JP2003119171A - ランタン錯体及びそれを用いたｂｌｔ膜の製造方法 - Google Patents
ランタン錯体及びそれを用いたｂｌｔ膜の製造方法Info
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Classifications
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F5/00—Compounds containing elements of Groups 3 or 13 of the Periodic Table
-
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- C07F5/003—Compounds containing elements of Groups 3 or 13 of the Periodic Table without C-Metal linkages
-
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】高い蒸気圧、優れた蒸着特性及び有機溶媒に対
する高い溶解度を有するＬａ錯体；及び前記Ｌａ錯体を
用いて穏やかな条件下でＢＬＴ薄膜を製造し得るＭＯＣ
ＶＤ法の提供。 【解決手段】ヘキサンのような有機溶媒中、室温でＬａ
（ｔｍｈｄ）３をペンタメチルジエチレントリアミン
（ＰＭＤＴ）又はトリエトキシトリエチレンアミン（Ｔ
ＥＴＥＡ）と反応させることによって製造できる一般式
（I）のＬａ錯体。 （式中、Ａはペンタメチルジエチレントリアミン（ＰＭ
ＤＴ）又はトリエトキシトリエチレンアミン（ＴＥＴＥ
Ａ）である。）また、Ｌａ前駆体として上記Ｌａ錯体を
用い、一般式（II）のＴｉ前駆体、及び有機ビスマス前
駆体を用いてＢＬＴ薄膜を形成するＭＯＣＶＤ法。
する高い溶解度を有するＬａ錯体；及び前記Ｌａ錯体を
用いて穏やかな条件下でＢＬＴ薄膜を製造し得るＭＯＣ
ＶＤ法の提供。 【解決手段】ヘキサンのような有機溶媒中、室温でＬａ
（ｔｍｈｄ）３をペンタメチルジエチレントリアミン
（ＰＭＤＴ）又はトリエトキシトリエチレンアミン（Ｔ
ＥＴＥＡ）と反応させることによって製造できる一般式
（I）のＬａ錯体。 （式中、Ａはペンタメチルジエチレントリアミン（ＰＭ
ＤＴ）又はトリエトキシトリエチレンアミン（ＴＥＴＥ
Ａ）である。）また、Ｌａ前駆体として上記Ｌａ錯体を
用い、一般式（II）のＴｉ前駆体、及び有機ビスマス前
駆体を用いてＢＬＴ薄膜を形成するＭＯＣＶＤ法。
Description
【０００１】
【発明が属する技術分野】本発明は、有機溶媒に対する
優れた溶解度、高い蒸気圧、及び優れた蒸着特性を示す
ランタン錯体；及び前記Ｌａ錯体と適切なＢｉ及びＴｉ
前駆体を用いて穏やかな条件下でチタン酸ビスマスラン
タン（ＢＬＴ：Ｂｉ4-XＬａXＴｉ3Ｏ12（０＜Ｘ＜
４））薄膜を製造する有機金属化学蒸着法(MOCVD、meta
l organic chemical vapor deposition)に関する。
優れた溶解度、高い蒸気圧、及び優れた蒸着特性を示す
ランタン錯体；及び前記Ｌａ錯体と適切なＢｉ及びＴｉ
前駆体を用いて穏やかな条件下でチタン酸ビスマスラン
タン（ＢＬＴ：Ｂｉ4-XＬａXＴｉ3Ｏ12（０＜Ｘ＜
４））薄膜を製造する有機金属化学蒸着法(MOCVD、meta
l organic chemical vapor deposition)に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体素子が従来に比べてさらに
集積化、小型化されるにつれ、このような半導体素子の
製造に適用できる材料と薄膜の形成方法の開発が要求さ
れている。
集積化、小型化されるにつれ、このような半導体素子の
製造に適用できる材料と薄膜の形成方法の開発が要求さ
