JP2003115244A - モールド真空バルブ及びその接続方法 - Google Patents
モールド真空バルブ及びその接続方法Info
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- JP2003115244A JP2003115244A JP2001305955A JP2001305955A JP2003115244A JP 2003115244 A JP2003115244 A JP 2003115244A JP 2001305955 A JP2001305955 A JP 2001305955A JP 2001305955 A JP2001305955 A JP 2001305955A JP 2003115244 A JP2003115244 A JP 2003115244A
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
- H01H33/00—High-tension or heavy-current switches with arc-extinguishing or arc-preventing means
- H01H33/60—Switches wherein the means for extinguishing or preventing the arc do not include separate means for obtaining or increasing flow of arc-extinguishing fluid
- H01H33/66—Vacuum switches
- H01H33/662—Housings or protective screens
- H01H33/66207—Specific housing details, e.g. sealing, soldering or brazing
- H01H2033/6623—Details relating to the encasing or the outside layers of the vacuum switch housings
Landscapes
- High-Tension Arc-Extinguishing Switches Without Spraying Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 真空バルブ１の可動軸側を絶縁層１１でモー
ルドすることで全体形状の縮小化を図る。 【解決手段】真空容器と、この真空容器の一端に設けら
れる固定軸および他端に設けられる可動軸とをする真空
バルブにおいて、可動軸に接続された接触部と、接触部
が貫通し接触する主回路導体と、真空容器と主回路導体
との間にあって、可動軸、接触部の周囲を取り巻くよう
に配置した部材とを備え、真空容器、固定軸、部材及び
主回路導体までを絶縁層で一体モールドする。
ルドすることで全体形状の縮小化を図る。 【解決手段】真空容器と、この真空容器の一端に設けら
れる固定軸および他端に設けられる可動軸とをする真空
バルブにおいて、可動軸に接続された接触部と、接触部
が貫通し接触する主回路導体と、真空容器と主回路導体
との間にあって、可動軸、接触部の周囲を取り巻くよう
に配置した部材とを備え、真空容器、固定軸、部材及び
主回路導体までを絶縁層で一体モールドする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は樹脂でモールドする
モールド真空バルブ及びその接続方法に関する。
モールド真空バルブ及びその接続方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】定格電圧３３ｋＶクラス以下の中電圧回
路においては、遮断機に真空バルブが数多く用いられて
いる。真空バルブは、容器内部の真空絶縁に比べて、外
部の沿面が気中絶縁となり絶縁耐力が低いため、例えば
エポキシ樹脂でモールドして絶縁補強されることがあ
る。従来のエポキシ樹脂でモールドした真空バルブを図
７に示す。真空バルブ１６の固定軸１７と可動軸１８の
先端には一対の電極１９が取り付けられ、これらは例え
