JP2003093982A - Method and apparatus for treating with liquid and method for manufacturing flat panel display device - Google Patents

Method and apparatus for treating with liquid and method for manufacturing flat panel display device

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JP2003093982A
JP2003093982A JP2001294705A JP2001294705A JP2003093982A JP 2003093982 A JP2003093982 A JP 2003093982A JP 2001294705 A JP2001294705 A JP 2001294705A JP 2001294705 A JP2001294705 A JP 2001294705A JP 2003093982 A JP2003093982 A JP 2003093982A
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JP
Japan
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bubble
liquid
bubbles
introducing
duration
Prior art date
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Withdrawn
Application number
JP2001294705A
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Japanese (ja)
Inventor
Shinichi Iwata
信一 岩田
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Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
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Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To uniformly treat with liquid the object to be treated by introducing air bubbles into the liquid in which the object to be treated is immersed and reducing localization of the water current to be produced by the introduced air bubbles. SOLUTION: A substrate 110 is cleaned by introducing air bubbles 4 into a cleaning tank 21 from an air bubble introducing instrument 22 for the prescribed time in such a state that the substrate 110 is disposed in the tank 21 in which purified water 3 is housed (step A to introduce air bubbles). The introduction of the bubbles 4 from the instrument 22 is stopped for the prescribed time (step B to stop introducing air bubbles). The substrate 110 is cleaned for the prescribed time by introducing the bubbles 4 from the instrument 22 again (step A).

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は液体処理方法、液体
処理装置、及び、フラットパネル表示装置の製造方法に
係り、特に、各種の基板に対して液体を用いて処理を行
う場合に好適な液体処理技術に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a liquid processing method, a liquid processing apparatus, and a method for manufacturing a flat panel display device, and more particularly to a liquid suitable for processing various substrates using a liquid. Regarding processing technology.

【0002】[0002]

【従来の技術】一般に、液晶表示装置、エレクトロルミ
ネッセンス表示装置、プラズマディスプレイ装置などの
各種のフラットパネル表示装置が開発されている。これ
らのフラットパネル表示装置に共通するのは、いずれも
その表示面に対して平行に配設された少なくとも1枚の
基板を備えている点である。これらのフラットパネル表
示装置の製造プロセスにおいては、上記基板の洗浄、エ
ッチング、コーティング等のように、基板を液体中に浸
漬させて処理する各種の液体処理工程が存在する。
2. Description of the Related Art Generally, various flat panel display devices such as liquid crystal display devices, electroluminescent display devices, and plasma display devices have been developed. What is common to these flat panel display devices is that they each include at least one substrate arranged in parallel to the display surface. In the manufacturing process of these flat panel display devices, there are various liquid processing steps in which a substrate is immersed in a liquid for processing, such as cleaning, etching and coating of the substrate.

【0003】例えば、液晶表示装置の製造プロセス中に
おいては、一対の基板を貼り合わせて構成された液晶表
示パネルを洗浄する工程や液晶表示パネルを構成する前
のガラス等で構成された基板単体を洗浄する工程などが
ある。例えば、後者の基板洗浄工程の場合には、図7
(a)に示すように、洗浄用カセット(図示せず)に搭
載することなどにより、多数の基板1を垂直に立った姿
勢で相互に間隔を持って配列された状態として洗浄槽1
1内の水中へ導入する。そして、洗浄槽11内に配置さ
れた気泡発生器12内へ空気や窒素ガス等の気体を供給
することによって気泡発生器12の気泡導入口から多数
の気泡を発生させる。この状態では、多数の気泡が水中
を上昇する過程で、気泡が基板表面に接触したり離れた
りすることによって基板表面が清浄化されるとともに、
気泡の上昇によって生ずる上昇水流によって基板の洗浄
効果がさらに高められる。
For example, during a manufacturing process of a liquid crystal display device, a step of cleaning a liquid crystal display panel formed by laminating a pair of substrates, or a single substrate made of glass or the like before forming the liquid crystal display panel is used. There is a cleaning process. For example, in the case of the latter substrate cleaning step, as shown in FIG.
As shown in (a), the cleaning tank 1 is mounted in a cleaning cassette (not shown) so that a large number of substrates 1 are arranged in a vertically standing posture and spaced from each other.
It is introduced into the water in 1. Then, a large number of bubbles are generated from the bubble introduction port of the bubble generator 12 by supplying a gas such as air or nitrogen gas into the bubble generator 12 arranged in the cleaning tank 11. In this state, the substrate surface is cleaned by the bubbles coming in and out of the substrate surface in the process of many bubbles rising in water,
The cleaning effect of the substrate is further enhanced by the rising water flow generated by the rising of the bubbles.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の基板の洗浄方法においては、上記のように水中に気
泡2を導入すると気泡の上昇に伴って上昇水流が発生す
るが、この上昇水流の発生により下降水流も生じ、図7
(b)に示すように、基板1間において下降水流が洗浄
槽11内の或る特定の場所Dに集中することによって、
当該場所Dにおいては気泡が減少するので、基板の洗浄
にムラが生ずるという問題点がある。
However, in the conventional substrate cleaning method described above, when the bubbles 2 are introduced into the water as described above, an ascending water flow is generated as the bubbles rise, but this ascending water flow is generated. As a result, a descending water flow also occurs,
As shown in (b), the descending water flow is concentrated between the substrates 1 at a specific place D in the cleaning tank 11,
Since air bubbles are reduced at the location D, there is a problem that unevenness occurs in cleaning the substrate.

【0005】上記のような問題点は、洗浄方法に限ら
ず、一般的に液体中に被処理物を浸漬させた状態で、液
体に気泡を導入して各種の処理を行う液体処理方法にお
いても同様に存在する。
The above-mentioned problems are not limited to the cleaning method, and are generally applied to a liquid processing method in which air bubbles are introduced into a liquid and various kinds of processing are performed while the object to be processed is immersed in the liquid. Exists as well.

【0006】そこで本発明は上記問題点を解決するもの
であり、その課題は、被処理物を液体内に浸漬させた状
態で気泡を導入する液体処理を行う場合に、気泡によっ
て生ずる水流の偏りを低減することにより、処理の均一
化を図ることにある。
Therefore, the present invention solves the above-mentioned problems, and when the liquid treatment is performed in which bubbles are introduced while the object to be treated is immersed in the liquid, the deviation of the water flow caused by the bubbles is caused. By reducing the above, it is intended to make the processing uniform.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明の液体処理方法は、被処理物を液体中に浸漬さ
せた状態とし、この状態で、前記液体中に気泡を導入す
る気泡導入ステップと、前記気泡の導入を停止する停止
ステップと、前記気泡を再び導入する気泡導入ステップ
とを順次実施することを特徴とする。換言すれば、本発
明は、液体中に気泡を断続的(間欠的)に導入するもの
である。
In order to solve the above-mentioned problems, the liquid processing method of the present invention provides a method in which an object to be processed is immersed in a liquid, and in this state, air bubbles are introduced into the liquid. The method is characterized in that an introducing step, a stopping step of stopping the introduction of the bubbles, and a bubble introducing step of introducing the bubbles again are sequentially performed. In other words, the present invention introduces air bubbles into the liquid intermittently.