れている。
【０００３】強誘電体ＢＬＴ膜は、他の強誘電体膜より
優れた性能特性を有すると知られている。例えば、チタ
ン酸ビスマスストロンチウム（ＳＢＴ：ＳｒＢｉ2Ｔｉ2
Ｏ9）膜は、８００℃以上の高い結晶化温度を必要と
し、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ：ＰｂＺｒXＴｉ1-X
Ｏ3（０＜Ｘ＜１））膜は１０6サイクルするだけで疲労
（fatigue）を示すが、これに対し、ＢＬＴ膜は７００
℃程度の比較的に低い結晶化温度を要し、１０10サイク
ルにおいても疲労を示さないと報告されている（文献
[B. H. Park, B. S. Kang, S. D. Bu, T. W. Noh, J. L
ee, and W. Jo, Nature, 401(14), 682(1999)]参照）。
優れた性能特性を有すると知られている。例えば、チタ
ン酸ビスマスストロンチウム（ＳＢＴ：ＳｒＢｉ2Ｔｉ2
Ｏ9）膜は、８００℃以上の高い結晶化温度を必要と
し、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ：ＰｂＺｒXＴｉ1-X
Ｏ3（０＜Ｘ＜１））膜は１０6サイクルするだけで疲労
（fatigue）を示すが、これに対し、ＢＬＴ膜は７００
℃程度の比較的に低い結晶化温度を要し、１０10サイク
ルにおいても疲労を示さないと報告されている（文献
[B. H. Park, B. S. Kang, S. D. Bu, T. W. Noh, J. L
ee, and W. Jo, Nature, 401(14), 682(1999)]参照）。
【０００４】このような強誘電体薄膜を製造する様々な
方法の中、ＭＯＣＶＤは比較的に低い温度で行い、原料
物質とキャリヤガスの量を変えることによって、薄膜の
組成と蒸着速度を容易に調節でき、基材の表面を損なう
ことなく、蒸着された薄膜の均一性、段差被覆性（step
coverage）及び孔充填の特性が優れるので広く用いら
れる。
方法の中、ＭＯＣＶＤは比較的に低い温度で行い、原料
物質とキャリヤガスの量を変えることによって、薄膜の
組成と蒸着速度を容易に調節でき、基材の表面を損なう
ことなく、蒸着された薄膜の均一性、段差被覆性（step
coverage）及び孔充填の特性が優れるので広く用いら
れる。
【０００５】一般的に、ＭＯＣＶＤ用前駆体は高い熱安
定性、非毒性、高い蒸気圧、及び高い蒸着速度のような
特性を有していることが要求される。溶媒に溶解した前
駆体をダイレクト・リキッド・インジェクション（DLI,
direct liquid injection）によって行われるＭＯＣＶ
Ｄモードが特に好ましい。ＤＬＩにより強誘電体薄膜を
形成する場合、対応する金属前駆体が溶液中で化学反応
を起こさないことが好ましい。
定性、非毒性、高い蒸気圧、及び高い蒸着速度のような
特性を有していることが要求される。溶媒に溶解した前
駆体をダイレクト・リキッド・インジェクション（DLI,
direct liquid injection）によって行われるＭＯＣＶ
Ｄモードが特に好ましい。ＤＬＩにより強誘電体薄膜を
形成する場合、対応する金属前駆体が溶液中で化学反応
を起こさないことが好ましい。
【０００６】しかし、ＢＬＴ薄膜の製造のためにＭＯＣ
ＶＤに適用される既存の有機金属化合物の中、代表的な
Ｔｉ前駆体であるＴｉ（ｉ−ＯＰｒ）4（チタンテトラ
イソプロポキシド）は湿気にかなり敏感であり、代表的
なＬａ前駆体であるＬａ（ｔｍｈｄ）3（ランタンテト
ラメチルヘプタンジオネート）は有機溶媒に対する溶解
度が非常に低い。
ＶＤに適用される既存の有機金属化合物の中、代表的な
Ｔｉ前駆体であるＴｉ（ｉ−ＯＰｒ）4（チタンテトラ
イソプロポキシド）は湿気にかなり敏感であり、代表的
なＬａ前駆体であるＬａ（ｔｍｈｄ）3（ランタンテト