ばセラミックからなる高真空の真空容器２０に収納され
ている。真空容器２０の上下にはフランジ２１が銀ロウ
付けされ、可動軸１８側には伸縮自在のベローズ２２が
取り付けられている。真空容器２０の周囲には、例えば
エポキシ樹脂でモールドしたヒダ付きの絶縁層２３が取
り付けられていて、絶縁補強されている。
路においては、遮断機に真空バルブが数多く用いられて
いる。真空バルブは、容器内部の真空絶縁に比べて、外
部の沿面が気中絶縁となり絶縁耐力が低いため、例えば
エポキシ樹脂でモールドして絶縁補強されることがあ
る。従来のエポキシ樹脂でモールドした真空バルブを図
７に示す。真空バルブ１６の固定軸１７と可動軸１８の
先端には一対の電極１９が取り付けられ、これらは例え
ばセラミックからなる高真空の真空容器２０に収納され
ている。真空容器２０の上下にはフランジ２１が銀ロウ
付けされ、可動軸１８側には伸縮自在のベローズ２２が
取り付けられている。真空容器２０の周囲には、例えば
エポキシ樹脂でモールドしたヒダ付きの絶縁層２３が取
り付けられていて、絶縁補強されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来の真空バルブ１６
において、電源回路を構成するため真空バルブ１６の可
動軸１８側には他の電気機器に接続させる主回路導体２
４が接続される。可動部材２５が可動軸１８と主回路導
体２４を電気的に接続している。真空バルブ１６は、電
極１９を開閉する可動軸１８が上下移動し可動部材２５
も上下に移動する。このため、主回路導体２４、可動部
材２５を含めて真空バルブ１６を絶縁層２３で一体モー
ルドすることは構造面から困難で、可動軸１８側を絶縁
層でモールドして縮小化することができなかった。本発
明は、真空バルブの可動軸側の主回路導体を含めて真空
バルブを絶縁層で一体モールドし、更に真空バルブのセ
ラミックを複数分割したモールド真空バルブ及びその接
続方法を提供することを目的とする。
において、電源回路を構成するため真空バルブ１６の可
動軸１８側には他の電気機器に接続させる主回路導体２
４が接続される。可動部材２５が可動軸１８と主回路導
体２４を電気的に接続している。真空バルブ１６は、電
極１９を開閉する可動軸１８が上下移動し可動部材２５
も上下に移動する。このため、主回路導体２４、可動部
材２５を含めて真空バルブ１６を絶縁層２３で一体モー
ルドすることは構造面から困難で、可動軸１８側を絶縁
層でモールドして縮小化することができなかった。本発
明は、真空バルブの可動軸側の主回路導体を含めて真空
バルブを絶縁層で一体モールドし、更に真空バルブのセ
ラミックを複数分割したモールド真空バルブ及びその接
続方法を提供することを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明においては、真空容器と、この真空容器の一端
に設けられる固定軸および他端に設けられる可動軸とを
有し、真空容器の外側を絶縁層でモールドするモールド
真空バルブにおいて、可動軸に接続された接触部と、接
触部が貫通し接触する主回路導体と、真空容器と主回路
導体との間にあって、可動軸、接触部の周囲を取り巻く
ように配置した部材とを備え、真空容器、固定軸、部材
及び主回路導体までを絶縁層で一体モールドする。これ
らの構成により、モールドした真空バルブの全体形状を
縮小化することができる。
に本発明においては、真空容器と、この真空容器の一端
に設けられる固定軸および他端に設けられる可動軸とを
有し、真空容器の外側を絶縁層でモールドするモールド
真空バルブにおいて、可動軸に接続された接触部と、接
触部が貫通し接触する主回路導体と、真空容器と主回路
導体との間にあって、可動軸、接触部の周囲を取り巻く
ように配置した部材とを備え、真空容器、固定軸、部材
及び主回路導体までを絶縁層で一体モールドする。これ
らの構成により、モールドした真空バルブの全体形状を
縮小化することができる。
【０００５】
【発明の実施の形態】以下、本発明のモールド真空バル
ブの実施形態について、図面を参照して説明する。図１
は、エポキシ樹脂で一体モールドした真空バルブの断面
を示したものである。真空バルブ１は、固定軸２、可動
軸３、接地端子４が真空容器外部に導出されている。本
