JP2003092258A - ウェハ処理システムおよびウェハ処理方法 - Google Patents
ウェハ処理システムおよびウェハ処理方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ウェハチャック上に配置されたウェハがリソ
グラフィーにて露光を受けたときに、フォーカススポッ
ト出現を信頼性を以って回避すること。 【解決手段】 ウェハホルダは、最小面積にて接触する
１組のウェハ支持部材（２１）を有し、ウェハ支持部材
（２１）は、ウェハ（１０）の平坦なウェハ表面（１
１）上に支持部材との接触部位（１２）が予め定めら
れ、ウェハチャック（１）は、上記平坦なウェハ表面
（１１）と接触するウェハ支持領域（２）を有し、ウェ
ハ支持領域（２）は、陥没部（３）を含む。上記陥没部
（３）は、予め定められた位置（４）に割り当てられ、
予め定められた位置（４）は、上記ウェハの下側の面
（１１）の支持部材との接触部位（１２）に対応する。
グラフィーにて露光を受けたときに、フォーカススポッ
ト出現を信頼性を以って回避すること。 【解決手段】 ウェハホルダは、最小面積にて接触する
１組のウェハ支持部材（２１）を有し、ウェハ支持部材
（２１）は、ウェハ（１０）の平坦なウェハ表面（１
１）上に支持部材との接触部位（１２）が予め定めら
れ、ウェハチャック（１）は、上記平坦なウェハ表面
（１１）と接触するウェハ支持領域（２）を有し、ウェ
ハ支持領域（２）は、陥没部（３）を含む。上記陥没部
（３）は、予め定められた位置（４）に割り当てられ、
予め定められた位置（４）は、上記ウェハの下側の面
（１１）の支持部材との接触部位（１２）に対応する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ウェハホルダおよ
びウェハチャックを含むウェハ処理システムに関する。
また、本発明は、ウェハホルダとウェハチャックとの間
のウェハを移動させるウェハ処理方法にも関する。
びウェハチャックを含むウェハ処理システムに関する。
また、本発明は、ウェハホルダとウェハチャックとの間
のウェハを移動させるウェハ処理方法にも関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体製品を製造する際、半導体ウェハ
を処理して、その半導体ウェハ上に集積回路を形成す
る。単一のウェハに対し、およそ数百の処理工程が複数
の処理器具を用いて行われる。
を処理して、その半導体ウェハ上に集積回路を形成す
る。単一のウェハに対し、およそ数百の処理工程が複数
の処理器具を用いて行われる。
【０００３】ウェハ処理では、集積回路構造を規定する
ためのいくつかの処理工程の間、ウェハを極めて高精度
に位置決めする必要がある。特に、リソグラフィーの露
光工程では、リソグラフィー器具中にウェハを極めて精
度良く位置決めすることが、ウェハ上に先行して設けら
れた集積構造とのアライメントを十分にする点において
大変重要となる。
ためのいくつかの処理工程の間、ウェハを極めて高精度
に位置決めする必要がある。特に、リソグラフィーの露
光工程では、リソグラフィー器具中にウェハを極めて精
度良く位置決めすることが、ウェハ上に先行して設けら
れた集積構造とのアライメントを十分にする点において
大変重要となる。
【０００４】ウェハを位置決めする工程は、ウェハ位置
を横方向に正しく調節する工程を含む。このような工程
は通常はステッパーによって達成され、ステッパーは、
リソグラフィー器具中で行われる複数回の露光において
用いられる。
を横方向に正しく調節する工程を含む。このような工程
は通常はステッパーによって達成され、ステッパーは、
リソグラフィー器具中で行われる複数回の露光において
用いられる。
【０００５】さらに、ウェハの位置決めを高精度に行う
ためには、ウェハ位置を平面のウェハ表面に対して垂直
方向に十分制御する必要もある。リソグラフィー工程の
間にこの方向から各ウェハを露光させると、当該ウェハ
と露光ビームソースとの間の距離（または露光中にウェ
ハを水平方向に配置する場合は、当該ウェハの垂直位
置）により、フォーカス制御が多大な影響を受ける。所
定位置からの露光を受けるウェハの上側面の垂直位置が
少しでもずれると、焦点はずれの原因となり、その結
果、リソグラフィー構造の製造工程における低品質化の
原因にもなる。ウェハがこのような露光工程を受けた場
合、そのウェハは、既存の集積構造に対して重要寸法の
点でまたはアライメントの点で不良であるとの理由のた
め、不合格となることが多い。
ためには、ウェハ位置を平面のウェハ表面に対して垂直
方向に十分制御する必要もある。リソグラフィー工程の
間にこの方向から各ウェハを露光させると、当該ウェハ
と露光ビームソースとの間の距離（または露光中にウェ
ハを水平方向に配置する場合は、当該ウェハの垂直位
置）により、フォーカス制御が多大な影響を受ける。所
定位置からの露光を受けるウェハの上側面の垂直位置が
少しでもずれると、焦点はずれの原因となり、その結
果、リソグラフィー構造の製造工程における低品質化の
原因にもなる。ウェハがこのような露光工程を受けた場
合、そのウェハは、既存の集積構造に対して重要寸法の
点でまたはアライメントの点で不良であるとの理由のた
め、不合格となることが多い。
【０００６】製品の小型化および集積化が進むにつれ、
露光波長が短くなり、それに応じて、各波長について達
成することが可能なフォーカス深さも短くなってきてい
る。現在のリソグラフィー器具が生成する露光の波長
は、ＵＶ範囲において２４８ｎｍまたは１９３ｎｍであ
る。このようなサブミクロン範囲において操作を行うた
めには、ウェハを当該ウェハ表面に対して垂直方向に高
精度に位置決めすることが必要となる。
露光波長が短くなり、それに応じて、各波長について達
成することが可能なフォーカス深さも短くなってきてい
る。現在のリソグラフィー器具が生成する露光の波長
は、ＵＶ範囲において２４８ｎｍまたは１９３ｎｍであ
る。このようなサブミクロン範囲において操作を行うた
めには、ウェハを当該ウェハ表面に対して垂直方向に高
精度に位置決めすることが必要となる。
【０００７】リソグラフィー器具中において、ウェハチ
ャックを用いてウェハの裏面をウェハの下側から支持す
ることにより、露光対象となるウェハの上側の面の高さ
を調節する。ウェハチャックは、ウェハを受け入れるた
めのウェハ支持領域を有し、ウェハの下側の平面と接触
するように構成される。このウェハ支持領域の断面は、
支持対象となる平坦なウェハ表面の円周内の面積と実質
的に等しい。
ャックを用いてウェハの裏面をウェハの下側から支持す
ることにより、露光対象となるウェハの上側の面の高さ
を調節する。ウェハチャックは、ウェハを受け入れるた
めのウェハ支持領域を有し、ウェハの下側の平面と接触
するように構成される。このウェハ支持領域の断面は、
支持対象となる平坦なウェハ表面の円周内の面積と実質
的に等しい。
【０００８】ウェハがウェハチャック上に配置される
と、そのウェハの高さは、チャックの高さまたはチャッ
クのウェハ支持領域によってそれぞれ予め定められるこ
とが多い。しかし、ウェハの裏面には、先行する複数の
処理工程の間、極めて微細な突起部または隆起部が意図
せずに生じる場合が多い。このような不規則性は、様々
な処理工程が原因となって発生し得る。このような隆起
部が主に発生するのは、高温の炉において高温拡散処理
および高温堆積処理を行った場合である。
と、そのウェハの高さは、チャックの高さまたはチャッ
クのウェハ支持領域によってそれぞれ予め定められるこ
とが多い。しかし、ウェハの裏面には、先行する複数の
処理工程の間、極めて微細な突起部または隆起部が意図
せずに生じる場合が多い。このような不規則性は、様々
な処理工程が原因となって発生し得る。このような隆起
部が主に発生するのは、高温の炉において高温拡散処理
および高温堆積処理を行った場合である。
【０００９】高温の炉中のウェハの下側表面の接触部分
上に隆起部を生成する原因となる要素は少なくとも２つ
ある。
上に隆起部を生成する原因となる要素は少なくとも２つ
ある。
【００１０】第一に、両側からアクセスすることが可能
なウェハに物質を堆積させる際、当該物質の堆積速度
は、当該物質がウェハ裏面の支持部材との接触部位に近
接するにつれて上昇する。処理ガスの流れは、これらの
ウェハの支持部材との接触部位と、これらの接触部位に
おいてウェハを支持する支持部材との近隣に来ると、少
なくとも支持部材（例えば、指状の石英部材）の存在に
よって妨害される。その結果、接触エリア近隣において
堆積速度が上昇することとなり得る。
なウェハに物質を堆積させる際、当該物質の堆積速度
は、当該物質がウェハ裏面の支持部材との接触部位に近
接するにつれて上昇する。処理ガスの流れは、これらの
ウェハの支持部材との接触部位と、これらの接触部位に
おいてウェハを支持する支持部材との近隣に来ると、少
なくとも支持部材（例えば、指状の石英部材）の存在に
よって妨害される。その結果、接触エリア近隣において
堆積速度が上昇することとなり得る。
【００１１】第二に、シリコンウェハそのものが石英指
