JP2003115617A - 圧電体薄膜素子及びその製造方法 - Google Patents
圧電体薄膜素子及びその製造方法Info
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- JP2003115617A JP2003115617A JP2001308386A JP2001308386A JP2003115617A JP 2003115617 A JP2003115617 A JP 2003115617A JP 2001308386 A JP2001308386 A JP 2001308386A JP 2001308386 A JP2001308386 A JP 2001308386A JP 2003115617 A JP2003115617 A JP 2003115617A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 圧電体薄膜の各部に要求される動きに応じた
特性をそれぞれ持たせることにより、低電圧でも、圧電
体薄膜の機能を十分に発揮することのできる圧電体薄膜
素子およびその製造方法を提供する。 【解決手段】 膜厚方向の所定位置より上部電極側４３
２における膜厚方向の電気抵抗率ｒ２に対し、前記所定
位置より下部電極側４３１における膜厚方向の電気抵抗
率ｒ１の方を、高くする。また、膜厚方向の所定位置よ
り上部電極側４３２の誘電率ε２に対し、前記所定位置
より下部電極側４３１の誘電率ε１の方を、低くする。
特性をそれぞれ持たせることにより、低電圧でも、圧電
体薄膜の機能を十分に発揮することのできる圧電体薄膜
素子およびその製造方法を提供する。 【解決手段】 膜厚方向の所定位置より上部電極側４３
２における膜厚方向の電気抵抗率ｒ２に対し、前記所定
位置より下部電極側４３１における膜厚方向の電気抵抗
率ｒ１の方を、高くする。また、膜厚方向の所定位置よ
り上部電極側４３２の誘電率ε２に対し、前記所定位置
より下部電極側４３１の誘電率ε１の方を、低くする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は電気機械変換機能を
有する圧電体薄膜素子に係り、特に、所定の傾斜組成を
有する圧電体薄膜を備えた圧電体薄膜素子、その製造方
法、ならびにこの圧電体薄膜素子を用いたインクジェッ
ト式記録ヘッド及びインクジェットプリンタに関する。
有する圧電体薄膜素子に係り、特に、所定の傾斜組成を
有する圧電体薄膜を備えた圧電体薄膜素子、その製造方
法、ならびにこの圧電体薄膜素子を用いたインクジェッ
ト式記録ヘッド及びインクジェットプリンタに関する。
【０００２】
【従来の技術】圧電体薄膜素子は、電気機械変換機能を
呈する圧電体薄膜を２つの電極で挟んだ素子であり、圧
電体薄膜は結晶化した圧電性セラミックスにより構成さ
れている。この圧電性セラミックスとしては、ペロブス
カイト型結晶構造を有し、化学式ＡＢＯ３で示すことの
できる複合酸化物が知られている。例えばＡには鉛（Ｐ
ｂ），Ｂにジルコニウム（Ｚｒ）とチタン（Ｔｉ）の混
合を適用したチタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）が知られ
ている。
呈する圧電体薄膜を２つの電極で挟んだ素子であり、圧
電体薄膜は結晶化した圧電性セラミックスにより構成さ
れている。この圧電性セラミックスとしては、ペロブス
カイト型結晶構造を有し、化学式ＡＢＯ３で示すことの
できる複合酸化物が知られている。例えばＡには鉛（Ｐ
ｂ），Ｂにジルコニウム（Ｚｒ）とチタン（Ｔｉ）の混
合を適用したチタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）が知られ
ている。
【０００３】従来、圧電体薄膜素子に用いられる圧電体
薄膜については、その結晶配向や構成材料を種々工夫す
ることにより、圧電特性や高速応答性などの改良が進め
られている。
薄膜については、その結晶配向や構成材料を種々工夫す
ることにより、圧電特性や高速応答性などの改良が進め
られている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の圧電体
薄膜素子では、圧電体薄膜中の各部の動きを十分に考慮
した改良は行なわれていなかった。そのため折角特性の
優れた圧電体薄膜が得られても、圧電体薄膜素子または
インクジェットヘッドとして応用した場合には、その機
能を十分に発揮させることができない場合があった。
薄膜素子では、圧電体薄膜中の各部の動きを十分に考慮
した改良は行なわれていなかった。そのため折角特性の
優れた圧電体薄膜が得られても、圧電体薄膜素子または
インクジェットヘッドとして応用した場合には、その機
能を十分に発揮させることができない場合があった。
【０００５】本発明は、圧電体薄膜の各部に要求される
動きに応じた特性をそれぞれ持たせることにより、低電
圧でも、圧電体薄膜の機能を十分に発揮することのでき
る圧電体薄膜素子およびその製造方法を提供することを
目的とする。
動きに応じた特性をそれぞれ持たせることにより、低電
圧でも、圧電体薄膜の機能を十分に発揮することのでき
る圧電体薄膜素子およびその製造方法を提供することを
目的とする。
【０００６】さらには、上記圧電体薄膜素子をインク吐
出駆動源とするインクジェット式記録ヘッド及びその製
造方法並びにインクジェットプリンタを提供することを
目的とする。
出駆動源とするインクジェット式記録ヘッド及びその製
造方法並びにインクジェットプリンタを提供することを
目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
本発明の圧電体薄膜素子は、下部電極と、該下部電極上
に設けられた圧電体薄膜と、該圧電体薄膜上に設けられ
た上部電極と、を備える圧電体薄膜素子であって、前記
圧電体薄膜は、膜厚方向の所定位置より上部電極側にお
