JP2003087085A - 圧電共振子、フィルタおよび電子通信機器 - Google Patents
圧電共振子、フィルタおよび電子通信機器Info
- Publication number
- JP2003087085A JP2003087085A JP2002139863A JP2002139863A JP2003087085A JP 2003087085 A JP2003087085 A JP 2003087085A JP 2002139863 A JP2002139863 A JP 2002139863A JP 2002139863 A JP2002139863 A JP 2002139863A JP 2003087085 A JP2003087085 A JP 2003087085A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- piezoelectric
- piezoelectric resonator
- main component
- resonance frequency
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004891 communication Methods 0.000 title claims description 10
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 128
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 30
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 65
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 claims description 5
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- NKZSPGSOXYXWQA-UHFFFAOYSA-N dioxido(oxo)titanium;lead(2+) Chemical compound [Pb+2].[O-][Ti]([O-])=O NKZSPGSOXYXWQA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 abstract 1
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 26
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 13
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 8
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 7
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 5
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 229910052451 lead zirconate titanate Inorganic materials 0.000 description 4
- HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N lead zirconate titanate Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ti+4].[Zr+4].[Pb+2] HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- LLZRNZOLAXHGLL-UHFFFAOYSA-J titanic acid Chemical compound O[Ti](O)(O)O LLZRNZOLAXHGLL-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/15—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
- H03H9/17—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator
- H03H9/171—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator implemented with thin-film techniques, i.e. of the film bulk acoustic resonator [FBAR] type
- H03H9/172—Means for mounting on a substrate, i.e. means constituting the material interface confining the waves to a volume
- H03H9/174—Membranes
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
