JP2003100703A - Method and apparatus for treating liquid, and method for manufacturing flat panel display device - Google Patents

Method and apparatus for treating liquid, and method for manufacturing flat panel display device

Info

Publication number
JP2003100703A
JP2003100703A JP2001294706A JP2001294706A JP2003100703A JP 2003100703 A JP2003100703 A JP 2003100703A JP 2001294706 A JP2001294706 A JP 2001294706A JP 2001294706 A JP2001294706 A JP 2001294706A JP 2003100703 A JP2003100703 A JP 2003100703A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
liquid
return path
substrate
region
treatment
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2001294706A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Shinichi Iwata
信一 岩田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
Priority to JP2001294706A priority Critical patent/JP2003100703A/en
Publication of JP2003100703A publication Critical patent/JP2003100703A/en
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Liquid Crystal (AREA)
  • Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
  • Weting (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To equalize treating by reducing the deviation of water flows caused by air bubbles when a liquid treatment introducing air bubbles is performed in a state wherein an object to be treated is immersed in a liquid. SOLUTION: Substrates 110 are arranged in a treatment region A in a cleaning bath 21 containing pure water 3, and when bubbles 4 are introduced by a bubble generator 22, rising water flows are generated in the treatment region A. The rising water flows go over the sidewalls 2a of a cassette 2 to flow into liquid return paths B arranged outside the sidewalls 2a, and go down through the liquid return paths B and the bottom of the treatment bath 21, and return to the treatment region A. Since downstream water flows are generated in the liquid return paths B, it becomes hard that downstream water flows are generated in the treatment region A. Therefore, since the bubbles 4 are evenly dispersed in the whole treatment region A, the uniformity of a cleaning effect to the substrates 110 is improved.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は液体処理方法、液体
処理装置、及び、フラットパネル表示装置の製造方法に
係り、特に、各種の基板に対して液体を用いて処理を行
う場合に好適な液体処理技術に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a liquid processing method, a liquid processing apparatus, and a method for manufacturing a flat panel display device, and more particularly to a liquid suitable for processing various substrates using a liquid. Regarding processing technology.

【0002】[0002]

【従来の技術】一般に、液晶表示装置、エレクトロルミ
ネッセンス表示装置、プラズマディスプレイ装置などの
各種のフラットパネル表示装置が開発されている。これ
らのフラットパネル表示装置に共通するのは、いずれも
その表示面に対して平行に配設された少なくとも1枚の
基板を備えている点である。これらのフラットパネル表
示装置の製造プロセスにおいては、上記基板の洗浄、エ
ッチング、コーティング等のように、基板を液体中に浸
漬させて処理する各種の液体処理工程が存在する。
2. Description of the Related Art Generally, various flat panel display devices such as liquid crystal display devices, electroluminescent display devices, and plasma display devices have been developed. What is common to these flat panel display devices is that they each include at least one substrate arranged in parallel to the display surface. In the manufacturing process of these flat panel display devices, there are various liquid processing steps in which a substrate is immersed in a liquid for processing, such as cleaning, etching and coating of the substrate.

【0003】例えば、液晶表示装置の製造プロセス中に
おいては、一対の基板を貼り合わせて構成された液晶表
示パネルを洗浄する工程や液晶表示パネルを構成する前
のガラス等で構成された基板単体を洗浄する工程などが
ある。例えば、後者の基板洗浄工程の場合には、図8
(a)に示すように、洗浄用カセット(図示せず)に搭
載することなどにより、多数の基板1を垂直に立った姿
勢で相互に間隔を持って配列された状態として洗浄槽1
1内の水中へ導入する。そして、洗浄槽11内に配置さ
れた気泡発生器12内へ空気や窒素ガス等の気体を供給
することによって気泡発生器12の気泡導入口から多数
の気泡を発生させる。この状態では、多数の気泡が水中
を上昇する過程で、気泡が基板表面に接触したり離れた
りすることによって基板表面が清浄化されるとともに、
気泡の上昇によって生ずる上昇水流によって基板の洗浄
効果がさらに高められる。
For example, during a manufacturing process of a liquid crystal display device, a step of cleaning a liquid crystal display panel formed by laminating a pair of substrates, or a single substrate made of glass or the like before forming the liquid crystal display panel is used. There is a cleaning process. For example, in the case of the latter substrate cleaning step, as shown in FIG.
As shown in (a), the cleaning tank 1 is mounted in a cleaning cassette (not shown) so that a large number of substrates 1 are arranged in a vertically standing posture and spaced from each other.
It is introduced into the water in 1. Then, a large number of bubbles are generated from the bubble introduction port of the bubble generator 12 by supplying a gas such as air or nitrogen gas into the bubble generator 12 arranged in the cleaning tank 11. In this state, the substrate surface is cleaned by the bubbles coming in and out of the substrate surface in the process of many bubbles rising in water,
The cleaning effect of the substrate is further enhanced by the rising water flow generated by the rising of the bubbles.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の基板の洗浄方法においては、上記のように水中に気
泡を導入すると気泡の上昇に伴って上昇水流が発生する
が、この上昇水流の発生により下降水流も生じ、図8
(b)に示すように、基板1間において下降水流が洗浄
槽11内の或る特定の場所Dに集中することによって、
当該場所Dにおいては気泡が減少するので、基板の洗浄
にムラが生ずるという問題点がある。
However, in the conventional substrate cleaning method described above, when bubbles are introduced into water as described above, a rising water flow is generated as the bubbles rise. Precipitation flow also occurred, and Fig. 8
As shown in (b), the descending water flow is concentrated between the substrates 1 at a specific place D in the cleaning tank 11,
Since air bubbles are reduced at the location D, there is a problem that unevenness occurs in cleaning the substrate.

【0005】上記のような問題点は、洗浄方法に限ら
ず、一般的に液体中に被処理物を浸漬させた状態で、液
体に気泡を導入して各種の処理を行う液体処理方法にお
いても同様に存在する。
The above-mentioned problems are not limited to the cleaning method, and are generally applied to a liquid processing method in which air bubbles are introduced into a liquid and various kinds of processing are performed while the object to be processed is immersed in the liquid. Exists as well.

【0006】そこで本発明は上記問題点を解決するもの
であり、その課題は、被処理物を液体内に浸漬させた状
態で気泡を導入する液体処理を行う場合に、気泡によっ
て生ずる水流の偏りを低減することにより、処理の均一
化を図ることにある。
Therefore, the present invention solves the above-mentioned problems, and when the liquid treatment is performed in which bubbles are introduced while the object to be treated is immersed in the liquid, the deviation of the water flow caused by the bubbles is caused. By reducing the above, it is intended to make the processing uniform.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明の液体処理方法は、被処理物を液体中に配置
し、前記液体に気泡を導入して処理を施す液体処理方法
であって、前記被処理物の配置された領域の上部から前
記液体が取り込まれ、前記領域の下部へ向けて前記液体
が送り出される液体復帰経路を構成した状態で処理を行
うことを特徴とする。
In order to solve the above problems, a liquid processing method of the present invention is a liquid processing method in which an object to be processed is placed in a liquid and bubbles are introduced into the liquid to perform the processing. Then, the liquid is taken in from the upper part of the region in which the object to be processed is placed, and the liquid is discharged toward the lower part of the region, and the process is performed in a state where the liquid return path is configured.

【0008】この発明によれば、気泡の導入によって液
体の上昇流が発生し、この上昇流によって下降流も生ず
るが、被処理物の配置された領域の上部から液体が取り
込まれ、領域の下部へ向けて液体が送り出される液体復
帰経路が構成されていることにより、上昇流に対応する
下降流が液体復帰経路内を通過することとなるため、被
処理物の配置された領域内に下降流が生じ難くなり、そ
の結果、上記領域内において気泡の排除される場所も発
生しにくくなる。したがって、上記領域内の気泡による
処理効果のばらつきが低減されるから、被処理物をより
均一に処理することが可能になる。
According to the present invention, the upward flow of the liquid is generated by the introduction of the bubbles, and the downward flow is also generated by the upward flow. However, the liquid is taken in from the upper part of the region where the object to be treated is arranged and the lower part of the region is formed. Since the liquid return path is configured to send the liquid toward, the downward flow corresponding to the upward flow will pass through the liquid return path. Is less likely to occur, and as a result, it is less likely to generate a place where bubbles are eliminated in the area. Therefore, the variation in the treatment effect due to the bubbles in the region is reduced, so that the object to be treated can be treated more uniformly.

【0009】また、本発明の別の液体処理方法は、間隔
を隔てて複数の基板を表面同士が対向する姿勢で並列さ
せてなる基板列を被処理物として液体中に配置し、前記
液体に気泡を導入して処理を施す液体処理方法であっ
て、前記基板列の配置された領域の上部から前記液体が
取り込まれ、前記領域の下部へ向けて前記液体が送り出
される液体復帰経路を構成し、前記液体復帰経路の液体
取り込み口及び液体送り出し口を、前記基板列から見
て、前記基板の並列方向と直交する方向の側方に配置さ
せることを特徴とする。
Further, according to another liquid processing method of the present invention, a substrate row formed by arranging a plurality of substrates at intervals with their surfaces facing each other is arranged in the liquid as an object to be processed, A liquid processing method of introducing bubbles to perform processing, comprising a liquid return path in which the liquid is taken in from an upper portion of a region where the substrate rows are arranged and the liquid is sent out toward a lower portion of the region. The liquid inlet and the liquid outlet of the liquid return path are arranged laterally in a direction orthogonal to the parallel direction of the substrates when viewed from the substrate row.