ける膜厚方向の電気抵抗率に対し、前記所定位置より下
部電極側における膜厚方向の電気抵抗率の方が、高いこ
とを特徴とする。
本発明の圧電体薄膜素子は、下部電極と、該下部電極上
に設けられた圧電体薄膜と、該圧電体薄膜上に設けられ
た上部電極と、を備える圧電体薄膜素子であって、前記
圧電体薄膜は、膜厚方向の所定位置より上部電極側にお
ける膜厚方向の電気抵抗率に対し、前記所定位置より下
部電極側における膜厚方向の電気抵抗率の方が、高いこ
とを特徴とする。
【０００８】上記圧電体薄膜素子において、前記圧電体
薄膜は、上部電極側から下部電極側に向けて、膜厚方向
の電気抵抗率が、膜厚方向に連続的又は段階的に高くな
る傾斜組成を有していてもよい。
薄膜は、上部電極側から下部電極側に向けて、膜厚方向
の電気抵抗率が、膜厚方向に連続的又は段階的に高くな
る傾斜組成を有していてもよい。
【０００９】また本発明の他の圧電体薄膜素子は、下部
電極と、該下部電極上に設けられた圧電体薄膜と、該圧
電体薄膜上に設けられた上部電極と、を備える圧電体薄
膜素子であって、前記圧電体薄膜は、膜厚方向の所定位
置より上部電極側の誘電率に対し、前記所定位置より下
部電極側の誘電率の方が、低いことを特徴とする。
電極と、該下部電極上に設けられた圧電体薄膜と、該圧
電体薄膜上に設けられた上部電極と、を備える圧電体薄
膜素子であって、前記圧電体薄膜は、膜厚方向の所定位
置より上部電極側の誘電率に対し、前記所定位置より下
部電極側の誘電率の方が、低いことを特徴とする。
【００１０】上記圧電体薄膜素子において、前記圧電体
薄膜は、上部電極側から下部電極側に向けて、膜厚方向
の誘電率が、膜厚方向に連続的又は段階的に低くなる傾
斜組成を有していてもよい。
薄膜は、上部電極側から下部電極側に向けて、膜厚方向
の誘電率が、膜厚方向に連続的又は段階的に低くなる傾
斜組成を有していてもよい。
【００１１】本発明のインクジェット式記録ヘッドは、
上記の圧電体薄膜素子と、当該圧電体薄膜素子の機械的
変位によって内容積が変化する圧力室と、当該圧力室に
連通してインク滴を吐出する吐出口とを備えることを特
徴とする。
上記の圧電体薄膜素子と、当該圧電体薄膜素子の機械的
変位によって内容積が変化する圧力室と、当該圧力室に
連通してインク滴を吐出する吐出口とを備えることを特
徴とする。
【００１２】本発明のインクジェットプリンタは、上記
のインクジェット式記録ヘッドを印字機構に備えること
を特徴とする。
のインクジェット式記録ヘッドを印字機構に備えること
を特徴とする。
【００１３】本発明の圧電体薄膜素子の製造方法は、下
部電極上に圧電体薄膜を形成する工程と、前記圧電体薄
膜上に上部電極を形成する工程と、を備えた圧電体薄膜
素子の製造方法であって、前記圧電体薄膜の形成工程
は、金属有機化合物のゾルを塗布した後に焼成する成膜
工程を複数回行って複数の層からなる圧電体薄膜を形成
する工程であり、前記複数の層のうち下部電極側の層の
成膜と、上部電極側の層の成膜とにおいて、ドーパント
の量が互いに異なるゾルを塗布することを特徴とする。
部電極上に圧電体薄膜を形成する工程と、前記圧電体薄
膜上に上部電極を形成する工程と、を備えた圧電体薄膜
素子の製造方法であって、前記圧電体薄膜の形成工程
は、金属有機化合物のゾルを塗布した後に焼成する成膜
工程を複数回行って複数の層からなる圧電体薄膜を形成
する工程であり、前記複数の層のうち下部電極側の層の
成膜と、上部電極側の層の成膜とにおいて、ドーパント
の量が互いに異なるゾルを塗布することを特徴とする。
【００１４】本発明の他の圧電体薄膜素子の製造方法
は、圧電体薄膜の形成工程において、ＭＯＣＶＤ法によ
る圧電体薄膜の形成中に、金属錯体原料中に含まれるド
ーパントの濃度を変化させることを特徴とする。
は、圧電体薄膜の形成工程において、ＭＯＣＶＤ法によ
る圧電体薄膜の形成中に、金属錯体原料中に含まれるド
ーパントの濃度を変化させることを特徴とする。
【００１５】本発明の他の圧電体薄膜素子の製造方法
は、圧電体薄膜の形成工程において、ＲＦスパッタ法に
よる圧電体薄膜の形成中に、ドーピング用の付属ターゲ
ットのスパッタパワーを変化させることを特徴とする。
は、圧電体薄膜の形成工程において、ＲＦスパッタ法に
よる圧電体薄膜の形成中に、ドーピング用の付属ターゲ
ットのスパッタパワーを変化させることを特徴とする。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を、図
面を参照しつつ説明する。
面を参照しつつ説明する。
【００１７】（原理説明）図６に、本実施形態による圧
電体薄膜素子４０の部分拡大断面図を示す。圧電体薄膜
素子４０は、圧電体薄膜４３を上部電極４４及び下部電
極４２で挟んだ構成となっている。
電体薄膜素子４０の部分拡大断面図を示す。圧電体薄膜
素子４０は、圧電体薄膜４３を上部電極４４及び下部電
極４２で挟んだ構成となっている。
【００１８】図６（ａ）は、圧電体薄膜４３を膜厚方向
に電流Ｉが流れる場合、膜厚方向の所定位置より下部電
極側の層４３１及び上部電極側の層４３２は、膜厚方向
に電気抵抗ｒ１及びｒ２を有し、各層に電圧Ｖ１及びＶ
２がかかることを示している。電流Ｉは各層で等しいか
ら、 Ｉ＝Ｖ１／ｒ１＝Ｖ２／ｒ２ の関係より、ｒ１＞ｒ２の場合に、Ｖ１＞Ｖ２となる。
従って下部電極側の層４３１の電気抵抗率を上部電極側
の層４３２より高くすることにより、下部電極側の層４
３１には上部電極側の層４３２より大きい電界がかか
り、大きいひずみが得られる。これにより、大きなひず
みが必要な部分には大きな電界をかけ、それより小さな
ひずみが必要な部分には小さな電界をかけることができ
る。従って、各部に要求されるひずみ量に応じた適切な
電界をかけることができ、低電圧による駆動でも全体と
して大きなひずみを得ることができる。
に電流Ｉが流れる場合、膜厚方向の所定位置より下部電
極側の層４３１及び上部電極側の層４３２は、膜厚方向