部に対して熱膨張すると、石英指部先端が下側のウェハ
表面に対して横方向に移動するため、擦傷が発生し得
る。現在の高温拡散プロセスの場合、１０００℃以上の
温度が必要であるため、熱膨張が発生すると比較的大き
な移動が生じる。さらには、現在用いられている３００
ｍｍのウェハは重量が比較的重く、その重量により、石
英指部の先端上に高圧がかかる。ウェハが熱膨張してい
る間にその熱膨張が原因となってウェハ位置が石英指部
に対して相対移動すると、ウェハ面の下側に対して石英
指部が移動することにより擦傷が発生する。このような
擦傷は、擦傷の両側にある盛り上がった壁部によって包
囲される。３００ｍｍのウェハの重量により、石英指部
先端からウェハの下側の面に向かって比較的高圧が発生
し、その結果、擦傷は深くなり、それに近接する盛り上
がった壁部もさらに盛り上がる。
部に対して熱膨張すると、石英指部先端が下側のウェハ
表面に対して横方向に移動するため、擦傷が発生し得
る。現在の高温拡散プロセスの場合、１０００℃以上の
温度が必要であるため、熱膨張が発生すると比較的大き
な移動が生じる。さらには、現在用いられている３００
ｍｍのウェハは重量が比較的重く、その重量により、石
英指部の先端上に高圧がかかる。ウェハが熱膨張してい
る間にその熱膨張が原因となってウェハ位置が石英指部
に対して相対移動すると、ウェハ面の下側に対して石英
指部が移動することにより擦傷が発生する。このような
擦傷は、擦傷の両側にある盛り上がった壁部によって包
囲される。３００ｍｍのウェハの重量により、石英指部
先端からウェハの下側の面に向かって比較的高圧が発生
し、その結果、擦傷は深くなり、それに近接する盛り上
がった壁部もさらに盛り上がる。
【００１２】このような不規則性が発生すると、ウェハ
裏面の平坦性が低下し、ウェハがウェハチャック上に配
置されると、ウェハ位置からウェハ表面に対して垂直方
向において、ウェハ位置に不良アライメントが生じる。
その結果、リソグラフィーによる露光が行われている
間、焦点はずれが発生する。
裏面の平坦性が低下し、ウェハがウェハチャック上に配
置されると、ウェハ位置からウェハ表面に対して垂直方
向において、ウェハ位置に不良アライメントが生じる。
その結果、リソグラフィーによる露光が行われている
間、焦点はずれが発生する。
【００１３】一方、ウェハチャックによって支持される
ウェハの高さからのずれ全体は、ウェハチャックを適切
に位置決めすることによって修正することが可能である
が、ウェハ位置の不良アライメントが局所的に発生した
場合、そのような修正は不可能である。
ウェハの高さからのずれ全体は、ウェハチャックを適切
に位置決めすることによって修正することが可能である
が、ウェハ位置の不良アライメントが局所的に発生した
場合、そのような修正は不可能である。
【００１４】ウェハ材料（例えば、シリコンまたは別の
金属）は弾性を持つため、その下側の面上に極めて微細
な隆起部を有するウェハをウェハチャック上に配置する
と、そのウェハは少し変形した状態となる。極めて微細
な隆起部で被覆されたウェハ表面領域およびその近隣で
は、そのウェハの上側表面は、その上側表面の周囲の部
分と比較してわずかに盛り上がっている。
金属）は弾性を持つため、その下側の面上に極めて微細
な隆起部を有するウェハをウェハチャック上に配置する
と、そのウェハは少し変形した状態となる。極めて微細
な隆起部で被覆されたウェハ表面領域およびその近隣で
は、そのウェハの上側表面は、その上側表面の周囲の部
分と比較してわずかに盛り上がっている。
【００１５】ウェハの下側の面上の隆起部はウェハをウ
ェハチャックから局所的に持ち上げるのに対し、これら
の隆起部から離れた場所では、ウェハ表面はわずかに凹
状に変形してウェハチャック上に配置され、チャックの
ウェハ支持領域と直接接触する。
ェハチャックから局所的に持ち上げるのに対し、これら
の隆起部から離れた場所では、ウェハ表面はわずかに凹
状に変形してウェハチャック上に配置され、チャックの
ウェハ支持領域と直接接触する。
【００１６】その結果、ウェハが露光されると、そのウ
ェハの裏面隆起部の横方向位置において、焦点はずれの
局所的領域（いわゆるフォーカススポット）が発生す
る。このようなフォーカススポットのエリアでは、ウェ
ハの上側面は、焦点深度から外れた状態となる。その結
果、いくつかの半導体製品が不合格となるため、ウェハ
表面が無駄になる。
ェハの裏面隆起部の横方向位置において、焦点はずれの
局所的領域（いわゆるフォーカススポット）が発生す
る。このようなフォーカススポットのエリアでは、ウェ
ハの上側面は、焦点深度から外れた状態となる。その結
果、いくつかの半導体製品が不合格となるため、ウェハ
表面が無駄になる。
【００１７】ウェハ裏面を洗浄することによってこの問
題を解消としようとする様々な試みが行われているが、
これらの洗浄方法のいずれを用いても、ウェハ裏面から
隆起部を除去することはできていない。
題を解消としようとする様々な試みが行われているが、
これらの洗浄方法のいずれを用いても、ウェハ裏面から
隆起部を除去することはできていない。
【００１８】ウェハチャック上のウェハを回転させた
後、フォーカススポットが消失する場合がしばしばある
ということが知られている。真空チャック（例えば、リ
ングチャックまたはピンチャック）の場合、チャックの
ウェハ支持領域は、複数のピンまたは複数の同軸リング
で形成され、ウェハ裏面と接触する接触エリアを形成す
る。ウェハをこのような真空チャック上に配置した場合
に複数のピンまたは複数のリングのうちの１つの上に隆
起部が発生すると、フォーカススポットが現れる。その
ような隆起部が近隣の複数のピンまたは複数のリング間
のみにある場合、フォーカススポットは消失する。
後、フォーカススポットが消失する場合がしばしばある
ということが知られている。真空チャック（例えば、リ
ングチャックまたはピンチャック）の場合、チャックの
ウェハ支持領域は、複数のピンまたは複数の同軸リング
で形成され、ウェハ裏面と接触する接触エリアを形成す
る。ウェハをこのような真空チャック上に配置した場合
に複数のピンまたは複数のリングのうちの１つの上に隆
起部が発生すると、フォーカススポットが現れる。その
ような隆起部が近隣の複数のピンまたは複数のリング間
のみにある場合、フォーカススポットは消失する。
【００１９】しかし、この方法に従うと、ウェハが上記
のように局所的に持ち上がる問題を解消できる可能性は
偶然に頼るしかなく、フォーカススポットの出現を調査
するためにさらなる努力が必要となってくる。
のように局所的に持ち上がる問題を解消できる可能性は
偶然に頼るしかなく、フォーカススポットの出現を調査
するためにさらなる努力が必要となってくる。
【００２０】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、ウェ
ハチャック上に配置されたウェハがリソグラフィーにて
露光を受けたときに、フォーカススポット出現を信頼性
を以って回避することである。
ハチャック上に配置されたウェハがリソグラフィーにて
露光を受けたときに、フォーカススポット出現を信頼性
を以って回避することである。
【００２１】
【課題を解決するための手段】本発明は、ウェハホルダ
（２０）およびウェハチャック（１）を備えるウェハ処
理システムであって、上記ウェハホルダ（２０）は、最
小面積にて接触する１組のウェハ支持部材（２１）を有
し、上記最小面積にて接触する１組のウェハ支持部材
（２１）は、ウェハ（１０）の平坦なウェハ表面（１
１）上に支持部材との接触部位（１２）を予め定め、上
記ウェハチャック（１）は上記ウェハ（１０）を支持す
るウェハ支持領域（２）を有し、上記ウェハ支持領域
（２）は、上記平坦なウェハ表面（１１）と接触するよ
うに構成され、上記ウェハホルダ（２０）および上記ウ
ェハチャック（１）は、互いに相対する位置を有し、上
記相対位置は、水平方向に伸びる距離を含み、上記ウェ
ハチャック（１）は、予め定められた位置（４）に割り
当てられた陥没部（３）を備え、上記予め定められた位
置（４）は、上記最小面積にて接触するウェハ支持部材
（２１）によって予め定められた平坦なウェハ表面（１
１）の支持部材との接触部位（１２）に対応し、上記ウ
ェハを上記ウェハホルダ（２０）と上記ウェハチャック
（１）との間で移動させるウェハ移送手段（３０）を備
え、上記ウェハホルダ（２０）と上記ウェハチャック
（１）との間で移送されるウェハ（１０）の回転位置を
調節して、これにより、上記平坦なウェハ表面（１１）
と上記ウェハチャック（１）のウェハ支持領域（２）と
が接触したときに上記平坦なウェハ表面（１１）の支持
部材との接触部位（１２）が上記ウェハチャック（１）
の陥没部（３）上に設けられるようにする回転位置調節
手段（３１）をさらに備え、これにより上記目的が達成
される。
（２０）およびウェハチャック（１）を備えるウェハ処
理システムであって、上記ウェハホルダ（２０）は、最
小面積にて接触する１組のウェハ支持部材（２１）を有
し、上記最小面積にて接触する１組のウェハ支持部材
（２１）は、ウェハ（１０）の平坦なウェハ表面（１
１）上に支持部材との接触部位（１２）を予め定め、上
