JP2003110221A - 配線基板の製造方法及びそれに用いるウエット処理システム - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】 導線となる金属膜が、その上面が基板上面と
ほぼ同一面を形成して露出するようにして基板内部に埋
め込まれた配線基板を、効率よく製造する方法を提供す
る。 【解決手段】 上面に溝状の凹部を有する板状体１から
なり該凹部にその上面が該板状体の上面と実質的に同一
面を形成するように金属２が充填されて導線５が形成さ
れている配線基板を製造するための基板中間体であっ
て、前記板状体上面の溝状凹部が形成されていない部分
の上部に金属層２で覆われたレジスト層４ａが形成され
ている基板中間体から、２５℃における表面張力が１８
〜７５（dyn/cm）で且つ水の含有量が１０００ｐｐｍ以
下である有機溶剤から成るウエット処理液を循環使用で
きる特殊なノズルを具備するウエット処理装置を含むウ
エット処理システムを用いて上記金属層で覆われたレジ
スト層を除去する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、大型液晶ディスプ
レー等に用いられる配線基板を製造する方法、及び該方
法において好適に使用できるウエット処理システム、更
に詳しくはレジスト層を有する基板中間体からリフトオ
フを行なって配線基板を製造する際のリフトオフ工程で
好適に使用できるウエット処理システムに関する。

【０００２】

【従来の技術】薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を用いたア
クティブマトリックス駆動方式の液晶ディスプレーは、
高精細画面化が可能で高速応答性に優れるという特長を
有しており、広く使用されている。該ＴＦＴ駆動方式の
液晶ディスプレーは、一般に上部にＴＦＴ素子や表示電
極が載置されて回路が形成された配線基板上に、液晶
層、透明電極層、カラーフィルター層、及びガラス基板
等から成る透明保護層がこの順で積層された構造を有し
ている。なお、上記配線基板においては、ガラス基板上
にゲート線及びソース線が格子状に配置されて多数のマ
トリックス（画素）が形成されており、各マトリックス
における両線の交点部にＴＦＴスイッチ素子が該素子の
ゲート及びソースがそれぞれゲート線及びソース線と接
合するように配置され、更に該素子のドレインと表示電
極（ＩＴＯ電極）がドレイン線によって接合されている
（該配線基板には必要に応じてキャパシタ素子が配置さ
れることもある）。

【０００３】ところで、このような配線基板におけるゲ
ート線等の導線は、一般に図１に示すように、下記〜
の一連の工程によって形成されている。即ち、ガラ
ス基板１上に導線を構成する金属膜２を蒸着法等により
形成する工程、該金属膜２上にレジスト３を塗布する
工程、露光・現像を行なった後に未硬化レジストを除
去する工程、乾燥・熱処理（以下、単にベーキングと
もいう。）・紫外線照射レジスト硬化処理（以下、単に
ＵＶキュアともいう。）を行なって導線形状のレジスト
パターン４を形成する工程、表面に露出している金属
膜をエッチング除去する工程、レジストパターンを剥
離し、エッチングされずに残った金属膜からなる導線５
を表面に露出させる工程、及び洗浄する工程を経て形
成されている。このため、導線５が形成された基板の表
面は平面ではなく、金属膜がその厚さ分だけ凸状に突き
出た構造となっている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】近年、情報技術の発展
に伴い、高品位の大型液晶ディスプレーの開発が望まれ
ており、上記ＴＦＴ駆動型の液晶ディスプレーや有機Ｅ
Ｌ、無機ＥＬ型の液晶ディスプレーにおいても大型化が
望まれている。しかしながら、液晶ディスプレーの大型
化を行なうと上記配線基板における導線の総線長が著し
く増大し、それに伴って配線抵抗や配線容量が増大する
ためにゲート線伝搬波形が劣化するという問題が発生す
る。このため、高品位の大型液晶ディスプレー開発のた
めには、上記配線基板の配線抵抗を低減する必要があ
る。

【０００５】配線抵抗は、導線となる金属膜の断面積を
大きくすることにより低減することが可能であるが、金
属膜の膜厚を厚くして断面積を増大させた場合には、基
板表面と厚膜配線表面との間に段差が生じ、液晶の配向
不良の原因となってしまう。また、金属膜の幅を広げて
断面積を増大させた場合には、配線容量が増加して配線
の電圧を上げるために必要な電流が大きくなってくるの
で駆動回路への負担が増大したり、開口率が低下して、
光透過量が下がりディスプレー全体が暗くなる。また、
従来の明るさを保持しようとするとバックライトの明る
さを大きくしなければならず、バックライトの消費電力
が増大するという問題が生じてしまう。

