でなければならない。次に図１（ａ）
に示したようにＴＣＰ実装またはコネクタ接続がなされ
る外部（接続）端子群８０を並列に束ねる配線８１をア
クティブ基板２の外周部（切断または割断の単位毎）に
配置し、多面取り基板２’（マザーガラス基板）の外周
部に形成された接続端子８２と接続しておく配線パター
ン設計が必要である。

【００７１】（信号線側の）特定の配線６０、（走査線
側の）特定の配線６１と（走査線側の）駆動用半導体集
積回路チップ３ａ、（信号線側の）駆動用半導体集積回
路チップ３ｂとの相対的な位置関係には２つの選択枝が
あり、駆動用半導体集積回路チップ３ｂの電極端子２４
のピッチが狭い場合は図１（ｂ）に示したように、電極
端子２４と特定の配線６０とはアクティブ基板２の形成
時に同時に形成された多層配線２８で接続される。電極
端子２４のピッチが広い場合、または後述するＰＤＰの
ように多層配線２８が形成されない場合には図１（ｃ）
に示したように、特定の配線６０上を含んで駆動用半導
体集積回路チップ３ｂを配置することができる。図２〜
図５に示す実施例では後者を選択した場合の図１（ｃ）
のＡ−Ａ’，Ｂ−Ｂ’線上の断面図を用いて説明する。
なお図示はしないが特定の配線６０の本数が多い場合に
は自動的に駆動用半導体集積回路チップ３ｂからはみ出
した領域にも何本かの特定の配線６０が形成されるし、
また特定の配線６０，６１に共通する配線、例えば電源
線等は接続された状態、すなわち画像表示部の外周を一
周するような閉じた配線であって構わない。

【００７２】このようにして得られた多面取り基板２’
を鍍金中に浸漬して金属の板を陽極とし、接続端子８２
を陰極端子として特定の配線６０上に、例えば１μｍの
膜厚の金属層９１を形成する。金属層としては低抵抗の
金、銀または銅の何れかが選ばれる。なお、鍍金時にア
クティブ基板２上の他の導電性配線や導電性パターンは
電気的に浮いているので金属層が形成されることはな
い。すなわち、特待の配線６０上に金属層９１は選択的
に形成される。

【００７３】金属層の鍍金後は対向基板であるカラーフ
ィルタと貼り合わせて液晶パネル化され、割断または切
断によって個辺化された液晶パネルに例えばＡＣＦ２１
を用いて駆動用半導体集積回路チップ３ａ，３ｂを実装
する。この製法によれば電極端子５，６上にも金属層９
１が形成されるので、金属層９１が銀や銅の場合には熱
せられた大気（酸素）によってその表面に酸化層が形成
され易いので実装工程では注意が必要である。この後は
図２の（ａ）と（ｂ）に示したように従来のように駆動
用半導体集積回路チップ３ｂを保護するシリコン樹脂９
５等で特定の配線６０も覆って保護することにより第１
の実施例が終了する。金属層９１が金の場合、保護層９
５は特定の配線６０の腐食や酸化防止のためではなく、
液晶表示装置周りの導電性部材や機構部品との電気的接
触を防止するために機能している。

【００７４】特定の配線上をシリコン樹脂で覆って保護
するのも一つの方法であるが、第２の実施例では電着に
よって金属層上に選択的に有機絶縁層の形成を行う。第
１の実施例と同様に特定の配線６０上に金属層９１を形
成し、駆動用半導体集積回路チップ３を適当な例えばシ
リコン樹脂９５等で覆った後、後述する図８に示したよ
うに外部接続端子８０にコネクタ８３またはＴＣＰフィ
ルム８４を接続し（ＴＣＰフィルム８４の場合は仮接続
で良い）、接続端子８０とコネクタ８３またはＴＣＰフ
ィルム８４とが電着液に浸らないようにこれらの周囲を
除去が容易な樹脂等を用いて覆って液晶パネルを電着中
に浸漬しながらコネクタ８３またはＴＣＰフィルム８４
に接続された配線を並列に束ねて陽極とし、金属層９１
上に、すなわち特定の配線６０上に有機絶縁層９２を形
成する。デバイスとして必要な絶縁特性を確保できる有
機絶縁層として電着形成が可能な材料の中からポリアミ
ック酸塩を０．０１％程度含む溶液を電着液とし、電着
電圧は数Ｖ程度でポリイミド層９２の厚みを０．５μｍ
程度とするのは容易である。ポリイミド樹脂はアクリル
樹脂と同様に耐熱性の高い樹脂であり、ポリイミド層９
２の形成後は、一般的に言えば好ましくは200〜300℃、
数分〜数10分の熱処理を施してポリイミド層９２の絶縁
特性と耐薬品性とを高めると良いが、金属層９１を大気
中の水分と酸素から保護するだけであるので100〜200℃
程度の加熱処理でも十分な膜質のものが得られる。こ
のようにして図３の（ａ）と（ｂ）に示したように本発
明の第２の実施例が完了する。有機絶縁層９２には低抵
抗金属層９１のマイグレーションを防止する機能を持ち
合わせており、さらに信頼性を強化する観点からは有機
絶縁層９２の形成後にシリコン樹脂等の保護樹脂９５を
積層すると良いことは説明を要しないたろう。

【００７５】第１の実施例の発展形として、従来通りの
製造方法で駆動用半導体集積回路チップが実装された個
々の液晶パネルにおいて、駆動用半導体集積回路チップ
３ａ，３ｂを適当な保護樹脂９５で覆った後、接続端子
８０にコネクタ８３またはＴＣＰフィルム８４を接続
し、接続端子８０とコネクタ８３またはＴＣＰフィルム
８４とが鍍金液に浸らないようにこれらの周囲を除去が
容易な樹脂等を用いて覆って液晶パネルを鍍金中に浸漬
しながらコネクタ８３に接続された配線を並列に束ねて
陰極とし、特定の配線６０，６１上に金属層９１を形成
することも可能である。この製法によれば駆動用半導体
集積回路チップ３ａ，３ｂが位置する領域を除いた特定
の配線６０，６１上にのみ金属層９１が形成され電極端
子５，６は従来のままであるので、先述したように金属
層９１の導入によって駆動用半導体集積回路チップ３
ａ，３ｂの実装に用いられるＡＣＦ２１が新たな技術課
題をもたらす恐れを回避できる。この後は、図４の
（ａ）と（ｂ）に示したように従来のように駆動用半導
体集積回路チップを保護するシリコン樹脂９５等で金属
層９１上、すなわち特定の配線６０も覆って保護するこ
とにより第３の実施例が終了する。

【００７６】特定の配線上に形成された金属層は材質に
よっては、例えば銀や銅では先述したように酸化し易い
ので適当な絶縁体で保護することが必要である。駆動用
半導体集積回路チップを保護するシリコン樹脂で覆うの
も一つの方法であるが、第４の実施例でも第２の実施例
と同様に電着によって金属層上に選択的に有機絶縁層の
形成を行う。

【００７７】第３の実施例に記載したように従来通りの
製造方法で駆動用半導体集積回路チップ３ａ，３ｂが実
装された液晶パネルにおいて、特定の配線６０，６１上
に金属層９１を選択的に形成した後、引続き、接続端子
８０とコネクタ８３またはＴＣＰフィルム８４とが電着
液に浸らないようにこれらの周囲を除去が容易な樹脂等
を用いて覆って液晶パネルを電着中に浸漬しながら、コ
ネクタ８３またはＴＣＰフィルム８４に接続された配線
を並列に束ねて陽極として金属層９１上、すなわち特定
の配線６０，６１上に有機絶縁層であるポリイミド層９
２を形成し、ポリイミド層９２に然るべき加熱処理を施
して図５の（ａ）と（ｂ）に示したように第４の実施例
が完了する。