記ウェハチャック（１）は上記ウェハ（１０）を支持す
るウェハ支持領域（２）を有し、上記ウェハ支持領域
（２）は、上記平坦なウェハ表面（１１）と接触するよ
うに構成され、上記ウェハホルダ（２０）および上記ウ
ェハチャック（１）は、互いに相対する位置を有し、上
記相対位置は、水平方向に伸びる距離を含み、上記ウェ
ハチャック（１）は、予め定められた位置（４）に割り
当てられた陥没部（３）を備え、上記予め定められた位
置（４）は、上記最小面積にて接触するウェハ支持部材
（２１）によって予め定められた平坦なウェハ表面（１
１）の支持部材との接触部位（１２）に対応し、上記ウ
ェハを上記ウェハホルダ（２０）と上記ウェハチャック
（１）との間で移動させるウェハ移送手段（３０）を備
え、上記ウェハホルダ（２０）と上記ウェハチャック
（１）との間で移送されるウェハ（１０）の回転位置を
調節して、これにより、上記平坦なウェハ表面（１１）
と上記ウェハチャック（１）のウェハ支持領域（２）と
が接触したときに上記平坦なウェハ表面（１１）の支持
部材との接触部位（１２）が上記ウェハチャック（１）
の陥没部（３）上に設けられるようにする回転位置調節
手段（３１）をさらに備え、これにより上記目的が達成
される。
【００２２】上記ウェハチャック（１）の陥没部（３）
は、上記ウェハ支持領域（２）の中心の周囲において対
称に割り当てられる。
は、上記ウェハ支持領域（２）の中心の周囲において対
称に割り当てられる。
【００２３】上記陥没部（３ａ）は、上記ウェハ支持領
域（２）において円形の断面を有する。
域（２）において円形の断面を有する。
【００２４】上記陥没部（３）の断面の直径は５〜１５
ｍｍである。
ｍｍである。
【００２５】上記陥没部（３ｂ）は、上記ウェハ支持領
域（２）において楕円断面を有する。
域（２）において楕円断面を有する。
【００２６】上記ウェハチャック（１）は３対の陥没部
（３ｃ）を備え、各対の陥没部（３ｃ）は両方とも互い
に隣接して割り当てられ、上記３対の陥没部（３ｃ）
は、上記ウェハ支持領域（２）の中心の周囲に対称に割
り当てられる。
（３ｃ）を備え、各対の陥没部（３ｃ）は両方とも互い
に隣接して割り当てられ、上記３対の陥没部（３ｃ）
は、上記ウェハ支持領域（２）の中心の周囲に対称に割
り当てられる。
【００２７】上記陥没部（３）の上記ウェハ支持領域
（２）からの深さは１０〜１００μｍである。
（２）からの深さは１０〜１００μｍである。
【００２８】上記ウェハチャック（１）は真空チャック
である。
である。
【００２９】上記真空チャック（１）はピンチャックで
ある。
ある。
【００３０】上記真空チャック（１）はリングチャック
である。
である。
【００３１】上記回転位置調節手段（３１）は、上記ウ
ェハ移送手段（３０）の一部を形成する。
ェハ移送手段（３０）の一部を形成する。
【００３２】上記ウェハホルダ（２０）は、高温炉（２
３）用の石英ボート（２２）の一部を形成する。
３）用の石英ボート（２２）の一部を形成する。
【００３３】上記ウェハチャック（１）は、リソグラフ
ィーデバイス（９）の一部を形成する。
ィーデバイス（９）の一部を形成する。
【００３４】ウェハ（１０）をウェハホルダ（２０）と
ウェハチャック（１）との間で移動させるウェハ処理方
法であって、上記ウェハホルダ（２０）は、１組の最小
面積にて接触するウェハ支持部材（２１）を有し、上記
最小面積にて接触するウェハ支持部材（２１）は、支持
部材との接触部位（１２）をウェハ（１０）の平坦なウ
ェハ表面（１１）上に規定し、上記ウェハチャック
（１）は、上記ウェハ（１０）を支持するウェハ支持領
域（２）を有し、上記ウェハ支持領域（２）は、上記平
坦なウェハ表面（１１）と接触するように構成され、予
め定められた位置（４）に割り当てられた陥没部（３）
を備え、上記予め定められた位置（４）は、上記最小面
積にて接触する１組のウェハ支持部材（２１）によって
予め定められた平坦なウェハ表面（１１）の支持部材と
の接触部位（１２）に対応し、上記ウェハホルダ（２
０）から上記ウェハ（１０）を持ち上げる工程と、上記
ウェハ（１０）を上記ウェハホルダ（２０）上の空間か
ら移動して上記ウェハチャック（１）に移送する工程で
あって、この移送工程は、水平方向の移送を含む、工程
と、上記ウェハ（１０）を上記ウェハチャック（１）上
に配置して、上記平坦なウェハ表面（１１）が上記ウェ
ハ支持領域（２）と接触した場合に、上記平坦なウェハ
表面（１１）の支持部材との接触部位（１２）が上記ウ
ェハチャック（１）の陥没部（３）上に設けられるよう
にする工程と、を包含し、これにより上記目的が達成さ
れる。
ウェハチャック（１）との間で移動させるウェハ処理方
法であって、上記ウェハホルダ（２０）は、１組の最小
面積にて接触するウェハ支持部材（２１）を有し、上記
最小面積にて接触するウェハ支持部材（２１）は、支持
部材との接触部位（１２）をウェハ（１０）の平坦なウ
ェハ表面（１１）上に規定し、上記ウェハチャック
（１）は、上記ウェハ（１０）を支持するウェハ支持領
域（２）を有し、上記ウェハ支持領域（２）は、上記平
坦なウェハ表面（１１）と接触するように構成され、予
め定められた位置（４）に割り当てられた陥没部（３）
を備え、上記予め定められた位置（４）は、上記最小面
積にて接触する１組のウェハ支持部材（２１）によって
予め定められた平坦なウェハ表面（１１）の支持部材と
の接触部位（１２）に対応し、上記ウェハホルダ（２
０）から上記ウェハ（１０）を持ち上げる工程と、上記
ウェハ（１０）を上記ウェハホルダ（２０）上の空間か
ら移動して上記ウェハチャック（１）に移送する工程で
あって、この移送工程は、水平方向の移送を含む、工程
と、上記ウェハ（１０）を上記ウェハチャック（１）上
に配置して、上記平坦なウェハ表面（１１）が上記ウェ
ハ支持領域（２）と接触した場合に、上記平坦なウェハ
表面（１１）の支持部材との接触部位（１２）が上記ウ
ェハチャック（１）の陥没部（３）上に設けられるよう
にする工程と、を包含し、これにより上記目的が達成さ
れる。
【００３５】先ず、上記ウェハ（１０）の回転位置を回
転位置調節手段（３１）によって調節し、次に、上記ウ
ェハ（１０）を上記ウェハチャック（１）上に下降させ
る。
転位置調節手段（３１）によって調節し、次に、上記ウ
ェハ（１０）を上記ウェハチャック（１）上に下降させ
る。
【００３６】上記ウェハ（１０）を上記ウェハチャック
（１）上の空間に移送する間に、上記ウェハ（１０）の
回転位置を調節する。
（１）上の空間に移送する間に、上記ウェハ（１０）の
回転位置を調節する。
【００３７】上記ウェハ（１０）を上記ウェハホルダ
（２０）と上記ウェハチャック（１）との間で移送させ
る間に、上記ウェハ（１０）の回転する方角を維持す
る。
（２０）と上記ウェハチャック（１）との間で移送させ
る間に、上記ウェハ（１０）の回転する方角を維持す
る。
【００３８】上記ウェハホルダ（２０）および上記ウェ
ハチャック（１）の方角は、ウェハ（１０）を上側方向
から上記１組の最小面積にて接触するウェハ支持部材
（２１）および上記ウェハ支持領域（２）上に配置でき
るような方角であり、かつ、上記ウェハホルダ（２０）
および上記ウェハチャック（１）をの相対位置が、ウェ
ハ（１０）を上記ウェハホルダ（２０）と上記ウェハチ
ャック（１）との間で移動させる際、上記ウェハ（１
０）を水平に移送させることを必要とする相対位置とな
るような方角である。
ハチャック（１）の方角は、ウェハ（１０）を上側方向
から上記１組の最小面積にて接触するウェハ支持部材
（２１）および上記ウェハ支持領域（２）上に配置でき
るような方角であり、かつ、上記ウェハホルダ（２０）
および上記ウェハチャック（１）をの相対位置が、ウェ
ハ（１０）を上記ウェハホルダ（２０）と上記ウェハチ
ャック（１）との間で移動させる際、上記ウェハ（１
０）を水平に移送させることを必要とする相対位置とな
るような方角である。
【００３９】上記ウェハホルダは、最小面積にて接触す
る１組のウェハ支持部材を有する。上記１組のウェハ支
持部材は、支持部材との接触部位（１２）をウェハの平
坦なウェハ表面上に規定する。
る１組のウェハ支持部材を有する。上記１組のウェハ支
持部材は、支持部材との接触部位（１２）をウェハの平
坦なウェハ表面上に規定する。
【００４０】上記ウェハチャックは、上記ウェハを支持
するウェハ支持領域を有する。上記ウェハ支持領域は、
上記平坦なウェハ表面と接触するように構成される。
するウェハ支持領域を有する。上記ウェハ支持領域は、
上記平坦なウェハ表面と接触するように構成される。
【００４１】上記ウェハホルダおよび上記ウェハチャッ
クは、水平方向に伸びる距離上において相対位置関係を
有する。
クは、水平方向に伸びる距離上において相対位置関係を
有する。
【００４２】この目的は、上記にて述べた種類のウェハ
処理システムによって達成される。
処理システムによって達成される。
【００４３】上記ウェハチャック（１）は、最小接触ウ
ェハ支持部位（２１）によって予め定められた平坦なウ
ェハ表面（１１）の支持部材との接触部位（１２）に対
応する所定位置（４）に割り当てられた陥没部（３）で
