JP2003100941A - Wiring board and mounting structure thereof - Google Patents
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】 本発明は、ミリ波領域で、
同軸端子をもつ配線ボードに表面実装可能な配線基板
と、その実装構造に関する。TECHNICAL FIELD The present invention relates to the millimeter wave region,
The present invention relates to a wiring board which can be surface-mounted on a wiring board having coaxial terminals, and a mounting structure thereof.
【０００２】[0002]
【従来技術】 近年、高度情報化時代を迎え、情報伝達
に用いられる電波は１〜３０ＧＨｚのマイクロ波領域か
ら、更に３０〜３００ＧＨｚのミリ波領域の周波数まで
活用することが検討されており、例えば、６０ＧＨｚを
用いた無線ＬＡＮや７６ＧＨｚを用いた車間レーダーの
ような応用システムも提案されるようになっている。2. Description of the Related Art In recent years, in the age of advanced information technology, it has been considered to use radio waves used for information transmission from a microwave range of 1 to 30 GHz to a millimeter range of 30 to 300 GHz. Application systems such as a wireless LAN using 60 GHz and an inter-vehicle radar using 76 GHz have also been proposed.
【０００３】このような高周波用のシステムにおいて
は、インピーダンス不整合や信号間の干渉による信号波
形の劣化が起こりやすく、それらを抑制するために配線
基板と配線ボードの接続を、同軸線路形態で行うことが
特開２０００３０７２１１号等で提案されている。In such a high frequency system, signal waveform deterioration is likely to occur due to impedance mismatch and interference between signals, and in order to suppress such deterioration, the wiring board and the wiring board are connected in the coaxial line form. That is proposed in Japanese Patent Laid-Open No. 2000307211 and the like.
【０００４】図７は、その従来例を示す概略断面図であ
る。図７によれば、一方の配線基板６０に、信号線６
１、グランド層６２からなるマイクロストリップ線路６
３が形成されており、信号線６１先端は基板内部を貫通
するスルーホール導体６４と接続されている。FIG. 7 is a schematic sectional view showing the conventional example. According to FIG. 7, the signal line 6 is provided on one wiring board 60.
1. Microstrip line 6 consisting of ground layer 62
3 is formed, and the tip end of the signal line 61 is connected to the through-hole conductor 64 penetrating the inside of the substrate.
【０００５】他方の配線基板６５も同様に、信号線６
６、グランド層６７からなるマイクロストリップ線路６
８が形成されており、信号線６６先端は配線基板６５を
貫通するスルーホール導体６９に接続されている。この
例においては、配線基板６０を配線基板６５に実装する
にあたり、貫通穴７０が形成された導電性モジュールケ
ース７１を用い、配線基板６０のグランド層６２と配線
基板６５のグランド層６７をモジュールケース７１に接
合して、モジュールケース７１の貫通穴７０内壁を同軸
線路の外導体とし、一方、配線基板６０の信号線６１と
配線基板６５の信号線６６は、スルーホール導体６４、
６９を貫通して取り付けられた信号用接続部材７２によ
って電気的に接続し、これが同軸線路の内導体を形成す
るものである。Similarly, the other wiring board 65 also has the signal line 6
6. Microstrip line 6 consisting of ground layer 67
8 are formed, and the tips of the signal lines 66 are connected to the through-hole conductors 69 penetrating the wiring board 65. In this example, when mounting the wiring board 60 on the wiring board 65, a conductive module case 71 in which a through hole 70 is formed is used, and the ground layer 62 of the wiring board 60 and the ground layer 67 of the wiring board 65 are used as the module case. 71, and the inner wall of the through hole 70 of the module case 71 is used as the outer conductor of the coaxial line, while the signal line 61 of the wiring board 60 and the signal line 66 of the wiring board 65 are connected to the through-hole conductor 64,
It is electrically connected by a signal connecting member 72 attached penetrating 69, which forms an inner conductor of the coaxial line.
【０００６】また、他の従来例として、配線基板の裏面
に接続用半田バンプを形成したＢＧＡ（Ｂａｌｌ Ｇｒ
ｉｄ Ａｒｒａｙ）パッケージが特開平８−２３６６５
５号にて提案されている。これを図８に概略断面図を示
した。このパッケージ７３においては、絶縁基板７４の
裏面に、形成された信号端子７５の周囲に導体リング７
６を形成し、その信号端子７５および導体リング７６の
表面に半田バンプ７７を形成したものである。As another conventional example, a BGA (Ball Gr) having solder bumps for connection formed on the back surface of a wiring board.
id Array) package is disclosed in JP-A-8-23665.
Proposed in Issue 5. This is shown in a schematic sectional view in FIG. In this package 73, the conductor ring 7 is formed around the signal terminal 75 formed on the back surface of the insulating substrate 74.
6 is formed, and solder bumps 77 are formed on the surfaces of the signal terminal 75 and the conductor ring 76.
【０００７】[0007]
【発明が解決しようとする課題】 しかしながら、図７
に示した構造では、配線基板６０と配線基板６５との接
続組み立て方法が非常に特殊で、安価に大量に生産する
上で問題があった。また配線基板６０のスルーホール導
体６４には貫通穴７０が存在するために、モジュール内
部を気密封止するのが難しいという問題もあった。However, as shown in FIG.
In the structure shown in (1), the method of connecting and assembling the wiring board 60 and the wiring board 65 is very special, and there is a problem in mass-producing at low cost. Further, there is a problem that it is difficult to hermetically seal the inside of the module because the through hole 70 exists in the through hole conductor 64 of the wiring board 60.
【０００８】これに対して、図８のＢＧＡパッケージ
は、上記図８の課題は解決されるが、配線基板の表面側
に形成されたマイクロストリップ線路などの信号線路
と、同軸端子とを接続する場合に、変換効率が低下した
り、信号波形が劣化するなどの問題があった。On the other hand, in the BGA package of FIG. 8, although the problem of FIG. 8 is solved, a signal line such as a microstrip line formed on the front surface side of the wiring board is connected to the coaxial terminal. In this case, there are problems such as a decrease in conversion efficiency and a deterioration in signal waveform.
【０００９】しかも、図８のＢＧＡパッケージにおいて
は、半田バンプ７７が小さいと、半田バンプ７７の配
置、接合が難しくなるため、通常、０．５ｍｍφ〜０．
７ｍｍφの半田バンプ７７が一般的に用いられる。バン
プ７７同士の間隔は、ショートが発生しないようにバン
プ直径以上にするため、これらの半田バンプ７７の配列
で同軸線路形態の接続部を構成すると、導体リング７６
の内径は少なくとも１．５ｍｍ以上は必要となる。その
結果、同軸線路においては導体リング７６内周長が信号
波長より長くなってしまい、高次モードが発生し本来の
伝送モードが減衰してしまう。即ち、導体リング内径が
１．５ｍｍの場合、空気中であれば約６４ＧＨｚで高次
モードが発生し、それ以上の周波数では使用できないこ
とになる。In addition, in the BGA package of FIG. 8, if the solder bumps 77 are small, it is difficult to arrange and bond the solder bumps 77, so that the solder bumps 77 are normally 0.5 mmφ to 0.
