JP2003101235A - Multilayer wiring board and method of manufacturing the same - Google Patents

Multilayer wiring board and method of manufacturing the same

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JP2003101235A JP2001298548A JP2001298548A JP2003101235A JP 2003101235 A JP2003101235 A JP 2003101235A JP 2001298548 A JP2001298548 A JP 2001298548A JP 2001298548 A JP2001298548 A JP 2001298548A JP 2003101235 A JP2003101235 A JP 2003101235A
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哲明 尾崎
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a multilayer wiring board in which the electrical connection of a via conductor to a conductor wiring layer is improved in a surface multilayer wiring layer formed on the surface of a core board. SOLUTION: The surface roughness (Rz1 ) of a contact part 17 with via conductors 8, 13 formed on the surface multilayer wiring layer B in the conductor wiring layer 11 is smaller than the surface roughness (Rz2 ) of a bonding part 19 to insulating layers 3a to 3d constituting the layer B.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、多層配線基板及び
その製造方法に関し、特に、コア基板の表面に表面多層
配線層を積層してなる多層配線基板及びその製造方法に
関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a multilayer wiring board and a method for manufacturing the same, and more particularly to a multilayer wiring board having a surface multilayer wiring layer laminated on the surface of a core board and a method for manufacturing the same.

【0002】[0002]

【従来技術】近年、携帯情報端末の発達やモバイルコン
ピューティングの普及に伴い、小型、高精細かつ高速動
作に適した多層配線基板が求められている。
2. Description of the Related Art In recent years, with the development of mobile information terminals and the widespread use of mobile computing, there has been a demand for a small-sized, high-definition multilayer wiring board suitable for high-speed operation.

【0003】このような高精細で高速動作の要求に対応
するための多層配線基板として、従来よりビルドアップ
法により製造されるものが知られている。
As a multilayer wiring board to meet such a demand for high definition and high speed operation, there is conventionally known one manufactured by a build-up method.

【0004】ビルドアップ法により形成される多層配線
基板は、ガラスエポキシ複合材料からなるコア基板の表
面に感光性樹脂を塗布して絶縁層を形成し、この絶縁層
に対して露光現像を行うことによりバイアホールが形成
される。
In a multilayer wiring board formed by the build-up method, a photosensitive resin is applied to the surface of a core substrate made of a glass epoxy composite material to form an insulating layer, and the insulating layer is exposed and developed. Thereby forming a via hole.

【0005】次に、このバイアホールの内壁を含む絶縁
層の全表面に銅などのメッキ層を形成した後、このメッ
キ層表面に感光性レジストを塗布/露光/現像/エッチ
ング/レジスト除去を経て導体配線層を形成することに
より作製される。
Next, after forming a plated layer of copper or the like on the entire surface of the insulating layer including the inner wall of the via hole, a photosensitive resist is applied / exposed / developed / etched / resist removed on the plated layer surface. It is produced by forming a conductor wiring layer.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、コア基
板の表面に感光性樹脂を用いて絶縁層を形成する上記の
ビルドアップ法では、絶縁層内部に形成するバイアホー
ルを紫外線露光により形成するため、元来、バイアホー
ル下部に露出した導体配線層の表面を加工するものでは
なく、導体配線層の表面粗さは絶縁層に対する接着性を
確保する状態を保つように凹凸形状を残し、粗な状態と
なっている。このため導体配線層表面の凹部には熱硬化
性樹脂の残渣が存在し、また、この表面は酸化膜に覆わ
れていることから、バイア導体と導体配線層との間の金
属同士の接続が弱く、温度サイクル試験等の信頼性評価
においてバイア導体と導体配線層とが断線しやすくなり
信頼性が低下するという問題があった。
However, in the above build-up method in which the insulating layer is formed on the surface of the core substrate by using the photosensitive resin, since the via hole formed inside the insulating layer is formed by ultraviolet exposure, Originally, the surface of the conductor wiring layer exposed at the bottom of the via hole was not processed, but the surface roughness of the conductor wiring layer left a concavo-convex shape so as to maintain a state of adhering to the insulating layer Has become. For this reason, a residue of the thermosetting resin exists in the concave portion of the conductor wiring layer surface, and since this surface is covered with the oxide film, the metal connection between the via conductor and the conductor wiring layer is prevented. There is a problem in that the via conductor and the conductor wiring layer are easily broken in the reliability evaluation such as the temperature cycle test, and the reliability is lowered.

【0007】従って、本発明は、コア基板の表面に形成
される表面多層配線層におけるバイア導体と導体配線層
との電気的接続を改善する多層配線基板及びその製造方
法を提供することを目的とする。
Therefore, an object of the present invention is to provide a multilayer wiring board and a manufacturing method thereof for improving the electrical connection between the via conductor and the conductive wiring layer in the surface multilayer wiring layer formed on the surface of the core substrate. To do.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】本発明の多層配線基板
は、少なくとも熱硬化性樹脂を含む絶縁基板の表面およ
び/または内部に導体配線層が形成され、該導体配線層
間を接続するために前記絶縁基板内部にバイア導体が形
成されてなるコア基板と、該コア基板の表面に、絶縁層
および導体配線層が積層されてなり、該導体配線層間を
接続するために前記絶縁層にバイアホールを形成し、該
バイアホール内に金属粉末を含む導体ペーストを充填し
てバイア導体が形成されてなる表面多層配線層と、を具
備する多層配線基板において、前記表面多層配線層に形
成されたバイア導体のコア基板側にて当接する導体配線
層の表面粗さ(Rz1)が、該導体配線層の、前記表面
多層配線層を構成する絶縁層との接着部の表面粗さ(R
2)よりも小さいことを特徴とする。
In the multilayer wiring board of the present invention, a conductor wiring layer is formed on the surface and / or inside of an insulating substrate containing at least a thermosetting resin, and the above-mentioned structure is provided for connecting the conductor wiring layers. A core substrate in which a via conductor is formed inside an insulating substrate, and an insulating layer and a conductor wiring layer are laminated on the surface of the core substrate, and a via hole is formed in the insulating layer to connect the conductor wiring layers. A multi-layer wiring board formed by filling a conductive paste containing metal powder in the via hole to form a via conductor; and a via conductor formed on the front multi-layer wiring layer. The surface roughness (Rz 1 ) of the conductor wiring layer that abuts on the core substrate side is the surface roughness (Rz of the portion where the conductor wiring layer is adhered to the insulating layer that constitutes the surface multilayer wiring layer).
z 2 ).

【0009】このような構成によれば、バイア導体と当
接する部分の導体配線層の表面が平滑であることから、
バイア導体を構成する金属成分と導体配線層の金属箔と
の濡れ性が高まり接合部を強固にできる。一方、絶縁層
との接着部側の導体配線層は粗くすることによりアンカ
ー効果が高まり接着部を強固にできる。
According to this structure, the surface of the conductor wiring layer in contact with the via conductor is smooth,
The wettability between the metal component forming the via conductor and the metal foil of the conductor wiring layer is enhanced, and the joint can be strengthened. On the other hand, by roughening the conductor wiring layer on the side of the adhesion portion with the insulating layer, the anchor effect is enhanced and the adhesion portion can be strengthened.

【0010】上記多層配線基板では、表面多層配線層に
形成されたバイア導体のコア基板側にて当接する導体配
線層の表面粗さ(Rz1)と、該導体配線層の、前記表
面多層配線層を構成する絶縁層との接着部の表面粗さ
(Rz2)との差が0.5μm以上であることが望まし
い。
In the above-mentioned multilayer wiring board, the surface roughness (Rz 1 ) of the conductor wiring layer abutting on the core board side of the via conductor formed in the surface multilayer wiring layer and the surface multilayer wiring of the conductor wiring layer. It is desirable that the difference from the surface roughness (Rz 2 ) of the adhesive portion with the insulating layer constituting the layer is 0.5 μm or more.

【0011】このように表面多層配線層に形成されたバ
イア導体のコア基板側における導体配線層との当接部の
平均表面粗さ(Rz)と、前記表面多層配線層を構成す
る絶縁層との接着部の平均表面粗さ(Rz)との差が
0.5μm以上であれば、それぞれ異なる接合部が形成
される導体配線層とバイア導体との接続、および導体配
線層と絶縁層との接続をさらに同時に強固にできる。
The average surface roughness (Rz) of the contact portion of the via conductor thus formed on the surface multilayer wiring layer with the conductor wiring layer on the core substrate side, and the insulating layer constituting the surface multilayer wiring layer If the difference from the average surface roughness (Rz) of the adhesive portion is 0.5 μm or more, the connection between the conductor wiring layer and the via conductor in which different joints are formed and the connection between the conductor wiring layer and the insulating layer are formed. The connection can be made even stronger at the same time.

【0012】上記多層配線基板では、表面多層配線層に
形成されたバイア導体は両端におけるバイア径が異な
り、コア基板側のバイア径が、該コア基板側と反対側の
バイア径よりも小さいことが望ましい。
In the above multilayer wiring board, the via conductors formed on the surface multilayer wiring layer have different via diameters at both ends, and the via diameter on the core substrate side is smaller than the via diameter on the opposite side to the core substrate side. desirable.

【0013】上記のように導体配線層の表面粗さ(R
z)を小さくすることによりバイア導体と導体配線層と
の金属成分の濡れ性を改善し接合部を強固にできること
から、バイア径の小さい側の導体配線層の表面粗さ(R
z)をバイア径の大きい導体配線層よりも小さくするこ
とにより、両端部の接合強度ならびに電気抵抗の均等を
図ることができ安定な接合部を得ることができる。
As described above, the surface roughness (R
By reducing z), the wettability of the metal component between the via conductor and the conductor wiring layer can be improved and the joint can be strengthened. Therefore, the surface roughness (R
By making z) smaller than that of a conductor wiring layer having a large via diameter, it is possible to obtain a uniform joint strength and electrical resistance at both ends and to obtain a stable joint.

【0014】上記多層配線基板では、表面多層配線層に
形成されたバイア導体のコア基板側にて当接する導体配
線層の表面粗さ(Rz1)が0.5〜1.5μmである
ことが望ましい。導体配線層の表面粗さ(Rz1)をこ
のような範囲になるように調整することによりバイア導
体に含まれる金属成分との濡れ性をさらに高めることが
でき、より強固な接合部を形成できる。
In the above-mentioned multilayer wiring board, the surface roughness (Rz 1 ) of the conductor wiring layer abutting on the core board side of the via conductor formed in the surface multilayer wiring layer is 0.5 to 1.5 μm. desirable. By adjusting the surface roughness (Rz 1 ) of the conductor wiring layer to fall within such a range, the wettability with the metal component contained in the via conductor can be further enhanced, and a stronger joint can be formed. .

【0015】上記多層配線基板では、表面多層配線層に
形成されたバイア導体の最大径が75μm以下であるこ
とが望ましい。本発明の導体配線層を適用することによ
り、バイア導体の径が小さくなっても表面多層配線層の
層間接続を確実にできることから、より高密度な多層配
線層が形成できる。
In the above multilayer wiring board, it is desirable that the maximum diameter of the via conductor formed in the surface multilayer wiring layer is 75 μm or less. By applying the conductor wiring layer of the present invention, even if the diameter of the via conductor is reduced, the interlayer connection of the surface multilayer wiring layer can be ensured, so that a higher density multilayer wiring layer can be formed.