ラメチルヘプタンジオネート）は有機溶媒に対する溶解
度が非常に低い。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の目的
は、高蒸気圧、優れた蒸着特性、及び有機溶媒に対する
高い溶解度を有するＬａ錯体を提供することである。
は、高蒸気圧、優れた蒸着特性、及び有機溶媒に対する
高い溶解度を有するＬａ錯体を提供することである。
【０００８】本発明の他の目的は、前記Ｌａ錯体を用
い、穏やかな条件下でＢＬＴ薄膜が製造できるＭＯＣＶ
Ｄ法を提供することである。
い、穏やかな条件下でＢＬＴ薄膜が製造できるＭＯＣＶ
Ｄ法を提供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の一実施形態に従
って、本発明では、下記式（I）のランタン錯体を提供
する。
って、本発明では、下記式（I）のランタン錯体を提供
する。
【００１０】
【化３】
（式中、Ａはペンタメチルジエチレントリアミン（ＰＭ
ＤＴ）又はトリエトキシトリエチレンアミン（ＴＥＴＥ
Ａ）である）。
ＤＴ）又はトリエトキシトリエチレンアミン（ＴＥＴＥ
Ａ）である）。
【００１１】また、本発明の他の実施形態に従って、本
発明では、前記Ｌａ錯体、下記式（II）のＴｉ前駆体、
および有機ビスマス（Ｂｉ）前駆体の蒸気を基材に接触
させることを含む、基材上にＢＬＴ（Ｂｉ4-XＬａXＴｉ
3Ｏ12（０＜Ｘ＜４））薄膜を蒸着する方法が提供され
る。
発明では、前記Ｌａ錯体、下記式（II）のＴｉ前駆体、
および有機ビスマス（Ｂｉ）前駆体の蒸気を基材に接触
させることを含む、基材上にＢＬＴ（Ｂｉ4-XＬａXＴｉ
3Ｏ12（０＜Ｘ＜４））薄膜を蒸着する方法が提供され
る。
【００１２】
【化４】
（式中、ｍは２〜５の整数である）。
【００１３】
【発明の実施の形態】本発明の一般式(I)のＬａ錯体は、
ヘキサンのような有機溶媒中、室温でＬａ（ｔｍｈｄ）
3をペンタメチルジエチレントリアミン(ＰＭＤＴ)又は
トリエトキシトリエチレンアミン（ＴＥＴＥＡ）と反応
させることによって製造できる。このように製造された
Ｌａ錯体は優れた蒸着特性を有し、低温で揮発しやす
く、有機溶媒に容易に溶解するため、ランタン含有薄膜
を製造する際、優れたＬａ前駆体としてＭＯＣＶＤに用
いられる。
ヘキサンのような有機溶媒中、室温でＬａ（ｔｍｈｄ）
3をペンタメチルジエチレントリアミン(ＰＭＤＴ)又は
トリエトキシトリエチレンアミン（ＴＥＴＥＡ）と反応
させることによって製造できる。このように製造された
Ｌａ錯体は優れた蒸着特性を有し、低温で揮発しやす
く、有機溶媒に容易に溶解するため、ランタン含有薄膜
を製造する際、優れたＬａ前駆体としてＭＯＣＶＤに用
いられる。
【００１４】本発明のＬａ前駆体、一般式(II)のＴｉ前
駆体、及び有機ビスマス前駆体を用いてＢＬＴ薄膜を形
成するための本発明のＭＯＣＶＤ工程は、前駆体の蒸気
を２５０〜７５０℃、好ましくは２５０〜４５０℃の温
度に加熱された基材の表面に接触させることによって実
施できる。
駆体、及び有機ビスマス前駆体を用いてＢＬＴ薄膜を形
成するための本発明のＭＯＣＶＤ工程は、前駆体の蒸気
を２５０〜７５０℃、好ましくは２５０〜４５０℃の温
度に加熱された基材の表面に接触させることによって実
施できる。
【００１５】本発明に用いられる一般式(II)のＴｉ前駆
体として下記式(III)のＴｉ（ｄｍａｅ）4（チタンテト
ラジメチルアミノエトキシド）が好ましく用いられる。
Ｔｉ（ｄｍａｅ）4は室温で液体であるため取扱いが容
易であり（文献［J. H. Leeet al., J. Vac. Sci. Tech
nol, 17(1999), 3033］参照）、Ｔｉ（ｉ−ＯＰｒ）4よ
り空気又は水分に対してあまり敏感でない。
体として下記式(III)のＴｉ（ｄｍａｅ）4（チタンテト