【0008】この発明によれば、最初の気泡導入ステッ
プにおいて液体中に気泡が導入され、この気泡によって
被処理物に対する処理が促進されるが、その後、停止ス
テップにおいて気泡の導入が停止されるので、気泡の導
入によって生じた液体の流れが弱くなるか又は解消さ
れ、さらにその後に再度の気泡導入ステップによって液
体中に気泡が導入される。したがって、気泡の導入によ
って生ずる液体の流れの定常性が失われるため、流れの
偏り(特に下降流の集中)が低減され、その結果、被処
理物に対する液体処理の均一化を図ることが可能にな
る。
According to the present invention, the bubbles are introduced into the liquid in the first bubble introducing step, and the treatment of the object to be processed is promoted by the bubbles, but thereafter, the introduction of the bubbles is stopped in the stopping step. , The flow of the liquid caused by the introduction of the bubbles is weakened or eliminated, and then the bubbles are introduced into the liquid by the bubble introduction step again. Therefore, the steadiness of the flow of the liquid caused by the introduction of the bubbles is lost, so that the unevenness of the flow (in particular, the concentration of the downflow) is reduced, and as a result, it is possible to make the liquid treatment uniform for the object to be treated. Become.

【0009】なお、この方法において、気泡導入ステッ
プと停止ステップとを交互に複数回繰り返し実施しても
よい。この繰り返し回数は、液体による処理の程度を勘
案して適宜決定することができる。
In this method, the bubble introducing step and the stopping step may be alternately repeated a plurality of times. The number of repetitions can be appropriately determined in consideration of the degree of liquid treatment.

【0010】また、停止ステップを設けることによる上
記効果を高めるためには、停止ステップの継続時間は、
少なくとも、前回の気泡導入ステップで導入された気泡
の全てが液面に到達する時間以上であることが好まし
い。
In order to enhance the above effect by providing the stop step, the duration of the stop step is
It is preferable that at least the time required for all of the bubbles introduced in the previous bubble introduction step to reach the liquid surface is exceeded.

【0011】本発明において、前記気泡導入ステップの
継続時間は、前記液体中において前記気泡により生じた
下降流の位置が実質的に定在化する時間以下であること
が好ましい。
In the present invention, the duration of the bubble introduction step is preferably equal to or less than the time during which the position of the downward flow generated by the bubbles in the liquid is substantially stationary.

【0012】この発明によれば、気泡導入ステップの継
続時間が液体中において気泡により生じた下降流の位置
が実質的に定在化する時間以下であることにより、下降
流の位置が定在化することによる処理の不均一性を回避
することができるので、液体処理の均一性をさらに向上
させることができる。
According to the present invention, the duration of the bubble introduction step is equal to or less than the time at which the position of the downflow generated by the bubbles in the liquid is substantially stationary, so that the position of the downflow is stationary. Since it is possible to avoid the non-uniformity of processing due to the above, it is possible to further improve the uniformity of liquid processing.

【0013】本発明において、前記停止ステップの継続
時間は、前記液体中において前記気泡導入ステップによ
り生じた下降流が実質的に消失する時間以上であること
が好ましい。
In the present invention, it is preferable that the duration of the stopping step is equal to or longer than the time when the downward flow generated in the liquid by the bubble introduction step substantially disappears.

【0014】この発明によれば、上記の停止ステップの
存在によって、気泡導入ステップにより生じた下降流が
実質的に一旦消失するので、その後の気泡導入ステップ
においては新たに最初から気泡による液体の流れが形作
られることになるため、前回の気泡導入ステップにて生
じた流れに影響されることなく気泡導入ステップ毎に独
立して液体に流れが形成されることから全体として流れ
の偏りがより低減され、液体処理の均一性をさらに向上
させることができる。
According to the present invention, due to the presence of the above-mentioned stop step, the downward flow generated by the bubble introduction step disappears substantially once, so that in the subsequent bubble introduction step, the liquid flow by the bubbles is newly added from the beginning. Since the flow is formed, the flow is independently formed at each bubble introduction step without being affected by the flow generated at the previous bubble introduction step, so that the flow deviation is reduced as a whole. Therefore, the uniformity of liquid treatment can be further improved.

【0015】本発明において、前記気泡導入ステップの
継続時間は、約7〜18秒であることが好ましい。気泡
導入ステップの継続時間が上記範囲よりも短いと、気泡
による処理効果を十分に得ることができなくなり、逆に
上記範囲よりも長くなると、気泡による液体の流れが定
在化しやすくなり、流れの偏りによって処理の均一性が
低下する。
In the present invention, the duration of the bubble introducing step is preferably about 7-18 seconds. If the duration of the bubble introduction step is shorter than the above range, it is not possible to obtain a sufficient treatment effect by the bubbles, and if it is longer than the above range, the flow of the liquid due to the bubbles tends to become stationary, The bias reduces the uniformity of processing.

【0016】本発明において、前記停止ステップの継続
時間は、約3〜7秒であることが好ましい。停止ステッ
プの継続時間が上記範囲よりも短いと、前回の気泡導入
ステップにおいて導入された気泡により生じた液体の流
れが停止ステップにおいて十分に弱くならないので、停
止ステップを介在させても、前回の気泡導入ステップと
同様の流れが次の気泡導入ステップにおいても発生しや
すくなるため、液体の流れの偏りが低減されにくくな
り、逆に上記範囲よりも長くなると、無駄な時間が増加
して処理に時間がかかるようになる。
In the present invention, the duration of the stopping step is preferably about 3 to 7 seconds. If the duration of the stop step is shorter than the above range, the flow of liquid generated by the bubbles introduced in the previous bubble introduction step does not weaken sufficiently in the stop step. Since the same flow as in the introduction step is likely to occur in the next bubble introduction step, it becomes difficult to reduce the deviation in the liquid flow. Conversely, if it is longer than the above range, the wasteful time increases and the processing time increases. Comes to take.

【0017】次に、本発明の液体処理装置は、処理槽
と、該処理槽の内部に気泡導入口を有する気泡導入手段
と、該気泡導入手段による気泡導入ステップ、前記気泡
導入手段による気泡導入を停止する停止ステップ、前記
気泡導入ステップを順次実施するために前記気泡導入手
段を制御する制御手段とを有することを特徴とする。
Next, in the liquid processing apparatus of the present invention, a treatment tank, a bubble introduction means having a bubble introduction port inside the treatment tank, a bubble introduction step by the bubble introduction means, and a bubble introduction by the bubble introduction means. And a control means for controlling the bubble introducing means for sequentially performing the bubble introducing step.

【0018】この発明によれば、制御手段によって気泡
導入手段を制御することにより、処理槽内に所定の液体
を入れた状態で気泡導入口から気泡を導入する気泡導入
ステップ、気泡の導入を停止する停止ステップ、気泡導
入ステップを順次実施することが可能になり、これによ
って気泡の導入によって生ずる液体の流れの偏りを低減
することができるので、被処理物に対する処理の均一化
を図ることが可能になる。
According to the present invention, by controlling the bubble introducing means by the control means, the bubble introducing step of introducing bubbles from the bubble introducing port in a state where a predetermined liquid is put in the processing tank, and the introduction of bubbles are stopped. It is possible to sequentially perform the stop step and the bubble introduction step, which can reduce the deviation of the liquid flow caused by the introduction of the bubbles, and thus it is possible to make the treatment of the object to be treated uniform. become.

【0019】本発明において、前記制御手段は、前記気
泡導入ステップの継続期間、前記停止ステップの継続期
間、又は、前記気泡導入ステップと前記停止ステップの
繰り返し回数を設定可能に構成されていることが好まし
い。
In the present invention, the control means may be configured to be able to set the duration of the bubble introducing step, the duration of the stopping step, or the number of repetitions of the bubble introducing step and the stopping step. preferable.

