JP2003092358A - 大規模半導体集積回路 - Google Patents

大規模半導体集積回路

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JP2003092358A
JP2003092358A JP2001282896A JP2001282896A JP2003092358A JP 2003092358 A JP2003092358 A JP 2003092358A JP 2001282896 A JP2001282896 A JP 2001282896A JP 2001282896 A JP2001282896 A JP 2001282896A JP 2003092358 A JP2003092358 A JP 2003092358A
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wirings
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JP2001282896A
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Takanori Utsunomiya
崇徳 宇都宮
Hironori Nanzaki
浩徳 南崎
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Toshiba Corp
Toshiba Electronic Device Solutions Corp
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Toshiba Corp
Toshiba Microelectronics Corp
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  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
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  • Testing Of Short-Circuits, Discontinuities, Leakage, Or Incorrect Line Connections (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 比較的簡単に一括配線ショートチェックを可
能にするLSIを提供する。 【解決手段】 テスト信号Tを受けて、千鳥状に配置さ
れた各基本構成デコーダ(入力端が7つあり、6個の入
力端が通常6ビットの信号を受け、配線ショートチェッ
ク時に供給されるテスト信号Tを残り1つの入力端が受
ける)D1a,D3a,D102a,D104a,D2
01a,D203a,D302a,D304a,・・
は、それに対応するスイッチ1,3,102,104,
201,203,302,304,・・をオンする制御
信号をその対応するスイッチに供給する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、多層配線構造を有
する大規模半導体集積回路(以下、LSIという)に関
し、特に配線間のショートチェックが可能なLSIに関
する。
【0002】
【従来の技術】図11に、従来のLSIの多層配線構造
を有するLSIの構成の一部を示す。説明都合上、配線
はA層と、このA層と直交するB層の2層とし、A層に
は、64本の金属配線A1〜A64が並列に配列され、
同様に、B層には64本の金属配線B1〜B64が並列
に配列されている。そして、各配線Aと各配線Bの交差
場所には、1個のスイッチが配置されている。スイッチ
の個数は、64×64=4096個である。
【0003】各スイッチの動作を制御するデコーダが、
それぞれ1個配置されている。つまり64×64=40
96個のデコーダが配置されている。
【0004】また本例では、図11において配線A1〜
A64の各配線に沿って縦に配列された64個からなる
デコーダ群(一例をあげればD1〜D64)毎に供給さ