【0016】上記多層配線基板では、表面多層配線層に
形成されたバイア導体が、錫、鉛、ビスマス、インジウ
ムの少なくとも1種の金属、あるいはそれらの合金を含
有することが望ましい。バイア導体中に含まれる金属が
上記のような低融点を示すものであれば、導体配線層と
の濡れ性がさらに高まりバイア導体と導体配線層との間
の当接部をより強固に形成できる。
In the above multilayer wiring board, it is desirable that the via conductor formed in the surface multilayer wiring layer contains at least one metal selected from tin, lead, bismuth and indium, or an alloy thereof. If the metal contained in the via conductor has a low melting point as described above, the wettability with the conductor wiring layer is further increased, and the contact portion between the via conductor and the conductor wiring layer can be formed more firmly. .

【0017】本発明の多層配線基板の製造方法は、
(a)少なくとも熱硬化性樹脂を含む絶縁シートの、少
なくとも表面に、上面が粗化された導体配線層を形成し
てなるコア基板を作製する工程と、(b)該コア基板の
表面に半硬化状態の第1の絶縁シートを熱圧着する工程
と、(c)前記第1の絶縁シートの所定箇所にレーザ光
を照射してバイアホールを形成するとともに前記コア基
板の表面に形成された導体配線層上面の凹凸面を平滑化
する工程と、(d)(c)で形成したバイアホールに金
属粉末と有機成分を含む導体ペーストを充填してバイア
導体を形成する工程と、(e)該バイア導体が形成され
た前記第1の絶縁シート上に上面側が粗化された第1の
導体配線層を形成する工程と、(f)(b)〜(e)工
程を繰り返して多層化する工程と、を具備することを特
徴とする製造方法である。
The method of manufacturing a multilayer wiring board according to the present invention comprises:
(A) a step of producing a core substrate formed by forming a conductor wiring layer having a roughened upper surface on at least the surface of an insulating sheet containing at least a thermosetting resin; and (b) semi-finishing the surface of the core substrate. Thermocompression-bonding the cured first insulating sheet; and (c) irradiating a predetermined portion of the first insulating sheet with a laser beam to form a via hole and a conductor formed on the surface of the core substrate. A step of smoothing the uneven surface of the upper surface of the wiring layer, a step of forming a via conductor by filling the via hole formed in (d) and (c) with a conductor paste containing metal powder and an organic component, and (e) A step of forming a first conductor wiring layer having a roughened upper surface on the first insulating sheet on which a via conductor is formed, and a step of repeating steps (f), (b) to (e) to form a multilayer. And a manufacturing method comprising: A.

【0018】この製造方法において、まず、絶縁シート
をレーザ光を用いて加工することにより、微小径で形状
精度が高く照射方向に先細り状のバイアホールを容易に
形成できる。また、バイアホールの形成とこのバイアホ
ールの底部に露出した導体配線層上面の凹凸面の平滑化
を同時に行うことができる。
In this manufacturing method, first, by processing the insulating sheet with laser light, it is possible to easily form a tapered via hole having a small diameter and a high shape accuracy in the irradiation direction. Further, the formation of the via hole and the smoothing of the uneven surface of the upper surface of the conductor wiring layer exposed at the bottom of the via hole can be performed simultaneously.

【0019】さらに、本発明の製造方法によれば、表面
多層配線層における導体配線層間を接続するためのバイ
アホールをレーザ光の照射によって形成しているため、
感光性樹脂を使用する必要がなく、絶縁層材料としてガ
ラス転移点が高く、吸水率が小さい等材料特性に優れた
任意の絶縁材料を選定できる。しかも、絶縁層の形成
と、導体配線層との形成を同時に並行して行うことがで
き、すべての絶縁層を一括で硬化することができるため
に製造工程の簡略化と短縮化を図ることができる。
Further, according to the manufacturing method of the present invention, the via hole for connecting the conductor wiring layers in the surface multilayer wiring layer is formed by the irradiation of the laser beam.
It is not necessary to use a photosensitive resin, and any insulating material having excellent material properties such as a high glass transition point and a low water absorption can be selected as an insulating layer material. Moreover, the formation of the insulating layer and the formation of the conductor wiring layer can be simultaneously performed in parallel, and since all the insulating layers can be cured at once, the manufacturing process can be simplified and shortened. it can.

【0020】上記多層配線基板の製造方法では、前記第
1の絶縁シートに形成されたバイア導体のコア基板側に
て当接する導体配線層の表面粗さ(Rz1)と、該導体
配線層の、前記表面多層配線層を構成する絶縁層との接
着部の表面粗さ(Rz2)との差が0.5μm以上であ
ることが望ましい。このように、バイア導体と当接する
部分の導体配線層の表面を絶縁シートが接着する部分よ
りも平滑にすることにより、バイア導体と導体配線層と
を容易に接合できる。また、導体配線層の、表面多層配
線層を構成する絶縁層との接着部の表面粗さ(Rz2
との差が0.5μm以上とすることにより、導体配線層
のアンカー効果が高まり絶縁層とも強固に接着できる。
In the above-mentioned method for manufacturing a multilayer wiring board, the surface roughness (Rz 1 ) of the conductor wiring layer which is in contact with the via conductor formed on the first insulating sheet on the core substrate side, and the conductor wiring layer It is preferable that the difference between the surface roughness (Rz 2 ) of the bonded portion with the insulating layer constituting the surface multilayer wiring layer is 0.5 μm or more. Thus, the via conductor and the conductor wiring layer can be easily joined by making the surface of the conductor wiring layer in the portion in contact with the via conductor smoother than the portion in which the insulating sheet is bonded. Further, the surface roughness (Rz 2 ) of the bonding portion of the conductor wiring layer with the insulating layer forming the surface multilayer wiring layer
By setting the difference between and to be 0.5 μm or more, the anchor effect of the conductor wiring layer is enhanced and the conductive wiring layer can be firmly bonded to the insulating layer.

【0021】上記多層配線基板の製造方法では、前記第
1の絶縁シートに形成されたバイア導体は両端における
バイア径が異なり、コア基板側のバイア径が、該コア基
板側と反対側のバイア径よりも小さいことが望ましい。
最大径の小さい方のバイア導体は導体配線層との接続が
困難であることから、このように最大径の小さい方をよ
り平滑にすることにより、最大径の大きい側の導体配線
層との接続並びに導電性を容易に同じ状態にできる。
In the above method for manufacturing a multilayer wiring board, the via conductors formed on the first insulating sheet have different via diameters at both ends, and the via diameter on the core substrate side is the via diameter on the opposite side to the core substrate side. It is desirable to be smaller than.
Since it is difficult to connect the via conductor with the smaller maximum diameter to the conductor wiring layer, the connection with the conductor wiring layer with the larger maximum diameter is made more smooth by making the smaller maximum diameter smoother. In addition, the conductivity can be easily made the same.

【0022】上記多層配線基板の製造方法では、第1の
絶縁シートに形成されたバイア導体のコア基板側にて当
接する導体配線層の表面粗さ(Rz1)が0.5〜1.
5μmであることが望ましい。バイア導体径が小さく導
体配線層との接触面積が狭い場合に、導体配線層の表面
粗さ(Rz1)を上記のように平滑にすることによりバ
イア導体の径の小さい端部側と導体配線層とを容易に接
合できる。
In the above-described method for manufacturing a multilayer wiring board, the surface roughness (Rz 1 ) of the conductor wiring layer abutting on the core board side of the via conductor formed on the first insulating sheet is 0.5 to 1.
It is preferably 5 μm. When the via conductor diameter is small and the contact area with the conductor wiring layer is small, the surface roughness (Rz 1 ) of the conductor wiring layer is smoothed as described above, and the end portion side with a smaller diameter of the via conductor and the conductor wiring. The layers can be easily joined.

【0023】上記多層配線基板の製造方法では、第1の
絶縁シートに形成されたバイア導体の最大径が75μm
以下であることが望ましい。このようにバイア導体の最
大径が75μmと小さい場合に、本発明の製造方法を好
適に用いることができ、このようにバイア導体径が小さ
くなっても導体配線層との接合部を強固にできる。
In the method for manufacturing a multilayer wiring board, the via conductor formed on the first insulating sheet has a maximum diameter of 75 μm.
The following is desirable. In this way, when the maximum diameter of the via conductor is as small as 75 μm, the manufacturing method of the present invention can be preferably used, and even if the via conductor diameter becomes small, the joint portion with the conductor wiring layer can be strengthened. .

【0024】上記多層配線基板の製造方法では、第1の
絶縁シートに形成されたバイア導体が、錫、鉛、ビスマ
ス、インジウムの少なくとも1種の金属、あるいはそれ
らの合金を含有することが望ましく、このような低融点
金属を含有することによって、バイア導体と導体配線層
との接合部に合金相や金属間化合物を容易に形成でき
る。
In the above-mentioned method for manufacturing a multilayer wiring board, it is desirable that the via conductor formed on the first insulating sheet contains at least one metal selected from tin, lead, bismuth and indium, or an alloy thereof. By including such a low melting point metal, an alloy phase or an intermetallic compound can be easily formed at the joint between the via conductor and the conductor wiring layer.

【0025】上記多層配線基板の製造方法では、レーザ
光による加工出力が0.1〜2.0W、単位時間のパル
ス数が1〜50kHzであることが望ましい。レーザ出
力およびパルス数をこのような範囲とすることにより形
状精度の高いバイアホールを形成でき、さらにバイアホ
ール底部に露出した導体配線層の表面を平滑化できる。
In the above-mentioned method for manufacturing a multilayer wiring board, it is desirable that the processing output by laser light is 0.1 to 2.0 W and the number of pulses per unit time is 1 to 50 kHz. By setting the laser output and the number of pulses in such ranges, a via hole having a high shape accuracy can be formed, and the surface of the conductor wiring layer exposed at the bottom of the via hole can be smoothed.

【0026】[0026]

【発明の実施の形態】(構造)以下、本発明の多層配線
基板の一例の概略断面図を図1に示した。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION (Structure) FIG. 1 is a schematic sectional view showing an example of a multilayer wiring board of the present invention.

【0027】図1に示すように、本発明の多層配線基板
は、コア基板Aの表面1に表面多層配線層Bが形成され
ている。
As shown in FIG. 1, in the multilayer wiring board of the present invention, the surface multilayer wiring layer B is formed on the surface 1 of the core substrate A.

【0028】コア基板Aは、少なくとも熱硬化性樹脂を
含有する複数の絶縁層(1a〜1e)を複数積層して形
成された絶縁基板5と、その絶縁基板5の表面および内
部に形成された導体配線層7と、この導体配線層7間を
接続するバイア導体8により構成されている。
The core substrate A is an insulating substrate 5 formed by laminating a plurality of insulating layers (1a-1e) containing at least a thermosetting resin, and formed on the surface and inside of the insulating substrate 5. It is composed of a conductor wiring layer 7 and a via conductor 8 connecting the conductor wiring layers 7.

【0029】また、コア基板Aの表面1上に積層されて
いる表面多層配線層Bは、コア基板Aと同様、少なくと
も熱硬化性樹脂を含有する複数の表面絶縁層(3a〜3
d)により構成され、各絶縁層(3a〜3d)の表面お
よび内部には導体配線層11が形成され、さらに、これ
らの導体配線層11間を接続するためのバイア導体13
が形成されている。
The surface multilayer wiring layer B laminated on the surface 1 of the core substrate A has a plurality of surface insulating layers (3a to 3a) containing at least a thermosetting resin, like the core substrate A.
d), a conductor wiring layer 11 is formed on the surface and inside of each insulating layer (3a to 3d), and a via conductor 13 for connecting between the conductor wiring layers 11 is formed.
Are formed.