ラジメチルアミノエトキシド）が好ましく用いられる。
Ｔｉ（ｄｍａｅ）4は室温で液体であるため取扱いが容
易であり（文献［J. H. Leeet al., J. Vac. Sci. Tech
nol, 17(1999), 3033］参照）、Ｔｉ（ｉ−ＯＰｒ）4よ
り空気又は水分に対してあまり敏感でない。
【００１６】
【化５】
本発明に用いられる有機ビスマス前駆体としてはＢｉ
（フェニル）3が好ましい。
（フェニル）3が好ましい。
【００１７】本発明のＭＯＣＶＤ工程において、前記Ｌ
ａ、Ｔｉ、及びＢｉ前駆体をダイレクト・リキッド・イ
ンジェクション（ＤＬＩ）又はバブリング(bubbling)に
よって気化させてもよい。
ａ、Ｔｉ、及びＢｉ前駆体をダイレクト・リキッド・イ
ンジェクション（ＤＬＩ）又はバブリング(bubbling)に
よって気化させてもよい。
【００１８】ＤＬＩの場合、各々の前駆体を有機溶媒に
溶解し、この溶液を１００〜３００℃の温度に保持され
たエバポレータに注入し、適切なキャリヤガスの流れの
下で前駆体を気化させる。注入溶液の製造にはｎ−酢酸
ブチル、ヘプタン、オクタン、テトラヒドロフラン（Ｔ
ＨＦ）等の有機溶媒を用いてもよい。本発明のＬａ，Ｔ
ｉ、及びＢｉ前駆体は、単一溶液相において互いに化学
的に相互作用しないので、２つの前駆体又は３つの前駆
体の全てを含む注入溶液を用いてもよい。
溶解し、この溶液を１００〜３００℃の温度に保持され
たエバポレータに注入し、適切なキャリヤガスの流れの
下で前駆体を気化させる。注入溶液の製造にはｎ−酢酸
ブチル、ヘプタン、オクタン、テトラヒドロフラン（Ｔ
ＨＦ）等の有機溶媒を用いてもよい。本発明のＬａ，Ｔ
ｉ、及びＢｉ前駆体は、単一溶液相において互いに化学
的に相互作用しないので、２つの前駆体又は３つの前駆
体の全てを含む注入溶液を用いてもよい。
【００１９】適当な温度、例えば室温〜２００℃に保持
された容器（バブリング装置）に入れた前駆体にキャリ
ヤガスを通過させて前駆体含有蒸気を反応器に移送する
ことによってバブリング移送を行ってもよい。この工程
に用いられるキャリヤガスはアルゴン及び窒素のような
不活性ガスであってもよい。必要に応じて、キャリヤガ
スなしで、前駆体の蒸気のみを移送してもよい。
された容器（バブリング装置）に入れた前駆体にキャリ
ヤガスを通過させて前駆体含有蒸気を反応器に移送する
ことによってバブリング移送を行ってもよい。この工程
に用いられるキャリヤガスはアルゴン及び窒素のような
不活性ガスであってもよい。必要に応じて、キャリヤガ
スなしで、前駆体の蒸気のみを移送してもよい。
【００２０】本発明の方法によって蒸着されたＢＬＴ薄
膜は熱処理することによって結晶性が与えられる。本発
明に使用され得る基材としては、シリコン、Ｐｔ、Ｉ
ｒ、ＩｒＯ2、Ｒｕ、ＲｕＯ2等が挙げられる。ＢＬＴ膜
の膜厚は蒸着時間を調節することによって簡単に調節で
きる。
膜は熱処理することによって結晶性が与えられる。本発
明に使用され得る基材としては、シリコン、Ｐｔ、Ｉ
ｒ、ＩｒＯ2、Ｒｕ、ＲｕＯ2等が挙げられる。ＢＬＴ膜
の膜厚は蒸着時間を調節することによって簡単に調節で
きる。
【００２１】
【実施例】以下、本発明を下記の実施例に基づき、さら
に詳しく説明する。
に詳しく説明する。
【００２２】但し、下記の実施例は本発明を例示するた
めのものであり、本発明の範囲を制限しない。
めのものであり、本発明の範囲を制限しない。
【００２３】実施例１：Ｌａ（ｔｍｈｄ）3−ＴＥＴＥ
Ａ及びＬａ（ｔｍｈｄ）3−ＰＭＤＴの製造 Ｌａ（ｔｍｈｄ）3（0.0143ｍｏｌｅ）及びトリエトキ
シトリエチレンアミン（ＴＥＴＥＡ）(0.0143ｍｏｌｅ)
をヘキサンに溶解した後、溶液を室温で１２時間保持し
た。次に、反応混合物をろ過した後、減圧下でろ液から
溶媒を除去し、Ｌａ（ｔｍｈｄ）3−ＴＥＴＥＡを固体