【0020】この発明によれば、前記気泡導入ステップ
の継続期間、前記停止ステップの継続期間、又は、前記
気泡導入ステップと前記停止ステップの繰り返し回数を
制御手段において設定することができるので、被処理
物、処理の程度、処理槽のサイズ、処理時間などに応じ
て気泡の導入作用の程度を調整することが可能になる。
According to the present invention, the duration of the bubble introducing step, the duration of the stopping step, or the number of repetitions of the bubble introducing step and the stopping step can be set by the control means. It is possible to adjust the degree of bubble introduction action according to the material, the degree of treatment, the size of the treatment tank, the treatment time, and the like.

【0021】次に、本発明のフラットパネル表示装置の
製造方法は、少なくとも1枚の基板を有するフラットパ
ネル表示装置の製造方法であって、製造過程において、
前記基板を液体中に浸漬させた状態とし、この状態で、
前記液体中に気泡を導入する気泡導入ステップと、前記
気泡の導入を停止する停止ステップと、前記気泡を再び
導入する気泡導入ステップとを順次実施して、前記基板
を処理することを特徴とする。
Next, a method of manufacturing a flat panel display device according to the present invention is a method of manufacturing a flat panel display device having at least one substrate, and in the manufacturing process,
With the substrate immersed in a liquid, in this state,
The substrate is processed by sequentially performing a bubble introducing step of introducing bubbles into the liquid, a stopping step of stopping the introduction of the bubbles, and a bubble introducing step of introducing the bubbles again. .

【0022】この発明によれば、最初の気泡導入ステッ
プにおいて液体中に気泡が導入され、この気泡によって
基板に対する処理が促進されるが、その後、停止ステッ
プにおいて気泡の導入が停止されるので、気泡の導入に
よって生じた液体の流れが弱くなるか又は解消され、さ
らにその後に再度の気泡導入ステップによって液体中に
気泡が導入される。したがって、気泡の導入によって生
ずる液体の流れの定常性が失われるため、流れの偏りが
低減され、その結果、基板に対する液体処理の均一化を
図ることが可能になる。
According to the present invention, the bubbles are introduced into the liquid in the first bubble introducing step, and the treatment of the substrate is promoted by the bubbles, but thereafter, the introduction of the bubbles is stopped in the stopping step. The flow of the liquid caused by the introduction of the liquid is weakened or eliminated, and then the bubbles are introduced into the liquid by the bubble introducing step again. Therefore, the steadiness of the flow of the liquid generated by the introduction of the bubbles is lost, and the deviation of the flow is reduced, and as a result, it is possible to make the liquid processing uniform on the substrate.

【0023】ここで、上記の基板に対する液体処理は、
フラットパネルを構成する前の基板単体に対する液体を
用いた処理であってもよく、或いは、フラットパネルを
構成した後のパネルの一部である基板に対する処理であ
ってもよい。なお、この方法において、気泡導入ステッ
プと停止ステップとを交互に複数回繰り返し実施しても
よい。この繰り返し回数は、液体による処理の程度を勘
案して適宜決定することができる。
Here, the liquid processing for the above substrate is
The treatment may be performed using a liquid on the substrate alone before forming the flat panel, or may be the treatment on the substrate that is a part of the panel after forming the flat panel. In this method, the bubble introducing step and the stopping step may be alternately repeated a plurality of times. The number of repetitions can be appropriately determined in consideration of the degree of liquid treatment.

【0024】また、停止ステップを設けることによる上
記効果を高めるためには、停止ステップの継続時間は、
少なくとも、前回の気泡導入ステップで導入された気泡
の全てが液面に到達する時間以上であることが好まし
い。
In order to enhance the above effect by providing the stop step, the duration of the stop step is
It is preferable that at least the time required for all of the bubbles introduced in the previous bubble introduction step to reach the liquid surface is exceeded.

【0025】本発明において、前記気泡導入ステップの
継続時間は、前記液体中において前記気泡により生じた
下降流の位置が実質的に定在化する時間以下であること
が好ましい。
In the present invention, the duration of the bubble introduction step is preferably equal to or less than the time at which the position of the downward flow generated by the bubbles in the liquid is substantially stationary.

【0026】この発明によれば、気泡導入ステップの継
続時間が液体中において気泡により生じた下降流の位置
が実質的に定在化する時間以下であることにより、下降
流の位置が定在化することによる処理の不均一性を回避
することができるので、液体処理の均一性をさらに向上
させることができる。
According to the present invention, the duration of the bubble introduction step is equal to or less than the time at which the position of the downflow generated by the bubbles in the liquid is substantially stationary, so that the position of the downflow is stationary. Since it is possible to avoid the non-uniformity of processing due to the above, it is possible to further improve the uniformity of liquid processing.

【0027】本発明において、前記停止ステップの継続
時間は、前記液体中において前記気泡導入ステップによ
り生じた下降流が実質的に消失する時間以上であること
が好ましい。
In the present invention, it is preferable that the duration of the stopping step is equal to or longer than the time when the downward flow generated in the liquid by the bubble introducing step substantially disappears.

【0028】この発明によれば、上記の停止ステップの
存在によって、気泡導入ステップにより生じた下降流が
実質的に一旦消失するので、その後の気泡導入ステップ
においては新たに最初から気泡による液体の流れが形作
られることになるため、前回の気泡導入ステップにて生
じた流れに影響されることなく気泡導入ステップ毎に独
立して液体に流れが形成されることから全体として流れ
の偏りがより低減され、液体処理の均一性をさらに向上
させることができる。
According to the present invention, due to the existence of the above-mentioned stop step, the downward flow generated by the bubble introduction step disappears substantially once. Therefore, in the subsequent bubble introduction step, the liquid flow due to the bubbles is newly added from the beginning. Since the flow is formed, the flow is independently formed at each bubble introduction step without being affected by the flow generated at the previous bubble introduction step, so that the flow deviation is reduced as a whole. Therefore, the uniformity of liquid treatment can be further improved.

【0029】本発明において、前記気泡導入ステップの
継続時間は、約7〜18秒であることが好ましい。気泡
導入ステップの継続時間が上記範囲よりも短いと、気泡
による処理効果を十分に得ることができなくなり、逆に
上記範囲よりも長くなると、気泡による液体の流れが定
在化しやすくなり、流れの偏りによって処理の均一性が
低下する。
In the present invention, the duration of the bubble introducing step is preferably about 7-18 seconds. If the duration of the bubble introduction step is shorter than the above range, it is not possible to obtain a sufficient treatment effect by the bubbles, and if it is longer than the above range, the flow of the liquid due to the bubbles tends to become stationary, The bias reduces the uniformity of processing.

【0030】本発明において、前記停止ステップの継続
時間は、約3〜7秒であることが好ましい。停止ステッ
プの継続時間が上記範囲よりも短いと、前回の気泡導入
ステップにおいて導入された気泡により生じた液体の流
れが停止ステップにおいて十分に弱くならないので、停
止ステップを介在させても、前回の気泡導入ステップと
同様の流れが次の気泡導入ステップにおいても発生する
可能性が高くなるため、液体の流れの偏りが低減されに
くくなり、逆に上記範囲よりも長くなると、無駄な時間
が増加して処理に時間がかかるようになる。
In the present invention, the duration of the stopping step is preferably about 3 to 7 seconds. If the duration of the stop step is shorter than the above range, the flow of liquid generated by the bubbles introduced in the previous bubble introduction step does not weaken sufficiently in the stop step. Since it is more likely that the same flow as in the introduction step will occur in the next bubble introduction step, it becomes difficult to reduce the bias in the flow of the liquid, and conversely, if it is longer than the above range, wasteful time increases. It takes time to process.

