JP2003100675A - シリコンウエハ研磨剤 - Google Patents
シリコンウエハ研磨剤Info
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- JP2003100675A JP2003100675A JP2001291882A JP2001291882A JP2003100675A JP 2003100675 A JP2003100675 A JP 2003100675A JP 2001291882 A JP2001291882 A JP 2001291882A JP 2001291882 A JP2001291882 A JP 2001291882A JP 2003100675 A JP2003100675 A JP 2003100675A
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- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 研磨速度の高いシリコンウエハ研
磨剤の提供。 【解決手段】 ａ１）平均粒径が３５〜５０ｎ
ｍ、比表面積が６５〜８５ｍ２／ｇのコロイダルシリカ
３．５〜５．０重量％、ａ２）ベ−マイト２．０〜
５．０重量％、ｂ）エチレンジアミン、メチルアミンよ
り選ばれた脂肪族アミン ２．５〜１０重量％、および
ｃ）水 ７５〜９１．５重量％を含有するシリコンウエ
ハ研磨剤。
磨剤の提供。 【解決手段】 ａ１）平均粒径が３５〜５０ｎ
ｍ、比表面積が６５〜８５ｍ２／ｇのコロイダルシリカ
３．５〜５．０重量％、ａ２）ベ−マイト２．０〜
５．０重量％、ｂ）エチレンジアミン、メチルアミンよ
り選ばれた脂肪族アミン ２．５〜１０重量％、および
ｃ）水 ７５〜９１．５重量％を含有するシリコンウエ
ハ研磨剤。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、チャック（ウエハ
キャリア）にシリコン基板を固定し、ポリッシャの研磨
布にシリコン基板面に押し当て、シリコン基板と研磨布
を摺動させてシリコンを研磨して１μｍ程度の表面の鏡
面仕上にする際に用いられるシリコンウエハ研磨剤に関
する。シリコン基板としては、インゴットをワイヤ−ソ
ウでスライスして得た基板の両面を研削、あるいはラッ
ピングしたベアウエハ、シリコン基板の片面にデバイズ
模様が施され、その表面を保護フィルムで被覆された裏
面研削用ウエハが挙げられる。
キャリア）にシリコン基板を固定し、ポリッシャの研磨
布にシリコン基板面に押し当て、シリコン基板と研磨布
を摺動させてシリコンを研磨して１μｍ程度の表面の鏡
面仕上にする際に用いられるシリコンウエハ研磨剤に関
する。シリコン基板としては、インゴットをワイヤ−ソ
ウでスライスして得た基板の両面を研削、あるいはラッ
ピングしたベアウエハ、シリコン基板の片面にデバイズ
模様が施され、その表面を保護フィルムで被覆された裏
面研削用ウエハが挙げられる。
【０００２】
【従来の技術】シリコンウエハ研磨剤としては、平均粒
径が４０〜４２ｎｍのコロイダルシリカ ３．５〜４重
量％、ｂ１）エチレンジアミン ０．０１〜０．５重量
％、ｂ ２）モノエタノ−ルアミン ０．０１〜０．０５
重量％、およびｃ）水 残余を含有するシリコンウエハ
研磨剤（ｐＨ 約１１．５）が実用化されている。
径が４０〜４２ｎｍのコロイダルシリカ ３．５〜４重
量％、ｂ１）エチレンジアミン ０．０１〜０．５重量
％、ｂ ２）モノエタノ−ルアミン ０．０１〜０．０５
重量％、およびｃ）水 残余を含有するシリコンウエハ
研磨剤（ｐＨ 約１１．５）が実用化されている。
【０００３】シリコンウエハの径が２００ｍｍから３０
０ｍｍと拡径するにつれ、研磨速度（単位時間当りのシ
