JP2003100217A - 電極材料およびそれを用いたプラズマディスプレイ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 放電を発生させる放電開始電圧の低下を図
り、低消費電力化を可能とし、また製品寿命を長期化す
る方法を提供する。 【解決手段】 ストライプ状に配された第１の電極と第
２の電極との電極対が複数対並設され、複数対の電極対
が誘電体層で被覆されてなる第１の基板と、第３の電極
がストライプ状に配された第２の基板とが、隔壁を介在
させて対向された状態に配置してなるプラズマディスプ
レイパネルであって、誘電体層が組成式AlNＸで表さ
れ、ＸがSi、Ｇe、Sn、Pb、Be、Mg、Ca、O、Sから選ば
れた少なくとも一種であることを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、表示デバイスなど
に用いるプラズマディスプレイパネルに関し、特に、放
電電圧、耐スパッタ性等の放電特性を改良するためのパ
ネル構造に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来のプラズマディスプレイパネルは、
図１に示すような構成のものが一般的である。

【０００３】このプラズマディスプレイパネルは、前面
パネルＰＡ１と背面パネルＰＡ２とからなる。前面パネ
ルＰＡ１は、前面ガラス基板１１上に走査電極１２ａ、
維持電極１２ｂが交互にストライプ状に形成され、さら
にそれが誘電体ガラス層１３及び保護層１４により覆わ
れて形成されたものである。

【０００４】背面パネルＰＡ２は、背面ガラス基板１６
上に、ストライプ状にアドレス電極１７が形成され、こ
れを覆うように電極保護層１８が形成され、更にアドレ
ス電極１７を挟むように電極保護層１８上にストライプ
状に隔壁１９が形成され、更に隔壁１９間に蛍光体層２
０が設けられて形成されたものである。そして、このよ
うな前面パネルＰＡ１と背面パネルＰＡ２とが貼り合わ
せられ、隔壁１９で仕切られた空間３０に放電ガスを封
入することで放電空間が形成される。前記蛍光体層はカ
ラー表示のために通常、赤、緑、青の３色の蛍光体層が
順に配置されている。

【０００５】そして、放電空間３０内には例えばネオン
及びキセノンを混合してなる放電ガスが通常、０．６７
×１０⁵Ｐａ程度の圧力で封入されている。

【０００６】次に、前記プラズマディスプレイパネルの
駆動方式について説明する。

【０００７】図２は、前記プラズマディスプレイパネル
の駆動回路の構成を示したブロック図である。

【０００８】当該駆動回路は、アドレス電極駆動部２２
０と、走査電極駆動部２３０と、維持電極駆動部２４０
とから構成されている。

【０００９】プラズマディスプレイパネルのアドレス電
極１７にアドレス電極駆動部２２０が接続され、走査電
極１２ａに走査電極駆動部２３０が接続され、維持電極
１２ｂに維持電極駆動部２４０が接続されている。

【００１０】一般に交流型のプラズマディスプレイパネ
ルでは１フレームの映像を複数のサブフィールド（Ｓ.
Ｆ.）に分割することによって階調表現をする方式が用
いられている。そして、この方式ではセル中の気体の放
電を制御するために１Ｓ．Ｆ．を更に４つの期間に分割
する。この４つの期間について図３を使用して説明す
る。図３は、１Ｓ.Ｆ.中の駆動波形である。

【００１１】この図３においてセットアップ期間２５０
では放電が生じやすくするためにＰＤＰ内の全セルに均
一的に壁電荷を蓄積させる。アドレス期間２６０では点
灯させるセルの書き込み放電を行なう。サステイン期間
２７０では前記アドレス期間２６０で書き込まれたセル
を点灯させその点灯を維持させる。イレース期間２８０
では壁電荷を消去させることによってセルの点灯を停止
させる。

【００１２】セットアップ期間２５０では走査電極１２
ａにアドレス電極１７および維持電極１２ｂに比べ高い
電圧を印加し、セル内の気体を放電させる。それによっ
て発生した電荷はアドレス電極１７，走査電極１２ａお
よび維持電極１２ｂ間の電位差を打ち消すようにセルの
壁面に蓄積されるので、走査電極１２ａ付近の保護膜表
面には負の電荷が壁電荷として蓄積され、またアドレス
電極付近の蛍光体層表面および維持電極付近の保護膜表
面には正の電荷が壁電荷として蓄積される。この壁電荷
により走査電極−アドレス電極間、走査電極−維持電極
間には所定の値の壁電位が生じる。

【００１３】アドレス期間２６０ではセルを点灯させる
場合には走査電極１２ａにアドレス電極１７および維持
電極１２ｂに比べ低い電圧を印加させることにより、つ
まり走査電極−アドレス電極間には前記壁電位と同方向
に電圧を印加させるとともに走査電極−維持電極間に壁
電位と同方向に電圧を印加させることにより書き込み放
電を生じさせる。これにより蛍光体層表面、保護層表面
には負の電荷が蓄積され走査側電極付近の保護層表面に
は正の電荷が壁電荷として蓄積される。これにより維持
−走査電極間には所定の値の壁電位が生じる。

【００１４】サステイン期間２７０では走査電極１２ａ
に維持電極１２ｂに比べ高い電圧を印加させることによ
り、つまり維持電極−走査電極間に前記壁電位と同方向
に電圧を印加させることにより維持放電を生じさせる。
これによりセル点灯を開始させることができる。そし
て、維持電極−走査電極交互に極性が入れ替わるように
パルスを印加することにより断続的にパルス発光させる
ことができる。

【００１５】イレース期間２８０では、幅の狭い消去パ
ルスを維持電極１２ｂに印加することによって不完全な
放電が発生し壁電荷が消滅するため消去が行われる。

【００１６】

【発明が解決しようとする課題】ところで、先に述べた
ように従来、プラズマディスプレイパネルの誘電体保護
層１４は、本来の誘電体を保護する役目と同時に、前述
したようなＡＣ型のプラズマディスプレイパネルでは放
電空間に直接晒されている箇所であり、事実上の電極と
しての働きも重要になってくる。現在ではこの誘電体保
護層には酸化マグネシウム（ＭｇＯ）が使われている。
これは、上述の誘電体保護層としての必要条件である、 耐スパッタ性 電子放出特性 の２点において、他の材料と比較して良好であると考え
られていたからである。

【００１７】一方で、このＭｇＯは吸湿性が非常に強い
という特性もある。このため、ＭｇＯ成膜後の保管状況
如何では、ＭｇＯ表面に大量のＨ₂Ｏ、ＣＯ₂等のガスが
吸着してしまうこととなる。これらガスはパネル形成後
の排気工程ではＭｇＯ表面および放電空間内から完全に
除去されず、不純物ガスとして放電空間内に取り込まれ
たままになる。これはガスのＭｇＯへの吸着状態、貼り
合わせパネルによる狭空間でのコンダクタンス等の理由
によるものと考えられる。