【0031】上記各発明において、液体を用いた処理と
しては、洗浄処理が挙げられる。また、エッチング処
理、メッキ処理、コーティング処理などにも適用するこ
とができる。液体は、処理の内容によって異なるが、特
に洗浄処理においては、水、アルコール、その他の溶剤
などを用いることができる。
In each of the above inventions, the treatment using the liquid includes a washing treatment. Further, it can be applied to etching treatment, plating treatment, coating treatment and the like. Although the liquid varies depending on the content of the treatment, water, alcohol, other solvent or the like can be used especially in the washing treatment.

【0032】[0032]

【発明の実施の形態】次に、添付図面を参照して本発明
に係る液体処理方法、液体処理装置、フラットパネル表
示装置の製造方法の実施形態について詳細に説明する。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Next, embodiments of a liquid processing method, a liquid processing apparatus and a method for manufacturing a flat panel display device according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

【0033】[第1実施形態]図1は、本発明の液体処
理装置の実施形態である洗浄装置20の主要部を模式的
に示す概略斜視図である。洗浄装置20は、上記処理槽
に相当する洗浄槽21と、気泡導入器22とを有してい
る。気泡導入器22は洗浄槽21の内底部上に配置さ
れ、その表面上には微細な気泡導入口22aが多数形成
されている。気泡導入器22には給気管22bが接続さ
れ、この給気管22bを介して供給された気体が気泡導
入口22aから微細な気泡となって洗浄槽21内に収容
された水中に導入されるように構成されている。なお、
気泡導入器としては、図示のものに限られず、管の周壁
に多数の孔を開けたもの、多孔質素材を用いたものな
ど、種々の構造のものを用いることができる。
[First Embodiment] FIG. 1 is a schematic perspective view schematically showing a main part of a cleaning apparatus 20 which is an embodiment of a liquid processing apparatus of the present invention. The cleaning device 20 has a cleaning tank 21 corresponding to the processing tank and a bubble introducing device 22. The bubble introducing device 22 is arranged on the inner bottom portion of the cleaning tank 21, and a large number of fine bubble introducing ports 22a are formed on the surface thereof. An air supply pipe 22b is connected to the bubble introduction device 22 so that the gas supplied through the air supply pipe 22b becomes fine bubbles from the bubble introduction port 22a and is introduced into the water stored in the cleaning tank 21. Is configured. In addition,
The bubble introducer is not limited to the one shown in the figure, but may have various structures such as one having a large number of holes formed in the peripheral wall of the tube, one using a porous material, and the like.

【0034】本実施形態の洗浄装置20は、液晶表示装
置を構成する液晶表示パネルを製造するためのガラス等
で構成される大判の基板110を洗浄するためのもので
ある。この基板110はカセット2内に保持され、上記
洗浄槽21内に配置される。カセット2は、多数の基板
110を相互に間隔を保持し、且つ、垂直に支持した状
態で収容できるように構成されている。
The cleaning device 20 of this embodiment is for cleaning a large-sized substrate 110 made of glass or the like for manufacturing a liquid crystal display panel which constitutes a liquid crystal display device. The substrate 110 is held in the cassette 2 and placed in the cleaning tank 21. The cassette 2 is configured so that a large number of substrates 110 can be accommodated while maintaining a space between them and vertically supported.

【0035】図2(a)〜(c)には、本実施形態の洗
浄方法の各ステップを示す。本実施形態では、洗浄槽2
1内に純水3を入れ、この純水3中に上記のカセット2
に搭載された複数の基板110を浸漬させた状態とす
る。そして、図2(a)に示すように、最初の気泡導入
ステップAにおいて、気泡導入器22への気体(空気や
窒素ガスなど)を供給することにより、気泡導入器22
から気泡4を発生させる。気泡4は気泡導入器22から
純水3中に導入され、純水3中を上昇する。このとき、
気泡4の上昇に伴って上昇水流が発生し、気泡4自体
と、これに伴って生じた上昇水流とによって基板110
の表面が洗浄される。気泡導入ステップAは、通常、約
10〜15秒間継続されるが、洗浄槽21の大きさ、気
泡4の発生量、純水3の量などの状況に応じて継続時間
は適宜調整される。気泡4の上昇に伴って上昇水流が発
生すると、それに対応して下降水流もまた生ずるが、上
記の継続時間は、下降水流が洗浄槽21内の或る場所に
定在化する前に気泡導入ステップAが終了するように設
定されることが好ましい。
2A to 2C show the steps of the cleaning method of this embodiment. In this embodiment, the cleaning tank 2
1. Put pure water 3 in 1 and put the above cassette 2 in this pure water 3.
The plurality of substrates 110 mounted on the substrate are immersed. Then, as shown in FIG. 2A, in the first bubble introducing step A, by supplying a gas (air, nitrogen gas or the like) to the bubble introducing device 22,
To generate bubbles 4. The bubbles 4 are introduced into the pure water 3 from the bubble introducer 22 and rise in the pure water 3. At this time,
A rising water flow is generated as the bubbles 4 rise, and the substrate 110 is generated by the bubbles 4 themselves and the rising water flow generated thereby.
Surface is cleaned. The bubble introduction step A is usually continued for about 10 to 15 seconds, but the duration is appropriately adjusted depending on the size of the cleaning tank 21, the amount of bubbles 4 generated, the amount of pure water 3 and the like. When an ascending water flow is generated as the bubbles 4 rise, a descending water flow also occurs correspondingly. However, the above-mentioned duration is such that the bubbles are introduced before the descending water flow is localized at a certain place in the cleaning tank 21. It is preferable that the step A is set to end.

【0036】気泡導入ステップAは、気泡導入器22へ
の気体の供給を停止することにより終了され、図2
(b)に示す停止ステップBに移行する。この停止ステ
ップBにおいては、気泡導入器22において新たな気泡
4が発生しないので、既に洗浄槽21内に存在する気泡
4が全て純水3の水面上にて消失すると、純水3中の上
昇水流と下降水流は徐々に弱められ、やがて水流がほと
んど消失した状態となる。停止ステップBの継続時間
は、通常、5秒程度に設定されるが、洗浄槽21の大き
さ、気泡4の発生量、純水3の量などの状況に応じてそ
の継続時間は適宜に調整される。上記の継続時間は、先
の気泡導入ステップAにて発生した気泡4が全て水面に
到達する時間よりも長いことが好ましく、特に、下降水
流が実質的に消失する時間よりも長く設定されることが
望ましい。
The bubble introducing step A is terminated by stopping the supply of gas to the bubble introducing device 22, and
The procedure moves to the stop step B shown in (b). In this stopping step B, new bubbles 4 are not generated in the bubble introducer 22, so when all the bubbles 4 already existing in the cleaning tank 21 disappear on the surface of the pure water 3, the pure water 3 rises. The water flow and the descending water flow are gradually weakened until the water flow almost disappears. The duration of the stop step B is usually set to about 5 seconds, but the duration is appropriately adjusted depending on the size of the cleaning tank 21, the amount of bubbles 4, the amount of pure water 3 and the like. To be done. The above continuation time is preferably longer than the time when all the bubbles 4 generated in the previous bubble introduction step A reach the water surface, and in particular, is set longer than the time when the descending water flow substantially disappears. Is desirable.