【０００６】このような問題は、導線となる金属膜を基
板内部埋め込むことにより解決できると考えられる。即
ち、金属膜の上面が基板上面とほぼ同一面を形成して露
出するようにして基板内部に埋め込めば、金属膜の膜厚
を厚くしても配線基板の表面には大きな段差が生じない
ので、上記のような問題を起こすことなく配線抵抗を低
減することが可能となる。しかしながら、この様な埋め
込み型の配線基板は未だ実用化されておらず、この様な
配線基板を効率よく製造する技術も確立されていない。
そこで、本発明は、このような埋め込み型の配線基板
を、効率よく製造する方法を提供することを課題とす
る。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上記のような埋め込み型
の配線基板は、基板に溝を形成しその内部のみに金属を
充填することにより製造方法できると考えられる。例え
ば、図２に示すように、(1)ガラス基板１にレジスト３
ａを塗布した後に(2)露光・現像してから未硬化のレジ
ストを除去して、溝が形成される部分の基板上面が表面
に露出するようなレジストパターン４ａを形成し、次い
で(3)基板のエッチングを行なって溝６を形成した後に
(4)レジスト剥離を行ない、(5)洗浄を行なった後に(6)
レジスト剥離された基板の上面全面に蒸着法等により溝
がちょうど埋まるようにして金属膜２を形成し、その後
(7)該金属膜２上にレジスト３ｂを塗布し(8)露光・現像
・未硬化レジスト除去してから(9)ベーキング・ＵＶキ
ュアして溝の上部にのみレジストが残存するようなレジ
ストパターン４ｂを形成し、引続き(10)表面に露出した
金属膜をエッチングしてから(11)レジスト剥離を行なっ
て導線５を表面に露出させ、最後に(12)洗浄することに
より製造することが可能である。しかしながら、上記方
法は、工程数が多く製造コストが高くなったり、リード
タイムが長くなったりするばかりでなく、レジスト剥離
剥離工程や洗浄工程が多いためこれら工程で使用する薬
液量が多く成ってしまうという問題がある。

【０００８】そこで、本発明者等は、より少ない工程で
上記のような埋め込み型配線基板を製造する方法につい
て検討を行なったところ、図３に示すような方法によれ
ばより効率的に埋め込み型基板を製造できることに想到
した。即ち、前記図２の工程(3)のエッチング工程に引
続き、レジスト剥離を行なうことなく(4')洗浄を行ない
｛この時、図３(3)に示される溝の上部に軒状にはみ出
したレジストパターンのはみ出した部分は水溶液中で超
音波を照射することにより除去するのが好ましい。｝、
(5')ベーキング・ＵＶキュアを行なった後に、(6')レジ
ストパターン４ａが残存した状態で前記工程(6)と同様
にして金属膜２の形成を行ない、次いで(7')上面が金属
膜で覆われたレジストパターンを除去（リフトオフ）し
てから(8')洗浄すれば、より少ない工程で埋め込み型基
板を製造することが可能である。

【０００９】そして、本発明者等は上記方法において
は、上記(7')のリフトオフ工程において、特開平１０−
１６３１５３号公報や特開平１０−１７７９７８号公報
に開示されている特殊なノズルを具備するウエット処理
装置を用いれば、該工程の自動化も可能で使用する薬液
（ウエット処理液）をリサイクルすればその使用量も大
幅に低減することも可能であると考え、該工程にこれら
装置を適用することについて検討を行なった。その結
果、上記ウエット処理装置で通常使用されている水系の
ウエット処理液には金属配線の腐食防止のために防食剤
が含まれているため、ウエット処理液の回収・再利用は
困難であること、水を含有しない有機溶媒をウエット処
理液として使用すれば防食剤の添加は不用になるが上記
装置に適用した場合には所期の処理性能が達成されない
ことがあるが特定の表面張力を有する有機溶媒を用いれ
ば所期の処理性能が発揮されるという知見を得、更にこ
のような有機溶媒を用いたリサイクルシステムを構築す
ることにより本発明を完成するに至った。