に電気抵抗ｒ１及びｒ２を有し、各層に電圧Ｖ１及びＶ
２がかかることを示している。電流Ｉは各層で等しいか
ら、 Ｉ＝Ｖ１／ｒ１＝Ｖ２／ｒ２ の関係より、ｒ１＞ｒ２の場合に、Ｖ１＞Ｖ２となる。
従って下部電極側の層４３１の電気抵抗率を上部電極側
の層４３２より高くすることにより、下部電極側の層４
３１には上部電極側の層４３２より大きい電界がかか
り、大きいひずみが得られる。これにより、大きなひず
みが必要な部分には大きな電界をかけ、それより小さな
ひずみが必要な部分には小さな電界をかけることができ
る。従って、各部に要求されるひずみ量に応じた適切な
電界をかけることができ、低電圧による駆動でも全体と
して大きなひずみを得ることができる。
【００１９】このように各層で異なる電気抵抗率の圧電
体薄膜４３を形成するためには、圧電体薄膜中に導入さ
れるドーパント濃度の調整によることが好ましい。
体薄膜４３を形成するためには、圧電体薄膜中に導入さ
れるドーパント濃度の調整によることが好ましい。
【００２０】図６（ｂ）は、誘電体である圧電体薄膜４
３に膜厚方向の電圧をかけた場合の電束密度Ｄと、膜厚
方向の所定位置より下部電極側の層４３１及び上部電極
側層４３２の、誘電率ε１及びε２と、各層にかかる電
界Ｅ１及びＥ２と、各層の自発分極Ｐｓ１及びＰ
ｓ２と、を示している。電束密度Ｄは各層で等しいか
ら、 Ｄ＝ε１Ｅ１＋Ｐｓ１＝ε２Ｅ２＋Ｐｓ２ の関係が成立する。各層の自発分極Ｐｓ１及びＰｓ２が
ほぼ等しいと仮定すると、ε１＜ε２の場合に、Ｅ１＞
Ｅ２となる。従ってこの場合、下部電極側の層４３１に
は上部電極側の層４３２より大きい電界がかかり、大き
いひずみが得られる。従って、ε１＜ε２とすることに
より、大きなひずみが必要な部分には大きな電界をか
け、それより小さなひずみが必要な部分には小さな電界
をかけることができる。従って、各部に要求されるひず
み量に応じた適切な電界をかけることができ、低電圧に
よる駆動でも全体として大きなひずみを得ることができ
る。
３に膜厚方向の電圧をかけた場合の電束密度Ｄと、膜厚
方向の所定位置より下部電極側の層４３１及び上部電極
側層４３２の、誘電率ε１及びε２と、各層にかかる電
界Ｅ１及びＥ２と、各層の自発分極Ｐｓ１及びＰ
ｓ２と、を示している。電束密度Ｄは各層で等しいか
ら、 Ｄ＝ε１Ｅ１＋Ｐｓ１＝ε２Ｅ２＋Ｐｓ２ の関係が成立する。各層の自発分極Ｐｓ１及びＰｓ２が
ほぼ等しいと仮定すると、ε１＜ε２の場合に、Ｅ１＞
Ｅ２となる。従ってこの場合、下部電極側の層４３１に
は上部電極側の層４３２より大きい電界がかかり、大き
いひずみが得られる。従って、ε１＜ε２とすることに
より、大きなひずみが必要な部分には大きな電界をか
け、それより小さなひずみが必要な部分には小さな電界
をかけることができる。従って、各部に要求されるひず
み量に応じた適切な電界をかけることができ、低電圧に
よる駆動でも全体として大きなひずみを得ることができ
る。
【００２１】このように各層で異なる誘電率の圧電体薄
膜４３を形成するためには、圧電体薄膜中に導入される
ドーパント濃度の調整によるほか、圧電体薄膜層の組成
制御によって誘電率を調整しても良い。
膜４３を形成するためには、圧電体薄膜中に導入される
ドーパント濃度の調整によるほか、圧電体薄膜層の組成
制御によって誘電率を調整しても良い。
【００２２】（インクジェットプリンタの全体構成）図
１に、インクジェットプリンタの斜視図を示す。プリン
タには、本体２に、トレイ３、排出口４および操作ボタ
ン９が設けられている。
１に、インクジェットプリンタの斜視図を示す。プリン
タには、本体２に、トレイ３、排出口４および操作ボタ
ン９が設けられている。
【００２３】本体２はプリンタの筐体であって、用紙５
をトレイ３から供給可能な位置に給紙機構６を備え、用
紙５に印字できるようにインクジェット式記録ヘッド１
が配置されている。また、本体２の内部には制御回路８
が設けられている。
をトレイ３から供給可能な位置に給紙機構６を備え、用
紙５に印字できるようにインクジェット式記録ヘッド１
が配置されている。また、本体２の内部には制御回路８
が設けられている。
【００２４】トレイ３は、印字前の用紙５を供給機構６
に供給可能に構成され、排出口４は、印刷が終了した用
紙５を排出する出口である。
に供給可能に構成され、排出口４は、印刷が終了した用
紙５を排出する出口である。
【００２５】インクジェット式記録ヘッド１は、本発明
に係る圧電体薄膜素子を備えており、制御回路８から出
力される信号に対応して、ノズルからインクを吐出可能
に構成されている。
に係る圧電体薄膜素子を備えており、制御回路８から出
力される信号に対応して、ノズルからインクを吐出可能
に構成されている。
【００２６】給紙機構６は、モータ６００、ローラ６０
１、６０２を備えている。モータ６００は制御回路８か
ら出力される信号に対応して回転し、この回転力がロー
ラ６０１、６０２に伝達され、ローラ６０１、６０２の
回転によってトレイ３にセットされた用紙５を引き込
み、ヘッド１によって印字可能に供給するようになって
いる。
１、６０２を備えている。モータ６００は制御回路８か
ら出力される信号に対応して回転し、この回転力がロー
ラ６０１、６０２に伝達され、ローラ６０１、６０２の
回転によってトレイ３にセットされた用紙５を引き込
み、ヘッド１によって印字可能に供給するようになって
いる。
【００２７】制御回路８は、図示しないＣＰＵ、ＲＯ
Ｍ、ＲＡＭ、インターフェース回路などを備えている。
制御回路８は、図示しないコネクタを介してコンピュー
タから供給される印字情報に対応させて、信号を給紙機
構６やヘッド１の駆動機構に出力する。
Ｍ、ＲＡＭ、インターフェース回路などを備えている。
制御回路８は、図示しないコネクタを介してコンピュー
タから供給される印字情報に対応させて、信号を給紙機
構６やヘッド１の駆動機構に出力する。
【００２８】（インクジェット式記録ヘッドの構成）図