ある。
ェハ支持部位（２１）によって予め定められた平坦なウ
ェハ表面（１１）の支持部材との接触部位（１２）に対
応する所定位置（４）に割り当てられた陥没部（３）で
ある。
【００４４】上記ウェハ処理システムは、上記ウェハホ
ルダと上記ウェハチャックとの間の上記ウェハを移動さ
せるウェハ移送手段をさらに含む。上記ウェハ移送手段
は、上記ウェハホルダと上記ウェハチャックとの間で移
送されるウェハの回転位置を調節する回転位置調節手段
を含み、これにより、上記ウェハチャックのウェハ支持
領域が上記平坦なウェハ表面に接触すると、上記平坦な
ウェハ表面の上記支持部材との接触部位は、上記ウェハ
チャックの上記陥没部上に配置される。
ルダと上記ウェハチャックとの間の上記ウェハを移動さ
せるウェハ移送手段をさらに含む。上記ウェハ移送手段
は、上記ウェハホルダと上記ウェハチャックとの間で移
送されるウェハの回転位置を調節する回転位置調節手段
を含み、これにより、上記ウェハチャックのウェハ支持
領域が上記平坦なウェハ表面に接触すると、上記平坦な
ウェハ表面の上記支持部材との接触部位は、上記ウェハ
チャックの上記陥没部上に配置される。
【００４５】本発明によれば、上記ウェハホルダと上記
ウェハチャックとの間を移送されるウェハの回転方向の
制御および／または調節を行う手段を含むウェハ移送手
段が提供される。これにより、上記ウェハの平面ウェハ
裏面上の上記支持部材との接触部位は、上記ウェハチャ
ック中の陥没部上において正確に位置決めされる。これ
により、上記ウェハ裏面上に隆起部が有っても、上記ウ
ェハチャック上にある上記ウェハがリソグラフィーによ
る露光を受けたときに当該リソグラフィー露光工程の質
が低下することが無くなる。
ウェハチャックとの間を移送されるウェハの回転方向の
制御および／または調節を行う手段を含むウェハ移送手
段が提供される。これにより、上記ウェハの平面ウェハ
裏面上の上記支持部材との接触部位は、上記ウェハチャ
ック中の陥没部上において正確に位置決めされる。これ
により、上記ウェハ裏面上に隆起部が有っても、上記ウ
ェハチャック上にある上記ウェハがリソグラフィーによ
る露光を受けたときに当該リソグラフィー露光工程の質
が低下することが無くなる。
【００４６】本発明によれば、上記ウェハ処理システム
は、上記一連の支持部材からのウェハを上記ウェハチャ
ックに移送するウェハ移送手段を含む。上記移送手段
は、上記ウェハを上記ウェハチャック上に配置する際、
上記ウェハのウェハ位置および／または方向を、上記支
持部材によって予め定められた上記ウェハと上記支持部
材との間の接触部位が上記ウェハチャックの陥没部上に
来るような位置および／または方向にする。上記ウェハ
移送手段は、上記ウェハを上記支持部材から上記チャッ
クに移送し、これにより、上記ウェハを上記チャック上
に適切に位置決めすることを可能にし、上記ウェハの上
記支持部材との接触部位は、上記ウェハチャックの陥没
部内に割り当てられる。
は、上記一連の支持部材からのウェハを上記ウェハチャ
ックに移送するウェハ移送手段を含む。上記移送手段
は、上記ウェハを上記ウェハチャック上に配置する際、
上記ウェハのウェハ位置および／または方向を、上記支
持部材によって予め定められた上記ウェハと上記支持部
材との間の接触部位が上記ウェハチャックの陥没部上に
来るような位置および／または方向にする。上記ウェハ
移送手段は、上記ウェハを上記支持部材から上記チャッ
クに移送し、これにより、上記ウェハを上記チャック上
に適切に位置決めすることを可能にし、上記ウェハの上
記支持部材との接触部位は、上記ウェハチャックの陥没
部内に割り当てられる。
【００４７】本発明によれば、上記ウェハ移送システム
は、ウェハが上記ウェハチャック上に配置される前に当
該ウェハの回転位置を調節する回転位置調節手段をさら
に含む。ほとんどの場合と同様に、上記ウェハが上記石
英ボート（ｂｏａｔ）から上記ウェハチャックへと移送
されると、上記ウェハの回転位置を変化させ、それに応
じて上記ウェハを回転させて、ウェハ接触部位の位置
と、陥没部の位置とを適合させる。上記ウェハ回転手段
は上記ウェハを回転させるように設けられるため、上記
ウェハの支持部材の接触部位の位置は、上記ウェハチャ
ックの陥没部の位置に対応する。
は、ウェハが上記ウェハチャック上に配置される前に当
該ウェハの回転位置を調節する回転位置調節手段をさら
に含む。ほとんどの場合と同様に、上記ウェハが上記石
英ボート（ｂｏａｔ）から上記ウェハチャックへと移送
されると、上記ウェハの回転位置を変化させ、それに応
じて上記ウェハを回転させて、ウェハ接触部位の位置
と、陥没部の位置とを適合させる。上記ウェハ回転手段
は上記ウェハを回転させるように設けられるため、上記
ウェハの支持部材の接触部位の位置は、上記ウェハチャ
ックの陥没部の位置に対応する。
【００４８】本発明は、上記ウェハ裏面のうち隆起部ま
たは突起部が発生しやすい部位は同じ横方向位置に存在
し、相互間の距離も同じであるという事実を利用したも
のである。このような横方向の隆起部位置の規則性は、
上記ウェハが上記チャックに移送される前に接触する様
式によって発生する。
たは突起部が発生しやすい部位は同じ横方向位置に存在
し、相互間の距離も同じであるという事実を利用したも
のである。このような横方向の隆起部位置の規則性は、
上記ウェハが上記チャックに移送される前に接触する様
式によって発生する。
【００４９】例えば高温炉において、１つ以上の多くの
ウェハを１つの石英ボートによって支持する。ウェハ
（および主に３００ｍｍのウェハ）が炉中の石英ボート
上にある際、これらのウェハを水平位置において支持す
る。
ウェハを１つの石英ボートによって支持する。ウェハ
（および主に３００ｍｍのウェハ）が炉中の石英ボート
上にある際、これらのウェハを水平位置において支持す
る。
【００５０】単一の石英ボートによって支持されるウェ
ハは典型的には数十個であり、各ウェハは、上記石英ボ
ートの一部を形成する３つの指状のウェハ支持部材によ
って支持される。これらの支持部材は、上記ウェハを支
持する際に最小の点状の接触エリアとなるように構成さ
れている。上記３つの指部の相互位置を固定し、これに
より、上記点状の接触エリアの相互位置も全てのウェハ
に対して固定されるようにする。
ハは典型的には数十個であり、各ウェハは、上記石英ボ
ートの一部を形成する３つの指状のウェハ支持部材によ
って支持される。これらの支持部材は、上記ウェハを支
持する際に最小の点状の接触エリアとなるように構成さ
れている。上記３つの指部の相互位置を固定し、これに
より、上記点状の接触エリアの相互位置も全てのウェハ
に対して固定されるようにする。
【００５１】現在のウェハ処理は極めて高精度であるた
め、ウェハ裏面上の支持部材との接触部位の位置を識別
することが可能である。さらに、これらの支持部材との
接触部位は上記裏面ウェハ表面の断面に比べて小さいた
め、上記ウェハチャックのウェハ支持領域の形状を、
（恐らくウェハ裏面上に存在する）隆起部の位置および
寸法に合わせることが可能である。これにより、リソグ
ラフィーによる露光の間、ウェハチャック上にあるウェ
ハ上のフォーカススポットからウェハを安全に保護する
ことが可能となる。
め、ウェハ裏面上の支持部材との接触部位の位置を識別
することが可能である。さらに、これらの支持部材との
接触部位は上記裏面ウェハ表面の断面に比べて小さいた
め、上記ウェハチャックのウェハ支持領域の形状を、
（恐らくウェハ裏面上に存在する）隆起部の位置および
寸法に合わせることが可能である。これにより、リソグ
ラフィーによる露光の間、ウェハチャック上にあるウェ
ハ上のフォーカススポットからウェハを安全に保護する
ことが可能となる。
【００５２】好適には、上記ウェハチャックは、上記ウ
ェハ支持領域中に３つの陥没部を含む。上記３つの陥没
部は、上記ウェハ支持領域の中心の周囲に対称に割り当
てられる。３つという数は、先行のウェハ処理工程の間
にウェハを支持する接触点の数としては最少の数である
ため、上記同じ数の陥没部を上記チャック上に提供する
と有利である。上記陥没部は横方向寸法が十分に大き
く、これにより、上記ウェハ裏面上の予め定められたエ
リア中の全ての隆起部を安全に包囲する。
ェハ支持領域中に３つの陥没部を含む。上記３つの陥没
部は、上記ウェハ支持領域の中心の周囲に対称に割り当
てられる。３つという数は、先行のウェハ処理工程の間
にウェハを支持する接触点の数としては最少の数である
ため、上記同じ数の陥没部を上記チャック上に提供する
と有利である。上記陥没部は横方向寸法が十分に大き
く、これにより、上記ウェハ裏面上の予め定められたエ
リア中の全ての隆起部を安全に包囲する。
【００５３】好適には上記陥没部は、上記ウェハ支持領
域の中心の周囲に対称に割り当てられ、その結果、上記
ウェハ裏面の中心の周囲に割り当てられる。これによ
り、上記ウェハが上記ウェハチャック上にあるときに上
記ウェハが上記ウェハ面の中心に対して垂直な軸の周り
を１２０°または２４０°回転した場合にでも、フォー
カススポットを安全に保護することが可能となる。この
場合、上記ウェハ支持領域の中心から各陥没部への距離