【００１０】即ち、第一の本発明は、（Ａ） ２５℃に
おける表面張力が１８〜７５（dyn/cm）で且つ水の含有
量が１０００ｐｐｍ以下である有機溶剤から成るウエッ
ト処理液を貯留するためのウエット処理液貯槽と、
（Ｂ） (b1)(i)一端に上記ウエット処理液を導入する
ための導入口を有する導入通路と一端にウエット処理後
の上記ウエット処理液をウエット処理の系外へ排出する
ための排出口を有する排出通路を形成し、該導入通路と
該排出通路とをそれぞれの他端において交差せしめて交
差部を形成するとともに該交差部に、被ウエット処理物
に向けて開口する開口部を設けて成るノズル構成体と、
(ii)該開口部を介して被ウエット処理物に接触したウエ
ット処理液がウエット処理後に、該排出通路外に流れな
いように被ウエット処理物と接触しているウエット処理
液の圧力と大気圧との差を制御するための圧力制御手段
と、を有するウエット処理液供給ノズルと(b2) 該ウエ
ット処理液供給ノズルと被ウエット処理物とを相対的に
移動させるための手段と、(b3) 前記ウエット処理液貯
槽から該ウエット処理液供給ノズルの導入口へウエット
処理液を移送するための移送手段とを具備するウエット
処理装置と、（Ｃ） フィルター、ストレーナー、及び
沈殿槽からなる群より選ばれる少なくとも１種の、前記
ウエット処理液供給ノズルの排出口から排出されたウエ
ット処理後のウエット処理液から不溶性固体不純物を除
去するための不溶性固体不純物を除去手段と、（Ｄ）
前記ウエット処理液供給ノズルの排出口から排出された
ウエット処理後のウエット処理液を、該不溶性固体不純
物を除去手段を介して前記ウエット処理液貯槽へ移送す
る移送手段と、（Ｅ） 前記ウエット処理液貯槽内の溶
解性不純物の含有量を所定の量以下に制御するための制
御装置とを具備することを特徴とするウエット処理シス
テムである。

【００１１】上記本発明のウエット処理システムは、前
記した特殊なウエット処理液供給ノズルを具備するウエ
ット処理装置を使用しているため、少量のウエット処理
液で効率よくリフトオフを行なうことが可能なばかりで
なく、処理後のウエット処理液を回収、精製して循環使
用するため、環境に優しいシステムであると言える。本
発明のウエット処理システムの中でも前記（Ｅ）の制御
装置が、蒸留手段、未使用ウエット洗浄液供給手段、及
び溶解性不純物濃度測定手段からなるものは、装置構成
も簡単で操作も容易である。また、（Ｆ）ウエット処理
液と接触する被ウエット処理物の少なくとも近傍におけ
る雰囲気中の酸素及び水蒸気濃度をそれぞれ所定値以下
に調整するための雰囲気制御手段を具備するものは、有
機溶媒処理液の使用に起因する火災や爆発等の事故等を
防止することができ、安全に優れるという特徴を有す
る。

【００１２】また、第二の本発明は、上面に溝状の凹部
を有する板状体からなり該凹部にその上面上面が該板状
体の上面と実質的に同一面を形成するように金属が充填
されて導線が形成されている配線基板を製造するための
基板中間体であって、前記板状体上面の溝状凹部が形成
されていない部分の上部に金属層で覆われたレジスト層
が形成されている基板中間体から前記本発明のウエット
処理システムを用いて上記金属層で覆われたレジスト層
を除去することを特徴とする前記配線基板の製造方法で
ある。該方法によれば、ＴＦＴ駆動型の大型液晶ディス
プレー及び有機ＥＬや無機ＥＬディスプレーに好適に使
用できる配線基板を効率よく製造することができる。該
方法においては、リフトオフ後の洗浄・乾燥工程とし
て、アルコールを用いた場合には、より清浄な配線基板
を得ることができる。

【００１３】

【発明の実施の形態】以下、図４、図５及び図６を用い
て本発明を具体的に説明するが、本発明はこれら図に示
される態様に限定されるものではない。

【００１４】図４及び図５に代表的な本発明ウエット処
理システムの構成要素の配置及びウエット処理液の流れ
を示す。図４に示されるウエット処理システムは、基本
的に、ウエット処理液（以下単に「処理液」ともいう）
を貯留するためのウエット処理液貯槽（以下、単に「タ
ンク」ともいう。）１００；ウエット処理装置２００；
タンクからウエット処理装置へ処理液を移送するための
供給配管６０１；ウエット処理装置２００から使用後の
処理液をタンクに移送するための戻り配管６０２；該戻
り配管の途中に設置されたフィルター３０１及び３０
２；蒸留装置４００、；タンクから該蒸留装置に処理液
を供給するための精製供給配管６０３；蒸留装置で精製
された処理液をタンクに戻すための精製戻し配管６０
４；蒸留釜やライトエンド残等の不純物濃縮液を抜き出
すための排出配管６０５；タンクへ未使用の処理液を供
給する補給配管６０６；並びに前記供給配管６０１の途
中に設置された不純物濃度モニター５００で構成されて
いる。