れる信号S1〜S64は、デコーダ群が64個(B層の
配線が64本)であるため、それぞれ6ビットの信号と
なる。
【0005】例えば信号S1は、デコーダD1〜D64
それぞれに共通に供給される。各デコーダD1〜D64
は、信号S1を解析し、その中の1つデコーダが自己に
該当すること判定すると、そのデコーダは、対応するス
イッチをオンさせる制御信号をそのスイッチに供給す
る。
【0006】該当すると解析したデコーダがD2とする
と、デコーダD2は、スイッチ2をオンさせる制御信号
をスイッチ2に供給し、この結果配線B2に供給される
信号または電圧が、配線A1に伝達される。また逆に、
配線A1に供給される信号または電圧が、配線B2に伝
達される。
【0007】同様なことが、信号S2〜S64それぞれ
に対応して、図11において配線A2〜A64の各配線
に沿って縦に配列された64個のデコーダの1個が自己
に該当すると判定すると、そのデコーダは、対応するス
イッチをオンさせる制御信号をそのスイッチに供給す
る。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】従来、LSIの製造工
程で混入された異物により、同層で隣接する2配線間が
ショートしているか否かをチェックする考えは無かっ
た。
【0009】従来の構成において、配線間のショートを
チックするとしたら、例えばスイッチ1をオンさせるよ
うなビット構成の信号S1を、デコーダD1〜D64に
供給するとともに、スイッチ102をオンさせるような
ビット構成の信号S2を、デコーダD101〜D164
に供給する。
【0010】そして配線A1に0Vを印加し、配線A2
に5Vを印加し、配線A3〜A64をオープンにし、配
線B1〜B64をオープンにする。この時配線B1とB
2が、LSI製造中に混入された異物(抵抗Rに置き換
えられる)でショートしていれば、リーク電流が、配線
A2→スイッチ102→配線B2→抵抗R→配線B1→
スイッチ1→配線A1の経路で流れ、その電流値で、配
線B1とB2が異物によりショートされていることが分
かる。
【0011】しかしながら、このようなチェック方法で
は、6ビット構成の信号を与えなければならない。更に
ショートチェック出来るのは、同層の隣接する2配線間
だけであるため、同層の配線全てのショートチェックす
るのに時間と手間がかかるという問題があった。
【0012】そこで本発明は、簡単に一括配線ショート
チェックや不具合配線場所特定を可能にするLSIを提
供することを目的とする。
【0013】
【課題を解決するための手段】(第1の解決手段)本発
明のLSIは、並列に配置された少なくとも2本の配線
からなる第1の層と、前記第1層の配線と直交し、並列
に配置された少なくとも2本の配線からなる第2の層
と、前記第1と第2の層の各配線が交差する場所に配置
され、オンすることにより前記第1の層の配線と第2の
層の配線を接続することになる複数のスイッチ手段と、
通常動作時、入力信号を受けてその入力信号に該当する
前記スイッチ手段をオンし、配線ショートチェックのた
め供給されるテスト信号を受けて、千鳥状に配置された
前記スイッチ手段をオンする制御手段と、を具備したこ
とを特徴とする。
【0014】(第2の解決手段)本発明のLSIは、並
列に配置された少なくとも2本の配線からなる第1の層
と、前記第1層の配線と直交し、並列に配置された少な
くとも2本の配線からなる第2の層と、前記第1と第2
の層の各配線が交差する場所に配置され、オンすること
により前記第1の層の配線と第2の層の配線を接続する
ことになる複数のスイッチ手段と、通常動作時、入力信
号を受けてその入力信号に該当する前記スイッチ手段を
オンし、配線ショートチェックのため供給されるテスト
信号を受けて、前記第1の層の各配線と前記第2の層の
各配線とが最初に交差する個所の前記スイッチ手段をオ
ンする制御手段と、を具備したことを特徴とする。
【0015】
【発明の実施の形態】(第1の実施例)図1に、本発明
のLSIの第1の実施例の構成の一部を示す。本実施例
は、一括配線ショートチェックを可能にするLSIであ
る。説明の都合上、配線はA層と、このA層と直交する