【００１８】しかし、これらパネル内の不純物ガスの存
在は放電状態に大きく悪影響を及ぼす。たとえばＨ₂Ｏ
の場合、これらはＭｇＯと反応してＭｇ（ＯＨ）₂に変
化し、ＣＯ２の場合、ＭｇＣＯ₃に変化するこれらが表
面に存在することによって、保護膜としての電子放出能
力が低下し、放電開始電圧が大きく上昇することにな
る。

【００１９】また、これら不純物ガスが、点灯時のスパ
ッタ作用により、放電ガス中に放出された場合、蛍光体
の劣化を促進させることになり、製品としての寿命を短
期化することの要因ともなる。

【００２０】本発明は上記問題点に鑑みてなされた発明
であって、ＭｇＯと同等かそれ以上の耐スパッタ性およ
び電子放出特性を持ちながら、不純物ガスの影響をほと
んど受けない誘電体保護層を備えたプラズマディスプレ
イパネル並びにその製造方法を提供することを目的とし
てなされたものである。

【００２１】

【課題を解決するための手段】このように考えると、Ｐ
ＤＰ保護膜に必要な特性としては、先に述べた条件以外
にも、 吸着ガス量が少ない といった条件が必要になってくる。

【００２２】そこで、発明者らはさまざまな検討の結
果、誘電体保護層として窒化アルミニウム（ＡｌＮ）を
基本組成とした膜が非常に有効であることがわかった。
ＡｌＮはＭｇＯと比較して、電子親和力、バンドギャッ
プなどが小さく、非常に電子放出能力に優れている。

【００２３】また、ＡｌＮは吸湿性もほとんどなく、耐
スパッタ性もＭｇＯよりも優れている。

【００２４】さらにこのＡｌＮに、Ａｌ、Ｎ以外の元素
がある一定量混入することによってさらに電子放出特
性、耐スパッタ性が向上することがわかった。

【００２５】また、誘電体保護層として酸化マグネシウ
ム（ＭｇＯ）を基本組成とし、酸化マグネシウム（Ｍｇ
Ｏ）にＭｇ、Ｏ以外の元素がある一定量混入することに
よってさらに電子放出特性、耐スパッタ性が向上するこ
とがわかった。

【００２６】以上の観点から発明者らは本発明に想到し
た。

【００２７】つまり、本発明はストライプ状に配された
第１の電極と第２の電極との電極対が複数対並設され、
更に当該複数対の電極対が誘電体層で被覆されてなる第
１の基板と、第３の電極がストライプ状に配された第２
の基板とが、隔壁を介在させて対向された状態に配置し
てなるプラズマディスプレイパネルであって、前記誘電
体層がAlNＸで表され、前記ＸがSi、Ｇe、Sn、Pb、Be、
Mg、Ca、O、Sから選ばれた少なくとも一種で被覆されて
いることを特徴とする。

【００２８】またさらに、ここで前記ＡｌＮＸが組成
式、（Al_1-a-bM_aD_b）（N_1-cA_c）（Mは、Si、Ge、Sn、Pb
から選ばれた少なくとも１種、Dは、Be、Mg、Caから選
ばれた少なくとも１種、AはO、Sから選ばれた少なくと
も１種）で表され、0≦≦a≦≦0.5、0≦b≦0.5、0≦a+b
≦0.5、0≦ｃ≦0.5、0＜a+b+c≦1なる範囲であることを
特徴とすることが望ましい。

【００２９】また元素Ｍ（Mは、Si、Ge、Sn、Pbから選
ばれた元素）または元素A（AはO、Sから選ばれ元素）か
ら選ばれた少なくとも１種の元素を含み、ｎ型にド−ピ
ングされていることを特徴とすることが望ましく、また
元素D（Dは、Be、Mg、Caから選ばれた元素）から選ばれ
た少なくとも１種の元素を含み、Ｐ型にド−ピングされ
ていることを特徴とすることが望ましい。

【００３０】また、元素Ｍ（Mは、Si、Ge、Sn、Pbから
選ばれた元素）または元素A（AはO、Sから選ばれ元素）
から選ばれた少なくとも１種の元素と、元素D（Dは、B
e、Mg、Caから選ばれた元素）から選ばれた少なくとも
１種の元素を同時に含むことを特徴とすることが望まし
い。

【００３１】また、少なくともAlNを母構造とする放電
電極材料で、前記Aｌの原子位置の少なくとも１部が S
i、Ge、Sn、Pb、Be、Mg、Caから選ばれた少なくとも１
種の元素で置換されており、また前記元素Ｎの少なくと
も１部が、OまたはSから選ばれた少なくとも１種の元素
で置換されていることを特徴とすることが望ましい。

【００３２】また組成式（Al_1-a-bM_aD_b）_1-δ（N
_1-cA_c）δ（Mは、Si、Ge、Sn、Pbから選ばれた少なくと
も１種、Dは、Be、Mg、Caから選ばれた少なくとも１
種、AはO、Sから選ばれた少なくとも１種）で表され、
0.3＜δ＜0.5の範囲であることを特徴とすることが望ま
しい。

【００３３】また、基板上に形成された前記AlNＸまた
は（Al_1-a-bM_aD_b）（N_1-cA_c）または（Al_1-a-bM_aD_b）_1-
δ（N_1-cA_c）δの結晶配向面が、少なくとも（００２）
面に優先配向することを特徴とすることが望ましい。

【００３４】また、同様の効果を得る発明として、前記
誘電体層がMgOＸで表され、前記ＸがAl、Ga、Li、F、C
l、N、Pから選ばれた少なくとも一種であることを特徴
とすることが望ましい。

【００３５】またさらに、ここで前記ＭｇＯＸが組成
式、（Mg_1-a-bM_aＤ_b）（O_1-c-dA_cＺ_d）（Mは、Al、Ga、
Si、Ge、Snから選ばれた少なくとも１種、ＤはLi、Aは
F、Clから選ばれた少なくとも１種、ＺはN、Pから選ば
れた少なくとも１種）で表され、0≦a≦0.5、0≦b≦0.
5、0≦a+b≦0.5、0≦ｃ≦0.5、0≦d≦0.5、0＜a+b+c+d
≦1、なる範囲であることを特徴とすることが望まし
い。

【００３６】また、元素M（Mは、Al、Ga、Si、Ge、Snか
ら選ばれた元素）または元素A（AはF、Clから選ばれた
元素）から選ばれた少なくとも１種の元素を含み、ｎ型
にド−ピングされていることを特徴とすることが望まし
く、また元素D（ＤはLi）またはＺ（ＺはN、Pから選ば
れた元素）から選ばれた少なくとも１種の元素を含み、
ｐ型にド−ピングされていることを特徴とすることが望
ましい。

【００３７】また、元素M（Mは、Al、Ga、Si、Ge、Snか
ら選ばれた元素）または元素A（AはF、Clから選ばれた
元素）から選ばれた少なくとも１種の元素と、元素D
（ＤはLi）またはＺ（ＺはN、Pから選ばれた元素）から
選ばれた少なくとも１種の元素を同時に含むことを特徴
とすることが望ましい。

