JP2003090967A - 薄膜光学装置 - Google Patents
薄膜光学装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 薄膜光学装置に加わる振動を抑圧して、安定
した光量調整等の光学機能を得ることの可能な薄膜光学
装置を提供する。 【解決手段】 第１の薄膜と第２の薄膜との対向する面
の間隔を可変して光の多重干渉条件を制御する複数の光
学薄膜素子を有する薄膜光学装置１０１において、薄膜
光学装置１０１に加わった振動（外乱）を第１の薄膜コ
イル２あるいは第２の薄膜コイル８の誘起電圧の変化等
から検出し、この外乱信号の逆位相電圧を外周部Ａの光
学薄膜素子１１に印加して外周部Ａの光学薄膜素子１１
を駆動することで、薄膜光学装置１０１に加わった振動
を抑圧する。
した光量調整等の光学機能を得ることの可能な薄膜光学
装置を提供する。 【解決手段】 第１の薄膜と第２の薄膜との対向する面
の間隔を可変して光の多重干渉条件を制御する複数の光
学薄膜素子を有する薄膜光学装置１０１において、薄膜
光学装置１０１に加わった振動（外乱）を第１の薄膜コ
イル２あるいは第２の薄膜コイル８の誘起電圧の変化等
から検出し、この外乱信号の逆位相電圧を外周部Ａの光
学薄膜素子１１に印加して外周部Ａの光学薄膜素子１１
を駆動することで、薄膜光学装置１０１に加わった振動
を抑圧する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光量調整機能を有
する薄膜光学装置に関するものである。
する薄膜光学装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】カメラ等の撮像機器では、レンズに入っ
てくる光量を絞り羽根等を開け閉めすることによって適
正な露出となるように調整している。すなわち、光が強
い時には、絞りを強くしてレンズへの入射光量をおさ
え、 逆に光が弱い場合には絞りを弱めてレンズへの入
射光量を増やす。ここで、絞り調整機構は絞り羽根等の
機械部品であるため、その機械的摺動部分の摩耗等がカ
メラ等の撮像機器の寿命を大きく左右するという現状が
ある。
てくる光量を絞り羽根等を開け閉めすることによって適
正な露出となるように調整している。すなわち、光が強
い時には、絞りを強くしてレンズへの入射光量をおさ
え、 逆に光が弱い場合には絞りを弱めてレンズへの入
射光量を増やす。ここで、絞り調整機構は絞り羽根等の
機械部品であるため、その機械的摺動部分の摩耗等がカ
メラ等の撮像機器の寿命を大きく左右するという現状が
ある。
【０００３】機械的な摩耗のない光量調整機構として期
待される光学デバイスとして、例えば特開平９−９０４
３６号公報には、酸化還元反応物質の酸化還元反応を利
用した光学フィルタがある。この光学フィルタは、内面
に電極が設けられたセルの内部を、可逆的に酸化還元反
応する反応物質を含む反応溶液で充たし、セル内の反応
物質の酸化還元反応によって光の透過率の制御を行うも
のである。
待される光学デバイスとして、例えば特開平９−９０４
３６号公報には、酸化還元反応物質の酸化還元反応を利
用した光学フィルタがある。この光学フィルタは、内面
に電極が設けられたセルの内部を、可逆的に酸化還元反
応する反応物質を含む反応溶液で充たし、セル内の反応
物質の酸化還元反応によって光の透過率の制御を行うも
のである。
【０００４】このような光学フィルタのセルは、例え
ば、透明な導電性物質である酸化インジウムスズからな
る電極（以下、ＩＴＯ電極）および銀板電極が形成され
た円盤状の第１の透明基板と、この第１の透明基板とほ
ぼ同じ形状の第２の透明基板と、第１の透明基板と第２
の透明基板との間に配される環状のスぺーサーとからな
る。第１の透明基板と第２の透明基板とはスぺーサーを
介して対向するように配置され、第１の透明基板、第２
の透明基板およびスぺーサーに囲まれた部分に反応溶液
が充たされている。このセル内部に充たされる反応溶液
としては、例えば、可逆的に酸化還元反応する反応物質
であるＡｇＣｌを含むんだ溶液が用いられる。
ば、透明な導電性物質である酸化インジウムスズからな