B層とし、A層にはn本(nは0以外の整数)の金属配
線A1〜Anが並列に配置され、B層にはm本(mは0
以外の整数)の金属配線B1〜Bmが並列に配置されて
いる。
【0016】例えば図1のように、配線はA層と、この
A層と直交するB層とし、A層には、64本の金属配線
A1〜A64が並列に配列され、同様に、B層には64
本の金属配線B1〜B64が並列に配列されている。そ
して、各配線Aと各配線Bの交差場所には、1個のスイ
ッチが配置されている。スイッチの個数は、64×64
=4096個である。
【0017】各スイッチの動作を制御するデコーダが1
個配置されている。つまり64×64=4096個のデ
コーダが配置されている。
【0018】ところで本実施例は、従来と同様、図1に
おいて配線A1〜A64の各配線に沿って縦に配列され
た64個からなるデコーダ群(一例をあげればD1a〜
D64a)毎に供給される信号S1〜S64は、デコー
ダ群は64個(B層の配線が64本)であるため、それ
ぞれ6ビットの信号となる。
【0019】本実施例では、デコーダの構成を従来のデ
コーダと異なる構成にする。デコーダの入力端を7個に
し、本来の6ビットの信号S以外にショートチェック時
のみ供給される1ビット分のテスト信号(例えばハイ信
号)Tが入力出来るようにする。そしてショートチェッ
クとして、テスト信号Tが供給された場合、このデコー
ダに対応するスイッチをオンさせる制御信号をそのスイ
ッチに供給できるようにデコーダを回路構成する。これ
が、本実施例の基本構成デコーダである。
【0020】しかし、後述するように、デコーダには、
本来の6ビットの信号入力端6個とテスト信号Tの入力
端1個があるが、そのテスト信号T用の入力端とデコー
ダ内部でテスト信号Tを受取る素子とが断線されている
変形デコーダがある。つまり、テスト信号Tが印加され
ても、対応するスイッチをオンさせる制御信号を出力し
ない。
【0021】図1に戻って、信号S1が共通に供給され
るデコーダD1a〜D64aの内、図1において上から
見て奇数番目のデコーダD1a,D3a,・・,D63
aは、上記基本構成デコーダである。そして、図1にお
いて上から見て偶数目のデコーダD2a,D4a,・
・,D64aは、上記変形デコーダである。
【0022】信号S2が共通に供給されるデコーダD1
01a〜D164aの内、図1において上から見て偶数
番目のデコーダD102a,D104a,・・,D16
4aは、上記基本構成デコーダである。そして、図1に
おいて上から見て奇数番目のデコーダD101a,D1
03a,・・,D163aは、上記変形デコーダであ
る。
【0023】以上、配線A1と配線A2に沿って配置さ
れる上記基本構成デコーダ(見方を変えれば上記変形デ
コーダ)の配列は、ジグザグ状(これを千鳥状と定義す
る)となっている。
【0024】信号S3が共通に供給されるデコーダD2
01a〜D264aの内、図1において上から見て奇数
番目のデコーダD201a,D203a,・・,D26
3aは、上記基本構成デコーダである。そして、図1に
おいて上から見て偶数番目のデコーダD202a,D2
04a,・・,D264aは、上記変形デコーダであ
る。
【0025】以上、配線A2と配線A3に沿って配置さ
れる上記基本構成デコーダ(見方を変えれば上記変形デ
コーダ)の配列は、千鳥状になっている。
【0026】信号S4が共通に供給されるデコーダD3
01a〜D364aの内、図1において上から見て偶数
番目のデコーダD302a,D304a,・・,D34
6aは、上記基本構成デコーダである。そして、図1に
おいて上から見て奇数番目のデコーダD301a,D3
03a,・・,D363aは、上記変形デコーダであ
る。
【0027】以上、配線A3と配線A4に沿って配置さ
れる上記基本構成デコーダ(見方を変えれば上記変形デ
コーダ)の配列は、千鳥状となっている。
【0028】残り各信号S5〜S64が供給される各配
線A5〜配線A64に沿って配置される上記基本構成デ
コーダ(見方を変えれば上記変形デコーダ)の配列は、
上述の法則となる。
【0029】通常動作時は、従来と変わらない。
【0030】例えば信号S1は、デコーダD1a〜D6
4aそれぞれに共通に供給される。各デコーダD1a〜