【0030】図2は表面多層配線層Bに形成されたバイ
ア導体13と導体配線層7、11との接合部を示す要部
拡大図である。図2に示すように、導体配線層11の、
表面多層配線層Bに形成されているバイア導体13は、
コア基板A側のバイア径が反対側よりも小さい先細り状
となっている。
FIG. 2 is an enlarged view of an essential part showing a joint portion between the via conductor 13 formed on the surface multilayer wiring layer B and the conductor wiring layers 7 and 11. As shown in FIG. 2, of the conductor wiring layer 11,
The via conductor 13 formed in the surface multilayer wiring layer B is
It has a tapered shape in which the via diameter on the side of the core substrate A is smaller than that on the opposite side.

【0031】このように、バイア導体13は両端の径が
異なり、このバイア導体13の両端部の最大径差は、小
径側の最大径をDs、大径側の最大径をDLとしたとき
に、Ds/DL>0.6以上であることが、バイア導体
13と導体配線層7、11との接続を確実にし、かつ温
度サイクル試験等における局部的な応力の発生を抑制す
るという理由から望ましい。
As described above, the diameters of both ends of the via conductor 13 are different, and the maximum diameter difference between the both ends of the via conductor 13 is as follows: when the maximum diameter on the small diameter side is Ds and the maximum diameter on the large diameter side is D L. In addition, Ds / D L > 0.6 or more ensures the connection between the via conductor 13 and the conductor wiring layers 7 and 11, and suppresses the occurrence of local stress in a temperature cycle test or the like. From desirable.

【0032】また、表面多層配線層Bに形成されている
このバイア導体13の最大径は75μm以下であること
が望ましい、特に、高密度な表面多層配線層Bが形成で
き、バイア導体13の最大径が小さくなっても表面多層
配線層Bの層間接続を確実にできるという理由から、バ
イア導体13の最大径は40〜60μmであることが望
ましい。
The maximum diameter of the via conductor 13 formed in the surface multilayer wiring layer B is preferably 75 μm or less. In particular, a high-density surface multilayer wiring layer B can be formed, and the maximum diameter of the via conductor 13 can be increased. The maximum diameter of the via conductor 13 is preferably 40 to 60 μm because the interlayer connection of the surface multilayer wiring layer B can be ensured even if the diameter becomes small.

【0033】本発明によれば、このバイア導体13のコ
ア基板A側の導体配線層7、11の当接部17の表面粗
さ(Rz1)は、絶縁層1a〜1e、3a〜3dとの接
着部19の表面粗さ(Rz2)よりも小さいことが重要
である。このようにバイア導体13と当接する部分の導
体配線層7、11の上面を平滑にすることにより、バイ
ア導体13を構成する金属成分と導体配線層7、11の
金属箔との濡れ性が高まり両者の接合部を強固にでき
る。
According to the present invention, the surface roughness (Rz 1 ) of the contact portion 17 of the conductor wiring layers 7 and 11 of the via conductor 13 on the core substrate A side is the same as that of the insulating layers 1a to 1e and 3a to 3d. It is important that it is smaller than the surface roughness (Rz 2 ) of the adhesive portion 19 of. By smoothing the upper surfaces of the conductor wiring layers 7 and 11 in contact with the via conductors 13 in this manner, the wettability between the metal components forming the via conductors 13 and the metal foils of the conductor wiring layers 7 and 11 is increased. It is possible to strengthen the joint between the two.

【0034】一方、絶縁層1a〜1e、3a〜3dと接
着する導体配線層7、11の表面粗さ(Rz2)は大き
くなるように加工されており、このことから絶縁層1a
〜1e、3a〜3dに含まれている熱硬化性樹脂が導体
配線層7、11の凹部に入り込むことにより絶縁層1a
〜1e、3a〜3dと導体配線層7、11とを強固に接
着できる。また、この当接部17ではバイア導体13と
導体配線層7、11とが密接に接合されており、さら
に、この界面にはバイア導体13と導体配線層7、11
の金属成分との合金相あるいは金属間化合物が形成され
ている。
On the other hand, the surface roughness (Rz 2 ) of the conductor wiring layers 7 and 11 bonded to the insulating layers 1a to 1e and 3a to 3d is processed to be large, which is why the insulating layer 1a is formed.
To 1e, 3a to 3d, the thermosetting resin enters into the recesses of the conductor wiring layers 7 and 11 to form the insulating layer 1a.
1e, 3a to 3d can be firmly bonded to the conductor wiring layers 7 and 11. Further, at the contact portion 17, the via conductor 13 and the conductor wiring layers 7 and 11 are intimately joined to each other, and further, the via conductor 13 and the conductor wiring layers 7 and 11 are formed at this interface.
An alloy phase or an intermetallic compound with the metal component is formed.

【0035】また、バイア導体13と当接する導体配線
層7、11の表面粗さ(Rz1)は0.5〜1.5μm
が望ましく、特に、導体配線層7、11の導電性を損な
わずかつ濡れ性を高めるという理由から0.7〜1.3
μmであることが望ましい。一方、絶縁層3a〜3dと
接着部の表面粗さ(Rz2)は2μm以上が望ましく、
特に、2.4〜3.5μmの範囲であることが望まし
い。
The surface roughness (Rz 1 ) of the conductor wiring layers 7 and 11 contacting the via conductor 13 is 0.5 to 1.5 μm.
In particular, 0.7 to 1.3 is preferable because the conductivity of the conductor wiring layers 7 and 11 is not impaired and the wettability is improved.
μm is desirable. On the other hand, the surface roughness (Rz 2 ) of the insulating layers 3a to 3d and the adhesive portion is preferably 2 μm or more,
In particular, the range of 2.4 to 3.5 μm is desirable.

【0036】また、導体配線層7、11の、表面多層配
線層Bに形成されたバイア導体13との当接部17の表
面粗さ(Rz1)と、前記表面多層配線層Bを構成する
絶縁層3a〜3dとの接着部19の表面粗さ(Rz2
との差は0.5μm以上が望ましく、特に、導体配線層
7、11の厚み差を低減し導電性を安定化させるという
理由から、その差は0.5〜1.5μmであることが望
ましい。これにより導体配線層7、11とバイア導体1
3との接続、および導体配線層7、11と絶縁層3a〜
3dとの接続をさらに強固にできる。
The surface roughness (Rz 1 ) of the contact portion 17 of the conductor wiring layers 7 and 11 with the via conductor 13 formed in the surface multilayer wiring layer B and the surface multilayer wiring layer B are formed. Surface roughness (Rz 2 ) of the bonding portion 19 with the insulating layers 3a to 3d
Is preferably 0.5 μm or more, and in particular, the difference is preferably 0.5 to 1.5 μm for the reason of reducing the thickness difference between the conductor wiring layers 7 and 11 and stabilizing the conductivity. . Thereby, the conductor wiring layers 7 and 11 and the via conductor 1 are formed.
3, and the conductor wiring layers 7 and 11 and the insulating layers 3a to
The connection with 3d can be further strengthened.

【0037】一方、コア基板Aを構成しているバイア導
体8の最大径は300μm以下であることが、高密度な
回路を形成できるという理由から望ましく、バイア導体
8の最大径が小さくなってもコア基板Aの層間接続を確
実にできるという理由から、バイア導体8の最大径は7
0〜250μmであることが望ましい。
On the other hand, it is desirable that the maximum diameter of the via conductor 8 constituting the core substrate A is 300 μm or less because a high-density circuit can be formed, and even if the maximum diameter of the via conductor 8 becomes small. The maximum diameter of the via conductor 8 is 7 because the interlayer connection of the core substrate A can be ensured.
It is preferably 0 to 250 μm.

【0038】また、このコア基板Aに形成されているバ
イア導体8もまた、表面多層配線層3に形成されている
表面バイア導体13と同様、両端部の最大径が異なり、
バイア導体8の両端部の最大径差は、小径側の最大径を
Dcs、大径側の最大径をDcLとしたときに、Dcs
/DcL>0.6以上であることが望ましい。
The via conductor 8 formed on the core substrate A also has the same maximum diameter at both ends as the surface via conductor 13 formed on the surface multilayer wiring layer 3.
Maximum diameter difference at both ends of the via conductors 8, the maximum diameter of the small diameter side Dcs, when the maximum diameter of the large diameter side and the Dc L, Dcs
It is desirable that / Dc L > 0.6 or more.

【0039】また、コア基板A内部に形成されている導
体配線層7もまた、表面多層配線層Bを構成している導
体配線層11と同様に、バイア導体8に当接される面の
表面粗さ(Rz)が、絶縁層1a〜1eとの接着部の表
面粗さ(Rz)よりも小さいことがバイア導体8と導体
配線層7との接続を強固にするという理由から望まし
い。
The conductor wiring layer 7 formed inside the core substrate A also has a surface abutting against the via conductor 8 like the conductor wiring layer 11 constituting the surface multilayer wiring layer B. It is desirable that the roughness (Rz) is smaller than the surface roughness (Rz) of the bonding portion with the insulating layers 1a to 1e, because the connection between the via conductor 8 and the conductor wiring layer 7 is strengthened.

【0040】また、コア基板Aに用いている導体配線層
7の、バイア導体8の当接部の表面粗さは表面多層配線
層Bに形成された導体配線層11と同じ表面粗さ(R
z)であることが望ましく、0.5〜1.5μm、さら
に望ましくは、0.7〜1.3μmである。
The surface roughness of the conductor wiring layer 7 used for the core substrate A at the contact portion of the via conductor 8 is the same as that of the conductor wiring layer 11 formed on the surface multilayer wiring layer B (R
z), preferably 0.5 to 1.5 μm, and more preferably 0.7 to 1.3 μm.

【0041】一方、導体配線層7が絶縁層1a〜1eと
接着する部分の表面粗さ(Rz)は接着強度を高めると
いう理由から2μm以上、特に、2.4〜3.5μmが
好ましい。
On the other hand, the surface roughness (Rz) of the portion where the conductor wiring layer 7 is bonded to the insulating layers 1a to 1e is preferably 2 μm or more, and particularly 2.4 to 3.5 μm for the reason of increasing the adhesive strength.

【0042】(材料)本発明の多層配線基板において、
表面多層配線層Bを構成する絶縁層3a〜3dは、少な
くとも熱硬化性樹脂を含有する絶縁材料からなるもので
あり、例えば、A−PPE(ポリフェニレンエーテル樹
脂)、BTレジン(ビスマレイドトリアジン)、ポリイ
ミド樹脂、フッ素樹脂、ポリアミノビスマレイミド樹
脂、エポキシ樹脂からなり、とりわけ原料として室温で
液体の熱硬化性樹脂であることが望ましい。
(Material) In the multilayer wiring board of the present invention,
The insulating layers 3a to 3d forming the surface multilayer wiring layer B are made of an insulating material containing at least a thermosetting resin, and include, for example, A-PPE (polyphenylene ether resin), BT resin (bismaleide triazine), It is made of a polyimide resin, a fluororesin, a polyamino bismaleimide resin, or an epoxy resin, and is preferably a thermosetting resin which is liquid at room temperature as a raw material.