【００７８】なお、第２と第４の実施例において、保護
樹脂９５の塗布・硬化工程と電着工程の順序を前後させ
ても駆動用半導体集積回路チップ３ａ，３ｂの接続端子
２４（バンプ電極）と電極端子５，６及び特定の配線６
０，６１との接合部の周囲に有機絶縁層９２が形成され
るだけで、接続端子２４と電極端子５，６及び特定の配
線６０，６１との接触面に有機絶縁層９２が形成される
わけではないので、工程数の削減の観点からは実装工
程、鍍金工程、電着工程、保護樹脂の塗布・硬化工程と
し、硬化工程で有機絶縁層９２と保護樹脂９５の加熱に
よる硬化を同時に行うのが合理的である。

【００７９】なお、全ての実施形態において特定の配線
路６０，６１とは既に述べたように低インピーダンス・
低抵抗を必要とする電源線、制御信号線、共通容量線、
断線救済線であり、いま少し詳細に記述するならば制御
信号線とは複数の駆動用半導体集積回路チップに共通す
る信号としての高速クロック線や信号処理であるγ補正
に必要なγリファレンス信号線であり、また複数の駆動
用半導体集積回路チップに順次転送されていく（デー
タ）キャリー信号線も挙げられる。

【００８０】（第２の実施形態）図６、図７には夫々、
第２の実施形態の第１、第２の実施例によって得られる
液晶表示装置の平面図と部分拡大した断面図（Ａ−Ａ’
線上）を示す。

【００８１】本発明の第２の実施形態は画素毎に内蔵さ
れる絶縁ゲート型トランジスタの半導体材料として低温
ポリシリコンを用いたアクティブ型の液晶表示装置で実
施される。アモルファスシリコンと低温ポリシリコンで
は電気的な諸特性において後者が大半の項目で大きく上
回り、半導体材料としてアモルファスシリコンを用いた
アクティブ型の液晶表示装置との差異は駆動用半導体回
路を内蔵できることであり、図６（ａ）に示したように
全ての駆動用半導体回路を内蔵した場合にはアクティブ
基板２上には走査線と信号線の電極端子５，６が存在せ
ず、駆動用半導体回路は画像表示部外の領域、すなわち
カラーフィルタ９の外周近傍と特定の配線６０，６１と
の間の領域６５に形成されている。したがって、実装工
程は外部接続端子８０にコネクタ８３を接続するか、ま
たは接続端子８０に適当なＡＣＦ（異方性導電性樹脂）
を介してＴＣＰフィルム８４を圧接するだけである。特
定の配線６０，６１としては電源線、制御信号線、蓄積
容量線、断線救済線等があり、これらに変りはない。

【００８２】第２の実施形態でも図１（ａ）で示した第
１の実施形態と同様に、アクティブ基板の作製に当たり
特定の配線上の絶縁層を除去しておくことが肝要であ
る。あるいは特定の配線６０，６１の形成はアクティブ
基板２の最終工程でなければならない。次にＴＣＰ実装
またはコネクタ接続がなされる外部接続端子群８０を並
列に束ねる配線８１をアクティブ基板の外周部（切断ま
たは割断の単位毎）に配置し、多面取り基板の外周部に
形成された接続端子８２と接続しておく配線パターン設
計が必要である。

【００８３】このようにして得られた多面取り基板２’
を鍍金中に浸漬し、低属の板を陽極とし接続端子８２を
陰極端子として特定の配線６０，６１上に、例えば１μ
ｍの膜厚の金属層９１を形成する。金属層９１の鍍金後
は対向基板であるカラーフィルタと貼り合わせて液晶パ
ネル化し、図６（ｂ）に示したように適当な保護材とし
てシリコン樹脂９５等で金属層９１上、すなわち特定の
配線６０，６１を覆って保護することにより第１の実施
例が終了する。なお、６６はシール材であり、アクティ
ブ基板２とカラーフィルタ９との間隙（画像表示部）の
構成は記載を省略している。

【００８４】なお、従来通りの製造方法でカラーフィル
タと貼り合わせ、割断または切断によって得られた液晶
パネルの外部接続端子８０にコネクタ８３またはＴＣＰ
フィルム８４を接続し、先述したように接続端子８０と
コネクタ８３またはＴＣＰフィルム８４とが鍍金液に浸
らないようにこれらの周囲を除去が容易な樹脂等を用い
て覆って液晶パネルを鍍金中に浸漬しながら、コネクタ
８３に接続された配線を並列に束ねて陰極とし、特定の
配線６０，６１上に金属層９１を形成することも可能で
ある。そして液晶表示装置周りの導電性部材や機構部品
との電気的接触を防止するために金属層９１を適当な絶
縁層で覆っても良い。あるいは引き続き、電着によって
金属層９１上に有機絶縁層９２を形成しても良い。この
製法では鍍金工程で用いられる鍍金槽と電着工程で用い
られる電着槽に加えて水洗槽に多面取り基板（マザーガ
ラス）２’に対応した大きさが不要となる点に特徴があ
る。

【００８５】特定の配線６０，６１上をシリコン樹脂９
５で覆って保護するのも一つの方法であるが、第２の実
施例では電着によって金属層９１上に選択的に有機絶縁
層９２の形成を行う。金属層９１の鍍金後、引き続き、
接続端子８０にコネクタ８３またはＴＣＰフィルム８４
を接続し、接続端子８０とコネクタ８３またはＴＣＰフ
ィルム８３とが電着液に浸らないように液晶パネルを電
着中に浸漬しながら、これらを陽極として金属層９１
上、すなわち特定の配線６０，６１上に有機絶縁層とし
てポリイミド層９２を形成する。その後、ポリイミド層
９２に然るべき加熱処理を施して図７の（ａ）と（ｂ）
に示したように第２の実施例が完了する。

【００８６】（第３の実施形態）図８の（ａ）、（ｂ）
は夫々本発明の第３の実施形態によって得られる表示装
置（ＰＤＰ）における特定の配線６０，６１，６２の配
置と外部接続端子８０，８０’，８０”近辺の拡大図を
示し、図９、図１０、図１１、図１２は夫々、第３の実
施形態の第１、第２、第３、第４の実施例によって得ら
れるＰＤＰの部分拡大した断面図（図８（ｂ）のＡ−
Ａ’，Ｂ−Ｂ’線上）を示す。

【００８７】第３の実施形態は少なくとも一方の透明絶
縁基板に行電極（走査線）と維持電極とを有し、他方の
透明絶縁基板に信号線（列電極）を有して対向する一対
の基板間に放電ガスを充填して構成される表示装置（Ｐ
ＤＰ）において実施される。ＰＤＰは液晶表示装置にお
ける単純マトリクス型と酷似した電極構成になり、表示
装置を構成する一対のガラス基板の対向する面の何れに
も電極および電極端子が形成されている。したがって、
一つの透明絶縁基板上の電極は他の電極と多層配線を構
成することは無く、また表示領域が広いので（通常対角
長７５ｃｍ以上）電極パターンも最小線幅が30 μｍを
下回る必要が無いことがアクティブ型の液晶表示装置と
の大きな差異であり、プラズマ放電の駆動電圧が２００
Ｖと高いことから駆動用半導体集積回路チップのチップ
面積が大きくなり、駆動用半導体集積回路チップ数が多
くなるのでコスト的には不利なデバイスではあるが、画
面サイズが対角７５ｃｍ以上の液晶表示装置は現時点で
は量産されておらず、ＣＲＴと同等以上の表示性能を発
揮しているのはＰＤＰだけである。実装コストの低減に
は既に述べたように現在採用されているＴＣＰ実装から
ＣＯＧ実装への移行も有力な手段であるが、画面サイズ
が大きいだけに配線路の抵抗値の増大を押さえる必要が
あることは液晶表示装置と同様である。画像表示部外の
領域で特定の配線として電源線、制御信号線、断線救済
線等があり、これらに変りはないがＰＤＰの単位画素内
には蓄積容量が無いので（蓄積）共通容量線あるいは蓄
積容量線の母線は不要である。

【００８８】ＰＤＰは水分を始めとする不純物ガスの混
入に対して敏感なデバイスであるので、表示装置を構成
する一対のガラス基板の各々に対して金属層を形成して
から一対のガラス基板を貼り合わせてパネル化すること
は好ましくないと考えられる。そこで電極形成を含む一
対のガラス基板を各々の作製後にそれらを貼り合わせて
得られたＰＤＰに対して本発明を適用する。