リコン層剥離厚み）がより速いシリコンウエハ研磨剤の
登場が市場より望まれている。
０ｍｍと拡径するにつれ、研磨速度（単位時間当りのシ
リコン層剥離厚み）がより速いシリコンウエハ研磨剤の
登場が市場より望まれている。
【０００４】研磨速度を上げるため、過酸化水素を加え
たり、水溶性有機アミンの種類を代えたり、砥粒である
シリカの径を大きくすることが検討されている。例え
ば、エチレンジアミンの３重量％水溶液に、０．４重量
％のコロイダルシリカを添加した研磨剤（特開平２−１
４６７３２号）、平均粒径７〜１００ｎｍのシリカを含
有するアルカリ性コロイダルシリカ溶液、シリカ固形分
に対して５〜４００重量％の有機水溶性アミン、および
シリカ固形分に対して０．１〜５０重量％の弱酸とアル
カリ金属との塩を含有するシリコン研磨剤（特開平４−
３１３２２４号）、エチレンジアミンの水溶液に、コロ
イダルシリカを添加し、カセイカリ（ＫＯＨ）を加えて
ｐＨ１２．５以下に調整した研磨剤（特開平５−６７６
００号）、コロイダルシリカを主成分としてコロイダル
シリカの０．０１〜１０．０容量％のエチレンジアミン
および０．００５〜０．３重量％のカテコ−ル、残余の
水よりなる研磨剤（特開平８−３３９９８０号）が提案
されている。
たり、水溶性有機アミンの種類を代えたり、砥粒である
シリカの径を大きくすることが検討されている。例え
ば、エチレンジアミンの３重量％水溶液に、０．４重量
％のコロイダルシリカを添加した研磨剤（特開平２−１
４６７３２号）、平均粒径７〜１００ｎｍのシリカを含
有するアルカリ性コロイダルシリカ溶液、シリカ固形分
に対して５〜４００重量％の有機水溶性アミン、および
シリカ固形分に対して０．１〜５０重量％の弱酸とアル
カリ金属との塩を含有するシリコン研磨剤（特開平４−
３１３２２４号）、エチレンジアミンの水溶液に、コロ
イダルシリカを添加し、カセイカリ（ＫＯＨ）を加えて
ｐＨ１２．５以下に調整した研磨剤（特開平５−６７６
００号）、コロイダルシリカを主成分としてコロイダル
シリカの０．０１〜１０．０容量％のエチレンジアミン
および０．００５〜０．３重量％のカテコ−ル、残余の
水よりなる研磨剤（特開平８−３３９９８０号）が提案
されている。
【０００５】我々が追試したところ、シリカの粒径を大
きくしても、他のアミン、例えばトリエチレンテトラミ
ン、トリエタノ−ルアミン、エチルアミン等を用いて
も、酸化剤、還元剤を配合しても実用化されている前記
シリコン研磨剤の研磨速度よりも１．２倍を超える研磨
速度が得られる研磨剤を得ることが困難であった。
きくしても、他のアミン、例えばトリエチレンテトラミ
ン、トリエタノ−ルアミン、エチルアミン等を用いて
も、酸化剤、還元剤を配合しても実用化されている前記
シリコン研磨剤の研磨速度よりも１．２倍を超える研磨
速度が得られる研磨剤を得ることが困難であった。
【０００６】我々は、前記追試において比較的に研磨速
度がよいａ）平均粒径が３５〜５０ｎｍのコロイダルシ
リカとｂ）エチレンジアミン、メチルアミン等の低分子
量脂肪族アミンの組み合せに注目し、シリカの表面積
と、コロイダルシリカおよび低分子量脂肪族アミンの研
磨剤中に占める含有率を検討したところ、比表面積が６
５〜８５ｍ２／ｇのコロイダルシリカを用い、低分子量
脂肪族アミンの研磨剤中に占める含有率を２．５〜１０
重量％としたシリコンウエハ研磨剤が、現在実用化され
ている研磨剤の１．５倍以上のシリコン研磨速度を与え
ることを見出し、本発明に到った。
度がよいａ）平均粒径が３５〜５０ｎｍのコロイダルシ
リカとｂ）エチレンジアミン、メチルアミン等の低分子
量脂肪族アミンの組み合せに注目し、シリカの表面積
と、コロイダルシリカおよび低分子量脂肪族アミンの研
磨剤中に占める含有率を検討したところ、比表面積が６