る電極（以下、ＩＴＯ電極）および銀板電極が形成され
た円盤状の第１の透明基板と、この第１の透明基板とほ
ぼ同じ形状の第２の透明基板と、第１の透明基板と第２
の透明基板との間に配される環状のスぺーサーとからな
る。第１の透明基板と第２の透明基板とはスぺーサーを
介して対向するように配置され、第１の透明基板、第２
の透明基板およびスぺーサーに囲まれた部分に反応溶液
が充たされている。このセル内部に充たされる反応溶液
としては、例えば、可逆的に酸化還元反応する反応物質
であるＡｇＣｌを含むんだ溶液が用いられる。
【０００５】このような光学フィルタで光透過率を制御
する際は、ＩＴＯ電極と銀板電極とに電位差を生じさせ
ることにより、反応溶液中で酸化還元反応を起してＡｇ
をＩＴＯ電極上に析出させたり溶解させる。すなわち光
透過率を低下させるときには酸化還元反応によってＩＴ
Ｏ電極上にＡｇを析出させ、光透過率を上げるときには
酸化還元反応によってＩＴＯ電極上のＡｇを溶解する。
する際は、ＩＴＯ電極と銀板電極とに電位差を生じさせ
ることにより、反応溶液中で酸化還元反応を起してＡｇ
をＩＴＯ電極上に析出させたり溶解させる。すなわち光
透過率を低下させるときには酸化還元反応によってＩＴ
Ｏ電極上にＡｇを析出させ、光透過率を上げるときには
酸化還元反応によってＩＴＯ電極上のＡｇを溶解する。
【０００６】しかしながら、かかる酸化還元反応物質を
用いた光学フィルタでは、経年使用等に伴う反応物質の
劣化によって酸化還元反応が鈍くなってくると、ＩＴＯ
電極上に付着したＡｇが酸化還元反応による溶解で除去
しきらずに残留するおそれがあり、良好な光量調整機能
を維持できなくなるという問題がある。
用いた光学フィルタでは、経年使用等に伴う反応物質の
劣化によって酸化還元反応が鈍くなってくると、ＩＴＯ
電極上に付着したＡｇが酸化還元反応による溶解で除去
しきらずに残留するおそれがあり、良好な光量調整機能
を維持できなくなるという問題がある。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】そこで、透明基板上に
第１の電極層、光学多層膜、第２の電極層を順に積層
し、第１の電極層と光学多層膜との間にはエアギャップ
を設け、電極間に印加する電圧を制御することによって
電極間に生じた静電引力でエアギャップを変形させ、光
の多重干渉条件を変化させることで光量調整を行う薄膜
光学装置の開発が本発明者等によって進められている。
第１の電極層、光学多層膜、第２の電極層を順に積層
し、第１の電極層と光学多層膜との間にはエアギャップ
を設け、電極間に印加する電圧を制御することによって
電極間に生じた静電引力でエアギャップを変形させ、光
の多重干渉条件を変化させることで光量調整を行う薄膜
光学装置の開発が本発明者等によって進められている。
【０００８】この薄膜光学装置では、第１の電極層、光
学多層膜、第２の電極層および一つのエアギャップで一
つの光学薄膜素子が構成される。この薄膜光学装置を例
えば撮像機器の絞り調整機構として組み込む場合、光学
レンズの面に沿って多数の光学薄膜素子を配設し、各光
学薄膜素子を駆動してトータルとして目的の光量が得ら
れるように個々の光学薄膜素子の光の多重干渉条件を制
御している。
学多層膜、第２の電極層および一つのエアギャップで一
つの光学薄膜素子が構成される。この薄膜光学装置を例
えば撮像機器の絞り調整機構として組み込む場合、光学
レンズの面に沿って多数の光学薄膜素子を配設し、各光
学薄膜素子を駆動してトータルとして目的の光量が得ら
れるように個々の光学薄膜素子の光の多重干渉条件を制
御している。
【０００９】しかしながら、各光学薄膜素子が一斉に駆
動されると、個々の光学薄膜素子の機械的な動きが全体
的として大きな振動（共振）をうみ出し、光量調整に悪
影響を来すおそれが考えられる。この光学薄膜素子の機
械的な動きに伴って発生した振動（共振）や外部からの
衝撃で加わった加速度を、以下、薄膜光学装置に加わっ
た振動と呼ぶことにする。
動されると、個々の光学薄膜素子の機械的な動きが全体
的として大きな振動（共振）をうみ出し、光量調整に悪
影響を来すおそれが考えられる。この光学薄膜素子の機