【００８９】図８（ａ）に示したように、ＰＤＰ１００
では一方のガラス基板１０１（前面板）の画像表示部外
の領域に走査線の電極端子（図示はしないが例えば左
側）と維持電極の電極端子（同じく右側）とは通常相対
して配置され、他方のガラス基板１０９（背面板）の画
像表示部外の領域に信号線の電極端子は配置される。現
状では走査線と維持電極（線）は基本的には透明導電層
で構成されるが、透明導電層に銀系合金やＣｒでサンド
イッチされたＣｕ等を部分的に並列に付与して低抵抗化
されており、信号線は低抵抗の金属層として同様に銀系
合金やＣｒでサンドイッチされたＣｕ等が大半である。
０．１ｍｍ程度の放電空間を構成するためには信号線と
並列に隔壁（リブ）と称される仕切り壁が必要で、隔壁
で仕切られた放電空間の内壁にＲ，Ｇ，Ｂの蛍光体が配
置されているが、画像表示部内の構成は本発明の関与す
るところではないので詳細な説明は省略するが、走査電
極と維持電極とを複数本の金属層のスリットのみで構成
するようなＰＤＰであっても本発明が有効なことは言う
までも無い。第３の実施形態では、図８に示したように
電極線の形成時に駆動用半導体集積回路チップに共通す
る配線路６０，６１，６２の先端部に外部接続端子８
０，８０’，８０”を形成しておくことが肝要である。
そして接続端子８０，８０’，８０”を適当な手段で、
例えば弾力性を有する接続電極８５を有する樹脂製のコ
ネクタ８３を接続端子に挿し込む、あるいはＴＣＰフィ
ルム８４を接続端子に圧接する等して電気的に接続し、
かつ適当な手段で、例えばワックスや樹脂等で覆って接
続端子８０，８０’，８０”の周囲を絶縁化した後、鍍
金液中にＰＤＰ１００を浸漬して特定の配線６０，６
１，６２上への金属層９１の形成を行う。金属層９１と
しては低抵抗の金、銀または銅の何れかが選ばれる。

【００９０】金属層９１の鍍金後はＰＤＰ１００に３種
類の駆動用半導体集積回路チップ３ａ，３ｂ，３ｃが例
えばＡＣＦ２１を用いて実装され（３ｃは維持電極を駆
動する半導体集積回路チップ）、図９の（ａ）と（ｂ）
に示したように適当な保護材としてシリコン樹脂９５等
で金属層９１上、すなわち特定の配線路６０，６１，６
２も覆って保護することにより本発明の第１の実施例が
完了する。この製法によれば電極端子５，６，６’
（６’は維持電極の電極端子）上にも金属層９１が形成
される。ただし、金属層が銀や銅の場合には熱せられた
大気（酸素）によってその表面に酸化層が形成され易い
ので注意が必要である。なお、１６６はシール材であ
り、ＰＤＰでは耐熱性の観点からフリットガラスが用い
られている。

【００９１】特定の配線６０，６１，６２（以下は６１
で代表する）上をシリコン樹脂９５で覆って保護するの
も一つの方法であるが、第２の実施例では電着によって
金属層９１上に選択的に有機絶縁層の形成を行う。第１
の実施例と同様に特定の配線６１上に金属層９１を形成
した後、駆動用半導体集積回路チップ３を適当な例えば
シリコン樹脂等９５で覆った後、接続端子８０，８
０’，８０”（以下は８０で代表する）にコネクタ８３
を接続し、接続端子８０とコネクタ８３とが電着液に浸
らないようにＰＤＰ１００を電着中に浸漬しながら、こ
れらを陽極として金属層９１、すなわち特定の配線６１
上に有機絶縁層９２を形成する。ポリアミック酸塩を
０．０１％程度含む溶液を電着液とし、電着電圧は数Ｖ
程度で膜厚０．５μｍ程度のポリイミド層９２を形成す
る。ポリイミド樹脂はアクリル樹脂と同様に耐熱性の高
い樹脂であり、ポリイミド層９２の形成後は、一般的に
言えば好ましくは200〜300℃、数分〜数10分の熱処理を
施してポリイミド層９２の絶縁特性と耐薬品性とを高め
ると良いが、ＰＤＰは液晶表示装置と異なり作製時のプ
ロセス処理温度が500〜600℃と高いので、有機絶縁層で
あるポリイミド樹脂層９２の熱処理は200℃ 以上の十分
な加熱処理を施すことが可能であり、金属層９１上に十
分な膜質のものが得られる。このようにして図１０の
（ａ）と（ｂ）に示したように本発明の第２の実施例が
完了する。

【００９２】第１の実施例の発展形として、従来通りの
製造方法で駆動用半導体集積回路チップが実装されたＰ
ＤＰにおいて、駆動用半導体集積回路チップ３を適当な
保護樹脂９５で覆った後、接続端子８０にコネクタ８３
を接続し、接続端子８０とコネクタ８３とが鍍金液に浸
らないようにＰＤＰ１００を鍍金中に浸漬しながら、こ
れらを陰極として特定の配線６１上に金属層９１を形成
することも可能である。この製法によれば駆動用半導体
集積回路チップ３が位置する領域を除いた特定の配線６
１上にのみ金属層９１が形成され、信号線の電極端子
５，走査線の電極端子６及び維持電極線の電極端子６’
は従来のままであるので、先述したように金属層９１の
導入によって駆動用半導体集積回路チップの実装に用い
られるＡＣＦが新たな技術課題をもたらす恐れを回避で
きる。この後は、図１１の（ａ）と（ｂ）に示したよう
に従来のように駆動用半導体集積回路チップ３を保護す
るシリコン樹脂９５等で金属層９１上、すなわち特定の
配線６１も覆って保護することにより第３の実施例が終
了する。

【００９３】特定の配線６１上に形成された金属層９１
は材質によっては、例えば銀や銅では先述したように酸
化し易いのでこのように適当な絶縁体で保護することが
必要である。あるいはＰＤＰ１００の周囲の機構部品や
電気部品との絶縁を確保するためにも適当な絶縁体で保
護することが必要である。駆動用半導体集積回路チップ
３を保護するシリコン樹脂９５で覆うのも一つの方法で
あるが、第４の実施例でも第２の実施例と同様に電着に
よって金属層上に選択的に有機絶縁層の形成を行う。

【００９４】第３の実施例と同様に従来通りの製造方法
で駆動用半導体集積回路チップが実装され、特定の配線
６１上に金属層９１を選択的に形成したＰＤＰにおい
て、引続き、接続端子８０とコネクタ８３とが電着液に
浸らないようにＰＤＰ１００を電着中に浸漬しながらこ
れらを陽極として金属層９１（特定の配線６１）上に有
機絶縁層９２を形成する。ポリアミック酸塩を０．０１
％程度含む溶液を電着液とし、電着電圧は数Ｖ程度で膜
厚０．５μｍ程度のポリイミド層９２を形成し、ポリイ
ミド層９２に然るべき加熱処理を施して図１２の（ａ）
と（ｂ）に示したように第４の実施例が完了する。

【００９５】なお、第２と第４の実施例において、保護
樹脂の塗布・硬化工程と電着工程の順序を前後させても
駆動用半導体集積回路チップの接続端子２４（バンプ電
極）と電極端子５，６，６’との接合部の周囲に有機絶
縁層が形成されるだけで、接続端子２４と電極端子５，
６，６’との接触面に有機絶縁層が形成されるわけでは
ないので、工程数の削減の観点からは実装工程、鍍金工
程、電着工程、保護樹脂の塗布・硬化工程とし、硬化工
程で有機絶縁層９２と保護樹脂９５の加熱による硬化を
同時に行うのが合理的である。

【００９６】（第４の実施形態）図１３は発光型表示装
置２００への実装状態を示す斜視図であり、図２３に示
した液晶表示装置１との差異は表示装置を構成する（ガ
ラス）基板が１枚で良いことと、アクティブ基板２上に
形成された発光体を外気から遮断する手段として例えば
防水性の高い金属性のキャップ７０あるいは防水性の高
い保護膜７１が画像表示部を含んでアクティブ基板２上
に接着または形成されている点である。

