JP2003101070A - 半導体発光装置およびその製造方法 - Google Patents

半導体発光装置およびその製造方法

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semiconductor light
wire
bonded
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Tadahiro Okazaki
忠宏 岡崎
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Rohm Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【構成】 半導体発光装置１０は基板１２を含み、基板
１２の表面には２つの電極１４ａおよび電極１４ｂが形
成される。たとえば、銀ペーストのような導電性の接着
剤１８によって、ＬＥＤチップ１６の発光層１６ｂが電
極パッド１６ｃを介して電極１４ａに接着（ダイボンデ
ィング）される。また、ＬＥＤチップ１６のＺｎＳｅ層
１６ａと電極１４ｂとが、インジウムワイヤのようなワ
イヤ２０によって電気的に接続される。たとえば、超音
波方式でワイヤボンディングされる。そして、ＬＥＤチ
ップ１６およびワイヤ２０がエポキシ樹脂のような透光
性樹脂２２によって封止される。 【効果】 ＬＥＤチップを導電性の接着剤で接着し、超
音波方式でワイヤボンディングするので、半導体発光装
置の製造時における熱管理が簡単であり、より安価に製
造できる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は半導体発光装置および
その製造方法に関し、特にたとえば少なくとも発光層と
ＺｎＳｅ層とが積層された半導体発光素子チップを２つ
の電極にボンディングした、半導体発光装置およびその
製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のこの種の半導体発光装置の一例
が、平成１３年１月３０日付で出願公開された特開２０
０１−２８４５９号公報［Ｈ０１Ｌ ３３／００］に開
示されている。図８に示すように、この発光装置１で
は、青色、緑色もしくは白色のＺｎＳｅホモエピタキシ
ャル構造のＬＥＤチップ２が、インジウム（Ｉｎ）ある
いはＩｎ合金からなる導電層３を介して絶縁性基板４の
表面に形成された一方のパターン電極４ａに固定され
る。つまり、ＬＥＤチップ２を構成するｎ型ＺｎＳｅ結
晶基板２ａがパターン電極４ａに接続される。また、Ｌ
ＥＤチップ２はｎ型ＺｎＳｅ結晶基板２ａ上にエピタキ
シャル発光層２ｂおよび電極２ｃが順に積層され、した
がって、次の工程で、電極２ｃと絶縁性基板４の表面に
形成された他方のパターン電極４ｂとが金線のようなワ
イヤ５によってワイヤボンディングされる。つまり、エ
ピタキシャル発光層２ｂが電極２ｃを介してパターン電
極４ｂに接続される。そして、ＬＥＤチップ２およびワ
イヤ５を封止するように、透明樹脂６がモールドされ
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、この従来技術
では、Ｉｎ或いはＩｎ合金からなる導電層３によって、
ＬＥＤチップ２をパターン電極４ａに接着するため、発
光装置１の製造時や製造後において高温の熱を加える
と、導電層３が酸化してしまい、発光装置１の歩溜まり
が低下するという問題があった。
【０００４】これを回避するには、製造工程においてＬ
ＥＤチップ２のボンディングの際や透光性樹脂６のモー
ルドの際に温度（熱）管理をする必要があり、製造後に
おいても発光装置１をプリント基板等に半田リフロする
際に熱管理をする必要があり、結局、従来技術では高価
になってしまう。
【０００５】それゆえに、この発明の主たる目的は、よ
り簡単かつ安価に製造できる、半導体発光装置およびそ