【0010】この発明によれば、複数の基板が並列した
基板列に処理を施す場合に、液体復帰経路の液体取り込
み口及び液体送り出し口を、基板列から見て基板の並列
方向と直交する方向の側方に配置させることにより、基
板列の内部における基板に挟まれた場所においても、液
体復帰経路の液体取り込み口に向けて液体がほとんど基
板に妨げられずに流れ込むことができ、また、液体復帰
経路の液体送り出し口から液体がほとんど基板に妨げら
れずに基板に挟まれた場所へ向けて流れ出すことができ
るようになる。したがって、基板列の配置された領域に
おいて液体を滞留させることなくスムーズに流動させる
ことができ、下降流を液体復帰経路に通して循環させる
ことができるので、基板列に含まれる複数の基板に対し
て処理の均一化を図ることができる。
According to the present invention, when processing is performed on a substrate row in which a plurality of substrates are arranged in parallel, the liquid intake port and the liquid delivery port of the liquid return path are in a direction orthogonal to the parallel direction of the substrates when viewed from the substrate row. By arranging it laterally, the liquid can flow toward the liquid intake port of the liquid return path without being obstructed by the substrate even at a place sandwiched by the substrates inside the substrate row, It becomes possible for the liquid to flow out from the liquid delivery port of the return path toward the place sandwiched by the substrates without being substantially disturbed by the substrates. Therefore, the liquid can be smoothly made to flow in the region where the substrate rows are arranged without being retained, and the downward flow can be circulated through the liquid return path. Therefore, the processing can be made uniform.

【0011】本発明において、前記領域の上部から下部
に向けた液流を前記液体復帰経路内に強制的に形成する
ことが好ましい。
In the present invention, it is preferable that a liquid flow from the upper part to the lower part of the region is forcibly formed in the liquid return path.

【0012】この発明によれば、領域の上部から下部に
向けた液流を液体復帰経路内に強制的に形成することに
より、領域内に生ずる下降流をより低減し、或いは、領
域内に下降流が生ずることを防止することができるの
で、被処理物に対してより均一な処理を施すことが可能
になる。
According to the present invention, by forcibly forming the liquid flow from the upper part to the lower part of the area in the liquid return path, the downward flow generated in the area can be further reduced, or the liquid can be lowered into the area. Since it is possible to prevent the flow, it is possible to perform a more uniform treatment on the object to be treated.

【0013】本発明において、前記被処理物の上端より
も高い位置から前記液体を前記液体復帰経路内に取り込
むことが好ましい。
In the present invention, it is preferable that the liquid is taken into the liquid return path from a position higher than the upper end of the object to be processed.

【0014】この発明によれば、被処理物の上端よりも
高い位置から液体を液体復帰経路内に取り込むことによ
り、領域内から液体復帰経路内へ向かう液体の流れが被
処理物の上部に影響しにくくなるので、被処理物に対し
てより均一な処理を施すことが可能になる。
According to the present invention, by taking the liquid into the liquid return path from a position higher than the upper end of the object to be processed, the flow of the liquid from the region into the liquid return path affects the upper part of the object to be processed. Since it becomes difficult to do so, it becomes possible to perform more uniform treatment on the object to be treated.

【0015】本発明において、前記被処理物の下端より
も低い位置で前記液体を前記液体復帰経路から送り出す
ことが好ましい。
In the present invention, it is preferable that the liquid is sent out from the liquid return path at a position lower than the lower end of the object to be processed.

【0016】この発明によれば、被処理物の下端よりも
低い位置で液体を液体復帰経路から送り出すことによ
り、液体復帰経路から領域内へ向かう液体の流れが被処
理物の下部に影響しにくくなるので、被処理物に対して
より均一な処理を施すことが可能になる。
According to the present invention, by sending the liquid from the liquid return path at a position lower than the lower end of the object to be processed, the flow of the liquid from the liquid return path into the region is less likely to affect the lower part of the object to be processed. Therefore, it becomes possible to perform a more uniform treatment on the object to be treated.

【0017】なお、上記各発明においては、被処理物を
配置した上記領域内に限定して気泡を導入することが好
ましく、特に、上記領域内であって、被処理物の下方に
気泡を導入することが望ましい。
In each of the above inventions, it is preferable to introduce bubbles only in the area where the object to be treated is arranged, and in particular, to introduce bubbles below the object to be treated in the area. It is desirable to do.

【0018】次に、本発明の液体処理装置は、液体を収
容する処理槽と、該処理槽の内部に気泡導入口を有する
気泡導入手段とを有し、前記処理槽には、前記気泡導入
手段の前記気泡導入口の上方にある領域から平面的に外
れた位置に、前記領域の上部と下部とを連通するように
構成された液体復帰経路が設けられていることを特徴と
する。
Next, the liquid processing apparatus of the present invention has a processing tank for containing a liquid and a bubble introducing means having a bubble introducing port inside the processing tank, and the bubble is introduced into the processing tank. A liquid return path configured to connect the upper part and the lower part of the region is provided at a position planarly separated from the region above the bubble introduction port of the means.

【0019】この発明によれば、処理槽内に液体を収容
し、気泡導入口から気泡を導入させることによって液体
中を気泡が上昇するので、領域内に上昇流が発生し、こ
の上昇流に伴って領域から外れた場所に設けられた液体
復帰経路に下降流が生ずる。このように液体復帰経路内
に下降流が生じた分だけ領域内に下降流が発生しにくく
なり、領域内において気泡をより均一に上昇させること
ができるため、領域内に被処理物を配置することによっ
て、被処理物に対する処理の均一性を高めることが可能
になる。
According to the present invention, the liquid is contained in the processing tank, and the bubbles rise in the liquid by introducing the bubbles from the bubble introducing port. Therefore, an ascending flow is generated in the region, and the ascending flow is generated. Along with this, a downward flow is generated in the liquid return path provided outside the area. As described above, since the downflow is less likely to occur in the area by the amount of the downflow generated in the liquid return path, and the bubbles can be raised more uniformly in the area, the object to be processed is arranged in the area. As a result, it becomes possible to improve the uniformity of processing on the object to be processed.

【0020】本発明において、前記領域の上部から下部
に向かう前記液体の流れを前記液体復帰経路内に強制的
に形成するための液流形成手段を有することが好まし
い。
In the present invention, it is preferable to have a liquid flow forming means for forcibly forming the flow of the liquid from the upper part to the lower part of the region in the liquid return path.

【0021】この発明によれば、液流形成手段によって
液体復帰経路内に液体の流れを強制的に形成することに
より、領域内に下降流がより発生しにくくなるので、被
処理物に対する処理の均一性をさらに向上させることが
できる。
According to the present invention, the liquid flow forming means forcibly forms the liquid flow in the liquid return path, so that the downflow is less likely to occur in the region, so that the processing of the object to be processed can be performed. The uniformity can be further improved.

【0022】本発明において、前記液体復帰経路の上部
連通口は、前記被処理物の上端よりも高いことが好まし
い。
In the present invention, the upper communication port of the liquid return path is preferably higher than the upper end of the object to be treated.

【0023】この発明によれば、被処理物の上端よりも
高い位置にある上部連通口(液体取り込み口)から液体
を液体復帰経路内に取り込むことにより、領域内から液
体復帰経路内へ向かう液体の流れが被処理物の上部に影
響しにくくなるので、被処理物に対してより均一な処理
を施すことが可能になる。
According to the present invention, the liquid is introduced from the inside of the region into the liquid return path by taking the liquid into the liquid return path from the upper communication port (liquid intake port) located at a position higher than the upper end of the object to be processed. Since it is less likely that the above flow will affect the upper part of the object to be processed, it becomes possible to perform more uniform processing on the object to be processed.

【0024】本発明において、前記液体復帰経路の下部
連通口は、前記被処理物の下端よりも低いことが好まし
い。
In the present invention, the lower communication port of the liquid return path is preferably lower than the lower end of the object to be treated.

【0025】この発明によれば、被処理物の下端よりも
低い位置にある下部連通口(液体送り出し口)で液体を
液体復帰経路から送り出すことにより、液体復帰経路か
ら領域内へ向かう液体の流れが被処理物の下部に影響し
にくくなるので、被処理物に対してより均一な処理を施
すことが可能になる。
According to the present invention, the liquid is sent from the liquid return path through the lower communication port (liquid delivery port) located at a position lower than the lower end of the object to be processed, so that the liquid flows from the liquid return path into the region. Is less likely to affect the lower part of the object to be processed, so that it is possible to perform more uniform processing on the object to be processed.