- H03H3/04—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks for obtaining desired frequency or temperature coefficient
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02007—Details of bulk acoustic wave devices
- H03H9/02015—Characteristics of piezoelectric layers, e.g. cutting angles
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02007—Details of bulk acoustic wave devices
- H03H9/02062—Details relating to the vibration mode
- H03H9/0207—Details relating to the vibration mode the vibration mode being harmonic
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/15—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
- H03H9/17—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator
- H03H9/171—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator implemented with thin-film techniques, i.e. of the film bulk acoustic resonator [FBAR] type
- H03H9/172—Means for mounting on a substrate, i.e. means constituting the material interface confining the waves to a volume
- H03H9/173—Air-gaps
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
- H03H3/04—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks for obtaining desired frequency or temperature coefficient
- H03H2003/0407—Temperature coefficient
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】電極での共振エネルギーのロス少なく、かつ、
共振周波数の温度変化に対する安定性を良好にする。 【解決手段】基板２と、基板２に形成されている、少な
くとも１層以上の圧電薄膜を有する内側薄膜部の上下面
を少なくとも一対の上部電極４ｂ及び下部電極４ａを対
向させて挟む構造の振動部４とを有する、共振子を複数
設けた圧電共振子において、下部電極４ａの下に、圧電
薄膜または誘電薄膜を含む１層以上の外側薄膜部４ｃを
有するとともに、振動部４はｎ倍波（ただし、ｎは２以
上の整数）の振動モードで振動し、且つ上部電極４ｂ及
び下部電極４ａが、概略、ｎ倍波の腹の位置に設けられ
ている。
共振周波数の温度変化に対する安定性を良好にする。 【解決手段】基板２と、基板２に形成されている、少な
くとも１層以上の圧電薄膜を有する内側薄膜部の上下面
を少なくとも一対の上部電極４ｂ及び下部電極４ａを対
向させて挟む構造の振動部４とを有する、共振子を複数
設けた圧電共振子において、下部電極４ａの下に、圧電
薄膜または誘電薄膜を含む１層以上の外側薄膜部４ｃを
有するとともに、振動部４はｎ倍波（ただし、ｎは２以
上の整数）の振動モードで振動し、且つ上部電極４ｂ及
び下部電極４ａが、概略、ｎ倍波の腹の位置に設けられ
ている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、圧電材料や誘電材
料を薄膜にして多層構造として振動部位を形成する圧電
共振子に係り、より詳しくは、フィルタや発振子などに
使用されて、ＶＨＦ帯、ＵＨＦ帯、さらにそれ以上の超
高周波帯において厚み縦振動する圧電共振子に関する。
本発明はまた、この圧電共振子を用いたフィルタおよび
電子通信機器に関する。
料を薄膜にして多層構造として振動部位を形成する圧電
共振子に係り、より詳しくは、フィルタや発振子などに
使用されて、ＶＨＦ帯、ＵＨＦ帯、さらにそれ以上の超
高周波帯において厚み縦振動する圧電共振子に関する。
本発明はまた、この圧電共振子を用いたフィルタおよび
電子通信機器に関する。
【０００２】
【従来の技術】厚み縦振動を利用した圧電共振子の場
合、その共振周波数が圧電膜の厚さに反比例する関係に
あることを利用して、電極間に極めて膜厚の薄い圧電膜
を介装した形態にして超高周波数帯域で共振応答を得る
ものがある。