A 7 mmφ solder bump 77 is generally used. The distance between the bumps 77 is set to be equal to or larger than the diameter of the bumps so that a short circuit does not occur.
It is necessary that the inner diameter of at least 1.5 mm or more. As a result, the inner circumference of the conductor ring 76 becomes longer than the signal wavelength in the coaxial line, and a higher mode is generated and the original transmission mode is attenuated. That is, when the inner diameter of the conductor ring is 1.5 mm, the higher order mode occurs at about 64 GHz in the air, and the higher mode cannot be used.
【００１０】従って、本発明は、高周波用のシステムに
おいて、インピーダンス不整合や信号間の干渉による信
号波形の劣化を抑制するための、安価な配線基板と、そ
れを用いた量産に適した実装構造を提供することを目的
とするものである。Therefore, according to the present invention, in a high frequency system, an inexpensive wiring board for suppressing deterioration of a signal waveform due to impedance mismatch and interference between signals, and a mounting structure suitable for mass production using the same. It is intended to provide.
【００１１】[0011]
【課題を解決するための手段】 本発明者は、前記課題
に鑑み検討を重ねた結果、誘電体基板の表面に、少なく
とも高周波部品搭載部と、前記高周波部品と接続される
伝送線路と、高周波部品用の電源線路とを形成し、前記
誘電体基板の裏面に、前記伝送線路と高周波的に接続さ
れた信号パッドと、該信号パッド周囲に形成したグラン
ド導体からなる同軸端子と、電源パッドとを形成してな
り、前記誘電体基板内部に、前記伝送線路から前記同軸
端子への変換部を有するとともに、前記電源線路と前記
電源パッドとを接続するビアホール導体とを具備してな
り、且つ前記同軸端子における前記グランド導体内周長
を空気中における信号波長より短くすることによって、
前記同軸端子をロウ材を介して他の同軸端子と直接接続
することができるとともに、誘電体基板の表面に形成さ
れた伝送線路と、同軸端子間の接続における信号波形の
劣化も抑制でき、さらには、高次モードの発生を抑制で
きることを見出し本発明に至った。Means for Solving the Problems As a result of repeated studies in view of the above problems, the present inventor has found that at least a high-frequency component mounting portion, a transmission line connected to the high-frequency component, and a high-frequency component are formed on the surface of a dielectric substrate. A power supply line for components is formed, and on the back surface of the dielectric substrate, a signal pad connected to the transmission line in a high frequency manner, a coaxial terminal formed of a ground conductor formed around the signal pad, and a power supply pad. And a via hole conductor connecting the power supply line and the power supply pad, the dielectric substrate having a conversion part from the transmission line to the coaxial terminal, and By making the inner circumferential length of the ground conductor in the coaxial terminal shorter than the signal wavelength in the air,
The coaxial terminal can be directly connected to another coaxial terminal through a brazing material, and the transmission line formed on the surface of the dielectric substrate and the deterioration of the signal waveform in the connection between the coaxial terminals can be suppressed, and Found that it is possible to suppress the generation of higher-order modes, and arrived at the present invention.
【００１２】また、グランド導体は、信号パッドを中心
とする導体リングによって形成されていてもよいし、ま
た、所定の隙間をおいて信号パッドを中心とするリング
状に複数配列されたグランドパッドから形成されていて
もよい。なお、グランドパッドからなる場合、その隙間
が空気中における信号波長の１／４未満となるように配
列してなることが望ましい。Further, the ground conductor may be formed by a conductor ring having the signal pad as the center, or a plurality of ring-shaped ground pads having the signal pad as the center with a predetermined gap therebetween. It may be formed. In the case of the ground pad, it is desirable that the gap be arranged so that the gap is less than ¼ of the signal wavelength in the air.
【００１３】また、前記伝送線路は、誘電体基板表面に
信号線を有し、前記誘電体基板内部のグランド層ととも
にマイクロストリップ線路を形成してなるもので、その
場合、前記伝送線路の信号線の端部と、前記同軸端子の
信号パッドとをビアホール導体によって接続してなり、
また、前記グランド導体と前記グランド層とを、隙間が
誘電体基板内の信号波長の１／４未満となるように配列
された複数のビアホール導体によって電気的に接続する
ことによって、信号線路から同軸端子までの信号の劣化
を防止することができる。The transmission line has a signal line on the surface of the dielectric substrate and forms a microstrip line together with a ground layer inside the dielectric substrate. In that case, the signal line of the transmission line is formed. And the signal pad of the coaxial terminal is connected by a via-hole conductor,
Further, the ground conductor and the ground layer are electrically connected by a plurality of via-hole conductors arranged so that the gap is less than ¼ of the signal wavelength in the dielectric substrate, thereby coaxially connecting from the signal line. It is possible to prevent the deterioration of signals up to the terminals.
【００１４】また、本発明の配線基板の実装構造は、誘
電体基板の表面に、導体層による信号パッドと、該信号
パッド周囲に形成した導体層によるグランド導体からな
る同軸端子と、電源端子とが被着形成された配線ボード
の表面に高周波部品を搭載した上記配線基板を載置し、
前記配線基板側および配線ボード側の同軸端子における
信号パッド同士、グランド導体同士および電源パッド同
士をそれぞれロウ材によって電気的に接続してなること
を特徴とするものである。Further, in the wiring board mounting structure of the present invention, a signal pad made of a conductor layer, a coaxial terminal made of a ground conductor made of a conductor layer formed around the signal pad, and a power supply terminal are provided on the surface of the dielectric substrate. Place the wiring board with high-frequency components mounted on the surface of the wiring board that has been formed by
The signal pads of the coaxial terminals on the wiring board side and the wiring board side, the ground conductors, and the power supply pads are electrically connected by a brazing material.
【００１５】かかる実装構造においては、前記配線基板
側の同軸端子と、前記配線ボード側の同軸端子とが、実
質的に同一形状からなることが接続信頼性を高めるため
に望ましい。In such a mounting structure, it is desirable that the coaxial terminal on the side of the wiring board and the coaxial terminal on the side of the wiring board have substantially the same shape in order to improve connection reliability.
【００１６】前記配線基板における誘電体基板がセラミ
ック絶縁材料からなり、前記配線ボードにおける配線ボ
ードが有機樹脂を含有する絶縁材料からなり、その場合
の前記配線基板における誘電体基板と、配線ボードにお
ける誘電体基板との室温〜３００℃における熱膨張係数
差が、２０×１０-6／℃以下であることによって実装信
頼性を高めることができる。The dielectric substrate in the wiring board is made of a ceramic insulating material, the wiring board in the wiring board is made of an insulating material containing an organic resin, and the dielectric board in the wiring board and the dielectric in the wiring board in that case. When the difference in thermal expansion coefficient between the body substrate and room temperature to 300 ° C. is 20 × 10 −6 / ° C. or less, mounting reliability can be improved.