【0026】次に、本発明のフラットパネル表示装置の
製造方法は、少なくとも1枚の基板を有するフラットパ
ネル表示装置の製造方法であって、製造過程において、
基板を液体中に配置し、前記液体に気泡を導入して処理
を施す液体処理工程を有し、前記液体処理工程は、前記
基板の配置された領域の上部から前記液体が取り込ま
れ、前記領域の下部へ向けて前記液体が送り出される液
体復帰経路を構成した状態で行われることを特徴とす
る。
Next, a method of manufacturing a flat panel display device of the present invention is a method of manufacturing a flat panel display device having at least one substrate, and in the manufacturing process,
A substrate is placed in a liquid, and a liquid treatment step of introducing bubbles into the liquid to perform treatment is performed. In the liquid treatment step, the liquid is taken in from an upper portion of an area where the substrate is placed, It is performed in a state in which a liquid return path for sending the liquid toward the lower part of is configured.

【0027】この発明によれば、気泡の導入によって液
体の上昇流が発生し、この上昇流によって下降流も生ず
るが、基板の配置された領域の上部から液体が取り込ま
れ、領域の下部へ向けて液体が送り出される液体復帰経
路が構成されていることにより、上昇流に対応する下降
流が液体復帰経路内を通過することとなるため、基板の
配置された領域内に下降流が生じ難くなり、その結果、
上記領域内において気泡の排除される場所も発生しにく
くなる。したがって、上記領域内の気泡による処理効果
のばらつきが低減されるから、被処理物をより均一に処
理することが可能になる。
According to the present invention, the upward flow of the liquid is generated by the introduction of the bubbles, and the downward flow is also generated by the upward flow. However, the liquid is taken in from the upper part of the region where the substrate is arranged and is directed to the lower part of the region. By configuring the liquid return path through which the liquid is sent out, the downward flow corresponding to the upward flow passes through the liquid return path, and the downward flow is less likely to occur in the area where the substrate is arranged. ,as a result,
It becomes difficult to generate a place where bubbles are eliminated in the above area. Therefore, the variation in the treatment effect due to the bubbles in the region is reduced, so that the object to be treated can be treated more uniformly.

【0028】また、本発明の別のフラットパネル表示装
置の製造方法は、少なくとも1枚の基板を有するフラッ
トパネル表示装置の製造方法であって、間隔を隔てて複
数の基板を表面同士が対向する姿勢で並列させてなる基
板列を液体中に配置し、前記液体に気泡を導入して処理
を施す液体処理工程を有し、前記基板列の配置された領
域の上部から前記液体が取り込まれ、前記領域の下部へ
向けて前記液体が送り出される液体復帰経路を構成し、
前記液体復帰経路の液体取り込み口及び液体送り出し口
を、前記基板列から見て、前記基板の並列方向と直交す
る方向の側方に配置させることを特徴とする。
Another method of manufacturing a flat panel display device according to the present invention is a method of manufacturing a flat panel display device having at least one substrate, and the surfaces of a plurality of substrates are opposed to each other at intervals. Arranging substrate rows arranged in parallel in a posture in a liquid, and having a liquid processing step of introducing bubbles into the liquid to perform processing, the liquid is taken in from the upper part of the region where the substrate rows are arranged, A liquid return path for sending the liquid toward the lower part of the region is configured,
The liquid intake port and the liquid outlet port of the liquid return path are arranged laterally in the direction orthogonal to the parallel direction of the substrates when viewed from the substrate row.

【0029】この発明によれば、液体に気泡が導入され
ることにより、液体中を気泡が上昇することにより上昇
流が発生し、この上昇流に伴って下降流が生ずるが、液
体復帰経路に下降流が生ずることによって上記領域内に
生ずる下降流を低減し、或いは、下降流が生ずることを
防止することができる。ここで、液体復帰経路の液体取
り込み口及び液体送り出し口は、基板列に対して、基板
の並列方向と直交する方向の側方に配置されていること
により、基板列の内部における基板に挟まれた場所にお
いても、液体復帰経路の液体取り込み口に向けて液体が
ほとんど基板に妨げられずに流れ込むことができ、ま
た、液体復帰経路の液体送り出し口から液体がほとんど
基板に妨げられずに基板に挟まれた場所へ向けて流れ出
すことができるようになる。したがって、基板列の配置
された領域において液体を滞留させることなくスムーズ
に流動させることができ、下降流を液体復帰経路に通し
て循環させることができるので、基板列に含まれる複数
の基板に対して処理の均一化を図ることができる。
According to the present invention, when bubbles are introduced into the liquid, the bubbles rise in the liquid to generate an upward flow, and a downward flow is generated along with the upward flow. It is possible to reduce the downflow generated in the region due to the downflow, or to prevent the downflow from occurring. Here, since the liquid intake port and the liquid outlet port of the liquid return path are arranged laterally with respect to the substrate row in the direction orthogonal to the parallel direction of the substrates, they are sandwiched between the substrates inside the substrate row. Even at a high temperature, the liquid can flow toward the liquid intake port of the liquid return path without being obstructed by the substrate, and the liquid can be flowed from the liquid delivery port of the liquid return path to the substrate without being obstructed by the substrate. It will be possible to flow toward the place where it is sandwiched. Therefore, the liquid can be smoothly made to flow in the region where the substrate rows are arranged without being retained, and the downward flow can be circulated through the liquid return path. Therefore, the processing can be made uniform.

【0030】本発明において、前記領域の上部から下部
に向けた液流を前記液体復帰経路内に強制的に形成する
ことが好ましい。
In the present invention, it is preferable to forcibly form a liquid flow from the upper part to the lower part of the region in the liquid return path.

【0031】この発明によれば、領域の上部から下部に
向けた液流を液体復帰経路内に強制的に形成することに
より、領域内に生ずる下降流をより低減し、或いは、領
域内に下降流が生ずることを防止することができるの
で、基板に対してより均一な処理を施すことが可能にな
る。
According to the present invention, by forcibly forming the liquid flow from the upper part to the lower part of the area in the liquid return path, the downward flow generated in the area can be further reduced, or the downward flow in the area can be reduced. Since it is possible to prevent the flow from being generated, it becomes possible to perform more uniform treatment on the substrate.

【0032】本発明において、前記基板の上端よりも高
い位置から前記液体を前記液体復帰経路内に取り込むこ
とが好ましい。
In the present invention, it is preferable that the liquid is taken into the liquid return path from a position higher than the upper end of the substrate.

【0033】この発明によれば、基板の上端よりも高い
位置から液体を液体復帰経路内に取り込むことにより、
領域内から液体復帰経路内へ向かう液体の流れが基板の
上部に影響しにくくなるので、基板に対してより均一な
処理を施すことが可能になる。
According to the present invention, by taking the liquid into the liquid return path from a position higher than the upper end of the substrate,
The flow of the liquid from the inside of the region to the inside of the liquid return path hardly affects the upper portion of the substrate, so that the substrate can be subjected to more uniform treatment.

【0034】本発明において、前記基板の下端よりも低
い位置で前記液体を前記液体復帰経路から送り出すこと
が好ましい。
In the present invention, it is preferable that the liquid is sent out from the liquid return path at a position lower than the lower end of the substrate.

【0035】この発明によれば、基板の下端よりも低い
位置で液体を液体復帰経路から送り出すことにより、液
体復帰経路から領域内へ向かう液体の流れが基板の下部
に影響しにくくなるので、基板に対してより均一な処理
を施すことが可能になる。
According to the present invention, by sending out the liquid from the liquid return path at a position lower than the lower end of the substrate, the flow of the liquid from the liquid return path into the region is less likely to affect the lower part of the substrate. It becomes possible to perform a more uniform treatment.

【0036】なお、上記各発明においては、基板列を配
置した上記領域内に限定して気泡を導入することが好ま
しく、特に、上記領域内であって基板列の下方に気泡を
導入することが望ましい。
In each of the above inventions, it is preferable to introduce the bubbles only in the region where the substrate rows are arranged, and particularly, it is preferable to introduce the bubbles in the region below the substrate columns. desirable.

【0037】上記各発明において、液体を用いた処理と
しては、洗浄処理が挙げられる。また、エッチング処
理、メッキ処理、コーティング処理などにも適用するこ
とができる。液体は、処理の内容によって異なるが、特
に洗浄処理においては、水、アルコール、その他の溶剤
などを用いることができる。
In each of the above inventions, the treatment using the liquid includes a cleaning treatment. Further, it can be applied to etching treatment, plating treatment, coating treatment and the like. Although the liquid varies depending on the content of the treatment, water, alcohol, other solvent or the like can be used especially in the washing treatment.