合、その共振周波数が圧電膜の厚さに反比例する関係に
あることを利用して、電極間に極めて膜厚の薄い圧電膜
を介装した形態にして超高周波数帯域で共振応答を得る
ものがある。
【０００３】このような圧電共振子において、表裏面を
貫通した開口を有する基板と、前記開口を覆う形態で該
基板上に設けられたＳｉＯ2薄膜からなるダイヤフラム
と、前記ダイヤフラム上に設けられた一対の対向電極間
にＺｎＯ薄膜を介装してなる振動部位とを備えた厚み縦
振動型のものがある。
貫通した開口を有する基板と、前記開口を覆う形態で該
基板上に設けられたＳｉＯ2薄膜からなるダイヤフラム
と、前記ダイヤフラム上に設けられた一対の対向電極間
にＺｎＯ薄膜を介装してなる振動部位とを備えた厚み縦
振動型のものがある。
【０００４】そして、この種の圧電共振子には、上下一
対の電極に圧電膜を挟んだ構造として、基本波の腹を電
極に存在する形態として電極での共振エネルギのロスを
なくしてその共振特性を良好にしたものがある。
対の電極に圧電膜を挟んだ構造として、基本波の腹を電
極に存在する形態として電極での共振エネルギのロスを
なくしてその共振特性を良好にしたものがある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の圧電共振子の場合、基本波を用いていたから、共振
エネルギのロスが少なくなるとしても、基本波の場合、
前記ＳｉＯ2薄膜とＺｎＯ薄膜との膜厚比変動で共振周
波数温度係数が大きく変動するために、共振周波数が温
度変化で大きく変化しやすく、したがって、温度変化に
対する共振周波数の安定性が低いものである。
来の圧電共振子の場合、基本波を用いていたから、共振
エネルギのロスが少なくなるとしても、基本波の場合、
前記ＳｉＯ2薄膜とＺｎＯ薄膜との膜厚比変動で共振周
波数温度係数が大きく変動するために、共振周波数が温
度変化で大きく変化しやすく、したがって、温度変化に
対する共振周波数の安定性が低いものである。
【０００６】したがって、本発明は、電極での共振エネ
ルギーのロスを低減し、かつ、温度変化に対する共振周
波数の安定性を良好にすることを解決すべき課題として
いる。
ルギーのロスを低減し、かつ、温度変化に対する共振周
波数の安定性を良好にすることを解決すべき課題として
いる。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、基板と、前記
基板に形成されている、少なくとも１層以上の圧電薄膜
を有する内側薄膜部の上下面を少なくとも一対の上部電
極及び下部電極を対向させて挟む構造の振動部とを有す
る、共振子を複数設けた圧電共振子において、前記下部
電極の下に、圧電薄膜または誘電薄膜を含む１層以上の
外側薄膜部を有するとともに、前記振動部はｎ倍波（た
だし、ｎは２以上の整数）の振動モードで振動し、且つ
前記上部電極及び下部電極が、概略、前記ｎ倍波の腹の
位置に設けられていることを特徴とする。
基板に形成されている、少なくとも１層以上の圧電薄膜
を有する内側薄膜部の上下面を少なくとも一対の上部電
極及び下部電極を対向させて挟む構造の振動部とを有す
る、共振子を複数設けた圧電共振子において、前記下部
電極の下に、圧電薄膜または誘電薄膜を含む１層以上の
外側薄膜部を有するとともに、前記振動部はｎ倍波（た
だし、ｎは２以上の整数）の振動モードで振動し、且つ
前記上部電極及び下部電極が、概略、前記ｎ倍波の腹の
位置に設けられていることを特徴とする。
【０００８】本発明によると、上部電極及び下部電極
が、概略、ｎ倍波の腹の位置に設けられているから、そ
れら電極での共振エネルギのロスを低減できる。そし
て、本発明では、ｎ倍波の振動モードで振動するものと
されていることにより、前記各薄膜部の膜厚比が多少変
動しても共振周波数温度係数が大きく変動するようなこ
とがない膜厚比領域が存在するから、膜厚比をその領域
に設定することで温度変化に対して共振周波数を安定さ
せられる。
が、概略、ｎ倍波の腹の位置に設けられているから、そ
れら電極での共振エネルギのロスを低減できる。そし
て、本発明では、ｎ倍波の振動モードで振動するものと
されていることにより、前記各薄膜部の膜厚比が多少変
動しても共振周波数温度係数が大きく変動するようなこ
とがない膜厚比領域が存在するから、膜厚比をその領域
に設定することで温度変化に対して共振周波数を安定さ
せられる。
【０００９】本発明は、好ましくは、前記ｎ倍波が、２
倍波とされて、前記外側薄膜部の膜厚をｔｏ、前記内側
薄膜部の膜厚をｔｉ、両薄膜部の膜厚比をｒ＝ｔｏ／ｔ
ｉとしたとき、前記膜厚比ｒが、当該圧電共振子全体の
共振周波数温度係数をゼロ付近にする値に設定されてい
る。
倍波とされて、前記外側薄膜部の膜厚をｔｏ、前記内側
薄膜部の膜厚をｔｉ、両薄膜部の膜厚比をｒ＝ｔｏ／ｔ
ｉとしたとき、前記膜厚比ｒが、当該圧電共振子全体の
共振周波数温度係数をゼロ付近にする値に設定されてい
る。
【００１０】こうした場合、ｎ倍波が２倍波とされるこ
とで、さらに効果的に、温度変化に対して共振周波数を
安定させられる。
とで、さらに効果的に、温度変化に対して共振周波数を
安定させられる。
【００１１】本発明は、さらに好ましくは、前記内側薄
膜部もしくは外側薄膜部の少なくとも一方で各薄膜が、
互いに異なる共振周波数温度係数を有する組み合わせと
