JP2003112052A - 水素生成触媒 - Google Patents

水素生成触媒

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JP2003112052A
JP2003112052A JP2001307236A JP2001307236A JP2003112052A JP 2003112052 A JP2003112052 A JP 2003112052A JP 2001307236 A JP2001307236 A JP 2001307236A JP 2001307236 A JP2001307236 A JP 2001307236A JP 2003112052 A JP2003112052 A JP 2003112052A
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Japan
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catalyst
zeolite
hydrogen
zeolite membrane
catalyst body
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JP2001307236A
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Hiroto Hirata
裕人 平田
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Toyota Motor Corp
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Toyota Motor Corp
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  • Hydrogen, Water And Hydrids (AREA)
  • Catalysts (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】炭化水素によるコーキングが生じても活性の低
下を生じにくくする。 【解決手段】水素生成活性を有する触媒本体層2の表面
に、ゼオライトの結晶が成長してなるゼオライト膜3を
形成した。ゼオライト膜3によって、コーキングしやす
い炭化水素が触媒本体層2に到達するのが抑制され、触
媒の活性点が炭素で覆われて失活するのが抑制される。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、自動車の排ガスな
ど炭化水素を含むガスから水素を生成する水素生成触媒
に関する。
【0002】
【従来の技術】アンモニア合成、メタノール合成、オキ
ソ合成など多くの化学工業プロセスあるいは石油精製に
おいて、水素あるいは水素と一酸化炭素との混合ガスは
重要な化学原料である。また最近では、燃料電池を始め
とするクリーンエネルギー源としての水素の重要性が増
大している。
【0003】さらに内燃機関の排ガス浄化においても、
NOx を還元する能力に優れた水素が注目されつつある。
例えば特開2000−170523号公報などには、水蒸気改質反
応用触媒を利用し、排ガス中のHCとH2O から生成された
H2を利用してNOx を還元することが記載されている。H2
はHCやCOに比べて還元活性が高く、NOx を効率よく還元
浄化することができる。
【0004】一方、NOx 吸蔵還元型触媒では、排ガス中
の硫黄成分の燃焼によって生じたSO 2 が硫酸イオンとな
ってNOx 吸蔵材と反応し、NOx 吸蔵能が消失する硫黄被
毒が問題となっている。排ガス雰囲気をストイキ〜リッ
チとすれば、硫黄被毒したNO x 吸蔵材がHC及びCOによっ
て還元されNOx 吸蔵能がある程度回復するものの、HC及
びCOの還元活性はさほど高くなく、硫黄被毒が残留する
場合が多い。