２に、本実施形態に係るインクジェットヘッドの分解斜
視図を示す。インクジェットヘッドは、ノズル板１０、
圧力室基板２０、振動板３０を備えている。
２に、本実施形態に係るインクジェットヘッドの分解斜
視図を示す。インクジェットヘッドは、ノズル板１０、
圧力室基板２０、振動板３０を備えている。
【００２９】圧力室基板２０は、圧力室２１、側壁２
２、リザーバ２３および供給口２４を備えている。圧力
室２１は、シリコン等の基板をエッチングすることによ
りインクなどを吐出するために貯蔵する空間として形成
されたものである。側壁２２は、圧力室２１を仕切るよ
う形成されている。リザーバ２３は、インクを共通して
各圧力室２１に充たすための流路となっている。供給口
２４は、リザーバ２３から各圧力室２１へインクを導入
できるように形成されている。
２、リザーバ２３および供給口２４を備えている。圧力
室２１は、シリコン等の基板をエッチングすることによ
りインクなどを吐出するために貯蔵する空間として形成
されたものである。側壁２２は、圧力室２１を仕切るよ
う形成されている。リザーバ２３は、インクを共通して
各圧力室２１に充たすための流路となっている。供給口
２４は、リザーバ２３から各圧力室２１へインクを導入
できるように形成されている。
【００３０】ノズル板１０は、圧力室基板２０に設けら
れた圧力室２１の各々に対応する位置にそのノズル穴１
１が配置されるよう、圧力室基板２０の一方の面に貼り
あわせられている。ノズル板１０を貼り合わせたインク
室基板２０は、筐体２５に納められている。
れた圧力室２１の各々に対応する位置にそのノズル穴１
１が配置されるよう、圧力室基板２０の一方の面に貼り
あわせられている。ノズル板１０を貼り合わせたインク
室基板２０は、筐体２５に納められている。
【００３１】圧力室２１およびノズル穴１１は、一定の
ピッチで連設されて構成されている。このノズル間のピ
ッチは、印刷精度に応じて適時設計変更が可能であり、
例えば４００ｄｐｉ（dot per inch）となるように配置
される。
ピッチで連設されて構成されている。このノズル間のピ
ッチは、印刷精度に応じて適時設計変更が可能であり、
例えば４００ｄｐｉ（dot per inch）となるように配置
される。
【００３２】振動板３０には、各圧力室２１に対応する
位置に、それぞれ圧電体薄膜素子（図示せず）が設けら
れており、これらは圧電アクチュエータとして機能す
る。振動板３０には、インクタンク口３５が設けられ
て、図示しないインクタンクに貯蔵されているインクを
圧力室基板２０内部に供給可能になっている。
位置に、それぞれ圧電体薄膜素子（図示せず）が設けら
れており、これらは圧電アクチュエータとして機能す
る。振動板３０には、インクタンク口３５が設けられ
て、図示しないインクタンクに貯蔵されているインクを
圧力室基板２０内部に供給可能になっている。
【００３３】（層構成）図３に、本実施形態のインクジ
ェットヘッドのうち個々の圧電体薄膜素子に対応する部
分を拡大した断面図を示す。図３に示すように、インク
ジェットヘッドは、ノズル板１０を備えた圧力室基板２
０の上に振動板３０が積層され、この上に下部電極４
２、圧電体薄膜４３、上部電極４４を備えた圧電体薄膜
素子４０が積層されて構成されている。
ェットヘッドのうち個々の圧電体薄膜素子に対応する部
分を拡大した断面図を示す。図３に示すように、インク
ジェットヘッドは、ノズル板１０を備えた圧力室基板２
０の上に振動板３０が積層され、この上に下部電極４
２、圧電体薄膜４３、上部電極４４を備えた圧電体薄膜
素子４０が積層されて構成されている。
【００３４】圧力室基板２０としては、厚さ２２０μｍ
程度のシリコン単結晶基板が好ましい。
程度のシリコン単結晶基板が好ましい。
【００３５】振動板３０は、圧力室基板２０の上に形成
される二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）からなるＳｉＯ２膜３
１と、当該ＳｉＯ２膜３１の上に形成されたＺｒ１-ｘ
ＭｘＯｙ（０．０１≦ｘ≦０．１５、ｙ＝２．０±α、
αは化学量論的に許容される値、Ｍは周期表のIIA族元
素又はIIIA族元素である）で表される組成からなるバリ
ヤ層３２との積層からなる。Ｍは、Ｙ、Ｃａ、Ｍｇ、Ｂ
ｅ、Ｃｅ等である。
される二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）からなるＳｉＯ２膜３
１と、当該ＳｉＯ２膜３１の上に形成されたＺｒ１-ｘ
ＭｘＯｙ（０．０１≦ｘ≦０．１５、ｙ＝２．０±α、
αは化学量論的に許容される値、Ｍは周期表のIIA族元
素又はIIIA族元素である）で表される組成からなるバリ
ヤ層３２との積層からなる。Ｍは、Ｙ、Ｃａ、Ｍｇ、Ｂ
ｅ、Ｃｅ等である。
【００３６】下部電極４２は、導電性を有する材料で構
成される。例えば、イリジウムの単層膜で構成される
か、または、振動板３０側からイリジウム層／白金層、
白金層／イリジウム層、イリジウム層／白金層／イリジ
ウム層といった積層構造を有していることが好ましい。
または、イリジウムと白金の合金からなる膜としてもよ
い。
成される。例えば、イリジウムの単層膜で構成される
か、または、振動板３０側からイリジウム層／白金層、
白金層／イリジウム層、イリジウム層／白金層／イリジ
ウム層といった積層構造を有していることが好ましい。
または、イリジウムと白金の合金からなる膜としてもよ
い。
【００３７】振動板３０と下部電極４２との間には、両
者間の密着力をさらに向上させるために、極薄のチタン
薄膜やクロム薄膜等の適当なバッファ層を介在させても
よい。チタン薄膜の膜厚としては、１０ｎｍ以上２０ｎ
ｍ未満が好適である。
者間の密着力をさらに向上させるために、極薄のチタン
薄膜やクロム薄膜等の適当なバッファ層を介在させても
よい。チタン薄膜の膜厚としては、１０ｎｍ以上２０ｎ
ｍ未満が好適である。