【００３８】また、少なくともMgOを母構造とする放電
電極材料で、前記Mgの原子位置の少なくとも１部が A
l、Ga、Liから選ばれた少なくとも１種の元素で置換さ
れており、また前記元素Oの少なくとも１部が、F、Cl、
N、Pから選ばれた少なくとも１種の元素で置換されてい
ることを特徴とすることが望ましい。

【００３９】また、組成式、（Mg_1-a-bM_aＤ_b）_1-δ（O
_1-c-dA_cＺ_d）δ（Mは、Al、Ga、Si、Ge、Snから選ばれ
た少なくとも１種、ＤはLi、AはF、Clから選ばれた少な
くとも１種、ＺはN、Pから選ばれた少なくとも１種）で
表され、0.3＜δ＜0.5の範囲であることを特徴とするこ
とが望ましい。

【００４０】また、基板上に形成された前記ＭｇＯＸま
たは（Mg_1-a-bM_aＤ_b）（O_1-c-dA_cＺ _d）または（Mg_1-a-b
M_aＤ_b）_1-δ（O_1-c-dA_cＺ_d）δの結晶配向面が（１１
１）あるいは（２００）あるいは（２２０）いずれかの
面の優先配向をとることを特徴とすることが望ましい。

【００４１】また、前記AlNＸまたは（Al_1-a-bM_aD_b）
（N_1-cA_c）または（Al_1-a-bM_aD_b）_1-δ（N_1-cA_c）δま
たはＭｇＯＸまたは（Mg_1-a-bM_aＤ_b）（O_1-c-dA_cＺ_d）
または（Mg_1-a-bM_aＤ_b）_1-δ（O_1-c-dA_cＺ_d）δが基板
上に形成され、且つ、前記基板面に垂直方向に組成変調
構造を持つことを特徴とすることが望ましい。

【００４２】また、前記AlNＸまたは（Al_1-a-bM_aD_b）
（N_1-cA_c）または（Al_1-a-bM_aD_b）_1-δ（N_1-cA_c）δま
たはＭｇＯＸまたは（Mg_1-a-bM_aＤ_b）（O_1-c-dA_cＺ_d）
または（Mg_1-a-bM_aＤ_b）_1-δ（O_1-c-dA_cＺ_d）δが基板
上に形成され、且つ、柱状構造を持つことを特徴とする
ことが望ましく、またさらに柱状構造を持つ結晶の幅
が、50nm〜3000nmであることを特徴とすることが望まし
く、またさらに柱状構造が基板面に対する傾きをαとす
ると３０＜α＜９０度の範囲であることを特徴とするこ
とが望ましい。

【００４３】また、前記AlNＸまたは（Al_1-a-bM_aD_b）
（N_1-cA_c）または（Al_1-a-bM_aD_b）_1-δ（N_1-cA_c）δま
たはＭｇＯＸまたは（Mg_1-a-bM_aＤ_b）（O_1-c-dA_cＺ_d）
または（Mg_1-a-bM_aＤ_b）_1-δ（O_1-c-dA_cＺ_d）δが基板
上に形成され、少なくとも０．１％以上２％以下の格子
歪みを持つことを特徴とすることが望ましい。

【００４４】また、前記AlNＸまたは（Al_1-a-bM_aD_b）
（N_1-cA_c）または（Al_1-a-bM_aD_b）_1-δ（N_1-cA_c）δま
たはＭｇＯＸまたは（Mg_1-a-bM_aＤ_b）（O_1-c-dA_cＺ_d）
または（Mg_1-a-bM_aＤ_b）_1-δ（O_1-c-dA_cＺ_d）δの膜厚
が０．０５ｎｍ以上１０００ｎｍ以下であることを特徴
とすることが望ましい。

【００４５】これにより、従来のＭｇＯと比較して、誘
電体保護層として電子放出特性、耐スパッタ性、不純物
ガス吸着量の低減の面で非常に良好な膜が得られること
になる。

【００４６】

【発明の実施の形態】以下に本発明に係る実施の形態の
ＡＣ型プラズマディスプレイパネルについて図面を参照
としながら具体的に説明する。

【００４７】（実施の形態）図１は、従来の交流面放電
型プラズマディスプレイパネル１（以下、単にＰＤＰ１
という。）の部分斜視図である。

【００４８】前述したように、このＰＤＰ１は、各電極
にパルス状の電圧を印加することで放電を放電空間３０
内で生じさせ、放電に伴って背面パネルＰＡ２側で発生
した各色の可視光を前面パネルＰＡ１の主表面から透過
させる交流面放電型のＰＤＰである。

【００４９】前面パネルＰＡ１は、走査電極１２ａと維
持電極１２ｂとがストライプ状に複数対配（図では便宜
上１対を記載してある）された前面ガラス基板１１上
に、表面１１ａを覆うように誘電体ガラス層１３が形成
されており、更に、この誘電体ガラス層１３を覆うよう
に保護層１４が形成されたものである。

【００５０】背面パネルＰＡ２は、アドレス電極１７が
前記走査電極１２ａと維持電極１２ｂと直交するように
ストライプ状に配された背面ガラス基板１６上に、当該
アドレス電極１７を覆うようにアドレス電極を保護する
とともに可視光を前面パネル側に反射する作用を担う電
極保護層１８が形成されており、この電極保護層１８上
にアドレス電極１７と同じ方向に向けて伸び、アドレス
電極１７を挟むように隔壁１９が立設され、更に、当該
隔壁１９間に蛍光体層２０が配されたものである。

【００５１】上記構成のＰＤＰの駆動は上記した図２に
示す駆動回路を用いて、図３に示す駆動波形に基づいて
駆動される。なお、アドレス駆動部２２０には、アドレ
ス電極１７が接続され、走査電極駆動部２３０には、走
査電極１２ａが、維持電極駆動部２４０には、維持電極
１２ｂが接続される。

【００５２】本発明においては上記保護膜１４の組成が
異なる。

【００５３】以下にそれぞれの実施例について詳細に説
明する。

【００５４】次に本発明の具体例を説明する。各組成の
保護層としての評価には、放電開始点圧、耐スパッタ性
を用いた。放電開始電圧はＰＤＰ１の走査電極１２ａと
維持電極１２ｂにおける面内放電に必要な電圧値をＭｇ
Ｏと比較し、電圧値がＭｇＯと同等、またはそれ以下で
ある場合を○、それ以外を×と示す。ここで放電開始電
圧がＭｇＯを１００としたとき、各組成の保護層の放電
開始電圧が１２０までを同等とした。また、耐スパッタ
性には放電開始１０００時間後の膜厚減少率をＭｇＯの
変化量を１００としたときの値を示す。

【００５５】（実施例１）以下に説明する実施例の形態
例は保護層が組成式AlNＸで表され、前記ＸがSi、Ｇe、
Sn、Pb、Be、Mg、Ca、O、Sから選ばれた少なくとも一種
である場合についてである。本発明の実施例の範囲にあ
る保護層材料について表１、表２、表３、表４に示す。
また、それらの放電開始電圧、膜厚減少率の変化量につ
いて示す。