D64aは、信号S1を解析し、その中の1つデコーダ
が自己に該当すること判定すると、そのデコーダは、対
応するスイッチをオンさせる制御信号をスイッチに供給
する。
【0031】該当すると解析したデコーダがD1aとす
ると、デコーダD1aは、スイッチ1をオンさせ、配線
B1に供給される信号または電圧が、配線A1に伝達さ
れる。また逆に、配線A1に供給される信号または電圧
が、配線B1に伝達される。
【0032】同様なことが、各信号S2〜S64それぞ
れに対応して、図1において縦に配列された64個のデ
コーダの内の1個が自己に該当すると判定すると、その
デコーダは、対応するスイッチをオンさせる制御信号を
そのスイッチに供給する。
【0033】次に、簡単に一括配線ショートチェックが
可能なことを説明する。
【0034】まずB層の配線間ショートチェックが可能
なことについて説明する。図2において、各64個のデ
コーダ群にテスト信号(例えばハイ信号)Tを供給す
る。このテスト信号Tは、個別に生成されるものでな
く、源流は1つである。これにより、各上記基本構成デ
コーダの制御信号により、それに対応するスイッチはオ
ンされる。
【0035】次に、配線A1に0Vを、配線A2に5V
を印加する。他の配線A3〜A64、B1〜B64は、
オープンにする。
【0036】図2において、配線B3と配線B4が、L
SI製造中に混入された異物(抵抗Rに置き換えられ
る)によりショートしているとする。この場合、配線A
2→スイッチ104→配線B4→抵抗R→配線B3→ス
イッチ3→配線A1の経路でリーク電流が流れ、その電
流値で、とにかくB層の配線間にショートがおきている
ことを判定できる。
【0037】B層の配線間のショートは、配線B3と配
線B4だけでなく、他の配線間、また複数箇所の配線間
でおきることがあるが、配線A2とA1間のリーク電流
の値を見るだけで、とにかくB層の配線間でショートが
おきていることが判定できる。つまり、一括配線ショー
トチェックが可能である。
【0038】次に、A層の配線間ショートチェックが可
能なことについて説明する。図3において、各64個の
デコーダ群にテスト信号Tを供給する。このテスト信号
Tは、個別に生成されるものでなく、源流は1つであ
る。これにより、各上記基本構成デコーダの制御信号に
より、それに対応するスイッチはオンされる。
【0039】そして、配線A1に0Vを、配線A2に5
Vを印加する。他の配線A3〜A64、B1〜B64
は、オープンにする。
【0040】図3において、配線A3と配線A4が、L
SI製造中に混入された異物(抵抗Rに置き換えられ
る)によりショートしているとする。この場合、配線A
2→スイッチ102→配線B2→スイッチ302→配線
A4→抵抗R→配線A3→スイッチ203→配線B3→
スイッチ3→配線A1の経路でリーク電流が流れ、その
電流値で、とにかくA層の配線間でにショートがおきて
いることを判定できる。A層の配線間のショートは、配
線A3と配線A4だけでなく、他の配線間、また複数箇
所の配線間でおきることがあるが、配線A2とA1間の
リーク電流の値を見るだけで、一括配線ショートチェッ
クが可能である。
【0041】尚上記変形デコーダの代わりとして、6ビ
ットの信号のみを受け、テスト信号Tの入力端およびテ
スト信号Tに応答する回路構成のないデコーダを採用し
てもよい。更に各スイッチ毎にデコーダを配置している
が、図1において縦に配置された64個のデコーダ群
(一例をあげればD1a〜D64a)の代わりに、回路
構成を工夫して1個のデコーダで対応してもよい。更に
デコーダの代わりに、マイコンを使用して各スイッチの
オン・オフを制御してもよい。
【0042】(第1の実施例の適用例)次に、本実施例
を、液晶表示装置の諧調AMP方式のTFT(thin
film transistor)ソースドライバに
適用した場合を説明する。
【0043】図9に、液晶表示装置の全体構成を示す。
図9に示す液晶表示装置は、複数の液晶セル、信号線、
および走査線が列設された液晶パネルLCDPと、それ
ぞれが複数の信号線を駆動するソースドライバSD1,
・・,SDq(qは1以上の整数)と、それぞれが複数