【００１７】また、本発明によれば、かかる実装構造に
おいては、配線基板の同軸端子を信号パッドと、グラン
ド導体によって形成し、ロウ材によって他の同軸端子と
接続することができるために安価で配線基板の組み立て
や実装が容易な配線基板を得ることができる。しかも、
配線基板における信号線路と同軸端子との接続部でのイ
ンピーダンス不整合や信号間の干渉による信号波形の劣
化を防止することができ、高周波用のシステムを実現す
ることができる。Further, according to the present invention, in such a mounting structure, the coaxial terminal of the wiring board can be formed by the signal pad and the ground conductor, and can be connected to another coaxial terminal by the brazing material, so that the cost is low. It is possible to obtain a wiring board that is easy to assemble and mount. Moreover,
It is possible to prevent the deterioration of the signal waveform due to the impedance mismatch or the interference between the signals at the connection portion between the signal line and the coaxial terminal on the wiring board, and it is possible to realize the high frequency system.
【００１８】[0018]
【発明の実施の形態】 以下、本発明の一例を説明する
図１乃至図５をもとに詳述する。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, an example of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 1 to 5.
【００１９】図１は、本発明の配線基板の一例を説明す
るもので、(ａ)は概略断面図、（ｂ）は基板表面の平面
図、（ｃ）は基板内部のグランド層のパターン図、
（ｄ）は基板裏面の平面図である。FIG. 1 illustrates an example of a wiring board of the present invention. (A) is a schematic sectional view, (b) is a plan view of the surface of the board, (c) is a pattern view of a ground layer inside the board. ,
(D) is a plan view of the back surface of the substrate.
【００２０】図１によれば、配線基板Ａは、誘電体層１
ａ、１ｂ、１ｃの積層構造からなる誘電体基板１を有
し、この誘電体基板１の表面に、蓋体２を接合すること
によって気密に封止されたキャビティ３を形成してい
る。また、誘電体基板１の表面には、高周波部品Ｂを搭
載する搭載部が形成されている。また誘電体基板１表面
には、搭載される高周波部品Ｂの高周波信号を伝送する
ための信号線路４が形成されている。また、誘電体基板
１の内部には、グランド層５が形成されている。図１の
配線基板Ａにおいては、信号線路４は、グランド層５と
ともにマイクロストリップ線路を形成している。According to FIG. 1, the wiring board A has a dielectric layer 1
A dielectric substrate 1 having a laminated structure of a, 1b, and 1c is provided, and a cavity 3 hermetically sealed by forming a lid 2 on the surface of the dielectric substrate 1 is formed. A mounting portion for mounting the high frequency component B is formed on the surface of the dielectric substrate 1. A signal line 4 for transmitting a high frequency signal of the high frequency component B to be mounted is formed on the surface of the dielectric substrate 1. A ground layer 5 is formed inside the dielectric substrate 1. In the wiring board A of FIG. 1, the signal line 4 forms a microstrip line together with the ground layer 5.
【００２１】また、誘電体基板１の表面には、搭載され
る高周波部品Ｂに電力や制御系信号を供給するための電
源線路６が被着形成されている。On the surface of the dielectric substrate 1, a power supply line 6 for supplying electric power and control system signals to the mounted high frequency component B is adhered and formed.
【００２２】一方、誘電体基板１の裏面には、信号パッ
ド７と、この信号パッド７周囲にグランド導体８を具備
する同軸端子９が形成されている。この配線基板Ａにお
いては、図１（ｄ）に示すように、同軸端子９のグラン
ド導体８は、信号パッド７を中心とする導体リングによ
って形成されている。また、配線基板Ａにおいては、入
力用および出力用として２つの同軸端子９が形成されて
いる。On the other hand, on the back surface of the dielectric substrate 1, a signal pad 7 and a coaxial terminal 9 having a ground conductor 8 around the signal pad 7 are formed. In this wiring board A, as shown in FIG. 1D, the ground conductor 8 of the coaxial terminal 9 is formed by a conductor ring centered on the signal pad 7. Further, in the wiring board A, two coaxial terminals 9 for input and output are formed.
【００２３】また、本発明の配線基板Ａによれば、同軸
端子９と配線基板Ａの表面に形成されたマイクロストリ
ップ線路の信号線路４とを結合するための変換部を具備
する。図１（ａ）によれば、グランド層５におけるマイ
クロストリップ線路の信号線路４の先端直下に導体非形
成領域５ａを設け、この導体非形成領域５ａを貫通する
ビアホール導体１０によって、信号線路４の先端と信号
パッド７とを接続した構造になっている。Further, according to the wiring board A of the present invention, there is provided a conversion portion for coupling the coaxial terminal 9 and the signal line 4 of the microstrip line formed on the surface of the wiring board A. According to FIG. 1A, a conductor non-forming region 5a is provided immediately below the tip of the signal line 4 of the microstrip line in the ground layer 5, and the via hole conductor 10 penetrating the conductor non-forming region 5a allows the signal line 4 It has a structure in which the tip and the signal pad 7 are connected.
【００２４】そして、この導体リング８には、誘電体基
板１の内部に形成されたグランド層５と、隙間が信号波
長の１／４未満となるように配列された複数のビアホー
ル導体１１によって電気的に接続されている。このビア
ホール導体１１によって、導体リング８はグランド層５
と接続され、ビアホール導体１０とともに疑似的な同軸
線路を形成して高周波信号を伝送するが、このビアホー
ル導体１１間の隙間ｔが信号波長の１／４以上では、マ
イクロストリップ線路から同軸端子９に変換される過程
で、信号のもれによる劣化が生じ易いことから、この隙
間ｔを１／４未満とすることによってマイクロストリッ
プ線路の信号線路４から同軸端子９までの過程での信号
の劣化を防止できる。The conductor ring 8 is electrically connected to the ground layer 5 formed inside the dielectric substrate 1 and a plurality of via-hole conductors 11 arranged so that the gap is less than 1/4 of the signal wavelength. Connected to each other. Due to this via-hole conductor 11, the conductor ring 8 is connected to the ground layer 5
And a pseudo coaxial line is formed together with the via-hole conductor 10 to transmit a high frequency signal. When the gap t between the via-hole conductors 11 is ¼ or more of the signal wavelength, the microstrip line is connected to the coaxial terminal 9. Since deterioration due to signal leakage is likely to occur in the conversion process, by setting this gap t to be less than 1/4, the deterioration of the signal in the process from the signal line 4 of the microstrip line to the coaxial terminal 9 can be prevented. It can be prevented.