発明の真空バルブは接地端子付真空バルブであるが、接
地端子がない真空バルブであってもよい。真空容器は、
可動軸３側から３分割されたセラミック５ａ、５ｂ、５
ｃで覆われており、その長さは図１では５ａ＞５ｂ＝５
ｃとなっている。これは、可動軸３側の真空容器内には
図示していないベローズが収納されているためセラミッ
ク５ａが他のセラミック５ｂ、５ｃよりも長くなってい
る。ベローズなどを小型化することでセラミック５ａの
長さを短くし、セラミック５ａ、５ｂ、５ｃの長さを均
等にしてもよい。図１ではセラミックを３つに分割して
いるが、作業性が許容できる範囲でセラミックを更に分
割してもよい。セラミック５ａ、５ｂ、５ｃの相互間は
エポキシ樹脂と同程度の熱膨張係数を持つ金属性フラン
ジ６を設けて銀ロー付けで接合されている。一般的にエ
ポキシ樹脂の熱膨張係数は約２０×１０−６／℃である
ので、金属製フランジ６の材質としては例えば鉄合金を
用いればよい。接地端子４は、セラミック５ａ、５ｂの
間にあり、図１に示すようにＬ字型をしており、一旦下
方に曲がってセラミック５ａのそばを通ってから外側に
引き出されている。接地端子４は直線的に引き出しても
よい。
ブの実施形態について、図面を参照して説明する。図１
は、エポキシ樹脂で一体モールドした真空バルブの断面
を示したものである。真空バルブ１は、固定軸２、可動
軸３、接地端子４が真空容器外部に導出されている。本
発明の真空バルブは接地端子付真空バルブであるが、接
地端子がない真空バルブであってもよい。真空容器は、
可動軸３側から３分割されたセラミック５ａ、５ｂ、５
ｃで覆われており、その長さは図１では５ａ＞５ｂ＝５
ｃとなっている。これは、可動軸３側の真空容器内には
図示していないベローズが収納されているためセラミッ
ク５ａが他のセラミック５ｂ、５ｃよりも長くなってい
る。ベローズなどを小型化することでセラミック５ａの
長さを短くし、セラミック５ａ、５ｂ、５ｃの長さを均
等にしてもよい。図１ではセラミックを３つに分割して
いるが、作業性が許容できる範囲でセラミックを更に分
割してもよい。セラミック５ａ、５ｂ、５ｃの相互間は
エポキシ樹脂と同程度の熱膨張係数を持つ金属性フラン
ジ６を設けて銀ロー付けで接合されている。一般的にエ
ポキシ樹脂の熱膨張係数は約２０×１０−６／℃である
ので、金属製フランジ６の材質としては例えば鉄合金を
用いればよい。接地端子４は、セラミック５ａ、５ｂの
間にあり、図１に示すようにＬ字型をしており、一旦下
方に曲がってセラミック５ａのそばを通ってから外側に
引き出されている。接地端子４は直線的に引き出しても
よい。
【０００６】図２は真空バルブの可動軸側の拡大図であ
る。可動軸３には接触用導体７が接続されており、さら
に絶縁ロッド８が接続されている。絶縁ロッド８には図
示していない操作機構が接続されており、操作機構の上
下運動により真空バルブ１の図示していない電極間の開
閉が行われている。真空バルブ１の電極間の開閉動作に
おける接触用導体７の移動範囲は、一般的に数十ｍｍの
範囲である。接触用導体７は、主回路導体９を貫通し、
図示していない主回路導体９の接触部を介して主回路導
体９と電気的に接続されている。主回路導体９の接触部
には、主回路導体９と接触用導体７が電気的に接続状態
を維持できるようにマルチバンドなどの接触子が収納さ
れている。主回路導体９は可動軸３の軸方向に対して垂
直に導出されている。このように、接触用導体７が操作
機構に直線的に接続されているので、操作機構から接触
用導体７への伝達ロスは最小限に抑えられる。このた
め、操作機構の操作力も低減させることができる。ま
た、主回路導体９が可動軸３の軸方向に対して垂直に導
出されているのでケーブル接続等の作業をするスペース
が確保でき、作業性の向上が図れる。ブロック１０は、
主回路導体９と真空容器の間の可動軸３、接触用導体７
の周囲を取り巻くように配置し、主回路導体９、真空容
器とはシールがされている。ブロック１０は、主回路導
体９と一体であってもよいし、材質は金属であるが絶縁
材料であってもよい。
る。可動軸３には接触用導体７が接続されており、さら
に絶縁ロッド８が接続されている。絶縁ロッド８には図