【0037】次に、再び気泡導入器22に気体を供給
し、再度、気泡導入ステップAを実施する。この気泡導
入ステップAでは、再び気泡導入器22から気泡4が純
水3中に導入され、気泡4の上昇によって上昇水流と下
降水流とが発生する。このとき、図2(a)に示す先の
気泡導入ステップAで生じた上昇水流と下降水流とが図
2(b)に示す停止ステップBにおいて十分に弱められ
ず残存している場合には、図2(c)に示す後の気泡導
入ステップAにおいて気泡4が発生した場合に、先の気
泡導入ステップAにて生じた上昇水流と下降水流に倣う
ようにして新たな上昇水流と下降水流とが生じるので、
短時間に上昇水流及び下降水流が特定の場所に集中し、
定在化しやすくなる。これに対して、停止ステップBに
おいて先の気泡導入ステップAにて生じた水流が十分に
弱められていれば、後の気泡導入ステップAにおいては
先のステップAに影響されることなく、新たに気泡の上
昇によって最初と同様の時間的経過を辿って水流分布が
形成されるので、下降水流が特定の場所に集中し、定在
化するまでの時間が短縮されることを防止できる。
Next, the gas is again supplied to the bubble introducing device 22, and the bubble introducing step A is performed again. In this bubble introducing step A, the bubbles 4 are again introduced into the pure water 3 from the bubble introducing device 22, and the rising water flow and the descending water flow are generated by the rising of the bubbles 4. At this time, when the ascending water flow and the descending water flow generated in the previous bubble introduction step A shown in FIG. 2 (a) are not sufficiently weakened in the stop step B shown in FIG. 2 (b) and remain, When bubbles 4 are generated in the subsequent bubble introduction step A shown in FIG. 2C, a new rising water flow and a new descending water flow are created so as to follow the rising water flow and the falling water flow generated in the previous bubble introduction step A. Occurs, so
Ascending and descending water flows concentrate in a specific place in a short time,
It becomes easy to become stationary. On the other hand, if the water flow generated in the previous bubble introduction step A is sufficiently weakened in the stop step B, the subsequent bubble introduction step A is not affected by the previous step A and is newly added in the subsequent bubble introduction step A. Since the water flow distribution is formed by following the same time course as the first due to the rise of the bubbles, it is possible to prevent the descending water flow from being concentrated at a specific place and being shortened until it becomes stationary.

【0038】上記の洗浄過程においては、気泡4の上昇
により生じた上昇水流により下降水流が発生するが、こ
の下降水流が存在する場所では気泡4が排除されるの
で、バブリング効果が得られなくなり、当該場所では洗
浄効果が弱くなる。一般に、気泡導入当初においては、
下降水流は分散しているとともに時間とともに場所を変
えるので、場所による洗浄状態の差はそれほど大きくな
らないが、時間が経過していくに従って下降水流は徐々
に或る特定の場所に集中し、定在化するようになる。こ
のような下降水流の集中及び定在化による水流の偏り
は、洗浄効果に大きなばらつきを生じさせる。
In the above washing process, a descending water flow is generated by the ascending water flow generated by the ascending of the bubbles 4, but the bubbles 4 are eliminated at the place where this descending water flow exists, so that the bubbling effect cannot be obtained. The cleaning effect becomes weaker at the location. Generally, at the beginning of introducing bubbles,
Since the precipitation flow is dispersed and changes its location with time, the difference in the cleaning state from location to location does not increase so much, but as the time elapses, the downward flow gradually concentrates at a specific location and remains stationary. Will be transformed. The unevenness of the water flow due to the concentration and the standing of the descending water flow causes a great variation in the cleaning effect.

【0039】本実施形態では、上記のように先の気泡導
入ステップAと後の気泡導入ステップAとの間に停止ス
テップBを設けていることにより、停止ステップBにお
いて一旦気泡の導入が停止され、その結果、先の気泡導
入ステップAにて生じた水流が弱められてから後の気泡
導入ステップAに移行するように構成されているので、
下降水流の集中や定在化が生じ難くなり、洗浄効果の不
均一性を低減することができる。
In this embodiment, the stop step B is provided between the first bubble introduction step A and the second bubble introduction step A as described above, so that the introduction of bubbles is temporarily stopped in the stop step B. As a result, since the water flow generated in the previous bubble introducing step A is weakened, it is configured to move to the subsequent bubble introducing step A,
The concentration and standing of the downward precipitation flow are less likely to occur, and the uneven cleaning effect can be reduced.

【0040】上記実施形態では、気泡導入ステップA、
停止ステップB、及び、気泡導入ステップAの3ステッ
プで洗浄が行われるように説明したが、気泡導入ステッ
プAと停止ステップBとを交互に複数回繰り返し実施し
てもよい。次に、図3を参照して、上記の洗浄方法を実
施するための洗浄装置20の全体構成について説明す
る。この洗浄装置20において、上記洗浄槽21には、
槽内の水を排出する排出路に設けられたドレン弁21a
と、槽の上部からオーバーフローした水を受けて排出す
るための越流槽21bと、槽内の水位を検出する水位セ
ンサ21cとが設けられている。また、洗浄槽21の上
方には、上記カセット2を昇降させ、基板110を洗浄
槽21内に導入したり洗浄槽21内から引き上げたりす
るための駆動機構23が設けられている。さらに、この
装置には、洗浄槽21内に純水3を供給するための給水
源25と、この給水源25から純水3を洗浄槽21に給
水するか否かを制御可能な給水弁25aとが設けられて
いる。また、上記気泡導入器22には、給気源26から
給気弁26a及び流量計26bを経て気体を供給する給
気管が接続されている。
In the above embodiment, the bubble introducing step A,
Although it has been described that the cleaning is performed in the three steps of the stop step B and the bubble introduction step A, the bubble introduction step A and the stop step B may be alternately repeated a plurality of times. Next, with reference to FIG. 3, the overall configuration of the cleaning device 20 for carrying out the cleaning method will be described. In the cleaning device 20, the cleaning tank 21 has
Drain valve 21a provided in the discharge path for discharging the water in the tank
An overflow tank 21b for receiving and discharging water overflowing from the upper part of the tank, and a water level sensor 21c for detecting the water level in the tank are provided. Further, above the cleaning tank 21, a drive mechanism 23 for raising and lowering the cassette 2 to introduce the substrate 110 into the cleaning tank 21 and pull it up from the cleaning tank 21 is provided. Further, in this apparatus, a water supply source 25 for supplying the pure water 3 into the cleaning tank 21 and a water supply valve 25a capable of controlling whether or not the pure water 3 is supplied from the water supply source 25 to the cleaning tank 21. And are provided. An air supply pipe for supplying gas from the air supply source 26 via the air supply valve 26a and the flow meter 26b is connected to the bubble introduction device 22.

【0041】洗浄装置20には、マイクロプロセッサユ
ニット(MPU)等で構成された制御部24が設けられ
ている。この制御部24は、上記水位センサ21cや流
量計26bからの出力信号を受け、その状況に応じて、
ドレン弁21a、給水弁25a、給気弁26a、駆動機
構23を適宜に制御するように構成されている。制御部
24には入力操作部27が接続され、この入力操作部2
7から制御部24の動作パラメータを入力できるように
構成されている。例えば、制御部24の動作パラメータ
としては、上記気泡導入ステップAの継続時間、停止ス
テップBの継続時間、気泡導入ステップAと停止ステッ
プBの繰り返し回数、処理槽21へ供給される純水の量
(水位)、気泡導入器22に供給される気体の流量など
が挙げられる。このように各種の動作パラメータを入力
操作部27から制御部24へ入力することができるよう
に構成されているので、適宜の動作態様にて自動的に洗
浄処理を行うことが可能になる。
The cleaning device 20 is provided with a controller 24 composed of a microprocessor unit (MPU) or the like. The control unit 24 receives output signals from the water level sensor 21c and the flow meter 26b, and depending on the situation,
The drain valve 21a, the water supply valve 25a, the air supply valve 26a, and the drive mechanism 23 are configured to be appropriately controlled. An input operation unit 27 is connected to the control unit 24, and the input operation unit 2
It is configured so that the operating parameters of the control unit 24 can be input from 7. For example, the operating parameters of the control unit 24 include the duration of the bubble introducing step A, the duration of the stopping step B, the number of repetitions of the bubble introducing step A and the stopping step B, and the amount of pure water supplied to the processing tank 21. (Water level), the flow rate of the gas supplied to the bubble introducing device 22, and the like. As described above, since various operation parameters can be input to the control unit 24 from the input operation unit 27, the cleaning process can be automatically performed in an appropriate operation mode.