状で得た。
Ａ及びＬａ（ｔｍｈｄ）3−ＰＭＤＴの製造 Ｌａ（ｔｍｈｄ）3（0.0143ｍｏｌｅ）及びトリエトキ
シトリエチレンアミン（ＴＥＴＥＡ）(0.0143ｍｏｌｅ)
をヘキサンに溶解した後、溶液を室温で１２時間保持し
た。次に、反応混合物をろ過した後、減圧下でろ液から
溶媒を除去し、Ｌａ（ｔｍｈｄ）3−ＴＥＴＥＡを固体
状で得た。
【００２４】ＴＥＴＥＡの代わりにペンタメチルジエチ
レントリアミン（ＰＭＤＴ）を用いて前記と同様な反応
を行い、Ｌａ（ｔｍｈｄ）3−ＰＭＤＴを固体状で得
た。
レントリアミン（ＰＭＤＴ）を用いて前記と同様な反応
を行い、Ｌａ（ｔｍｈｄ）3−ＰＭＤＴを固体状で得
た。
【００２５】得られたＬａ（ｔｍｈｄ）3−ＴＥＴＥＡ
の1Ｈ−ＮＭＲ及びＴＧＡ／ＤＳＣのスキャンを各々図
１Ａ及び図１Ｂに；そしてＬａ（ｔｍｈｄ）3−ＰＭＤ
Ｔの1Ｈ−ＮＭＲ及びＴＧＡ／ＤＳＣのスキャンを各々
図２Ａ及び図２Ｂに示した。参考のために、本発明でＴ
ｉ前駆体として用いられるＴｉ（ｄｍａｅ）4のＴＧＡ
／ＤＳＣスキャンを図３に示す。これらの結果は本発明
に用いられるＬａ及びＴｉ錯体が熱的に安定であること
を示す。
の1Ｈ−ＮＭＲ及びＴＧＡ／ＤＳＣのスキャンを各々図
１Ａ及び図１Ｂに；そしてＬａ（ｔｍｈｄ）3−ＰＭＤ
Ｔの1Ｈ−ＮＭＲ及びＴＧＡ／ＤＳＣのスキャンを各々
図２Ａ及び図２Ｂに示した。参考のために、本発明でＴ
ｉ前駆体として用いられるＴｉ（ｄｍａｅ）4のＴＧＡ
／ＤＳＣスキャンを図３に示す。これらの結果は本発明
に用いられるＬａ及びＴｉ錯体が熱的に安定であること
を示す。
【００２６】実施例２：ＢＬＴ薄膜の蒸着
実施例１で得られたＬａ（ｔｍｈｄ）3−ＰＭＤＴ、Ｔ
ｉ（ｄｍａｅ）4、及びＢｉ（フェニル）3を用いるＭＯ
ＣＶＤによってＰｔ／ＴｉＯ2／ＳｉＯ2／Ｓｉ基材上に
ＢＬＴ薄膜を形成した。
ｉ（ｄｍａｅ）4、及びＢｉ（フェニル）3を用いるＭＯ
ＣＶＤによってＰｔ／ＴｉＯ2／ＳｉＯ2／Ｓｉ基材上に
ＢＬＴ薄膜を形成した。
【００２７】Ｌａ（ｔｍｈｄ）3−ＰＭＤＴ、Ｔｉ（ｄ
ｍａｅ）4、及びＢｉ（フェニル）3を各々Ｎ−酢酸ブチ
ルに０．２Ｍの濃度に溶解した後、１：１：４の体積比
で混合し、０．１ｍｌ／分の速度でＭＯＣＶＤ装置のエ
バポレータに注入した。気化温度（エバポレータ）２４
０℃、Ａｒ／Ｏ2のキャリヤガス流速２００／４００
（ｓｃｃｍ）、反応器圧力２ｔｏｒｒ、エバポレータ圧
力５ｔｏｒｒ、及び基材温度４００℃の条件下で蒸着を
行い、膜厚１０００ÅのＢＬＴ薄膜を形成した。
ｍａｅ）4、及びＢｉ（フェニル）3を各々Ｎ−酢酸ブチ
ルに０．２Ｍの濃度に溶解した後、１：１：４の体積比
で混合し、０．１ｍｌ／分の速度でＭＯＣＶＤ装置のエ
バポレータに注入した。気化温度（エバポレータ）２４
０℃、Ａｒ／Ｏ2のキャリヤガス流速２００／４００
（ｓｃｃｍ）、反応器圧力２ｔｏｒｒ、エバポレータ圧
力５ｔｏｒｒ、及び基材温度４００℃の条件下で蒸着を
行い、膜厚１０００ÅのＢＬＴ薄膜を形成した。
【００２８】前駆体を含有する注入溶液を３日間貯蔵し
た後、1Ｈ−ＮＭＲ分析を行った結果、溶液中のこれら
の前駆体は３日の貯蔵期間すこしも反応しなかったこと
が分かった。
た後、1Ｈ−ＮＭＲ分析を行った結果、溶液中のこれら
の前駆体は３日の貯蔵期間すこしも反応しなかったこと
が分かった。
【００２９】蒸着されたＢＬＴ薄膜を６５０℃で１時間
熱処理を行った後、電気的な特性を測定した。その結果
を図５Ａ及び図５Ｂに示すが、強誘電体非揮発性メモリ
（FRAM，ferroelectric random access memory）のよう
な半導体素子の製造時に用いるに適切な、優れた分極
（polarization）値と疲労特性（ｓｗ＝スイッチされた
状態、ｎｓ＝スイッチされていない状態）を示す。
熱処理を行った後、電気的な特性を測定した。その結果