【００２５】さらに、本発明によれば、導体リング８の
内周長Ｌが空気中の信号波長より短くなるように設定さ
れていることが望ましい。これは、同軸端子のグランド
導体内周長Ｌが信号波長よりも長いと、高次モードが発
生し、信号の劣化が発生しやすいためであり、この内周
長Ｌを信号波長よりも短くすることにより、同軸端子９
による接続部において高周波信号の高次モードの発生を
防止するためである。Further, according to the present invention, it is desirable that the inner peripheral length L of the conductor ring 8 is set to be shorter than the signal wavelength in the air. This is because if the inner circumferential length L of the ground conductor of the coaxial terminal is longer than the signal wavelength, a higher-order mode is likely to occur and signal deterioration is likely to occur. This inner circumferential length L is made shorter than the signal wavelength. By this, the coaxial terminal 9
This is to prevent the generation of the higher-order mode of the high-frequency signal in the connection part due to.
【００２６】なお、誘電体基板１の裏面には、上記同軸
端子９とともに、電源パッド１２が形成されており、誘
電体基板１表面側に形成された電源線路６とビアホール
導体１３によって接続されている。これにより、同軸端
子９と、電源パッド１２の他の回路との接続を一括して
行うことができる。A power supply pad 12 is formed on the back surface of the dielectric substrate 1 together with the coaxial terminal 9 and is connected to the power supply line 6 formed on the front surface side of the dielectric substrate 1 by a via hole conductor 13. There is. As a result, the coaxial terminal 9 and the other circuit of the power supply pad 12 can be collectively connected.
【００２７】また、本発明の配線基板においては、誘電
体基板の裏面に、同軸端子９以外に、電源パッド１２を
有し、さらに必要に応じてダミー端子を設けることによ
ってロウ材による接続の際に、セルフアライメント効果
を発揮させることができ、他の回路に対して精度よく接
続することができる。In addition, in the wiring board of the present invention, a power supply pad 12 is provided on the back surface of the dielectric substrate in addition to the coaxial terminals 9, and dummy terminals are provided if necessary, so that a brazing material can be used for connection. Moreover, the self-alignment effect can be exerted, and the circuit can be accurately connected to other circuits.
【００２８】次に、図２には、配線基板Ａを配線ボード
Ｃに実装した時の（ａ）概略断面図、（ｂ）配線ボード
Ｃ表面の平面図を示した。この図２によれば、配線ボー
ドＣは、誘電体基板１５の表面に、図２（ｂ）に示すよ
うに、配線基板Ａと同様に、信号パッド１６とグランド
導体１７からなる同軸端子１８と、電源回路（図示せ
ず）と接続された電源パッド１９が形成されている。Next, FIG. 2 shows (a) a schematic sectional view when the wiring board A is mounted on the wiring board C, and (b) a plan view of the surface of the wiring board C. As shown in FIG. 2B, the wiring board C has coaxial terminals 18 including signal pads 16 and ground conductors 17 on the surface of the dielectric substrate 15, as shown in FIG. 2B. A power supply pad 19 connected to a power supply circuit (not shown) is formed.
【００２９】そして、この配線ボードＣの表面に、図１
の配線基板Ａを載置し、配線基板Ａ側および配線ボード
Ｃ側の同軸端子９，１８における信号パッド７，１６同
士、およびグランド導体８，１７同士をそれぞれロウ材
２０によって電気的に接続することによって、配線基板
Ａを配線ボードＣの表面に実装することができる。ま
た、同時に、配線基板Ａの電源パッドと配線ボードＣの
配線パッド１９も同時にロウ材２０によって電気的に接
続される。Then, on the surface of the wiring board C, as shown in FIG.
The wiring board A is placed, and the signal pads 7 and 16 in the coaxial terminals 9 and 18 on the wiring board A side and the wiring board C side and the ground conductors 8 and 17 are electrically connected by the brazing material 20. As a result, the wiring board A can be mounted on the surface of the wiring board C. At the same time, the power supply pad of the wiring board A and the wiring pad 19 of the wiring board C are simultaneously electrically connected by the brazing material 20.
【００３０】本発明によれば、上記の配線基板Ａの配線
ボードＣへの表面実装にあたって、ロウ材２０によりに
じみが発生したり、あるいは配線基板Ａと配線ボードＣ
との実装時の高さが変動すると、配線基板Ａの配線ボー
ドＣへの実装部分で信号の劣化が生じやすくなる。そこ
で、図１（ａ）に示すように、信号パッド７、グランド
導体８、電源パッド１２などのロウ付けされる部分以外
の領域に、ロウ材２０との濡れ性の低い絶縁材料からな
る被覆層２１を形成することが望ましい。この被覆層２
１によってロウ材２０による実装の際に、ロウ材のにじ
みを防止することができる。またこの被覆層２１の厚み
を調整することによって、配線基板Ａと配線ボードＣと
の実装時の高さを一定に保つことができるために、高さ
の変動による信号の劣化や伝送特性の変動の発生を防止
することができる。According to the present invention, when the above-mentioned wiring board A is surface-mounted on the wiring board C, bleeding occurs due to the brazing material 20, or the wiring board A and the wiring board C.
If the mounting heights of and fluctuate, the signal is likely to deteriorate in the mounting portion of the wiring board A on the wiring board C. Therefore, as shown in FIG. 1A, a coating layer made of an insulating material having a low wettability with the brazing material 20 is provided in a region other than the portion to be brazed such as the signal pad 7, the ground conductor 8 and the power supply pad 12. It is desirable to form 21. This coating layer 2
1 makes it possible to prevent bleeding of the brazing material during mounting with the brazing material 20. Further, by adjusting the thickness of the coating layer 21, the mounting heights of the wiring board A and the wiring board C can be kept constant, so that the deterioration of the signal and the fluctuation of the transmission characteristics due to the fluctuation of the height. Can be prevented.
【００３１】この被覆層２１は、有機系、無機系のいず
れでもよく、絶縁性の有機樹脂や、有機樹脂と無機フィ
ラーとの混合物を配線基板Ａの表面に塗布し硬化させた
り、または、ガラスペーストを塗布し焼き付けすること
もできる。The coating layer 21 may be either organic or inorganic, and may be formed by applying an insulating organic resin or a mixture of an organic resin and an inorganic filler to the surface of the wiring board A and curing it, or by glass. It is also possible to apply a paste and bake.
【００３２】次に、本発明の配線基板の変形例として、
他の同軸端子構造について配線基板Ｄをもとに説明す
る。図３は、配線基板Ｄの（ａ）基板裏面の平面図と、
（ｂ）同軸端子の拡大図である。なお、同一構造の部分
は図１の符号を適用した。Next, as a modified example of the wiring board of the present invention,
Another coaxial terminal structure will be described based on the wiring board D. FIG. 3 is a plan view of (a) the back surface of the wiring board D,
(B) It is an enlarged view of a coaxial terminal. In addition, the reference numerals of FIG. 1 are applied to the portions having the same structure.
【００３３】図３の配線基板Ｄによれば、同軸端子９
は、信号パッド７の周囲に、複数のグランドパッド１４
が隙間Ｍをもって形成されている。この場合、隙間Ｍは
ロウ材による接続部からの信号洩れを抑制するために信
号波長の１／４未満に設定される。According to the wiring board D of FIG. 3, the coaxial terminal 9
Is a plurality of ground pads 14 around the signal pad 7.