されている。
膜部もしくは外側薄膜部の少なくとも一方で各薄膜が、
互いに異なる共振周波数温度係数を有する組み合わせと
されている。
【００１２】この組み合わせは、内側薄膜部が複数の薄
膜からなるときは、内側薄膜部を構成する各薄膜間での
組み合わせ、外側薄膜部が複数の薄膜からなるときは、
外側薄膜部を構成する各薄膜間での組み合わせ、内側薄
膜部と外側薄膜部それぞれを構成する各薄膜間での組み
合わせのいずれも含む。
膜からなるときは、内側薄膜部を構成する各薄膜間での
組み合わせ、外側薄膜部が複数の薄膜からなるときは、
外側薄膜部を構成する各薄膜間での組み合わせ、内側薄
膜部と外側薄膜部それぞれを構成する各薄膜間での組み
合わせのいずれも含む。
【００１３】こうした場合、さらに効果的に当該圧電共
振子全体の共振周波数温度係数をゼロ付近に設定できる
から、温度変化に対して共振周波数を一層安定させるこ
とができる。
振子全体の共振周波数温度係数をゼロ付近に設定できる
から、温度変化に対して共振周波数を一層安定させるこ
とができる。
【００１４】本発明は、さらに好ましくは、前記外側薄
膜部が、ＳｉＯ2薄膜を主成分とする薄膜、ＳｉＮ薄膜
を主成分とする薄膜、Ａｌ2Ｏ3薄膜を主成分とする薄膜
のうちの少なくとも１つ以上からなる。
膜部が、ＳｉＯ2薄膜を主成分とする薄膜、ＳｉＮ薄膜
を主成分とする薄膜、Ａｌ2Ｏ3薄膜を主成分とする薄膜
のうちの少なくとも１つ以上からなる。
【００１５】本発明は、さらに好ましくは、前記内側薄
膜部が、ＺｎＯを主成分とする薄膜、ＡｌＮを主成分と
する薄膜、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）を主成分と
する薄膜、チタン酸鉛（ＰＴ）を主成分とする薄膜、チ
タン酸バリウム（ＢＴ）を主成分とする薄膜のうちの少
なくとも１つ以上からなる。
膜部が、ＺｎＯを主成分とする薄膜、ＡｌＮを主成分と
する薄膜、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）を主成分と
する薄膜、チタン酸鉛（ＰＴ）を主成分とする薄膜、チ
タン酸バリウム（ＢＴ）を主成分とする薄膜のうちの少
なくとも１つ以上からなる。
【００１６】本発明は、さらに好ましくは、前記基板は
開口部もしくは凹部を有し、前記開口部もしくは凹部上
に前記振動部が形成されている。ここで、開口部とは、
基板の表裏面を貫通した状態の空間部をいう。凹部は、
基板の一面側に有底状に凹み形成された空間部をいう。
このように、開口部もしくは凹部上に振動部が形成され
ていることによって、共振特性が向上する。
開口部もしくは凹部を有し、前記開口部もしくは凹部上
に前記振動部が形成されている。ここで、開口部とは、
基板の表裏面を貫通した状態の空間部をいう。凹部は、
基板の一面側に有底状に凹み形成された空間部をいう。
このように、開口部もしくは凹部上に振動部が形成され
ていることによって、共振特性が向上する。
【００１７】以上のことより、本発明によると、膜厚の
変動に対して共振周波数温度係数の小さいつまり共振周
波数の温度変化に対する変動を小さく抑制でき、温度変
化に対して共振応答が極めて安定した圧電共振子を提供
することができるものとなる。
変動に対して共振周波数温度係数の小さいつまり共振周
波数の温度変化に対する変動を小さく抑制でき、温度変
化に対して共振応答が極めて安定した圧電共振子を提供
することができるものとなる。
【００１８】なお、特開２００１−２０３５５８号公報
には、上下一対の電極間に、負の共振周波数温度係数を
有する圧電膜と、正の共振周波数温度係数を有する圧電
膜とを挟んだ構造として、圧電共振子全体としての共振
周波数温度係数をゼロに近づけて温度変化に対する共振
応答の安定化を図ることが開示されている。
には、上下一対の電極間に、負の共振周波数温度係数を
有する圧電膜と、正の共振周波数温度係数を有する圧電
膜とを挟んだ構造として、圧電共振子全体としての共振
周波数温度係数をゼロに近づけて温度変化に対する共振
応答の安定化を図ることが開示されている。
【００１９】また、ＥＰ０９６３０４０Ａ２明細書に
は、上下一対の電極に圧電膜を挟んだ構造として、共振
波の腹を電極に存在する形態として電極での共振エネル
ギのロスをなくしてその共振特性を良好にすることが開
示されている。
は、上下一対の電極に圧電膜を挟んだ構造として、共振
波の腹を電極に存在する形態として電極での共振エネル
ギのロスをなくしてその共振特性を良好にすることが開
示されている。
【００２０】また、特公平１−４８６９４号公報には、
上下一対の電極間に一対の圧電膜間に該圧電膜と異符号
の薄膜をその厚み方向中央に積層して共振周波数の温度
特性を良好にすることが開示されている。
上下一対の電極間に一対の圧電膜間に該圧電膜と異符号
の薄膜をその厚み方向中央に積層して共振周波数の温度
特性を良好にすることが開示されている。
【００２１】いずれの場合も、本発明のように、２倍波
を用いておらず、かつ、振動波の腹が対向電極に位置し
ていないから、本発明の効果を発揮することができな
い。
を用いておらず、かつ、振動波の腹が対向電極に位置し
ていないから、本発明の効果を発揮することができな
い。
【００２２】本発明に係るフィルタは、本発明に係る圧