示していない操作機構が接続されており、操作機構の上
下運動により真空バルブ１の図示していない電極間の開
閉が行われている。真空バルブ１の電極間の開閉動作に
おける接触用導体７の移動範囲は、一般的に数十ｍｍの
範囲である。接触用導体７は、主回路導体９を貫通し、
図示していない主回路導体９の接触部を介して主回路導
体９と電気的に接続されている。主回路導体９の接触部
には、主回路導体９と接触用導体７が電気的に接続状態
を維持できるようにマルチバンドなどの接触子が収納さ
れている。主回路導体９は可動軸３の軸方向に対して垂
直に導出されている。このように、接触用導体７が操作
機構に直線的に接続されているので、操作機構から接触
用導体７への伝達ロスは最小限に抑えられる。このた
め、操作機構の操作力も低減させることができる。ま
た、主回路導体９が可動軸３の軸方向に対して垂直に導
出されているのでケーブル接続等の作業をするスペース
が確保でき、作業性の向上が図れる。ブロック１０は、
主回路導体９と真空容器の間の可動軸３、接触用導体７
の周囲を取り巻くように配置し、主回路導体９、真空容
器とはシールがされている。ブロック１０は、主回路導
体９と一体であってもよいし、材質は金属であるが絶縁
材料であってもよい。
【０００７】このように、ブロック１０が接触用導体７
の周りを覆うことで接触導体７の移動による電界分布の
乱れがなくなり、良好な絶縁特性を維持することが可能
となる。そして本発明のモールド真空バルブは、真空バ
ルブ１の可動軸３に接触用導体７、ブロック１０、主回
路導体９を順次配置し、固定軸２、真空バルブ１、接地
端子４、ブロック１０、主回路導体９をエポキシ樹脂の
絶縁層１１で一体モールドしている。これにより、固定
軸２、接地端子４、主回路導体９は、絶縁層１１でモー
ルドすることで凸状のブッシング部となっている。この
ように、真空バルブ１の可動軸３側を絶縁層１１でモー
ルドすることで全体形状を縮小化することができる。ま
た、主回路導体９の周りを熱輸送率が空気に比べて高い
絶縁層１１でモールドすることで、通電による発熱の影
響を抑え、電力の大容量化を可能にする。また、一般的
にセラミックはエポキシ樹脂より熱膨張係数が約１／３
〜１／２と小さく、またエポキシ樹脂とセラミックは接
着しにくい。そのため、セラミックとエポキシ樹脂の間
には残留応力が発生する。真空バルブ１のセラミック５
ａ、５ｂ、５ｃに発生する残留応力を図３に示す。本発
明では図3に示すように、残留応力はセラミックの両端
に集中するが、セラミック５ａ、５ｂ、５ｃは３分割さ
れているため残留応力は分散する。セラミック５ａ、５
ｂ、５ｃを３分割したモールド真空バルブは、ヒートサ
イクル試験などでクラックなどの発生はなく、優れた耐
クラック性を示した。
の周りを覆うことで接触導体７の移動による電界分布の
乱れがなくなり、良好な絶縁特性を維持することが可能
となる。そして本発明のモールド真空バルブは、真空バ
ルブ１の可動軸３に接触用導体７、ブロック１０、主回
路導体９を順次配置し、固定軸２、真空バルブ１、接地
端子４、ブロック１０、主回路導体９をエポキシ樹脂の
絶縁層１１で一体モールドしている。これにより、固定
軸２、接地端子４、主回路導体９は、絶縁層１１でモー
ルドすることで凸状のブッシング部となっている。この
ように、真空バルブ１の可動軸３側を絶縁層１１でモー
ルドすることで全体形状を縮小化することができる。ま
た、主回路導体９の周りを熱輸送率が空気に比べて高い
絶縁層１１でモールドすることで、通電による発熱の影
響を抑え、電力の大容量化を可能にする。また、一般的
にセラミックはエポキシ樹脂より熱膨張係数が約１／３
〜１／２と小さく、またエポキシ樹脂とセラミックは接
着しにくい。そのため、セラミックとエポキシ樹脂の間
には残留応力が発生する。真空バルブ１のセラミック５
ａ、５ｂ、５ｃに発生する残留応力を図３に示す。本発
明では図3に示すように、残留応力はセラミックの両端
に集中するが、セラミック５ａ、５ｂ、５ｃは３分割さ
れているため残留応力は分散する。セラミック５ａ、５
ｂ、５ｃを３分割したモールド真空バルブは、ヒートサ
イクル試験などでクラックなどの発生はなく、優れた耐
クラック性を示した。