械的な動きに伴って発生した振動（共振）や外部からの
衝撃で加わった加速度を、以下、薄膜光学装置に加わっ
た振動と呼ぶことにする。
【００１０】この発明は、このような従来の実情に鑑み
て提案されたものであり、薄膜光学装置に加わる振動を
抑圧して、安定した光量調整等の光学機能を得ることの
可能な薄膜光学装置を提供することを目的とするもので
ある。
て提案されたものであり、薄膜光学装置に加わる振動を
抑圧して、安定した光量調整等の光学機能を得ることの
可能な薄膜光学装置を提供することを目的とするもので
ある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】かかる課題を解決するた
めに、本発明の薄膜光学装置は、第１の薄膜と第２の薄
膜との対向する面の間隔を可変して光の多重干渉条件を
制御する複数の光学薄膜素子を有する薄膜光学装置にお
いて、前記薄膜光学装置に加わる振動を検出する検出手
段と、この検出手段の検出結果に基づいて前記薄膜光学
装置に加わる振動を打ち消すための振動を前記光学薄膜
素子に発生させる制御手段とを具備してなるものであ
る。
めに、本発明の薄膜光学装置は、第１の薄膜と第２の薄
膜との対向する面の間隔を可変して光の多重干渉条件を
制御する複数の光学薄膜素子を有する薄膜光学装置にお
いて、前記薄膜光学装置に加わる振動を検出する検出手
段と、この検出手段の検出結果に基づいて前記薄膜光学
装置に加わる振動を打ち消すための振動を前記光学薄膜
素子に発生させる制御手段とを具備してなるものであ
る。
【００１２】また、この発明は、制御手段が薄膜光学装
置に加わる振動を打ち消すための振動を予め決められた
一部の前記光学薄膜素子に発生させるようになしたもの
である。
置に加わる振動を打ち消すための振動を予め決められた
一部の前記光学薄膜素子に発生させるようになしたもの
である。
【００１３】さらに、この発明は、検出手段が、対向す
る面の間隔を検知して前記薄膜光学装置に加わる振動を
検出するように構成されたものである。
る面の間隔を検知して前記薄膜光学装置に加わる振動を
検出するように構成されたものである。
【００１４】さらに、この発明は、前記第１の薄膜と前
記第２の薄膜がそれぞれ通電により静電引力を発生させ
る電極層を備えて構成されたものである。
記第２の薄膜がそれぞれ通電により静電引力を発生させ
る電極層を備えて構成されたものである。
【００１５】また、この発明は、前記第１の薄膜と前記
第２の薄膜がそれぞれ通電により磁力を発生させる薄膜
コイルを備えて構成されたものである。
第２の薄膜がそれぞれ通電により磁力を発生させる薄膜
コイルを備えて構成されたものである。
【００１６】すなわち、この発明は、薄膜光学装置に加
わった振動を検出し、この検出された振動の逆位相の振
動を光学薄膜素子に発生させるように制御を行うことに
よって、薄膜光学装置に加わった振動を抑圧することが
でき、安定した光量調整等の光学機能を得ることができ
る。
わった振動を検出し、この検出された振動の逆位相の振
動を光学薄膜素子に発生させるように制御を行うことに
よって、薄膜光学装置に加わった振動を抑圧することが
でき、安定した光量調整等の光学機能を得ることができ
る。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を用いて説明する。
を用いて説明する。
【００１８】図１は、この発明の実施の形態にかかる薄
膜光学装置を示す平面図である。
膜光学装置を示す平面図である。
【００１９】同図に示すように、この薄膜光学装置１０
１は、光学ガラスや光学レンズなどの基体部１０と、こ
の基体部１０の面に均一に配設された複数の光学薄膜素
子１１で構成されている。
１は、光学ガラスや光学レンズなどの基体部１０と、こ
の基体部１０の面に均一に配設された複数の光学薄膜素
子１１で構成されている。
【００２０】図２および図３に光学薄膜素子１１の構成
を示す。これらの図に示すように、図１の基体部１０で
ある光学ガラス等の透明な基板１の上には第１の薄膜コ
イル２、第１の絶縁層３および第１の電極層４が順に積
層形成されている。第１の電極層４の上には第１のＳｉ
Ｎ層５、第２の電極層６、第２の絶縁層７および第２の