の製造方法を提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】第１の発明は、少なくと
も発光層とＺｎＳｅ層とが積層された半導体発光素子チ
ップを２つの電極にボンディングした半導体発光装置に
おいて、導電性の接着剤を用いて一方の電極に発光層が
接続されるように半導体発光素子チップをダイボンディ
ングし、ボンディングワイヤを用いて他方の電極にＺｎ
Ｓｅ層が接続されるように半導体発光素子チップをワイ
ヤボンディングし、そして半導体発光素子チップおよび
ボンディングワイヤを透光性樹脂で封止するようにした
ことを特徴とする、半導体発光装置である。
【０００７】第２の発明は、少なくとも発光層とＺｎＳ
ｅ層とが積層された半導体発光素子チップを２つの電極
にボンディングした半導体発光装置の製造方法であっ
て、導電性の接着剤を用いて一方の電極に発光層が接続
されるように半導体発光素子チップをダイボンディング
し、ボンディングワイヤを用いて他方の電極にＺｎＳｅ
層が接続されるように半導体発光素子チップを超音波方
式でワイヤボンディングし、そして半導体発光素子チッ
プおよびボンディングワイヤを透光性樹脂で封止するよ
うにした、半導体発光装置の製造方法である。
【０００８】
【作用】この半導体発光装置では、たとえば、絶縁性の
基板の表面に２つの電極が形成され、この２つの電極
に、少なくとも発光層とＺｎＳｅ層とが積層された半導
体発光素子チップ（ＬＥＤチップ）がボンディングされ
る。具体的には、一方の電極に銀ペーストのような導電
性の接着剤が塗布され、ＬＥＤチップは、発光層がその
一方の電極に接続されるようにマウントされる。したが
って、ＬＥＤチップが発光層側でダイボンディングされ
る。次に、インジウムワイヤのようなボンディングワイ
ヤを用いて、他方の電極とＺｎＳｅ層とが電気的に接続
される。たとえば、ＬＥＤチップは、超音波方式でワイ
ヤボンディングされる。したがって、室温（常温）でワ
イヤボンディングすることができ、インジウムワイヤが
酸化することはない。そして、ＬＥＤチップおよびボン
ディングワイヤがエポキシ樹脂のような透光性樹脂によ
って封止される。透光性樹脂のガラス転移点（転移温
度）は、６０℃〜１１０℃であるため、比較的低い温度
に設定しておけば、インジウムワイヤが酸化するのを防
止することができる。
【０００９】
【発明の効果】この発明によれば、導電性の接着剤を用
いてＬＥＤチップをダイボンディングし、インジウムワ
イヤを超音波方式でワイヤボンディングするので、製造
中における熱管理が簡単であり、より安価となる。
【００１０】この発明の上述の目的，その他の目的，特
徴および利点は、図面を参照して行う以下の実施例の詳
細な説明から一層明らかとなろう。
【００１１】
【実施例】図１を参照して、この実施例の半導体発光装
置（以下、単に「発光装置」という。）１０はガラスエ
ポキシ或いはセラミック等の絶縁性の材料で形成された
基板１２を含む。基板１２の表面には、２つのパターン
電極（以下、単に「電極」という。）１４ａおよび電極
１４ｂが形成される。電極１４ａおよび電極１４ｂは銅
で形成され、図１のII−II断面図である図２からよく分
かるように、基板１２の上面から側面を介して下面まで
伸びて形成される。
【００１２】なお、図１および図２においては、分かり
易くするために、電極１４ａおよび電極１４ｂに厚みを
設けて示してあるが、実際には、薄膜の厚さに形成され
る。
【００１３】図１に戻って、発光装置１０はまた、青
色、緑色或いは白色に発光する半導体発光素子（以下、
「ＬＥＤチップ」という。）１６を含み、ＬＥＤチップ
１６は電極１４ａ上に銀ペーストのような導電性の接着
剤１８によってダイボンディング（接着）される。ま
た、ＬＥＤチップ１６と電極１４ｂとが、インジウム
（Ｉｎ）で形成された金属細線（ワイヤ）２０によって
電気的に接続される。
【００１４】さらに、発光装置１０はエポキシ樹脂のよ