【００５６】

【表１】

【００５７】

【表２】

【００５８】

【表３】

【００５９】

【表４】

【００６０】

【表５】

【００６１】

【表６】

【００６２】

【表７】

【００６３】表１、表２、表３、表４によれば従来の保
護層であるＭｇＯと比較して、本発明の実施例の範囲で
ある材料の保護層では、膜厚減少率がＭｇＯと比較する
と約９０％であり、耐スパッタ性の向上が見られる。一
方放電開始電圧についても従来のＭｇＯ保護層と比べ同
等もしくはそれ以下であり、特性は良好である。

【００６４】組成式、（Al_1-a-bM_aD_b）（N_1-cA_c）（M
は、Si、Ge、Sn、Pbから選ばれた少なくとも１種、D
は、Be、Mg、Caから選ばれた少なくとも１種、AはO、S
から選ばれた少なくとも１種）で表１、表２、表３、表
４よりＭが（Mは、Si、Ge、Sn、Pbから選ばれた少なく
とも１種）０．０３〜０．１１の範囲であるときは放電
開始電圧および耐スパッタ性が特に良好であり、また
０．３０〜０．３８の範囲であるときは放電開始電圧お
よび耐スパッタ性が特に良好である。表１、表２、表
３、表４以外の組成においても０．００〜０．５０の範
囲では同様の結果が得られ、放電開始電圧および耐スパ
ッタ性が特に良好である。しかし、０．５２以上では特
性の向上は見られない。

【００６５】また、表１、表２、表３、表４よりＤが
（Dは、Be、Mg、Caから選ばれた少なくとも１種）０．
０３〜０．１１の範囲であるときは特に良好であり、ま
た０．３０〜０．４１の範囲であるときは放電開始電圧
および耐スパッタ性が特に良好である。表１、表２、表
３、表４以外の組成においても０．００〜０．５０の範
囲では同様の結果が得られ、放電開始電圧および耐スパ
ッタ性が特に良好である。しかし、０．６１以上では特
性の向上は見られない。

【００６６】また、表１、表２、表３、表４よりＭ（M
は、Si、Ge、Sn、Pbから選ばれた少なくとも１種）とＤ
（Ｄは、Be、Mg、Caから選ばれた少なくとも１種）をあ
わせた合計量が０．３７〜０．４５の範囲であるときは
放電開始電圧および耐スパッタ性が特に良好である。表
１、表２、表３、表４以外の組成においても０．００〜
０．５０の範囲では同様の結果が得られ、放電開始電圧
および耐スパッタ性が特に良好である。しかし、０．５
５以上では特性の向上は見られない。

【００６７】また、表１、表２、表３、表４よりＡが
（AはO、Sから選ばれた少なくとも１種）０．０３〜
０．１０の範囲であるときは放電開始電圧および耐スパ
ッタ性が特に良好である。表１、表２、表３、表４以外
の組成においても０．００〜０．５０の範囲では同様の
結果が得られ、放電開始電圧および耐スパッタ性が特に
良好である。しかし、０．５４以上では特性の向上は見
られない。

【００６８】また、表１、表２、表３、表４よりＭ（M
は、Si、Ge、Sn、Pbから選ばれた少なくとも１種）とＤ
（Ｄは、Be、Mg、Caから選ばれた少なくとも１種）とＡ
（AはO、Sから選ばれた少なくとも１種）をあわせた合
計量が０．４１〜０．５２の範囲であるときは放電開始
電圧および耐スパッタ性が特に良好である。表１、表
２、表３、表４以外の組成においても０．００〜１．０
０の範囲では同様の結果が得られ、放電開始電圧および
耐スパッタ性が特に良好である。しかし、１．００以上
では特性の向上は見られない。

【００６９】よって組成式、（Al_1-a-bM_aD_b）（N
_1-cA_c）（Mは、Si、Ge、Sn、Pbから選ばれた少なくとも
１種、Dは、Be、Mg、Caから選ばれた少なくとも１種、A
はO、Sから選ばれた少なくとも１種）で、0≦a≦0.5、0
≦b≦0.5、0≦a+b≦0.5、0≦ｃ≦0.5、0＜a+b+c≦1、な
る範囲である場合、放電開始電圧および耐スパッタ性が
特に良好であることがわかる。

【００７０】本発明の実施例では上記の試料の作成には
合金ターゲット、粉末ターゲット、を用いたスパッタリ
ング法によっておこなったが、この手法に限らず、上記
組成のターゲットを用いたスパッタリング法や、同様に
上記組成の蒸着源を用いた電子ビーム蒸着法でも同様の
効果が得られる。

【００７１】（実施例２）以下に示す実施例では保護層
が元素Ｍ（Mは、Si、Ge、Sn、Pbから選ばれた元素）ま
たは元素A（AはO、Sから選ばれ元素）から選ばれた少な
くとも１種の元素を含み、ｎ型にド−ピングされた場合
についてである。各組成の抵抗値の温度特性から、抵抗
値が１０⁶〜１０¹²Ωｃｍであり半導体的振る舞いを示
すことより、用いた元素の荷数より判断して、ｎ型にド
ーピングされた材料であるとした。本発明の実施例の範
囲にある保護層材料について表２に示す。また、それら
の放電開始電圧、膜厚減少率の変化量について示す。

【００７２】表２によれば実施例１同様、従来の保護層
組成であるＭｇＯよりも、本発明の実施例の範囲である
材料の保護層では、放電開始電圧が特に良好であること
がわかる。一方、耐スパッタ性についても同様に従来の
ＭｇＯ保護層よりも良好である。

【００７３】本発明の実施例では上記の試料の作成には
合金ターゲット、粉末ターゲット、を用いたスパッタリ
ング法によっておこなったが、この手法に限らず、上記
組成のターゲットを用いたスパッタリング法や、同様に
上記組成の蒸着源を用いた電子ビーム蒸着法でも同様の
効果が得られる。

【００７４】（実施例３）以下に示す実施例では保護層
が元素D（Dは、Be、Mg、Caから選ばれた元素）から選ば
れた少なくとも１種の元素を含み、Ｐ型にド−ピングさ
れた場合についてである。各組成の抵抗値の温度特性か
ら、抵抗値が１０⁶〜１０¹²Ωｃｍであり半導体的振る
舞いを示すことより、用いた元素の荷数より判断して、
ｐ型にドーピングされた材料であるとした。本発明の実
施例の範囲にある保護層材料について表３に示す。ま
た、それらの放電開始電圧、膜厚減少率の変化量につい
て示す。

【００７５】表３によれば実施例１、実施例２同様、従
来の保護層組成であるＭｇＯよりも、本発明の実施例の
範囲である材料の保護層では、放電開始電圧が特に良好
であることがわかる。一方、耐スパッタ性についても同
様に従来のＭｇＯ保護層よりも良好である。

【００７６】本発明の実施例では上記の試料の作成には
合金ターゲット、粉末ターゲット、を用いたスパッタリ
ング法によっておこなったが、この手法に限らず、上記
組成のターゲットを用いたスパッタリング法や、同様に
上記組成の蒸着源を用いた電子ビーム蒸着法でも同様の
効果が得られる。