【０００８】このように、真空バルブ１の３分割したセ
ラミック５ａ、５ｂ、５ｃは残留応力を分散させること
ができる。また、セラミック５ａ、５ｂ、５ｃの相互間
を金属性フランジ６で接合することで残留応力を最小限
に抑制することができる。図４には一体モールドした真
空バルブに電力用ケーブル、母線導体を接続したときの
断面図を示す。一体モールドした真空バルブ１の構成は
図１と同じであるので省略する。真空バルブ１を受電す
るため主回路導体９をモールドしたブッシング部に電力
用ケーブル１２が接続されている。電力用ケーブル１２
は、可撓性材料で成形し凹状になった部分をブッシング
部に嵌合させて接続されている。また、固定軸２をモー
ルドしたブッシング部には母線導体１３が接続されてい
る。凸状の傾斜角度は接続される部分により若干異なっ
ている。母線導体１３の周りはＥＰゴムで成形した絶縁
層１４で覆われており、電界緩和のため半導電層１５を
設けている。ブッシング部の外径と凹状の絶縁層１４の
内径に差をつけることで面圧を持たせて接続している。
つまり、ブッシング部の外径を絶縁層１４の内径より大
きくし、嵌合時にゴムの収縮により面圧を持たせてい
る。
ラミック５ａ、５ｂ、５ｃは残留応力を分散させること
ができる。また、セラミック５ａ、５ｂ、５ｃの相互間
を金属性フランジ６で接合することで残留応力を最小限
に抑制することができる。図４には一体モールドした真
空バルブに電力用ケーブル、母線導体を接続したときの
断面図を示す。一体モールドした真空バルブ１の構成は
図１と同じであるので省略する。真空バルブ１を受電す
るため主回路導体９をモールドしたブッシング部に電力
用ケーブル１２が接続されている。電力用ケーブル１２
は、可撓性材料で成形し凹状になった部分をブッシング
部に嵌合させて接続されている。また、固定軸２をモー
ルドしたブッシング部には母線導体１３が接続されてい
る。凸状の傾斜角度は接続される部分により若干異なっ
ている。母線導体１３の周りはＥＰゴムで成形した絶縁
層１４で覆われており、電界緩和のため半導電層１５を
設けている。ブッシング部の外径と凹状の絶縁層１４の
内径に差をつけることで面圧を持たせて接続している。
つまり、ブッシング部の外径を絶縁層１４の内径より大
きくし、嵌合時にゴムの収縮により面圧を持たせてい
る。
【０００９】このように、真空バルブ１のブッシング部
に対して可撓性をもった凹状の絶縁層１４を嵌合させる
ことで、界面の密着性が向上し優れた絶縁特性を得るこ
とができる。また、図５にはブッシング部の外径と絶縁
層１４の内径との差である径差と破壊電圧の関係を示
す。このときのブッシング部の直径、界面長さは５０ｍ
ｍとした。径差を大きくすると破壊電圧も上昇する。こ
れは、径差を大きくするとことで面圧も大きくなり、界
面の密着性が向上し優れた絶縁特性を得ることができる
からである。しかし、径差を大きくし過ぎると面圧は大
きくなるものの、時間が経つとゴムの収縮力が低下し面
圧も低下する。これをクリープ特性をいい、収縮力が大
きいほど減少率も大きくなる。ゴムの中でも絶縁特性の
優れたＥＰゴムを加熱などにより加速劣化させれば天然
ゴムよりは収縮力の低下を抑えることができるが、やは
り収縮力は低下し面圧も低下する。そこで、クリープ特
性による面圧の低下率と径差による破壊電圧の上昇率を
乗算したものと径差の関係を図６に示す。径差が大きく
なると電圧上昇率×面圧上昇率は上昇する。径差約２ｍ
ｍの付近でピークとなる。径差を更に大きくしても面圧
が上昇して破壊電圧が上昇するが、ＥＰゴムの収縮力が
過大となり劣化を早め、クリープ特性による面圧の低下
率が大きくなるので、電圧上昇率×面圧上昇率は減少す
る。
に対して可撓性をもった凹状の絶縁層１４を嵌合させる
ことで、界面の密着性が向上し優れた絶縁特性を得るこ
とができる。また、図５にはブッシング部の外径と絶縁
層１４の内径との差である径差と破壊電圧の関係を示
す。このときのブッシング部の直径、界面長さは５０ｍ
ｍとした。径差を大きくすると破壊電圧も上昇する。こ
れは、径差を大きくするとことで面圧も大きくなり、界
面の密着性が向上し優れた絶縁特性を得ることができる
からである。しかし、径差を大きくし過ぎると面圧は大