は等しい。
域の中心の周囲に対称に割り当てられ、その結果、上記
ウェハ裏面の中心の周囲に割り当てられる。これによ
り、上記ウェハが上記ウェハチャック上にあるときに上
記ウェハが上記ウェハ面の中心に対して垂直な軸の周り
を１２０°または２４０°回転した場合にでも、フォー
カススポットを安全に保護することが可能となる。この
場合、上記ウェハ支持領域の中心から各陥没部への距離
は等しい。
【００５４】上記陥没部の上記ウェハ支持領域における
断面は円形であると好ましい。円形の断面は、上記ウェ
ハチャック表面中に穴を穿孔するだけで生成できるた
め、作製が簡単である。
断面は円形であると好ましい。円形の断面は、上記ウェ
ハチャック表面中に穴を穿孔するだけで生成できるた
め、作製が簡単である。
【００５５】上記陥没部の断面の直径は５〜１５ｍｍで
あると好ましい。このような外形の陥没部を複数並べる
と、上記ウェハの接触領域近隣にある任意の隆起部を安
全に包囲するだけの十分な長さが得られ、このような隆
起部を下側から包囲することができるため、本発明によ
れば、これにより、上記ウェハ裏面を上記チャックのウ
ェハ支持領域と完全に接触させ、上記ウェハ裏面上の隆
起部を陥没部によって包囲することができる。
あると好ましい。このような外形の陥没部を複数並べる
と、上記ウェハの接触領域近隣にある任意の隆起部を安
全に包囲するだけの十分な長さが得られ、このような隆
起部を下側から包囲することができるため、本発明によ
れば、これにより、上記ウェハ裏面を上記チャックのウ
ェハ支持領域と完全に接触させ、上記ウェハ裏面上の隆
起部を陥没部によって包囲することができる。
【００５６】炉中では、ウェハ処理の間、３つの支持部
材を用いてウェハを支持することが多い。これらの３つ
のウェハ支持部材は、６つの隆起部または６つの突起部
を生成することが多く、それらのうち２つの隆起部また
は２つの突起部は、上記ウェハ裏面および１つの支持部
材の各接触エリアに隣接する。炉中において、半導体ウ
ェハを熱膨張させる。このような熱膨張が発生すると、
ウェハ面が変形して特定のレベルまで湾曲し、これによ
り、実際のウェハ接触部位に方位角度的に隣接する複数
の対の隆起部が生成される。
材を用いてウェハを支持することが多い。これらの３つ
のウェハ支持部材は、６つの隆起部または６つの突起部
を生成することが多く、それらのうち２つの隆起部また
は２つの突起部は、上記ウェハ裏面および１つの支持部
材の各接触エリアに隣接する。炉中において、半導体ウ
ェハを熱膨張させる。このような熱膨張が発生すると、
ウェハ面が変形して特定のレベルまで湾曲し、これによ
り、実際のウェハ接触部位に方位角度的に隣接する複数
の対の隆起部が生成される。
【００５７】これらの対の隆起部を安全に包囲するため
の２つの別の実施形態を開示する。第１の実施形態によ
れば、上記陥没部の上記ウェハ支持領域中の断面は楕円
であり得る。好適には、上記陥没部の割当ては、上記楕
円の断面が２つの隣接する隆起部の間の相互接続に向か
って伸びる大きさが大きいほど、上記楕円断面がラジア
ル方向に伸びる大きさが小さくなるように、行われる。
の２つの別の実施形態を開示する。第１の実施形態によ
れば、上記陥没部の上記ウェハ支持領域中の断面は楕円
であり得る。好適には、上記陥没部の割当ては、上記楕
円の断面が２つの隣接する隆起部の間の相互接続に向か
って伸びる大きさが大きいほど、上記楕円断面がラジア
ル方向に伸びる大きさが小さくなるように、行われる。
【００５８】第２の実施形態によれば、上記ウェハチャ
ックは、３対の陥没部を含み得る。各対の陥没部は両方
とも、互いに隣接するように割り当てられ、上記３対の
陥没部は、上記ウェハ支持領域の中心の周囲に対称に割
り当てられる。この実施形態によれば、上記陥没部の断
面は最小であるため、上記チャックによって支持される
上記ウェハを極めて平坦にすることができる。
ックは、３対の陥没部を含み得る。各対の陥没部は両方
とも、互いに隣接するように割り当てられ、上記３対の
陥没部は、上記ウェハ支持領域の中心の周囲に対称に割
り当てられる。この実施形態によれば、上記陥没部の断
面は最小であるため、上記チャックによって支持される
上記ウェハを極めて平坦にすることができる。
【００５９】超小型電子構造と比較して延びる大きさの
大きなウェハ裏面の隆起部の横方向の延び（例えば、擦
傷）と比較すると、上記ウェハ裏面上のこのような隆起
部の高さは小さい。その結果、上記陥没部の深さは、上
記ウェハが上記チャックから持ち上がるのを十分に防ぐ
のには浅い場合がある。上記陥没部の深さは、上記ウェ
ハ支持領域から１０μｍ〜１００μｍであるのが好まし
い。しかし、もっと深さの深い陥没部を実現してもよ
い。従って、上記陥没部は、上記チャックのウェハ支持
領域の深さ全体にわたって延びる中空の空洞または切抜
き部分のいずれかであり得る。
大きなウェハ裏面の隆起部の横方向の延び（例えば、擦
傷）と比較すると、上記ウェハ裏面上のこのような隆起
部の高さは小さい。その結果、上記陥没部の深さは、上
記ウェハが上記チャックから持ち上がるのを十分に防ぐ
のには浅い場合がある。上記陥没部の深さは、上記ウェ
ハ支持領域から１０μｍ〜１００μｍであるのが好まし
い。しかし、もっと深さの深い陥没部を実現してもよ
い。従って、上記陥没部は、上記チャックのウェハ支持
領域の深さ全体にわたって延びる中空の空洞または切抜
き部分のいずれかであり得る。
【００６０】断面が実質的に円形である平面の支持表面
として設計されたウェハ支持領域を提供するウェハチャ
ックがある。特に上記ウェハチャックが静電チャックで
ある場合、上記ウェハ支持領域の全エリアは、ウェハが
上記チャック上にあるときに上記ウェハ裏面に接触する
接触面である。
として設計されたウェハ支持領域を提供するウェハチャ
ックがある。特に上記ウェハチャックが静電チャックで
ある場合、上記ウェハ支持領域の全エリアは、ウェハが
上記チャック上にあるときに上記ウェハ裏面に接触する
接触面である。
【００６１】しかし、平坦なウェハ表面を接触させるよ
うに構築された設計のウェハ支持領域は他にもある。上
記ウェハチャックが真空チャックである場合、上記ウェ
ハチャックのウェハ支持領域の位置を用いて、上記チャ
ックによって支持されている上記ウェハを上記ウェハ裏
面から真空吸引して、上記ウェハ位置を安全に制御す
る。真空吸引を用いることにより、上記ウェハ面に対し
て垂直な方向に上記ウェハを高精度に位置決めすること
ができる。
うに構築された設計のウェハ支持領域は他にもある。上
記ウェハチャックが真空チャックである場合、上記ウェ
ハチャックのウェハ支持領域の位置を用いて、上記チャ
ックによって支持されている上記ウェハを上記ウェハ裏
面から真空吸引して、上記ウェハ位置を安全に制御す
る。真空吸引を用いることにより、上記ウェハ面に対し
て垂直な方向に上記ウェハを高精度に位置決めすること
ができる。
【００６２】上記ウェハ裏面を吸引するために、上記ウ
ェハチャックのウェハ支持領域の設計を、複数のピンま
たは同軸リングからなるパターンとして設計する。上記
ピンまたはリングは、上記ウェハ支持領域上に配置され
た上記ウェハ裏面と接触する接触表面のセグメントを形
成する。これらのセグメントの間に溝または導管を設け
て、上記ウェハ裏面に真空吸引を行う。
ェハチャックのウェハ支持領域の設計を、複数のピンま
たは同軸リングからなるパターンとして設計する。上記
ピンまたはリングは、上記ウェハ支持領域上に配置され
た上記ウェハ裏面と接触する接触表面のセグメントを形
成する。これらのセグメントの間に溝または導管を設け
て、上記ウェハ裏面に真空吸引を行う。
【００６３】本発明によれば、隆起部を収容する陥没部
を、上記設計のウェハ支持領域上に載置する。上記の真
空チャックの好適な実施形態によれば、上記チャックは
ピンチャックまたはリングチャックであり、上記３つの
陥没部は、上記ピンまたはリングのパターンにおける切
抜き部分である。
を、上記設計のウェハ支持領域上に載置する。上記の真
空チャックの好適な実施形態によれば、上記チャックは
ピンチャックまたはリングチャックであり、上記３つの
陥没部は、上記ピンまたはリングのパターンにおける切
抜き部分である。
【００６４】上記ウェハ処理システムの上記ウェハホル
ダを、高温炉用の石英ボートの一部を形成させると好ま
しい。現在の石英ボートは、上記炉中で支持される各単
一のウェハの下側においてラジアル方向に延びる３つの
石英指部を提供する。上記石英ボートのこれらの３つの
指状の突出先端は、ウェハが自身の上に来ると、上記ウ
ェハとの接触部位を規定する。各３つの石英指部は全て
互いに一定の位置に割り当てられるため、ウェハ接触部
位も、石英ボート中の全ウェハについて互いに一定の距
離で割り当てられる。その結果、ウェハ支持領域に一組
の陥没部が割り当てられた同一のウェハチャックによっ
て各ウェハを支持することが可能になる。
ダを、高温炉用の石英ボートの一部を形成させると好ま
しい。現在の石英ボートは、上記炉中で支持される各単
一のウェハの下側においてラジアル方向に延びる３つの
石英指部を提供する。上記石英ボートのこれらの３つの