を図５Ａ及び図５Ｂに示すが、強誘電体非揮発性メモリ
（FRAM，ferroelectric random access memory）のよう
な半導体素子の製造時に用いるに適切な、優れた分極
（polarization）値と疲労特性（ｓｗ＝スイッチされた
状態、ｎｓ＝スイッチされていない状態）を示す。
【００３０】
【発明の効果】従って、本発明のＬａ錯体は、熱安定
性、揮発性、有機溶媒に対する溶解度等の側面において
いずれも優れた特性を有し、ＢＬＴ薄膜を穏やかな条件
下で蒸着させるためのＭＯＣＶＤ用Ｌａ前駆体として有
用である。
性、揮発性、有機溶媒に対する溶解度等の側面において
いずれも優れた特性を有し、ＢＬＴ薄膜を穏やかな条件
下で蒸着させるためのＭＯＣＶＤ用Ｌａ前駆体として有
用である。
【図１Ａ】本発明の実施例１で製造されたＬａ（ｔｍｈ
ｄ）3−ＴＥＴＥＡの1Ｈ−ＮＭＲである。
ｄ）3−ＴＥＴＥＡの1Ｈ−ＮＭＲである。
【図１Ｂ】本発明の実施例１で製造されたＬａ（ｔｍｈ
ｄ）3−ＴＥＴＥＡのＴＧＡ／ＤＳＣのスキャンであ
る。
ｄ）3−ＴＥＴＥＡのＴＧＡ／ＤＳＣのスキャンであ
る。
【図２Ａ】本発明の実施例１で製造されたＬａ（ｔｍｈ
ｄ）3−ＰＭＤＴの1Ｈ−ＮＭＲである。
ｄ）3−ＰＭＤＴの1Ｈ−ＮＭＲである。
【図２Ｂ】本発明の実施例１で製造されたＬａ（ｔｍｈ
ｄ）3−ＰＭＤＴのＴＧＡ／ＤＳＣのスキャンである。
ｄ）3−ＰＭＤＴのＴＧＡ／ＤＳＣのスキャンである。
【図３】Ｔｉ（ｄｍａｅ）4のＴＧＡ／ＤＳＣのスキャ
ンである。
ンである。
【図４】本発明の実施例２で説明した、Ｔｉ（ｄｍａ
ｅ）4、Ｌａ（ｔｍｈｄ）3−ＰＭＤＴ、及びＢｉ（フェ
ニル）3を含む溶液の1Ｈ−ＮＭＲスペクトルを示す。
ｅ）4、Ｌａ（ｔｍｈｄ）3−ＰＭＤＴ、及びＢｉ（フェ
ニル）3を含む溶液の1Ｈ−ＮＭＲスペクトルを示す。
【図５】本発明の実施例２で説明した、蒸着後に熱処理
されたＢＬＴ薄膜の電気的な特性を示す。
されたＢＬＴ薄膜の電気的な特性を示す。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｈ０１Ｂ 3/00 Ｈ０１Ｂ 3/00 Ｆ ５Ｇ３０３
3/12 ３１８ 3/12 ３１８Ａ
Ｈ０１Ｌ 21/316 Ｈ０１Ｌ 21/316 Ｘ
// Ｃ０７Ｆ 5/00 Ｃ０７Ｆ 5/00 Ｄ
(72)発明者 姜 相 宇
大韓民国、140−190ソウル特別市龍山区厚
岩洞254−40番地
Ｆターム(参考） 4G048 AA03 AB01 AB05 AC02 AD02
AE08
4H006 AA01 AA03 AB80 AB82 BP10
BU32
4H048 AA01 AA03 AB80 VA20 VA30
VA70 VB10 VB40
4K030 AA11 AA14 AA16 BA42 BA46
CA04 EA01 FA10 JA10 LA15
5F058 BA20 BC03 BC20 BF06 BF27
BF29 BF37 BH11
5G303 AA07 AA10 AB05 AB15 BA03
CA01 CB05 CB15 CB35 DA06
Claims (7)
- 【請求項１】 下記式（I）のランタン錯体： 【化１】 （式中、Ａはペンタメチルジエチレントリアミン（ＰＭ
ＤＴ）又はトリエトキシトリエチレンアミン（ＴＥＴＥ
Ａ）である。） - 【請求項２】 請求項１のＬａ錯体、下記一般式（II）
のＴｉ前駆体、及び有機ビスマス（Ｂｉ）前駆体の蒸気
を基材に接触させることを含む、基材上にチタン酸ビス
マスランタン（ＢＬＴ：Ｂｉ4-XＬａXＴｉ3Ｏ12（０＜
Ｘ＜４））薄膜を蒸着する方法： 【化２】 （式中、ｍは２〜５の整数である。） - 【請求項３】 前記基材が２５０〜７５０℃に加熱され
ることを特徴とする請求項２に記載の方法。 - 【請求項４】 前駆体を有機溶媒に溶解した後、この溶