【0005】そこで特開2000−170523号公報などに開示
された水素生成触媒をNOx 吸蔵還元型触媒の排ガス上流
側に配置することが考えられる。H2はHC及びCOに比べて
還元活性が格段に高いので、硫黄被毒したNOx 吸蔵材が
効率よく還元されNOx 吸蔵能が回復する。
【0006】なお水素を製造する方法として、次式に示
す炭化水素の水蒸気改質反応がある。
【0007】CnHm+nH2O→ nCO+ (n+m/2)H2 この水蒸気改質反応は大きな吸熱を伴うので、外部から
必要な熱を供給する必要がある。そこで多くの場合には
反応ガス中に酸素を添加し、次式に示す部分酸化反応や
酸化反応の反応熱を利用して、水蒸気改質反応の進行を
促進させることが行われている。
【0008】CnHm+n/2O2 → nCO+m/2 H2 CnHm+(n+m/4)O2 →nCO2+m/2 H2 なお水蒸気改質反応においては、次式に示すCOシフト反
応が同時に進行する。
【0009】CO+ H2O→ CO2+H2 そして上記の反応を促進する水素生成触媒として、例え
ば特開平10-356号公報には、ジルコニアにロジウムを担
持したRh/ZrO2触媒が開示されている。このRh/ZrO2
媒によれば、還元成分が多いリッチ雰囲気の排ガス中に
おいて上記水蒸気改質反応が促進され、水素が生成す
る。
【0010】また特開2001-224961号公報(特願2000-37
991号)には、チタニアにPtを担持したPt/TiO2触媒が
開示されている。このPt/TiO2触媒によれば、還元成分
が多いリッチ雰囲気の排ガス中において上記COシフト反
応が促進され、水素が生成する。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】ところが上記したRh/
ZrO2触媒あるいはPt/TiO2触媒を自動車の排ガス中など
で用いた場合には、十分な水素生成量が得られないとい
う問題があった。この原因は、排ガス中に含まれる炭化
水素の種類(例えばベンゼン、トルエンなどの芳香族炭
化水素)によって触媒上でコーキングが生じ、生成した
炭素が触媒の活性点を覆ってしまうことにあると考えら
れている。
【0012】本発明はこのような事情に鑑みてなされた
ものであり、炭化水素によるコーキングが生じても活性
の低下を生じにくくすることを目的とする。
【0013】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決する本発
明の水素生成触媒の特徴は、炭化水素を含むガスから水
素を生成する触媒であって、水素生成活性を有する触媒
本体の表面にゼオライトの結晶が成長してなるゼオライ
ト膜を形成したことにある。
【0014】ゼオライト膜は、モル比SiO2/ Al2O3が 2
00以下であることが望ましい。
【0015】またゼオライト膜は、触媒本体上にゼオラ
イトの前駆体を析出させた後にゼオライト結晶を成長さ
せることで形成されることが望ましい。
【0016】
【発明の実施の形態】本発明の水素生成触媒では、水素
生成活性を有する触媒本体の表面にゼオライトの結晶が
成長してなるゼオライト膜を形成している。ゼオライト
膜は分子の大きさに匹敵する孔径2nm未満のミクロ細孔
を有しているので、分子体積の大きな芳香族炭化水素な
どの透過を阻止するとともに、脂肪族炭化水素などの透
過は許容される。したがってゼオライト膜によって、コ
ーキングしやすい炭化水素が触媒本体に到達するのが抑
制され、触媒の活性点が炭素で覆われて失活するのを抑
制することができる。また脂肪族炭化水素など水蒸気改
質反応に適した炭化水素、CO、 H2Oなどはゼオライト膜
を透過可能であるため、触媒本体による水素生成反応が
ゼオライト膜によって阻害されるような不具合が生じな
い。
【0017】またゼオライトは、その酸点がクラッキン
グ触媒として機能することが知られている。したがって
ゼオライト膜をもつ本発明の水素生成触媒では、芳香族
炭化水素などコーキングしやすい炭化水素がゼオライト