５〜８５ｍ２／ｇのコロイダルシリカを用い、低分子量
脂肪族アミンの研磨剤中に占める含有率を２．５〜１０
重量％としたシリコンウエハ研磨剤が、現在実用化され
ている研磨剤の１．５倍以上のシリコン研磨速度を与え
ることを見出し、本発明に到った。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、研磨された
シリコン表面が鏡面仕上となり、かつ、現在使用されて
いるシリコン研磨剤よりも１．５倍以上高い研磨速度を
与えるシリコン研磨剤を提供することを目的とする。
シリコン表面が鏡面仕上となり、かつ、現在使用されて
いるシリコン研磨剤よりも１．５倍以上高い研磨速度を
与えるシリコン研磨剤を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項１は、
ａ）平均粒径が３５〜５０ｎｍ、比表面積が６５〜８５
ｍ２／ｇのコロイダルシリカ ３．５〜５．０重量％、
ｂ）エチレンジアミン、メチルアミンより選ばれた脂肪
族アミン ２．５〜１０重量％、およびｃ）水８５〜９
４重量％を含有するシリコンウエハ研磨剤を提供するも
のである。
ａ）平均粒径が３５〜５０ｎｍ、比表面積が６５〜８５
ｍ２／ｇのコロイダルシリカ ３．５〜５．０重量％、
ｂ）エチレンジアミン、メチルアミンより選ばれた脂肪
族アミン ２．５〜１０重量％、およびｃ）水８５〜９
４重量％を含有するシリコンウエハ研磨剤を提供するも
のである。
【０００９】シリコンの研磨速度が、現在使用されてい
るシリコン研磨剤よりも１．５倍以上高い研磨速度を与
えるシリコン研磨剤である。
るシリコン研磨剤よりも１．５倍以上高い研磨速度を与
えるシリコン研磨剤である。
【００１０】本発明の請求項２は、ａ１）平均粒径が３
５〜５０ｎｍ、比表面積が６５〜８５ｍ２／ｇのコロイ
ダルシリカ ３．５〜５．０重量％、ａ２）ベ−マイト
２．０〜５．０重量％、ｂ）エチレンジアミン、メチル
アミンより選ばれた脂肪族アミン ２．５〜１０重量
％、およびｃ）水 ７５〜９１．５重量％を含有するシ
リコンウエハ研磨剤を提供するものである。
５〜５０ｎｍ、比表面積が６５〜８５ｍ２／ｇのコロイ
ダルシリカ ３．５〜５．０重量％、ａ２）ベ−マイト
２．０〜５．０重量％、ｂ）エチレンジアミン、メチル
アミンより選ばれた脂肪族アミン ２．５〜１０重量
％、およびｃ）水 ７５〜９１．５重量％を含有するシ
リコンウエハ研磨剤を提供するものである。
【００１１】本発明の請求項３は、ａ１）平均粒径が３
５〜５０ｎｍ、比表面積が６５〜８５ｍ２／ｇのコロイ
ダルシリカ ３．５〜５．０重量％、ａ２）ベ−マイト
２．０〜５．０重量％、ｂ１）エチレンジアミン、メチ
ルアミンより選ばれた脂肪族アミン ２．５〜１０重量
％、ｂ２）モノエタノ−ルアミン ０．００５〜２重量
％およびｃ）水 ７４．９９〜８９．５重量％を含有す
るシリコンウエハ研磨剤を提供するものである。
５〜５０ｎｍ、比表面積が６５〜８５ｍ２／ｇのコロイ
ダルシリカ ３．５〜５．０重量％、ａ２）ベ−マイト
２．０〜５．０重量％、ｂ１）エチレンジアミン、メチ
ルアミンより選ばれた脂肪族アミン ２．５〜１０重量
％、ｂ２）モノエタノ−ルアミン ０．００５〜２重量
％およびｃ）水 ７４．９９〜８９．５重量％を含有す
るシリコンウエハ研磨剤を提供するものである。
【００１２】これら後者のシリコン研磨剤は、シリコン
の研磨速度が、現在使用されているシリコン研磨剤より
も１．６倍以上高い研磨速度を与える。
の研磨速度が、現在使用されているシリコン研磨剤より
も１．６倍以上高い研磨速度を与える。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明をさらに詳細に説明