【００９７】図１４は本発明の第４の実施形態による多
面取り基板（マザーガラス）における金属層形成に必要
な付加パターンの配置を示し、図１６、図１７、図１
８、図１９は夫々、第４の実施形態の第１、第２、第
３、第４の実施例によって得られる発光型表示装置の部
分拡大した断面図（図１４のＡ−Ａ’線上）を示す。

【００９８】第４の実施形態は一主面上に少なくともス
イッチング用絶縁ゲート型トランジスタと、前記スイッ
チング用絶縁ゲート型トランジスタのゲート電極も兼ね
る走査線とソース配線も兼ねる信号線と、ドレイン配線
に接続された蓄積容量と、駆動用絶縁ゲート型トランジ
スタと、前記駆動用絶縁ゲート型トランジスタのドレイ
ン配線に接続された表示電極とを有する単位絵素が二次
元のマトリクスに配列された絶縁基板と発光体とよりな
る発光型表示装置において実施され、通常発光体には薄
膜の有機EＬが用いられ、また負荷である発光体を駆動
する電流能力の観点から絶縁ゲート型トランジスタの半
導体材料としては低温ポリシリコンが用いられる。

【００９９】本発明の第４の実施形態による発光型表示
装置では図１５の等価回路図に示したように、走査線１
１と信号線１２との交点毎にスイッチング用の絶縁ゲー
ト型トランジスタ１０と、同トランジスタのドレイン配
線に蓄積容量１５と駆動用の絶縁ゲート型トランジスタ
４０のゲート電極が接続され、駆動用の絶縁ゲート型ト
ランジスタ４０のドレイン配線には例えば有機ＥＬ発光
素子よりなる表示媒体４１が接続されている。蓄積容量
１５は駆動用の絶縁ゲート型トランジスタ４０を保持期
間中ОＮさせるために必要である（特開平６−３２５８
６９号公報参照）。駆動用の絶縁ゲート型トランジスタ
４０の閾値電圧の変動による駆動電流の変動は発光素子
４１の強度変化、すなわち画像斑をもたらすので、複数
個の駆動用の絶縁ゲート型トランジスタ４０で画素を構
成することがあっても構わない。

【０１００】なお、４２，４３は表示媒体を駆動するた
めの電力を供給・回収する電源線であり、全ての駆動用
絶縁ゲート型トランジスタ４０のソース配線に共通する
電源線（＋電位）が４２で、絶縁基板上に形成された導
電路からなる。一方、有機ＥＬ発光薄膜上に形成された
導電性薄膜層よりなり、全ての発光素子４１に共通する
発光素子４１を流れる電流の帰還線（接地線、アース
線）が４３である（特開平８−２３４６８３号公報参
照）。

【０１０１】現時点で開発中の有機EＬ発光体は膜厚 0.
1〜0.2 μｍ程度と極めて薄く、かつ耐熱性に乏しいた
めに発光体または発光層は周囲の環境からの水分の浸入
を阻止しないと発光寿命が１０００時間を下回り実用化
に耐えないことが知られている。そこで簡易的には図１
３に示したように個々の発光型表示装置に、例えばアル
ミニウム製の箱型蓋７０を紫外線硬化樹脂等で接着して
用いている。

【０１０２】有機EＬ発光体からの発光をアクティブ基
板２の一主面上から取り出すような発光体の構成、すな
わち、有機EＬ層を上下から挟持する透明導電層と金属
層との関係を逆にした場合には箱型蓋７０を透明性の高
いガラス板で構成すれば良い。将来的には透水性の低い
樹脂薄膜、あるいは樹脂薄膜と透水性の低い無機薄膜と
の積層等による保護膜７１が提供されると思われるが、
いずれにせよ発光体を保護する手段は必要である。

【０１０３】このように発光体を保護された発光型表示
装置でも駆動のために駆動用半導体集積回路チップが複
数個必要であり、図１３に示したようにＴＣＰ実装また
はＣＯＧ実装によって外部から電源や信号が与えられ
る。ＣＯＧ実装を採用すると駆動用半導体集積回路チッ
プは画像表示部周辺に実装され、電源線、制御信号線、
断線救済線等の特定の配線路は通常、アクティブ基板２
の外周部に適当な実装手段、最も一般的にはＡＣＦを用
いた接続本数２０〜４０本のＴＣＰ実装またはコネクタ
実装がなされる。これら特定の配線の中でも上記したよ
うに発光体の電源線４２，４３は電流が多く流れるので
特に低抵抗化が強く要求される。

【０１０４】そこでまず、既に述べた液晶表示装置と同
様にアクティブ基板２の作製に当たり特定の配線６０上
の絶縁層を除去しておくことが肝要である。次に図１４
に示したようにＴＣＰ実装またはコネクタ接続がなされ
る外部接続端子群８０を並列に束ねる配線８１をアクテ
ィブ基板の外周部（切断または割断の単位毎）に配置
し、多面取り基板２’の外周部に形成された接続端子８
２と接続しておく配線パターン設計が必要である。

【０１０５】このようにして得られた多面取り基板２’
に発光体を大気より保護する手段として防水キャップ７
０または防水層７１を付与した後、多面取り基板２’を
鍍金中に浸漬し、金属の板を陽極とし接続端子８２を陰
極端子として特定の配線６０上に、例えば１μｍの膜厚
の金属層９１を形成する。金属層としては低抵抗の金、
銀または銅の何れかが選ばれる。なお、鍍金時にガラス
基板２’上の他の導電性配線やパターンは電気的に浮い
ているので金属層が形成されることはない。

【０１０６】金属層９１の鍍金後はマザーガラス基板
２’の切断によって個辺化された発光型表示装置に駆動
用半導体集積回路チップ３ａ，３ｂを実装する。この製
法によれば電極端子５，６上にも金属層９１が形成され
るので、金属層９１が銀や銅の場合には熱せられた大気
（酸素）によってその表面に酸化層が形成され易いので
実装工程では注意が必要である。この後は、図１６の
（ａ）と（ｂ）に示したように従来のように駆動用半導
体集積回路チップ３を保護するシリコン樹脂９５等で金
属層９１上、すなわち特定の配線６０も覆って保護する
ことにより第１の実施例が終了する。なお、２６６は防
水蓋７０をアクティブ基板２に接着するためのシール材
であり、現時点では紫外線硬化型のものを用いて硬化時
の処理温度を下げて有機ＥＬ層への損傷を防止してい
る。

【０１０７】特定の配線６０上をシリコン樹脂９５で覆
って保護するのも一つの方法であるが、第２の実施例で
は電着によって金属層９１上に選択的に有機絶縁層の形
成を行う。第１の実施例と同様に特定の配線６０上に金
属層９１を形成し、駆動用半導体集積回路チップ３を適
当な例えばシリコン樹脂９５等で覆った後、外部接続端
子８０にコネクタ８３を接続し、接続端子８０とコネク
タ８３とが電着液に浸らないように発光型表示装置を電
着中に浸漬しながらコネクタ８３に接続された配線を束
ねて陽極とし、金属層９１（特定の配線６０）上に有機
絶縁層９２を形成する。有機絶縁層としてはポリアミッ
ク酸塩を０．０１％程度含む溶液を電着液とし、電着電
圧は１０Ｖ程度で膜厚１μｍ程度と厚いポリイミド層９
２を形成する。その理由は金属層９１を大気中の水分と
酸素から保護するだけであり、また有機ＥＬが耐熱性に
乏しいことを考慮して100℃ を超えない加熱処理でも十
分な膜質のものが得たいからである。このようにして図
１７の（ａ）と（ｂ）に示したように本発明の第２の実
施例が完了する。

【０１０８】第１の実施例の発展形として、従来通りの
製造方法で駆動用半導体集積回路チップが実装された個
々の発光型表示装置において、駆動用半導体集積回路チ
ップ３を適当な保護樹脂９５で覆った後、接続端子８０
にコネクタ８３を接続し、接続端子８０とコネクタ８３
とが鍍金液に浸らないように発光型表示装置を鍍金中に
浸漬しながら、これらを陰極として特定の配線路６０上
に金属層９１を形成することも可能である。この後は、
図１８の（ａ）と（ｂ）に示したように従来のように駆
動用半導体集積回路チップ３ｂを保護するシリコン樹脂
９５等で特定の配線路６０も覆って保護することにより
第３の実施例が終了する。