【0042】[第2実施形態]次に、図5を参照して、
本発明に係る第2実施形態について説明する。この第2
実施形態は、上記と同様に基板110の洗浄方法及び洗
浄装置に係るものである。本実施形態の洗浄装置30に
おいては、図5に示すように、洗浄槽31の内部に上記
第1実施形態と同様の気泡導入器32が配置されてい
る。洗浄槽31の内底部には、ドレン管33との接続部
に急速排水弁31aが設けられ、また、給水管34との
接続部に給水弁31bが設けられている。さらに、洗浄
槽31には、水位センサ31c,31dが取り付けられ
ている。
[Second Embodiment] Next, referring to FIG.
A second embodiment according to the present invention will be described. This second
The embodiment relates to the cleaning method and the cleaning apparatus for the substrate 110, as described above. In the cleaning device 30 of the present embodiment, as shown in FIG. 5, a bubble introducing device 32 similar to that of the first embodiment is arranged inside a cleaning tank 31. At the inner bottom of the cleaning tank 31, a quick drain valve 31a is provided at the connection with the drain pipe 33, and a water supply valve 31b is provided at the connection with the water supply pipe 34. Further, water level sensors 31c and 31d are attached to the cleaning tank 31.

【0043】洗浄槽31内には、第1実施形態と同様の
基板110を搭載したカセット2が駆動機構35により
昇降可能に吊り下げられている。また、洗浄槽31の上
方には、別途設けられた給水系に接続されたシャワーノ
ズル36が配置されている。
In the cleaning tank 31, the cassette 2 having the same substrate 110 as that of the first embodiment is suspended by a drive mechanism 35 so that the cassette 2 can be moved up and down. A shower nozzle 36 connected to a separately provided water supply system is arranged above the cleaning tank 31.

【0044】この洗浄装置30を用いて基板110の洗
浄を行う場合には、まず、給水弁31bを介して洗浄槽
31内に純水3を供給し、水位を高レベルHLに設定
し、その後、基板110を搭載したカセット2を駆動機
構35により降下させ、図示のように純水3中に浸漬さ
せる。そして、上記第1実施形態と同様に気泡導入ステ
ップと停止ステップとを所定回数繰り返し実施し、洗浄
を行う。
When the substrate 110 is cleaned using this cleaning device 30, first, pure water 3 is supplied into the cleaning tank 31 via the water supply valve 31b to set the water level to a high level HL, and thereafter. The cassette 2 having the substrate 110 mounted thereon is lowered by the drive mechanism 35 and immersed in pure water 3 as shown in the figure. Then, similarly to the first embodiment, the bubble introducing step and the stopping step are repeatedly performed a predetermined number of times to perform cleaning.

【0045】その後、急速排水弁31aを開き、洗浄槽
31内の純水3を急速に排水し、水位が低レベルLLに
なり、基板110全体が水面上に配置されるようにす
る。しかる後に、再び給水弁31bを介して純水を供給
し、洗浄槽31内の水位を高レベルHLに戻す。そし
て、再度、上記と同様に気泡導入ステップと停止ステッ
プとを繰り返し実施する。
After that, the rapid drain valve 31a is opened, the pure water 3 in the cleaning tank 31 is rapidly drained, the water level becomes the low level LL, and the entire substrate 110 is placed on the water surface. Then, pure water is supplied again through the water supply valve 31b to return the water level in the cleaning tank 31 to the high level HL. Then, again, the bubble introducing step and the stopping step are repeatedly performed in the same manner as described above.

【0046】上述のようにして、給水、洗浄、排水を繰
り返し、洗浄処理が完了すると、駆動機構35はカセッ
ト2を上方へ引き上げ、シャワーノズル36から純水を
散布して基板110の表面を洗い流した後、カセット2
を次の工程に移動させる。
As described above, water supply, cleaning and drainage are repeated, and when the cleaning process is completed, the drive mechanism 35 pulls up the cassette 2 and sprays pure water from the shower nozzle 36 to rinse the surface of the substrate 110. After the cassette 2
To the next step.

【0047】この実施形態では、洗浄後に純水3を急速
に排水することによって基板110の表面に付着したゴ
ミ等を純水3とともに除去することができるので、より
短時間に基板110を清浄化することができる。
In this embodiment, the deionized water 3 can be quickly drained after cleaning to remove dust and the like adhering to the surface of the substrate 110 together with the deionized water 3. Therefore, the substrate 110 can be cleaned in a shorter time. can do.

【0048】[液晶表示パネルの製造方法]図6には、
上記基板110を用いた液晶表示パネルの製造工程の概
略を示す。この製造方法においては、図6(a)に示す
大判の基板110,120の内面に、それぞれITO
(インジウムスズ酸化物)等の透明導電体で構成された
電極パターンをスパッタリング法やフォトリソグラフィ
技術を用いて形成し、この電極パターンの上に、配向膜
を塗布形成する。配向膜には所定の配向処理(ラビング
処理など)が施される。また、製造される液晶パネルの
構造に応じて、カラーフィルタや反射層などが適宜に形
成される。例えば、カラー表示液晶パネルを製造する場
合には、基板の表面上にカラーフィルタが形成され、そ
の後、上記電極パターンが形成される。また、反射型液
晶パネル(反射半透過型液晶パネルを含む。)を製造す
る場合には、反射層を形成し、その上に透明絶縁膜を形
成してから、上記電極パターンを形成する。この場合、
透明導電体で構成された電極パターンを形成する代わり
に、反射層と電極とを兼ねる反射電極を形成する場合も
ある。
[Manufacturing Method of Liquid Crystal Display Panel] FIG.
An outline of a manufacturing process of a liquid crystal display panel using the substrate 110 will be described. In this manufacturing method, ITO is formed on the inner surfaces of the large-sized substrates 110 and 120 shown in FIG.
An electrode pattern made of a transparent conductor such as (indium tin oxide) is formed by a sputtering method or a photolithography technique, and an alignment film is formed by coating on the electrode pattern. A predetermined alignment process (rubbing process or the like) is performed on the alignment film. Further, a color filter, a reflective layer, or the like is appropriately formed according to the structure of the manufactured liquid crystal panel. For example, when manufacturing a color display liquid crystal panel, a color filter is formed on the surface of the substrate, and then the electrode pattern is formed. When manufacturing a reflective liquid crystal panel (including a reflective transflective liquid crystal panel), a reflective layer is formed, a transparent insulating film is formed on the reflective layer, and then the electrode pattern is formed. in this case,
In some cases, instead of forming an electrode pattern made of a transparent conductor, a reflecting electrode that also serves as a reflecting layer and an electrode is formed.