【００１５】また、ウエット処理装置２００は窒素ガス
等の不活性ガスが供給できる容器７００内に設置されて
おり、例えば不活性ガスを絶えず流通させることにより
処理液蒸気が酸素と混合して爆鳴気を作らないようにす
ると共に系内に水分が混入するのを防止し、被処理物の
金属部分が腐食するのを防止できるようになっている。
安全のため、上記容器には酸素ガスセンサー８００を設
置し容器内の酸素ガス濃度をモニターするのが好適であ
る。また、図５に示すようなウエット処理システムでも
図４と同等の処理を行うことが可能である。図５に示さ
れるウエット処理システムは、基本的に、ウエット処理
液（処理液）、および回収されたウエット処理後の液を
貯留するウエット処理液貯槽（タンク）１００；精製後
の処理液を貯留する精製液貯槽１０１；ウエット処理装
置２００；精製液貯槽１０１からウエット処理装置へ処
理液を移送するための供給配管６０１；ウエット処理装
置２００で使用後の処理液をウエット処理装置からタン
クに移送するための戻り配管６０２；該戻り配管の途中
に設置されたフィルター３０１及び３０２；蒸留装置４
００、；タンクから該蒸留装置に処理液を供給するため
の精製供給配管６０３；蒸留装置で精製された処理液を
精製液貯槽１０１に移すための精製液戻し配管６０４；
蒸留釜やライトエンド残等の不純物濃縮液を抜き出すた
めの排出配管６０５；精製液貯槽へ未使用の処理液を供
給する補給配管６０６；並びに前記供給配管６０１の途
中に設置された不純物濃度モニター５００で構成されて
いる。

【００１６】また、ウエット処理装置２００は窒素ガス
等の不活性ガスが供給できる容器７００内に設置されて
おり、例えば不活性ガスを絶えず流通させることにより
処理液蒸気が酸素と混合して爆鳴気を作らないようにす
ると共に系内に水分が混入するのを防止し、被処理物の
金属部分が腐食するのを防止できるようになっている。
安全のため、上記容器には酸素ガスセンサー８００を設
置し容器内の酸素ガス濃度をモニターするのが好適であ
る。

【００１７】なお、上記ウエット処理装置２００は、図
６に示すように、(ｂ1）(i)一端に処理液を導入するた
めの導入口２０１を有する導入通路２０２と一端にウエ
ット処理後の上記処理液をウエット処理の系外へ排出す
るための排出口２０３を有する排出通路２０４を形成
し、該導入通路と該排出通路とをそれぞれの他端におい
て交差せしめて交差部２０５を形成するとともに該交差
部に、被ウエット処理物９００に向けて開口する開口部
２０６を設けて成るノズル構成体２０７と、(ii)該開口
部２０６を介して被ウエット処理物９００に接触した処
理液がウエット処理後に、該排出通路２０２外に流れな
いように、被ウエット処理物９００と接触しているウエ
ット処理液の圧力と大気圧との差を制御するための圧力
制御手段であるポンプ２０８と、を有するウエット処理
液供給ノズル２０９と、(b2)該ウエット処理液供給ノズ
ル２０９と被ウエット処理物９００とを相対的に移動さ
せるための手段である搬送ローラー２１０と、（b3）前
記タンクから該ウエット処理液供給ノズルの導入口へタ
ンク内の処理液を移送する移送手段である供給配管６０
１（図４及び５には示すが、図６には図示しない。）
と、を具備している。

【００１８】なお、前記ノズル構成体にはリフトオフ効
率を高めるために超音波発信素子２１１や多穴体等から
なる整流手段２１２、更に超音波の反射を吸収するため
のアブソーバー２１３が具設されていてもよい。本発明
で使用するウエット処理装置は上記に様な構造を有する
ものであれば特に限定されず、特開平１０−１６３１５
３号公報や特開平１０−１７７９７８号公報に開示され
ているような公知の装置が制限なく使用できる。このよ
うなウエット処理装置は、現在市販されており、例えば
枚葉洗浄用ハイメガソニック洗浄機ＳＷＵＳシャワー
（株式会社カイジョー製）等が好適に使用できる。