【００３８】圧電体薄膜４３は、ジルコン酸チタン酸鉛
（Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ３）またはこれと他の成分、例
えばマグネシウム酸ニオブ酸鉛（Ｐｂ（Ｍｇ，Ｎｂ）Ｏ
３）との固溶体からなることが好ましい。さらにこれら
にドーパントとしてマンガンやランタン等の不純物が導
入されていても良い。マンガンやランタンがドープされ
ると抵抗率が上がると考えられる。これらのドーパント
は例えば２ｍｏｌ％程度を上限とし、要求される特性に
合わせて傾斜組成を形成することが望ましい。圧電体薄
膜４３の膜厚は、０．８μｍ以上２．０μｍ以下である
ことが好ましい。
（Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ３）またはこれと他の成分、例
えばマグネシウム酸ニオブ酸鉛（Ｐｂ（Ｍｇ，Ｎｂ）Ｏ
３）との固溶体からなることが好ましい。さらにこれら
にドーパントとしてマンガンやランタン等の不純物が導
入されていても良い。マンガンやランタンがドープされ
ると抵抗率が上がると考えられる。これらのドーパント
は例えば２ｍｏｌ％程度を上限とし、要求される特性に
合わせて傾斜組成を形成することが望ましい。圧電体薄
膜４３の膜厚は、０．８μｍ以上２．０μｍ以下である
ことが好ましい。
【００３９】上部電極４４は、通常電極として用いるこ
とができる導電性材料であれば特に限定されるものでは
なく、例えば、Ｐｔ、ＲｕＯ2、Ｉｒ、ＩｒＯ2等の単層
膜又はＰｔ／Ｔｉ、Ｐｔ／Ｔｉ／ＴｉＮ、Ｐｔ／ＴｉＮ
／Ｐｔ、Ｔｉ／Ｐｔ／Ｔｉ、ＴｉＮ／Ｐｔ／ＴｉＮ、Ｐ
ｔ／Ｔｉ／ＴｉＮ／Ｔｉ、ＲｕＯ2／ＴｉＮ、ＩｒＯ2／
Ｉｒ、ＩｒＯ2／ＴｉＮ等の２層以上の積層膜であって
もよい。
とができる導電性材料であれば特に限定されるものでは
なく、例えば、Ｐｔ、ＲｕＯ2、Ｉｒ、ＩｒＯ2等の単層
膜又はＰｔ／Ｔｉ、Ｐｔ／Ｔｉ／ＴｉＮ、Ｐｔ／ＴｉＮ
／Ｐｔ、Ｔｉ／Ｐｔ／Ｔｉ、ＴｉＮ／Ｐｔ／ＴｉＮ、Ｐ
ｔ／Ｔｉ／ＴｉＮ／Ｔｉ、ＲｕＯ2／ＴｉＮ、ＩｒＯ2／
Ｉｒ、ＩｒＯ2／ＴｉＮ等の２層以上の積層膜であって
もよい。
【００４０】（印刷動作）以下に、上記インクジェット
式記録ヘッドの印刷動作を説明する。制御回路から駆動
信号が出力されると、給紙機構が動作し用紙がヘッドに
よって印刷可能な位置まで搬送される。制御回路から吐
出信号が供給されず圧電体素子の下部電極と上部電極と
の間に電圧が印加されていない場合、圧電体薄膜層には
変化を生じない。吐出信号が供給されていない圧電体素
子が設けられている圧力室には圧力変化が生じず、その
ノズル穴からインク滴は吐出されない。
式記録ヘッドの印刷動作を説明する。制御回路から駆動
信号が出力されると、給紙機構が動作し用紙がヘッドに
よって印刷可能な位置まで搬送される。制御回路から吐
出信号が供給されず圧電体素子の下部電極と上部電極と
の間に電圧が印加されていない場合、圧電体薄膜層には
変化を生じない。吐出信号が供給されていない圧電体素
子が設けられている圧力室には圧力変化が生じず、その
ノズル穴からインク滴は吐出されない。
【００４１】一方、制御回路から吐出信号が供給され圧
電体素子の下部電極と上部電極との間に一定電圧が印加
された場合、圧電体薄膜層に変形を生じる。吐出信号が
供給された圧電体素子が設けられている圧力室ではその
振動板が大きくたわむ。このため圧力室内の圧力が瞬間
的に高まり、ノズル穴からインク滴が吐出される。ヘッ
ド中で印刷させたい位置の圧電体素子に吐出信号を個別
に供給することで、任意の文字や図形を印刷させること
ができる。
電体素子の下部電極と上部電極との間に一定電圧が印加
された場合、圧電体薄膜層に変形を生じる。吐出信号が
供給された圧電体素子が設けられている圧力室ではその
振動板が大きくたわむ。このため圧力室内の圧力が瞬間
的に高まり、ノズル穴からインク滴が吐出される。ヘッ
ド中で印刷させたい位置の圧電体素子に吐出信号を個別
に供給することで、任意の文字や図形を印刷させること
ができる。
【００４２】（製造方法）次に、図４および５を参照し
ながら、圧電体薄膜素子及びインクジェットヘッドの製
造工程を説明する。
ながら、圧電体薄膜素子及びインクジェットヘッドの製
造工程を説明する。
【００４３】〔振動板の成膜工程〕まず、図４（Ｓ１）
に示すように、シリコンからなる圧力室基板２０上に、
熱酸化やＣＶＤ法等の成膜法を用いて、膜厚約１μｍの
ＳｉＯ２膜３１を形成する。
に示すように、シリコンからなる圧力室基板２０上に、
熱酸化やＣＶＤ法等の成膜法を用いて、膜厚約１μｍの
ＳｉＯ２膜３１を形成する。
【００４４】次に、図４（Ｓ２）に示すように、ＳｉＯ
２膜３１の上にＺｒＯ２膜からなるバリヤ層３２を成膜
する。バリヤ層３２の成膜法としては、ゾルゲル法、ス
パッタリング法等を用いる。
２膜３１の上にＺｒＯ２膜からなるバリヤ層３２を成膜
する。バリヤ層３２の成膜法としては、ゾルゲル法、ス
パッタリング法等を用いる。
【００４５】〔下部電極の成膜工程〕次いで、図４（Ｓ
３）に示すように、振動板の上に、下部電極４２を形成
する。下部電極４２の成膜は、電子ビーム蒸着法、スパ
ッタ法などを用いる。例えば、膜厚２００ｎｍ程度の白
金層を形成したり、あるいは、膜厚１００ｎｍ程度の白
金層を形成した後、この上に膜厚１００ｎｍ程度のイリ
ジウム層を形成する。下部電極上には、膜厚３ｎｍ〜１
０ｎｍ程度の種Ｔｉ膜を形成してもよい。
３）に示すように、振動板の上に、下部電極４２を形成
する。下部電極４２の成膜は、電子ビーム蒸着法、スパ
ッタ法などを用いる。例えば、膜厚２００ｎｍ程度の白
金層を形成したり、あるいは、膜厚１００ｎｍ程度の白
金層を形成した後、この上に膜厚１００ｎｍ程度のイリ
ジウム層を形成する。下部電極上には、膜厚３ｎｍ〜１
０ｎｍ程度の種Ｔｉ膜を形成してもよい。
【００４６】〔圧電体薄膜の成膜工程〕次に、図４（Ｓ
４）に示すように、ゾルゲル法、スパッタ法又はＭＯＣ