【0038】[0038]

【発明の実施の形態】次に、添付図面を参照して本発明
に係る液体処理方法、液体処理装置、フラットパネル表
示装置の製造方法の実施形態について詳細に説明する。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Next, embodiments of a liquid processing method, a liquid processing apparatus and a method for manufacturing a flat panel display device according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

【0039】[第1実施形態]図1は、本発明の液体処
理装置の実施形態である洗浄装置20の主要部を模式的
に示す概略斜視図である。洗浄装置20は、上記処理槽
に相当する洗浄槽21と、気泡導入器22とを有してい
る。気泡導入器22は洗浄槽21の内底部上に配置さ
れ、その表面上には微細な気泡導入口22aが多数形成
されている。気泡導入器22には給気管22bが接続さ
れ、この給気管22bを介して供給された気体が気泡導
入口22aから微細な気泡となって洗浄槽21内に収容
された水中に導入されるように構成されている。なお、
気泡導入器としては、図示のものに限られず、管の周壁
に多数の孔を開けたもの、多孔質素材を用いたものな
ど、種々の構造のものを用いることができる。
[First Embodiment] FIG. 1 is a schematic perspective view schematically showing a main part of a cleaning apparatus 20 which is an embodiment of a liquid processing apparatus of the present invention. The cleaning device 20 has a cleaning tank 21 corresponding to the processing tank and a bubble introducing device 22. The bubble introducing device 22 is arranged on the inner bottom portion of the cleaning tank 21, and a large number of fine bubble introducing ports 22a are formed on the surface thereof. An air supply pipe 22b is connected to the bubble introduction device 22 so that the gas supplied through the air supply pipe 22b becomes fine bubbles from the bubble introduction port 22a and is introduced into the water stored in the cleaning tank 21. Is configured. In addition,
The bubble introducer is not limited to the one shown in the figure, but may have various structures such as one having a large number of holes formed in the peripheral wall of the tube, one using a porous material, and the like.

【0040】洗浄槽21における一対の対向する外壁の
内面には、それぞれ液流形成手段28が取り付けられて
おり、これらの液流形成手段28は、下方に向けた水流
を強制的に形成するためのファン28aを有している。
Liquid flow forming means 28 are attached to the inner surfaces of a pair of opposing outer walls of the cleaning tank 21, and these liquid flow forming means 28 forcibly form a downward water flow. Has a fan 28a.

【0041】本実施形態の洗浄装置20は、液晶表示装
置を構成する液晶表示パネルを製造するためのガラス等
で構成される大判の基板110を洗浄するためのもので
ある。この基板110はカセット2内に保持され、上記
洗浄槽21内に配置される。カセット2は、多数の基板
110を相互に間隔を保持し、且つ、垂直に支持した状
態で収容できるように構成されている。このカセット2
は、搭載した基板110の並列方向と直交する方向の側
方に一対の側壁部2aを有している。
The cleaning device 20 of this embodiment is for cleaning a large-sized substrate 110 made of glass or the like for manufacturing a liquid crystal display panel which constitutes a liquid crystal display device. The substrate 110 is held in the cassette 2 and placed in the cleaning tank 21. The cassette 2 is configured so that a large number of substrates 110 can be accommodated while maintaining a space between them and vertically supported. This cassette 2
Has a pair of side wall portions 2a on the sides of the mounted substrates 110 in the direction orthogonal to the parallel direction.

【0042】図2(a)には、本実施形態の洗浄装置2
0を用いた洗浄方法を示す。本実施形態では、洗浄槽2
1内に純水3を入れ、この純水3中に上記のカセット2
に搭載された複数の基板110を浸漬させた状態とす
る。このようにカセット2を洗浄槽21内に配置する
と、カセット2の側壁部2aによって、洗浄槽21内
は、多数並列された基板110を配置した処理領域A
と、この処理領域Aの両側(基板110の並列方向と直
交する方向の側方両側)に配置された液体復帰経路Bと
に分離される。ここで、気泡導入器22の気泡導入口
は、処理領域A内に限定されて配置されている。
FIG. 2A shows the cleaning device 2 of this embodiment.
A cleaning method using 0 is shown. In this embodiment, the cleaning tank 2
1. Put pure water 3 in 1 and put the above cassette 2 in this pure water 3.
The plurality of substrates 110 mounted on the substrate are immersed. When the cassette 2 is arranged in the cleaning tank 21 in this way, the side wall portion 2a of the cassette 2 causes the processing area A in which a plurality of substrates 110 arranged in parallel are arranged in the cleaning tank 21.
And a liquid return path B disposed on both sides of the processing region A (on both sides of the substrate 110 in the direction orthogonal to the parallel direction). Here, the bubble introducing port of the bubble introducing device 22 is limitedly arranged in the processing area A.

【0043】そして、図2(a)に示すように、気泡導
入器22へ気体(空気や窒素ガスなど)を供給すること
により、気泡導入器22から気泡4を発生させる。気泡
4は気泡導入器22から純水3中に導入され、上記処理
領域Aにおいて純水3中を上昇する。このとき、気泡4
の上昇に伴って上昇水流が発生し、気泡4自体と、これ
に伴って生じた上昇水流とによって基板110の表面が
洗浄される。
Then, as shown in FIG. 2A, the gas (air, nitrogen gas, etc.) is supplied to the bubble introducing device 22 to generate the bubble 4 from the bubble introducing device 22. The bubbles 4 are introduced into the pure water 3 from the bubble introducer 22 and rise in the pure water 3 in the processing area A. At this time, bubbles 4
As a result, a rising water flow is generated, and the surface of the substrate 110 is cleaned by the bubbles 4 themselves and the rising water flow generated thereby.

【0044】ここで、上記液流形成手段28のファン2
8aが回転し、液体復帰経路B内において下方に向かう
流れが強制的に形成されると、処理領域Aにおいて発生
した上昇水流は水面近傍で左右に移動し、液体復帰経路
B内に取り込まれ、下降して再び処理領域Aの底部に送
り出される。このように、本実施形態では、液体復帰経
路Bにおいて下降水流が生ずることによって、処理領域
A内で下降水流が生じ難くなる。特に、液流形成手段2
8によって液体復帰経路B内に強制的に下降水流を形成
することにより、処理領域A内に下降水流が生ずること
を防止できる。したがって、処理領域A内には下降水流
によって気泡が排除される場所が生じ難くなるので、複
数の基板110に対する洗浄効果の場所によるばらつき
が発生しにくくなり、均一に洗浄を行うことができる。
Here, the fan 2 of the liquid flow forming means 28
When 8a rotates and a downward flow is forcibly formed in the liquid return path B, the rising water flow generated in the processing area A moves left and right near the water surface and is taken into the liquid return path B. It descends and is delivered to the bottom of the processing area A again. As described above, in the present embodiment, since the descending water flow is generated in the liquid return path B, the descending water flow is less likely to occur in the processing area A. In particular, the liquid flow forming means 2
By forcibly forming the descending water flow in the liquid return path B by means of 8, it is possible to prevent the descending water flow from occurring in the processing area A. Therefore, a place where bubbles are removed by the descending water flow is unlikely to occur in the processing area A, and thus the cleaning effect on the plurality of substrates 110 is unlikely to vary depending on the place, and uniform cleaning can be performed.

【0045】次に、図3を参照して、上記の洗浄方法を
実施するための洗浄装置20の全体構成について説明す
る。この洗浄装置20において、上記洗浄槽21には、
槽内の水を排出する排出路に設けられたドレン弁21a
と、槽の上部からオーバーフローした水を受けて排出す
るための越流槽21bと、槽内の水位を検出する水位セ
ンサ21cとが設けられている。また、洗浄槽21の上
方には、上記カセット2を昇降させ、基板110を洗浄
槽21内に導入したり洗浄槽21内から引き上げたりす
るための駆動機構23が設けられている。さらに、この
装置には、洗浄槽21内に純水3を供給するための給水
源25と、この給水源25から純水3を洗浄槽21に給
水するか否かを制御可能な給水弁25aとが設けられて
いる。また、上記気泡導入器22には、給気源26から
給気弁26a及び流量計26bを経て気体を供給する給
気管が接続されている。
Next, with reference to FIG. 3, the overall structure of the cleaning apparatus 20 for carrying out the above cleaning method will be described. In the cleaning device 20, the cleaning tank 21 has
Drain valve 21a provided in the discharge path for discharging the water in the tank
An overflow tank 21b for receiving and discharging water overflowing from the upper part of the tank, and a water level sensor 21c for detecting the water level in the tank are provided. Further, above the cleaning tank 21, a drive mechanism 23 for raising and lowering the cassette 2 to introduce the substrate 110 into the cleaning tank 21 and pull it up from the cleaning tank 21 is provided. Further, in this apparatus, a water supply source 25 for supplying the pure water 3 into the cleaning tank 21 and a water supply valve 25a capable of controlling whether or not the pure water 3 is supplied from the water supply source 25 to the cleaning tank 21. And are provided. An air supply pipe for supplying gas from the air supply source 26 via the air supply valve 26a and the flow meter 26b is connected to the bubble introduction device 22.