する。 ａ）砥粒： ａ１）コロイダルシリカ ａ１）のコロイダルシリカは、平均粒径（透過型電子顕
微鏡画像観察で行ない、５０％以上占める粒子の径の平
均値）が３５〜５０ｎｍ、比表面積が６５〜８５ｍ２／
ｇのもので、ナトリウムイオン、カリウムイオン、また
はアンモニウムイオンで安定化されたものであり、研磨
剤成分中、固形分量で３．５〜５．０重量％の割合で用
いられる。コロイダルシリカの平均粒径、比表面積が上
記範囲内でないと、高い研磨速度を得ることができな
い。コロイダルシリカは、砥粒として単独で、またはベ
−マイトと併用して用いられる。
する。 ａ）砥粒： ａ１）コロイダルシリカ ａ１）のコロイダルシリカは、平均粒径（透過型電子顕
微鏡画像観察で行ない、５０％以上占める粒子の径の平
均値）が３５〜５０ｎｍ、比表面積が６５〜８５ｍ２／
ｇのもので、ナトリウムイオン、カリウムイオン、また
はアンモニウムイオンで安定化されたものであり、研磨
剤成分中、固形分量で３．５〜５．０重量％の割合で用
いられる。コロイダルシリカの平均粒径、比表面積が上
記範囲内でないと、高い研磨速度を得ることができな
い。コロイダルシリカは、砥粒として単独で、またはベ
−マイトと併用して用いられる。
【００１４】ａ２）ベ−マイト
コロイダルシリカと併用されて研磨速度を向上するベ−
マイトは、アルミナ水和物の一種で、Ａｌ・ＯＯＨで示
される。ベ−マイトは研磨剤組成中、２．０〜５．０重
量％用いる。ベ−マイトの粒子径は、５０〜１００ｎｍ
のものが好ましい。
マイトは、アルミナ水和物の一種で、Ａｌ・ＯＯＨで示
される。ベ−マイトは研磨剤組成中、２．０〜５．０重
量％用いる。ベ−マイトの粒子径は、５０〜１００ｎｍ
のものが好ましい。
【００１５】ｂ）低分子量水溶性脂肪族アミン：低分子
量水溶性脂肪族アミンとしては、エチレンジアミンまた
はメチルアミンが研磨剤組成中、２．５〜１０重量％使
用される。メチルアミンは臭気を有するので、研磨剤の
臭気が無い面からは、エチレンジアミンの方がより好ま
しい。研磨剤は、モノエタノ−ルアミンを０．００５〜
２重量％含有していてもよい。
量水溶性脂肪族アミンとしては、エチレンジアミンまた
はメチルアミンが研磨剤組成中、２．５〜１０重量％使
用される。メチルアミンは臭気を有するので、研磨剤の
臭気が無い面からは、エチレンジアミンの方がより好ま
しい。研磨剤は、モノエタノ−ルアミンを０．００５〜
２重量％含有していてもよい。
【００１６】水溶性脂肪族アミンとして、ジエチレント
リアミンもエチレンジアミンと同等の研磨速度を与える
がコストが高いので望ましくない。
リアミンもエチレンジアミンと同等の研磨速度を与える
がコストが高いので望ましくない。
【００１７】ｃ）分散媒：分散媒としては、水が研磨剤
組成中、残余量用いられる。 ｄ）その他成分：上記ａ）成分の砥粒、ｂ）水溶性脂肪
族アミンおよびｃ）水の他に、必要により、分散助剤、
粘度調整剤、防黴剤を研磨剤中、１重量％以下配合して
もよい。
組成中、残余量用いられる。 ｄ）その他成分：上記ａ）成分の砥粒、ｂ）水溶性脂肪
族アミンおよびｃ）水の他に、必要により、分散助剤、
粘度調整剤、防黴剤を研磨剤中、１重量％以下配合して
もよい。
【００１８】分散助剤としては、ノニオン性界面活性剤
または両性界面活性剤が挙げられる。ノニオン性界面活
性剤としては、ポリオキシエチレンアルキルエ−テル、
ポリオキシエチレンアルキルフェニルエ−テル、プルオ
ニック系非イオン性界面活性剤（エチレンオキシドとプ
ロピレンオキシドの付加反応物）、脂肪酸ポリオキシエ
チレンエステル、脂肪酸ポリオキシエチレンソルビタン
エステル、ポリオキシエチレンひまし油、脂肪酸蔗糖エ
ステル、ポリオキシエチレン・オキシプロピレンアルキ
ルエ−テル等が挙げられる。具体的には、ジラウリン酸
ポリエチレングリコ−ルエステル、トリデシルポリオキ