【００７７】（実施例４）以下に示す実施例では保護層
が元素Ｍ（Mは、Si、Ge、Sn、Pbから選ばれた元素）ま
たは元素A（AはO、Sから選ばれ元素）から選ばれた少な
くとも１種の元素と、元素D（Dは、Be、Mg、Caから選ば
れた元素）から選ばれた少なくとも１種の元素を同時に
含み、また、組成式（Al_1-a-bM_aD_b）_1-δ（N_1-cA_c）δ
（Mは、Si、Ge、Sn、Pbから選ばれた少なくとも１種、D
は、Be、Mg、Caから選ばれた少なくとも１種、AはO、S
から選ばれた少なくとも１種）で、0.3＜δ＜0.5の範囲
である場合についてである。

【００７８】表４によれば実施例１、実施例２，実施例
３同様、従来の保護層組成であるＭｇＯよりも、本発明
の実施例の範囲である材料の保護層では、放電開始電圧
が特に良好であることがわかる。一方、耐スパッタ性に
ついても同様に従来のＭｇＯ保護層よりも良好である。

【００７９】本発明の実施例では上記の試料の作成には
合金ターゲット、粉末ターゲット、を用いたスパッタリ
ング法によっておこなったが、この手法に限らず、上記
組成のターゲットを用いたスパッタリング法や、同様に
上記組成の蒸着源を用いた電子ビーム蒸着法でも同様の
効果が得られる。

【００８０】（実施例５）以下に説明する実施例の形態
例は保護層が組成式MgOＸで表され、前記ＸがAl、Ga、L
i、F、Cl、N、Pから選ばれた少なくとも一種である場合
についてである。本発明の実施例の範囲にある保護層材
料について表５、表６、表７、表８に示す。また、それ
らの放電開始電圧、膜厚減少率の変化量について示す。

【００８１】

【表８】

【００８２】

【表９】

【００８３】

【表１０】

【００８４】

【表１１】

【００８５】

【表１２】

【００８６】

【表１３】

【００８７】

【表１４】

【００８８】表５、表６、表７、表８によれば従来の保
護層であるＭｇＯと比較して、本発明の実施例の範囲で
ある材料の保護層では、膜厚減少率が約９０％であり耐
スパッタ性の向上が見られる。一方放電開始電圧につい
ても従来のＭｇＯ保護層よりも同等もしくはそれ以下で
あり、良好である。

【００８９】組成式、組成式（Mg_1-a-bM_aＤ_b）（O_1-c-d
A_cＺ_d）（Mは、Al、Ga、Si、Ge、Snから選ばれた少なく
とも１種、ＤはLi、AはF、Clから選ばれた少なくとも１
種、ＺはN、Pから選ばれた少なくとも１種）で表５、表
６、表７、表８よりＭが（Mは、Al、Ga、Si、Ge、Snか
ら選ばれた少なくとも１種）０．０２〜０．１２の範囲
であるときは放電開始電圧および耐スパッタ性が特に良
好であり、また０．２９〜０．３５の範囲であるときは
放電開始電圧および耐スパッタ性が特に良好である。表
５、表６、表７、表８以外の組成においても０．００〜
０．５０の範囲では同様の結果が得られ、放電開始電圧
および耐スパッタ性が特に良好である。しかし、０．５
１以上では特性の向上は見られない。

【００９０】また、表５、表６、表７、表８よりＤが
（ＤはLi）０．０２〜０．０９の範囲であるときは放電
開始電圧および耐スパッタ性が特に良好であり、また
０．３０〜０．３７の範囲であるときは放電開始電圧お
よび耐スパッタ性が特に良好である。表５、表６、表
７、表８以外の組成においても０．００〜０．５０の範
囲では同様の結果が得られ、放電開始電圧および耐スパ
ッタ性が特に良好である。しかし、０．６１以上では特
性の向上は見られない。

【００９１】また、表５、表６、表７、表８よりＭ（M
は、Al、Ga、Si、Ge、Snから選ばれた少なくとも１種）
とＤ（ＤはLi）をあわせた合計量が０．０２〜０．０９
の範囲であるときは放電開始電圧および耐スパッタ性が
特に良好であり、また０．３６〜０．４５の範囲である
ときは放電開始電圧および耐スパッタ性が特に良好であ
る。表５、表６、表７、表８以外の組成においても０．
００〜０．５０の範囲では同様の結果が得られ、放電開
始電圧および耐スパッタ性が特に良好である。しかし、
０．６１以上では特性の向上は見られない。

【００９２】また、表５、表６、表７、表８よりＡが
（AはF、Clから選ばれた少なくとも１種）０．０１〜
０．０７の範囲であるときは放電開始電圧および耐スパ
ッタ性が特に良好である。表５、表６、表７、表８以外
の組成においても０．００〜０．５０の範囲では同様の
結果が得られ、放電開始電圧および耐スパッタ性が特に
良好である。しかし、０．５１以上では特性の向上は見
られない。

【００９３】また、表５、表６、表７、表８よりＺが
（ＺはN、Pから選ばれた少なくとも１種）０．０１〜
０．０２の範囲であるときは放電開始電圧および耐スパ
ッタ性が特に良好である。表５、表６、表７、表８以外
の組成においても０．００〜０．５０の範囲では同様の
結果が得られ、放電開始電圧および耐スパッタ性が特に
良好である。しかし、０．５１以上では特性の向上は見
られない。

【００９４】また、表５、表６、表７、表８よりＭ（M
は、Al、Ga、Si、Ge、Snから選ばれた少なくとも１種）
とＤ（ＤはLi）とＡ（AはF、Clから選ばれた少なくとも
１）とＺ（ＺはN、Pから選ばれた少なくとも１種）をあ
わせた合計量が０．３９〜０．４８の範囲であるときは
放電開始電圧および耐スパッタ性が特に良好である。表
５、表６、表７、表８以外の組成においても０．００〜
１．００の範囲では同様の結果が得られ、放電開始電圧
および耐スパッタ性が特に良好である。しかし、１．０
０以上では特性の向上は見られない。

【００９５】よって組成式（Mg_1-a-bM_aＤ_b）（O_1-c-dA_c
Ｚ_d）（Mは、Al、Ga、Si、Ge、Snから選ばれた少なくと
も１種、ＤはLi、AはF、Clから選ばれた少なくとも１
種、ＺはN、Pから選ばれた少なくとも１種）で、0≦a≦
≦0.5、0≦b≦0.5、0≦a+b≦0.5、0≦ｃ≦0.5、0≦d≦
0.5、0＜a+b+c+d≦1、なる範囲である場合、放電開始電
圧および耐スパッタ性が特に良好であることがわかる。

【００９６】本発明の実施例では上記の試料の作成には
合金ターゲット、粉末ターゲット、を用いたスパッタリ
ング法によっておこなったが、この手法に限らず、上記
組成のターゲットを用いたスパッタリング法や、同様に
上記組成の蒸着源を用いた電子ビーム蒸着法でも同様の
効果が得られる。