膜でクラッキングされ、水蒸気改質反応に適した炭化水
素に転化される作用も奏されるので、水素生成能がさら
に向上する効果も発現される。
【0018】水素生成活性を有する触媒本体としては、
Rh/ZrO2触媒に代表される水蒸気改質反応を促進する触
媒、Pt/TiO2触媒に代表されるCOシフト反応を促進する
触媒のいずれも用いることができる。また場合によって
は、部分酸化反応を促進する触媒を用いることもでき
る。
【0019】水蒸気改質反応を促進する触媒としては、
Rh/ZrO2触媒、Rh/CeO2触媒などが例示される。Rh/Zr
O2触媒では、Rhの担持量を 0.1〜10重量%とすることが
望ましい。Rhの担持量がこの範囲より少ないと水蒸気改
質反応の進行が困難となり、この範囲を超えて担持して
も活性が飽和するとともにコストアップとなる。
【0020】またCOシフト反応を促進する触媒として
は、Pt/TiO2触媒を始めとして、TiO2に各種貴金属ある
いは遷移金属を担持した触媒が例示される。Pt/TiO2
媒では、Ptの担持量を 0.1〜10重量%とすることが望ま
しい。Ptの担持量がこの範囲より少ないとCOシフト反応
の進行が困難となり、この範囲より多く担持するとPtど
うしの粒成長が起こりやすくなって活性が低下する場合
がある。なお上記した水蒸気改質反応を促進する触媒
は、COシフト反応を促進する作用を併せもつ場合が多
い。
【0021】ゼオライト膜とは、ゼオライトの結晶が成
長して形成された膜をいい、ZSM-5を始めとして、モル
デナイト、Y型ゼオライト、X型ゼオライト、シリカラ
イトなど各種ゼオライトからなる膜とすることができ
る。中でも、三次元的な細孔をもつZSM-5構造のゼオラ
イトの膜であることが特に好ましい。本発明では、ゼオ
ライト結晶が成長してなる緻密なゼオライト膜を有する
ことで初めて所期の効果が発現され、ゼオライト粉末を
水素生成活性を有する触媒本体の表面にコートした構成
では、ゼオライト粒子どうしの間隙からコーキングしや
すい炭化水素が進入して触媒本体に接触可能であるた
め、触媒本体の活性点が炭素で覆われて失活してしま
う。
【0022】このゼオライト膜の厚さは特に制限されな
いが、 0.1〜 100μmの範囲とすることが望ましい。ゼ
オライト膜の膜厚をこの下限より薄くすることは現時点
では困難であり、膜厚がこの上限より厚くなると、例え
ばハニカム触媒の場合にはセル開口面積が狭くなって通
気抵抗が高くなるという不具合がある。
【0023】またゼオライト膜は、モル比SiO2/ Al2O3
が 200以下であることが望ましい。モル比SiO2/ Al2O3
が 200を超えると、疎水性が高くなりすぎて H2Oが触媒
本体に到達するのが阻害され、水蒸気改質反応及びCOシ
フト反応が阻害されるようになるため好ましくない。
【0024】水素生成活性を有する触媒本体の形状は、
Rh/ZrO2触媒などからなる粉末状触媒、その粉末状触媒
を成形したペレット触媒、コージェライトなどの耐熱性
基材から形成されたハニカム基材の表面に粉末状触媒か
らなるコート層を形成したハニカム触媒などとすること
ができる。粉末状触媒又はペレット触媒の場合には、触
媒粒子又はペレットの表面を覆うゼオライト膜をもつ構
成となる。またハニカム触媒の場合には、粉末状触媒か
らなるコート層の表面にゼオライト膜をもつ構成とな
る。
【0025】そして触媒本体の表面にゼオライト膜を形
成するには、触媒本体表面にゼオライトの前駆体を析出
させた後に、ゼオライト結晶を成長させることで形成す
ることができる。例えば、シリカ源とアルミナ源の混合
溶液にテンプレート材を加えてアモルファス状のゲルか
らなるゼオライト前駆体を形成し、水熱合成により結晶
成長させた後焼成することで形成することができる。
【0026】ここでシリカ源としては、一般のシリカゾ
ルでもよいしシリコーンアルコキシドを用いることもで
きる。またアルミナ源としては硝酸アルミニウム、アル
ミナゾルあるいはアルミニウムアルコキシドなどを用い