【0046】洗浄装置20には、マイクロプロセッサユ
ニット(MPU)等で構成された制御部24が設けられ
ている。この制御部24は、上記水位センサ21cや流
量計26bからの出力信号を受け、その状況に応じて、
上記の液流形成手段28、ドレン弁21a、給水弁25
a、給気弁26a、駆動機構23を適宜に制御するよう
に構成されている。制御部24には入力操作部27が接
続され、この入力操作部27から制御部24の動作パラ
メータを入力できるように構成されている。例えば、制
御部24の動作パラメータとしては、上記液流形成手段
28の駆動電力量(液流形成能力)、処理槽21へ供給
される純水の量(水位)、気泡導入器22に供給される
気体の流量などが挙げられる。このように各種の動作パ
ラメータを入力操作部27から制御部24へ入力するこ
とができるように構成されているので、適宜の動作態様
にて自動的に洗浄処理を行うことが可能になる。
The cleaning device 20 is provided with a control unit 24 composed of a microprocessor unit (MPU) or the like. The control unit 24 receives output signals from the water level sensor 21c and the flow meter 26b, and depending on the situation,
The liquid flow forming means 28, the drain valve 21a, and the water supply valve 25 described above.
a, the air supply valve 26a, and the drive mechanism 23 are appropriately controlled. An input operation unit 27 is connected to the control unit 24, and an operation parameter of the control unit 24 can be input from the input operation unit 27. For example, the operating parameters of the control unit 24 include the drive power amount of the liquid flow forming unit 28 (liquid flow forming capacity), the amount of pure water supplied to the processing tank 21 (water level), and the bubble introducing unit 22. Gas flow rate. As described above, since various operation parameters can be input to the control unit 24 from the input operation unit 27, the cleaning process can be automatically performed in an appropriate operation mode.

【0047】[第2実施形態]次に、図2(b)を参照
して、本発明に係る第2実施形態について説明する。こ
の実施形態では、上記と同様の複数の基板110を、上
記カセット2の側壁2aを有しないかご状のカセット
2’に搭載し、洗浄槽21’に導入する。洗浄槽21’
は、カセット2’を収容する処理領域Aの左右両側に仕
切壁21a’を有し、仕切壁21a’の外側に液体復帰
経路Bが構成されている。また、第1実施形態と同様
に、洗浄槽21’の外壁内面には液流形成手段28が取
り付けられている。
[Second Embodiment] Next, a second embodiment according to the present invention will be described with reference to FIG. In this embodiment, a plurality of substrates 110 similar to those described above are mounted in a basket-shaped cassette 2 ′ having no side wall 2a of the cassette 2 and introduced into the cleaning tank 21 ′. Cleaning tank 21 '
Has partition walls 21a 'on both left and right sides of the processing area A for accommodating the cassette 2', and a liquid return path B is formed outside the partition wall 21a '. Further, as in the first embodiment, the liquid flow forming means 28 is attached to the inner surface of the outer wall of the cleaning tank 21 '.

【0048】この実施形態では、洗浄槽21’そのもの
に処理領域Aと分離された液体復帰経路Bが設けられて
いるので、どのようなカセットに基板110を収容して
も第1実施形態と同様に処理を行うことができる。
In this embodiment, since the cleaning tank 21 'itself is provided with the liquid return path B separated from the processing area A, whichever cassette the substrate 110 is housed in is the same as in the first embodiment. Can be processed.

【0049】また、仕切壁21a’の上端は処理領域A
内の基板110の上端よりも高い位置にあり、仕切壁2
1a’の下端は処理領域A内の基板110の下端よりも
低い位置にあるため、処理領域Aから液体復帰経路B内
に向けて流れる水流や、液体復帰経路Bから処理領域A
内に送り出される水流によって、基板110の上部や下
部が影響を受け、洗浄不足が生じないように処理を行う
ことができる。より具体的には、上記の水平に流れる水
流は、気泡導入器22から放出される気泡4の分布に偏
りを与えるので、場所によって気泡による洗浄効果にば
らつきが生ずる可能性があるが、本実施形態では、水平
に流れる水流が基板110の上端よりも上方、或いは、
基板110の下端よりも下方にて主として生ずるので、
より均一な洗浄を行うことが可能になる。
The upper end of the partition wall 21a 'is the processing area A.
Is located higher than the upper end of the substrate 110 inside the partition wall 2
Since the lower end of 1a ′ is located lower than the lower end of the substrate 110 in the processing area A, the water flow flowing from the processing area A into the liquid return path B and the liquid return path B from the processing area A.
The upper and lower parts of the substrate 110 are affected by the water flow sent in, and the treatment can be performed so that insufficient cleaning does not occur. More specifically, the above-described horizontally flowing water flow imparts a bias to the distribution of the bubbles 4 discharged from the bubble introducing device 22, so that the cleaning effect due to the bubbles may vary depending on the location. In the form, the water flow flowing horizontally is above the upper end of the substrate 110, or
Since it mainly occurs below the lower end of the substrate 110,
It becomes possible to perform more uniform cleaning.

【0050】[第3実施形態]次に、図2(c)を参照
して、本発明に係る第3実施形態について説明する。こ
の実施形態においては、洗浄槽21”の外壁上部と外壁
下部との間を連通させ、外壁の外側に突出するように形
成された管路21a”が設けられ、この管路21a”の
途中にポンプで構成される液流形成手段29が取り付け
られている。管路21a”の液体取り入れ口は洗浄槽本
体内に構成される処理領域Aの上部に開口し、管路21
a”の液体送り出し口は処理領域Aの下部に開口してい
る。液流形成手段29は、管路21a”内に構成される
液体復帰経路B内に下降水流を生じさせるように動作す
る。
[Third Embodiment] Next, a third embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. In this embodiment, a pipe line 21a ″ is formed so as to communicate between the outer wall upper part and the outer wall lower part of the cleaning tank 21 ″ so as to project to the outside of the outer wall, and the pipe line 21a ″ is provided in the middle thereof. A liquid flow forming means 29 composed of a pump is attached. The liquid inlet of the pipe 21a ″ opens at the upper part of the processing area A formed in the main body of the cleaning tank, and the pipe 21
The liquid outlet of a ″ is opened at the lower part of the processing area A. The liquid flow forming means 29 operates so as to generate a descending water flow in the liquid return path B formed in the pipe line 21a ″.

【0051】この実施形態でも、上記各実施形態と同様
の効果を有する。ここで、第2実施形態と同様に、管路
21a”の液体取り入れ口を処理領域A内の基板110
の上端より高くし、管路21a”の液体送り出し口を処
理領域A内の基板110の下端より低くすることが好ま
しい。
This embodiment also has the same effects as those of the above embodiments. Here, as in the second embodiment, the liquid intake port of the conduit 21a ″ is connected to the substrate 110 in the processing area A.
Is preferably higher than the upper end of the substrate 21 and the liquid outlet of the conduit 21a ″ is lower than the lower end of the substrate 110 in the processing area A.

【0052】[第4実施形態]次に、図5を参照して、
本発明に係る第4実施形態について説明する。この第4
実施形態は、上記と同様に基板110の洗浄方法及び洗
浄装置に係るものである。本実施形態の洗浄装置30に
おいては、図5に示すように、洗浄槽31の内部に上記
第1実施形態と同様の気泡導入器32が配置されてい
る。洗浄槽31の内底部には、ドレン管33との接続部
に急速排水弁31aが設けられ、また、給水管34との
接続部に給水弁31bが設けられている。さらに、洗浄
槽31には、水位センサ31c,31dが取り付けられ
ている。
[Fourth Embodiment] Next, referring to FIG.
A fourth embodiment according to the present invention will be described. This 4th
The embodiment relates to the cleaning method and the cleaning apparatus for the substrate 110, as described above. In the cleaning device 30 of the present embodiment, as shown in FIG. 5, a bubble introducing device 32 similar to that of the first embodiment is arranged inside a cleaning tank 31. At the inner bottom of the cleaning tank 31, a quick drain valve 31a is provided at the connection with the drain pipe 33, and a water supply valve 31b is provided at the connection with the water supply pipe 34. Further, water level sensors 31c and 31d are attached to the cleaning tank 31.

【0053】洗浄槽31内には、第1実施形態と同様の
基板110を搭載したカセット2’が駆動機構35によ
り昇降可能に吊り下げられている。また、洗浄槽31の
上方には、別途設けられた給水系に接続されたシャワー
ノズル36が配置されている。
In the cleaning tank 31, a cassette 2'on which the same substrate 110 as that in the first embodiment is mounted is suspended by a drive mechanism 35 so that it can be moved up and down. A shower nozzle 36 connected to a separately provided water supply system is arranged above the cleaning tank 31.

【0054】図7には洗浄槽31の平面図を示す。図7
に示すように、洗浄槽31は、カセット2’に搭載され
た複数の基板110が並列する方向と直交する方向(図
7の左右方向)の側方両側に仕切壁31sを有し、この
仕切壁31sの外側にそれぞれ液体復帰経路Bが構成さ
れている。仕切壁31sは、処理槽31の上部及び下部
に開口(図示せず)を有し、これらの開口が基板110
の配置された処理領域Aに対する液体復帰経路Bの液体
取り入れ口及び液体送り出し口となっている。
FIG. 7 shows a plan view of the cleaning tank 31. Figure 7
As shown in FIG. 7, the cleaning tank 31 has partition walls 31s on both sides in the direction orthogonal to the direction in which the plurality of substrates 110 mounted in the cassette 2 ′ are arranged in parallel (the left-right direction in FIG. 7). Liquid return paths B are formed outside the walls 31s, respectively. The partition wall 31s has openings (not shown) in the upper and lower portions of the processing tank 31, and these openings are the substrate 110.
Are the liquid intake port and the liquid outlet port of the liquid return path B with respect to the processing area A in which

【0055】この洗浄装置30を用いて基板110の洗
浄を行う場合には、まず、給水弁31bを介して洗浄槽
31内に純水3を供給し、水位を高レベルHLに設定
し、その後、基板110を搭載したカセット2’を駆動
機構35により降下させ、図示のように純水3中に浸漬
させる。そして、上記第1実施形態と同様に気泡を導入
しながら洗浄を行う。
When the substrate 110 is cleaned using the cleaning device 30, first, pure water 3 is supplied into the cleaning tank 31 via the water supply valve 31b to set the water level to the high level HL, and thereafter. The cassette 2'on which the substrate 110 is mounted is lowered by the drive mechanism 35 and immersed in the pure water 3 as shown. Then, cleaning is performed while introducing air bubbles as in the first embodiment.