ＶＤ法などを用いて、下部電極４２の上に圧電体薄膜４
３を成膜する。
４）に示すように、ゾルゲル法、スパッタ法又はＭＯＣ
ＶＤ法などを用いて、下部電極４２の上に圧電体薄膜４
３を成膜する。
【００４７】ゾルゲル法を用いて圧電体薄膜４３を形成
する場合、まず、チタン、ジルコニウム、鉛などの金属
のメトキシド、エトキシド、プロポキシドもしくはブト
キシドなどのアルコキシドまたはアセテート化合物を、
酸などで加水分解して、ゾルを調整する。次いで、調整
したゾルを下部電極４２の上に塗布する。塗布に際して
は、スピンコート、ディップコートなどの方法を用い
る。
する場合、まず、チタン、ジルコニウム、鉛などの金属
のメトキシド、エトキシド、プロポキシドもしくはブト
キシドなどのアルコキシドまたはアセテート化合物を、
酸などで加水分解して、ゾルを調整する。次いで、調整
したゾルを下部電極４２の上に塗布する。塗布に際して
は、スピンコート、ディップコートなどの方法を用い
る。
【００４８】ゾルを塗布した後、これを一定温度下にて
一定時間乾燥させ、ゾルの溶媒を蒸発させる。乾燥温度
は１５０℃以上２００℃以下であることが好ましく、乾
燥時間は５分以上１５分以下であることが好ましい。乾
燥後、さらに大気雰囲気下において一定の脱脂温度にて
一定時間脱脂する。脱脂の方法としては、基板全体をホ
ットプレートに密着させ、ホットプレートからの熱が基
板全体に熱伝導するようにして加熱する方法が好まし
い。脱脂温度は３００℃以上５００℃以下であることが
好ましい。脱脂時間は５分以上３０分以下であることが
好ましい。脱脂により金属に配位している有機物が金属
から解離し酸化燃焼反応を生じ、大気中に飛散する。
一定時間乾燥させ、ゾルの溶媒を蒸発させる。乾燥温度
は１５０℃以上２００℃以下であることが好ましく、乾
燥時間は５分以上１５分以下であることが好ましい。乾
燥後、さらに大気雰囲気下において一定の脱脂温度にて
一定時間脱脂する。脱脂の方法としては、基板全体をホ
ットプレートに密着させ、ホットプレートからの熱が基
板全体に熱伝導するようにして加熱する方法が好まし
い。脱脂温度は３００℃以上５００℃以下であることが
好ましい。脱脂時間は５分以上３０分以下であることが
好ましい。脱脂により金属に配位している有機物が金属
から解離し酸化燃焼反応を生じ、大気中に飛散する。
【００４９】次に、これを焼成して、結晶化させること
により、圧電体薄膜の１つの層が形成される。焼成に
は、ＲＴＡ（Rapid Thermal Annealing）装置や拡散炉
などを用いる。焼成温度は５５０℃以上７５０℃以下で
あることが好ましい。焼成時間は６０分以下であること
が好ましい。
により、圧電体薄膜の１つの層が形成される。焼成に
は、ＲＴＡ（Rapid Thermal Annealing）装置や拡散炉
などを用いる。焼成温度は５５０℃以上７５０℃以下で
あることが好ましい。焼成時間は６０分以下であること
が好ましい。
【００５０】次に、上記の金属のゾルよりもドーパント
の量を大きく又は小さくしたゾルを調整し、同様にして
塗布、乾燥、脱脂、焼成を行なう。このように、ゾルの
塗布、乾燥、脱脂、焼成という成膜工程を複数回行い、
圧電体薄膜層４３を得る。これにより、膜厚方向にドー
パントの量が段階的に変化した圧電体薄膜層４３が得ら
れる。
の量を大きく又は小さくしたゾルを調整し、同様にして
塗布、乾燥、脱脂、焼成を行なう。このように、ゾルの
塗布、乾燥、脱脂、焼成という成膜工程を複数回行い、
圧電体薄膜層４３を得る。これにより、膜厚方向にドー
パントの量が段階的に変化した圧電体薄膜層４３が得ら
れる。
【００５１】スパッタリング法は、真空中に不活性ガス
を導入しながら基板とターゲットとの間に電圧を印加し
イオン化した不活性ガスをターゲットに衝突させて、は
じき飛ばされたターゲット物質を基板に成膜する方法で
ある。スパッタリング法を用いて圧電体薄膜４３を形成
する方法としては、ＰＺＴをターゲットとしてＡｒなど
の不活性ガスを用いたＲＦスパッタリング法が好まし
い。そして、ＰＺＴへのドーピングのため更に所定のド
ーパントを付属ターゲットとして高周波でスパッタリン
グを行なう。
を導入しながら基板とターゲットとの間に電圧を印加し
イオン化した不活性ガスをターゲットに衝突させて、は
じき飛ばされたターゲット物質を基板に成膜する方法で
ある。スパッタリング法を用いて圧電体薄膜４３を形成
する方法としては、ＰＺＴをターゲットとしてＡｒなど
の不活性ガスを用いたＲＦスパッタリング法が好まし
い。そして、ＰＺＴへのドーピングのため更に所定のド
ーパントを付属ターゲットとして高周波でスパッタリン
グを行なう。
【００５２】スパッタリングを行なう過程においては、
ドーパントのターゲットパワーを徐々に又は段階的に変
化させる。あるいは、ＰＺＴのターゲットパワーを調整
して相対的にドーパントのターゲットパワーが徐々に又
は段階的に変化するようにしてもよい。これにより、下
部電極４２側に向けてドープ量が連続的又は段階的に変
化した圧電体薄膜４３が得られる。なお、スパッタリン
グする際、基板温度は５００℃以上７００℃以下である
ことが好ましい。
ドーパントのターゲットパワーを徐々に又は段階的に変
化させる。あるいは、ＰＺＴのターゲットパワーを調整
して相対的にドーパントのターゲットパワーが徐々に又
は段階的に変化するようにしてもよい。これにより、下
部電極４２側に向けてドープ量が連続的又は段階的に変
化した圧電体薄膜４３が得られる。なお、スパッタリン
グする際、基板温度は５００℃以上７００℃以下である
ことが好ましい。
【００５３】ＭＯＣＶＤ（Metal Organic Chemical Vap
or Deposition）法は、薄膜材料を高温で反応させて基
板上に成膜するＣＶＤプロセスであって、特にその材料
に有機金属を用いる方法である。具体的には、Ｚｒ、Ｔ
ｉ、Ｐｂなどの金属錯体原料を加熱してキャリアガスを