電共振子の複数を備え、それらの圧電共振子における電
極同士をフィルタ回路の構成に接続なるフィルタであ
る。
電共振子の複数を備え、それらの圧電共振子における電
極同士をフィルタ回路の構成に接続なるフィルタであ
る。
【００２３】また、本発明に係るフィルタは、本発明に
係る圧電共振子を複数、梯子型に接続してなるフィルタ
である。
係る圧電共振子を複数、梯子型に接続してなるフィルタ
である。
【００２４】本発明に係るデュプレクサは、上記本発明
に係るフィルタを用いて構成される。
に係るフィルタを用いて構成される。
【００２５】本発明に係る電子通信機器は、本発明に係
る圧電共振子の１つないしは複数を備え、それらの圧電
共振子を電子通信動作に使用する。
る圧電共振子の１つないしは複数を備え、それらの圧電
共振子を電子通信動作に使用する。
【００２６】
【発明の実施の形態】以下、本発明の詳細を図面に示す
実施の形態に基づいて説明する。
実施の形態に基づいて説明する。
【００２７】(圧電共振子の基本構造)図１を参照して、
本実施の形態の圧電共振子の基本構造を説明する。
本実施の形態の圧電共振子の基本構造を説明する。
【００２８】１は、その圧電共振子全体を示す。圧電共
振子１は、厚み縦振動型であって、基板２と、ダイヤフ
ラム３と、振動部位４とを備える。
振子１は、厚み縦振動型であって、基板２と、ダイヤフ
ラム３と、振動部位４とを備える。
【００２９】基板２は、例えば、Ｓｉ(シリコン)からな
り、表裏面を貫通する開口部５を有する。
り、表裏面を貫通する開口部５を有する。
【００３０】ダイヤフラム３は、外側薄膜部としてＳｉ
Ｏ2(酸化シリコン)薄膜からなり、前記開口部５を覆う
形態で該基板２上に設けられている。
Ｏ2(酸化シリコン)薄膜からなり、前記開口部５を覆う
形態で該基板２上に設けられている。
【００３１】振動部位４は、ダイヤフラム３上に設けら
れており、上部電極４ｂと下部電極４ａとからなる上下
一対の対向電極と、上部電極４ｂ及び下部電極４ａの間
に介装された少なくとも圧電膜を含む１層以上の内側薄
膜部４ｃとからなる。
れており、上部電極４ｂと下部電極４ａとからなる上下
一対の対向電極と、上部電極４ｂ及び下部電極４ａの間
に介装された少なくとも圧電膜を含む１層以上の内側薄
膜部４ｃとからなる。
【００３２】対向電極４ａ，４ｂは、共に、例えば、Ａ
ｌ(アルミニウム)から構成されている。
ｌ(アルミニウム)から構成されている。
【００３３】内側薄膜部４ｃは、例えば、ＺｎＯ(酸化
亜鉛)薄膜からなる。
亜鉛)薄膜からなる。
【００３４】(圧電共振子の製造例)上記構造の圧電共振
子の製造例を簡単に説明する。基板２の両面を熱酸化し
て熱酸化ＳｉＯ2薄膜を形成する。基板２の表面側の熱
酸化ＳｉＯ2薄膜はダイヤフラム３となる。基板２の裏
面側の熱酸化ＳｉＯ2薄膜は、フォトリソグラフィ法を
用いて前記開口部５に対応してパターニングされる。こ
れによって、基板２の裏面側を露出する。この露出した
基板２の裏面に対してアルカリ液を用いて異方性エッチ
ングする。このエッチングは基板２の表面側のＳｉＯ2
薄膜まで達することで基板２に開口部５を形成する。次
いで、基板２表面のＳｉＯ2薄膜よりなるダイヤフラム
３上にリフトオフ蒸着により下部電極４ａを形成する。
次いで、この下部電極４ａおよびダイヤフラム３上にＺ
ｎＯ薄膜からなる内側薄膜部４ｃをスパッタリング法や
その他の成膜技術を用いて形成する。次いで、この内側
薄膜部４ｃ上にリフトオフ蒸着により上部電極４ｂを形
成する。
子の製造例を簡単に説明する。基板２の両面を熱酸化し
て熱酸化ＳｉＯ2薄膜を形成する。基板２の表面側の熱
酸化ＳｉＯ2薄膜はダイヤフラム３となる。基板２の裏
面側の熱酸化ＳｉＯ2薄膜は、フォトリソグラフィ法を
用いて前記開口部５に対応してパターニングされる。こ
れによって、基板２の裏面側を露出する。この露出した
基板２の裏面に対してアルカリ液を用いて異方性エッチ
ングする。このエッチングは基板２の表面側のＳｉＯ2
薄膜まで達することで基板２に開口部５を形成する。次
いで、基板２表面のＳｉＯ2薄膜よりなるダイヤフラム
３上にリフトオフ蒸着により下部電極４ａを形成する。
次いで、この下部電極４ａおよびダイヤフラム３上にＺ
ｎＯ薄膜からなる内側薄膜部４ｃをスパッタリング法や
その他の成膜技術を用いて形成する。次いで、この内側
薄膜部４ｃ上にリフトオフ蒸着により上部電極４ｂを形
成する。
【００３５】以上により圧電共振子１の製造が完了す
る。
る。
【００３６】(圧電共振子の特徴構造)そして、本実施の
形態では、以上の構成において、第１に、基本波に対し
て図１中破線で示される形態を備えた２倍波の振動モー
ドで振動するものとされており、かつ、上部電極４ｂ及
び下部電極４ａが、概略、２倍波の腹の位置に設けられ
ている。この２倍波の節は、内外両薄膜部３，４ｃ内に
存在している。
形態では、以上の構成において、第１に、基本波に対し
て図１中破線で示される形態を備えた２倍波の振動モー
ドで振動するものとされており、かつ、上部電極４ｂ及
び下部電極４ａが、概略、２倍波の腹の位置に設けられ
ている。この２倍波の節は、内外両薄膜部３，４ｃ内に
存在している。
【００３７】これによって、２倍波の腹が上部電極４ｂ
及び下部電極４ａに存在する形態とされているから、電