【０１０９】特定の配線６０上に形成された金属層９１
を絶縁化するためには駆動用半導体集積回路チップ３を
保護するシリコン樹脂９５で覆うのも一つの方法である
が、第４の実施例でも第２の実施例と同様に電着によっ
て金属層９１上に選択的に有機絶縁層の形成を行う。

【０１１０】第３の実施例と同様に特定の配線６０上に
金属層９１を形成した後、引き続き、接続端子８０とコ
ネクタ８３とが電着液に浸らないように発光型表示装置
を電着中に浸漬しながら、これらを陽極として金属層９
１上に有機絶縁層９２を形成する。ポリアミック酸塩を
0.01％程度含む溶液を電着液とし、電着電圧は１０Ｖ程
度で膜厚１μｍ程度と厚いポリイミド層９２を形成し、
ポリイミド層９２に然るべき加熱処理を施した後、図１
９の（ａ）と（ｂ）に示したように第４の実施例が完了
する。

【０１１１】なお、第２と第４の実施例において、保護
樹脂の塗布・硬化工程と電着工程の順序を前後させても
駆動用半導体集積回路チップの接続端子２４（バンプ電
極）と電極端子５，６との接合部の周囲に有機絶縁層が
形成されるだけで、接続端子２４と電極端子５，６との
接触面に有機絶縁層が形成されるわけではないので、工
程数の削減の観点からは実装工程、鍍金工程、電着工
程、保護樹脂の塗布・硬化工程とし、硬化工程で有機絶
縁層９２と保護樹脂９５の加熱による硬化を同時に行う
のが合理的である。

【０１１２】（第５の実施形態）図２０、図２１は夫
々、第５の実施形態の第１、第２の実施例によって得ら
れる発光型表示装置の平面図と部分拡大した断面図（図
２０のＡ−Ａ’線上）を示す。

【０１１３】本発明の第５の実施形態は、一主面上に少
なくともスイッチング用絶縁ゲート型トランジスタと、
前記スイッチング用絶縁ゲート型トランジスタのゲート
電極も兼ねる走査線とソース配線も兼ねる信号線と、ド
レイン配線に接続された蓄積容量と、駆動用絶縁ゲート
型トランジスタと、前記駆動用絶縁ゲート型トランジス
タのドレイン配線に接続された表示電極とを有する単位
絵素が二次元のマトリクスに配列され、画像表示部外の
領域に駆動用半導体集積回路が形成された発光型表示装
置において実施されるが、通常発光体には薄膜の有機E
Ｌが用いられ、また負荷である画素毎の発光体を駆動す
る電流能力の観点から絶縁ゲート型トランジスタの半導
体材料としては低温ポリシリコンが用いられる。内蔵さ
れた駆動用半導体集積回路の電気的な諸特性を向上させ
るためには、低温ポリシリコンを半導体層とする絶縁ゲ
ート型トランジスタの駆動能力が大きいこと、すなわち
低温ポリシリコンの移動度がおよそ５０ｃｍ２／Ｖ・Ｓ
ｅｃを超えることが必須条件であり、さらに移動度の小
さいことを補う手段として信号線の駆動回路は分割して
クロック周波数を下げる回路的工夫も加味される。この
ような駆動用半導体集積回路が内蔵された発光型表示装
置ではアクティブ基板上には走査線と信号線の電極端子
５，６が存在しないので、実装工程は外部接続端子８０
にコネクタ８３を接続するか、接続端子８０に適当な実
装手段、例えばＡＣＦを介してＴＣＰフィルム８４を圧
接するだけである。特定の配線６０として電源線（発光
体の電源線も含む）、制御信号線、蓄積容量線、断線救
済線等があり、これらに変りはない。

【０１１４】第５の実施形態でもアクティブ基板の作製
に当たり特定の配線路上の絶縁層を除去しておくことが
肝要である。あるいは特定の配線の形成工程はアクティ
ブ基板の最終工程でなければならない。次に図２０に示
したようにＴＣＰ実装またはコネクタ実装がなされる外
部接続端子群８０を並列に束ねる配線８１をアクティブ
基板の外周部（切断または割断の単位毎）に配置し、多
面取り基板２’の外周部に形成された接続端子８２と接
続しておく配線パターン設計が必要である。このように
して得られた多面取り基板２’の各個片に防水蓋７０を
貼りつけた後、または防水水膜７１を形成した後、多面
取り基板２’を鍍金中に浸漬し、金属の板を陽極とし接
続端子８２を陰極端子として特定の配線６０上に、例え
ば１μｍの膜厚の金属層９１を形成する。低抵抗の金属
層９１として金、銀、銅の何れかを鍍金後、図２１の
（ｂ）に示したように適当な保護材としてシリコン樹脂
９５等で金属層９１（特定の配線路６０）も覆って保護
することにより第１の実施例が終了する。

【０１１５】なお、従来通りの製造方法で防水蓋７０を
貼りつけ、切断によって得られた個々の発光型表示装置
の外部接続端子８０にコネクタ８３を接続し、先述した
ように接続端子８０とコネクタ８３とが鍍金液に浸らな
いように発光型表示装置を鍍金中に浸漬しながら、これ
らを陰極として特定の配線６０上に金属層９１を形成す
ることも可能である。その後に特定の配線６０の絶縁化
を行えば良い。

【０１１６】特定の配線６０上をシリコン樹脂９５で覆
って保護するのも一つの方法であるが、第２の実施例で
は電着によって金属層９１上に選択的に有機絶縁層の形
成を行う。第１の実施例に示したように特定の配線６０
上に金属層９１を形成した後、引き続き、接続端子８０
とコネクタ８３とが電着液に浸らないように発光型表示
装置を電着中に浸漬しながら、これらを陽極として金属
層９１上に有機絶縁層９２を形成する。ポリアミック酸
塩を0.01％程度含む溶液を電着液とし、電着電圧は１０
Ｖ程度で膜厚１μｍ程度と厚いポリイミド層９２を形成
し、ポリイミド層９２に然るべき加熱処理を施した後、
図２２の（ｂ）に示したように第２の実施例が完了す
る。

【０１１７】以上述べた実施の形態において、金属層９
１は鍍金によって形成されるので、特定の配線６０は外
部接続端子８２に電気的に繋がっている必要があるが、
回路設計上必ずしも一つの配線路が全て繋がっている必
要がない場合もある。例えば電極線の断線救済線では画
像表示部の全周に必要ではなくほぼ半周に相当するだけ
で十分なので、このような場合は鍍金後に当該の配線を
レーザ光を照射して蒸散させることで簡単に分離・分割
することは容易であり、低抵抗金属層を必要とする配線
の自由度が増加することを補足しておく。隣り合った駆
動用半導体集積回路チップ間で必要な（データ）キャリ
ー線についても同様である。

【０１１８】

【発明の効果】本発明の表示装置によれば、電源線、制
御信号線、断線救済線等の低抵抗を要求される配線上に
は低抵抗金属層が形成されているので抵抗値を十分に下
げることが可能であり、したがって表示装置を構成する
一方のアクティブ基板、または電極群を有する一対の基
板の電極や配線を表示装置が必要とする以上に厚くある
いは幅広く形成する必要が無い。その結果、ＣＯＧ実装
の採用に当たりバスフレキが不要となってコストダウン
が推進されるだけでなく、生産性や歩留を低下させるこ
となく表示装置の大画面・高精細化に対応できるという
格別の効果が得られ、工業的な価値は高い。

【０１１９】加えて、従来の表示装置技術とＣＯＧ実装
技術に変更を加えることなく、特定の配線の低抵抗化も
可能であり、信頼性の観点から確認すべき事項が少な
く、量産ラインへの導入が短期間に行えるので開発期間
の短縮と言う格別な効果も得られる。