薄膜コイル８が順に積層され、第１の電極層４と第１の
ＳｉＮ層５との間にはエアギャップ１３が形成されてい
る。
を示す。これらの図に示すように、図１の基体部１０で
ある光学ガラス等の透明な基板１の上には第１の薄膜コ
イル２、第１の絶縁層３および第１の電極層４が順に積
層形成されている。第１の電極層４の上には第１のＳｉ
Ｎ層５、第２の電極層６、第２の絶縁層７および第２の
薄膜コイル８が順に積層され、第１の電極層４と第１の
ＳｉＮ層５との間にはエアギャップ１３が形成されてい
る。
【００２１】また、第１の電極層４の上にはスぺーサ用
のＳｉＮ層１２を介して、第３の電極層９と第２のＳｉ
Ｎ層１０とが順に積層形成されている。第３の電極層９
と第１の電極層４との間にはスぺーサ用のＳｉＮ層１２
の厚み分の空間が確保されており、この空間内に、第１
の電極層４との間に上記のエアギャップ１３を形成する
第１のＳｉＮ層５、第２の電極層６、第２の絶縁層７お
よび第２の薄膜コイル８からなる多層膜が収容されてい
る。
のＳｉＮ層１２を介して、第３の電極層９と第２のＳｉ
Ｎ層１０とが順に積層形成されている。第３の電極層９
と第１の電極層４との間にはスぺーサ用のＳｉＮ層１２
の厚み分の空間が確保されており、この空間内に、第１
の電極層４との間に上記のエアギャップ１３を形成する
第１のＳｉＮ層５、第２の電極層６、第２の絶縁層７お
よび第２の薄膜コイル８からなる多層膜が収容されてい
る。
【００２２】ここで、第１の電極層４、第２の電極層６
および第３の電極層９は、例えば、透明な導電性物質で
ある酸化インジウムスズからなる電極（ＩＴＯ電極）で
構成されている。第１の絶縁層３および第２の絶縁層７
の材料には例えばＳｉＯ2 等が使用されている。
および第３の電極層９は、例えば、透明な導電性物質で
ある酸化インジウムスズからなる電極（ＩＴＯ電極）で
構成されている。第１の絶縁層３および第２の絶縁層７
の材料には例えばＳｉＯ2 等が使用されている。
【００２３】また、図１に示すように、基体部１０の外
周部には、上記の各薄膜コイル２，８および各電極層
４，６，９と導通する導体配線１４が設けられたフレキ
シブル印刷基板１５が取り付けられている。このフレキ
シブル印刷基板１５の各導体配線１４の一端はコントロ
ーラ１６と接続されている。
周部には、上記の各薄膜コイル２，８および各電極層
４，６，９と導通する導体配線１４が設けられたフレキ
シブル印刷基板１５が取り付けられている。このフレキ
シブル印刷基板１５の各導体配線１４の一端はコントロ
ーラ１６と接続されている。
【００２４】次に、図４を参照して、光学薄膜素子１１
の動作原理を説明する。
の動作原理を説明する。
【００２５】光学薄膜素子１１は、例えば光の透過率を
切り替える光スイッチなどとして機能する。図４の
（ａ）と（ｂ）は光透過率が異なる光学薄膜素子１１の
二つの状態を示している。このように第１の電極層４と
第１のＳｉＮ層５との対向する面の間隔すなわちエアギ
ャップ１３の高さを可変することによって光の多重干渉
条件が制御され、光の透過率の調整が行われる。
切り替える光スイッチなどとして機能する。図４の
（ａ）と（ｂ）は光透過率が異なる光学薄膜素子１１の
二つの状態を示している。このように第１の電極層４と
第１のＳｉＮ層５との対向する面の間隔すなわちエアギ
ャップ１３の高さを可変することによって光の多重干渉
条件が制御され、光の透過率の調整が行われる。
【００２６】エアギャップ１３の高さを可変するため
に、コントローラ１６は３つの電極層４、６、９に印加
する電圧を制御して、各電極間に所望の静電引力Ｐを発
生させる。また、この実施形態では、第１の薄膜コイル
２と第２の薄膜コイル８とがエアギャップ１３の上下に
互いに対向するようにして配置されており、これらの薄
膜コイル２，８に通電することによって発生した磁力を
併用してエアギャップ１３の高さを可変させている。
に、コントローラ１６は３つの電極層４、６、９に印加
する電圧を制御して、各電極間に所望の静電引力Ｐを発
生させる。また、この実施形態では、第１の薄膜コイル
２と第２の薄膜コイル８とがエアギャップ１３の上下に
互いに対向するようにして配置されており、これらの薄