【0043】また表面多層配線層Bの表裏面に積層する
絶縁層3a〜3d中の無機絶縁粉末としては、Si
2、Al23、ZrO2、TiO2、AlN、SiC、
BaTiO3、SrTiO3の少なくとも1種の材料が使
用できる。また、その形状としては球状、針状など任意
のものとすることができる。このように表面多層配線層
Bを構成する絶縁層3a〜3d中で不連続に存在する無
機絶縁粉末を用いることで耐マイグレーション性を高め
ることができ、表面多層配線層Bの高密度化を図ること
ができる。
As the inorganic insulating powder in the insulating layers 3a to 3d laminated on the front and back surfaces of the front surface multilayer wiring layer B, Si is used.
O 2 , Al 2 O 3 , ZrO 2 , TiO 2 , AlN, SiC,
At least one material selected from BaTiO 3 and SrTiO 3 can be used. Further, the shape thereof may be any shape such as a spherical shape or a needle shape. By using the inorganic insulating powder which is discontinuously present in the insulating layers 3a to 3d constituting the surface multilayer wiring layer B as described above, the migration resistance can be enhanced and the density of the surface multilayer wiring layer B can be increased. be able to.

【0044】一方、コア基板Aを構成する絶縁層1a〜
1eもまた、表面多層配線層Bを構成する絶縁層3a〜
3dと同様のA−PPE(ポリフェニレンエーテル樹
脂)等の熱硬化性樹脂が好適に用いられる。また、絶縁
層1a〜1e中に混合される充填材としては無機絶縁粉
末や繊維体があり、織布、不織布など任意の性状のもの
を用いればよい。また、アラミド繊維、セルロース繊維
などの有機繊維体を用いることもできる。特に、コア基
板Aに用いる繊維体として、ガラス繊維に前記熱硬化性
樹脂を含浸したものが強度を高める点で最も望ましい。
On the other hand, the insulating layers 1a to
1e also includes the insulating layers 3a to 3a constituting the surface multilayer wiring layer B.
A thermosetting resin such as A-PPE (polyphenylene ether resin) similar to 3d is preferably used. Further, as the filler mixed in the insulating layers 1a to 1e, there are inorganic insulating powders and fibrous bodies, and those having arbitrary properties such as woven cloth and nonwoven cloth may be used. In addition, organic fiber bodies such as aramid fiber and cellulose fiber can also be used. In particular, as the fibrous body used for the core substrate A, glass fibers impregnated with the thermosetting resin are most desirable in terms of enhancing the strength.

【0045】また、コア基板Aおよび表面多層配線層B
を構成する導体配線層7、11としては、配線を形成す
るに好適な金属より形成され、例えば、金、銀、銅、ア
ルミニウムの少なくとも1種を含む低抵抗金属の電解金
属箔が好適に使用される。この電解金属箔の厚みは1〜
35μmが良く、望ましくは、導電性が低く配線の微細
化に適しているという点から5〜18μmが良い。この
電解金属箔の厚み、言い換えれば導体配線層7、11の
厚みが1μmより小さいと配線の抵抗率が高くなり、ま
た35μmより大きいと、積層時にコア基板Aや表面多
層配線層Bの変形が大きくなったり、絶縁層1a〜1
e、3a〜3dへの金属の埋め込み量が多くなり、コア
基板Aや表面多層配線層Bの歪みが大きくなり樹脂硬化
後に基板が変形を起こしやすいなどの問題がある。また
上記図1、図2において、上記のコア基板Aおよび表面
多層配線層Bにおいては、導体配線層7、11はいずれ
も絶縁層1a〜1e、3a〜3dに埋設されている。こ
のように導体配線層7、11はいずれも各絶縁層1a〜
1e、3a〜3dの表面に埋設されているために導体配
線層7、11自体の厚みに起因する積層不良が発生する
ことがなく、絶縁層1a〜1e、3a〜3d間の優れた
密着性と、配線基板全体としての非常に優れた平滑性を
実現できる。
Further, the core substrate A and the surface multilayer wiring layer B
As the conductor wiring layers 7 and 11 constituting the above, an electro-deposited metal foil made of a metal suitable for forming wiring, for example, a low resistance metal containing at least one of gold, silver, copper and aluminum is preferably used. To be done. The thickness of this electrolytic metal foil is 1 to
The thickness is preferably 35 μm, and more preferably 5 to 18 μm because it has low conductivity and is suitable for fine wiring. If the thickness of this electrolytic metal foil, in other words, the thickness of the conductor wiring layers 7 and 11 is smaller than 1 μm, the wiring resistivity becomes high, and if it is larger than 35 μm, the core substrate A and the surface multilayer wiring layer B are deformed during lamination. Insulation layers 1a-1
e, the amount of metal embedded in 3a to 3d is increased, the distortion of the core substrate A and the surface multilayer wiring layer B is increased, and the substrate is likely to be deformed after the resin is cured. 1 and 2, in the core substrate A and the surface multilayer wiring layer B, the conductor wiring layers 7 and 11 are all buried in the insulating layers 1a to 1e and 3a to 3d. In this way, the conductor wiring layers 7 and 11 are both insulating layers 1a-
1e, 3a to 3d are buried in the surface of the conductor wiring layers 7 and 11 to prevent the occurrence of stacking failure due to the thickness of the conductor wiring layers 7 and 11 themselves, and have excellent adhesion between the insulating layers 1a to 1e and 3a to 3d. Thus, it is possible to realize extremely excellent smoothness of the wiring board as a whole.

【0046】また、バイア導体8、13となるバイアホ
ール15中に充填される導体ペーストとしては、導体配
線層7、11を形成する金属粉末にエポキシ、セルロー
ス等の樹脂成分を添加し、酢酸ブチルなどの溶媒によっ
て混練したものが使用される。この導体ペーストはバイ
アホール15への充填後溶剤を乾燥させるがはじめから
無溶剤であることが望ましい。また、バイア導体8、1
3の低抵抗化とバイア導体8、13上部、底部の導体配
線層7、11を形成する金属箔との接続性向上のため
に、錫、鉛、ビスマス、インジウムの少なくとも1種の
金属、あるいはそれらの合金を含有することが望まし
く、特に、導体配線層7、11を構成する金属成分が銅
である場合に、銅との合金もしくは単体よりも高融点と
成る金属間化合物を形成できるという点から錫が望まし
い。
As the conductor paste filled in the via holes 15 to be the via conductors 8 and 13, resin components such as epoxy and cellulose are added to the metal powder forming the conductor wiring layers 7 and 11, and butyl acetate is added. What is kneaded with a solvent such as is used. The conductor paste is dried after the solvent is filled in the via holes 15, but it is preferable that the conductor paste is solvent-free from the beginning. Also, via conductors 8 and 1
In order to lower the resistance of No. 3 and to improve the connectivity with the metal foil forming the conductor wiring layers 7 and 11 at the top and bottom of the via conductors 8 and 13, at least one metal of tin, lead, bismuth, and indium, or It is desirable to contain these alloys, and particularly when the metal component forming the conductor wiring layers 7 and 11 is copper, it is possible to form an alloy with copper or an intermetallic compound having a higher melting point than a simple substance. To tin is preferred.

【0047】また、バイア導体8、13に用いられる金
属粒子の平均粒子径は1〜15μmとされ、導電性ペー
ストの分散性と導体配線層7、11との濡れ性および充
填性を高めるために3〜6μmであることが望ましい。
The average particle diameter of the metal particles used for the via conductors 8 and 13 is set to 1 to 15 μm in order to improve the dispersibility of the conductive paste and the wettability and filling with the conductor wiring layers 7 and 11. It is desirable that it is 3 to 6 μm.

【0048】そして、この表面多層配線層Bに形成され
たバイア導体13では、その端部側から0.1μm以上
の厚みで導体配線層7、11を構成する金属成分が含ま
れていることがより好ましく、このように導体配線層
7、11を構成する金属成分が拡散することにより、バ
イア導体13と導体配線層7、11との接合を強固にで
きる。尚、本発明の多層配線基板では、基板を一括硬化
で作製する点からバイア導体8、13を構成する金属成
分は同じ成分を含有することが望ましい。
The via conductor 13 formed on the front surface multilayer wiring layer B contains the metal component forming the conductor wiring layers 7 and 11 with a thickness of 0.1 μm or more from the end side thereof. More preferably, the metal component forming the conductor wiring layers 7 and 11 is diffused in this way, whereby the bond between the via conductor 13 and the conductor wiring layers 7 and 11 can be strengthened. In the multilayer wiring board of the present invention, it is desirable that the metal components composing the via conductors 8 and 13 contain the same component from the viewpoint of manufacturing the substrate by batch curing.

【0049】(製法)次に、本発明の多層配線基板の製
造方法を図3をもとに説明する。この図3は、図1の多
層配線基板を作製するための工程図である。
(Manufacturing Method) Next, a method of manufacturing the multilayer wiring board of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 3 is a process diagram for manufacturing the multilayer wiring board of FIG.

【0050】まず、コア基板Aを構成する絶縁層1a〜
1e上に導体配線層7を形成するにあたって、図3
(a)に示すように、半硬化状態の絶縁シート21に対
して、レーザ加工により所望のバイアホール23を形成
する。そして図3(b)に示すように、そのバイアホー
ル23内に金属粉末を含有する導体ペーストを充填して
バイア導体25を形成する。
First, the insulating layers 1a to 1a constituting the core substrate A.
When the conductor wiring layer 7 is formed on 1e, as shown in FIG.
As shown in (a), desired via holes 23 are formed in the semi-cured insulating sheet 21 by laser processing. Then, as shown in FIG. 3 (b), the via hole 23 is filled with a conductor paste containing a metal powder to form a via conductor 25.

【0051】次に、図3(b)の半硬化状態の絶縁シー
ト21のバイア導体25の一方表面に電解金属箔からな
る導体配線層27を加熱加圧による転写により埋設させ
る。本発明では、この導体配線層27の形成をあらかじ
め樹脂フィルム29上にラミネートした金属箔をエッチ
ングして作製したパターンの転写によって行う。転写条
件は導体配線層27が絶縁シート21上に埋設されて転
写されるとともに、加圧加熱した際に絶縁シート21が
変形せず、さらにこの後の積層が可能なように未硬化状
態を保持する温度、圧力、時間が望ましく、その温度は
100〜140℃、圧力は30〜100Pa、時間は1
〜10分が適当である。
Next, a conductor wiring layer 27 made of electrolytic metal foil is embedded on one surface of the via conductor 25 of the semi-cured insulating sheet 21 of FIG. 3B by transfer by heating and pressing. In the present invention, the conductor wiring layer 27 is formed by transferring a pattern prepared by etching a metal foil laminated on the resin film 29 in advance. The transfer conditions are such that the conductor wiring layer 27 is embedded and transferred on the insulating sheet 21, and the insulating sheet 21 is not deformed when pressurized and heated, and the uncured state is maintained so that it can be laminated thereafter. The temperature, pressure, and time to be applied are desirable, the temperature is 100 to 140 ° C., the pressure is 30 to 100 Pa, and the time is 1
10 minutes is suitable.