ることができる。この場合、形成されるゼオライトにお
いてアルミナが金属Al換算で 0.4重量%以上となるよう
に混合することが望ましい。アルミナ源の添加量がこれ
より少ないと、形成されるゼオライト膜のSiO2/ Al2O3
モル比が 200を超えてしまう。
【0027】テンプレート材は形成されるゲルをゼオラ
イト構造に結晶させるためのものであり、例えばZSM-5
を製造する場合には、従来と同様にテトラプロピルアン
モニウム、テトラプロピルアンモニウムハイドロオキサ
イド、テトラプロピルアンモニウムブロミド、テトラプ
ロピルアンモニウムクロライド、テトラエチルアンモニ
ウム、1,3-ジアミノプロパンなど、4級アンモニウム化
合物の塩、水酸化物、酸化物あるいは誘導体を用いるこ
とができる。
【0028】シリカ源及びアルミナ源とテンプレート材
とをゲル化して、触媒本体表面にアモルファス状のゲル
からなるゼオライト前駆体を形成するには、触媒本体を
共存させてゾル・ゲル法、共沈法など公知の反応を利用
することで行うことができる。そしてシリカ源及びアル
ミナ源とテンプレート材との比率によって、形成される
ゼオライト結晶の粒度分布を制御することができる。例
えばSiO2に対するテンプレート材のモル比を、テンプレ
ート材/SiO2=1/10〜1/2の範囲とすれば、ゼオラ
イト結晶の平均一次粒子径を1μm以下とすることがで
き、緻密なゼオライト膜とすることができる。
【0029】水熱合成は 100〜 170℃の条件で行うこと
が好ましい。水熱合成温度が 100℃に満たないとゼオラ
イト結晶の成長が困難となり、水熱合成温度が 170℃を
超えるとゼオライト結晶が粗大化してしまう。特に望ま
しいのは 120〜 150℃の範囲である。この水熱合成はゼ
オライト結晶を生成し成長させるために行うものであ
り、密閉容器内にて30分〜5日程度処理される。この
際、圧力は自圧もしくは加圧下のいずれかの方法で行う
ことができるが、通常は自圧で行われる。
【0030】得られたゲルは、水洗後一般に乾燥工程が
行われ、その後焼成される。焼成は一般に大気中など酸
化雰囲気下で行われ、その条件は例えば 600℃で8時間
加熱する程度の条件である。この焼成によりテンプレー
ト材が焼失し、触媒本体表面に純粋なゼオライトからな
るゼオライト膜が形成される。
【0031】本発明の水素生成触媒は、単独で用いるこ
ともできるし、NOx 吸蔵還元型触媒と併用することも好
ましい。NOx 吸蔵還元型触媒と併用する場合には、NOx
吸蔵還元型触媒の上流側に本発明の水素生成触媒を配置
して用いるのが好ましいが、NOx 吸蔵還元型触媒粉末と
本発明の水素生成触媒粉末とが混合されたコート層を形
成して用いることもできる。
【0032】
【実施例】以下、実施例により本発明を具体的に説明す
る。
【0033】(実施例1)本実施例の水素生成触媒の模
式図を図1及び図2に示す。この触媒は、コーディエラ
イト製のハニカム形状の担体基材1と、担体基材1の表
面に形成されTiO2にPtを担持してなる触媒本体層2と、
触媒本体層2の表面に形成されたゼオライト膜3とから
構成されている。
【0034】以下、この水素生成触媒の調製方法を説明
して、構成の詳細な説明に代える。
【0035】TiO2粉末の所定量に所定濃度のジニトロジ
アンミン白金水溶液の所定量を含浸させ、蒸発乾固後 3
00℃で1時間焼成してPtを 1.0重量%担持した。得られ
たPt/TiO2触媒粉末をチタニアゾル(固形分で40重量
%)及び水と混合してスラリーを調製した。
【0036】次にコーディエライト製のハニカム形状の
担体基材(35cm3 、4ミル/ 400セル)を用意し、上記
スラリー中に浸漬し引き上げて乾燥後 550℃で1時間焼
成してPt/TiO2触媒からなる触媒本体層2を形成した。
触媒本体層2は担体基材1に5.0g形成された。
【0037】次にオルトケイ酸テトラエチル1モルに対
して、硝酸アルミニウム0.01モル、水酸化ナトリウム0.