うな透光性樹脂２２を含み、透光性樹脂２２はＬＥＤチ
ップ１６およびワイヤ２０を封止するように、基板１２
および電極１４ａ、１４ｂの上に形成される。
【００１５】たとえば、この実施例では、図２に示すよ
うに、層構造のＬＥＤチップ１６が用いられる。具体的
には、ＬＥＤチップ１６は、ＺｎＳｅ層１６ａ、発光層
１６ｂおよび電極パッド１６ｃによって構成され、電極
パッド１６ｃ、発光層１６ｂおよびＺｎＳｅ層１６ａの
順に積層される。
【００１６】つまり、ＬＥＤチップ１６は、発光層１６
ｂが電極パッド１６ｃを介して電極１４ａに接続され、
ＺｎＳｅ層１６ａがワイヤ２０を介して電極１４ｂに接
続される。
【００１７】なお、このようなＬＥＤチップ１６として
は、平成１３年１月３０日付で出願公開された特開２０
０１−２８４５９号公報［Ｈ０１Ｌ ３３／００］に開
示されている発光装置のＬＥＤチップを用いることがで
き、そのＬＥＤチップの製造方法は当該公報（段落番号
「００３０」〜「００３２」）に詳細に開示されている
ので、ここではその詳細な説明は省略する。
【００１８】この実施例の発光装置１０を製造する場合
には、まず、図３（Ａ）に示すような複数の基板１２
（電極１４ａおよび１４ｂを含む。）が連続的に形成さ
れた連続基板３０が準備される。たとえば、この連続基
板３０は、基板１２を複数（この実施例では、５個）の
発光装置１０に対応する数だけ連結した長さであり、そ
の表面に銅泊がラミネート（接着）された後、複数の発
光装置１０に対応する電極対（電極１４ａおよび１４
ｂ）がエッチング処理によって形成される。
【００１９】なお、隣接する電極１４ａ同士は連続的に
形成され、同様に、隣接する電極１４ｂ同士は連続的に
形成される。
【００２０】この連続基板３０を用いて、まず、複数の
電極１４ａのそれぞれに導電性の接着剤１８（図３では
省略）が塗布され、続いて、図３（Ｂ）に示すように、
それぞれの電極１４ａにＬＥＤチップ１６がマウントさ
れる。このとき、ＬＥＤチップ１６は、電極１４ａに、
その電極パッド１６ｃすなわち発光層１６ｂが接続され
るようにマウントされる。このようにして、ＬＥＤチッ
プ１６が発光層１６ｂ側でダイボンディングされる。
【００２１】次の工程では、図３（Ｃ）に示すように、
ＬＥＤチップ１６がワイヤボンディングされる。つま
り、ＬＥＤチップ１６とそのＬＥＤチップ１６がダイボ
ンディングされた電極１４ａに対応する電極１４ｂとが
ワイヤ２０で電気的に接続される。つまり、ＺｎＳｅ層
１６ａと電極１４ｂとが接続される。たとえば、この実
施例では、超音波方式のワイヤボンディングが採用さ
れ、ワイヤボンディングする際には、ワイヤ２０に超音
波が加えられ、導電接着される。この超音波方式のワイ
ヤボンディングでは、接合温度は常温（室温）〜１５０
℃であるため、接合時に昇温の必要がない。したがっ
て、この実施例では、室温でワイヤボンディングして、
ワイヤ２０が酸化するのを防止している。
【００２２】そして、図４（Ａ）に示すように、ＬＥＤ
チップ１６がボンディングされた連続基板３０が上型３
２ａと下型３２ｂとの間に配置され、図４（Ｂ）に示す
ように、キャビネット３４内に透光性樹脂２２がモール
ドされる。そして、透光性樹脂２２が硬化すると、図４
（Ｃ）に示すように、金型（３２ａおよび３２ｂ）が離
型され、発光装置１０の大きさ毎に切断（ダイシング）
される。したがって、図１に示したような発光装置１０
が複数製造（形成）される。
【００２３】なお、透光性樹脂２２のガラス転移点（転
移温度）は、６０℃〜１１０℃であるため、転移温度を
比較的低く設定して、ワイヤ２０の酸化を防止してい
る。
【００２４】また、発光装置１０は、たとえば携帯電話
機のような電子機器のプリント基板等に実装されるが、
このとき半田リフロの際にはリフロ炉（図示せず）内の
温度が２４０℃〜２５０℃に設定されたとしても、半田
リフロの時間は比較的短いので、ワイヤ２０が酸化して