Are formed with a gap M. In this case, the gap M is set to be less than 1/4 of the signal wavelength in order to suppress signal leakage from the connecting portion due to the brazing material.
【００３４】また、このグランドパッド１４は、誘電体
基板１内部に形成されたグランド層５とビアホール導体
１１によって電気的に接続されている。この場合も、ビ
アホール導体１１の隙間Ｍは、誘電体基板内の信号波長
の１／４未満に設定される。さらに、グランドパッド１
４は、信号パッド７を中心とする円形状に配列される
が、その配列における内周長さも空気中における波長よ
りも短くなるように設定される。The ground pad 14 is electrically connected to the ground layer 5 formed inside the dielectric substrate 1 by the via hole conductor 11. Also in this case, the gap M between the via-hole conductors 11 is set to less than 1/4 of the signal wavelength in the dielectric substrate. Furthermore, ground pad 1
4 are arranged in a circular shape centered on the signal pad 7, and the inner peripheral length in the arrangement is set to be shorter than the wavelength in air.
【００３５】かかる構造の同軸端子９においては、配線
ボードＣ側にも同様な同軸端子を設け、信号パッド同
士、各グランドパッド１４同士をロウ材によって接続す
ることによって配線基板Ｄを配線ボードＣに表面実装す
ることができる。In the coaxial terminal 9 having such a structure, a similar coaxial terminal is provided on the wiring board C side, and the signal pads and the ground pads 14 are connected to each other by a brazing material so that the wiring board D is connected to the wiring board C. It can be surface mounted.
【００３６】次に、本発明の配線基板の他の例として、
図４に配線基板Ｅの（ａ）概略断面図、（ｂ）裏面の平
面図、（ｃ）配線ボードＣに実装した時の概略断面図を
示した。Next, as another example of the wiring board of the present invention,
FIG. 4 shows (a) a schematic sectional view of the wiring board E, (b) a plan view of the back surface, and (c) a schematic sectional view when mounted on the wiring board C.
【００３７】この配線基板Ｅは、前述の配線基板Ａ裏面
のロウ材に濡れない被覆層２１をなくし、代わりに誘電
体層１ｄを積層、焼成して一体的に作製したものであ
る。配線基板Ａと同じ部位には同じ記号を付した。誘電
体層１ｄの同軸端子９部分には貫通穴２２を設け、同軸
端子９を配線基板Ｅ裏面に露出させている。また、貫通
穴２２の側壁には側壁導体２３が形成されており、誘電
体層１ｄ下面のグランドパッド２４と同軸端子９のグラ
ンド導体８とを接続している。This wiring board E is manufactured integrally by removing the coating layer 21 on the back surface of the wiring board A which is not wet with the brazing material, and instead laminating and firing the dielectric layer 1d. The same parts as those of the wiring board A are denoted by the same symbols. A through hole 22 is provided in the coaxial terminal 9 portion of the dielectric layer 1d to expose the coaxial terminal 9 on the back surface of the wiring board E. A side wall conductor 23 is formed on the side wall of the through hole 22, and connects the ground pad 24 on the lower surface of the dielectric layer 1d to the ground conductor 8 of the coaxial terminal 9.
【００３８】以上のように誘電体層１ｄを追加すること
により、ロウ材に濡れない被覆層２１を被覆する工程が
不要になり、配線基板を安価に提供することができる。
また誘電体基板１の厚みが厚くできるために強度が増し
て実装工程における取扱いを容易にできる。By adding the dielectric layer 1d as described above, the step of coating the coating layer 21 that does not wet the brazing material becomes unnecessary, and the wiring board can be provided at a low cost.
Further, since the thickness of the dielectric substrate 1 can be increased, the strength is increased and the handling in the mounting process can be facilitated.
【００３９】次に、図５に配線基板Ｅよりもさらに基板
厚さを厚くした配線基板Ｆの概略断面図を示した。この
配線基板Ｆは、前述の配線基板Ａの誘電体層１ｃを複数
の誘電体層１ｃ１、１ｃ２で構成したものである。な
お、配線基板Ａと同じ部位には同じ記号を付した。Next, FIG. 5 shows a schematic cross-sectional view of the wiring board F, which is thicker than the wiring board E. In this wiring board F, the dielectric layer 1c of the wiring board A is composed of a plurality of dielectric layers 1c1 and 1c2. The same parts as those on the wiring board A are designated by the same reference numerals.
【００４０】かかる配線基板Ｆにおいては、誘電体層１
ｃ１、１ｃ２との界面において、接続用グランド導体８
ａを設けることが望ましい。これにより、ビアホール導
体１０のグランド層５よりも下部の部分がビアホール導
体１０を中心とし、その回りにビアホール導体１１と接
続用グランド導体８ａからなる格子状の導体壁が形成さ
れることから、信号のもれの発生を防止することができ
る。In the wiring board F, the dielectric layer 1
At the interface with c1, 1c2, the ground conductor 8 for connection
It is desirable to provide a. As a result, a portion of the via-hole conductor 10 below the ground layer 5 is centered on the via-hole conductor 10 and a grid-like conductor wall composed of the via-hole conductor 11 and the connecting ground conductor 8a is formed around the via-hole conductor 10, so Occurrence of leakage can be prevented.
【００４１】以上のように誘電体層１ｃを複数の誘電体
層で構成し、接続用信号パッド７ａ、接続用グランド導
体８ａを介して、配線基板裏面に導出することにより、
さらに配線基板の厚さを厚くして誘電体基板強度を増す
ことができる。As described above, the dielectric layer 1c is composed of a plurality of dielectric layers, and is led out to the back surface of the wiring board through the connection signal pad 7a and the connection ground conductor 8a.
Further, the thickness of the wiring board can be increased to increase the strength of the dielectric board.
【００４２】さらに、これまでの配線基板では、マイク
ロストリップ線路構造の信号線路から同軸端子に直接的
に接続されるものであったが、これは、同軸端子を信号
線路の直下に形成できる場合には有効であるが、配線基
板の設計によっては、信号線路の端部の直下に同軸端子
を形成できない場合がある。そのような場合に好適な配
線基板Ｇの概略断面図を図６に示した。なお、前記配線
基板と同じ部分には同じ符号を付けた。Further, in the conventional wiring board, the signal line of the microstrip line structure is directly connected to the coaxial terminal. However, this is when the coaxial terminal can be formed immediately below the signal line. Is effective, but depending on the design of the wiring board, it may not be possible to form the coaxial terminal immediately below the end of the signal line. A schematic sectional view of the wiring board G suitable for such a case is shown in FIG. The same parts as those of the wiring board are designated by the same reference numerals.