【0056】その後、急速排水弁31aを開き、洗浄槽
31内の純水3を急速に排水し、水位が低レベルLLに
なり、基板110全体が水面上に配置されるようにす
る。しかる後に、再び給水弁31bを介して純水を供給
し、洗浄槽31内の水位を高レベルHLに戻す。そし
て、再度、上記と同様に気泡を導入しながら洗浄を行
う。
After that, the rapid drain valve 31a is opened, the pure water 3 in the cleaning tank 31 is rapidly drained, the water level becomes the low level LL, and the entire substrate 110 is placed on the water surface. Then, pure water is supplied again through the water supply valve 31b to return the water level in the cleaning tank 31 to the high level HL. Then, again, cleaning is performed while introducing bubbles in the same manner as described above.

【0057】上述のようにして、給水、洗浄、排水を繰
り返し、洗浄処理が完了すると、駆動機構35はカセッ
ト2’を上方へ引き上げ、シャワーノズル36から純水
を散布して基板110の表面を洗い流した後、カセット
2’を次の工程に移動させる。
As described above, water supply, cleaning and drainage are repeated, and when the cleaning process is completed, the drive mechanism 35 pulls the cassette 2'upward and sprays pure water from the shower nozzle 36 onto the surface of the substrate 110. After washing, the cassette 2'is moved to the next step.

【0058】この実施形態では、仕切壁31sによって
構成された液体復帰経路Bによって上記各実施形態と同
様の効果を得ることができるが、さらに、洗浄後に純水
3を急速に排水することによって基板110の表面に付
着したゴミ等を純水3とともに除去することができるの
で、より短時間に基板110を清浄化することができ
る。
In this embodiment, the same effect as in the above embodiments can be obtained by the liquid return path B constituted by the partition wall 31s, but further, the pure water 3 is rapidly drained after the cleaning so that the substrate Since dust and the like attached to the surface of 110 can be removed together with pure water 3, substrate 110 can be cleaned in a shorter time.

【0059】[液晶表示パネルの製造方法]図6には、
上記基板110を用いた液晶表示パネルの製造工程の概
略を示す。この製造方法においては、図6(a)に示す
大判の基板110,120の内面に、それぞれITO
(インジウムスズ酸化物)等の透明導電体で構成された
電極パターンをスパッタリング法やフォトリソグラフィ
技術を用いて形成し、この電極パターンの上に、配向膜
を塗布形成する。配向膜には所定の配向処理(ラビング
処理など)が施される。また、製造される液晶パネルの
構造に応じて、カラーフィルタや反射層などが適宜に形
成される。例えば、カラー表示液晶パネルを製造する場
合には、基板の表面上にカラーフィルタが形成され、そ
の後、上記電極パターンが形成される。また、反射型液
晶パネル(反射半透過型液晶パネルを含む。)を製造す
る場合には、反射層を形成し、その上に透明絶縁膜を形
成してから、上記電極パターンを形成する。この場合、
透明導電体で構成された電極パターンを形成する代わり
に、反射層と電極とを兼ねる反射電極を形成する場合も
ある。
[Manufacturing Method of Liquid Crystal Display Panel] FIG.
An outline of a manufacturing process of a liquid crystal display panel using the substrate 110 will be described. In this manufacturing method, ITO is formed on the inner surfaces of the large-sized substrates 110 and 120 shown in FIG.
An electrode pattern made of a transparent conductor such as (indium tin oxide) is formed by a sputtering method or a photolithography technique, and an alignment film is formed by coating on the electrode pattern. A predetermined alignment process (rubbing process or the like) is performed on the alignment film. Further, a color filter, a reflective layer, or the like is appropriately formed according to the structure of the manufactured liquid crystal panel. For example, when manufacturing a color display liquid crystal panel, a color filter is formed on the surface of the substrate, and then the electrode pattern is formed. When manufacturing a reflective liquid crystal panel (including a reflective transflective liquid crystal panel), a reflective layer is formed, a transparent insulating film is formed on the reflective layer, and then the electrode pattern is formed. in this case,
In some cases, instead of forming an electrode pattern made of a transparent conductor, a reflecting electrode that also serves as a reflecting layer and an electrode is formed.

【0060】上記の製造工程においては、大判の基板1
10,120に対して各種処理、例えば、スパッタリン
グや蒸着などの成膜技術、印刷やスピンコーティングな
どの塗布技術、露光処理などが施される。このような工
程中においては、大判の基板110,120を洗浄する
処理が必要になる。例えば、大判の基板110,120
の表面上に上記電極パターン等を形成する前に予め基板
110,120を洗浄する工程があり、また、電極パタ
ーンのパターニング、レジストのパターニングや剥離、
カラーフィルタのパターニング(現像)、反射層のパタ
ーニングを行った後において、基板110,120の表
面からパターニングに用いたエッチング液、現像液、剥
離液などを除去するために洗浄する工程がある。このよ
うな洗浄工程において、本実施形態では、上記第1実施
形態や第2実施形態によって洗浄処理を実施する。
In the above manufacturing process, the large-sized substrate 1
Various treatments such as a film forming technique such as sputtering and vapor deposition, a coating technique such as printing and spin coating, and an exposure treatment are performed on 10, 120. During such a process, a process of cleaning the large-sized substrates 110 and 120 is required. For example, large-sized substrates 110 and 120
There is a step of cleaning the substrates 110 and 120 in advance before forming the electrode pattern and the like on the surface of the substrate, patterning of the electrode pattern, patterning and peeling of the resist,
After the patterning (development) of the color filter and the patterning of the reflective layer, there is a step of cleaning the surfaces of the substrates 110 and 120 to remove the etching solution, the developing solution, the stripping solution, etc. used for the patterning. In such a cleaning process, in the present embodiment, the cleaning process is performed according to the first embodiment or the second embodiment.

【0061】その後、基板110と基板120とが図示
しないシール材を介して貼り合わせられ、図6(a)に
示す大判パネル100が形成される。そして、大判パネ
ル100のパネル基板110,120の外面上には、図
示X方向に伸びるスクライブ溝100xが刻設され、こ
のスクライブ溝100xに沿ってパネル基板110,1
20が破断され、図6(b)に示す短冊状の中間パネル
130が形成される。この中間パネル130に対して
は、露出したシール材の開口部から液晶が注入され、そ
の後、シール材の開口部は閉鎖され、液晶が中間パネル
130内に封入される。さらに、中間パネル130に対
しては図示Y方向に伸びるスクライブ溝100yが刻設
され、このスクライブ溝100yに沿って中間基板13
1,132が破断されることによって、図6(c)に示
す液晶パネル140が形成される。
After that, the substrate 110 and the substrate 120 are attached to each other via a seal material (not shown) to form the large-sized panel 100 shown in FIG. 6 (a). Then, scribe grooves 100x extending in the X direction in the drawing are engraved on the outer surfaces of the panel substrates 110 and 120 of the large-sized panel 100, and the panel substrates 110 and 1 extend along the scribe grooves 100x.
20 is broken, and a strip-shaped intermediate panel 130 shown in FIG. 6B is formed. Liquid crystal is injected into the intermediate panel 130 through the exposed opening of the sealing material, and then the opening of the sealing material is closed and the liquid crystal is sealed in the intermediate panel 130. Further, a scribe groove 100y extending in the Y direction in the drawing is formed on the intermediate panel 130, and the intermediate substrate 13 is formed along the scribe groove 100y.
The liquid crystal panel 140 shown in FIG. 6C is formed by breaking the parts 1,132.

【0062】なお、図6(c)に示すように形成された
液晶パネル140に対しても、半導体チップやフレキシ
ブル基板等を実装する前に洗浄処理を行う場合がある。
この場合にも、上記第1実施形態及び第2実施形態と同
様の方法で、上記基板110を液晶パネル140に置き
換えて洗浄処理を実施することが好ましい。
The liquid crystal panel 140 formed as shown in FIG. 6C may also be washed before mounting a semiconductor chip or a flexible substrate.
Also in this case, it is preferable to replace the substrate 110 with the liquid crystal panel 140 and perform the cleaning process in the same manner as in the first and second embodiments.