膜コイル２，８に通電することによって発生した磁力を
併用してエアギャップ１３の高さを可変させている。
【００２７】このような薄膜光学装置１０１は、例えば
図５に示すような光学システムに利用することが可能で
ある。この光学システムに利用される薄膜光学装置１０
１は光学レンズ１０９を基体部として構成される。この
光学システムは、光源１０３から出た光を光学レンズ１
０５を通って被写体１０７にあて、薄膜光学装置１０１
にて透過光量を制限した被写体１０７からの反射光を光
学レンズ１０９、１１１を通して受光素子で構成される
検出部１１３にて電気信号に変換するシステムである。
図５に示すような光学システムに利用することが可能で
ある。この光学システムに利用される薄膜光学装置１０
１は光学レンズ１０９を基体部として構成される。この
光学システムは、光源１０３から出た光を光学レンズ１
０５を通って被写体１０７にあて、薄膜光学装置１０１
にて透過光量を制限した被写体１０７からの反射光を光
学レンズ１０９、１１１を通して受光素子で構成される
検出部１１３にて電気信号に変換するシステムである。
【００２８】次に、この薄膜光学装置１０１に代表され
る動作を説明する。
る動作を説明する。
【００２９】図１に示したように、この実施の形態の例
では、薄膜光学装置１０１の全体の光学薄膜素子１１の
うちの、例えば外周部Ａの光学薄膜素子１１を、薄膜光
学装置１０１に加わった振動（外乱）を打ち消すため
の、当該外乱と逆位相の振動をうみ出すための光学薄膜
素子１１として使用する。この外周部Ａの光学薄膜素子
１１は、はじめから光学薄膜素子１１の光学機能を使用
しないように決められた領域であってもよい。この外周
部の各光学薄膜素子１１の駆動と内周部Ｂの各光学薄膜
素子１１の駆動はコントローラ１６によって別々に制御
可能である。
では、薄膜光学装置１０１の全体の光学薄膜素子１１の
うちの、例えば外周部Ａの光学薄膜素子１１を、薄膜光
学装置１０１に加わった振動（外乱）を打ち消すため
の、当該外乱と逆位相の振動をうみ出すための光学薄膜
素子１１として使用する。この外周部Ａの光学薄膜素子
１１は、はじめから光学薄膜素子１１の光学機能を使用
しないように決められた領域であってもよい。この外周
部の各光学薄膜素子１１の駆動と内周部Ｂの各光学薄膜
素子１１の駆動はコントローラ１６によって別々に制御
可能である。
【００３０】この実施形態の薄膜光学装置１０１は、薄
膜光学装置１０１に加わった振動を検出するために、例
えば、内周部Ｂの一つ以上の光学薄膜素子１１の共振等
による外乱振動を第１の薄膜コイル２あるいは第２の薄
膜コイル８の誘起電圧の変化等から検出する振動検出部
１７を備えている。また、この外乱振動は電極間の静電
容量の変化からも検出可能である。
膜光学装置１０１に加わった振動を検出するために、例
えば、内周部Ｂの一つ以上の光学薄膜素子１１の共振等
による外乱振動を第１の薄膜コイル２あるいは第２の薄
膜コイル８の誘起電圧の変化等から検出する振動検出部
１７を備えている。また、この外乱振動は電極間の静電
容量の変化からも検出可能である。
【００３１】この振動検出部１７によって検出された外
乱信号はコントローラ１６に与えられ、コントローラ１
６はこの外乱信号の逆位相電圧を生成し、これを外周部
Ａの光学薄膜素子１１、例えば外周部Ａのすべての光学
薄膜素子１１あるいは外周部Ａの内周寄りの一部の光学
薄膜素子１１に駆動電圧として印加する。このように外
乱信号の逆位相電圧によって外周部Ａの光学薄膜素子１
１を駆動することで、薄膜光学装置に加わった振動、つ
まり内周部Ｂの各光学薄膜素子１１の機械的な動きに伴
って発生した振動（共振）や外部からの衝撃で加わった
加速度を抑圧する効果を期待できる。
乱信号はコントローラ１６に与えられ、コントローラ１
６はこの外乱信号の逆位相電圧を生成し、これを外周部
Ａの光学薄膜素子１１、例えば外周部Ａのすべての光学
薄膜素子１１あるいは外周部Ａの内周寄りの一部の光学
薄膜素子１１に駆動電圧として印加する。このように外
乱信号の逆位相電圧によって外周部Ａの光学薄膜素子１
１を駆動することで、薄膜光学装置に加わった振動、つ