【００４３】この配線基板Ｇにおける誘電体基板１は、
誘電体層１ａ〜１ｅの５層から構成され、そのうち誘電
体層１ｃ、１ｄには、上グランド層３１、下グランド層
３２およびストリップ線路３３からなるトリプレート線
路が形成されている。なお、上グランド層３１と下グラ
ンド層３２とはビアホール導体３４によって電気的に接
続されている。The dielectric substrate 1 in this wiring board G is
The dielectric layers 1a to 1e are composed of five layers, of which the dielectric layers 1c and 1d are provided with a triplate line including an upper ground layer 31, a lower ground layer 32 and a strip line 33. The upper ground layer 31 and the lower ground layer 32 are electrically connected by the via hole conductor 34.
【００４４】配線基板Ｇ表面には信号線路４と上グラン
ド層３１と共有されたグランド層５からなるマイクロス
トリップ線路が形成されており、搭載される高周波部品
Ｂと接続されている。そして、マイクロストリップ線路
の信号線路４の他端は、上グランド層３１と非接触で貫
通するビアホール導体３５によってトリプレート線路の
ストリップ導体３３に接続されている。そして、トリプ
レート線路におけるストリップ導体３３先端は、ビアホ
ール導体３６で下グランド層３２と同一面に形成された
接続用信号パッド３７に接続され、接続用信号パッド３
７を内導体、下グランド層３２を外導体とする同軸線路
形態に変換されている。配線基板Ｇ内部の接続用信号パ
ッド３７と下グランド層３２は、それぞれビアホール導
体３８、３９によって配線基板裏面の信号パッド７、グ
ランド導体８に接続される。かかる構造によっても、配
線基板Ｇは高周波の信号の劣化を抑制しつつ配線ボード
Ｃと同軸モードによって表面実装することができる。A microstrip line composed of the signal line 4 and the ground layer 5 shared by the upper ground layer 31 is formed on the surface of the wiring board G, and is connected to the mounted high frequency component B. The other end of the signal line 4 of the microstrip line is connected to the strip conductor 33 of the triplate line by a via-hole conductor 35 penetrating the upper ground layer 31 in a non-contact manner. The tip end of the strip conductor 33 in the triplate line is connected to the connection signal pad 37 formed on the same surface as the lower ground layer 32 by the via hole conductor 36, and the connection signal pad 3 is connected.
7 is an inner conductor and the lower ground layer 32 is an outer conductor. The connection signal pad 37 and the lower ground layer 32 inside the wiring board G are connected to the signal pad 7 and the ground conductor 8 on the rear surface of the wiring board by via hole conductors 38 and 39, respectively. With such a structure, the wiring board G can be surface-mounted on the wiring board C in the coaxial mode while suppressing deterioration of high-frequency signals.
【００４５】本発明において、配線基板における誘電体
基板１や配線ボードにおける誘電体基板１５を形成する
誘電体材料としては、Ａｌ2Ｏ3、ＡｌＮ、Ｓｉ3Ｎ4、ム
ライトなどを主成分とするセラミック材料、ガラス、あ
るいはガラスとセラミックフィラーとの混合物を焼成し
て形成されたガラスセラミック材料、エポキシ樹脂、ポ
リイミド樹脂、テフロン（登録商標）などのフッ素系樹
脂などを含む樹脂系材料、有機樹脂−セラミック（ガラ
ス含む）複合系材料などが用いられる。In the present invention, the dielectric material for forming the dielectric substrate 1 in the wiring board and the dielectric substrate 15 in the wiring board is mainly composed of Al 2 O 3 , AlN, Si 3 N 4 , mullite and the like. Ceramic material, glass, or glass ceramic material formed by firing a mixture of glass and ceramic filler, epoxy resin, polyimide resin, resin material including fluorine resin such as Teflon (registered trademark), organic resin- A ceramic (including glass) composite material is used.
【００４６】特に、高周波部品を搭載する配線基板の誘
電体基板１としては、誘電正接が小さいとともに、気密
封止が可能であることが好適である。特に望ましい誘電
体材料としては、Ａｌ2Ｏ3、ＡｌＮ、ガラスセラミック
材料の群から選ばれる少なくとも１種の無機材料が挙げ
られる。このような硬質系材料で構成すれば、搭載した
高周波部品を気密に封止することができ信頼性を高める
ために好ましい。In particular, as the dielectric substrate 1 of the wiring substrate on which the high frequency component is mounted, it is preferable that the dielectric substrate has a small dielectric loss tangent and can be hermetically sealed. Particularly desirable dielectric materials include at least one inorganic material selected from the group of Al 2 O 3 , AlN and glass ceramic materials. It is preferable to use such a hard material to hermetically seal the mounted high-frequency component and improve reliability.
【００４７】また、誘電体ボードにおける誘電体基板と
しては、誘電率５以下の低誘電率材料からなることが望
ましく、特に有機樹脂を含む絶縁材料からなることが望
ましい。また、配線基板の実装信頼性を高める上で、配
線基板における誘電体基板１と配線ボードにおける誘電
体基板１５との室温〜３００℃における熱膨張係数差は
２０×１０-6／℃以下、特に１０×１０-6／℃以下であ
ることが望ましい。The dielectric substrate of the dielectric board is preferably made of a low dielectric constant material having a dielectric constant of 5 or less, and particularly preferably an insulating material containing an organic resin. Further, in order to improve the mounting reliability of the wiring board, the difference in coefficient of thermal expansion between the dielectric substrate 1 in the wiring board and the dielectric substrate 15 in the wiring board at room temperature to 300 ° C. is 20 × 10 −6 / ° C. or less, particularly It is preferably 10 × 10 −6 / ° C. or less.
【００４８】[0048]
【実施例】本発明の効果を確認すべく、以下の実験を行
なった。まず、配線基板Ａとして、焼成後、１０ＧＨｚ
における誘電正接が６×１０-4、室温〜３００℃におけ
る熱膨張係数が８×１０-6／℃のアルミナセラミックス
のグリーンシートと、タングステンメタライズインクを
用いて、通常の積層、同時焼成技術によって図１に示し
た配線基板に類似の評価基板を作製した。評価基板は、
図１の配線基板のキャビティをなくし、高周波部品を搭
載せずに、入出力用の２つのマイクロストリップ線路の
信号線路を接続したものである。焼成後、誘電体基板の
表面および裏面のメタライズ表面にニッケルおよび金に
よるめっき加工を施した。EXAMPLES The following experiments were conducted to confirm the effects of the present invention. First, as the wiring board A, after firing, 10 GHz
The dielectric layer has a dielectric loss tangent of 6 × 10 −4 and a thermal expansion coefficient of 8 × 10 −6 / ° C. at room temperature to 300 ° C., and a tungsten metallized ink is used, and the ordinary lamination and co-firing techniques are applied to An evaluation board similar to the wiring board shown in FIG. The evaluation board is
The signal line of two microstrip lines for input and output is connected without eliminating the cavity of the wiring board of FIG. 1 and mounting high frequency components. After firing, the metallized surfaces of the front and back surfaces of the dielectric substrate were plated with nickel and gold.