指状の突出先端は、ウェハが自身の上に来ると、上記ウ
ェハとの接触部位を規定する。各３つの石英指部は全て
互いに一定の位置に割り当てられるため、ウェハ接触部
位も、石英ボート中の全ウェハについて互いに一定の距
離で割り当てられる。その結果、ウェハ支持領域に一組
の陥没部が割り当てられた同一のウェハチャックによっ
て各ウェハを支持することが可能になる。
【００６５】本発明の目的は、ウェハホルダとウェハチ
ャックとの間のウェハを移動させるためのウェハ処理方
法によってさらに達成される。
ャックとの間のウェハを移動させるためのウェハ処理方
法によってさらに達成される。
【００６６】上記ウェハホルダは、ウェハの平坦なウェ
ハ表面上に支持部材との接触部位を予め定める最小面積
にて接触する１組のウェハ支持部材を有する。
ハ表面上に支持部材との接触部位を予め定める最小面積
にて接触する１組のウェハ支持部材を有する。
【００６７】上記ウェハチャックは、上記ウェハを支持
するウェハ支持領域を有し、上記ウェハ支持領域は、上
記平坦なウェハ表面と接触するような構造にされ、上記
最小面積にて接触するウェハ支持部材によって予め定め
られた平坦なウェハ表面の支持部材との接触部位に対応
する予め定められた位置において、陥没部を含む、上記
方法は、以下の工程を含む。
するウェハ支持領域を有し、上記ウェハ支持領域は、上
記平坦なウェハ表面と接触するような構造にされ、上記
最小面積にて接触するウェハ支持部材によって予め定め
られた平坦なウェハ表面の支持部材との接触部位に対応
する予め定められた位置において、陥没部を含む、上記
方法は、以下の工程を含む。
【００６８】上記ウェハホルダからウェハを持ち上げる
工程、上記ウェハホルダ上の空間から上記ウェハを除去
し、上記ウェハを上記ウェハチャックに移送する工程で
あって、上記移送は水平方向における移送を含む、工
程、および上記平坦なウェハ表面が上記ウェハ支持領域
と接触したときに上記支持部材の上記平坦なウェハ表面
との接触部位が上記ウェハチャックの陥没部上に来るよ
うに上記ウェハを上記ウェハチャック上に配置する工
程。
工程、上記ウェハホルダ上の空間から上記ウェハを除去
し、上記ウェハを上記ウェハチャックに移送する工程で
あって、上記移送は水平方向における移送を含む、工
程、および上記平坦なウェハ表面が上記ウェハ支持領域
と接触したときに上記支持部材の上記平坦なウェハ表面
との接触部位が上記ウェハチャックの陥没部上に来るよ
うに上記ウェハを上記ウェハチャック上に配置する工
程。
【００６９】半導体ウェハを処理器具によって処理し、
ウェハ処理の間に上記ウェハホルダによって支持する場
合、上記ウェハホルダのウェハ支持部材は、上記ウェハ
支持部材が支持部材との接触部位を上記ウェハの裏面上
に予め定めるように、割り当てられる。上記ウェハ支持
部材の位置は固定されているため、これらの支持部材と
の接触部位間の相互間の距離も一定である。そのため、
上記ウェハホルダのウェハ支持部材と上記ウェハ裏面と
の間の接触表面の位置は、上記ウェハチャックの陥没部
の割り当て位置に対応する。上記ウェハ支持部材の位置
は、上記ウェハ裏面の支持部材との接触部位の位置を予
め定め、その結果、上記支持部材との接触部位は、上記
ウェハチャックのウェハ支持領域中の陥没部の位置を予
め定める。これにより、ウェハホルダ構造とウェハチャ
ック構造との間に１：１の対応を達成する。
ウェハ処理の間に上記ウェハホルダによって支持する場
合、上記ウェハホルダのウェハ支持部材は、上記ウェハ
支持部材が支持部材との接触部位を上記ウェハの裏面上
に予め定めるように、割り当てられる。上記ウェハ支持
部材の位置は固定されているため、これらの支持部材と
の接触部位間の相互間の距離も一定である。そのため、
上記ウェハホルダのウェハ支持部材と上記ウェハ裏面と
の間の接触表面の位置は、上記ウェハチャックの陥没部
の割り当て位置に対応する。上記ウェハ支持部材の位置
は、上記ウェハ裏面の支持部材との接触部位の位置を予
め定め、その結果、上記支持部材との接触部位は、上記
ウェハチャックのウェハ支持領域中の陥没部の位置を予
め定める。これにより、ウェハホルダ構造とウェハチャ
ック構造との間に１：１の対応を達成する。
【００７０】好適には、先ず上記ウェハの回転位置を回
転位置調節手段によって調節した後、上記ウェハを上記
ウェハチャック上に下降させる。詳細には、上記ウェハ
を上記ウェハチャックの上方の空間に移送している間
（すなわち、上記ウェハを水平に移送させている間）、
上記ウェハの回転位置を調節する。
転位置調節手段によって調節した後、上記ウェハを上記
ウェハチャック上に下降させる。詳細には、上記ウェハ
を上記ウェハチャックの上方の空間に移送している間
（すなわち、上記ウェハを水平に移送させている間）、
上記ウェハの回転位置を調節する。
【００７１】好適には、上記ウェハを上記ウェハホルダ
と上記ウェハチャックとの間で移送している間、上記ウ
ェハの回転する方角を維持する。あるいは、上記回転す
る方角を（ウェハに対して独立した全てのウェハについ
て固定された特定の角度分だけ）変化させてもよい。後
者の場合、上記回転調節は、上記各組の最小面積にて接
触するウェハ支持部材の回転する方角に依存する。
と上記ウェハチャックとの間で移送している間、上記ウ
ェハの回転する方角を維持する。あるいは、上記回転す
る方角を（ウェハに対して独立した全てのウェハについ
て固定された特定の角度分だけ）変化させてもよい。後
者の場合、上記回転調節は、上記各組の最小面積にて接
触するウェハ支持部材の回転する方角に依存する。
【００７２】最後に、好適には、上記ウェハホルダおよ
び上記ウェハチャックの方角を、上記１組の最小面積に
て接触するウェハ支持部材および上記ウェハ支持領域上
にウェハを上から配置することができ、かつ、上記ウェ
ハホルダおよび上記ウェハチャックが、ウェハを上記ウ
ェハホルダと上記ウェハチャックとの間で移動させるた
めに上記ウェハを水平移送させることを必要とするよう
な相対位置に来るような方向にする。
び上記ウェハチャックの方角を、上記１組の最小面積に
て接触するウェハ支持部材および上記ウェハ支持領域上
にウェハを上から配置することができ、かつ、上記ウェ
ハホルダおよび上記ウェハチャックが、ウェハを上記ウ
ェハホルダと上記ウェハチャックとの間で移動させるた
めに上記ウェハを水平移送させることを必要とするよう
な相対位置に来るような方向にする。
【００７３】
【発明の実施の形態】本明細書中、以下、本発明につい
て添付の図面を参照しながら説明する。
て添付の図面を参照しながら説明する。
【００７４】図１は、ウェハチャック１と、リソグラフ
ィーデバイス９中に設けられたウェハチャック１によっ
て支持されるウェハ１０とを示す。上記ウェハチャック
１は、ウェハ支持領域２を提供する。ウェハ支持領域２
の断面は、ウェハ１０の平坦な表面１１の外周に対応す
る。図１において、ウェハチャック１およびウェハ１０
を、円形の半導体ウェハ１０の中心においてウェハ面に
対して垂直に延びるウェハの対称軸に沿った断面図とし
て示す。ウェハチャック１のウェハ支持領域２におい
て、２つの陥没部３が図示されている。半導体ウェハを
支持するためには、少なくとも３つの陥没部３が必要と
なる（この陥没部の３つという数は、接触点として最適
な数である）。図１中の断面図はウェハチャック１およ
びウェハ１０を対称に横切っているため、単一の陥没部
３のみが図面中に割り当てられている。しかし、本発明
を２次元でよりよく表すためには、２つの陥没部３を表
す方が好ましい。
ィーデバイス９中に設けられたウェハチャック１によっ
て支持されるウェハ１０とを示す。上記ウェハチャック
１は、ウェハ支持領域２を提供する。ウェハ支持領域２
の断面は、ウェハ１０の平坦な表面１１の外周に対応す
る。図１において、ウェハチャック１およびウェハ１０
を、円形の半導体ウェハ１０の中心においてウェハ面に
対して垂直に延びるウェハの対称軸に沿った断面図とし
て示す。ウェハチャック１のウェハ支持領域２におい
て、２つの陥没部３が図示されている。半導体ウェハを
支持するためには、少なくとも３つの陥没部３が必要と
なる（この陥没部の３つという数は、接触点として最適
な数である）。図１中の断面図はウェハチャック１およ
びウェハ１０を対称に横切っているため、単一の陥没部
３のみが図面中に割り当てられている。しかし、本発明
を２次元でよりよく表すためには、２つの陥没部３を表
す方が好ましい。
【００７５】これらの陥没部３を、ウェハ支持領域２中
の予め定められた位置４に割り当てる。予め定められた
位置４は、ウェハ表面１１の支持部材との接触部位１２
に対応する。ウェハ１０がウェハチャック１上の適切な
回転位置に来ると、ウェハ裏面１１の支持部材接触部位
１２は恐らくは隆起部１２ａで被覆され、ウェハチャッ
ク１の陥没部３は、ウェハ表面およびウェハチャック表
面を上側から見ると、同じ横方向位置４に割り当てられ
ている。
の予め定められた位置４に割り当てる。予め定められた
位置４は、ウェハ表面１１の支持部材との接触部位１２
に対応する。ウェハ１０がウェハチャック１上の適切な
回転位置に来ると、ウェハ裏面１１の支持部材接触部位