シエチレンエ−テル、ノニルフェニルポリオキシエチレ
ンエ−テル、モノステアリン酸ポリエチレングリコ−
ル、等が挙げられる。好ましくは、ＨＬＢが１０以上の
化合物が好ましい。
または両性界面活性剤が挙げられる。ノニオン性界面活
性剤としては、ポリオキシエチレンアルキルエ−テル、
ポリオキシエチレンアルキルフェニルエ−テル、プルオ
ニック系非イオン性界面活性剤（エチレンオキシドとプ
ロピレンオキシドの付加反応物）、脂肪酸ポリオキシエ
チレンエステル、脂肪酸ポリオキシエチレンソルビタン
エステル、ポリオキシエチレンひまし油、脂肪酸蔗糖エ
ステル、ポリオキシエチレン・オキシプロピレンアルキ
ルエ−テル等が挙げられる。具体的には、ジラウリン酸
ポリエチレングリコ−ルエステル、トリデシルポリオキ
シエチレンエ−テル、ノニルフェニルポリオキシエチレ
ンエ−テル、モノステアリン酸ポリエチレングリコ−
ル、等が挙げられる。好ましくは、ＨＬＢが１０以上の
化合物が好ましい。
【００１９】両性界面活性剤としては、Ｎ−アルキルス
ルホベタイン変性シリコンオイル、Ｎ−アルキルニトリ
ロトリ酢酸、Ｎ−アルキルジメチルベタイン、α−トリ
メチルアンモニオ脂肪酸、Ｎ−アルキルβ−アミノプロ
ピオン酸、Ｎ−アルキルβ−イミノジプロピオン酸塩、
Ｎ−アルキルオキシメチル-Ｎ，Ｎ-ジエチルベタイン、
２−アルキルイミダゾリン誘導体、Ｎ−アルキルスルホ
ベタイン等が挙げられる。
ルホベタイン変性シリコンオイル、Ｎ−アルキルニトリ
ロトリ酢酸、Ｎ−アルキルジメチルベタイン、α−トリ
メチルアンモニオ脂肪酸、Ｎ−アルキルβ−アミノプロ
ピオン酸、Ｎ−アルキルβ−イミノジプロピオン酸塩、
Ｎ−アルキルオキシメチル-Ｎ，Ｎ-ジエチルベタイン、
２−アルキルイミダゾリン誘導体、Ｎ−アルキルスルホ
ベタイン等が挙げられる。
【００２０】粘度調整剤としては、ポリアクリル酸ソ−
ダ、アクリル酸アルキルエステル・アクリルアミド・ア
クリル酸共重合体等の水溶性高分子化合物が用いられ
る。
ダ、アクリル酸アルキルエステル・アクリルアミド・ア
クリル酸共重合体等の水溶性高分子化合物が用いられ
る。
【００２１】前述のような組成のシリコン研磨剤は、強
いアルカリ性で、そのｐＨは、１０〜１２．５が一般で
ある。
いアルカリ性で、そのｐＨは、１０〜１２．５が一般で
ある。
【００２２】
【実施例】以下の組成のシリコン研磨剤を用い、３００
ｍｍ径、厚み約６００μｍのシリコンウエハを株式会社
岡本工作機械製作所の研磨装置ＳＰＰ８０１ＡＴの基
板キャリアに減圧吸引して固定し、ロデ−ルの研磨布”
ＳＵＢＡ＃８００（商品名）を表面に貼った研磨プラテ
ンに３００ｇ／ｃｍ２の圧で押し当てながら、かつ、研
磨布表面に研磨剤を２００ｃｃ／分量供給しつつ、前記
キャリアの回転数を６０ｒｐｍ、研磨プラテンの回転数
を６０ｒｐｍで回転（回転方向は逆方向）させ、１８０
秒摺動させることによりシリコンウエハ表面を研磨し
た。１８０秒研磨を行なったときのシリコンウエハの厚
み減を測定した。この１分間当りの厚み減を、ブランク
実験として用いた市販の研磨剤（参考例１）を用いた際
のシリコンの１分間当りの厚み減と比較し、研磨速度比
を算出した。
ｍｍ径、厚み約６００μｍのシリコンウエハを株式会社
岡本工作機械製作所の研磨装置ＳＰＰ８０１ＡＴの基
板キャリアに減圧吸引して固定し、ロデ−ルの研磨布”
ＳＵＢＡ＃８００（商品名）を表面に貼った研磨プラテ
ンに３００ｇ／ｃｍ２の圧で押し当てながら、かつ、研
磨布表面に研磨剤を２００ｃｃ／分量供給しつつ、前記
キャリアの回転数を６０ｒｐｍ、研磨プラテンの回転数
を６０ｒｐｍで回転（回転方向は逆方向）させ、１８０
秒摺動させることによりシリコンウエハ表面を研磨し
た。１８０秒研磨を行なったときのシリコンウエハの厚