きくなるものの、時間が経つとゴムの収縮力が低下し面
圧も低下する。これをクリープ特性をいい、収縮力が大
きいほど減少率も大きくなる。ゴムの中でも絶縁特性の
優れたＥＰゴムを加熱などにより加速劣化させれば天然
ゴムよりは収縮力の低下を抑えることができるが、やは
り収縮力は低下し面圧も低下する。そこで、クリープ特
性による面圧の低下率と径差による破壊電圧の上昇率を
乗算したものと径差の関係を図６に示す。径差が大きく
なると電圧上昇率×面圧上昇率は上昇する。径差約２ｍ
ｍの付近でピークとなる。径差を更に大きくしても面圧
が上昇して破壊電圧が上昇するが、ＥＰゴムの収縮力が
過大となり劣化を早め、クリープ特性による面圧の低下
率が大きくなるので、電圧上昇率×面圧上昇率は減少す
る。
【００１０】このことから、長期の劣化を考慮すると径
差が約２ｍｍのときに安定した絶縁特性を得ることがで
きる。また、これらの一体モールドした真空バルブで三
相回路を構成する場合、真空バルブを個々にモールドし
たものを横一列に配置してもよいが、三相分の真空バル
ブを横一列に配置して一体モールドすることで、盤幅方
向の縮小化を図ることができる。なお、各相の真空バル
ブの配置は三角形でも斜めでもよい。盤の構成に合わせ
て配置すればスペースを有効に活用することができる。
差が約２ｍｍのときに安定した絶縁特性を得ることがで
きる。また、これらの一体モールドした真空バルブで三
相回路を構成する場合、真空バルブを個々にモールドし
たものを横一列に配置してもよいが、三相分の真空バル
ブを横一列に配置して一体モールドすることで、盤幅方
向の縮小化を図ることができる。なお、各相の真空バル
ブの配置は三角形でも斜めでもよい。盤の構成に合わせ
て配置すればスペースを有効に活用することができる。
【００１１】
【発明の効果】本発明によれば、真空バルブの可動軸側
を絶縁層でモールドすることで全体形状を縮小化するこ
とができる。
を絶縁層でモールドすることで全体形状を縮小化するこ
とができる。
【図１】本発明における一体モールドした真空バルブの
断面を示す図。
断面を示す図。
【図２】本発明における一体モールドした真空バルブの
可動軸側の拡大図。
可動軸側の拡大図。
【図３】３分割したセラミック面に発生する残留応力の
分布を示す図。
分布を示す図。
【図４】本発明における一体モールドした真空バルブに
電力用ケーブル、絶縁母線を接続したときの断面を示す
図。
電力用ケーブル、絶縁母線を接続したときの断面を示す
図。
【図５】本発明における径差と破壊電圧の特性を示す
図。
図。
【図６】本発明における径差と電圧上昇率×面圧上昇率
の特性を示す図。
の特性を示す図。
【図７】従来のモールド真空バルブの断面を示す図。
１、１６・・・真空バルブ
２、１７・・・固定軸
３、１８・・・可動軸
４・・・接地端子
５ａ、５ｂ、５ｃ・・・セラミック
６・・・金属製フランジ
７・・・接触用導体
８・・・絶縁ロッド
９、２４・・・主回路導体
１０・・・ブロック
１１、１４、２３・・・絶縁層
１２・・・電力用ケーブル
１３・・・母線導体
１５・・・半導電層
１９・・・電極
２０・・・真空容器
２１・・・フランジ
２２・・・ベローズ
２５・・・可動部材
Claims (7)
- 【請求項１】真空容器と、この真空容器の一端に設けら
れる固定軸および他端に設けられる可動軸とを有し、前
記真空容器の外側を絶縁層でモールドするモールド真空
バルブにおいて、前記可動軸に接続された接触部と、前
記接触部が貫通し接触する主回路導体と、前記真空容器
と前記主回路導体との間にあって、前記可動軸、前記接
触部の周囲を取り巻くように配置した部材とを備え、前
記真空容器、前記固定軸、前記部材及び前記主回路導体
までを絶縁層で一体モールドしたことを特徴とするモー
ルド真空バルブ。 - 【請求項２】前記主回路導体が前記可動軸の軸方向に対
して垂直に導出されていることを特徴とする請求項１ま
たは請求項２記載のモールド真空バルブ。 - 【請求項３】前記固定軸、前記主回路導体の周りに絶縁
層を形成したブッシング部の外径を、絶縁層を凹状に形
成させた前記ブッシング部に接続する外部導体の内径よ
り大きくしたことを特徴とする請求項１または請求項２
記載のモールド真空バルブ。 - 【請求項４】真空容器と、この真空容器の一端に設けら