【００９７】（実施例６）以下に示す実施例では保護層
が元素M（Mは、Al、Ga、Si、Ge、Snから選ばれた元素）
または元素A（AはF、Clから選ばれた元素）から選ばれ
た少なくとも１種の元素を含み、ｎ型にド−ピングされ
た場合についてである。各組成の抵抗値の温度特性か
ら、抵抗値が１０⁶〜１０¹²Ωｃｍであり半導体的振る
舞いを示すことより、用いた元素の荷数より判断して、
ｎ型にドーピングされた材料であるとした。本発明の実
施例の範囲にある保護層材料について表６に示す。ま
た、それらの放電開始電圧、膜厚減少率の変化量につい
て示す。

【００９８】表６によれば実施例５同様、従来の保護層
組成であるＭｇＯよりも、本発明の実施例の範囲である
材料の保護層では、放電開始電圧が特に良好であること
がわかる。一方、耐スパッタ性についても同様に従来の
ＭｇＯ保護層よりも良好である。

【００９９】本発明の実施例では上記の試料の作成には
合金ターゲット、粉末ターゲット、を用いたスパッタリ
ング法によっておこなったが、この手法に限らず、上記
組成のターゲットを用いたスパッタリング法や、同様に
上記組成の蒸着源を用いた電子ビーム蒸着法でも同様の
効果が得られる。

【０１００】（実施例７）以下に示す実施例では保護層
が元素D（ＤはLi）またはＺ（ＺはN、Pから選ばれた元
素）から選ばれた少なくとも１種の元素を含み、ｐ型に
ド−ピングされた場合についてである。各組成の抵抗値
の温度特性から、抵抗値が１０⁶〜１０¹²Ωｃｍであり
半導体的振る舞いを示すことより、用いた元素の荷数よ
り判断して、ｐ型にドーピングされた材料であるとし
た。本発明の実施例の範囲にある保護層材料について表
７に示す。また、それらの放電開始電圧、膜厚減少率の
変化量について示す。

【０１０１】表７によれば実施例５、実施例６同様、従
来の保護層組成であるＭｇＯよりも、本発明の実施例の
範囲である材料の保護層では、放電開始電圧が特に良好
であることがわかる。一方、耐スパッタ性についても同
様に従来のＭｇＯ保護層よりも良好である。

【０１０２】本発明の実施例では上記の試料の作成には
合金ターゲット、粉末ターゲット、を用いたスパッタリ
ング法によっておこなったが、この手法に限らず、上記
組成のターゲットを用いたスパッタリング法や、同様に
上記組成の蒸着源を用いた電子ビーム蒸着法でも同様の
効果が得られる。

【０１０３】（実施例８）以下に示す実施例では保護層
が元素M（Mは、Al、Ga、Si、Ge、Snから選ばれた元素）
または元素A（AはF、Clから選ばれた元素）から選ばれ
た少なくとも１種の元素と、元素D（ＤはLi）またはＺ
（ＺはN、Pから選ばれた元素）から選ばれた少なくとも
１種の元素を同時に含み、また、組成式（Mg_1-a-bM
_aＤ_b）_1-δ（O_{1 -c-d}A_cＺ_d）δ（Mは、Al、Ga、Si、Ge、
Snから選ばれた少なくとも１種、ＤはLi、AはF、Clから
選ばれた少なくとも１種、ＺはN、Pから選ばれた少なく
とも１種）で表され、0.3＜δ＜0.5の範囲である場合に
ついてである。

【０１０４】表８によれば実施例５、実施例６，実施例
７同様、従来の保護層組成であるＭｇＯよりも、本発明
の実施例の範囲である材料の保護層では、放電開始電圧
が特に良好であることがわかる。一方、耐スパッタ性に
ついても同様に従来のＭｇＯ保護層よりも良好である。

【０１０５】本発明の実施例では上記の試料の作成には
合金ターゲット、粉末ターゲット、を用いたスパッタリ
ング法によっておこなったが、この手法に限らず、上記
組成のターゲットを用いたスパッタリング法や、同様に
上記組成の蒸着源を用いた電子ビーム蒸着法でも同様の
効果が得られる。

【０１０６】（作用効果）上記のように、保護層１４に
おいて、ＡｌＮを主成分とする材料を使用することによ
って、放電開始電圧が低下し、耐スパッタ性が良好にな
ることできる。これは、ＡｌＮはＭｇＯと比較して、電
子親和力、バンドギャップなどが小さく、非常に電子放
出能力に優れていることが要因であると考えられる。ま
たさらにこのＡｌＮに、Ａｌ、Ｎ以外の元素がある一定
量混入することによってさらに電子放出特性向上させる
ことができる。また同様に、ＭｇＯを主成分とする材料
を使用することによって、放電開始電圧が低下し、耐ス
パッタ性が良好になることできる。これは、ＭｇＯに、
Ｍｇ、Ｏ以外の元素がある一定量混入することによっ
て、電子親和力、バンドギャップなどが小さく、ＭｇＯ
と比較して、電子放出能力に優れていることが要因であ
ると考えられる。よってさらに電子放出特性向上させる
ことができる。

【０１０７】また、これら保護層はAlNを母構造とし、A
ｌの原子位置の少なくとも１部がSi、Ge、Sn、Pb、Be、
Mg、Caから選ばれた少なくとも１種の元素で置換されさ
れていることが望ましく、また元素Ｎの少なくとも１部
が、OまたはSから選ばれた少なくとも１種の元素で置換
されていることが望ましい。

【０１０８】また、MgOを母構造とし、Mgの原子位置の
少なくとも１部が Al、Ga、Liから選ばれた少なくとも
１種の元素で置換されていることが望ましく、また、元
素Oの少なくとも１部が、F、Cl、N、Pから選ばれた少な
くとも１種の元素で置換されていることが望ましい。

【０１０９】ここでいう置換とは、膜構造をＸＲＤを元
に解析を行った結果、母構造と結晶構造が一致している
ことをいう。置換することにより、結晶構造が崩れず組
成を変化させても、特性は安定する。

【０１１０】また、これら保護層の膜構造としては、Al
NＸまたは（Al_1-a-bM_aD_b）（N_1-cA_c）または（Al_1-a-bM
_aD_b）_1-δ（N_1-cA_c）δのについてはその結晶配向面
が、少なくとも（００２）面に優先配向している方が、
電子放出特性および耐スパッタ性が良好であった。ま
た、ＭｇＯＸまたは（Mg_1-a-bM_aＤ_b）（O_1-c-dA_cＺ_d）
または（Mg_1-a-bM_aＤ_b）_1-δ（O_1-c-dA_cＺ_d）δの結晶
配向面が（１１１）あるいは（２００）あるいは（２２
０）いずれかの面に優先配向している方が、電子放出特
性および耐スパッタ性が良好であった。また、これらの
現象の要因については未だ明確に解明されていない。

【０１１１】また、これら保護層は、形成される基板面
に垂直方向に組成変調構造を持つことにより、さらに良
好な電子放出特性および耐スパッタ性を示す。なぜなら
ば、用いる基板と相性の良い組成や、電子放出特性に最
も優れている組成、耐スパッタ性にもっとも優れている
組成等、性質の違う膜があることで最も良好な特性を得
ることができる。