【０１２０】以上の説明からも明らかなように、本発明
の要件は画像表示部外の領域で特定の配線上に低抵抗金
属層を鍍金により形成する点と、引き続いて低抵抗金属
層上に有機絶縁層を形成する点とにある。したがって、
一対の電極間に表示媒体を有する表示装置として、実施
形態で記載した走査線側と信号線側への実装が表示装置
を構成する一対の基板の一方（アクティブ基板）になさ
れるとともに対向電極を他方の基板上に有する通常のア
クティブ型カラー液晶パネルに限らず、対向電極に透明
導電性の絵素電極を必要せずアクティブ基板上に絵素電
極と所定の距離を隔てて対向電極の双方を有するＩＰＳ
型の液晶パネルにおいても本発明は有効である。さら
に、絵素電極が金属反射電極よりなる反射型の液晶パネ
ルにおいても有効であり、加えてカラー表示のための着
色層を対向する第２の透明絶縁基板上でなく、アクティ
ブ基板上に形成した各種のカラー液晶パネルにおいても
本発明の有効性は損なわれるものではない。

【０１２１】また、特定の配線は導電性さえあれば鍍金
によって低抵抗金属層の形成は可能であり、換言すれば
走査線や信号線等の材質による差異、絶縁ゲート型トラ
ンジスタの構造や材質の差異、発光体の材質の差異等は
何ら本発明の実施に当たって障害とならないことは明ら
かである。

【０１２２】さらに、駆動用半導体集積回路チップの実
装方法、実装手段もＡＣＦを用いた熱圧接・熱接着に限
定されるものではなく、他の方式を採用した場合に留意
すべき点は実施形態の中でも説明したように、低抵抗の
金属層の鍍金時に表示装置の電極端子と駆動用半導体集
積回路チップの電極端子との接触・接合面に金属層が形
成されて隣り合った電極端子あるいは特定の配線との間
で短絡が起きないようにすれば良いことである。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施形態にかかるマザーガラス
基板上の周辺配線と（鍍金用）接続端子を示す図

【図２】本発明の第１の実施形態にかかる表示装置（液
晶表示装置）への実装状態を示す断面図

【図３】本発明の第１の実施形態にかかる表示装置（液
晶表示装置）への実装状態を示す断面図

【図４】本発明の第１の実施形態にかかる表示装置（液
晶表示装置）への実装状態を示す断面図

【図５】本発明の第１の実施形態にかかる表示装置（液
晶表示装置）への実装状態を示す断面図

【図６】本発明の第２の実施形態にかかる表示装置（液
晶表示装置）の平面図と断面図

【図７】本発明の第２の実施形態にかかる表示装置（液
晶表示装置）の平面図と断面図

【図８】本発明の第３の実施形態にかかる表示装置（Ｐ
ＤＰ）の周辺配線と外部接続端子を示す図

【図９】本発明の第３の実施形態にかかる表示装置（Ｐ
ＤＰ）への実装状態を示す断面図

【図１０】本発明の第３の実施形態にかかる表示装置
（ＰＤＰ）への実装状態を示す断面図

【図１１】本発明の第３の実施形態にかかる表示装置
（ＰＤＰ）への実装状態を示す断面図

【図１２】本発明の第３の実施形態にかかる表示装置
（ＰＤＰ）への実装状態を示す断面図

【図１３】保護キャップを装着された発光型表示装置へ
の実装状態を示す斜視図

【図１４】本発明の第４の実施形態にかかるマザーガラ
ス基板上の周辺配線と（鍍金用）接続端子を示す図

【図１５】第４の実施形態にかかる表示装置（発光型表
示装置）の画素の等価回路を示す図

【図１６】本発明の第４の実施形態にかかる表示装置
（発光型表示装置）への実装状態を示す断面図

【図１７】本発明の第４の実施形態にかかる表示装置
（発光型表示装置）への実装状態を示す断面図

【図１８】本発明の第４の実施形態にかかる表示装置
（発光型表示装置）への実装状態を示す断面図

【図１９】本発明の第４の実施形態にかかる表示装置
（発光型表示装置）への実装状態を示す断面図

【図２０】本発明の第５の実施形態にかかるマザーガラ
ス基板上の周辺配線と（鍍金用）接続端子を示す図

【図２１】本発明の第５の実施形態にかかる表示装置
（発光型表示装置）の断面図

【図２２】本発明の第５の実施形態にかかる表示装置
（発光型表示装置）の断面図

【図２３】従来の液晶パネルへの実装状態を示す斜視図

【図２４】先願の新規なＣＯＧ実装が施された液晶パネ
ルの周縁部の配置図と断面図

【符号の説明】

１液晶パネル２アクティブ基板（ガラス基板、絶縁基板）３ａ（走査線の）駆動用半導体集積回路チップ３ｂ（信号線の）駆動用半導体集積回路チップ３ｃ（維持電極線の）駆動用半導体集積回路チップ５，６電極端子９カラーフィルタ（対向基板）１３プリント基板１４，１４’ 開口溝（凹部）２１，２１’ （熱硬化性）異方性導電ゴム２２，２３（第１と第２の）低抵抗配線路（共通母線
配線）２４，２５バンプ電極２６パシベーション絶縁層３０，３１低抵抗の必要な端子（電源、クロック信
号、入力信号等）６０〜６２特定の配線路７０防水キャップ、蓋７１防水膜８０外部接続端子８１外部接続端子を束ねる配線８２（鍍金用）接続端子８３コネクタ８４ ТＣＰフィルム９１（低抵抗）金属層９２有機絶縁層９５保護樹脂層１００ＰＤＰ１０２ＰＤＰの下部基板１０９ＰＤＰの上部基板２００発光型表示装置

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｇ０２Ｆ 1/1368 Ｇ０２Ｆ 1/1368 Ｇ０９Ｆ 9/00 ３４２Ｇ０９Ｆ 9/00 ３４２Ｚ３４８３４８Ｃ 9/313 9/313 Ｚ 9/35 9/35 Ｆターム(参考） 2H092 GA48 GA50 GA60 JA24 JA34 JA37 JA41 JB73 KB04 NA25 NA29 PA03 PA04 PA08 5C094 AA15 AA42 AA43 BA03 BA31 BA43 CA19 DA15 EA04 EA07 ED02 5G435 AA17 AA18 BB06 BB12 CC09 CC12 KK05 KK09 KK10