【0052】例えば、導体配線層27の形成には、ま
ず、適当な樹脂フィルム29の表面にメッキ法などによ
って作製された銅、金、銀、アルミニウム等から選ばれ
る1種または2種以上の合金からなる厚さ1〜35μm
の電解金属箔を接着し、その電解金属箔の表面に所望の
配線パターンの鏡像パターンとなるようにレジスト層を
付設した後、エッチング、レジスト除去によって所定の
配線パターンの鏡像の導体配線層27を形成する。この
導体配線層27の厚みは微細化が可能で導体抵抗を低く
するという理由から5〜18μmが望ましい。また、通
常、レーザ加工されない、バイア導体8、13の最大径
側に当接される導体配線層27の表面粗さ(Rz2)は
疎化処理により調整される。
For example, in the formation of the conductor wiring layer 27, first, one or more alloys selected from copper, gold, silver, aluminum, etc., which are formed on the surface of a suitable resin film 29 by a plating method or the like. Thickness of 1-35 μm
After adhering the electro-deposited metal foil, a resist layer is attached to the surface of the electro-deposited metal foil so as to form a mirror image pattern of a desired wiring pattern, and then a conductor wiring layer 27 having a mirror image of a predetermined wiring pattern is formed by etching and resist removal. Form. The thickness of the conductor wiring layer 27 is preferably 5 to 18 μm because the conductor resistance can be reduced and the conductor resistance can be reduced. Further, normally, the surface roughness (Rz 2 ) of the conductor wiring layer 27 that is not laser processed and is in contact with the maximum diameter side of the via conductors 8 and 13 is adjusted by the sparse treatment.

【0053】樹脂フィルム29としては、ポリエチレン
テレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリイミ
ド、ポリフェニレンサルファイド、塩化ビニル、ポリプ
ロピレン等公知のものが使用できる。樹脂フィルム29
の厚みは10〜100μmが適当であり、望ましくは2
5〜50μmが良い。これは、樹脂フィルム29の厚み
が10μmより小さいとフィルムの変形や折れ曲がりに
より形成した導体配線が断線を引き起こし易くなり、厚
みが100μmより大きいと樹脂フィルムの柔軟性がな
くなるためシートの剥離が難しくなるためである。ま
た、樹脂フィルム29表面に電解金属箔を接着するため
の接着剤としては、アクリル系、ゴム系、シリコン系、
エポキシ系等公知の接着剤が使用できる。
As the resin film 29, known materials such as polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, polyimide, polyphenylene sulfide, vinyl chloride and polypropylene can be used. Resin film 29
The thickness of 10 to 100 μm is suitable, and preferably 2
5 to 50 μm is preferable. This is because if the thickness of the resin film 29 is smaller than 10 μm, the conductor wiring formed by the deformation or bending of the film is likely to cause disconnection, and if the thickness is larger than 100 μm, the flexibility of the resin film is lost and peeling of the sheet becomes difficult. This is because. Further, as the adhesive for adhering the electrolytic metal foil to the surface of the resin film 29, acrylic, rubber, silicon,
A known adhesive such as an epoxy type adhesive can be used.

【0054】また、内部の導体配線層27を形成するた
めには、あらかじめ表面粗さ(Ra)が0.2μm以上
の電解金属箔を樹脂フィルム29に貼り合わせた方が絶
縁シート21を形成する熱硬化性樹脂をエッチング処理
において水分に曝すことがないので吸水率を低くでき
る。この時、電解金属箔のカップリング処理を施さない
方が、導体配線層27を転写後のフィルムから剥離しや
すい。
In order to form the inner conductor wiring layer 27, the insulating sheet 21 is formed by previously bonding an electrolytic metal foil having a surface roughness (Ra) of 0.2 μm or more to the resin film 29. Since the thermosetting resin is not exposed to water during the etching process, the water absorption rate can be lowered. At this time, if the electrolytic metal foil is not subjected to the coupling treatment, the conductor wiring layer 27 is easily peeled from the film after transfer.

【0055】次に、上記のようにして作製された表面用
の導体配線層27を具備する樹脂フィルム29ととも
に、同様な方法によって作製された裏面用の導体配線層
27を具備する樹脂フィルム29を作製し、これらを図
3(c)に示す方法と同様に、バイア導体25が形成さ
れた絶縁シート21の両面に積層する。そして、図3
(d)に示すように、その積層物を温度60〜150
℃、圧力1〜50MPa、時間1〜10分の条件で加圧
加熱した後、樹脂フィルム29を剥がすことにより、図
3(e)に示すような、絶縁シート21の片面に、導体
配線層27が埋設された配線シートcを作製することが
できる。
Next, together with the resin film 29 having the conductor wiring layer 27 for the front surface manufactured as described above, the resin film 29 having the conductor wiring layer 27 for the back surface manufactured by the same method is prepared. It is produced, and these are laminated on both surfaces of the insulating sheet 21 on which the via conductor 25 is formed in the same manner as in the method shown in FIG. And FIG.
As shown in (d), the laminate is heated to a temperature of 60 to 150.
After heating under pressure at 1 ° C., a pressure of 1 to 50 MPa, and a time of 1 to 10 minutes, the resin film 29 is peeled off, so that the conductor wiring layer 27 is formed on one surface of the insulating sheet 21 as shown in FIG. It is possible to produce a wiring sheet c in which is embedded.

【0056】このように、配線シートcの形成にあたっ
て、この両面に導体配線層27が形成された樹脂フィル
ム29を積層し圧着することにより、多層配線基板にお
ける2層の導体配線層27の転写工程を同時に行うこと
ができる。
As described above, when the wiring sheet c is formed, the resin film 29 having the conductor wiring layers 27 formed on both sides thereof is laminated and pressure-bonded, so that a step of transferring the two conductor wiring layers 27 in the multilayer wiring board is performed. Can be done at the same time.

【0057】また、上記のようにして作製した配線シー
トcの表面に埋設された導体配線層27のうち、コア基
板Aの表面側に位置する導体配線層27に対して粗化処
理を行い、導体配線層27の表面粗さ(Rz)が0.5
μm以上、特に1.6μm以上となるようにすることが
望ましい。
Of the conductor wiring layers 27 embedded on the surface of the wiring sheet c manufactured as described above, the conductor wiring layer 27 located on the front surface side of the core substrate A is subjected to a roughening treatment, The surface roughness (Rz) of the conductor wiring layer 27 is 0.5.
It is desirable that the thickness be at least μm, particularly at least 1.6 μm.

【0058】この粗面化処理は、塩酸、硫酸、硝酸、酢
酸、蟻酸などの酸処理による化学的なエッチング処理に
よって施すことができ、例えば、酸溶液を導体配線層2
7の表面に噴霧することが望ましい。また、粗面化処理
面(エッチング面)には、尖頭状の突起を多数形成する
ことが望ましく、このような尖頭状の突起は、例えば、
10質量%蟻酸溶液によって1μm/分以上の粗化速度
で良好に形成できる。
This roughening treatment can be performed by a chemical etching treatment using an acid treatment with hydrochloric acid, sulfuric acid, nitric acid, acetic acid, formic acid, etc. For example, an acid solution is applied to the conductor wiring layer 2
It is desirable to spray on the surface of No. 7. Further, it is desirable to form a large number of pointed protrusions on the roughened surface (etching surface), and such pointed protrusions are, for example,
A 10 mass% formic acid solution can favorably be formed at a roughening rate of 1 μm / min or more.

【0059】そして、図3(e)に示すように、上記
(a)及至(e)と同様にして作製された配線シート
b、dを配線シートcとともに加熱加圧硬化して一体化
してこれらを絶縁シート中の熱硬化性樹脂が完全に硬化
する温度に加熱することにより、コア積層体Cを作製す
ることができる。この場合の硬化温度は、コア積層体C
上に表面多層配線層Bとなる絶縁シート41とともに再
硬化するために200〜250℃であることが望まし
い。
Then, as shown in FIG. 3 (e), the wiring sheets b and d produced in the same manner as in the above (a) to (e) are heated and pressure-cured together with the wiring sheet c to be integrated. The core laminated body C can be produced by heating to a temperature at which the thermosetting resin in the insulating sheet is completely cured. The curing temperature in this case is the core laminate C
The temperature is preferably 200 to 250 ° C. in order to be re-cured together with the insulating sheet 41 to be the surface multilayer wiring layer B on the upper side.

【0060】次に、図3(f)に示すように、上記のコ
ア積層体Cの表面1上に表面多層配線層Bとなる絶縁シ
ート41を積層する。ここで用いる絶縁シート41は、
例えば、絶縁材料として熱硬化性樹脂と無機絶縁粉末と
の複合材料を用いる場合、以下の方法によって作製され
る。
Next, as shown in FIG. 3 (f), an insulating sheet 41 to be a surface multilayer wiring layer B is laminated on the surface 1 of the core laminate C. The insulating sheet 41 used here is
For example, when a composite material of thermosetting resin and inorganic insulating powder is used as the insulating material, it is produced by the following method.

【0061】まず、前述したような適当な無機絶縁粉末
に、前述した液状の熱硬化性樹脂を無機絶縁粉末量が2
0〜80体積%となるように溶媒とともに加えた混合物
を混練機(ニーダ)や3本ロール等の手段によって混合
して絶縁性スラリーを作製する。
First, the liquid thermosetting resin described above is added to the suitable inorganic insulating powder as described above in an amount of 2 times.
The mixture added together with the solvent so as to be 0 to 80% by volume is mixed by means of a kneader (kneader), three rolls or the like to prepare an insulating slurry.

【0062】絶縁性スラリーは、好適には、前述したよ
うな有機樹脂と無機絶縁粉末の複合材料に、トルエン、
酢酸ブチル、メチルエチルケトン、メタノール、メチル
セロソルブアセテート、イソプロピルアルコール、メチ
ルイソブチルケトン、ジメチルホルムアミド等の溶媒を
添加して所定の粘度を有する流動体からなる。スラリー
の粘度は、シート成形法にもよるがハーケ社製レオメー
タRS100を使用し、直径20mmφ、角度1°のコ
ーンを用いて、せん断速度100s-1の条件で1〜30
Pa・sが適当である。
The insulating slurry is preferably a composite material of the above-mentioned organic resin and inorganic insulating powder, toluene,
A fluid having a predetermined viscosity is obtained by adding a solvent such as butyl acetate, methyl ethyl ketone, methanol, methyl cellosolve acetate, isopropyl alcohol, methyl isobutyl ketone, and dimethylformamide. Although the viscosity of the slurry depends on the sheet forming method, a rheometer RS100 manufactured by Haake Co. is used, a cone having a diameter of 20 mm and an angle of 1 ° is used, and the shear rate is 1 to 30 at a shear rate of 100 s -1.
Pa · s is suitable.

【0063】そして、その絶縁性スラリーを圧延法、押
し出し法、射出法、ダイコーター法、ドクターブレード
法などのシート成形法によってシート状に成形した後、
所望により熱硬化性樹脂が完全硬化するに十分な温度よ
りもやや低い温度に加熱して熱硬化性樹脂を半硬化させ
て、厚み25〜50μmの絶縁シート41を作製でき
る。
After the insulating slurry is formed into a sheet by a sheet forming method such as a rolling method, an extrusion method, an injection method, a die coater method, a doctor blade method,
If desired, the thermosetting resin can be semi-cured by heating to a temperature slightly lower than a temperature sufficient for the thermosetting resin to be completely cured, and the insulating sheet 41 having a thickness of 25 to 50 μm can be manufactured.