【００４９】なお、同軸端子として、０．３ｍｍφの信
号パッドと、内周長が２．２ｍｍ、３．８ｍｍ、４．７
ｍｍの導体リングを形成し、また、導体リングは、隙間
が０．２ｍｍで配列された複数のビアホール導体によっ
て誘電体基板内部のグランド層に接続した。As coaxial terminals, a signal pad having a diameter of 0.3 mm and an inner peripheral length of 2.2 mm, 3.8 mm, 4.7.
mm conductor ring was formed, and the conductor ring was connected to the ground layer inside the dielectric substrate by a plurality of via-hole conductors arranged with a gap of 0.2 mm.
【００５０】配線ボードＣとして図２に示した配線ボー
ドをフッ素系プリント板（１０ＧＨｚ誘電正接０．００
１、室温〜３００℃の熱膨張係数２１×１０-6／℃）で
作製した。即ち、プリント板の表面に、銅箔からなる評
価用配線基板の同軸端子と全く同じ大きさの同軸端子を
形成した。またプリント基板の裏面には、測定用コプレ
ーナを取り付けた。As the wiring board C, the wiring board shown in FIG. 2 is used as a fluorine-based printed board (10 GHz dielectric loss tangent 0.00
1. The thermal expansion coefficient of room temperature to 300 ° C. was 21 × 10 −6 / ° C.). That is, a coaxial terminal having the same size as the coaxial terminal of the evaluation wiring board made of copper foil was formed on the surface of the printed board. A measurement coplanar was attached to the back surface of the printed circuit board.
【００５１】そして、上記のプリント板のパッドに印刷
法でＡｇ−Ｓｎ−Ｃｕ系の半田ペーストを印刷し、上記
評価用配線基板を搭載してリフローで半田実装して配線
基板を配線ボードに表面実装した。Then, an Ag-Sn-Cu solder paste is printed on the pad of the printed board by a printing method, the evaluation wiring board is mounted, and soldering is performed by reflow to mount the wiring board on the surface of the wiring board. Implemented.
【００５２】評価用サンプルの配線ボード裏面に測定用
プローブを接触させ、７６ＧＨｚにおける挿入損失を測
定して配線基板内のマイクロストリップ線路から配線ボ
ードの裏面までの接続損失を見積った。A measurement probe was brought into contact with the back surface of the wiring board of the evaluation sample, and the insertion loss at 76 GHz was measured to estimate the connection loss from the microstrip line in the wiring board to the back surface of the wiring board.
【００５３】その結果、グランド導体の内周長が４．７
ｍｍ（空気中の信号波長よりも長い）の場合では、損失
は４ｄＢと大きいものであったが、内周長が３．８ｍ
ｍ，２．２ｍｍの場合（空気中の信号波長よりも短い）
は、それぞれ１．１ｄＢ、１．０ｄＢと小さく、良好な
表面実装が可能であった。As a result, the inner peripheral length of the ground conductor is 4.7.
In the case of mm (longer than the signal wavelength in air), the loss was as large as 4 dB, but the inner circumference length was 3.8 m.
m, 2.2 mm (shorter than the signal wavelength in air)
Were as small as 1.1 dB and 1.0 dB, respectively, and good surface mounting was possible.
【００５４】[0054]
【発明の効果】以上詳述した通り、本発明によれば、同
軸端子を有し、表面実装が可能であり、また、高次モー
ドが発生することがなく、良好な伝送特性を有する配線
基板を提供することができる。As described in detail above, according to the present invention, a wiring board having coaxial terminals, capable of surface mounting, and having no transmission of higher-order modes and having good transmission characteristics. Can be provided.
【図１】本発明の一例である配線基板Ａの(ａ)概略断面
図、（ｂ）基板表面の平面図、（ｃ）基板内部のグラン
ド層のパターン図、（ｄ）基板裏面の平面図である。FIG. 1A is a schematic cross-sectional view of a wiring board A that is an example of the present invention, FIG. 1B is a plan view of a board front surface, FIG. 1C is a pattern view of a ground layer inside the board, and FIG. Is.
【図２】配線基板Ａを配線ボードＣに実装した時の
（ａ）概略断面図、（ｂ）配線ボードＣ表面の平面図で
ある。2A is a schematic sectional view when the wiring board A is mounted on a wiring board C, and FIG. 2B is a plan view of the surface of the wiring board C.
【図３】本発明の他の例である配線基板Ｄの（ａ）基板
裏面の平面図と、（ｂ）同軸端子の拡大図である。3A is a plan view of a back surface of a wiring board D which is another example of the present invention, and FIG. 3B is an enlarged view of a coaxial terminal.
【図４】本発明の他の例である配線基板Ｅの（ａ）概略
断面図、（ｂ）裏面の平面図、（ｃ）配線ボードＣに実
装した時の概略断面図である。4A is a schematic sectional view of a wiring board E which is another example of the present invention, FIG. 4B is a plan view of a back surface, and FIG. 4C is a schematic sectional view when mounted on a wiring board C.
【図５】本発明のさらに他の例である配線基板Ｆの概略
断面図である。FIG. 5 is a schematic sectional view of a wiring board F which is still another example of the present invention.
【図６】本発明のさらに他の例である配線基板Ｇの概略
断面図である。FIG. 6 is a schematic sectional view of a wiring board G which is still another example of the present invention.
【図７】従来の配線基板の実装構造を説明するための概
略断面図である。FIG. 7 is a schematic cross-sectional view for explaining a conventional wiring board mounting structure.
【図８】他の従来の同軸端子の接続構造を説明するため
の概略断面図である。FIG. 8 is a schematic sectional view for explaining another conventional connection structure for coaxial terminals.