しまうという問題はない。
【００２５】この実施例によれば、導電性の接着剤を用
いてＬＥＤチップをダイボンディングし、超音波方式で
ワイヤボンディングするので、発光装置の製造時におけ
る熱処理の制約がなく、熱管理が簡単である。したがっ
て、発光装置を簡単かつ安価に製造できる。
【００２６】図５（Ａ）に示す他の実施例の発光装置４
０は、形状が異なる以外は、上述の実施例と同じである
ため、重複した説明は省略する。
【００２７】なお、他の実施例では、上述の実施例と同
じものには、同じ参照番号を付して説明することにす
る。
【００２８】図５（Ａ）に示すように、発光装置４０は
電極（リード）４２ａおよびリード４２ｂを含む。図５
（Ａ）の一部の拡大断面図である図５（Ｂ）からよく分
かるように、リード４２ａにはＬＥＤチップ１６がダイ
ボンディングされ、ＬＥＤチップ１６とリード４２ｂと
がワイヤ２０によって電気的に接続される。そして、リ
ード４２ａおよびリード４２ｂの一部、ＬＥＤチップ１
６およびワイヤ２０を封止するように、透光性樹脂２２
が設けられる。
【００２９】この発光装置４０を製造する場合には、図
６（Ａ）に示すように、一対のリード４２ａおよびリー
ド４２ｂが所定間隔で連続的に複数設けられたリードフ
レーム５０が準備される。図示は省略するが、このリー
ドフレーム５０は、たとえば、薄い金属板を打ち抜き金
型で打ち抜くことにより形成することができる。
【００３０】このリードフレーム５０は、図６（Ａ）か
ら分かるように、タイバ５０ａを含み、タイバ５０ａは
発光装置４０を製造するときに、リード４２ａおよびリ
ード４２ｂが互いにずれてしまうのを防止するために設
けられる。
【００３１】なお、リードフレーム５０は、図６（Ａ）
に示す形状に限らず、打ち抜き金型の形状に応じて所望
の形状に形成することができる。
【００３２】このリードフレーム５０を用いて、まず、
図６（Ｂ）に示すように、複数のＬＥＤチップ１６がボ
ンディングされる。具体的には、複数のＬＥＤチップ１
６は、複数のリード４２ａのそれぞれに、銀ペースト１
８を用いて接着（ダイボンディング）される。続いて、
ＬＥＤチップ１６は超音波方式でワイヤボンディングさ
れる。つまり、ＬＥＤチップ１６とＬＥＤチップ１６が
ダイボンディングされているリード４２ａと対をなすリ
ード４２ｂとがワイヤ２０によって電気的に接続され
る。
【００３３】次に、図６（Ｃ）に示すような樹脂型６０
が用意される。この樹脂型６０は、たとえば図５に示し
た透光性樹脂２２の外形と同じ形状の窪み（凹部）６０
ａを複数有し、ポリカーボネートで形成される。凹部６
０ａのそれぞれには、エポキシ樹脂等の透光性樹脂２２
（図６（Ｃ）では省略）が充填され、図６（Ｂ）に示し
た、ＬＥＤチップ１６のボンディングされたリードフレ
ーム５０がその凹部６０ａにＬＥＤチップ１６のボンデ
ィングされた側から挿入される（図７（Ａ）参照）。
【００３４】そして、透光性樹脂２２が熱硬化される
と、図７（Ｂ）に示すように、樹脂型６０が離型された
後、タイバ５０ａやバリなどが切断および除去され、図
５に示したような発光装置４０が複数製造（形成）され
る。
【００３５】なお、他の実施例では、樹脂型６０の凹部
６０ａに透光性樹脂を充填して透光性樹脂２２を形成す
るようにしてあるが、樹脂形成の方法は他の方法であっ
てもよく、トランスファモールド成形によって形成する
こともできる。
【００３６】他の実施例によれば、上述の実施例と同様
に、ＬＥＤチップを導電性の接着剤で接着し、超音波方
式でワイヤボンディングするので、発光装置の製造時に
おける熱管理が簡単であり、発光装置を簡単かつ安価に
製造できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の一実施例を示す図解図である。
【図２】図１実施例に示す発光装置の断面図である。
【図３】図１実施例に示す発光装置の製造工程の一部を
説明するための図解図である。