【００１９】図４に示すシステムでは、タンク１００か
ら供給配管６０１を通して供給された処理液を用いてウ
エット処理装置で被処理物、例えば前記したような基板
中間体の処理（リフトオフ）を行ない、使用済みの処理
液は戻り配管６０２を通ってタンク１００に回収され
る。この時、処理によって使用済み処理液には金属膜片
等の不溶性不純物およびレジスト等の溶解性不純物が含
まれるようになるが、該不溶性不純物の大部分は戻り配
管６０２に設置されたフィルター３０１及び３０２で取
り除かれる。図４には２つのフィルターを直列に配置し
た（この場合、上流側に目の粗いフィルターを下流側に
目の細かいフィルターを配置するのが一般的である）態
様を示したが、フィルター数は１以上であれば特に限定
されず、又配置方式も直列、並列、又はその組み合わせ
の何れであってもよく、また、フィルターに替えてスト
レーナー又は沈殿槽を使用することも可能である。不溶
性不純物の大部分はこのフィルターで除去することが可
能であるが、微細な不溶性不純物及び溶解性不純物（な
お、本発明ではフィルターで除去できない微細な不溶性
不純物は溶解性不純物として取り扱う。）は使用済み処
理液と共にタンク１００に運ばれる。このためタンク１
００内の処理液にはこれら不純物が含まれることにな
る。その量が少ないうちは処理性能に悪影響は及ぼさな
いが、処理液の循環使用を繰り返すうちにその含有量は
増大し、そのまま繰り返し使用を続けた場合には、処理
性能の低下を招く。図４に示すシステムでは、蒸留装置
４００、未使用の処理液を供給する補給配管６０６、及
び不純物濃度モニター５００を用いて処理液中の溶解性
不純物の含有量を所定の量以下に制御し、処理性能の低
下を防止している。即ち、タンク内の処理液中の不溶性
不純物濃度が予め定めた特定値を越えないように、精製
供給配管６０３を通してタンク内の処理液を連続的又は
断続的に一部又は全部抜き出して蒸留精製を行なって精
製済みの処理液を精製戻し配管６０４を通してタンク１
００に戻すと共に排出配管６０５を通して不純物が蒸留
によって濃縮された廃液を系外に排出し、処理液が不足
した場合には補給配管６０６を通して未使用の処理液を
タンク１００に供給することにより処理液中の溶解性不
純物の含有量を所定の量以下に制御している。なお、不
純物濃度モニターとしては、処理液の電気伝導度あるい
は比抵抗から不純物濃度を求めるようなタイプものが好
適に使用できる。

【００２０】本発明のウエット処理システムにおいて
は、ウエット処理液として２５℃における表面張力が１
８〜７５（dyn/cm）で且つ水の含有量が１０００ｐｐｍ
以下である有機溶剤から成るウエット処理液を使用する
ことが重要である。有機溶剤系のウエット処理液を使用
した場合においても有機溶剤が１０００ｐｐｍを越える
水分を含有する場合には、防食剤を添加しないと被処理
物における金属部分が腐食するおそれがある。また、表
面張力が７５dyn/cmを越える有機溶剤は入手が非常に困
難であり、更に表面張力が１８dyn/cm未満の有機溶剤を
用いた場合には、ウエット処理液の圧力と大気圧のバラ
ンスが保つのが困難となり、ウエット処理装置からウエ
ット処理液がこぼれてしまい前記したようなウエット処
理装置を用いてリフトオフを行なうことが実質的に不可
能となる。即ち、本発明のウエット処理システムで用い
るウエット処理装置のノズルでは、一方の端部からウエ
ット処理液を連続して供給し、他端から処理後のウエッ
ト処理液を連続して吸い上げるが、この時に漏れを起こ
さないようにするためには、供給と排出の流れを２つの
平面（ノズルと基板）の端部近傍（液空気と接する部
分）で制御してウエット処理液の圧力と大気圧との差を
適度にバランスさせる必要がある。この場合、用いるウ
エット処理液の粘性や表面張力が変わっても、ノズルと
基板との距離（ギャップ）を調整することに両者の圧力
バランスをとることは可能であるが、ウエット処理液の
表面張力が１８dyn/cm未満の場合には、このようなギャ
ップの調整により圧力バランスをとることが非常に困難
となる。本発明者等が枚葉洗浄用ハイメガソニック洗浄
機ＳＷＵＳシャワー（株式会社カイジョー製）を用いて
検討を行なったところ、ペルフルオロヘキサン（表面張
力：13.8dyn/cm）、トリフルオロ酢酸（表面張力：15.6
dyn/cm）、ヘキサメチルジシロキサン（表面張力：17.0
dyn/cm）、及びモノエチルエーテル(17.1dyn/cm)を用い
た場合には、ギャップを調整しても実用的な使用条件で
は液漏れを防止することができなかった。