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】一対の電極間に表示媒体を有するマトリ
クス型表示装置において、前記マトリクス型表示装置を
構成する基板の画像表示部外の領域で特定の配線上に金
属層が形成されていることを特徴とする表示装置。
【請求項２】一主面上に少なくとも絶縁ゲート型トラ
ンジスタと、前記絶縁ゲート型トランジスタのゲート電
極も兼ねる走査線とソース配線も兼ねる信号線と、ドレ
イン配線に接続された絵素電極とを有する単位絵素が二
次元のマトリクスに配列された絶縁基板と、前記絶縁基
板と対向する透明性絶縁基板またはカラーフィルタとの
間に液晶を充填してなる液晶表示装置において、絶縁基板の画像表示部外の領域に駆動用半導体集積回路
チップが実装されるとともに、特定の配線上に金属層が
形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項３】一主面上に少なくとも絶縁ゲート型トラ
ンジスタと、前記絶縁ゲート型トランジスタのゲート電
極も兼ねる走査線とソース配線も兼ねる信号線と、ドレ
イン配線に接続された絵素電極とを有する単位絵素が二
次元のマトリクスに配列された絶縁基板と、前記絶縁基
板と対向する透明性絶縁基板またはカラーフィルタとの
間に液晶を充填してなる液晶表示装置において、絶縁基板の画像表示部外の領域に駆動用半導体集積回路
が形成されるとともに、特定の配線上に金属層が形成さ
れていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項４】少なくとも一方の透明絶縁基板に複数本
の行電極（走査線）と維持電極とを有し、他方の透明絶
縁基板に複数本の列電極（信号線）を有して対向する一
対の基板間に放電ガスを充填してなるＰＤＰ（プラズマ
・ディスプレイ・パネル）において、透明絶縁基板の画像表示部外の領域に駆動用半導体集積
回路チップが実装されるとともに、特定の配線上に金属
層が形成されていることを特徴とするＰＤＰ。
【請求項５】一主面上に少なくともスイッチング用絶
縁ゲート型トランジスタと、前記スイッチング用絶縁ゲ
ート型トランジスタのゲート電極も兼ねる走査線とソー
ス配線も兼ねる信号線と、ドレイン配線に接続された蓄
積容量と、駆動用絶縁ゲート型トランジスタと、前記駆
動用絶縁ゲート型トランジスタのドレイン配線に接続さ
れた表示電極とを有する単位絵素が二次元のマトリクス
に配列された絶縁基板と発光体とよりなる発光型表示装
置において、絶縁基板の画像表示部外の領域に駆動用半導体集積回路
チップが実装されるとともに、特定の配線上に金属層が
形成されていることを特徴とする発光型表示装置。
【請求項６】一主面上に少なくともスイッチング用絶
縁ゲート型トランジスタと、前記スイッチング用絶縁ゲ
ート型トランジスタのゲート電極も兼ねる走査線とソー
ス配線も兼ねる信号線と、ドレイン配線に接続された蓄
積容量と、駆動用絶縁ゲート型トランジスタと、前記駆
動用絶縁ゲート型トランジスタのドレイン配線に接続さ
れた表示電極とを有する単位絵素が二次元のマトリクス
に配列された絶縁基板と発光体とよりなる発光型表示装
置において、絶縁基板の画像表示部外の領域に駆動用半導体集積回路
が形成されるとともに、特定の配線上に金属層が形成さ
れていることを特徴とする発光型表示装置。
【請求項７】特定の配線が電源線、制御信号線、共通
容量線、断線救済線であることを特徴とする請求項２あ
るいは請求項３に記載の液晶表示装置。
【請求項８】金属層が金、銀または銅の何れかである
ことを特徴とする請求項２あるいは請求項３に記載の液
晶表示装置。
【請求項９】金属層上に有機絶縁層が形成されている
ことを特徴とする請求項２に記載の液晶表示装置。
【請求項１０】金属層上に有機絶縁層が形成されてい
ることを特徴とする請求項３に記載の液晶表示装置。
【請求項１１】金属層上に有機絶縁層が形成されてい
ることを特徴とする請求項４に記載のＰＤＰ。
【請求項１２】金属層上に有機絶縁層が形成されてい
ることを特徴とする請求項５に記載の発光型表示装置。
【請求項１３】金属層上に有機絶縁層が形成されてい
ることを特徴とする請求項６に記載の発光型表示装置。
【請求項１４】一主面上に少なくとも絶縁ゲート型ト
ランジスタと、前記絶縁ゲート型トランジスタのゲート
電極も兼ねる走査線とソース配線も兼ねる信号線と、ド
レイン配線に接続された絵素電極とを有する単位絵素が
二次元のマトリクスに配列された絶縁基板と、前記絶縁
基板と対向する透明性絶縁基板またはカラーフィルタと
をシール材とスペーサ材とを用いて所定の間隙を保ちな
がら液晶パネルを形成する工程と、前記絶縁基板の画像
表示部外の領域に形成された駆動用半導体集積回路チッ
プに共通な配線上及び特定の配線上に鍍金により金属層
を形成する工程と、前記走査線と信号線の電極端子群に
駆動用半導体集積回路チップを実装する工程とを有する
液晶表示装置の製造方法。
【請求項１５】一主面上に少なくとも絶縁ゲート型ト
ランジスタと、前記絶縁ゲート型トランジスタのゲート
電極も兼ねる走査線とソース配線も兼ねる信号線と、ド
レイン配線に接続された絵素電極とを有する単位絵素が
二次元のマトリクスに配列された絶縁基板と、前記絶縁
基板と対向する透明性絶縁基板またはカラーフィルタと
をシール材とスペーサ材とを用いて所定の間隙を保ちな
がら液晶パネルを形成する工程と、前記絶縁基板の画像
表示部外の領域に形成された駆動用半導体集積回路チッ
プに共通な配線上及び特定の配線上に鍍金により金属層
を形成する工程と、前記走査線と信号線の電極端子群に
駆動用半導体集積回路チップを実装する工程と、電着に
より金属層上に有機絶縁層を形成する工程とを有する液
晶表示装置の製造方法。
【請求項１６】一主面上に少なくとも絶縁ゲート型ト
ランジスタと、前記絶縁ゲート型トランジスタのゲート
電極も兼ねる走査線とソース配線も兼ねる信号線と、ド
レイン配線に接続された絵素電極とを有する単位絵素が
二次元のマトリクスに配列された絶縁基板と、前記絶縁
基板と対向する透明性絶縁基板またはカラーフィルタと
をシール材とスペーサ材とを用いて所定の間隙を保ちな
がら液晶パネルを形成する工程と、前記絶縁基板の画像
表示部外の領域に形成された走査線と信号線の電極端子
群に駆動用半導体集積回路チップを実装する工程と、前
記駆動用半導体集積回路チップに共通な配線上及び特定
の配線上に鍍金により金属層を形成する工程とを有する
液晶表示装置の製造方法。
【請求項１７】一主面上に少なくとも絶縁ゲート型ト
ランジスタと、前記絶縁ゲート型トランジスタのゲート
電極も兼ねる走査線とソース配線も兼ねる信号線と、ド
レイン配線に接続された絵素電極とを有する単位絵素が
二次元のマトリクスに配列された絶縁基板と、前記絶縁
基板と対向する透明性絶縁基板またはカラーフィルタと
をシール材とスペーサ材とを用いて所定の間隙を保ちな
がら液晶パネルを形成する工程と、前記絶縁基板の画像
表示部外の領域に形成された走査線と信号線の電極端子
群に駆動用半導体集積回路チップを実装する工程と、前
記駆動用半導体集積回路チップに共通な配線上及び特定
の配線上に鍍金により金属層を形成する工程と、電着に
より金属層上に有機絶縁層を形成する工程を有する液晶
表示装置の製造方法。
【請求項１８】一主面上に少なくとも絶縁ゲート型ト
ランジスタと、前記絶縁ゲート型トランジスタのゲート
電極も兼ねる走査線とソース配線も兼ねる信号線と、ド
レイン配線に接続された絵素電極とを有する単位絵素が
二次元のマトリクスに配列され、画像表示部外の領域に
駆動用半導体集積回路が形成された絶縁基板と、前記絶
縁基板と対向する透明性絶縁基板またはカラーフィルタ
とをシール材とスペーサ材とを用いて所定の間隙を保ち
ながら液晶パネルを形成する工程と、前記絶縁基板の画像表示部外の領域に形成された特定の
配線上に鍍金により金属層を形成する工程とを有する液
晶表示装置の製造方法。
【請求項１９】一主面上に少なくとも絶縁ゲート型ト
ランジスタと、前記絶縁ゲート型トランジスタのゲート
電極も兼ねる走査線とソース配線も兼ねる信号線と、ド
レイン配線に接続された絵素電極とを有する単位絵素が
二次元のマトリクスに配列され、画像表示部外の領域に
駆動用半導体集積回路が形成された絶縁基板と、前記絶