１２は恐らくは隆起部１２ａで被覆され、ウェハチャッ
ク１の陥没部３は、ウェハ表面およびウェハチャック表
面を上側から見ると、同じ横方向位置４に割り当てられ
ている。
【００７６】図２は、支持部材２１の位置、本発明によ
るウェハ表面１１の支持部材との接触部位１２の位置お
よびウェハチャック１の陥没部３の位置の組み合わせの
模式図を示す。
るウェハ表面１１の支持部材との接触部位１２の位置お
よびウェハチャック１の陥没部３の位置の組み合わせの
模式図を示す。
【００７７】図２の右側において、円形の平面ウェハ面
１１が図示されている。ウェハ面１１の３つの部位１２
は最終的には、ウェハをウェハチャックから持ち上げる
隆起部（例えば、擦傷または堆積材料）で被覆される。
これらの隆起部１２は、予め定められた位置１２におい
てウェハの下側と接触する支持部材（例えば、石英ボー
ト２０の石英指部２１）によって生成される。これらの
隆起部位１２は横方向の寸法が小さいため、チャックに
よってこれらの隆起部を収容するようにする。そのた
め、３つの円形の陥没部３がこれらの隆起部を包囲する
ように陥没部３を設ける。その結果、ウェハが持ち上が
る現象を回避し、ウェハとウェハチャック１のウェハ接
触領域２とを完全に接触させることができる。
１１が図示されている。ウェハ面１１の３つの部位１２
は最終的には、ウェハをウェハチャックから持ち上げる
隆起部（例えば、擦傷または堆積材料）で被覆される。
これらの隆起部１２は、予め定められた位置１２におい
てウェハの下側と接触する支持部材（例えば、石英ボー
ト２０の石英指部２１）によって生成される。これらの
隆起部位１２は横方向の寸法が小さいため、チャックに
よってこれらの隆起部を収容するようにする。そのた
め、３つの円形の陥没部３がこれらの隆起部を包囲する
ように陥没部３を設ける。その結果、ウェハが持ち上が
る現象を回避し、ウェハとウェハチャック１のウェハ接
触領域２とを完全に接触させることができる。
【００７８】図２の右側において３つの円形の陥没部３
ａを用いた実施形態を図示しているが、さらなる実施形
態を図２の左側に示す。ウェハ面の様々な領域では熱膨
張の発生量も異なるため、高温炉中のウェハ表面は湾曲
することが多い。その結果、各石英指部に複数の対の隆
起部１２が生じることが多い。第１の実施形態によれ
ば、ウェハチャックによって３対の楕円陥没部３ｂを提
供する。各陥没部は、一対の隆起部１２を包囲する。あ
るいは、３対の陥没部３ｃをチャック中に設ける。これ
らの陥没部３ｃはそれぞれ、各隆起部１２上を包囲す
る。
ａを用いた実施形態を図示しているが、さらなる実施形
態を図２の左側に示す。ウェハ面の様々な領域では熱膨
張の発生量も異なるため、高温炉中のウェハ表面は湾曲
することが多い。その結果、各石英指部に複数の対の隆
起部１２が生じることが多い。第１の実施形態によれ
ば、ウェハチャックによって３対の楕円陥没部３ｂを提
供する。各陥没部は、一対の隆起部１２を包囲する。あ
るいは、３対の陥没部３ｃをチャック中に設ける。これ
らの陥没部３ｃはそれぞれ、各隆起部１２上を包囲す
る。
【００７９】真空チャックの場合、チャックをピンチャ
ックまたはリングチャックとして設計することが可能で
ある。このような場合、ウェハ接触領域２を、ピンまた
は同軸リングからなるパターンとして設計する。本発明
によれば、３つの陥没部を、ウェハ接触領域２の各パタ
ーン上に載置する。図３は、リングチャックのウェハ接
触領域２の一部を示し、多数のリング状のパターンが、
ウェハ裏面とウェハ接触領域２とを接触させるための接
触エリアを形成している。ウェハ接触領域２の中心周囲
にある同軸リングのパターンを、３つの陥没部３によっ
て陥没させる。これらの陥没部３の直径は、リング間の
距離よりも大きい。
ックまたはリングチャックとして設計することが可能で
ある。このような場合、ウェハ接触領域２を、ピンまた
は同軸リングからなるパターンとして設計する。本発明
によれば、３つの陥没部を、ウェハ接触領域２の各パタ
ーン上に載置する。図３は、リングチャックのウェハ接
触領域２の一部を示し、多数のリング状のパターンが、
ウェハ裏面とウェハ接触領域２とを接触させるための接
触エリアを形成している。ウェハ接触領域２の中心周囲
にある同軸リングのパターンを、３つの陥没部３によっ
て陥没させる。これらの陥没部３の直径は、リング間の
距離よりも大きい。
【００８０】ウェハがこのようなリングチャック３上に
ある場合、ウェハチャック上でこのウェハが一回転した
後に隆起部によって生成されたフォーカススポットが消
失する場合が時折ある。このような消失は、隆起部がリ
ングパターンのリング上にあるのかそれとも隣接する２
つのリング間の空間中にあるのかに依存する。ウェハ裏
面の隆起部をリングの１つに配置すると、フォーカスス
ポットが現れる。隣接するリングのちょうど間に隆起部
を配置すると、フォーカススポットは消失する。本発明
による陥没部３が無い場合、ウェハ裏面の隆起部によっ
て生じる局所的ウェハが持ち上がる問題は偶然によって
しか解消することができない。一方、本発明によれば、
これらの陥没部によってこのような隆起部を安全に包囲
および収容する。
ある場合、ウェハチャック上でこのウェハが一回転した
後に隆起部によって生成されたフォーカススポットが消
失する場合が時折ある。このような消失は、隆起部がリ
ングパターンのリング上にあるのかそれとも隣接する２
つのリング間の空間中にあるのかに依存する。ウェハ裏
面の隆起部をリングの１つに配置すると、フォーカスス
ポットが現れる。隣接するリングのちょうど間に隆起部
を配置すると、フォーカススポットは消失する。本発明
による陥没部３が無い場合、ウェハ裏面の隆起部によっ
て生じる局所的ウェハが持ち上がる問題は偶然によって
しか解消することができない。一方、本発明によれば、
これらの陥没部によってこのような隆起部を安全に包囲
および収容する。
【００８１】図４は、高温炉２３中のウェハ１０を支持
する石英ボート２０を示す。この石英ボートは数十ダー
スのウェハを支持し、各ウェハ１０は、３つの支持部材
（これらは指状の石英指部２１であり得る）によって支
持される。石英指部２１の先端は互いに一定位置に設け
られているため、これらの石英指部２１の先端は、接触
するウェハ１０の接触エリア１２を予め定める。石英ボ
ート中に配置された全てのウェハは各組の支持部材また
は指部と接触するため、各組の３つの石英指部は、互い
に同じ距離だけ離れた状態で割り当てられ、ウェハの位
置および方向に対して同じ回転位置に割り当てられ、こ
れらの支持部材は、支持部材との接触部位１２をウェハ
裏面上に予め定め、ウェハ裏面上の支持部材との接触部
位１２の位置は、全てのウェハについて同じである。
する石英ボート２０を示す。この石英ボートは数十ダー
スのウェハを支持し、各ウェハ１０は、３つの支持部材
（これらは指状の石英指部２１であり得る）によって支
持される。石英指部２１の先端は互いに一定位置に設け
られているため、これらの石英指部２１の先端は、接触
するウェハ１０の接触エリア１２を予め定める。石英ボ
ート中に配置された全てのウェハは各組の支持部材また
は指部と接触するため、各組の３つの石英指部は、互い
に同じ距離だけ離れた状態で割り当てられ、ウェハの位
置および方向に対して同じ回転位置に割り当てられ、こ
れらの支持部材は、支持部材との接触部位１２をウェハ
裏面上に予め定め、ウェハ裏面上の支持部材との接触部
位１２の位置は、全てのウェハについて同じである。
【００８２】上記の理由のため、ウェハ裏面上の擦傷お
よび他の隆起部を、本発明によるチャック１の陥没部３
によって収容することが可能である。陥没部３は、隆起
部と同じ平坦なウェハ表面にある。そのため、ウェハを
ウェハチャック上に適切に位置決めするために隆起部を
ウェハ裏面から除去する必要がなくなる。
よび他の隆起部を、本発明によるチャック１の陥没部３
によって収容することが可能である。陥没部３は、隆起
部と同じ平坦なウェハ表面にある。そのため、ウェハを
ウェハチャック上に適切に位置決めするために隆起部を
ウェハ裏面から除去する必要がなくなる。
【００８３】図５は、ウェハ処理システムを示す。この
ウェハ処理システムは、ウェハチャック１と、１組で３
つの最小面積にて接触するウェハ支持部材２１を有する
ウェハホルダ２０と、支持部材との接触部位１２を平坦
なウェハ表面上に予め定めるウェハ支持部材とを含む。
ウェハをウェハホルダ２０（これは、例えば、高温中の
石英ボートであり得る）からウェハチャック１へと移送
するウェハ移送手段３０が提供される。この移送手段
は、ウェハチャック上のウェハをある位置および／また
はある方角において発見し、これにより、支持部材２１
によって予め定められたウェハ１０の支持部材との接触
部位１２を、ウェハチャック１の陥没部３上において発
見する。ウェハ移送手段３０は、回転位置調節手段３１
は、ウェハチャック１上にウェハを配置する前に、移送
されるウェハ１０の回転位置を調節する。
ウェハ処理システムは、ウェハチャック１と、１組で３
つの最小面積にて接触するウェハ支持部材２１を有する
ウェハホルダ２０と、支持部材との接触部位１２を平坦