み減を測定した。この１分間当りの厚み減を、ブランク
実験として用いた市販の研磨剤（参考例１）を用いた際
のシリコンの１分間当りの厚み減と比較し、研磨速度比
を算出した。
【００２３】参考例１
ａ）平均粒径４２ｎｍ、比表面積７５ｍ２／ｇのコロイ
ダルシリカ（固形分）４．０重量％、ｂ１）エチレンジ
アミン ０．０２重量％、ｂ２）モノエタノ−ルアミン
０．０２重量％、ｃ）水 ９５．９６重量％のシリコ
ン研磨剤。 研磨速度 ０．７３μｍ／分。
ダルシリカ（固形分）４．０重量％、ｂ１）エチレンジ
アミン ０．０２重量％、ｂ２）モノエタノ−ルアミン
０．０２重量％、ｃ）水 ９５．９６重量％のシリコ
ン研磨剤。 研磨速度 ０．７３μｍ／分。
【００２４】実施例１
ａ）平均粒径４２ｎｍ、比表面積７５ｍ２／ｇのコロイ
ダルシリカ（固形分）３．８重量％、ｂ１）エチレンジ
アミン １０重量％、ｂ２）モノエタノ−ルアミン
０．０１重量％、ｃ）水 ８６．２９重量％のシリコン
研磨剤。 研磨速度 １．１５３μｍ／分。 研磨速度比 １．
５８倍。
ダルシリカ（固形分）３．８重量％、ｂ１）エチレンジ
アミン １０重量％、ｂ２）モノエタノ−ルアミン
０．０１重量％、ｃ）水 ８６．２９重量％のシリコン
研磨剤。 研磨速度 １．１５３μｍ／分。 研磨速度比 １．
５８倍。
【００２５】実施例２
ａ）平均粒径４２ｎｍ、比表面積７５ｍ２／ｇのコロイ
ダルシリカ（固形分）３．８重量％、ｂ１）エチレンジ
アミン ３．１重量％、ｃ）水 ９３．１重量％のシリ
コン研磨剤。 研磨速度 １．１４３μｍ／分。 研磨速度比 １．
５７倍。
ダルシリカ（固形分）３．８重量％、ｂ１）エチレンジ
アミン ３．１重量％、ｃ）水 ９３．１重量％のシリ
コン研磨剤。 研磨速度 １．１４３μｍ／分。 研磨速度比 １．
５７倍。
【００２６】実施例３
ａ）平均粒径４２ｎｍ、比表面積７５ｍ２／ｇのコロイ
ダルシリカ（固形分）３．８重量％、ｂ１）メチルアミ
ン ４．０重量％、ｂ２）エチレンジアミン０．５重量
％、ｃ）水 ９１．７重量％のシリコン研磨剤。 研磨速度 １．１０μｍ／分。 研磨速度比 １．５
１倍。
ダルシリカ（固形分）３．８重量％、ｂ１）メチルアミ
ン ４．０重量％、ｂ２）エチレンジアミン０．５重量
％、ｃ）水 ９１．７重量％のシリコン研磨剤。 研磨速度 １．１０μｍ／分。 研磨速度比 １．５
１倍。
【００２７】比較例１
ａ）平均粒径４２ｎｍ、比表面積７５ｍ２／ｇのコロイ
ダルシリカ（固形分）３．８重量％、ｂ１）ジメチルア
ミン ３．１重量％、ｂ２）エチレンジアミン ０．５
重量％、ｃ）水 ９２．６重量％のシリコン研磨剤。 研磨速度 ０．６５７μｍ／分。 研磨速度比 ０．
９０倍。
ダルシリカ（固形分）３．８重量％、ｂ１）ジメチルア
ミン ３．１重量％、ｂ２）エチレンジアミン ０．５
重量％、ｃ）水 ９２．６重量％のシリコン研磨剤。 研磨速度 ０．６５７μｍ／分。 研磨速度比 ０．
９０倍。
【００２８】実施例４
ａ１）平均粒径３８ｎｍ、比表面積７０ｍ２／ｇのコロ
イダルシリカ（固形分） ４．０重量％、ａ2）平均粒
径８０ｎｍのベ−マイト３．０重量％、ｂ１）エチレン
ジアミン １０．０重量％、ｃ）水 ８３．０重量％の
シリコン研磨剤。 研磨速度 １．２２μｍ／分。 研磨速度比 １．６
７倍。
イダルシリカ（固形分） ４．０重量％、ａ2）平均粒
径８０ｎｍのベ−マイト３．０重量％、ｂ１）エチレン
ジアミン １０．０重量％、ｃ）水 ８３．０重量％の
シリコン研磨剤。 研磨速度 １．２２μｍ／分。 研磨速度比 １．６
７倍。
【００２９】実施例５
ａ１）平均粒径４２ｎｍ、比表面積７５ｍ２／ｇのコロ
イダルシリカ（固形分） ４．０重量％、ａ2）平均粒
径８０ｎｍのベ−マイト３．０重量％、ｂ１）エチレン
ジアミン １０．０重量％、ｃ）水 ８３．０重量％の