【００２１】表面張力が１８〜７５（dyn/cm）の有機溶
剤としては、例えば、エタノール(24.1dyn/cm：以下単
位同じ)、プロパノール(22.9)、ブタノール(27.2)等の
アルコール類、アセトン(26.3)、メチルエチルケトン(2
6.8)、シクロヘキサノン(37.7)、メチルイソアミルケト
ン(34.5)、２−ヘプタノン(28.8)、メチルイソブチルケ
トン(25.4)等のケトン類、エチレングリコール(50.2)、
ジエチレングリコール(47.0)、プロピレングリコール(3
6.5)等のグリコール類；ｎ−ブチルエーテル(21.99)、
ジオキサン(36.2)のような環式エーテル；乳酸エチル(3
0.7)、酢酸メチル(28.0)、酢酸エチル(26.3)、酢酸ブチ
ル(27.6)等のエステル類；エチレングリコールモノメチ
ルエーテルアセタート(31.8)、エチレングリコールモノ
エチルエーテルアセタート(33.8)プロピレングリコール
モノメチルエーテルアセテート(26.4)、Ｎ−メチル−２
−ピロリドン(41.0)、３−メトキシプロピオン酸メチル
(30.9)等が例示されるので、これらの中から処理する被
処理物に使用されている基板やレジストの材質に応じて
好適なものを適宜選択して使用すればよい。これら有機
溶剤は一般に工業的に入手可能である。水分含有が１０
００ｐｐｍ以下の溶剤が入手可能な場合には、そのまま
使用して何ら差支えないが、水分含有量が不明の場合に
は、カールフィッシャー法等により水分量を測定し、そ
の量が１０００ｐｐｍを越える場合には脱水処理を行な
ってから使用すればよい。

【００２２】なお、本発明で使用するウエット処理液
は、上記した条件を満足するものであれば特に限定され
なず、安定剤や防食剤等の添加剤が添加されたものも使
用可能であるが、蒸留における精製効率が高いという観
点から、防食剤を含有しないことが好適である。更に、
本発明においては、前記したウエット処理装置の性能を
十分発揮でき、精製・回収効率が高いことから、ウエッ
ト処理液としては２５℃における表面張力が２０〜５５
（dyn/cm）で且つ水の含有量が１０００ｐｐｍ以下であ
り、更に防食剤を含有しない有機溶剤を使用するのが特
に好適である。

【００２３】本発明のウエット処理システムは、前記図
３の工程(7’)のリフトオフ処理に相当する処理、即
ち、上面に溝状の凹部を有する板状体からなり該凹部に
その上面上面が該板状体の上面と実質的に同一面を形成
するように金属が充填されて導線が形成されている配線
基板｛図３（８’）に示される基板｝を製造するための
基板中間体であって、前記板状体上面の溝状凹部が形成
されていない部分の上部に金属層で覆われたレジスト層
が形成されている基板中間体から上記金属層で覆われた
レジスト層を除去して上記配線基板を製造する方法にお
けるリフトオフ工程（即ち、上記金属層で覆われたレジ
スト層を除去する工程）に好適に使用できる。