05モル、テトラプロピルアンモニウムブロミド 0.1モ
ル、蒸留水80モルの割合で混合したスラリーを調製し、
上記触媒本体層2の表面にウォッシュコートして、室温
にて1日間放置し乾燥させた。これにより触媒本体層2
の表面には、アモルファス状のゼオライト前駆体のゲル
が形成された。
【0038】その後、容積300cm3のオートクレーブに蒸
留水50gを入れ、触媒本体層2の表面にゼオライト前駆
体のゲルが形成された担体基材1をオートクレーブ内の
水面に接触しない位置に配置し、蓋をして 170℃に加熱
されたオーブン中で3日間保持した。この水熱処理によ
り結晶が成長し、ゼオライト前駆体はZSM-5構造のゼオ
ライト膜となる。
【0039】そして触媒本体2の上層にゼオライト膜3
が形成された担体基材1を取り出し、蒸留水で洗浄して
乾燥後 550℃で4時間焼成し、テンプレートなど不純物
を焼失させた。得られた水素生成触媒では、ゼオライト
膜3が 2.2g形成されていた。
【0040】(比較例1)ゼオライト膜3を形成しなか
ったこと以外は実施例1と同様にして、Pt/TiO2触媒か
らなる触媒本体層2のみをもつ触媒を調製し、比較例1
の触媒とした。
【0041】(比較例2)実施例1と同様にして、担体
基材1の表面にPt/TiO2触媒からなる触媒本体層2を形
成した。次にオルトケイ酸テトラエチル1モルに対し
て、硝酸アルミニウム0.01モル、水酸化ナトリウム0.05
モル、テトラプロピルアンモニウムブロミド0.1モル、
蒸留水80モルの割合で混合したスラリーを調製し、上記
触媒本体層2の表面にウォッシュコートして、室温にて
1日間放置し乾燥させた。次いで大気中にて 550℃で1
時間焼成し、イオン交換水で洗浄後乾燥させて、触媒本
体層2の表面にZSM-5構造のゼオライト粉末よりなるゼ
オライトコート層を形成した。ゼオライトコート層は
2.7g形成された。
【0042】(比較例3)実施例1と同様にして、担体
基材1の表面にPt/TiO2触媒からなる触媒本体層2を形
成した。次に、市販のZSM-5構造のゼオライト粉末を用
いてスラリーを調製し、触媒本体層2の表面にウォッシ
ュコートし、 550℃で1時間焼成してZSM-5構造のゼオ
ライト粉末よりなるゼオライトコート層を形成した。ゼ
オライトコート層は 2.7g形成された。
【0043】<試験・評価>
【0044】
【表1】 上記実施例1及び比較例1〜3の触媒を実験用反応炉に
それぞれ配置し、上流より表1に示す組成のガスを空間
速度17000h-1で流通させ、 200〜 400℃の範囲で50℃刻
みで温度を変化させて、出ガス中のH2濃度をガスクロマ
トグラフィーにてそれぞれ測定した。結果を図3に示
す。
【0045】図3より、実施例1の水素生成触媒は各比
較例の触媒に比べて特に低温域におけるH2生成量が多い
ことがわかり、ゼオライト膜3を形成したことによって
低温域におけるCOシフト反応活性が向上していることが
明らかである。これは、炭化水素のコーキングで触媒本
体層2の活性点が覆われるのがゼオライト膜3によって
抑制された効果と考えられる。
【0046】(実施例2)本実施例の水素生成触媒は、
触媒本体層2が水蒸気改質反応を促進するRh/ZrO2触媒
から形成されていること以外は実施例1と同様の構成で
ある。以下、その製造方法を説明して構成の詳細な説明
に代える。
【0047】ZrO2粉末の所定量に所定濃度の硝酸ロジウ
ム水溶液の所定量を含浸させ、蒸発乾固後 300℃で1時
間焼成してRhを 1.0重量%担持した。得られたRh/ZrO2
触媒粉末をジルコニアゾル(固形分で40重量%)及び水
と混合してスラリーを調製した。
【0048】次にコーディエライト製のハニカム形状の
担体基材(35cm3 、4ミル/ 400セル)を用意し、上記
スラリー中に浸漬し引き上げて乾燥後 550℃で1時間焼
成してRh/ZrO2触媒からなる触媒本体層を形成した。触
媒本体層は担体基材に 5.0g形成された。
【0049】この触媒本体層をもつ担体基材を用いたこ
と以外は実施例1と同様にして、アモルファス状のゼオ
ライト前駆体のゲルを形成し、水熱処理により結晶を成
長させた後、推水洗・乾燥・焼成してZSM-5構造のゼオ
ライト膜を形成した。ゼオライト膜は 2.2g形成され