極４ａ，４ｂでの共振エネルギのロスが少なくなり共振
特性が良好になる。
及び下部電極４ａに存在する形態とされているから、電
極４ａ，４ｂでの共振エネルギのロスが少なくなり共振
特性が良好になる。
【００３８】本実施の形態は、第２に、ダイヤフラム３
と振動部位４それぞれの各薄膜が、互いに異符号の共振
周波数温度係数を有する組み合わせとされている。その
うえで、ダイヤフラム３であるＳｉＯ2薄膜の膜厚をｔ
ｏ、振動部位４におけるＺｎＯ薄膜の膜厚をｔｉ、両薄
膜の膜厚比をｒ＝ｔｏ／ｔｉとしたとき、前記膜厚比ｒ
が、当該圧電共振子１全体の共振周波数温度係数をゼロ
付近にする値に設定されている。
と振動部位４それぞれの各薄膜が、互いに異符号の共振
周波数温度係数を有する組み合わせとされている。その
うえで、ダイヤフラム３であるＳｉＯ2薄膜の膜厚をｔ
ｏ、振動部位４におけるＺｎＯ薄膜の膜厚をｔｉ、両薄
膜の膜厚比をｒ＝ｔｏ／ｔｉとしたとき、前記膜厚比ｒ
が、当該圧電共振子１全体の共振周波数温度係数をゼロ
付近にする値に設定されている。
【００３９】前記第２について図２を参照して説明す
る。
る。
【００４０】図２において、横軸は、前記膜厚比ｒであ
り、縦軸は、共振周波数温度係数ＴＣＦを示す。また、
は、基本波、は、２倍波を示す。そして、本実施の
形態における振動部位４は、２倍波による厚み縦共振モ
ードで励振されるよう各薄膜の膜厚比ｒが設定されてお
り、その膜厚比ｒは０．６〜１．３の範囲とされてい
る。
り、縦軸は、共振周波数温度係数ＴＣＦを示す。また、
は、基本波、は、２倍波を示す。そして、本実施の
形態における振動部位４は、２倍波による厚み縦共振モ
ードで励振されるよう各薄膜の膜厚比ｒが設定されてお
り、その膜厚比ｒは０．６〜１．３の範囲とされてい
る。
【００４１】膜厚比ｒがこの範囲であると、共振周波数
温度係数ＴＣＦはほぼ＋１０〜−１０ｐｐｍ／℃とな
る。したがって、膜厚比ｒの前記範囲内における設定で
共振周波数温度係数ＴＣＦをほぼゼロに設定することが
できる。これによって、圧電共振子１における振動周波
数の温度変化に対して安定化させることができる。
温度係数ＴＣＦはほぼ＋１０〜−１０ｐｐｍ／℃とな
る。したがって、膜厚比ｒの前記範囲内における設定で
共振周波数温度係数ＴＣＦをほぼゼロに設定することが
できる。これによって、圧電共振子１における振動周波
数の温度変化に対して安定化させることができる。
【００４２】この場合、前記膜厚比ｒ調整で、共振周波
数温度係数をゼロに近付けることができるのは、外側薄
膜部３が正の共振周波数温度係数を有するＳｉＯ2薄膜
とされ、内側薄膜部４ｃが負の共振周波数温度係数を有
するＺｎＯ薄膜とされているからである。つまり、図２
において膜厚比ｒが１である場合において、正の共振周
波数温度係数ＴＣＦを有する外側薄膜部３の膜厚ｔｏを
負の共振周波数温度係数ＴＣＦを有する内側薄膜部４ｃ
に対して大きくして膜厚比ｒを１以上に大きくすると、
膜厚比ｒが１．３付近までは共振周波数温度係数ＴＣＦ
がゼロに近づく。さらに、外側薄膜部３の膜厚ｔｏを大
きくして膜厚比ｒが１．３以上になると、共振周波数温
度係数ＴＣＦがゼロから離れてプラス側に大きくなる。
また、外側薄膜部３の膜厚ｔｏを小さくして膜厚比ｒを
小さくする場合、０．６付近までは共振周波数温度係数
ＴＣＦがゼロに近づく。さらに、外側薄膜部３の膜厚ｔ
ｏを小さくして膜厚比ｒを０．６以下にすると、共振周
波数温度係数ＴＣＦがゼロから離れてプラス側に大きく
なる。
数温度係数をゼロに近付けることができるのは、外側薄
膜部３が正の共振周波数温度係数を有するＳｉＯ2薄膜
とされ、内側薄膜部４ｃが負の共振周波数温度係数を有
するＺｎＯ薄膜とされているからである。つまり、図２
において膜厚比ｒが１である場合において、正の共振周
波数温度係数ＴＣＦを有する外側薄膜部３の膜厚ｔｏを
負の共振周波数温度係数ＴＣＦを有する内側薄膜部４ｃ
に対して大きくして膜厚比ｒを１以上に大きくすると、
膜厚比ｒが１．３付近までは共振周波数温度係数ＴＣＦ
がゼロに近づく。さらに、外側薄膜部３の膜厚ｔｏを大
きくして膜厚比ｒが１．３以上になると、共振周波数温
度係数ＴＣＦがゼロから離れてプラス側に大きくなる。
また、外側薄膜部３の膜厚ｔｏを小さくして膜厚比ｒを
小さくする場合、０．６付近までは共振周波数温度係数
ＴＣＦがゼロに近づく。さらに、外側薄膜部３の膜厚ｔ
ｏを小さくして膜厚比ｒを０．６以下にすると、共振周
波数温度係数ＴＣＦがゼロから離れてプラス側に大きく
なる。
【００４３】このようにして本実施の形態では、膜厚比
ｒの設定で共振周波数温度係数ＴＣＦをほぼゼロに調整
することによって、圧電共振子１における共振周波数の
温度変化に対して安定化させることができる。
ｒの設定で共振周波数温度係数ＴＣＦをほぼゼロに調整
することによって、圧電共振子１における共振周波数の
温度変化に対して安定化させることができる。
【００４４】本発明は、上述の実施形態に限定されるも
のではなく種々な応用や変形が考えられる。
のではなく種々な応用や変形が考えられる。
【００４５】なお、この場合、以下の実施形態では、そ
のいずれも、２倍波を用いること、および上部電極４ｂ
及び下部電極４ａに対して２倍波の腹をほぼ位置付ける
ことを前提とするから、外側薄膜部３と内側薄膜部４ｃ
