JP2003095634A - シリコンの製造装置および方法 - Google Patents

シリコンの製造装置および方法

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Abstract

(57)【要約】 【課題】高純度シリコンの気相法亜鉛還元法による製造
装置において、結晶生成の早い方向に種結晶表面を処理
しておくことにより効率よく安定した運転を行うことが
出来る製造装置及び製造方法を提供する。 【解決手段】反応炉内の種結晶の表面を結晶生成が早い
面が出るように処理することにより効率よくデンドリテ
ィックに結晶生成を進め、還元反応・析出速度を高め製
造効率を上げることが出来る。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高純度シリコンの
製造方法に関し、さらに詳しくは原料として四塩化珪素
及び金属亜鉛を蒸発気化して使用し、気相において還元
反応を行う反応炉による高純度シリコンの製造方法に関
する。
【０００２】
【従来の技術】従来の方式は、反応炉全体が空洞化した
一体構造をなしていたために、炉内の場所により反応・
析出の程度が不均一となり、反応の特に進んだ一部の場
所に製品となるシリコンが樹枝状或いは薄片状にランダ
ムに充満して、反応を停止せざるを得ない状態が発生し
炉内の製品占積率を低下させるとともに生産性の低下を
もたらした。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、気相
法亜鉛還元法による高純度シリコン製造用還元反応炉に
おいて、表面を結晶生成が早い方向に予め種結晶の処理
を行っておきその面より急速に樹枝状に結晶を成長させ
ることにより、反応速度を促進し安定した効率の良い運
転を確保する装置および方法を提供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本願で特許請求される発明は以下の通りである。 （１）高純度亜鉛及び高純度四塩化珪素を使用した四塩
化珪素の亜鉛ガス化還元法に係わる反応炉において、結
晶生成（製品生成）をより効率化するために樹枝状結晶
（デンドリティックグロース）を促進させる目的をもっ
て樹枝状結晶が成長しやすい面を持つよう加工された結
晶板を種結晶として利用することを特徴とした高純度シ
リコン製造装置。 （２）上記１項記載の種結晶により容易に樹枝状（デン
ドリティック）に結晶を成長させる装置を用い効率性を
改善した高純度シリコン製造装置。 （３）上記１項及び２項記載の装置により安定的に且つ
効率よく運転することを特徴とする高純度シリコンの製
造方法。
【０００５】
【発明の実施の形態】
【実施例】図１は、本発明装置の実施例を示す説明図で
ある。反応炉内に、樹枝状結晶が成長しやすいように
加工されたシリコン板を設置することにより、反応炉
の効率的な運転を行うことが出来る。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明装置による実施例を示す。
【符号の説明】 ・・・反応炉 ・・・種結晶となる加工され
たシリコン板

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】高純度亜鉛及び高純度四塩化珪素を使用し
    た四塩化珪素の亜鉛ガス化還元法に係わる反応炉におい
    て、結晶生成（製品生成）をより効率化するために樹枝
    状結晶（デンドリティックグロース）を促進させる目的
    をもって樹枝状結晶が成長しやすい面を持つよう加工さ
    れた結晶板を種結晶として利用することを特徴とした高
    純度シリコン製造装置。
  2. 【請求項２】請求項１記載の種結晶により容易に樹枝状
    （デンドリティック）に結晶を成長させる装置を用い効
    率性を改善した高純度シリコン製造装置。
  3. 【請求項３】請求項１及び２により安定的に且つ効率よ
    く運転することを特徴とする高純度シリコンの製造方
    法。
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JP2007112691A (ja) * 2005-10-21 2007-05-10 Yutaka Kamaike シリコンの製造装置及び方法

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JP2575838B2 (ja) * 1987-09-08 1997-01-29 エバラ ソーラー インコーポレイテッド シリコン・デンドライトウェブ結晶成長方法
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