た。
【0050】(比較例4)ゼオライト膜を形成しなかっ
たこと以外は実施例2と同様にして、Rh/ZrO2触媒から
なる触媒本体層のみをもつ触媒を調製し、比較例4の触
媒とした。
【0051】(比較例5)実施例2と同様にして、担体
基材の表面にRh/ZrO2触媒からなる触媒本体層を形成し
た。その後比較例2と同様にして、触媒本体層の表面に
ZSM-5粉末よりなるゼオライトコート層を形成した。ゼ
オライトコート層は 3.0g形成された。
【0052】(比較例6)実施例2と同様にして、担体
基材の表面にRh/ZrO2触媒からなる触媒本体層を形成し
た。その後比較例3と同様にして、触媒本体層の表面に
ZSM-5構造のゼオライト粉末よりなるゼオライトコート
層を形成した。ゼオライトコート層は 3.0g形成され
た。
【0053】<試験・評価>
【0054】
【表2】 上記実施例2及び比較例4〜6の触媒を実験用反応炉に
それぞれ配置し、上流より表2に示す組成のガスを空間
速度17000h-1で流通させ、 200〜 500℃の範囲で50℃刻
みで温度を変化させて、出ガス中のH2濃度をガスクロマ
トグラフィーにてそれぞれ測定した。結果を図4に示
す。
【0055】図4より、実施例2の水素生成触媒は各比
較例の触媒に比べて特に低温域におけるH2生成量が多い
ことがわかり、ゼオライト膜を形成したことによって低
温域における水蒸気改質反応活性が向上していることが
明らかである。これは、炭化水素のコーキングで触媒本
体層の活性点が覆われるのがゼオライト膜によって抑制
された効果と考えられる。
【0056】
【発明の効果】すなわち本発明の水素生成触媒によれ
ば、炭化水素のコーキングによって触媒本体の活性点が
覆われるのが抑制されるため、水素生成反応が阻害され
るのが抑制され、水素の生成量が向上する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例の水素生成触媒の全体斜視図
である。
【図2】本発明の一実施例の水素生成触媒の要部を拡大
して示す説明図である。
【図3】実施例1と比較例1〜3の触媒の温度と水素生
成濃度との関係を示すグラフである。
【図4】実施例2と比較例4〜6の触媒の温度と水素生
成濃度との関係を示すグラフである。
【符号の説明】
1:担体基材 2:触媒本体層
3:ゼオライト膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 4G040 EA03 EA06 EC07 4G069 AA03 AA08 BA04B BA05B BA07A BA07B BA13B BC71B BC75B CC17 CC25 DA06 EA19 EE06 FB29 ZA11B ZB01 ZB03 ZB06 ZB09 ZC04

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 炭化水素を含むガスから水素を生成する
    触媒であって、水素生成活性を有する触媒本体の表面に
    ゼオライトの結晶が成長してなるゼオライト膜を形成し
    たことを特徴とする水素生成触媒。
  2. 【請求項2】 前記ゼオライト膜はモル比SiO2/ Al2O3
    が 200以下である請求項1に記載の水素生成触媒。
  3. 【請求項3】 前記ゼオライト膜は、前記触媒本体上に
    ゼオライトの前駆体を析出させた後にゼオライト結晶を
    成長させることで形成されることを特徴とする請求項1
    に記載の排ガス浄化用触媒。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009196884A (ja) * 2008-02-15 2009-09-03 Interuniv Micro Electronica Centrum Vzw ゼオライト結晶の合成方法及びパターン化された構造内でのカーボンナノ構造体の形成方法
WO2018158883A1 (ja) * 2017-03-01 2018-09-07 東洋ゴム工業株式会社 メタンの二酸化炭素改質用カプセル化触媒、及びそれを用いた合成ガスの製造方法

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