導入することで気化させ、加熱した基板上に蒸着させる
ことによって成膜が行われる。原料中に含まれるドーパ
ントの量を連続的又は段階的に変化させることによっ
て、傾斜組成を有する圧電体薄膜４３を得ることができ
る。
or Deposition）法は、薄膜材料を高温で反応させて基
板上に成膜するＣＶＤプロセスであって、特にその材料
に有機金属を用いる方法である。具体的には、Ｚｒ、Ｔ
ｉ、Ｐｂなどの金属錯体原料を加熱してキャリアガスを
導入することで気化させ、加熱した基板上に蒸着させる
ことによって成膜が行われる。原料中に含まれるドーパ
ントの量を連続的又は段階的に変化させることによっ
て、傾斜組成を有する圧電体薄膜４３を得ることができ
る。
【００５４】〔上部電極の成膜工程〕以上により形成さ
れた圧電体薄膜４３上に、図４（Ｓ５）に示すように、
上部電極４４を形成する。例えば、イリジウムを５０ｎ
ｍ〜１００ｎｍの膜厚となるようにＤＣスパッタ法によ
り成膜する。
れた圧電体薄膜４３上に、図４（Ｓ５）に示すように、
上部電極４４を形成する。例えば、イリジウムを５０ｎ
ｍ〜１００ｎｍの膜厚となるようにＤＣスパッタ法によ
り成膜する。
【００５５】〔エッチング工程〕次に、図５（Ｓ６）に
示すように、上部電極４４上にレジストをスピンコート
し、圧力室が形成されるべき位置に合わせて露光・現像
してパターニングする。残ったレジストをマスクとして
上部電極４４、圧電体薄膜４３をイオンミリングやドラ
イエッチン法などでエッチングする。これにより個々の
圧電体薄膜素子４０が完成する。
示すように、上部電極４４上にレジストをスピンコート
し、圧力室が形成されるべき位置に合わせて露光・現像
してパターニングする。残ったレジストをマスクとして
上部電極４４、圧電体薄膜４３をイオンミリングやドラ
イエッチン法などでエッチングする。これにより個々の
圧電体薄膜素子４０が完成する。
【００５６】〔圧力室形成工程〕続いて、図５（Ｓ７）
に示すように、圧力室が形成されるべき位置に合わせて
エッチングマスクを施し、平行平板型反応性イオンエッ
チングなどの活性気体を用いたドライエッチングによ
り、予め定められた深さまで圧力室基板２０をエッチン
グし、圧力室２１を形成する。ドライエッチングされず
に残った部分は側壁２２となる。
に示すように、圧力室が形成されるべき位置に合わせて
エッチングマスクを施し、平行平板型反応性イオンエッ
チングなどの活性気体を用いたドライエッチングによ
り、予め定められた深さまで圧力室基板２０をエッチン
グし、圧力室２１を形成する。ドライエッチングされず
に残った部分は側壁２２となる。
【００５７】〔ノズル板貼り合わせ工程〕最後に、図５
（Ｃ）に示すように、接着剤を用いてノズル板１０を圧
力室基板２０に貼り合わせる。この際には、各ノズル１
１が圧力室２１の各々の空間に対応して配置されるよう
位置合せする。ノズル板１０を貼り合わせた圧力室基板
２０を図２の筐体２５に取り付け、インクジェット式記
録ヘッドを完成させる。
（Ｃ）に示すように、接着剤を用いてノズル板１０を圧
力室基板２０に貼り合わせる。この際には、各ノズル１
１が圧力室２１の各々の空間に対応して配置されるよう
位置合せする。ノズル板１０を貼り合わせた圧力室基板
２０を図２の筐体２５に取り付け、インクジェット式記
録ヘッドを完成させる。
【００５８】
【発明の効果】本発明によれば、圧電体薄膜の各部に要
求される動きに応じた特性をそれぞれ持たせることによ
り、低電圧でも、圧電体薄膜の機能を十分に発揮するこ
とのできる圧電体薄膜素子およびその製造方法を提供す
ることができる。
求される動きに応じた特性をそれぞれ持たせることによ
り、低電圧でも、圧電体薄膜の機能を十分に発揮するこ
とのできる圧電体薄膜素子およびその製造方法を提供す
ることができる。
【図１】 本実施形態の圧電体薄膜素子が使用されるプ
リンタの構造を説明する斜視図である。
リンタの構造を説明する斜視図である。
【図２】 本実施形態による圧電体薄膜素子を備えたイ
ンクジェット式記録ヘッドの構造の説明図である。
ンクジェット式記録ヘッドの構造の説明図である。
【図３】 上記インクジェット式記録ヘッドの圧電体薄
膜素子の１つを拡大した断面図である。
膜素子の１つを拡大した断面図である。
【図４】 本実施形態の圧電体薄膜素子及びインクジェ
ット式記録ヘッドの製造方法を示す断面模式図である。
ット式記録ヘッドの製造方法を示す断面模式図である。
【図５】 本実施形態の圧電体薄膜素子及びインクジェ
ット式記録ヘッドの製造方法を示す断面模式図である。
ット式記録ヘッドの製造方法を示す断面模式図である。
【図６】 本実施形態による圧電体薄膜素子の部分拡大
断面図であり、本発明の原理を説明する図である。
断面図であり、本発明の原理を説明する図である。
２０…圧力室基板、３０…振動板、３１…絶縁膜、３２
…バリヤ層、４０…圧電体薄膜素子、３２…下部電極、
４３…圧電体薄膜、４４…上部電極
…バリヤ層、４０…圧電体薄膜素子、３２…下部電極、
４３…圧電体薄膜、４４…上部電極
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｈ０１Ｌ 41/09 Ｈ０１Ｌ 41/22 Ｚ
41/18 Ｂ４１Ｊ 3/04 １０３Ａ
41/187 １０３Ｈ
41/22
Claims (9)
- 【請求項１】 下部電極と、該下部電極上に設けられた
圧電体薄膜と、該圧電体薄膜上に設けられた上部電極
と、を備える圧電体薄膜素子であって、 前記圧電体薄膜は、膜厚方向の所定位置より上部電極側
における膜厚方向の電気抵抗率に対し、前記所定位置よ
り下部電極側における膜厚方向の電気抵抗率の方が、高
いことを特徴とする圧電体薄膜素子。 - 【請求項２】 下部電極と、該下部電極上に設けられた
圧電体薄膜と、該圧電体薄膜上に設けられた上部電極
と、を備える圧電体薄膜素子であって、 前記圧電体薄膜は、上部電極側から下部電極側に向け