【０１１２】さらにこれら保護層の膜構造の形状として
は、柱状構造であることが望ましい。これは放電空間３
０に向けて電子が放出される表面積を大きくとることが
でき、その結果、アドレス放電や維持放電のためのトリ
ガー電子が放出され易くなるためと考えられる。またこ
の柱状構造部の形状としては結晶の幅が０．００５〜３
μｍであり、この柱状部は膜面に対して傾きをαとした
場合に ３０＜α＜９０ であることが望ましい。また、０．１％〜２％程度の格
子ひずみを持つことが望ましい.。この現象の要因につ
いては未だ明確に解明されていないが、この範囲の形状
の保護層膜であった場合、さらに良好な電子放出特性を
示した。

【０１１３】膜厚が０．０５〜１０００ｎｍであること
が望ましい。なぜなら、例えば０．０５ｎｍより小さい
場合では放電によるスパッタ効果によって保護層膜が削
れ製品としての寿命が短くなり、逆に１０００ｎｍ以上
においては保護層膜の透過率が低下し、画像表示の輝度
低下につながるからである。

【０１１４】以上の保護層膜の作製方法としては本発明
の実施例にも述べたように、金属ターゲット、粉末ター
ゲット、蒸着源を用いたスパッタリング法、電子ビーム
蒸着方法などで得られる。あるいはそれぞれの組成比で
作られたターゲット蒸着源を用いても同様の効果は得ら
れる。

【０１１５】また、上記保護層膜をAlNＸまたは（Al
_1-a-bM_aD_b）（N_1-cA_c）またはＭｇＯＸまたは（Mg_1-a-b
M_aＤ_b）（O_1-c-dA_cＺ_d）とした際、前記元素Ｎ、Ａ、
Ｏ、Ｚが、スパッタリング中に気体として供給されるこ
とが望ましい。このことにより製品量産時の形成速度が
向上する付随効果が得られる。

【０１１６】（ＰＤＰの製造方法）次に、ＰＤＰの製造
方法について説明する。

【０１１７】ＰＤＰの組立； 前面パネルＰＡ１の作製：まず、前面ガラス基板１１上
に走査電極１２ａ、維持電極１２ｂが交互に配列するよ
うに形成する。

【０１１８】走査電極１２ａ、維持電極１２ｂは、金属
電極であって、白金を電子ビーム蒸着法によって成膜し
た後、リフトオフ法によってパターニングすることによ
って形成される。なお、ＩＴＯなどの透明電極と金属電
極の対により各走査電極１２ａ及び維持電極１２ｂとを
形成しても構わない。

【０１１９】次に、前記走査電極１２ａ及び維持電極１
２ｂを覆うように、誘電体ガラス層をスクリーン印刷法
などの公知の印刷法によって印刷後焼成することによっ
て形成する。

【０１２０】次に、誘電体ガラス層１３表面にＭｇＯ膜
を形成する。具体的には、誘電体ガラス層１３の表面に
ＭｇＯ薄膜を電子ビーム蒸着法によって析出させること
により形成する。

【０１２１】背面パネルＰＡ２の作製：背面パネルＰＡ
２は、背面ガラス基板１６上にアドレス電極１７を形成
し、その上を電極保護層１８で覆い、この電極保護層１
８の表面に隔壁１９を形成し、その後、蛍光体層２０を
形成することによって作製する。

【０１２２】アドレス電極１７は、背面ガラス基板１６
上に前記走査電極１２ａ、維持電極１２ｂと同様の方法
にて作製する。

【０１２３】電極保護層１８は、アドレス電極１７の上
にスクリーン印刷法などの印刷法を用いて印刷後、焼成
することによって形成されたもので、前記誘電体ガラス
層１３と同じようなガラスの組成物に、酸化チタン（Ｔ
ｉＯ₂）粒子を含有させた薄膜である。

【０１２４】隔壁１９は、スクリーン印刷法、リフトオ
フ法、或いはサンドブラスト法等の方法で隔壁形成原料
を塗布した後、これを焼成し、その後隔壁頂部に加工処
理を施すことによって形成されたものである。

【０１２５】蛍光体層２０は、スクリーン印刷法、ノズ
ル噴霧法などの方法によって形成されたものである。

【０１２６】パネル張り合わせ：次に、前面パネルＰＡ
１と背面パネルＰＡ２とを走査電極１２ａ、維持電極１
２ｂとアドレス電極１７とが直交する状態に位置合わせ
して両パネルを張り合わせる。その後、隔壁１９に仕切
られた放電空間３０内に放電ガス（例えば、Ｈｅ−Ｘｅ
系、Ｎｅ−Ｘｅ系の不活性ガス）を所定の圧力で封入す
る。

【０１２７】

【発明の効果】以上説明したように、本発明はストライ
プ状に配された第１の電極と第２の電極との電極対が複
数対並設され、更に当該複数対の電極対が誘電体層で被
覆されてなる第１の基板と、第３の電極がストライプ状
に配された第２の基板とが、隔壁を介在させて対向され
た状態に配置してなるプラズマディスプレイパネルであ
って、前記誘電体層がAlNＸで表され、前記ＸがSi、Ｇ
e、Sn、Pb、Be、Mg、Ca、O、Sから選ばれた少なくとも
一種であることを特徴とする。また、前記誘電体層がMg
OＸで表され、前記ＸがAl、Ga、Li、F、Cl、N、Pから選
ばれた少なくとも一種であることを特徴とする。これに
より、誘電体層の表面層において、電子放出能力が高
く、かつ耐スパッタ性に優れ、不純物ガスによる影響の
少ない保護層を得ることができる。この結果、電圧印加
に対する放電の発生の応答性を改善して、良好な画像を
表示することを可能とし、製品寿命を長期化できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】従来のプラズマディスプレイパネルを示す部分
斜視図

【図２】プラズマディスプレイパネルと駆動回路との従
来及び本発明に共通な接続状態を示すブロック図

【図３】従来及び本発明に共通なプラズマディスプレイ
パネルの駆動波形を示すタイムチャート

【符号の説明】

ＰＡ１ 前面パネル ＰＡ２ 背面パネル １ 交流面放電型プラズマディスプレイパネル（ＰＤ
Ｐ） １１ 前面ガラス基板 １１ａ 表面 １２ａ 走査電極 １２ｂ 維持電極 １２ｃ 放電ギャップ １３ 誘電体ガラス層 １４ 保護層 １６ 背面ガラス基板 １７ アドレス電極 １８ 電極保護層 １９ 隔壁 ２０ 蛍光体層 ３０ 放電空間 ２２０ アドレス駆動部 ２３０ 走査電極駆動部 ２４０ 維持電極駆動部

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 足立 秀明 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 出口 正洋 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 長谷川 和之 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 小寺 宏一 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 東野 秀隆 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 上野山 雄 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Ｆターム(参考） 5C015 HH02 5C040 FA01 GB03 GB14 GC02 GC18 GD07 5C058 AA11 AB01 BA26 BA35