との膜厚比調整で、図２で示される共振周波数の温度変
化が少ない領域を使用することができる。
のいずれも、２倍波を用いること、および上部電極４ｂ
及び下部電極４ａに対して２倍波の腹をほぼ位置付ける
ことを前提とするから、外側薄膜部３と内側薄膜部４ｃ
との膜厚比調整で、図２で示される共振周波数の温度変
化が少ない領域を使用することができる。
【００４６】(１)図１の実施形態では２倍波であった
が、これに限定されるものではなく、ｎ倍波(ただし、
ｎは２以上の整数)の振動モードで振動するものとさ
れ、かつ、上部電極４ｂ及び下部電極４ａが、概略、ｎ
倍波の腹の位置に設けられているものとしてよい。
が、これに限定されるものではなく、ｎ倍波(ただし、
ｎは２以上の整数)の振動モードで振動するものとさ
れ、かつ、上部電極４ｂ及び下部電極４ａが、概略、ｎ
倍波の腹の位置に設けられているものとしてよい。
【００４７】(２)図３で示すように、外側薄膜部３を熱
酸化ＳｉＯ2膜３ａとＳｉＮ(窒化シリコン)３ｂとの２
層構造としてもよい。
酸化ＳｉＯ2膜３ａとＳｉＮ(窒化シリコン)３ｂとの２
層構造としてもよい。
【００４８】この外側薄膜部３の場合、共振周波数温度
係数が異なる２層の膜３ａ，３ｂで構成されるから、前
記両膜３ａ，３ｂそれぞれの膜厚比を適宜に変更するこ
とで、外側薄膜部３全体の共振周波数温度係数を調整す
ることができるようになる。この調整により、圧電共振
子１全体の共振周波数の温度変化率を小さくして温度変
化に対しての安定性を高めることができる。
係数が異なる２層の膜３ａ，３ｂで構成されるから、前
記両膜３ａ，３ｂそれぞれの膜厚比を適宜に変更するこ
とで、外側薄膜部３全体の共振周波数温度係数を調整す
ることができるようになる。この調整により、圧電共振
子１全体の共振周波数の温度変化率を小さくして温度変
化に対しての安定性を高めることができる。
【００４９】(３) 図４で示すように、外側薄膜部３
を、熱酸化ＳｉＯ2膜３ｃとスパッタ法で成膜したＳｉ
Ｏ2膜３ｄとの２層構造としてもよい。
を、熱酸化ＳｉＯ2膜３ｃとスパッタ法で成膜したＳｉ
Ｏ2膜３ｄとの２層構造としてもよい。
【００５０】この外側薄膜部３の構成によると、外側薄
膜部３を構成する前記両膜３ｃ，３ｄ全体の共振周波数
の温度特性を調整して、内側薄膜部４ｃの共振周波数の
温度特性を補償することができる。
膜部３を構成する前記両膜３ｃ，３ｄ全体の共振周波数
の温度特性を調整して、内側薄膜部４ｃの共振周波数の
温度特性を補償することができる。
【００５１】(４) 図５で示すように、内側薄膜部４ｃ
を、ＡｌＮ(窒化アルミニウム)膜４ｃ１とＺｎＯ膜４ｃ
２との２層構造としてもよい。
を、ＡｌＮ(窒化アルミニウム)膜４ｃ１とＺｎＯ膜４ｃ
２との２層構造としてもよい。
【００５２】この内側薄膜部４ｃの構成によると、Ａｌ
Ｎ膜４ｃ１は、正の共振周波数温度係数を有し、ＺｎＯ
膜４ｃ２は、負の共振周波数温度係数を有する。そのた
めＡｌＮ膜４ｃ１とＺｎＯ膜４ｃ２との２層構造により
熱酸化ＳｉＯ2からなる外側薄膜部３の共振周波数温度
係数を補償して圧電共振子１全体の共振周波数温度係数
をゼロに近付けるような内側薄膜部４ｃを得ることがで
きる。その結果、圧電共振子１は、共振周波数温度係数
を小さく温度特性が安定したものとなる。
Ｎ膜４ｃ１は、正の共振周波数温度係数を有し、ＺｎＯ
膜４ｃ２は、負の共振周波数温度係数を有する。そのた
めＡｌＮ膜４ｃ１とＺｎＯ膜４ｃ２との２層構造により
熱酸化ＳｉＯ2からなる外側薄膜部３の共振周波数温度
係数を補償して圧電共振子１全体の共振周波数温度係数
をゼロに近付けるような内側薄膜部４ｃを得ることがで
きる。その結果、圧電共振子１は、共振周波数温度係数
を小さく温度特性が安定したものとなる。
【００５３】(５)図６で示すように、外側薄膜部３を熱
酸化ＳｉＯ2膜３ｃとスパッタ法で成膜したＳｉＯ2膜３
ｄとの２層構造とし、内側薄膜部４ｃをＡｌＮ膜４ｃ１
とＺｎＯ膜４ｃ２との２層構造としてもよい。こうする
と、前記と同様の作用効果を同時に達成することができ
る。
酸化ＳｉＯ2膜３ｃとスパッタ法で成膜したＳｉＯ2膜３
ｄとの２層構造とし、内側薄膜部４ｃをＡｌＮ膜４ｃ１
とＺｎＯ膜４ｃ２との２層構造としてもよい。こうする
と、前記と同様の作用効果を同時に達成することができ
る。
【００５４】(６)図７で示すように、外側薄膜部３をＳ
ｉＮ膜で、内側薄膜部４ｃをＡｌＮ膜で構成してもよ
い。この場合も、前記(３)(４)の作用効果を同時に達成
することができる。
ｉＮ膜で、内側薄膜部４ｃをＡｌＮ膜で構成してもよ
い。この場合も、前記(３)(４)の作用効果を同時に達成
することができる。
【００５５】(７)図８で示すように、外側薄膜部３をＡ
ｌＮ膜３ｅとＡｌ2Ｏ3(酸化アルミニウム)膜３ｆとの２
層構造とし、内側薄膜部４ｃをＡｌＮの単層構造として
もよい。この場合も、前記(３)(４)の作用効果を同時に
達成することができる。
ｌＮ膜３ｅとＡｌ2Ｏ3(酸化アルミニウム)膜３ｆとの２
層構造とし、内側薄膜部４ｃをＡｌＮの単層構造として
もよい。この場合も、前記(３)(４)の作用効果を同時に
達成することができる。
【００５６】(８)なお、振動部位における内側薄膜部４
ｃが、ＺｎＯを主成分とする薄膜、ＡｌＮを主成分とす