シリコン研磨剤（ｐＨ１１．７）。 研磨速度 １．２４μｍ／分。 研磨速度比 １．７
０倍。
イダルシリカ（固形分） ４．０重量％、ａ2）平均粒
径８０ｎｍのベ−マイト３．０重量％、ｂ１）エチレン
ジアミン １０．０重量％、ｃ）水 ８３．０重量％の
シリコン研磨剤（ｐＨ１１．７）。 研磨速度 １．２４μｍ／分。 研磨速度比 １．７
０倍。
【００３０】比較例２
ａ１）平均粒径３０ｎｍ、比表面積５０ｍ２／ｇのコロ
イダルシリカ（固形分） ４．０重量％、ａ2）平均粒
径８０ｎｍのベ−マイト３．０重量％、ｂ）メチルアミ
ン ２．５重量％、ｃ）水 ９０．５重量％のシリコン
研磨剤。 研磨速度 ０．９９３μｍ／分。 研磨速度比 １．
３６倍。
イダルシリカ（固形分） ４．０重量％、ａ2）平均粒
径８０ｎｍのベ−マイト３．０重量％、ｂ）メチルアミ
ン ２．５重量％、ｃ）水 ９０．５重量％のシリコン
研磨剤。 研磨速度 ０．９９３μｍ／分。 研磨速度比 １．
３６倍。
【００３１】比較例３
ａ１）平均粒径７ｎｍ、比表面積３００ｍ２／ｇのコロ
イダルシリカ（固形分） ４．０重量％、ａ2）平均粒
径８０ｎｍのベ−マイト３．０重量％、ｂ）ジメチルア
ミン ２．５重量％、ｃ）水 ９０．５重量％のシリコ
ン研磨剤。 研磨速度 ０．８１μｍ／分。 研磨速度比 １．１
１倍。
イダルシリカ（固形分） ４．０重量％、ａ2）平均粒
径８０ｎｍのベ−マイト３．０重量％、ｂ）ジメチルア
ミン ２．５重量％、ｃ）水 ９０．５重量％のシリコ
ン研磨剤。 研磨速度 ０．８１μｍ／分。 研磨速度比 １．１
１倍。
【００３２】比較例４
ａ）平均粒径４２ｎｍ、比表面積７５ｍ２／ｇのコロイ
ダルシリカ（固形分）４．０重量％、ｂ１）ジエチレン
トリアミン １０．０重量％、ｂ2）モノエタノ−ルア
ミン ０．０１重量％、ｃ）水 ８５．９９重量％のシ
リコン研磨剤。 研磨速度 ０．８６９μｍ／分。 研磨速度比 １．
１９倍。
ダルシリカ（固形分）４．０重量％、ｂ１）ジエチレン
トリアミン １０．０重量％、ｂ2）モノエタノ−ルア
ミン ０．０１重量％、ｃ）水 ８５．９９重量％のシ
リコン研磨剤。 研磨速度 ０．８６９μｍ／分。 研磨速度比 １．
１９倍。
【００３３】比較例５
ａ）平均粒径４２ｎｍ、比表面積７５ｍ２／ｇのコロイ
ダルシリカ（固形分）４．０重量％、ｂ１）エチレンジ
アミン ０．０２重量％、ｂ２）モノエタノ−ルアミン
０．０２重量％、ｃ）水 ９２．９６重量％および
ｄ）チオ硫酸ソ−ダ３重量％のシリコン研磨剤。 研磨速度 ０．８６μｍ／分。 研磨速度比 １．１
８倍。
ダルシリカ（固形分）４．０重量％、ｂ１）エチレンジ
アミン ０．０２重量％、ｂ２）モノエタノ−ルアミン
０．０２重量％、ｃ）水 ９２．９６重量％および
ｄ）チオ硫酸ソ−ダ３重量％のシリコン研磨剤。 研磨速度 ０．８６μｍ／分。 研磨速度比 １．１
８倍。
【００３４】なお、実施例、比較例および参考例とも、
研磨されたシリコン基板表面は、いずれも鏡面を呈し
た。
研磨されたシリコン基板表面は、いずれも鏡面を呈し
た。
【００３５】
【発明の効果】本発明のシリコン研磨剤は、研磨された
シリコン基板表面に傷を付けることがなく、研磨速度が
速い利点を有する。
シリコン基板表面に傷を付けることがなく、研磨速度が
速い利点を有する。
Claims (3)
- 【請求項１】 ａ）平均粒径が３５〜５０ｎｍ、比表面
積が６５〜８５ｍ２／ｇのコロイダルシリカ ３．５〜
５．０重量％、ｂ）エチレンジアミン、メチルアミンよ
り選ばれた脂肪族アミン ２．５〜１０重量％、および
ｃ）水 ８５〜９４重量％を含有するシリコンウエハ研
磨剤。 - 【請求項２】 ａ１）平均粒径が３５〜５０ｎｍ、比表
面積が６５〜８５ｍ ２／ｇのコロイダルシリカ ３．５
〜５．０重量％、ａ２）ベ−マイト２．０〜５．０重量