Claims (25)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 組成式AlNＸで表され、前記ＸがSi、Ｇ
   e、Sn、Pb、Be、Mg、Ca、O、Sから選ばれた少なくとも
   一種である放電電極材料。
2. 【請求項２】 組成式（Al_1-a-bM_aD_b）（N_1-cA_c）（M
   は、Si、Ge、Sn、Pbから選ばれた少なくとも１種。D
   は、Be、Mg、Caから選ばれた少なくとも１種。AはO、S
   から選ばれた少なくとも１種。0≦a≦0.5、0≦b≦0.5、
   0≦a+b≦0.5、0≦ｃ≦0.5、0＜a+b+c≦1。）で表される
   放電電極材料。
3. 【請求項３】 元素Ｍ（Mは、Si、Ge、Sn、Pbから選ば
   れた元素）または元素A（AはO、Sから選ばれた元素）か
   ら選ばれた少なくとも１種の元素を含み、ｎ型にド−ピ
   ングされた放電電極材料。
4. 【請求項４】 元素D（Dは、Be、Mg、Caから選ばれた元
   素）から選ばれた少なくとも１種の元素を含み、Ｐ型に
   ド−ピングされた放電電極材料。
5. 【請求項５】 元素Ｍ（Mは、Si、Ge、Sn、Pbから選ば
   れた元素）または元素A（AはO、Sから選ばれ元素）から
   選ばれた少なくとも１種の元素と、元素D（Dは、Be、M
   g、Caから選ばれた元素）から選ばれた少なくとも１種
   の元素を同時に含むことを特徴とする放電電極材料。
6. 【請求項６】 少なくともAlNを母構造とする放電電極
   材料で、前記Aｌの原子位置の少なくとも１部が Si、G
   e、Sn、Pb、Be、Mg、Caから選ばれた少なくとも１種の
   元素で置換された放電電極材料。
7. 【請求項７】 少なくともAlNを母構造とする放電電極
   材料で、前記元素Ｎの少なとも１部が、OまたはSから選
   ばれた少なくとも１種の元素で置換された放電電極材
   料。
8. 【請求項８】 組成式（Al_1-a-bM_aD_b）_1-δ（N_1-cA_c）
   δ（Mは、Si、Ge、Sn、Pbから選ばれた少なくとも１
   種。Dは、Be、Mg、Caから選ばれた少なくとも１種。Aは
   O、Sから選ばれた少なくとも１種。0.3＜δ＜0.5。）で
   表される放電電極材料。
9. 【請求項９】 基板上に形成され、少なくとも（００
   ２）面に優先配向していることを特徴とする請求項１〜
   ８のいずれかに記載の放電電極材料。
10. 【請求項１０】 組成式MgOＸで表され、前記ＸがAl、G
    a、Li、F、Cl、N、Pから選ばれた少なくとも一種である
    放電電極材料。
11. 【請求項１１】 組成式（Mg_1-a-bM_aＤ_b）（O_1-c-dA_cＺ
    _d）（Mは、Al、Ga、Si、Ge、Snから選ばれた少なくとも
    １種。ＤはLi、AはF、Clから選ばれた少なくとも１種。
    ＺはN、Pから選ばれた少なくとも１種。0≦a≦0.5、0≦
    b≦0.5、0≦a+b≦0.5、0≦ｃ≦0.5、0≦d≦0.5、0＜a+b
    +c+d≦1）で表される放電電極材料。
12. 【請求項１２】 元素M（Mは、Al、Ga、Si、Ge、Snから
    選ばれた元素）または元素A（AはF、Clから選ばれた元
    素）から選ばれた少なくとも１種の元素を含み、ｎ型に
    ド−ピングされたことを特徴とする放電電極材料。
13. 【請求項１３】 元素D（ＤはLi）またはＺ（ＺはN、P
    から選ばれた元素）から選ばれた少なくとも１種の元素
    を含み、ｐ型にド−ピングされたことを特徴とする放電
    電極材料。
14. 【請求項１４】 元素M（Mは、Al、Ga、Si、Ge、Snから
    選ばれた元素）または元素A（AはF、Clから選ばれた元
    素）から選ばれた少なくとも１種の元素と、元素D（Ｄ
    はLi）またはＺ（ＺはN、Pから選ばれた元素）から選ば
    れた少なくとも１種の元素を同時に含むことを特徴とす
    る放電電極材料。
15. 【請求項１５】 少なくともMgOを母構造とする放電電
    極材料で、前記Mgの原子位置の少なくとも１部が Al、
    Ga、Liから選ばれた少なくとも１種の元素で置換された
    放電電極材料。
16. 【請求項１６】 少なくともMgOを母構造とする放電電
    極材料で、前記元素Oの少なくとも１部が、F、Cl、N、P
    から選ばれた少なくとも１種の元素で置換された放電電
    極材料。
17. 【請求項１７】 組成式（Mg_1-a-bM_aＤ_b）_1-δ（O_1-c-d
    A_cＺ_d）δ（Mは、Al、Ga、Si、Ge、Snから選ばれた少な
    くとも１種。ＤはLi、AはF、Clから選ばれた少なくとも
    １種。ＺはN、Pから選ばれた少なくとも１種。0.3＜δ
    ＜0.5。）の範囲である放電電極材料。
18. 【請求項１８】 基板上に形成され、（１１１）あるい
    は（２００）あるいは（２２０）いずれかの面の優先配
    向をとる請求項１０〜１７のいずれかに記載の放電電極
    材料。
19. 【請求項１９】 基板上に形成され、且つ、前記基板面
    に垂直方向に組成変調構造を持つ請求項１〜１８のいず
    れかに記載の放電電極材料。
20. 【請求項２０】 基板上に形成され、且つ、柱状構造を
    持つ請求項１〜１９のいずれかに記載の放電電極材料。
21. 【請求項２１】 柱状構造を持つ結晶の幅が、50nm〜30
    00nmである請求項１〜２０のいずれかに記載の放電電極
    材料。
22. 【請求項２２】 柱状構造が基板面に対する傾きをαと
    するとき、３０度＜α＜９０度の範囲である請求項１〜
    ２１のいずれかに記載の放電電極材料。
23. 【請求項２３】 基板上に形成され、少なくとも０．１
    ％以上２％以下の格子歪みを持つ請求項１〜２２のいず
    れかに記載の放電電極材料。
24. 【請求項２４】 ストライプ状に配された第１の電極と
    第２の電極との電極対が複数対並設され、前記複数対の
    電極対が誘電体層で被覆されてなる第１の基板と、第３
    の電極がストライプ状に配された第２の基板とが、隔壁
    を介在させて対向された状態に配置してなるプラズマデ
    ィスプレイパネルであって、前記誘電体層が請求項１〜
    ２３のいずれかに記載の放電電極材料で被覆されている
    ことを特徴とするプラズマディスプレイパネル
25. 【請求項２５】 請求項１〜２４のいずれかに記載の放
    電電極材料の膜厚が０．０５ｎｍ以上１０００ｎｍ以下
    であることを特徴とするプラズマディスプレイ。