なウェハ表面上に予め定めるウェハ支持部材とを含む。
ウェハをウェハホルダ２０（これは、例えば、高温中の
石英ボートであり得る）からウェハチャック１へと移送
するウェハ移送手段３０が提供される。この移送手段
は、ウェハチャック上のウェハをある位置および／また
はある方角において発見し、これにより、支持部材２１
によって予め定められたウェハ１０の支持部材との接触
部位１２を、ウェハチャック１の陥没部３上において発
見する。ウェハ移送手段３０は、回転位置調節手段３１
は、ウェハチャック１上にウェハを配置する前に、移送
されるウェハ１０の回転位置を調節する。
【００８４】
【発明の効果】本発明により、ウェハチャック上に配置
されたウェハがリソグラフィーにて露光を受けたとき
に、フォーカススポット出現を信頼性を以って回避する
ことが可能である。
されたウェハがリソグラフィーにて露光を受けたとき
に、フォーカススポット出現を信頼性を以って回避する
ことが可能である。
【図１】図１は、本発明によるウェハチャックと、リソ
グラフィーデバイス中に配置されたウェハとである。
グラフィーデバイス中に配置されたウェハとである。
【図２】図２は、本発明による、支持部材の位置と、ウ
ェハ表面の支持部材との接触部位の位置と、ウェハチャ
ックの陥没部の位置との組み合わせの模式図である。
ェハ表面の支持部材との接触部位の位置と、ウェハチャ
ックの陥没部の位置との組み合わせの模式図である。
【図３】図３は、本発明によるウェハチャックの実施形
態の模式図である。
態の模式図である。
【図４】図４は、石英ボートの１組のウェハ支持部材上
のウェハであり、この石英ボートは高温の炉中にある。
のウェハであり、この石英ボートは高温の炉中にある。
【図５】図５は、本発明によるウェハ処理システムおよ
びウェハ処理方法である。
びウェハ処理方法である。
１ ウェハチャック
２ 支持領域
３ 陥没部
４ １２に対応する予め定められた位置
９ リソグラフィーデバイス
１０ 半導体ウェハ
１１ 平坦なウェハ表面
１２ 支持部材の接触部位
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 ヴォルフラム ケストラー
ドイツ国 01465 ランゲブリュック，
ノイルスハイマー シュトラーセ 54
(72)発明者 ギュンター ラシャン
ドイツ国 01109 ドレスデン， ダルヴ
ィンシュトラーセ ７アー
Ｆターム(参考） 5F031 CA02 FA01 FA12 GA36 HA08
HA13 HA64 KA01 KA08 MA27
PA14 PA26
5F046 CC01 CC08 CC10 CC13
Claims (18)
- 【請求項１】 ウェハホルダ（２０）およびウェハチャ
ック（１）を備えるウェハ処理システムであって、 該ウェハホルダ（２０）は、最小面積にて接触する１組
のウェハ支持部材（２１）を有し、該最小面積にて接触
する１組のウェハ支持部材（２１）は、ウェハ（１０）
の平坦なウェハ表面（１１）上に支持部材との接触部位
（１２）を予め定め、 該ウェハチャック（１）は該ウェハ（１０）を支持する
ウェハ支持領域（２）を有し、該ウェハ支持領域（２）
は、該平坦なウェハ表面（１１）と接触するように構成
され、 該ウェハホルダ（２０）および該ウェハチャック（１）
は、互いに相対する位置を有し、該相対位置は、水平方
向に伸びる距離を含み、 該ウェハチャック（１）は、予め定められた位置（４）
に割り当てられた陥没部（３）を備え、該予め定められ
た位置（４）は、該最小面積にて接触するウェハ支持部
材（２１）によって予め定められた平坦なウェハ表面
（１１）の支持部材との接触部位（１２）に対応し、 該ウェハを該ウェハホルダ（２０）と該ウェハチャック
（１）との間で移動させるウェハ移送手段（３０）を備
え、該ウェハホルダ（２０）と該ウェハチャック（１）
との間で移送されるウェハ（１０）の回転位置を調節し
て、これにより、該平坦なウェハ表面（１１）と該ウェ
ハチャック（１）のウェハ支持領域（２）とが接触した
ときに該平坦なウェハ表面（１１）の支持部材との接触
部位（１２）が該ウェハチャック（１）の陥没部（３）
上に設けられるようにする回転位置調節手段（３１）を
さらに備える、ウェハ処理システム。 - 【請求項２】 前記ウェハチャック（１）の陥没部
（３）は、前記ウェハ支持領域（２）の中心の周囲にお
いて対称に割り当てられる、請求項１に記載のウェハ処
理システム。 - 【請求項３】 前記陥没部（３）は、前記ウェハ支持領
域（２）において円形の断面を有する陥没部（３ａ）で
ある、請求項１または２に記載のウェハ処理システム。 - 【請求項４】 前記陥没部（３）の断面の直径は５〜１
５ｍｍである、請求項１〜３のいずれかに記載のウェハ
処理システム。 - 【請求項５】 前記陥没部（３）は、前記ウェハ支持領
域（２）において楕円断面を有する陥没部（３ｂ）であ
る、請求項１〜４のいずれかに記載のウェハ処理システ
ム。 - 【請求項６】 前記ウェハチャック（１）は３対の陥没
部（３ｃ）を備え、各対の陥没部（３ｃ）は両方とも互
いに隣接して割り当てられ、該３対の陥没部（３ｃ）
は、前記ウェハ支持領域（２）の中心の周囲に対称に割
り当てられる、請求項１〜５のいずれかに記載のウェハ
処理システム。 - 【請求項７】 前記陥没部（３）の前記ウェハ支持領域
（２）からの深さは１０〜１００μｍである、請求項１
〜６のいずれかに記載のウェハ処理システム。 - 【請求項８】 前記ウェハチャック（１）は真空チャッ
クである、請求項１〜７のいずれかに記載のウェハ処理
システム。 - 【請求項９】 前記真空チャック（１）はピンチャック
である、請求項８に記載のウェハ処理システム。 - 【請求項１０】 前記真空チャック（１）はリングチャ
ックである、請求項８に記載のウェハ処理システム。 - 【請求項１１】 前記回転位置調節手段（３１）は、前
記ウェハ移送手段（３０）の一部を形成する、請求項１
〜１０のいずれかに記載のウェハ処理システム。 - 【請求項１２】 前記ウェハホルダ（２０）は、高温炉
（２３）用の石英ボート（２２）の一部を形成する、請
求項１〜１１のいずれかに記載のウェハ処理システム。 - 【請求項１３】 前記ウェハチャック（１）は、リソグ
ラフィーデバイス（９）の一部を形成する、請求項１〜
１２のいずれかに記載のウェハ処理システム。 - 【請求項１４】 ウェハ（１０）をウェハホルダ（２
０）とウェハチャック（１）との間で移動させるウェハ
処理方法であって、 該ウェハホルダ（２０）は、１組の最小面積にて接触す
るウェハ支持部材（２１）を有し、該最小面積にて接触
するウェハ支持部材（２１）は、支持部材との接触部位
（１２）をウェハ（１０）の平坦なウェハ表面（１１）
上に規定し、 該ウェハチャック（１）は、該ウェハ（１０）を支持す
るウェハ支持領域（２）を有し、該ウェハ支持領域
（２）は、該平坦なウェハ表面（１１）と接触するよう
に構成され、予め定められた位置（４）に割り当てられ
た陥没部（３）を備え、該予め定められた位置（４）
は、該最小面積にて接触する１組のウェハ支持部材（２
１）によって予め定められた平坦なウェハ表面（１１）
の支持部材との接触部位（１２）に対応し、 該ウェハホルダ（２０）から該ウェハ（１０）を持ち上
げる工程と、 該ウェハ（１０）を該ウェハホルダ（２０）上の空間か
ら移動して該ウェハチャック（１）に移送する工程であ
って、この移送工程は、水平方向の移送を含む、工程
と、 該ウェハ（１０）を該ウェハチャック（１）上に配置し
て、該平坦なウェハ表面（１１）が該ウェハ支持領域
（２）と接触した場合に、該平坦なウェハ表面（１１）
の支持部材との接触部位（１２）が該ウェハチャック
（１）の陥没部（３）上に設けられるようにする工程
と、を包含する、方法。 - 【請求項１５】 先ず、前記ウェハ（１０）の回転位置
を回転位置調節手段（３１）によって調節し、次に、該
ウェハ（１０）を前記ウェハチャック（１）上に下降さ
せる、請求項１４に記載のウェハ処理方法。 - 【請求項１６】 前記ウェハ（１０）を前記ウェハチャ
ック（１）上の空間に移送する間に、前記ウェハ（１
０）の回転位置を調節する、請求項１４または１５に記
載のウェハ処理方法。 - 【請求項１７】 前記ウェハ（１０）を前記ウェハホル
ダ（２０）と前記ウェハチャック（１）との間で移送さ
せる間に、該ウェハ（１０）の回転する方角を維持す
る、請求項１４〜１６のいずれかに記載のウェハ処理方
法。 - 【請求項１８】 前記ウェハホルダ（２０）および前記
ウェハチャック（１）の方角は、ウェハ（１０）を上側
方向から前記１組の最小面積にて接触するウェハ支持部
材（２１）および前記ウェハ支持領域（２）上に配置で
きるような方角であり、かつ、該ウェハホルダ（２０）
および該ウェハチャック（１）をの相対位置が、ウェハ
（１０）を該ウェハホルダ（２０）と該ウェハチャック
（１）との間で移動させる際、該ウェハ（１０）を水平
に移送させることを必要とする相対位置となるような方
角である、請求項１４〜１７のいずれかに記載のウェハ
処理方法。
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