【００２４】ここで、代表的な上記基板中間体として
は、前記図３の工程(７’)に示されるような基板中間体
（以下、３図基板中間体ともいう。）を示すことができ
るが、当該３図基板中間体に限らず上記のような条件を
満足するものであれば特に制限なく使用できる。なお、
３図基板中間体は、図２及び図３の説明として前記した
ような方法で作製される。このとき、使用する基板、レ
ジスト、金属膜、エッチング剤等の各種材料としては公
知の材料が制限なく使用でき、また露光・現像方法、ベ
ーキング・ＵＶキュア方法、金属膜の製膜方法も使用す
る材料に応じて公知の方法が制限なく使用できる。例え
ば、ＴＦＴ駆動型の大型液晶ディスプレー用配線基板の
基板中間体においては、基板材料としては、ソーダ・ラ
イム・ガラス、ホウケイ酸ガラス、低アルカリガラス、
無アルカリガラス、シリカガラス、多成分ガラス等が、
レジスト材料としてはポジ型感光性樹脂、ネガ型感光性
樹脂が、金属膜材料としては、アルミニウム、クロム、
銅、ニッケル、チタン、金、銀等が一般的に使用されて
おり、本発明においてもこのような材料が使用できる。

【００２５】また、上記方法においては、リフトオフ工
程終了後、アルコールを用いた洗浄・乾燥工程を行なう
こともできる。この時、アルコールとしては、メタノー
ル、エタノール、イソプロピルアルコール等が好適に使
用できる。また、この洗浄・乾燥工程は、現在市販され
ている、例えば枚葉洗浄用ハイメガソニック洗浄機ＳＷ
ＵＳシャワー（株式会社カイジョー製）やHC-4シリーズ
（芝浦メカトロニクス株式会社製）等を用いて好適に行
なうことができるが、該装置においても本発明のウエッ
ト処理システムと同様にして洗浄液であるアルコールを
リサイクルするのが好適である。

【００２６】

【発明の効果】本発明のウエット処理システムによれ
ば、従来一般的に用いられているウエット処理装置に比
べて処理液の使用量を大幅に低減できることが知られて
いる特殊なノズルを有する前記ウエット処理装置を用い
て、処理液として非水系の有機溶剤を用いてリフトオフ
工程を行なうことが可能となる。さらに、本発明で使用
する処理液は水の含有量が厳しく管理されているので、
防食剤を添加しなくても被処理物の金属部分を腐食させ
ることがない。また、本発明のウエット処理システムで
は、使用後の処理液を精製しながらリサイクルするの
で、更に処理液の使用量を低減することができる。この
ように本発明のウエット処理システムは、有機廃液の排
出量の極めて少ない省資源・環境対応型のウエット処理
システムであると言える。

【００２７】また、本発明のウエット処理装置は、ＴＦ
Ｔ駆動型の大型液晶ディスプレーに好適に使用できる埋
め込み型の配線基板を効率よく製造できる図３に示すよ
うな製造法のリフトオフ工程に好適に使用できる。図３
に示す製造方法自体が図２に示すようなリフトオフ工程
を含まない製造方法と比べて、工程が省略されており、
製造時間や製造コストの点で有利な製造方法であると言
えるが、本発明のウエット処理装置を用いる本発明の製
造方法は、上記したような本発明のウエット処理システ
ムのメリットと相俟って、更に効率化されており、工業
的に優れた製法であると言える。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本図は、従来のＴＦＴ駆動型の液晶ディスプ
レーに使用されている配線基板を製造する際の工程の模
式図である。

【図２】 本図は、ＴＦＴ駆動型の大型液晶ディスプレ
ーに好適と考えられる埋め込み型配線基板を製造する方
法であって、リフトオフ工程を含まない方法における工
程の模式図である。

【図３】 本図は、ＴＦＴ駆動型の大型液晶ディスプレ
ーに好適と考えられる埋め込み型配線基板を製造する方
法であって、リフトオフ工程を含む方法における工程の
模式図である。

【図４】 本図は、代表的な本発明ウエット処理システ
ムにおける各構成要素の配置及びウエット処理液の流れ
を示す。

【図５】 本図は、代表的な本発明ウエット処理システ
ムにおける各構成要素の配置及びウエット処理液の流れ
を示す。

【図６】 本図は、本発明のウエット処理システムで使
用する代表的なウエット処理装置の断面図である。

【符号の説明】

１：ガラス基板 ２：金属膜 ３、３ａ、３ｂ：レジスト ４、４ａ、４ｂ：レジストパターン ５：導線 ６：溝 １００：ウエット処理液貯槽（タンク） １０１：精製液貯槽 ２００：ウエット処理装置２００ ２０１：導入口 ２０２：導入通路 ２０３：排出口 ２０４：排出通路 ２０５：交差部 ９００：被ウエット処理物 ２０６：開口部 ２０７：ノズル構成体 ２０８：ポンプ ２０９：ウエット処理液供給ノズル ２１０：搬送ローラー ２１１：超音波発信素子 ２１２：整流手段２１２ ２１３：アブソーバー２１３ ３０１、３０２：フィルター ４００：蒸留装置４００ ５００：不純物濃度モニター５００ ６０１：供給配管６０１ ６０２：戻り配管６０２ ６０３：精製供給配管６０３ ６０４：精製戻し配管６０４ ６０５：排出配管 ６０６：補給配管６０７ ７００：容器 ８００：酸素ガスセンサー ９００：被処理物