の走査線を駆動するゲートドライバGD1,・・,GD
p(pは1以上の整数)と、ソースドライバSD1,・
・,SDqおよびゲートドライバGD1,・・,GDp
の動作を制御するコントローラCTRLとで構成されて
いる。尚、ソースドライバSD1,・・,SDqのそれ
ぞれは、1つのICとして形成されている。
【0044】図9の液晶表示装置において、液晶パネル
LCDPの全信号線は、複数のソースドライバSD1,
・・,SDqにより駆動され、その結果、情報が液晶パ
ネルLCDP上に表示される。
【0045】コントローラCTRLは、転送クロックC
PH1、入力信号(シフトパルス)DI/011、デジ
タル諧調データDATA(本例では、6ビットのデータ
とする)、ロード信号LOAD、およびテスト信号T
を、ソースドライバSD1,・・,SDqへ供給する。
【0046】これらの信号に基いて、ソースドライバS
D1,・・,SDqのそれぞれは、液晶パネルLCDP
の信号線を駆動するために必要な電圧信号を液晶パネル
LCDPへ出力する。このように、ソースドライバSD
1,・・,SDqのそれぞれは、液晶パネルLCDPの
水平方向の一部であるブロックの信号線を順次駆動す
る。
【0047】一方、コントローラCTRLは、クロック
CPH2と入力信号DI/021とをゲートドライバG
D1,・・,GDpへ供給する。これらの信号に基づい
て、ゲートドライバGD1,・・,GDpのそれぞれ
は、液晶パネルLCDPのゲート線を駆動するために必
要な電圧信号を液晶パネルLCDPへ出力する。
【0048】図10は、ソースドライバSD1,・・,
SDqのそれぞれの詳細な構成の主要部を示すブロック
図である。図10において、Gは、シフトレジスタであ
り、外部のコントローラCTRLから供給されるシフト
パルスDI/011を、転送クロックCPH1に同期さ
せて順にシフトさせる。
【0049】Hは、複数のデータラッチ回路(本例で
は、64個)であり、シフトレジスタGの各出力端から
出力されたシフトパルスに同期させて、デジタル諧調デ
ータDATA(上述したように、本例では6ビットのデ
ータとする)をラッチする。
【0050】Lは、ロードラッチ回路であり、64個の
データラッチ回路Hの出力を、ロード信号LOADに同
期させてラッチする。Jは、レベルシフタであり、ロー
ドラッチ回路Iの出力のレベルを変換する。
【0051】ロードラッチ回路Iからの各出力信号S
1,・・,S64は、図7において縦に配列された64
個のデコーダ+スイッチ群(一例をあげればX1〜X6
4)毎に供給される。これは、ソースドライバの通常動
作である。
【0052】尚、後述する配線ショートチェックの場
合、コントローラCTRLから、各ソースドライバSD
1〜SDqに共通に供給されるのは、テスト信号(例え
ば、ハイレベルのパルス)のみである。そしてこのテス
ト信号Tは、図7において縦に配列された64個のデコ
ーダ+スイッチ群(一例をあげればX1〜X64)毎に
供給される。
【0053】図7において、配線A1〜A64は、液晶
パネルLCDPへの出力配線である。配線B1〜B64
は、電圧供給配線である。図7において、F1〜F64
は、オペアンプであり、バイアス回路Eから供給するバ
イアスで動作する。図7に示す如く、各オペアンプF1
〜F64の非反転入力端に、電圧源V0とV1と抵抗R
1〜R63で決まる電圧が供給され、それの反転入力端
は、自己の出力端(配線B)に接続されている。
【0054】各Xは、デコーダ+スイッチからなる。破
線によるマルで囲まれたXの構成は、同一である。図7
において、その破線によるマルで囲まれたXは、第1の
実施例と同様に千鳥状に配置されている。例えば破線に
よるマルで囲まれたX1の構成例を、図8に示す。
【0055】X1は、デコーダD1aと、スッチ(Pチ
ャンネルMOSトランジスタM1、NチャンネルMOS
トランジスタM2、インバータI1)とからなる。トラ
ンジスタM1とM2の接続されたソース(またはドレイ
ン)は、配線B1に接続され、それらの接続されたドレ
イン(またはソース)は、配線A1に接続されている。
トランジスタM1のゲートは、デコーダD1aの出力端
に接続されている。トランジスタM2のゲートは、イン