まり内周部Ｂの各光学薄膜素子１１の機械的な動きに伴
って発生した振動（共振）や外部からの衝撃で加わった
加速度を抑圧する効果を期待できる。
【００３２】尚、本発明の薄膜光学装置は、上述の実施
形態にのみ限定されるものではなく、本発明の要旨を逸
脱しない範囲内において種々変更を加え得ることは勿論
である。
形態にのみ限定されるものではなく、本発明の要旨を逸
脱しない範囲内において種々変更を加え得ることは勿論
である。
【００３３】
【発明の効果】以上、説明したように本発明によれば、
薄膜光学装置に加わった振動を検出し、この検出された
振動の逆位相の振動を光学薄膜素子に発生させるように
制御を行うことによって、薄膜光学装置に加わった振動
を抑圧することができ、安定した光量調整等の光学機能
を得ることができる。
薄膜光学装置に加わった振動を検出し、この検出された
振動の逆位相の振動を光学薄膜素子に発生させるように
制御を行うことによって、薄膜光学装置に加わった振動
を抑圧することができ、安定した光量調整等の光学機能
を得ることができる。
【図１】この発明の実施の形態にかかる薄膜光学装置を
示す平面図である。
示す平面図である。
【図２】この実施形態の光学薄膜素子の構成を示す断面
図である。
図である。
【図３】図２の光学薄膜素子の駆動回路の構成を示す図
である。
である。
【図４】図２の光学薄膜素子の動作原理を説明するため
の図である。
の図である。
【図５】この実施形態の薄膜光学装置を採用した光学シ
ステムの構成を示す図である。
ステムの構成を示す図である。
１ 基板
２ 第１の薄膜コイル
３ 第１の絶縁層
４ 第１の電極層
５ 第１のＳｉＮ層
６ 第２の電極層
７ 第２の絶縁層
８ 第２の薄膜コイル
９ 第３の電極層
１０ 基体部
１１ 光学薄膜素子
１３ エアギャップ
１５ フレキシブル印刷基板
１６ コントローラ
１７ 振動検出部
１０１ 薄膜光学装置
Claims (5)
- 【請求項１】 第１の薄膜と第２の薄膜との対向する面
の間隔を可変して光の多重干渉条件を制御する複数の光
学薄膜素子を有する薄膜光学装置において、 前記薄膜光学装置に加わる振動を検出する検出手段と、 この検出手段の検出結果に基づいて前記薄膜光学装置に
加わる振動を打ち消すための振動を前記光学薄膜素子に
発生させる制御手段とを具備することを特徴とする薄膜
光学装置。 - 【請求項２】 請求項１記載の薄膜光学装置において、 前記制御手段が前記薄膜光学装置に加わる振動を打ち消
すための振動を予め決められた一部の前記光学薄膜素子
に発生させることを特徴とする薄膜光学装置。 - 【請求項３】 請求項１または２記載の薄膜光学装置に
おいて、 前記検出手段が、対向する面の間隔を検知して前記薄膜
光学装置に加わる振動を検出するものであることを特徴
とする薄膜光学装置。 - 【請求項４】 請求項１ないし３記載のいずれかの薄膜
光学装置において、 前記第１の薄膜と前記第２の薄膜がそれぞれ通電により
静電引力を発生させる電極層を備えることを特徴とする
薄膜光学装置。 - 【請求項５】 請求項１ないし３記載のいずれかの薄膜
光学装置において、 前記第１の薄膜と前記第２の薄膜がそれぞれ通電により
磁力を発生させる薄膜コイルを備えることを特徴とする
薄膜光学装置。
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Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012173349A (ja) * | 2011-02-17 | 2012-09-10 | Seiko Epson Corp | 光モジュールおよび電子機器 |
| JP2012185427A (ja) * | 2011-03-08 | 2012-09-27 | Seiko Epson Corp | 光モジュールおよび光分析装置 |
| JP2012220765A (ja) * | 2011-04-11 | 2012-11-12 | Seiko Epson Corp | 波長可変干渉フィルター、光モジュール、及び電子機器 |