％、ｂ）エチレンジアミン、メチルアミンより選ばれた
脂肪族アミン２．５〜１０重量％、およびｃ）水 ７５
〜９１．５重量％を含有するシリコンウエハ研磨剤。 - 【請求項３】 ａ１）平均粒径が３５〜５０ｎｍ、比表
面積が６５〜８５ｍ ２／ｇのコロイダルシリカ ３．５
〜５．０重量％、ａ２）ベ−マイト２．０〜５．０重量
％、ｂ１）エチレンジアミン、メチルアミンより選ばれ
た脂肪族アミン ２．５〜１０重量％、ｂ２）モノエタ
ノ−ルアミン ０．００５〜２重量％およびｃ）水 ７
４．９９〜８９．５重量％を含有するシリコンウエハ研
磨剤。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001291882A JP2003100675A (ja) | 2001-09-25 | 2001-09-25 | シリコンウエハ研磨剤 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001291882A JP2003100675A (ja) | 2001-09-25 | 2001-09-25 | シリコンウエハ研磨剤 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003100675A true JP2003100675A (ja) | 2003-04-04 |
Family
ID=19113950
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001291882A Pending JP2003100675A (ja) | 2001-09-25 | 2001-09-25 | シリコンウエハ研磨剤 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003100675A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007326916A (ja) * | 2006-06-06 | 2007-12-20 | Nitta Haas Inc | 研磨用組成物および研磨用組成物の製造方法 |
| JP2019008846A (ja) * | 2017-06-22 | 2019-01-17 | 山口精研工業株式会社 | 磁気ディスク基板用研磨剤組成物 |
| KR20230151894A (ko) | 2022-04-26 | 2023-11-02 | 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤 | 연마용 조성물, 실리콘웨이퍼의 연마방법, 및 연마장치 |
-
2001
- 2001-09-25 JP JP2001291882A patent/JP2003100675A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007326916A (ja) * | 2006-06-06 | 2007-12-20 | Nitta Haas Inc | 研磨用組成物および研磨用組成物の製造方法 |
| JP2019008846A (ja) * | 2017-06-22 | 2019-01-17 | 山口精研工業株式会社 | 磁気ディスク基板用研磨剤組成物 |
| KR20230151894A (ko) | 2022-04-26 | 2023-11-02 | 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤 | 연마용 조성물, 실리콘웨이퍼의 연마방법, 및 연마장치 |
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