て、膜厚方向の電気抵抗率が、膜厚方向に連続的又は段
階的に高くなる傾斜組成を有することを特徴とする圧電
体薄膜素子。 - 【請求項３】 下部電極と、該下部電極上に設けられた
圧電体薄膜と、該圧電体薄膜上に設けられた上部電極
と、を備える圧電体薄膜素子であって、 前記圧電体薄膜は、膜厚方向の所定位置より上部電極側
の誘電率に対し、前記所定位置より下部電極側の誘電率
の方が、低いことを特徴とする圧電体薄膜素子。 - 【請求項４】 下部電極と、該下部電極上に設けられた
圧電体薄膜と、該圧電体薄膜上に設けられた上部電極
と、を備える圧電体薄膜素子であって、 前記圧電体薄膜は、上部電極側から下部電極側に向け
て、膜厚方向の誘電率が、膜厚方向に連続的又は段階的
に低くなる傾斜組成を有することを特徴とする圧電体薄
膜素子。 - 【請求項５】 請求項１乃至請求項４の何れか一項に記
載の圧電体薄膜素子と、当該圧電体薄膜素子の機械的変
位によって内容積が変化する圧力室と、当該圧力室に連
通してインク滴を吐出する吐出口とを備えることを特徴
とするインクジェット式記録ヘッド。 - 【請求項６】 請求項５に記載のインクジェット式記録
ヘッドを印字機構に備えるインクジェットプリンタ。 - 【請求項７】 下部電極上に圧電体薄膜を形成する工程
と、前記圧電体薄膜上に上部電極を形成する工程と、を
備えた圧電体薄膜素子の製造方法であって、 前記圧電体薄膜の形成工程は、金属有機化合物のゾルを
塗布した後に焼成する成膜工程を複数回行って複数の層
からなる圧電体薄膜を形成する工程であり、 前記複数の層のうち下部電極側の層の成膜と、上部電極
側の層の成膜とにおいて、ドーパントの量が互いに異な
るゾルを塗布することを特徴とする圧電体薄膜素子の製
造方法。 - 【請求項８】 下部電極上に圧電体薄膜を形成する工程
と、前記圧電体薄膜上に上部電極を形成する工程と、を
備えた圧電体薄膜素子の製造方法であって、 前記圧電体薄膜の形成工程は、ＭＯＣＶＤ法による圧電
体薄膜の形成中に、金属錯体原料中に含まれるドーパン
トの濃度を変化させることを特徴とする圧電体薄膜素子
の製造方法。 - 【請求項９】 下部電極上に圧電体薄膜を形成する工程
と、前記圧電体薄膜上に上部電極を形成する工程と、を
備えた圧電体薄膜素子の製造方法であって、 前記圧電体薄膜の形成工程は、ＲＦスパッタ法による圧
電体薄膜の形成中に、ドーピング用の付属ターゲットの
スパッタパワーを変化させることを特徴とする圧電体薄
膜素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001308386A JP4078629B2 (ja) | 2001-10-04 | 2001-10-04 | 圧電体薄膜素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001308386A JP4078629B2 (ja) | 2001-10-04 | 2001-10-04 | 圧電体薄膜素子 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2007325470A Division JP4968536B2 (ja) | 2007-12-18 | 2007-12-18 | 圧電体薄膜素子及びインクジェット式記録ヘッド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003115617A true JP2003115617A (ja) | 2003-04-18 |
| JP4078629B2 JP4078629B2 (ja) | 2008-04-23 |
Family
ID=19127709
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001308386A Expired - Fee Related JP4078629B2 (ja) | 2001-10-04 | 2001-10-04 | 圧電体薄膜素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4078629B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010225829A (ja) * | 2009-03-24 | 2010-10-07 | Honda Motor Co Ltd | 薄膜太陽電池の光吸収層の形成方法 |
| CN109572213A (zh) * | 2017-09-27 | 2019-04-05 | 精工爱普生株式会社 | 压电式打印头及压电式喷墨打印机 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP7035412B2 (ja) | 2017-09-27 | 2022-03-15 | セイコーエプソン株式会社 | 圧電方式プリントヘッドおよび圧電方式インクジェットプリンター |
-
2001
- 2001-10-04 JP JP2001308386A patent/JP4078629B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010225829A (ja) * | 2009-03-24 | 2010-10-07 | Honda Motor Co Ltd | 薄膜太陽電池の光吸収層の形成方法 |
| CN109572213A (zh) * | 2017-09-27 | 2019-04-05 | 精工爱普生株式会社 | 压电式打印头及压电式喷墨打印机 |
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|---|---|
| JP4078629B2 (ja) | 2008-04-23 |
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