れる固定軸および他端に設けられる可動軸とを有し、前
記真空容器の外側を絶縁層でモールドするモールド真空
バルブにおいて、前記真空容器のセラミック層を多段に
分割したことを特徴とするモールド真空バルブ。 - 【請求項５】前記真空容器の多段に分割したセラミック
層の相互間に金属部材を設けたことを特徴とする請求項
４記載のモールド真空バルブ。 - 【請求項６】真空容器と、この真空容器の一端に設けら
れる固定軸および他端に設けられる可動軸とを有する真
空バルブにおいて、前記可動軸に接触部を接続し、この
接触子が真空バルブの電極間の開閉により可動できるよ
うに前記接触子の周囲に部材を配置し、前記接触子と接
触するように主回路導体を配置して、前記固定軸、前記
真空容器、前記部材及び前記主回路導体までを絶縁層で
一体モールドするモールド真空バルブの接続方法。 - 【請求項７】真空容器と、この真空容器の一端に設けら
れる固定軸および他端に設けられる可動軸とを有する真
空バルブにおいて、前記可動軸に接触部を接続し、この
接触子が真空バルブの電極間の開閉により可動できるよ
うに前記接触子の周囲に部材を配置し、前記接触子と接
触するように主回路導体を配置して、この真空バルブ三
相分を横一列に配置し絶縁材料で一体モールドするモー
ルド真空バルブの接続方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001305955A JP2003115244A (ja) | 2001-10-02 | 2001-10-02 | モールド真空バルブ及びその接続方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001305955A JP2003115244A (ja) | 2001-10-02 | 2001-10-02 | モールド真空バルブ及びその接続方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003115244A true JP2003115244A (ja) | 2003-04-18 |
Family
ID=19125666
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001305955A Pending JP2003115244A (ja) | 2001-10-02 | 2001-10-02 | モールド真空バルブ及びその接続方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003115244A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100656233B1 (ko) | 2003-07-25 | 2006-12-13 | 가부시끼가이샤 도시바 | 성형 전기 장치 및 성형 전기 장치의 제조 방법 |
| WO2010058034A1 (fr) * | 2008-11-24 | 2010-05-27 | Areva T & D Sas | Surmoulage en materiau composite smc ou bmc pour pole de disjoncteur a vide |
-
2001
- 2001-10-02 JP JP2001305955A patent/JP2003115244A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100656233B1 (ko) | 2003-07-25 | 2006-12-13 | 가부시끼가이샤 도시바 | 성형 전기 장치 및 성형 전기 장치의 제조 방법 |
| WO2010058034A1 (fr) * | 2008-11-24 | 2010-05-27 | Areva T & D Sas | Surmoulage en materiau composite smc ou bmc pour pole de disjoncteur a vide |
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