Ａ，Ｄ〜Ｈ 配線基板 Ｂ 高周波部品 Ｃ 配線ボード １ 誘電体基板 ４ 信号線路 ５ グランド層 ６ 電源線路 ７ 信号パッド ８ グランド導 ９ 同軸端子 １２ 電源パッド １０、１１、１３ ビアホール導体 A, D to H wiring board B High frequency components C wiring board 1 Dielectric substrate 4 signal lines 5 ground layers 6 power lines 7 signal pad 8 ground lead 9 coaxial terminals 12 Power pad 10, 11, 13 Via hole conductor
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０５Ｋ 1/18 Ｈ０５Ｋ 3/46 Ｎ 3/46 Ｑ Ｚ Ｈ０１Ｌ 23/12 Ｅ Ｑ Ｌ Ｆターム(参考） 5E336 AA04 AA16 BB03 BB16 BB18 BC34 CC31 CC55 DD28 EE01 GG11 5E338 AA03 BB13 BB75 CC02 CC04 CC06 CD17 CD32 CD33 EE11 5E344 AA01 BB02 BB06 CC24 DD02 DD14 EE06 5E346 AA12 AA15 AA32 AA43 AA51 BB02 BB03 BB04 BB06 BB07 CC08 CC16 FF45 HH01 HH06─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of front page (51) Int.Cl. 7 Identification code FI theme code (reference) H05K 1/18 H05K 3/46 N 3/46 Q Z H01L 23/12 E Q L F term (reference) 5E336 AA04 AA16 BB03 BB16 BB18 BC34 CC31 CC55 DD28 EE01 GG11 5E338 AA03 BB13 BB75 CC02 CC04 CC06 CD17 CD32 CD33 EE11 5E344 AA01 BB02 BB06 CC24 DD02 DD14 EE06 5E346 AA12 AA15 AA32 AA43 AA51 BB02 BB03 BB04 BB06 BB07 CC08 CC16 FF45 HH01 HH06
Claims (11)
品搭載部と、前記高周波部品と接続される伝送線路と、
高周波部品用の電源線路とを形成し、前記誘電体基板の
裏面に、前記伝送線路と高周波的に接続された信号パッ
ドと、該信号パッド周囲に形成したグランド導体からな
る同軸端子と、電源パッドとを形成してなり、前記誘電
体基板内部に、前記伝送線路から前記同軸端子への変換
部を有するとともに、前記電源線路と前記電源パッドと
を接続するビアホール導体とを具備してなり、且つ前記
同軸端子における前記グランド導体内周長が、空気中に
おける信号波長より短いことを特徴とする配線基板。1. A surface of a dielectric substrate, at least a high-frequency component mounting portion, a transmission line connected to the high-frequency component,
A power supply line for a high-frequency component is formed, a signal pad that is connected to the transmission line in a high frequency manner on the back surface of the dielectric substrate, a coaxial terminal formed of a ground conductor formed around the signal pad, and a power supply pad. And a via hole conductor connecting the power supply line and the power supply pad, the dielectric substrate having a conversion part from the transmission line to the coaxial terminal, and The wiring board, wherein the inner circumference of the ground conductor in the coaxial terminal is shorter than the signal wavelength in the air.
する導体リングによって形成されてなることを特徴とす
る請求項１記載の配線基板。2. The wiring board according to claim 1, wherein the ground conductor is formed by a conductor ring having a signal pad as a center.
号パッドを中心とするリング状に複数配列されたグラン
ドパッドからからなることを特徴とする請求項１または
請求項２記載の配線基板。3. The wiring board according to claim 1, wherein the ground conductor is composed of a plurality of ground pads arranged in a ring shape centered on the signal pad at a predetermined interval.
ッドを、各パッド間の隙間が空気中における信号波長の
１／４未満となるように配列してなる請求項３記載の配
線基板。4. The wiring board according to claim 3, wherein a plurality of the ground pads arranged in a ring shape are arranged such that a gap between the pads is less than 1/4 of a signal wavelength in the air.
してなり、前記伝送線路が該グランド層とともにマイク
ロストリップ線路またはグランド付きコプレーナ線路を
形成してなることを特徴する請求項１乃至請求項４のい
ずれか記載の配線基板。5. A ground layer is formed inside the dielectric substrate, and the transmission line forms a microstrip line or a coplanar line with a ground together with the ground layer. Item 5. The wiring board according to any one of items 4.
号パッドとを少なくともビアホール導体を介して接続し
てなり、且つ前記グランド導体と前記グランド層とを、
隙間が誘電体基板内の信号波長の１／４未満になるよう
に配列された複数のビアホール導体によって電気的に接
続してなることを特徴とする請求項１乃至請求項５のい
ずれか記載の配線基板。6. An end portion of the transmission line and a signal pad of the coaxial terminal are connected via at least a via hole conductor, and the ground conductor and the ground layer are connected to each other.
6. The plurality of via-hole conductors arranged so that the gap is less than ¼ of the signal wavelength in the dielectric substrate are electrically connected to each other, according to any one of claims 1 to 5. Wiring board.
部回路に対して、ロウ付けされる請求項１乃至請求項６
のいずれか記載の配線基板。7. The signal pad and the ground conductor are brazed to an external circuit.
The wiring board according to any one of 1.
ッドと、該信号パッド周囲に形成した導体層によるグラ
ンド導体からなる同軸端子とが被着形成された配線ボー
ドの表面に、高周波部品を搭載した請求項１乃至請求項
７のいずれか記載の配線基板を載置し、前記配線基板側
および配線ボード側の同軸端子における信号パッド同士
およびグランド導体同士、さらに電源パッド同士をそれ
ぞれロウ材によって電気的に接続してなることを特徴と
する配線基板の実装構造。8. A high-frequency component is provided on the surface of a wiring board on which a signal pad made of a conductor layer and a coaxial terminal made of a ground conductor made of a conductor layer formed around the signal pad are adhered and formed on the surface of a dielectric substrate. The wiring board according to any one of claims 1 to 7 is mounted, and the signal pads of the coaxial terminals on the wiring board side and the wiring board side, the ground conductors, and the power supply pads are brazed respectively. A wiring board mounting structure characterized by being electrically connected to each other.
ード側の同軸端子とが、実質的に同一形状からなること
を特徴とする請求項８記載の配線基板の実装構造。9. The mounting structure for a wiring board according to claim 8, wherein the coaxial terminal on the wiring board side and the coaxial terminal on the wiring board side have substantially the same shape.
ミック絶縁材料からなり、前記配線ボードにおける配線
ボードが有機樹脂を含有する絶縁材料からなることを特
徴とする請求項８または請求項９記載の配線基板の実装
構造。10. The wiring according to claim 8 or 9, wherein the dielectric substrate in the wiring board is made of a ceramic insulating material, and the wiring board in the wiring board is made of an insulating material containing an organic resin. Board mounting structure.
線ボードにおける誘電体基板との室温〜３００℃におけ
る熱膨張係数差が２０×１０-6／℃以下であることを特
徴とする請求項８乃至請求項１０のいずれか記載の配線
基板の実装構造。11. The difference in the coefficient of thermal expansion between the dielectric substrate of the wiring board and the dielectric substrate of the wiring board at room temperature to 300 ° C. is 20 × 10 −6 / ° C. or less. 11. The wiring board mounting structure according to claim 10.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001298541A JP4587625B2 (en) | 2001-09-27 | 2001-09-27 | Wiring board and its mounting structure |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP2001298541A JP4587625B2 (en) | 2001-09-27 | 2001-09-27 | Wiring board and its mounting structure |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003100941A true JP2003100941A (en) | 2003-04-04 |
| JP4587625B2 JP4587625B2 (en) | 2010-11-24 |
Family
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001298541A Expired - Fee Related JP4587625B2 (en) | 2001-09-27 | 2001-09-27 | Wiring board and its mounting structure |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4587625B2 (en) |
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| US8035992B2 (en) | 2005-10-18 | 2011-10-11 | Nec Corporation | Vertical transitions, printed circuit boards therewith and semiconductor packages with the printed circuit boards and semiconductor chip |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4587625B2 (en) | 2010-11-24 |
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| A977 | Report on retrieval |
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