【0064】この絶縁シート41を温度100〜160
℃、圧力1〜7MPa、時間1〜10分の条件で接着し
た後、UV−YAGレーザなどでバイアホール43を形
成する。このバイアホール43は絶縁シート41の下層
に埋設されている導体配線層27が露出するような構造
である。このときバイアホール43の底部の導体配線層
27は、その表面が金属箔形成時のマット面またはパタ
ーン作製の際に加工された粗化面であり、レーザ加工に
よる有底のバイアホール43を形成する際、表面の凹凸
がレーザ加工によって一部、溶融、または昇華すること
で平滑化される。Rz1が0.5〜1.5μmとなるよ
うにレーザ照射する。ここでレーザ加工の条件は、例え
ばUV−YAGレーザ加工機の場合、加工エネルギーが
0.1〜2.0W、単位時間のパルス数(Rep−Ra
te)が1kHz〜50kHzの範囲であることが適当
である。このUV−YAGはRep−Rateが小さい
ほど出力エネルギーが大きくなり、また、レーザー光を
放つ繰り返し回数が多いほど金属箔を削っていくもので
ある。そして、0.1Wより低い場合、もしくは50k
Hzより大きい場合、バイアホール43の底部に樹脂残
渣が残りやすく、また2.0Wより高い場合、もしくは
1kHzより低い場合、バイアホール43底部の金属箔
に貫通する穴が開いたり金属箔にダメージが残る。ま
た、レーザ光を放つ繰り返し回数は多いほど金属箔を削
るためその出力により最適回数が決められる。
The insulating sheet 41 is heated to a temperature of 100 to 160.
After the bonding is performed under the conditions of a temperature of 1 ° C., a pressure of 1 to 7 MPa, and a time of 1 to 10 minutes, a via hole 43 is formed by UV-YAG laser or the like. The via hole 43 has a structure in which the conductor wiring layer 27 embedded in the lower layer of the insulating sheet 41 is exposed. At this time, the surface of the conductor wiring layer 27 at the bottom of the via hole 43 is a matte surface at the time of forming the metal foil or a roughened surface processed at the time of pattern formation, and the bottomed via hole 43 is formed by laser processing. In doing so, the unevenness of the surface is partly melted or sublimated by laser processing and smoothed. Laser irradiation is performed so that Rz 1 is 0.5 to 1.5 μm. Here, the laser processing conditions are, for example, in the case of a UV-YAG laser processing machine, the processing energy is 0.1 to 2.0 W and the number of pulses per unit time (Rep-Ra).
It is suitable that te) is in the range of 1 kHz to 50 kHz. The UV-YAG has a larger output energy as the Rep-Rate is smaller, and scrapes the metal foil as the number of repetitions of emitting the laser light is larger. And when it is lower than 0.1W, or 50k
If it is higher than Hz, the resin residue is likely to remain on the bottom of the via hole 43, and if it is higher than 2.0 W or lower than 1 kHz, a hole penetrating the metal foil at the bottom of the via hole 43 is opened or the metal foil is damaged. Remain. Further, the more the number of repetitions of emitting the laser light is, the more the metal foil is scraped, so the optimum number is determined by its output.

【0065】その後、このバイアホール43にコア基板
Aで行ったのと同様に金属粉末を含有する導体ペースト
を充填してバイア導体47を形成する。この導体ペース
トは、錫、鉛、ビスマス、インジウムなどの低融点金属
を少なくとも1種含むもの、またはその合金であり、こ
の低融点金属は硬化時の加圧、加熱によってバイアホー
ル上部と底部の金属箔に濡れるか、金属の種類によって
は金属箔中に拡散するものである。さらに上記コア基板
Aで導体配線層27を形成したのと同様に、エッチング
によりあらかじめ作製した金属箔の配線パターンを粗面
化した後、積層した絶縁シート41に転写することによ
り絶縁シート41上に埋設された導体配線層45を形成
して図3(g)に示すような多層配線基板を形成するこ
とができる。
Thereafter, the via hole 43 is filled with a conductor paste containing a metal powder in the same manner as in the core substrate A to form a via conductor 47. This conductor paste is one containing at least one low melting point metal such as tin, lead, bismuth, indium, or an alloy thereof. The low melting point metal is a metal at the top and bottom of the via hole due to pressure and heat during curing. It will either wet the foil or, depending on the type of metal, diffuse into the metal foil. Further, similarly to the case where the conductor wiring layer 27 is formed on the core substrate A, the wiring pattern of the metal foil prepared in advance is roughened by etching, and then transferred to the laminated insulating sheet 41 to be transferred onto the insulating sheet 41. The embedded conductor wiring layer 45 can be formed to form a multilayer wiring board as shown in FIG.

【0066】その後、必要に応じ上記の工程を繰り返す
ことにより、絶縁シート41および導体配線層45を多
層化できる。
After that, the insulating sheet 41 and the conductor wiring layer 45 can be multi-layered by repeating the above steps as needed.

【0067】また、この表面多層配線層Bの表面上にさ
らにソルダーレジスト層を形成する場合は、この多層配
線基板の表面にエポキシ樹脂などのソルダーレジスト層
を全面に塗布し、その後、露光/現像して所定の箇所に
パターンを露出させることによって図2に示すような多
層配線基板を作製することができる。
When a solder resist layer is further formed on the surface of the surface multi-layer wiring layer B, a solder resist layer such as an epoxy resin is applied over the entire surface of the multi-layer wiring substrate and then exposed / developed. By exposing the pattern at a predetermined location, a multilayer wiring board as shown in FIG. 2 can be manufactured.

【0068】[0068]

【実施例】コア基板を形成する絶縁シートにはポリフェ
ニレンエーテル樹脂(A−PPE樹脂)を含浸したプリ
プレグを用意した。
Example A prepreg impregnated with a polyphenylene ether resin (A-PPE resin) was prepared as an insulating sheet forming a core substrate.

【0069】次に、このプリプレグから成る絶縁シート
にCO2レーザを用いて100μmφの径を有するバイ
アホールを形成した。
Then, a CO 2 laser was used to form a via hole having a diameter of 100 μmφ on the insulating sheet made of this prepreg.

【0070】次に、このバイアホールに導体ペーストを
充填した。導体ペーストは銅粉末の表面に3質量%銀コ
ートした平均粒径5μmの導電性粒子と低融点金属粉末
として平均粒径が7μmの錫粉末との混合粉末に対して
トリアリルシアヌレート(TAIC)からなる有機成分
を混合して調製し、この導体ペーストの粘度は30〜5
00Pa・s(ハーケ社製RS100レオメータ、コー
ン10mmφ、コーン角度1°、せん断速度100
-1)とした。
Next, the via holes were filled with a conductive paste. The conductor paste is a triallyl cyanurate (TAIC) with respect to a mixed powder of conductive particles having an average particle size of 5 μm coated with 3% by mass of silver on the surface of copper powder and tin powder having an average particle size of 7 μm as a low melting point metal powder. It is prepared by mixing the organic component consisting of
00 Pa · s (RS100 rheometer manufactured by Haake, cone 10 mmφ, cone angle 1 °, shear rate 100
s -1 ).

【0071】次に、絶縁シートに転写する導体配線層と
して、厚み38μmのポリエチレンテレフタレートフィ
ルムに、厚み12μmの電解銅箔を貼り合わせて転写用
の銅箔付きフィルムを準備した。銅箔表面にドライフィ
ルムレジストを貼付し、露光、炭酸ナトリウム溶液の噴
霧による現像、塩化第二鉄によるエッチングを行い台形
の形成角60°の形成角をもつ導体配線層を形成した。
その後、水酸化ナトリウム溶液を用いてレジスト膜を剥
離し、ポリエチレンテレフタレートフィルム上に配線パ
ターンを形成した。この後、蟻酸10質量%の水溶液を
噴霧して配線パターンの表面を表面粗さ(Rz)で2.
9〜3.1μmに粗化した。
Next, as a conductor wiring layer to be transferred to the insulating sheet, a film having a copper foil for transfer was prepared by adhering an electrolytic copper foil having a thickness of 12 μm to a polyethylene terephthalate film having a thickness of 38 μm. A dry film resist was attached to the surface of the copper foil, exposed, developed by spraying a sodium carbonate solution, and etched with ferric chloride to form a conductor wiring layer having a trapezoid formation angle of 60 °.
Then, the resist film was peeled off using a sodium hydroxide solution to form a wiring pattern on the polyethylene terephthalate film. After that, an aqueous solution of 10% by mass of formic acid is sprayed and the surface of the wiring pattern has a surface roughness (Rz) of 2.
It was roughened to 9 to 3.1 μm.

【0072】配線パターン表面の表面粗さ(Rz)は原
子間力顕微鏡を用いて測定した。測定箇所は1つの配線
パターンあたり5箇所とした。なお、配線パターンはラ
ンド径が90μm、配線幅は70μmで作製した。
The surface roughness (Rz) of the wiring pattern surface was measured using an atomic force microscope. The number of measurement points was 5 per one wiring pattern. The wiring pattern was manufactured with a land diameter of 90 μm and a wiring width of 70 μm.

【0073】次に、導体ペーストを充填したプリプレグ
に対して、このポリエチレンテレフタレートフィルム上
に形成した配線パターンを位置あわせした後、120
℃、5MPa、3分間の熱圧着により転写した。
Next, after aligning the wiring pattern formed on the polyethylene terephthalate film with the prepreg filled with the conductive paste, 120
Transfer was carried out by thermocompression bonding at 5 ° C., 5 MPa for 3 minutes.

【0074】次に、導体配線層を形成したプリプレグ4
層を120℃、5MPa、3分間の条件で加圧加熱を行
い積層して半硬化状態のコア基板を作製した。また、こ
れらの配線パターンのうちコア基板の表面および表面多
層配線層に形成されるバイア導体の最大径の大きい側に
形成される導体配線層を有する配線パターンについて
は、再度疎化処理を行い表面粗さ(Rz)を3μmとし
た。
Next, a prepreg 4 having a conductor wiring layer formed thereon.
The layers were stacked under pressure and heating under the conditions of 120 ° C., 5 MPa, and 3 minutes to produce a semi-cured core substrate. Of these wiring patterns, the wiring pattern having the conductor wiring layer formed on the surface of the core substrate and on the side where the maximum diameter of the via conductor formed in the surface multilayer wiring layer is large is subjected to the surface sparse treatment again. The roughness (Rz) was 3 μm.

【0075】次に、表面多層配線層用の絶縁シートを作
製した。この絶縁シートは、コア基板と同様、A−PP
E樹脂を用い、無機絶縁粉末として平均粒径が0.6μ
mの溶融シリカを体積比で40体積%となるように調整
し、これに熱硬化性樹脂の硬化を促進させるための触媒
を熱硬化性樹脂に対して3質量%、さらに有機溶剤とし
てトルエンを加えてスラリー粘度が約2Pa・sのスラ
リーを調製した。これをドクターブレード法により厚さ
35μmの絶縁シートを作製した。
Next, an insulating sheet for the surface multilayer wiring layer was prepared. This insulating sheet, like the core substrate, is made of A-PP.
Using E resin, the average particle size of the inorganic insulating powder is 0.6μ
The fused silica of m is adjusted to a volume ratio of 40% by volume, and a catalyst for promoting curing of the thermosetting resin is added to the thermosetting resin in an amount of 3% by mass, and toluene is further used as an organic solvent. In addition, a slurry having a slurry viscosity of about 2 Pa · s was prepared. An insulating sheet having a thickness of 35 μm was produced by the doctor blade method.

【0076】次に、この絶縁シートを予め作製した半硬
化状態のコア基板の表面上に130℃、5MPa、3分
間の加圧加熱条件で積層した。
Next, this insulating sheet was laminated on the surface of a pre-prepared semi-cured core substrate under pressure and heating conditions of 130 ° C., 5 MPa, and 3 minutes.