縁基板と対向する透明性絶縁基板またはカラーフィルタ
とをシール材とスペーサ材とを用いて所定の間隙を保ち
ながら液晶パネルを形成する工程と、前記絶縁基板の画像表示部外の領域に形成された特定の
配線上に鍍金により金属層を形成する工程と、電着によ
り金属層上に有機絶縁層を形成する工程とを有する液晶
表示装置の製造方法。
【請求項２０】少なくとも複数本の行電極（走査線）
と維持電極とを有する一方の透明絶縁基板と、複数本の
列電極（信号線）を有する他方の透明絶縁基板とをシー
ル材を用いて所定の間隙を保ちながら放電ガスを充填し
てＰＤＰ（プラズマ・ディスプレイ・パネル）を形成す
る工程と、前記透明絶縁基板の画像表示部外の領域に形成された駆
動用半導体集積回路チップに共通な及び特定の配線上に
鍍金により金属層を形成する工程と、前記走査線と維持
電極及び信号線の電極端子群に駆動用半導体集積回路チ
ップを実装する工程とを有するＰＤＰの製造方法。
【請求項２１】少なくとも複数本の行電極（走査線）
と維持電極とを有する一方の透明絶縁基板と、複数本の
列電極（信号線）を有する他方の透明絶縁基板とをシー
ル材を用いて所定の間隙を保ちながら放電ガスを充填し
てＰＤＰ（プラズマ・ディスプレイ・パネル）を形成す
る工程と、前記透明絶縁基板の画像表示部外の領域に形成された駆
動用半導体集積回路チップに共通な及び特定の配線上に
鍍金により金属層を形成する工程と、前記走査線と維持
電極及び信号線の電極端子群に駆動用半導体集積回路チ
ップを実装する工程と、電着により金属層上に有機絶縁
層を形成する工程とを有するＰＤＰの製造方法。
【請求項２２】少なくとも複数本の行電極（走査線）
と維持電極とを有する一方の透明絶縁基板と、複数本の
列電極（信号線）を有する他方の透明絶縁基板とをシー
ル材を用いて所定の間隙を保ちながら放電ガスを充填し
てＰＤＰ（プラズマ・ディスプレイ・パネル）を形成す
る工程と、前記透明絶縁基板の画像表示部外の領域に形成された走
査線と維持電極及び信号線の電極端子群に駆動用半導体
集積回路チップを実装する工程と、前記駆動用半導体集
積回路チップに共通な及び特定の配線上に鍍金により金
属層を形成する工程とを有するＰＤＰの製造方法。
【請求項２３】少なくとも複数本の行電極（走査線）
と維持電極とを有する一方の透明絶縁基板と、複数本の
列電極（信号線）を有する他方の透明絶縁基板とをシー
ル材を用いて所定の間隙を保ちながら放電ガスを充填し
てＰＤＰ（プラズマ・ディスプレイ・パネル）を形成す
る工程と、前記透明絶縁基板の画像表示部外の領域に形成された走
査線と維持電極及び信号線の電極端子群に駆動用半導体
集積回路チップを実装する工程と、前記駆動用半導体集
積回路チップに共通な及び特定の配線上に鍍金により金
属層を形成する工程と、電着により金属層上に有機絶縁
層を形成する工程とを有するＰＤＰの製造方法。
【請求項２４】一主面上に少なくともスイッチング用
絶縁ゲート型トランジスタと、前記スイッチング用絶縁
ゲート型トランジスタのゲート電極も兼ねる走査線とソ
ース配線も兼ねる信号線と、ドレイン配線に接続された
蓄積容量と、駆動用絶縁ゲート型トランジスタと、前記
駆動用絶縁ゲート型トランジスタのドレイン配線に接続
された表示電極とを有する単位絵素が二次元のマトリク
スに配列された絶縁基板と発光体とよりなる発光型表示
装置において、前記発光体を保護する手段を付与した
後、駆動用半導体集積回路チップに共通な及び特定の配
線上に鍍金により金属層を形成する工程と、前記絶縁基
板の画像表示部外の領域に形成された前記走査線と信号
線の電極端子群に駆動用半導体集積回路チップを実装す
る工程とを有する発光型表示装置の製造方法。
【請求項２５】一主面上に少なくともスイッチング用
絶縁ゲート型トランジスタと、前記スイッチング用絶縁
ゲート型トランジスタのゲート電極も兼ねる走査線とソ
ース配線も兼ねる信号線と、ドレイン配線に接続された
蓄積容量と、駆動用絶縁ゲート型トランジスタと、前記
駆動用絶縁ゲート型トランジスタのドレイン配線に接続
された表示電極とを有する単位絵素が二次元のマトリク
スに配列された絶縁基板と発光体とよりなる発光型表示
装置において、前記発光体を保護する手段を付与した
後、駆動用半導体集積回路チップに共通な及び特定の配
線上に鍍金により金属層を形成する工程と、前記絶縁基
板の画像表示部外の領域に形成された前記走査線と信号
線の電極端子群に駆動用半導体集積回路チップを実装す
る工程と、電着により金属層上に有機絶縁層を形成する
工程とを有する発光型表示装置の製造方法。
【請求項２６】一主面上に少なくともスイッチング用
絶縁ゲート型トランジスタと、前記スイッチング用絶縁
ゲート型トランジスタのゲート電極も兼ねる走査線とソ
ース配線も兼ねる信号線と、ドレイン配線に接続された
蓄積容量と、駆動用絶縁ゲート型トランジスタと、前記
駆動用絶縁ゲート型トランジスタのドレイン配線に接続
された表示電極とを有する単位絵素が二次元のマトリク
スに配列された絶縁基板と発光体とよりなる発光型表示
装置において、前記発光体を保護する手段を付与した
後、前記絶縁基板の画像表示部外の領域に形成された走
査線と信号線の電極端子群に駆動用半導体集積回路チッ
プを実装する工程と、前記駆動用半導体集積回路チップ
に共通な及び特定の配線上に鍍金により金属層を形成す
る工程とを有する発光型表示装置の製造方法。
【請求項２７】一主面上に少なくともスイッチング用
絶縁ゲート型トランジスタと、前記スイッチング用絶縁
ゲート型トランジスタのゲート電極も兼ねる走査線とソ
ース配線も兼ねる信号線と、ドレイン配線に接続された
蓄積容量と、駆動用絶縁ゲート型トランジスタと、前記
駆動用絶縁ゲート型トランジスタのドレイン配線に接続
された表示電極とを有する単位絵素が二次元のマトリク
スに配列された絶縁基板と発光体とよりなる発光型表示
装置において、前記発光体を保護する手段を付与した
後、前記絶縁基板の画像表示部外の領域に形成された走
査線と信号線の電極端子群に駆動用半導体集積回路チッ
プを実装する工程と、前記駆動用半導体集積回路チップ
に共通な及び特定の配線上に鍍金により金属層を形成す
る工程と、電着により金属層上に有機絶縁層を形成する
工程とを有する発光型表示装置の製造方法。
【請求項２８】一主面上に少なくともスイッチング用
絶縁ゲート型トランジスタと、前記スイッチング用絶縁
ゲート型トランジスタのゲート電極も兼ねる走査線とソ
ース配線も兼ねる信号線と、ドレイン配線に接続された
蓄積容量と、駆動用絶縁ゲート型トランジスタと、前記
駆動用絶縁ゲート型トランジスタのドレイン配線に接続
された表示電極とを有する単位絵素が二次元のマトリク
スに配列され、画像表示部外の領域に駆動用半導体集積
回路が形成された絶縁基板と発光体とよりなる発光型表
示装置において、前記発光体を保護する手段を付与した
後、前記絶縁基板の画像表示部外の領域に形成された特
定の配線上に鍍金により金属層を形成する工程とを有す
る発光型表示装置の製造方法。
【請求項２９】一主面上に少なくともスイッチング用
絶縁ゲート型トランジスタと、前記スイッチング用絶縁
ゲート型トランジスタのゲート電極も兼ねる走査線とソ
ース配線も兼ねる信号線と、ドレイン配線に接続された
蓄積容量と、駆動用絶縁ゲート型トランジスタと、前記
駆動用絶縁ゲート型トランジスタのドレイン配線に接続
された表示電極とを有する単位絵素が二次元のマトリク
スに配列され、画像表示部外の領域に駆動用半導体集積
回路が形成された絶縁基板と発光体とよりなる発光型表
示装置において、前記発光体を保護する手段を付与した
後、前記絶縁基板の画像表示部外の領域に形成された特
定の配線上に鍍金により金属層を形成する工程と、電着
により金属層上に有機絶縁層を形成する工程とを有する
発光型表示装置の製造方法。
【請求項３０】特定の配線が電源線、制御信号線、共
通容量線、断線救済線であることを特徴とする請求項４
に記載のＰＤＰ。
【請求項３１】特定の配線が電源線、制御信号線、共
通容量線、断線救済線であることを特徴とする請求項５
あるいは請求項６に記載の発光型表示装置。
【請求項３２】金属層が金、銀または銅の何れかであ
ることを特徴とする請求項４に記載のＰＤＰ。
【請求項３３】金属層が金、銀または銅の何れかであ
ることを特徴とする請求項５あるいは請求項６に記載の
発光型表示装置。