| JP2013545117A (ja) * | 2010-09-03 | 2013-12-19 | クォルコム・メムズ・テクノロジーズ・インコーポレーテッド | 干渉ディスプレイデバイス |
| US20150346479A1 (en) * | 2014-05-27 | 2015-12-03 | Seiko Epson Corporation | Mems driving device, electronic apparatus, and mems driving method |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07104338A (ja) * | 1993-10-07 | 1995-04-21 | Canon Inc | 像振れ補正装置 |
| JPH07199265A (ja) * | 1993-12-28 | 1995-08-04 | Canon Inc | 像振れ補正機能付カメラ |
| JPH09160079A (ja) * | 1995-12-12 | 1997-06-20 | Sony Corp | 光学デバイス及びその製造方法 |
| JP2000028931A (ja) * | 1998-07-09 | 2000-01-28 | Tdk Corp | 多波長フィルタアレイ |
-
2001
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Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07104338A (ja) * | 1993-10-07 | 1995-04-21 | Canon Inc | 像振れ補正装置 |
| JPH07199265A (ja) * | 1993-12-28 | 1995-08-04 | Canon Inc | 像振れ補正機能付カメラ |
| JPH09160079A (ja) * | 1995-12-12 | 1997-06-20 | Sony Corp | 光学デバイス及びその製造方法 |
| JP2000028931A (ja) * | 1998-07-09 | 2000-01-28 | Tdk Corp | 多波長フィルタアレイ |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013545117A (ja) * | 2010-09-03 | 2013-12-19 | クォルコム・メムズ・テクノロジーズ・インコーポレーテッド | 干渉ディスプレイデバイス |
| JP2012173349A (ja) * | 2011-02-17 | 2012-09-10 | Seiko Epson Corp | 光モジュールおよび電子機器 |
| JP2012185427A (ja) * | 2011-03-08 | 2012-09-27 | Seiko Epson Corp | 光モジュールおよび光分析装置 |
| JP2012220765A (ja) * | 2011-04-11 | 2012-11-12 | Seiko Epson Corp | 波長可変干渉フィルター、光モジュール、及び電子機器 |
| US20150346479A1 (en) * | 2014-05-27 | 2015-12-03 | Seiko Epson Corporation | Mems driving device, electronic apparatus, and mems driving method |
| JP2015225153A (ja) * | 2014-05-27 | 2015-12-14 | セイコーエプソン株式会社 | Ｍｅｍｓ駆動装置、電子機器、及びｍｅｍｓ駆動方法 |
| CN105319797A (zh) * | 2014-05-27 | 2016-02-10 | 精工爱普生株式会社 | Mems驱动装置、电子设备及mems驱动方法 |
| CN105319797B (zh) * | 2014-05-27 | 2020-10-09 | 精工爱普生株式会社 | Mems驱动装置、电子设备及mems驱动方法 |
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