【0077】次に、コア基板上に積層された絶縁シート
の所定位置に、UV−YAGレーザ装置を用いてバイア
ホールを形成し、同時にバイアホールの底面に露出した
導体配線層の表面上の樹脂残渣が0.2μm以下になる
ように加工した。加工エネルギーを0.5W、単位時間
のパルス数(Rep−Rate)を8〜10kHz、ト
レパニング加工とし、繰り返し回数2〜10回で入射側
の最大径が約60μm、出射側の最大径が約45μmの
バイアホールを形成した(Ds/DL=0.75)。レ
ーザ加工後のバイアホール底面に露出した導体配線層の
表面粗さ(Rz 1)、レーザ加工されないバイア導体当
接部の表面粗さ(Rz2)および絶縁層との接着部(R
z)は原子間力顕微鏡を用いて測定し、表1に示した。
Next, an insulating sheet laminated on the core substrate
At a predetermined position of the via using a UV-YAG laser device.
A hole was formed and at the same time exposed on the bottom of the via hole.
Resin residue on the surface of the conductor wiring layer is 0.2 μm or less
Processed as follows. Processing energy 0.5W, unit time
Pulse number (Rep-Rate) of 8 to 10 kHz,
Repanning processing is performed on the incident side after repeating 2 to 10 times.
Has a maximum diameter of about 60 μm and a maximum diameter on the output side of about 45 μm
Via holes are formed (Ds / DL= 0.75). Les
Of the conductor wiring layer exposed on the bottom surface of the via hole after laser processing
Surface roughness (Rz 1), Via conductors not laser processed
Surface roughness of contact area (Rz2) And an adhesive layer (R
z) was measured using an atomic force microscope and is shown in Table 1.

【0078】次に、コア基板に用いた導体ペーストをこ
のバイアホールに埋め込みバイア導体を形成した。
Next, the conductor paste used for the core substrate was embedded in this via hole to form a via conductor.

【0079】その後、コア基板の導体配線層を形成した
のと全く同様にして、表層配線用としては厚み18μm
の電解銅箔を配線パターンが形成されたポリエチレンテ
レフタレートフィルムをバイア導体が形成された絶縁シ
ートの表面に積層して、温度130℃、圧力5MPa、
時間3分間の加熱加圧を行い、樹脂フィルムと接着層の
みを剥離して絶縁シート表面に配線回路層を転写させ
た。
After that, in the same manner as forming the conductor wiring layer of the core substrate, the thickness for the surface wiring is 18 μm.
The electro-deposited copper foil of 1. is laminated on the surface of the insulating sheet on which the via conductor is formed, and the polyethylene terephthalate film on which the wiring pattern is formed is laminated at a temperature of 130 ° C. and a pressure of 5 MPa
By heating and pressing for 3 minutes, only the resin film and the adhesive layer were peeled off to transfer the wiring circuit layer to the surface of the insulating sheet.

【0080】その後、上記の工程を再度繰り返し行い、
コア基板の表面および裏面に、それぞれ2層の絶縁層と
導体配線層を有する表面多層配線層を形成した後、温度
240℃、圧力4MPa、1時間の条件で一括硬化し多
層配線基板を作製した。
After that, the above steps are repeated again,
After forming a surface multilayer wiring layer having two insulating layers and two conductive wiring layers on the front surface and the back surface of the core substrate, the multilayer wiring board was manufactured by batch curing under conditions of a temperature of 240 ° C. and a pressure of 4 MPa for 1 hour. .

【0081】作製した多層配線基板の評価としては、こ
の多層配線基板の内部にバイア導体が360個直列に連
結された部分に対して、240℃、2分のはんだディッ
プ試験を行い、その前後の電気抵抗を測定し、バイア導
体1穴あたり電気抵抗値の変化率を評価した。
For evaluation of the manufactured multilayer wiring board, a solder dip test at 240 ° C. for 2 minutes was performed on a portion where 360 via conductors were connected in series inside the multilayer wiring board, and before and after that. The electrical resistance was measured and the rate of change of the electrical resistance value per hole of the via conductor was evaluated.

【0082】(比較例)比較例として、表面多層配線層
を構成する絶縁シートを炭酸ガスレーザを用いて、先端
エネルギー3mJ、5ショット、92μsecの時間間
隔でバイアホールを形成した。この場合、バイアホール
の形成方法以外、導体ペースト、樹脂フィルムとその表
面に貼られた配線パターンおよびその作製法、転写法、
積層硬化条件は同じとした。
(Comparative Example) As a comparative example, via holes were formed in the insulating sheet constituting the surface multilayer wiring layer using a carbon dioxide gas laser at a tip energy of 3 mJ, 5 shots, and a time interval of 92 μsec. In this case, other than the method of forming the via hole, the conductor paste, the resin film and the wiring pattern pasted on the surface thereof and the method of producing the same, the transfer method,
The lamination curing conditions were the same.

【0083】[0083]

【表1】 [Table 1]

【0084】表1の結果から明らかなように、UV−Y
AGレーザを用いて表面多層配線層にバイアホールを形
成し、少なくともバイア導体のコア基板側における導体
配線層の表面粗さ(Rz)を絶縁層との接着部よりも小
さくした試料No.1〜7では、バイア導体1穴あたり
の電気抵抗の変化率が9.7%以下であった。特に、バ
イア導体の最大径の小さい側に当接する導体配線層の表
面粗さ(Rz)が0.9μm以下で、絶縁層接着部とこ
のバイア導体の最大径に当接する導体配線層の表面粗さ
(Rz)の差が2.1μm以上とした試料No.3、
5、6では、バイア導体1穴あたりの電気抵抗の変化率
が6.8%以下とさらに低くなり、バイア導体と導体配
線層との接続がさらに強固であった。
As is clear from the results of Table 1, UV-Y
Sample No. 1 in which via holes were formed in the surface multilayer wiring layer using an AG laser, and at least the surface roughness (Rz) of the conductor wiring layer on the core substrate side of the via conductor was made smaller than that of the bonding portion with the insulating layer. In Nos. 1 to 7, the rate of change in electric resistance per hole of the via conductor was 9.7% or less. In particular, the surface roughness (Rz) of the conductor wiring layer abutting on the side with the smallest maximum diameter of the via conductor is 0.9 μm or less, and the surface roughness of the insulating layer adhesion portion and the conductor wiring layer abutting the maximum diameter of this via conductor. (Rz) difference of 2.1 μm or more 3,
In Nos. 5 and 6, the change rate of the electric resistance per hole of the via conductor was further lowered to 6.8% or less, and the connection between the via conductor and the conductor wiring layer was further strengthened.

【0085】一方、CO2レーザを用いてバイアホール
を形成した試料No.8では、導体配線層の、バイア導
体との当接部の表面粗さと絶縁層との接着部の表面粗さ
とが同じとなり、この試料では、バイア導体1穴あたり
の電気抵抗の変化率が21.3%と大きかった。
On the other hand, sample No. 1 having a via hole formed using a CO 2 laser. 8, the surface roughness of the contact portion of the conductor wiring layer with the via conductor was the same as the surface roughness of the adhesive portion with the insulating layer, and in this sample, the rate of change in electrical resistance per hole of the via conductor was 21. It was as large as 0.3%.

【0086】[0086]

【発明の効果】以上詳述したように、表面多層配線層に
形成されたバイア導体のコア基板側における導体配線層
との当接部の表面粗さを、表面多層配線層を構成する絶
縁層との接着部の表面粗さよりも小さくすることによ
り、バイア導体と当接する部分の導体配線層の表面が平
滑となり、バイア導体を構成する金属成分と導体配線層
の金属箔との濡れ性が高まり接合面を大きくできること
から接合部を強固にでき、バイア導体の抵抗値とバラツ
キを小さくし接続信頼性を向上できる。
As described above in detail, the surface roughness of the contact portion of the via conductor formed in the surface multilayer wiring layer with the conductor wiring layer on the core substrate side is determined by the insulating layer forming the surface multilayer wiring layer. By making it smaller than the surface roughness of the adhesion part with, the surface of the conductor wiring layer in contact with the via conductor becomes smooth, and the wettability between the metal components forming the via conductor and the metal foil of the conductor wiring layer increases. Since the joint surface can be made large, the joint portion can be strengthened, the resistance value and variation of the via conductor can be reduced, and the connection reliability can be improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明のコア基板表面に表面多層配線層を形成
した多層配線基板の一例を説明するための概略断面図で
ある。
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view for explaining an example of a multilayer wiring board in which a surface multilayer wiring layer is formed on the surface of a core substrate of the present invention.

【図2】表面多層配線層に形成されたバイア導体と導体
配線層との接合部の要部拡大図である。
FIG. 2 is an enlarged view of an essential part of a joint portion between a via conductor formed in a surface multilayer wiring layer and a conductor wiring layer.

【図3】本発明の多層配線基板の製造方法の一例を説明
するための工程図である。
FIG. 3 is a process drawing for explaining an example of the method for manufacturing a multilayer wiring board according to the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

A・・・・・・・・・・・・コア基板 B・・・・・・・・・・・・表面多層配線層 1a〜1e、3a〜3d・・絶縁層 5・・・・・・・・・・・・絶縁基板 7、11、27、45・・・導体配線層 8、13、25、47・・・バイア導体 15、23、43・・・・・バイアホール 17・・・・・・・・・・・当接部 19・・・・・・・・・・・接着部 21、41・・・・・・・・絶縁シート A: Core substrate B ..... Multilayer surface wiring layer 1a to 1e, 3a to 3d ... Insulating layer 5 ... Insulating substrate 7, 11, 27, 45 ... Conductor wiring layer 8, 13, 25, 47 ... Via conductor 15, 23, 43 ... Via hole 17 ... Abutment part 19 --- Adhesive part 21, 41 ... Insulation sheet

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H05K 3/00 H05K 3/00 N 3/38 3/38 B 3/40 3/40 K Fターム(参考) 5E317 AA24 BB12 CC25 CD05 CD27 CD32 GG03 GG14 5E343 AA02 BB12 BB24 BB71 BB72 DD02 EE41 EE43 GG01 GG04 5E346 AA06 AA12 AA15 AA22 AA32 AA35 AA43 AA51 BB16 CC02 CC31 CC33 DD02 DD12 EE06 EE07 EE09 EE18 EE19 EE31 EE38 FF05 FF08 FF18 GG15 GG19 GG27 GG28 HH07 HH11─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of front page (51) Int.Cl. 7 Identification code FI theme code (reference) H05K 3/00 H05K 3/00 N 3/38 3/38 B 3/40 3/40 K F term (reference) ) 5E317 AA24 BB12 CC25 CD05 CD27 CD32 GG03 GG14 5E343 AA02 BB12 BB24 BB71 BB72 DD02 EE41 EE43 GG01 GG04 GG04 5E346 AA06 AA12 AA15 AA22 AEEGGEEEE38EE15 EE18EE18 CC18 CC19EE09EE18 CC19 CC09 DD06EE12 CC31 CC09 DD06 DD12 DD12 HH07 HH11