バータI1を介して、デコーダD1aの出力端に接続さ
れている。
【0056】デコーダD1aは、第1の実施例で説明し
た基本構成デコーダである。デコーダD1aの入力端に
は、液晶表示装置動作時、信号S1が供給される。その
信号S1のデータ内容がこのデコーダD1aに該当する
場合、ローレベルの信号を出力する。これにより、トラ
ンジスタM1とM2はオンし、配線B1と配線A1を接
続する。
【0057】また配線ショートチェックとしてテスト信
号Tが入力され場合、デコーダD1aは、ローレベルの
信号を出力する。これにより、トランジスタM1とM2
はオンし、この場合も配線B1と配線A1を接続する。
【0058】図7において、破線によるマルで囲まれて
いない各Xは、図8に示したと同様な構成からなる。異
なるのは、デコーダが、第1の実施例で説明した変形デ
コーダとなっていることである。
【0059】液晶表示装置動作時は、問題なく変形デコ
ーダは動作する。しかしながら、配線ショートチェック
としてテスト信号Tが入力された場合、変形デコーダ
は、スイッチを構成するPチャンネルMOSトランジス
タとNチャンネルMOSトランジスタのゲートに何ら信
号を与えない。
【0060】次に、図7の構成において、一括配線ショ
ートチェックが可能なことを説明する。バイアス回路E
から、各オペアンプF1〜F64に対するバイアス供給
を停止して、配線B1〜B64を全てオープンにする。
そして、配線A1に0Vを、配線A2に5Vを印加す
る。他の配線A3〜A64は、オープンにする。
【0061】この時、図2と図3の現象により、配線A
1と配線A2間にリーク電流が流れれ、その電流値によ
り、A層の配線間、またはB層の配線間、またはA層の
配線間およびB層の配線間でショートがおこっていると
一括判定できる。
【0062】(第2の実施例)図4に、本発明のLSI
の第2の実施例の構成の一部を示す。本実施例は、不具
合配線場所特定を可能にするLSIである。説明の都合
上、配線はA層と、このA層と直交するB層とし、A層
にはn本(nは0以外の整数)の金属配線A1〜Anが
並列に配置され、B層にはm本(mは0以外の整数)の
金属配線B1〜Bmが並列に配置されている。
【0063】例えば、図4のように、にA層には、64
本の金属配線A1〜A64が並列に配列され、同様に、
B層には64本の金属配線B1〜B64が並列に配列さ
れているとする。そして、各配線Aと各配線Bの交差場
所には、1個のスイッチが配置されている。スイッチの
個数は、64×64=4096個である。
【0064】各スイッチの動作を制御するデコーダが1
個配置されている。つまり64×64=4096個のデ
コーダが配置されている。
【0065】ところで本実施例は、従来と同様、図4に
おいて配線A1〜A64の各配線に沿って縦に配列され
た64個からなるデコーダ群(一例をあげればD1a〜
D64a)毎に供給される信号S1〜S64は、デコー
ダ群は64個(B層の配線が64本)であるため、それ
ぞれ6ビットの信号となる。
【0066】本実施例でも、第1の実施例で述べた基本
構成デコーダと変形デコーダを使用するが、配置方法
が、第1の実施例と異なる。
【0067】基本構成デコーダは、A層の各配線A1〜
A64と、B層の各配線B1〜B64が始めて交差する
場所に、上記基本構成デコーダを配置する。つまり、配
線A1と配線B1が交差する場所,配線A2と配線B2
が交差する場所,配線A3と配線B3が交差する場所,
・・,配線Akと配線Bkが交差する場所,・・,配線
A64と配線B64が交差する場所に、上記基本構成デ
コーダD1a,D102a,D203a,D304a,
・・を配置する。
【0068】それ以外の場所には、上記変形デコーダを
配置する。図4で図示される限りでは、図1と異なり、
デコーダD3b,D104b,D201b,D302b
は、上記変形デコーダに置き換えられている。
【0069】次に、配線がショートしているか否かのチ
ェックをする。各64個のデコーダ群毎にテスト信号
(例えば、ハイ信号)Tを供給する。これにより、上記
基本構成デコーダは、対応するスイッチをオンする制御
信号をそのスイッチに供給する。