【0063】図4には、上記のようにして構成された液
晶パネル140の平面透視図を示す。液晶パネル140
は、基板141と142とがシール材143によって貼
り合わせられ、その間に液晶が封入されている。ここ
で、シール材143には液晶注入用の開口部143aが
設けられ、この開口部143aは封止材145によって
封鎖されている。基板141の内面上には、上記基板1
10の電極パターンに設けられていた電極111、配線
112及び入力端子113が配置されている。電極11
1の表面上には配向膜が形成されている。また、基板1
42の内面上にも、基板120の電極パターンに設けら
れていた電極121、配線122及び入力端子123が
配置され、電極121の表面上には配向膜が形成されて
いる。ここで、電極111,121はシール材143に
よって囲まれる液晶封入領域内に構成されており、この
液晶封入領域内から配線112,122が基板張出部1
41T,142Tの表面上まで引き出され、その先端が
入力端子部113,123となっている。
FIG. 4 shows a plan perspective view of the liquid crystal panel 140 configured as described above. LCD panel 140
The substrates 141 and 142 are bonded to each other by a seal material 143, and liquid crystal is sealed between them. Here, the sealing material 143 is provided with an opening 143 a for injecting liquid crystal, and the opening 143 a is closed by a sealing material 145. The substrate 1 is provided on the inner surface of the substrate 141.
The electrodes 111, the wirings 112, and the input terminals 113 provided in the ten electrode patterns are arranged. Electrode 11
An alignment film is formed on the surface of 1. Also, the substrate 1
The electrodes 121, the wirings 122, and the input terminals 123 provided in the electrode pattern of the substrate 120 are arranged also on the inner surface of the substrate 120, and the alignment film is formed on the surface of the electrodes 121. Here, the electrodes 111 and 121 are configured in a liquid crystal enclosing area surrounded by the sealing material 143, and the wirings 112 and 122 are provided in the liquid crystal enclosing area so that the substrate 112 extends.
41T and 142T are pulled out to the surface, and the tips thereof are the input terminal portions 113 and 123.

【0064】尚、本発明の液体処理方法、液体処理装
置、フラットパネル表示装置の製造方法は、上述の図示
例にのみ限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱
しない範囲内において種々変更を加え得ることは勿論で
ある。例えば、上記各実施形態では、いずれも単一の処
理段階(洗浄段階)において本発明の方法を適用した例
を示したが、本発明は、複数の処理段階を有する処理工
程における一つの処理段階のみに適用してもよい。例え
ば、上記の洗浄方法においては、例えば、第1洗浄段
階、第2洗浄段階(第1リンス段階)、第3洗浄段階
(第2リンス段階)というように、複数の段階において
それぞれ異なる洗浄槽にて洗浄が行われるように構成さ
れている場合があり、このような場合には、上記のいず
れの段階において本発明を適用しても構わない。
The liquid processing method, the liquid processing apparatus, and the flat panel display manufacturing method of the present invention are not limited to the above-described illustrated examples, and various modifications can be made without departing from the scope of the present invention. Of course, it is possible to add. For example, in each of the above embodiments, an example in which the method of the present invention is applied in a single processing step (cleaning step) has been shown, but the present invention shows that one processing step in a processing step having a plurality of processing steps. May be applied only to. For example, in the above-described cleaning method, different cleaning tanks are used in a plurality of stages such as the first cleaning stage, the second cleaning stage (first rinse stage), and the third cleaning stage (second rinse stage). In some cases, the present invention may be applied in any of the above steps.

【0065】また、本発明は、上記のような洗浄工程だ
けでなく、レジストの剥離を行うための剥離液への浸漬
処理、各種エッチング処理、コーティング処理などの各
種の液体を用いた処理にも同様に適用できるものであ
る。
Further, the present invention is applicable not only to the above-mentioned cleaning step but also to the treatment using various liquids such as dipping treatment for stripping the resist, various etching treatments and coating treatments. The same applies.

【0066】[0066]

【発明の効果】以上、説明したように本発明によれば、
被処理物に対して洗浄等の液体処理を行う場合に、処理
の均一性を向上させることができる。
As described above, according to the present invention,
When performing liquid processing such as washing on the object to be processed, the uniformity of processing can be improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】 本発明に係る第1実施形態の洗浄装置の主要
部の構造を示す概略斜視図である。
FIG. 1 is a schematic perspective view showing a structure of a main part of a cleaning device according to a first embodiment of the present invention.

【図2】 第1実施形態の洗浄方法を示す説明図
(a)、第2実施形態の洗浄方法を示す説明図(b)、
及び、第3実施形態の洗浄方法を示す説明図(c)であ
る。
2A and 2B are an explanatory view showing a cleaning method of the first embodiment, an explanatory view showing a cleaning method of the second embodiment, and FIG.
9A and 9B are explanatory views (c) showing the cleaning method of the third embodiment.

【図3】 第1実施形態の洗浄装置の全体構成を示す概
略構成ブロック図である。
FIG. 3 is a schematic configuration block diagram showing an overall configuration of the cleaning apparatus of the first embodiment.

【図4】 本発明に係る液晶表示装置の製造方法によっ
て形成された液晶表示パネルの概略透視平面図である。
FIG. 4 is a schematic perspective plan view of a liquid crystal display panel formed by the method for manufacturing a liquid crystal display device according to the present invention.

【図5】 本発明に係る第4実施形態の洗浄装置の主要
部の構造を示す概略斜視図である。
FIG. 5 is a schematic perspective view showing a structure of a main part of a cleaning device according to a fourth embodiment of the present invention.

【図6】 本発明に係る液晶表示装置の製造方法の全体
の概略工程を示す概略斜視図(a)〜(c)である。
FIG. 6 is schematic perspective views (a) to (c) showing the overall schematic steps of the method for manufacturing a liquid crystal display device according to the present invention.

【図7】 第4実施形態の洗浄装置における洗浄槽の構
造を模式的に示す概略平面図である。
FIG. 7 is a schematic plan view schematically showing the structure of a cleaning tank in the cleaning device of the fourth embodiment.

【図8】 従来の洗浄方法を示す概略説明断面図(a)
及び(a)に示す断面と直交する断面を示す概略説明断
面図(b)である。
FIG. 8 is a schematic explanatory cross-sectional view showing a conventional cleaning method (a).
3B is a schematic explanatory cross-sectional view showing a cross section orthogonal to the cross section shown in FIGS.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

2,2’ カセット 20,30 洗浄装置 21,21’,21”,31 洗浄槽 21a’ 仕切壁 21a” 管路 22,32 気泡導入器 28,29 液流形成手段 28a ファン A 処理領域 B 液体復帰経路 110,120 基板 140 液晶パネル 2,2 'cassette 20,30 Cleaning device 21,21 ', 21 ", 31 Cleaning tank 21a 'partition wall 21a "pipeline 22,32 Bubble introducer 28, 29 Liquid flow forming means 28a fan A processing area B Liquid return path 110,120 substrate 140 LCD panel

