JP2003092326A5 - - Google Patents

Description

【００１４】
すなわち、超臨界流体は高圧処理部を構成し用いることで、様々な洗浄・乾燥工程等に利用することが可能である。よって、従来の処理部と組み合わせて基板処理装置を構成することが考えられる。

【００２３】
第３の発明によれば、湿式処理部から高圧流体処理部へ直接移動する構成部はなく、被洗浄体である基板のみが基板搬送部によって搬送され、湿式処理による残留液体、雰囲気等を高圧処理部に持ち込まれないため、さらに処理効果の高い高圧流体処理を行うことができる。

【００３５】
ウェハＷが搬入された洗浄・乾燥処理部７は、ウェハＷに対して洗浄・乾燥処理を行い（ステップＳ１０５）、洗浄・乾燥処理終了後、ウェハＷがアーム６ｂによって搬出される（ステップＳ１０６）。搬送機構５は、アーム６ｂを用いてウェハＷを位置Ｐａに移動させ（ステップＳ１０７）、インデクサロボット３のハンド４ｂにウェハＷを受け渡す。インデクサロボット３は、搬送機構５から受け渡されたウェハＷを、ハンド４ｂを用いてカセット２に収納する（ステップＳ１０８）。

【００４０】
次に、ＳＣＦ処理チャンバ２０について説明する。図３（ｂ）において、チャンバ２１は、側壁下部が可動カバー１２の上面外周部と同じ形状で形成されており、前述したように可動カバー１２がエレベータ３０の上昇動作によりＺ方向に移動したとき、可動カバー１２とチャンバ２１の上記側壁下部とがＯリング２３を介して接合するように配置されている。また、可動カバー１２は、チャンバ２１と接合後、カバーロック２２でＺ方向にＳＣＦ処理チャンバ２０内部の圧力上昇によって動かないようにロックされる。このようにして、ＳＣＦ処理チャンバ２０の内部には、ＳＣＦの流動に必要な圧力が保持される。なお、テフロンベローズ１５は、可動カバー１２の上昇時も、その伸縮性によって可動カバー１２の下部とチャンバ１１の内部との間をシールした状態と保持している。

【００４５】
次に、カバー１６がチャンバ１１の上部開口部を閉じ、ウェット処理チャンバ１０が閉鎖される（ステップＳ２０３）。そして、ウェット処理チャンバ１０の内部で、予め設定されたウェット処理がウェハＷに対して施される（ステップＳ２０４）。なお、必要に応じて、ウェハＷに対しての洗浄能力を上げるために、モータ部１３によってウェハ保持部１４を回転させることによりウェハＷを回転させたり、ウェハＷに対して乾燥処理を行うために、モータ部１３によってウェハ保持部１４を高速回転させることによりウェハＷを高速回転させたりしてもよい。

【００４９】
このように、第１の実施形態に係る基板処理装置では、湿式処理と高圧処理とを組み合わせた複数の基板処理を行うことができ、ウェット処理チャンバ１０とＳＣＦ処理チャンバ２０とを上下に配置することにより基板処理装置１の同一ポジションに配置できるため、基板処理装置１の省スペース化が実現できる。また、ウェット処理チャンバ１０からＳＣＦ処理チャンバ２０への基板の移送は、エレベータ３０の上昇動作で行われるため、搬送距離および時間が短縮され、基板処理装置の処理能力を向上できる。さらに、ウェット処理チャンバ１０からＳＣＦ処理チャンバ２０への搬送時間が処理性能に影響を与える処理に対しては、さらに処理効果が期待できる。

【００５２】
当該基板処理装置における洗浄・乾燥処理部７の構造について説明する。図５は、当該基板処理装置に係る洗浄・乾燥処理部７の構成を示す簡素化した側断面図である。なお、図５（ａ）は洗浄・乾燥処理部７でウェハＷがウェット処理される状態を示し、図５（ｂ）は洗浄・乾燥処理部７でウェハＷがＳＣＦ処理される状態を示している。また、それぞれの図は、説明を簡単にするために、ウェハＷの搬送に関連する構成を示し、他の構成については省略して示している。以下、図５を参照して、洗浄・乾燥処理部７の構造について説明する。