【0070】次に図4に示すように、配線A1に0Vを
印加し、配線A2に5Vを印加する。他の配線A3〜A
64、B1〜B64は、オープンにする。
【0071】配線A1は配線B1とショートし、配線A
2は配線B2がショートしているだけであるから、配線
A2と配線A1の間でリーク電流が流れないなら、配線
B1と配線B2には配線ショートがおこっていないと判
定できる。
【0072】次に、図5に示すように、配線A3に0V
を印加し、配線A4に5Vを印加する。他の配線A1,
A2,A5〜A64,B1〜B64は、オープンにす
る。配線B3と配線B4が、LSI製造中に混入された
異物(抵抗Rに置き換えられる)によりショートされて
いるとする。
【0073】この場合、配線A4→スイッチ304→配
線B4→抵抗R→配線B3→スイッチ203→配線A3
の経路でリーク電流が流れ、その電流値で、配線B3と
配線B4がショートしていると判定できる。
【0074】次に、図6に示すように、配線B3に0V
を印加し、配線B4に5Vを印加する。他の配線A1〜
A64、配線B1,B2,B5〜B64は、オープンに
する。配線A3と配線A4が、LSI製造中に混入され
た異物(抵抗Rに置き換えられる)によりショートされ
ているとする。
【0075】この場合、配線B4→スイッチ304→配
線A4→抵抗R→配線A3→スイッチ203→配線B3
の経路でリーク電流が流れ、その電流値で、配線A3と
配線A4がショートしていると判定できる。
【0076】以上、従来と異なり、1ビット分のテスト
信号の供給だけに応じて不具合配線場所を簡単に特定で
きる。
【0077】尚上記変形デコーダの代わりとして、6ビ
ットの信号のみを受け、テスト信号T入力端およびテス
ト信号Tに応答する回路構成のないデコーダを採用して
もよい。更に各スイッチ毎にデコーダを配置している
が、図4においてて縦に配置された64個のデコーダ群
(一例をあげればD1a〜D64a)の代わりに、回路
構成を工夫して1個のデコーダで対応してもよい。更
に、デコーダの代わりに、マイコンを使用して、各スイ
ッチのオン・オフを制御してもよい。
【0078】本実施例を、図7に示すような液晶表示装
置の階層AMP方式のTFTソースドライバに適用する
ことが考えられる。この場合、配線B1〜B64,各配
線B1からB64に電圧を供給するオペアンプF1〜F
64,バイアス回路E,抵抗R1〜R63,電流源V0
とV1は、LSI内に有るため、B層の配線B1〜B6
4をオープンにすることは上述したように可能である
が、B層の配線B1〜B64に任意に電圧を印加するこ
とは出来ない。任意に電圧を印加出来るのは、配線A1
〜A64だけである。
【0079】従って、B層の配線の不具合個所だけは判
定できる。
【0080】
【発明の効果】以上発明のLSIによれば、比較的簡単
に一括配線ショートチェックや不具合個所を特定でき
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】図1は、本発明のLSIの第1の実施例の構成
の一部を示す図である。
【図2】図1のLSIのB層の配線間でショートが起こ
っていることを一括チェックできることを説明するため
の図である。
【図3】図1のLSIのA層の配線間でショートが起こ
っていることを一括チェックできることを説明するため
の図である。
【図4】本発明のLSIの第2の実施例の構成の一部を
示すとともに、配線B1と配線B2間がショートしてな
いことを説明するための図である。
【図5】図4のLSIのB層の不具合個所を特定できる
ことを説明するための図である。
【図6】図4のLSIのA層の不具合個所を特定できる
ことを説明するための図である。
【図7】本発明の第1の実施例を、液晶表示装置の諧調
AMP方式のTFTソースドライバに適用した場合の図
である。
【図8】図7のX1(デコーダ+スイッチ)の構成を示
す図である。
【図9】本発明の第1の実施例が適用される液晶表示装
置の全体構成を示す図である。
【図10】図9の各ソースドライバの構成の主要部を示
すブロック図である。
【図11】従来のLSIの構成の一部を示す図である。
【符号の説明】
D1a,D3a,D102a,D104a,D201