【図４】図１実施例に示す発光装置の製造工程の他の一
部を説明するための図解図である。
【図５】この発明の他の実施例を示す図解図である。
【図６】図５実施例に示す発光装置の製造工程の一部を
説明するための図解図である。
【図７】図５実施例に示す発光装置の製造工程の他の一
部を説明するための図解図である。
【図８】従来の発光装置の一例を示す図解図である。
【符号の説明】
１０，４０ …発光装置 １２ …基板 １４ａ，１４ｂ …電極 １６ …ＬＥＤチップ １８ …銀ペースト ２０ …ワイヤ ２２ …透光性樹脂 ３０ …連続基板 ４２ａ，４２ｂ …リード ５０ …リードフレーム

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】少なくとも発光層とＺｎＳｅ層とが積層さ
    れた半導体発光素子チップを２つの電極にボンディング
    した半導体発光装置において、 導電性の接着剤を用いて一方の前記電極に前記発光層が
    接続されるように前記半導体発光素子チップをダイボン
    ディングし、 ボンディングワイヤを用いて他方の前記電極に前記Ｚｎ
    Ｓｅ層が接続されるように前記半導体発光素子チップを
    ワイヤボンディングし、そして前記半導体発光素子チッ
    プおよび前記ボンディングワイヤを透光性樹脂で封止す
    るようにしたことを特徴とする、半導体発光装置。
  2. 【請求項２】前記導電性の接着剤は銀ペーストを含む、
    請求項１記載の半導体発光装置。
  3. 【請求項３】前記ボンディングワイヤはインジウムワイ
    ヤを含む、請求項１または２記載の半導体発光装置。
  4. 【請求項４】少なくとも発光層とＺｎＳｅ層とが積層さ
    れた半導体発光素子チップを２つの電極にボンディング
    した半導体発光装置の製造方法であって、 導電性の接着剤を用いて一方の前記電極に前記発光層が
    接続されるように前記半導体発光素子チップをダイボン
    ディングし、 ボンディングワイヤを用いて他方の前記電極に前記Ｚｎ
    Ｓｅ層が接続されるように前記半導体発光素子チップを
    超音波方式でワイヤボンディングし、そして前記半導体
    発光素子チップおよび前記ボンディングワイヤを透光性
    樹脂で封止するようにした、半導体発光装置の製造方
    法。
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JP2007324417A (ja) * 2006-06-01 2007-12-13 Sharp Corp 半導体発光装置とその製造方法
JP2013012666A (ja) * 2011-06-30 2013-01-17 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置の製造方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006253421A (ja) * 2005-03-10 2006-09-21 Citizen Electronics Co Ltd 発光ダイオード
JP2007324417A (ja) * 2006-06-01 2007-12-13 Sharp Corp 半導体発光装置とその製造方法
JP2013012666A (ja) * 2011-06-30 2013-01-17 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置の製造方法
US9039475B2 (en) 2011-06-30 2015-05-26 Toyoda Gosei Co., Ltd. Manufacturing method of light emitting devices

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