【0049】上記の製造工程においては、大判の基板1
10,120に対して各種処理、例えば、スパッタリン
グや蒸着などの成膜技術、印刷やスピンコーティングな
どの塗布技術、露光処理などが施される。このような工
程中においては、大判の基板110,120を洗浄する
処理が必要になる。例えば、大判の基板110,120
の表面上に上記電極パターン等を形成する前に予め基板
110,120を洗浄する工程があり、また、電極パタ
ーンのパターニング、レジストのパターニングや剥離、
カラーフィルタのパターニング(現像)、反射層のパタ
ーニングを行った後において、基板110,120の表
面からパターニングに用いたエッチング液、現像液、剥
離液などを除去するために洗浄する工程がある。このよ
うな洗浄工程において、本実施形態では、上記第1実施
形態や第2実施形態によって洗浄処理を実施する。
In the above manufacturing process, the large-sized substrate 1
Various treatments such as a film forming technique such as sputtering and vapor deposition, a coating technique such as printing and spin coating, and an exposure treatment are performed on 10, 120. During such a process, a process of cleaning the large-sized substrates 110 and 120 is required. For example, large-sized substrates 110 and 120
There is a step of cleaning the substrates 110 and 120 in advance before forming the electrode pattern and the like on the surface of the substrate, patterning of the electrode pattern, patterning and peeling of the resist,
After the patterning (development) of the color filter and the patterning of the reflective layer, there is a step of cleaning the surfaces of the substrates 110 and 120 to remove the etching solution, the developing solution, the stripping solution, etc. used for the patterning. In such a cleaning process, in the present embodiment, the cleaning process is performed according to the first embodiment or the second embodiment.

【0050】その後、基板110と基板120とが図示
しないシール材を介して貼り合わせられ、図6(a)に
示す大判パネル100が形成される。そして、大判パネ
ル100のパネル基板110,120の外面上には、図
示X方向に伸びるスクライブ溝100xが刻設され、こ
のスクライブ溝100xに沿ってパネル基板110,1
20が破断され、図6(b)に示す短冊状の中間パネル
130が形成される。この中間パネル130に対して
は、露出したシール材の開口部から液晶が注入され、そ
の後、シール材の開口部は閉鎖され、液晶が中間パネル
130内に封入される。さらに、中間パネル130に対
しては図示Y方向に伸びるスクライブ溝100yが刻設
され、このスクライブ溝100yに沿って中間基板13
1,132が破断されることによって、図6(c)に示
す液晶パネル140が形成される。
After that, the substrate 110 and the substrate 120 are attached to each other via a sealing material (not shown) to form the large panel 100 shown in FIG. 6 (a). Then, scribe grooves 100x extending in the X direction in the drawing are engraved on the outer surfaces of the panel substrates 110 and 120 of the large-sized panel 100, and the panel substrates 110 and 1 extend along the scribe grooves 100x.
20 is broken, and a strip-shaped intermediate panel 130 shown in FIG. 6B is formed. Liquid crystal is injected into the intermediate panel 130 through the exposed opening of the sealing material, and then the opening of the sealing material is closed and the liquid crystal is sealed in the intermediate panel 130. Further, a scribe groove 100y extending in the Y direction in the drawing is formed on the intermediate panel 130, and the intermediate substrate 13 is formed along the scribe groove 100y.
The liquid crystal panel 140 shown in FIG. 6C is formed by breaking the parts 1,132.

【0051】なお、図6(c)に示すように形成された
液晶パネル140に対しても、半導体チップやフレキシ
ブル基板等を実装する前に洗浄処理を行う場合がある。
この場合にも、上記第1実施形態及び第2実施形態と同
様の方法で、上記基板110を液晶パネル140に置き
換えて洗浄処理を実施することが好ましい。
Note that the liquid crystal panel 140 formed as shown in FIG. 6C may also be subjected to a cleaning process before mounting a semiconductor chip, a flexible substrate, or the like.
Also in this case, it is preferable to replace the substrate 110 with the liquid crystal panel 140 and perform the cleaning process in the same manner as in the first and second embodiments.

【0052】図4には、上記のようにして構成された液
晶パネル140の平面透視図を示す。液晶パネル140
は、基板141と142とがシール材143によって貼
り合わせられ、その間に液晶が封入されている。ここ
で、シール材143には液晶注入用の開口部143aが
設けられ、この開口部143aは封止材145によって
封鎖されている。基板141の内面上には、上記基板1
10の電極パターンに設けられていた電極111、配線
112及び入力端子113が配置されている。電極11
1の表面上には配向膜が形成されている。また、基板1
42の内面上にも、基板120の電極パターンに設けら
れていた電極121、配線122及び入力端子123が
配置され、電極121の表面上には配向膜が形成されて
いる。ここで、電極111,121はシール材143に
よって囲まれる液晶封入領域内に構成されており、この
液晶封入領域内から配線112,122が基板張出部1
41T,142Tの表面上まで引き出され、その先端が
入力端子部113,123となっている。
FIG. 4 shows a plan perspective view of the liquid crystal panel 140 configured as described above. LCD panel 140
The substrates 141 and 142 are bonded to each other by a seal material 143, and liquid crystal is sealed between them. Here, the sealing material 143 is provided with an opening 143 a for injecting liquid crystal, and the opening 143 a is closed by a sealing material 145. The substrate 1 is provided on the inner surface of the substrate 141.
The electrodes 111, the wirings 112, and the input terminals 113 provided in the ten electrode patterns are arranged. Electrode 11
An alignment film is formed on the surface of 1. Also, the substrate 1
The electrodes 121, the wirings 122, and the input terminals 123 provided in the electrode pattern of the substrate 120 are arranged also on the inner surface of the substrate 120, and the alignment film is formed on the surface of the electrodes 121. Here, the electrodes 111 and 121 are configured in a liquid crystal enclosing area surrounded by the sealing material 143, and the wirings 112 and 122 are provided in the liquid crystal enclosing area so that the substrate 112 extends.
41T and 142T are pulled out to the surface, and the tips thereof are the input terminal portions 113 and 123.

【0053】尚、本発明の液体処理方法、液体処理装
置、フラットパネル表示装置の製造方法は、上述の図示
例にのみ限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱
しない範囲内において種々変更を加え得ることは勿論で
ある。例えば、上記各実施形態では、いずれも単一の処
理段階(洗浄段階)において本発明の方法を適用した例
を示したが、本発明は、複数の処理段階を有する処理工
程における一つの処理段階のみに適用してもよい。例え
ば、上記の洗浄方法においては、例えば、第1洗浄段
階、第2洗浄段階(第1リンス段階)、第3洗浄段階
(第2リンス段階)というように、複数の段階において
それぞれ異なる洗浄槽にて洗浄が行われるように構成さ
れている場合があり、このような場合には、上記のいず
れの段階において本発明を適用しても構わない。
The liquid processing method, the liquid processing apparatus, and the flat panel display manufacturing method of the present invention are not limited to the above-described illustrated examples, and various modifications can be made without departing from the scope of the present invention. Of course, it is possible to add. For example, in each of the above embodiments, an example in which the method of the present invention is applied in a single processing step (cleaning step) has been shown, but the present invention shows that one processing step in a processing step having a plurality of processing steps. May be applied only to. For example, in the above-described cleaning method, different cleaning tanks are used in a plurality of stages such as the first cleaning stage, the second cleaning stage (first rinse stage), and the third cleaning stage (second rinse stage). In some cases, the present invention may be applied in any of the above steps.