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 野仲 徹 茨城県つくば市和台40 株式会社トクヤマ つくば研究所内 (72)発明者 金近 幸博 宮城県仙台市若林区若林２丁目５の44の 503 Ｆターム(参考） 2H092 GA17 GA25 MA04 MA13 MA18 NA27 NA28 PA01 2H097 FA02 JA04 LA09 5E339 AB05 BC01 BC02 BC03 BD13 BE16 BE17 CC01 CC02 CE14 CF16 CF17 CG04 DD04 EE10 GG10

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 （Ａ）２５℃における表面張力が１８〜
   ７５（dyn/cm）で且つ水の含有量が１０００ｐｐｍ以下
   である有機溶剤から成るウエット処理液を貯留するため
   のウエット処理液貯槽と、（Ｂ）一端に上記ウエット処
   理液を導入するための導入口を有する導入通路と一端に
   ウエット処理後の上記ウエット処理液をウエット処理の
   系外へ排出するための排出口を有する排出通路を形成
   し、該導入通路と該排出通路とをそれぞれの他端におい
   て交差せしめて交差部を形成するとともに該交差部に、
   被ウエット処理物に向けて開口する開口部を設けて成る
   ノズル構成体と、該開口部を介して被ウエット処理物に
   接触したウエット処理液がウエット処理後に、該排出通
   路外に流れないように、被ウエット処理物と接触してい
   るウエット処理液の圧力と大気圧との差を制御するため
   の圧力制御手段とを有するウエット処理液供給ノズル
   と、該ウエット処理液供給ノズルと被ウエット処理物と
   を相対的に移動させるための手段と、前記ウエット処理
   液貯槽から該ウエット処理液供給ノズルの導入口へウエ
   ット処理液を移送するための移送手段とを具備するウエ
   ット処理装置と、（Ｃ）フィルター、ストレーナー、及
   び沈殿槽からなる群より選ばれる少なくとも１種の、前
   記ウエット処理液供給ノズルの排出口から排出されたウ
   エット処理後のウエット処理液から不溶性固体不純物を
   除去するための不溶性固体不純物を除去手段と、（Ｄ）
   前記ウエット処理液供給ノズルの排出口から排出された
   ウエット処理後のウエット処理液を、該不溶性固体不純
   物を除去手段を介して前記ウエット処理液貯槽へ移送す
   る移送手段と、（Ｅ）前記ウエット処理液貯槽内の溶解
   性不純物の含有量を所定の量以下に制御するための制御
   装置とを具備することを特徴とするウエット処理システ
   ム。
2. 【請求項２】 前記（Ｅ）の制御装置が、蒸留手段、未
   使用ウエット洗浄液供給手段、及び溶解性不純物濃度測
   定手段からなることを特徴とする請求項１記載のウエッ
   ト処理システム。
3. 【請求項３】 （Ｆ）ウエット処理液と接触する被ウエ
   ット処理物の少なくとも近傍における雰囲気中の酸素及
   び水蒸気濃度をそれぞれ所定値以下に調整するための雰
   囲気制御手段を具備することを特徴とする請求項１又は
   ２に記載のウエット処理システム。
4. 【請求項４】 上面に溝状の凹部を有する板状体からな
   り該凹部にその上面が該板状体の上面と実質的に同一面
   を形成するように金属が充填されて導線が形成されてい
   る配線基板を製造するための基板中間体であって、前記
   板状体上面の溝状凹部が形成されていない部分の上部に
   金属層で覆われたレジスト層が形成されている基板中間
   体から請求項１乃至３の何れかのウエット処理システム
   を用いて上記金属層で覆われたレジスト層を除去するこ
   とを特徴とする前記配線基板の製造方法。
5. 【請求項５】 請求項１乃至３の何れかのウエット処理
   装置を用いて上記金属層で覆われたレジスト層を除去し
   た後、アルコールを用いて基板を洗浄・乾燥することを
   特徴とする請求項４に記載の製造方法。