a,D203a,D302a,D304a・・基本構成
デコーダ、 D2a,D4a,D101a,D103a,D202
a,D204a,D301a,D303a,D3b,D
104b,D201b,D302b・・変形デコーダ、 1〜4,101〜104,201〜204,301〜3
04・・スイッチ、 A1〜A4,B1〜B4・・金属配線。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 南崎 浩徳 神奈川県川崎市幸区小向東芝町1番地 株 式会社東芝マイクロエレクトロニクスセン ター内 Fターム(参考) 2G014 AA03 AA25 AB59 AC09 5F033 UU01 VV12 XX37 5F038 AV13 CD05 CD16 DF01 DF17 DT02 DT04 DT12 EZ08 EZ20 5F064 BB16 BB31 EE12 EE16 EE22 EE26 FF12 FF24 FF36 FF45

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 並列に配置された少なくとも2本の配線
    からなる第1の層と、 前記第1層の配線と直交し、並列に配置された少なくと
    も2本の配線からなる第2の層と、 前記第1と第2の層の各配線が交差する場所に配置さ
    れ、オンすることにより前記第1の層の配線と第2の層
    の配線を接続することになる複数のスイッチ手段と、 通常動作時、入力信号を受けてその入力信号に該当する
    前記スイッチ手段をオンし、配線ショートチェックのた
    め供給されるテスト信号を受けて、千鳥状に配置された
    前記スイッチ手段をオンする制御手段と、を具備したこ
    とを特徴とする大規模半導体集積回路。
  2. 【請求項2】 前記制御手段は、前記千鳥状に配置され
    た前記各スイッチ手段に対応して配置された複数の基準
    構成デコーダを具備し、 前記基準構成デコーダは、前記入力信号と前記テスト信
    号を受ける入力端を有し、前記入力信号が供給された
    時、その入力信号の内容が自己に対応する前記スイッチ
    手段をオンさせるべき時は、前記スイッチ手段をオンさ
    せる制御信号をそのスイッチ手段に供給し、前記テスト
    信号が供給された時、自己に対応する前記スイッチ手段
    をオンさせる前記制御信号をそのスイッチ手段に供給す
    ることを特徴とする請求項1に記載の大規模半導体集積
    回路。
  3. 【請求項3】 並列に配置された少なくとも2本の配線
    からなる第1の層と、 前記第1層の配線と直交し、並列に配置された少なくと
    も2本の配線からなる第2の層と、 前記第1と第2の層の各配線が交差する場所に配置さ
    れ、オンすることにより前記第1の層の配線と第2の層
    の配線を接続することになる複数のスイッチ手段と、 通常動作時、入力信号を受けてその入力信号に該当する
    前記スイッチ手段をオンし、配線ショートチェックのた
    め供給されるテスト信号を受けて、前記第1の層の各配
    線と前記第2の層の各配線とが最初に交差する個所の前
    記スイッチ手段をオンする制御手段と、を具備したこと
    を特徴とする大規模半導体集積回路。
  4. 【請求項4】 前記制御手段は、前記第1の層の各配線
    と前記第2の層の各配線とが最初に交差する個所に配置
    された複数の基準構成デコーダを具備し、 前記基準構成デコーダは、前記入力信号と前記テスト信
    号を受ける入力端を有し、前記入力信号が供給された
    時、その入力信号の内容が自己に対応する前記スイッチ
    手段をオンさせるべき時は、前記スイッチ手段をオンさ
    せる制御信号をそのスイッチ手段に供給し、前記テスト
    信号が供給された時、自己に対応する前記スイッチ手段
    をオンさせる前記制御信号をそのスイッチ手段に供給す
    ることを特徴とする請求項3に記載の大規模半導体集積
    回路。
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