【0054】[0054]

【発明の効果】以上、説明したように本発明によれば、
被処理物に対して洗浄等の液体処理を行う場合に、処理
の均一性を向上させることができる。
As described above, according to the present invention,
When performing liquid processing such as washing on the object to be processed, the uniformity of processing can be improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】 本発明に係る第1実施形態の洗浄装置の主要
部の構造を示す概略斜視図である。
FIG. 1 is a schematic perspective view showing a structure of a main part of a cleaning device according to a first embodiment of the present invention.

【図2】 第1実施形態の洗浄方法を示すステップ説明
図(a)〜(c)である。
FIG. 2 is a step explanatory view (a) to (c) showing the cleaning method of the first embodiment.

【図3】 第1実施形態の洗浄装置の全体構成を示す概
略構成ブロック図である。
FIG. 3 is a schematic configuration block diagram showing an overall configuration of the cleaning apparatus of the first embodiment.

【図4】 本発明に係る液晶表示装置の製造方法によっ
て形成された液晶表示パネルの概略透視平面図である。
FIG. 4 is a schematic perspective plan view of a liquid crystal display panel formed by the method for manufacturing a liquid crystal display device according to the present invention.

【図5】 本発明に係る第2実施形態の洗浄装置の主要
部の構造を示す概略斜視図である。
FIG. 5 is a schematic perspective view showing a structure of a main part of a cleaning device according to a second embodiment of the present invention.

【図6】 本発明に係る液晶表示装置の製造方法の全体
の概略工程を示す概略斜視図(a)〜(c)である。
FIG. 6 is schematic perspective views (a) to (c) showing the overall schematic steps of the method for manufacturing a liquid crystal display device according to the present invention.

【図7】 従来の洗浄方法を示す概略説明断面図(a)
及び(a)に示す断面と直交する断面を示す概略説明断
面図(b)である。
FIG. 7 is a schematic explanatory cross-sectional view showing a conventional cleaning method (a).
3B is a schematic explanatory cross-sectional view showing a cross section orthogonal to the cross section shown in FIGS.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

2 カセット 20,30 洗浄装置 21,31 洗浄槽 22,32 気泡導入器 A 気泡導入ステップ B 停止ステップ 110,120 基板 140 液晶パネル 2 cassettes 20,30 Cleaning device 21,31 Washing tank 22,32 Bubble introducer A bubble introduction step B Stop step 110,120 substrate 140 LCD panel

Claims (12)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 被処理物を液体中に浸漬させた状態と
し、この状態で、前記液体中に気泡を導入する気泡導入
ステップと、前記気泡の導入を停止する停止ステップ
と、前記気泡を再び導入する気泡導入ステップとを順次
実施することを特徴とする液体処理方法。
1. An object to be treated is immersed in a liquid, and in this state, a bubble introducing step of introducing bubbles into the liquid, a stopping step of stopping introduction of the bubbles, and a step of removing the bubbles again. A liquid treatment method comprising sequentially performing a step of introducing bubbles.
【請求項2】 前記気泡導入ステップの継続時間は、前
記液体中において前記気泡により生じた下降流の位置が
実質的に定在化する時間以下であることを特徴とする請
求項1に記載の液体処理方法。
2. The bubble-introducing step has a duration that is equal to or less than a time at which the position of the downward flow generated by the bubbles in the liquid is substantially stationary. Liquid treatment method.
【請求項3】 前記停止ステップの継続時間は、前記液
体中において前記気泡導入ステップにより生じた下降流
が実質的に消失する時間以上であることを特徴とする請
求項1又は請求項2に記載の液体処理方法。
3. The method according to claim 1, wherein the duration of the stopping step is equal to or longer than the time during which the downward flow generated in the liquid by the bubble introduction step substantially disappears. Liquid treatment method.
【請求項4】 前記気泡導入ステップの継続時間は、約
7〜18秒であることを特徴とする請求項1に記載の液
体処理方法。
4. The liquid processing method according to claim 1, wherein the duration of the bubble introducing step is about 7 to 18 seconds.
【請求項5】 前記停止ステップの継続時間は、約3〜
7秒であることを特徴とする請求項1又は請求項4に記
載の液体処理方法。
5. The duration of the stopping step is about 3 to.
It is 7 seconds, The liquid processing method of Claim 1 or Claim 4 characterized by the above-mentioned.
【請求項6】 処理槽と、該処理槽の内部に気泡導入口
を有する気泡導入手段と、該気泡導入手段による気泡導
入ステップ、前記気泡導入手段による気泡導入を停止す
る停止ステップ、前記気泡導入ステップ、を順次実施す
るために前記気泡導入手段を制御する制御手段とを有す
ることを特徴とする液体処理装置。
6. A treatment tank, a bubble introducing means having a bubble introducing port inside the treatment tank, a bubble introducing step by the bubble introducing means, a stopping step of stopping the bubble introduction by the bubble introducing means, the bubble introducing And a control means for controlling the bubble introducing means for sequentially performing the steps.
【請求項7】 前記制御手段は、前記気泡導入ステップ
の継続期間、前記停止ステップの継続期間、又は、前記
気泡導入ステップと前記停止ステップの繰り返し回数を
設定可能に構成されていることを特徴とする請求項6に
記載の液体処理装置。
7. The control means is configured to be able to set the duration of the bubble introducing step, the duration of the stopping step, or the number of repetitions of the bubble introducing step and the stopping step. The liquid processing apparatus according to claim 6.
【請求項8】 少なくとも1枚の基板を有するフラット
パネル表示装置の製造方法であって、 製造過程において、前記基板を液体中に浸漬させた状態
とし、この状態で、前記液体中に気泡を導入する気泡導
入ステップと、前記気泡の導入を停止する停止ステップ
と、前記気泡を再び導入する気泡導入ステップとを順次
実施して、前記基板を処理することを特徴とするフラッ
トパネル表示装置の製造方法。
8. A method of manufacturing a flat panel display device having at least one substrate, wherein in the manufacturing process, the substrate is immersed in a liquid, and bubbles are introduced into the liquid in this state. A step of introducing a bubble, a step of stopping the introduction of the bubble, and a step of introducing the bubble to introduce the bubble again to process the substrate to process the substrate. .
【請求項9】 前記気泡導入ステップの継続時間は、前
記液体中において前記気泡により生じた下降流の位置が
実質的に定在化する時間以下であることを特徴とする請
求項8に記載のフラットパネル表示装置の製造方法。
9. The bubble introduction step according to claim 8, wherein the duration of the bubble introduction step is equal to or less than the time during which the position of the downward flow generated by the bubbles in the liquid is substantially stationary. Method of manufacturing flat panel display device.
【請求項10】 前記停止ステップの継続時間は、前記
液体中において前記気泡導入ステップにより生じた下降
流が実質的に消失する時間以上であることを特徴とする
請求項8又は請求項9に記載のフラットパネル表示装置
の製造方法。
10. The method according to claim 8 or 9, wherein the duration of the stopping step is equal to or longer than the time during which the downward flow generated in the liquid by the bubble introduction step substantially disappears. Of manufacturing flat panel display device of.
【請求項11】 前記気泡導入ステップの継続時間は、
約7〜18秒であることを特徴とする請求項8に記載の
フラットパネル表示装置の製造方法。
11. The duration of the bubble introduction step is
The method for manufacturing a flat panel display device according to claim 8, wherein the manufacturing time is about 7 to 18 seconds.
【請求項12】 前記停止ステップの継続時間は、約3
〜7秒であることを特徴とする請求項8又は請求項11
に記載のフラットパネル表示装置の製造方法。
12. The duration of the stopping step is about 3
It is ~ 7 seconds, The claim 8 or Claim 11 characterized by the above-mentioned.
A method for manufacturing the flat panel display device according to.
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