液を１００〜３００℃に加熱して前駆体蒸気を生成する
ことを特徴とする請求項２に記載の方法。 - 【請求項５】 前駆体を室温〜２００℃で気化させ前駆
体蒸気を生成することを特徴とする請求項２に記載の方
法。 - 【請求項６】 前記Ｔｉ前駆体がＴｉ（ｄｍａｅ）
4（チタンテトラジメチルアミノエトキシド）であるこ
とを特徴とする請求項２に記載の方法。 - 【請求項７】 Ｂｉ前駆体がＢｉ（フェニル）3である
ことを特徴とする請求項２に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
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|---|---|---|---|
| KR2001-054054 | 2001-09-04 | ||
| KR10-2001-0054054A KR100480499B1 (ko) | 2001-09-04 | 2001-09-04 | 란타늄 착체 및 이를 이용한 비엘티 박막의 제조방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003119171A true JP2003119171A (ja) | 2003-04-23 |
| JP3793118B2 JP3793118B2 (ja) | 2006-07-05 |
Family
ID=19713905
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002184458A Expired - Fee Related JP3793118B2 (ja) | 2001-09-04 | 2002-06-25 | ランタン錯体及びそれを用いたｂｌｔ膜の製造方法 |
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|---|---|
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| JP (1) | JP3793118B2 (ja) |
| KR (1) | KR100480499B1 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006060234A (ja) * | 2004-08-20 | 2006-03-02 | Samsung Electronics Co Ltd | 漏れ電流を減少させた誘電体層を備えるキャパシタ及びその製造方法 |
| US7501153B2 (en) | 2004-10-21 | 2009-03-10 | Adeka Corporation | Alkoxide compound, thin film-forming material and method for forming thin film |
| US7714155B2 (en) | 2004-02-18 | 2010-05-11 | Adeka Corporation | Alkoxide compound, material for thin film formation, and process for thin film formation |
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|---|---|---|---|---|
| KR100589040B1 (ko) * | 2004-08-05 | 2006-06-14 | 삼성전자주식회사 | 막 형성방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 커패시터제조방법 |
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|---|---|---|---|---|