Claims (14)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 被処理物を液体中に配置し、前記液体に
気泡を導入して処理を施す液体処理方法であって、 前記被処理物の配置された領域の上部から前記液体が取
り込まれ、前記領域の下部へ向けて前記液体が送り出さ
れる液体復帰経路を構成した状態で処理を行うことを特
徴とする液体処理方法。
1. A liquid processing method in which an object to be processed is placed in a liquid and bubbles are introduced into the liquid to perform processing, wherein the liquid is taken in from an upper portion of a region where the object to be processed is placed. The liquid treatment method, wherein the treatment is performed in a state in which a liquid return path for sending the liquid toward the lower part of the region is configured.
【請求項2】 間隔を隔てて複数の基板を表面同士が対
向する姿勢で並列させてなる基板列を被処理物として液
体中に配置し、前記液体に気泡を導入して処理を施す液
体処理方法であって、 前記基板列の配置された領域の上部から前記液体が取り
込まれ、前記領域の下部へ向けて前記液体が送り出され
る液体復帰経路を構成し、 前記液体復帰経路の液体取り込み口及び液体送り出し口
を、前記基板列から見て、前記基板の並列方向と直交す
る方向の側方に配置させることを特徴とする液体処理方
法。
2. A liquid treatment in which a substrate row in which a plurality of substrates are arranged in parallel with a surface facing each other at intervals is placed in a liquid as an object to be treated, and bubbles are introduced into the liquid to perform the treatment. A method, wherein the liquid is taken in from the upper part of the region where the substrate row is arranged, and a liquid return path is formed in which the liquid is sent out toward the lower part of the region, and a liquid intake port of the liquid return path and A liquid processing method, wherein the liquid delivery port is arranged laterally in a direction orthogonal to the parallel direction of the substrates when viewed from the substrate row.
【請求項3】 前記領域の上部から下部に向けた液流を
前記液体復帰経路内に強制的に形成することを特徴とす
る請求項1又は請求項2に記載の液体処理方法。
3. The liquid processing method according to claim 1, wherein a liquid flow from the upper part to the lower part of the region is forcibly formed in the liquid return path.
【請求項4】 前記被処理物の上端よりも高い位置から
前記液体を前記液体復帰経路内に取り込むことを特徴と
する請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の液体
処理方法。
4. The liquid processing method according to claim 1, wherein the liquid is taken into the liquid return path from a position higher than an upper end of the object to be processed.
【請求項5】 前記被処理物の下端よりも低い位置で前
記液体を前記液体復帰経路から送り出すことを特徴とす
る請求項1乃至請求項4のいずれか1項に記載の液体処
理方法。
5. The liquid processing method according to claim 1, wherein the liquid is sent out from the liquid return path at a position lower than a lower end of the object to be processed.
【請求項6】 液体を収容する処理槽と、該処理槽の内
部に気泡導入口を有する気泡導入手段とを有し、 前記処理槽には、前記気泡導入手段の前記気泡導入口の
上方にある領域から平面的に外れた位置に、前記領域の
上部と下部とを連通するように構成された液体復帰経路
が設けられていることを特徴とする液体処理装置。
6. A treatment tank containing a liquid, and a bubble introduction means having a bubble introduction port inside the treatment tank, wherein the treatment tank is provided above the bubble introduction port of the bubble introduction means. A liquid processing apparatus, wherein a liquid return path configured to connect an upper portion and a lower portion of the region is provided at a position deviated from a certain region in a plane.
【請求項7】 前記領域の上部から下部に向かう前記液
体の流れを前記液体復帰経路内に強制的に形成するため
の液流形成手段を有することを特徴とする請求項6に記
載の液体処理装置。
7. The liquid treatment according to claim 6, further comprising a liquid flow forming unit for forcibly forming a flow of the liquid from the upper part to the lower part of the region in the liquid return path. apparatus.
【請求項8】 前記液体復帰経路の上部連通口は、前記
被処理物の上端よりも高いことを特徴とする請求項6又
は請求項7に記載の液体処理装置。
8. The liquid processing apparatus according to claim 6, wherein an upper communication port of the liquid return path is higher than an upper end of the object to be processed.
【請求項9】 前記液体復帰経路の下部連通口は、前記
被処理物の下端よりも低いことを特徴とする請求項6乃
至請求項8のいずれか1項に記載の液体処理装置。
9. The liquid processing apparatus according to claim 6, wherein a lower communication port of the liquid return path is lower than a lower end of the object to be processed.
【請求項10】 少なくとも1枚の基板を有するフラッ
トパネル表示装置の製造方法であって、 製造過程において、基板を液体中に配置し、前記液体に
気泡を導入して処理を施す液体処理工程を有し、 前記液体処理工程は、前記基板の配置された領域の上部
から前記液体が取り込まれ、前記領域の下部へ向けて前
記液体が送り出される液体復帰経路を構成した状態で行
われることを特徴とするフラットパネル表示装置の製造
方法。
10. A method of manufacturing a flat panel display device having at least one substrate, comprising a liquid processing step of placing a substrate in a liquid and introducing bubbles into the liquid to perform processing in the manufacturing process. The liquid treatment step is performed in a state in which a liquid return path is formed in which the liquid is taken in from an upper portion of the region where the substrate is arranged and the liquid is sent out toward a lower portion of the region. And a method for manufacturing a flat panel display device.
【請求項11】 少なくとも1枚の基板を有するフラッ
トパネル表示装置の製造方法であって、 間隔を隔てて複数の基板を表面同士が対向する姿勢で並
列させてなる基板列を液体中に配置し、前記液体に気泡
を導入して処理を施す液体処理工程を有し、 前記基板列の配置された領域の上部から前記液体が取り
込まれ、前記領域の下部へ向けて前記液体が送り出され
る液体復帰経路を構成し、 前記液体復帰経路液体の取り込み口及び液体送り出し口
を、前記基板列から見て、前記基板の並列方向と直交す
る方向の側方に配置させることを特徴とするフラットパ
ネル表示装置の製造方法。
11. A method of manufacturing a flat panel display device having at least one substrate, wherein a substrate row formed by arranging a plurality of substrates at a distance with their surfaces facing each other is arranged in a liquid. , A liquid treatment step of introducing a bubble into the liquid to perform treatment, wherein the liquid is taken in from an upper portion of the region where the substrate rows are arranged, and the liquid is discharged toward the lower portion of the region. A flat panel display device, which constitutes a path, and in which the liquid return path liquid inlet and liquid outlet are arranged laterally in a direction orthogonal to the parallel direction of the substrates when viewed from the substrate row. Manufacturing method.
【請求項12】 前記領域の上部から下部に向けた液流
を前記液体復帰経路内に強制的に形成することを特徴と
する請求項10又は請求項11に記載のフラットパネル
表示装置の製造方法。
12. The method of manufacturing a flat panel display device according to claim 10, wherein a liquid flow from the upper part to the lower part of the region is forcibly formed in the liquid return path. .
【請求項13】 前記基板の上端よりも高い位置から前
記液体を前記液体復帰経路内に取り込むことを特徴とす
る請求項10乃至請求項12のいずれか1項に記載のフ
ラットパネル表示装置の製造方法。
13. The manufacturing of a flat panel display device according to claim 10, wherein the liquid is taken into the liquid return path from a position higher than an upper end of the substrate. Method.
【請求項14】 前記基板の下端よりも低い位置で前記
液体を前記液体復帰経路から送り出すことを特徴とする
請求項10乃至請求項13のいずれか1項に記載のフラ
ットパネル表示装置の製造方法。
14. The method of manufacturing a flat panel display device according to claim 10, wherein the liquid is sent out from the liquid return path at a position lower than a lower end of the substrate. .
JP2001294706A 2001-09-26 2001-09-26 Method and apparatus for treating liquid, and method for manufacturing flat panel display device Withdrawn JP2003100703A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001294706A JP2003100703A (en) 2001-09-26 2001-09-26 Method and apparatus for treating liquid, and method for manufacturing flat panel display device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001294706A JP2003100703A (en) 2001-09-26 2001-09-26 Method and apparatus for treating liquid, and method for manufacturing flat panel display device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2003100703A true JP2003100703A (en) 2003-04-04

Family

ID=19116266

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001294706A Withdrawn JP2003100703A (en) 2001-09-26 2001-09-26 Method and apparatus for treating liquid, and method for manufacturing flat panel display device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2003100703A (en)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007053282A (en) * 2005-08-19 2007-03-01 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Substrate processing device
WO2010082567A1 (en) * 2009-01-13 2010-07-22 株式会社エクサ Wafer separating apparatus, wafer separating/transferring apparatus, wafer separating method, wafer separating/transferring method and solar cell wafer separating/transferring method
JP2014011463A (en) * 2012-06-29 2014-01-20 Taiwan Uyemura Co Ltd Microbubble type processing apparatus

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007053282A (en) * 2005-08-19 2007-03-01 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Substrate processing device
JP4535967B2 (en) * 2005-08-19 2010-09-01 大日本スクリーン製造株式会社 Substrate processing equipment
WO2010082567A1 (en) * 2009-01-13 2010-07-22 株式会社エクサ Wafer separating apparatus, wafer separating/transferring apparatus, wafer separating method, wafer separating/transferring method and solar cell wafer separating/transferring method
JP5498398B2 (en) * 2009-01-13 2014-05-21 株式会社渡辺商行 Wafer separation apparatus, wafer separation transfer apparatus, wafer separation method, wafer separation transfer method, and solar cell wafer separation transfer method
US8863957B2 (en) 2009-01-13 2014-10-21 Kabushiki Kaisha Watanabe Shoko Wafer separation apparatus, wafer separation and transfer apparatus, wafer separation method, wafer separation and transfer method, and solar cell wafer separation and transfer method
JP2014011463A (en) * 2012-06-29 2014-01-20 Taiwan Uyemura Co Ltd Microbubble type processing apparatus

Similar Documents

Publication Publication Date Title
USRE42420E1 (en) Liquid feed nozzle, wet treatment apparatus and wet treatment method
KR100780256B1 (en) Method for manufacturing display panel
JP3464843B2 (en) Substrate processing method and substrate processing apparatus in substrate processing apparatus
KR0147043B1 (en) Cleaning device
JP2003100703A (en) Method and apparatus for treating liquid, and method for manufacturing flat panel display device
JP3624116B2 (en) Processing apparatus and processing method
JP2003093982A (en) Method and apparatus for treating with liquid and method for manufacturing flat panel display device
JPH05152273A (en) Sheet cleaning overflow bath
KR20090015413A (en) Apparatus for cleaning slit nozzle used in manufacturing flat panal display devices
KR20130020069A (en) In-line apparatus for developing having a cleaning device and method of fabricating liquid crystal display device using thereof
JPH08141526A (en) Substrate treatment apparatus and treatment tank used therein
TWI568500B (en) Apparatuses for jetting fluid
KR100606965B1 (en) Etching apparatus
TWI830345B (en) Substrate processing device and substrate processing method
KR20060039769A (en) Rinsing apparatus, method of rinsing a substrate and etching apparatus having the same
KR100549203B1 (en) Method and apparatus for wafer transaction
JP2000005710A (en) Substrate washer
JP3519603B2 (en) Substrate processing equipment
JPH11283947A (en) Substrate processing device and method
KR20050064377A (en) Apparatus for etching including bubble plate and etching method using thereof
KR101048820B1 (en) Chemical Storage Tank for Substrate Manufacturing Equipment
JPH0817782A (en) Substrate treatment device
KR100696726B1 (en) Dip Type system for cleaning substrate and cleaning method of the same
KR101313656B1 (en) In-line apparatus for developing and method of fabricating liquid crystal display device using thereof
KR100481157B1 (en) Method and apparatus for drying a substrate

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Withdrawal of application because of no request for examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 20081202