Claims (13)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】少なくとも熱硬化性樹脂を含む絶縁基板の
表面および/または内部に導体配線層が形成され、該導
体配線層間を接続するために前記絶縁基板内部にバイア
導体が形成されてなるコア基板と、該コア基板の表面
に、絶縁層および導体配線層が積層されてなり、該導体
配線層間を接続するために前記絶縁層にバイアホールを
形成し、該バイアホール内に金属粉末を含む導体ペース
トを充填してバイア導体が形成されてなる表面多層配線
層と、を具備する多層配線基板において、 前記表面多層配線層に形成されたバイア導体のコア基板
側にて当接する導体配線層の表面粗さ(Rz1)が、該
導体配線層の、前記表面多層配線層を構成する絶縁層と
の接着部の表面粗さ(Rz2)よりも小さいことを特徴
とする多層配線基板。
1. A core comprising a conductor wiring layer formed on the surface and / or the inside of an insulating substrate containing at least a thermosetting resin, and a via conductor formed inside the insulating substrate for connecting between the conductor wiring layers. An insulating layer and a conductor wiring layer are laminated on the surface of a substrate and the core substrate, a via hole is formed in the insulating layer for connecting the conductor wiring layers, and the via hole contains a metal powder. In a multilayer wiring board comprising a surface multilayer wiring layer formed by filling a conductor paste with a via conductor, a conductive wiring layer abutting on the core substrate side of the via conductor formed in the surface multilayer wiring layer. multilayer wiring substrate surface roughness (Rz 1) is, of the conductor interconnect layer, wherein the surface wiring layer constituting the adhesive portion surface roughness of the insulating layer (Rz 2) less than.
【請求項2】表面多層配線層に形成されたバイア導体の
コア基板側にて当接する導体配線層の表面粗さ(R
1)と、該導体配線層の、前記表面多層配線層を構成
する絶縁層との接着部の表面粗さ(Rz2)との差が
0.5μm以上であることを特徴とする請求項1記載の
多層配線基板。
2. A surface roughness (R) of a conductor wiring layer abutting on a core substrate side of a via conductor formed in a surface multilayer wiring layer.
z 1 ) and the surface roughness (Rz 2 ) of the bonding portion between the conductor wiring layer and the insulating layer forming the surface multilayer wiring layer are 0.5 μm or more. 1. The multilayer wiring board according to 1.
【請求項3】表面多層配線層に形成されたバイア導体は
両端におけるバイア径が異なり、コア基板側のバイア径
が、該コア基板側と反対側のバイア径よりも小さいこと
を特徴とする請求項1または2に記載の多層配線基板。
3. The via conductor formed on the surface multilayer wiring layer has different via diameters at both ends, and the via diameter on the core substrate side is smaller than the via diameter on the opposite side to the core substrate side. Item 3. The multilayer wiring board according to Item 1 or 2.
【請求項4】表面多層配線層に形成されたバイア導体の
コア基板側にて当接する導体配線層の表面粗さ(R
1)が0.5〜1.5μmであることを特徴とする請
求項1乃至3のうちいずれか記載の多層配線基板。
4. A surface roughness (R) of a conductor wiring layer abutting on a core substrate side of a via conductor formed in a surface multilayer wiring layer.
The multilayer wiring board according to any one of claims 1 to 3 z 1) is characterized in that it is a 0.5 to 1.5 [mu] m.
【請求項5】表面多層配線層に形成されたバイア導体の
最大径が75μm以下であることを特徴とする請求項1
乃至4のうちいずれか記載の多層配線基板。
5. The maximum diameter of the via conductor formed in the surface multilayer wiring layer is 75 μm or less.
5. The multilayer wiring board according to any one of 4 to 4.
【請求項6】表面多層配線層に形成されたバイア導体
が、錫、鉛、ビスマス、インジウムの少なくとも1種の
金属、あるいはそれらの合金を含有することを特徴とす
る請求項1乃至5のうちいずれか記載の多層配線基板。
6. The via conductor formed in the surface multilayer wiring layer contains at least one metal selected from the group consisting of tin, lead, bismuth and indium, or an alloy thereof. The multilayer wiring board according to any one of the above.
【請求項7】(a)少なくとも熱硬化性樹脂を含む絶縁
シートの、少なくとも表面に、上面が粗化された導体配
線層を形成してなるコア基板を作製する工程と、(b)
該コア基板の表面に半硬化状態の第1の絶縁シートを熱
圧着する工程と、(c)前記第1の絶縁シートの所定箇
所にレーザ光を照射してバイアホールを形成するととも
に前記コア基板の表面に形成された導体配線層上面の凹
凸面を平滑化する工程と、(d)(c)で形成したバイ
アホールに金属粉末と有機成分を含む導体ペーストを充
填してバイア導体を形成する工程と、(e)該バイア導
体が形成された前記第1の絶縁シート上に上面側が粗化
された第1の導体配線層を形成する工程と、(f)
(b)〜(e)工程を繰り返して多層化する工程と、を
具備することを特徴とする多層配線基板の製造方法。
7. (a) A step of producing a core substrate in which a conductor wiring layer having a roughened upper surface is formed on at least the surface of an insulating sheet containing at least a thermosetting resin, and (b).
Thermocompression-bonding a semi-cured first insulating sheet to the surface of the core substrate; A step of smoothing the uneven surface of the upper surface of the conductor wiring layer formed on the surface of the above, and filling the via hole formed in (d) and (c) with a conductor paste containing metal powder and an organic component to form a via conductor. And (f) a step of forming a first conductor wiring layer having a roughened upper surface on the first insulating sheet having the via conductor formed thereon, (f)
A method for manufacturing a multilayer wiring board, comprising the steps of: (b) to (e) being repeated to form a multilayer.
【請求項8】前記第1の絶縁シートに形成されたバイア
導体のコア基板側にて当接する導体配線層の表面粗さ
(Rz1)と、該導体配線層の、前記表面多層配線層を
構成する絶縁層との接着部の表面粗さ(Rz2)との差
が0.5μm以上であることを特徴とする請求項7に記
載の多層配線基板の製造方法。
8. The surface roughness (Rz 1 ) of a conductor wiring layer of the via conductor formed on the first insulating sheet, which abuts on the core substrate side, and the surface multilayer wiring layer of the conductor wiring layer. 8. The method for manufacturing a multilayer wiring board according to claim 7, wherein the difference between the surface roughness (Rz 2 ) of the bonding portion with the constituent insulating layer is 0.5 μm or more.
【請求項9】前記第1の絶縁シートに形成されたバイア
導体は両端におけるバイア径が異なり、コア基板側のバ
イア径が、該コア基板側と反対側のバイア径よりも小さ
いことを特徴とする請求項7または8に記載の多層配線
基板の製造方法。
9. The via conductor formed on the first insulating sheet has different via diameters at both ends, and the via diameter on the core substrate side is smaller than the via diameter on the opposite side to the core substrate side. The method for manufacturing a multilayer wiring board according to claim 7 or 8.
【請求項10】第1の絶縁シートに形成されたバイア導
体のコア基板側にて当接する導体配線層の表面粗さ(R
1)が0.5〜1.5μmであることを特徴とする請
求項7乃至9のうちいずれか記載の多層配線基板の製造
方法。
10. A surface roughness (R) of a conductor wiring layer abutting on a core substrate side of a via conductor formed on a first insulating sheet.
z 1) is a method for manufacturing a multilayer wiring board according to any one of claims 7 to 9, characterized in that a 0.5 to 1.5 [mu] m.
【請求項11】第1の絶縁シートに形成されたバイア導
体の最大径が75μm以下であることを特徴とする請求
項7乃至10のうちいずれか記載の多層配線基板の製造
方法。
11. The method for manufacturing a multilayer wiring board according to claim 7, wherein the via conductor formed on the first insulating sheet has a maximum diameter of 75 μm or less.
【請求項12】第1の絶縁シートに形成されたバイア導
体が、錫、鉛、ビスマス、インジウムの少なくとも1種
の金属、あるいはそれらの合金を含有することを特徴と
する請求項7乃至11のうちいずれか記載の多層配線基
板の製造方法。
12. The via conductor formed on the first insulating sheet contains at least one metal selected from tin, lead, bismuth, and indium, or an alloy thereof. The method for manufacturing a multilayer wiring board according to any one of the above.
【請求項13】レーザ光による加工出力が0.1〜2.
0W、単位時間のパルス数が1〜50kHzであること
を特徴とする請求項7乃至12のうちいずれか記載の多
層配線基板の製造方法。
13. A processing output by laser light is 0.1-2.
The method for manufacturing a multilayer wiring board according to any one of claims 7 to 12, wherein 0 W and the number of pulses per unit time are 1 to 50 kHz.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100620129B1 (en) 2003-04-04 2006-09-13 가부시키가이샤 덴소 Multi-layer circuit board
KR20170012228A (en) * 2014-06-03 2017-02-02 미츠비시 가스 가가쿠 가부시키가이샤 Printed circuit board resin laminate for forming fine via hole, and multilayer printed circuit board having fine via hole in resin insulating layer and method for manufacturing same

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH033298A (en) * 1989-05-31 1991-01-09 Ibiden Co Ltd Multilayer printed circuit board and manufacture thereof
JPH08323488A (en) * 1995-05-31 1996-12-10 Shinozaki Seisakusho:Kk Drilling method for printed circuit board by laser beam
JPH09321403A (en) * 1996-05-29 1997-12-12 Hokuriku Electric Ind Co Ltd Circuit substrate and its manufacture
JPH11126978A (en) * 1997-10-24 1999-05-11 Kyocera Corp Multilayered wiring board
JPH11214575A (en) * 1998-01-29 1999-08-06 Kyocera Corp Wiring board
JP2000022297A (en) * 1998-06-30 2000-01-21 Kyocera Corp Wiring board and its manufacturing method
JP2001196743A (en) * 1999-10-28 2001-07-19 Ajinomoto Co Inc Method for manufacturing multilayer printed wiring substrate using adhesive film
JP2001251051A (en) * 2000-03-06 2001-09-14 Ibiden Co Ltd Printed wiring board and method for manufacturing printed wiring board
JP2001251054A (en) * 2000-03-08 2001-09-14 Ibiden Co Ltd Method for manufacturing circuit board for multilayer printed wiring board

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH033298A (en) * 1989-05-31 1991-01-09 Ibiden Co Ltd Multilayer printed circuit board and manufacture thereof
JPH08323488A (en) * 1995-05-31 1996-12-10 Shinozaki Seisakusho:Kk Drilling method for printed circuit board by laser beam
JPH09321403A (en) * 1996-05-29 1997-12-12 Hokuriku Electric Ind Co Ltd Circuit substrate and its manufacture
JPH11126978A (en) * 1997-10-24 1999-05-11 Kyocera Corp Multilayered wiring board
JPH11214575A (en) * 1998-01-29 1999-08-06 Kyocera Corp Wiring board
JP2000022297A (en) * 1998-06-30 2000-01-21 Kyocera Corp Wiring board and its manufacturing method
JP2001196743A (en) * 1999-10-28 2001-07-19 Ajinomoto Co Inc Method for manufacturing multilayer printed wiring substrate using adhesive film
JP2001251051A (en) * 2000-03-06 2001-09-14 Ibiden Co Ltd Printed wiring board and method for manufacturing printed wiring board
JP2001251054A (en) * 2000-03-08 2001-09-14 Ibiden Co Ltd Method for manufacturing circuit board for multilayer printed wiring board

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100620129B1 (en) 2003-04-04 2006-09-13 가부시키가이샤 덴소 Multi-layer circuit board
KR20170012228A (en) * 2014-06-03 2017-02-02 미츠비시 가스 가가쿠 가부시키가이샤 Printed circuit board resin laminate for forming fine via hole, and multilayer printed circuit board having fine via hole in resin insulating layer and method for manufacturing same
JPWO2015186712A1 (en) * 2014-06-03 2017-04-20 三菱瓦斯化学株式会社 Resin laminate for printed wiring board for forming fine via hole, multilayer printed wiring board having fine via hole in resin insulating layer, and manufacturing method thereof
KR102126109B1 (en) 2014-06-03 2020-06-23 미츠비시 가스 가가쿠 가부시키가이샤 Printed circuit board resin laminate for forming fine via hole, and multilayer printed circuit board having fine via hole in resin insulating layer and method for manufacturing same

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