| GB2274456A (en) * | 1993-01-22 | 1994-07-27 | Timothy John Leedham | Volatile rare earth beta-diketone complexes |
| KR100338196B1 (ko) * | 1999-04-30 | 2002-05-27 | 정명식 | 유기금속착물, 이의 제조방법 및 이를 이용한유기금속화학증착법 |
| US6274195B1 (en) * | 1999-04-30 | 2001-08-14 | Postech Foundation | Organometallic complex process for the preparation thereof and metal organic chemical vapor deposition using same |
| KR20020002559A (ko) * | 2000-06-30 | 2002-01-10 | 박종섭 | 금속유기용액 화학증착을 이용한비스무스란탄티타늄산화막 강유전체 형성 방법 및 그를이용한 강유전체 캐패시터 형성 방법 |
| KR100362185B1 (ko) * | 2000-12-08 | 2002-11-23 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 강유전체 캐패시터 형성방법 |
-
2001
- 2001-09-04 KR KR10-2001-0054054A patent/KR100480499B1/ko not_active IP Right Cessation
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2002
- 2002-05-09 US US10/143,355 patent/US6858251B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2002-06-25 JP JP2002184458A patent/JP3793118B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7714155B2 (en) | 2004-02-18 | 2010-05-11 | Adeka Corporation | Alkoxide compound, material for thin film formation, and process for thin film formation |
| JP2006060234A (ja) * | 2004-08-20 | 2006-03-02 | Samsung Electronics Co Ltd | 漏れ電流を減少させた誘電体層を備えるキャパシタ及びその製造方法 |
| US7501153B2 (en) | 2004-10-21 | 2009-03-10 | Adeka Corporation | Alkoxide compound, thin film-forming material and method for forming thin film |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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| US20030059536A1 (en) | 2003-03-27 |
| JP3793118B2 (ja) | 2006-07-05 |
| KR100480499B1 (ko) | 2005-04-06 |
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