る薄膜以外にも、ＰＺＴ(チタン酸ジルコン酸鉛)を主成
分とする薄膜、ＰＴ(チタン酸鉛)を主成分とする薄膜、
ＢＴ(チタン酸バリウム)を主成分とする薄膜のうちの少
なくとも１つ以上からなるものとしてよい。
ｃが、ＺｎＯを主成分とする薄膜、ＡｌＮを主成分とす
る薄膜以外にも、ＰＺＴ(チタン酸ジルコン酸鉛)を主成
分とする薄膜、ＰＴ(チタン酸鉛)を主成分とする薄膜、
ＢＴ(チタン酸バリウム)を主成分とする薄膜のうちの少
なくとも１つ以上からなるものとしてよい。
【００５７】(９)本実施の形態の圧電共振子１は、図９
(ａ)で示すようなπ型ラダーフィルタ、図９(ｂ)で示す
ようなＬ型ラダーフィルタ、図９(ｃ)で示すようなＴ型
ラダーフィルタ、図１０（ａ）で示すようなＬ型ラダー
フィルタ、図１０（ｂ）に示すようなＬ型ラダーフィル
タのフィルタ素子として組み込んで使用することができ
る。このようなフィルタの場合、温度変化に対して安定
したフィルタ特性のものとなる。なお、このような各フ
ィルタは、上述した圧電共振子１を基板２上に複数設
け、これら基板２上の各圧電共振子１どうしをそれぞれ
の電極を接続することで、周囲の温度変化に対する動作
特性を安定させられたフィルタを完成することができ
る。
(ａ)で示すようなπ型ラダーフィルタ、図９(ｂ)で示す
ようなＬ型ラダーフィルタ、図９(ｃ)で示すようなＴ型
ラダーフィルタ、図１０（ａ）で示すようなＬ型ラダー
フィルタ、図１０（ｂ）に示すようなＬ型ラダーフィル
タのフィルタ素子として組み込んで使用することができ
る。このようなフィルタの場合、温度変化に対して安定
したフィルタ特性のものとなる。なお、このような各フ
ィルタは、上述した圧電共振子１を基板２上に複数設
け、これら基板２上の各圧電共振子１どうしをそれぞれ
の電極を接続することで、周囲の温度変化に対する動作
特性を安定させられたフィルタを完成することができ
る。
【００５８】(１０)本実施の形態の圧電共振子１は、携
帯電話や無線ＬＡＮやその他、あらゆる各種電子通信機
器に搭載されることで、当該電子通信機器の電子通信動
作に使用する場合、周囲の温度変化に対する動作特性を
安定させることができる。
帯電話や無線ＬＡＮやその他、あらゆる各種電子通信機
器に搭載されることで、当該電子通信機器の電子通信動
作に使用する場合、周囲の温度変化に対する動作特性を
安定させることができる。
【００５９】（１１）本実施の形態の圧電共振子１は、
通信機器などに搭載されるデュプレクサの素子として用
いられても良い。このデュプレクサ３１は、図１１に示
すように、アンテナ端子３２、受信側端子３３及び送信
側端子３４が設けられている。このデュプレクサ３１
は、受信側端子３３及び送信側端子３４と、アンテナ端
子３２との間に所要周波数帯域の高周波信号の通過のみ
許す本発明に係る圧電共振子または上記（９）で示され
たようなフィルタが含まれる構成となっている。
通信機器などに搭載されるデュプレクサの素子として用
いられても良い。このデュプレクサ３１は、図１１に示
すように、アンテナ端子３２、受信側端子３３及び送信
側端子３４が設けられている。このデュプレクサ３１
は、受信側端子３３及び送信側端子３４と、アンテナ端
子３２との間に所要周波数帯域の高周波信号の通過のみ
許す本発明に係る圧電共振子または上記（９）で示され
たようなフィルタが含まれる構成となっている。
【００６０】（１２）本発明に係る圧電共振子の変形例
として、図１２に示す構成のものでも良い。図１２に示
される圧電共振子５１は、シリコン基板５２の上側に凹
部５３を形成するとともに、シリコン基板５２上面及び
その凹部５３を覆う状態で、熱酸化ＳｉＯ2膜５４ａと
ＳｉＮ（窒化珪素）膜５４ｂとの２層から成る外側薄膜
部としてのダイヤフラム５４が成膜されている。このダ
イヤフラム５４の上には、振動部位５５が設けられてい
る。この振動部位５５は、上部電極５８と下部電極５６
とからなる上下一対の対向電極と、この上部電極５８と
下部電極５６とに挟み込まれた少なくとも圧電膜を１層
以上含む内側薄膜部５７とからなる。
として、図１２に示す構成のものでも良い。図１２に示
される圧電共振子５１は、シリコン基板５２の上側に凹
部５３を形成するとともに、シリコン基板５２上面及び
その凹部５３を覆う状態で、熱酸化ＳｉＯ2膜５４ａと
ＳｉＮ（窒化珪素）膜５４ｂとの２層から成る外側薄膜
部としてのダイヤフラム５４が成膜されている。このダ
イヤフラム５４の上には、振動部位５５が設けられてい
る。この振動部位５５は、上部電極５８と下部電極５６
とからなる上下一対の対向電極と、この上部電極５８と
下部電極５６とに挟み込まれた少なくとも圧電膜を１層
以上含む内側薄膜部５７とからなる。
【００６１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
基板と、前記基板に形成されている、少なくとも１層以
上の圧電薄膜を有する内側薄膜部の上下面を少なくとも
一対の上部電極及び下部電極を対向させて挟む構造の振
動部とを有する、共振子を複数設けた圧電共振子におい
て、前記下部電極の下に、圧電薄膜または誘電薄膜を含
む１層以上の外側薄膜部を有するとともに、前記振動部
はｎ倍波（ただし、ｎは２以上の整数）の振動モードで
振動し、且つ前記上部電極及び下部電極が、概略、前記
ｎ倍波の腹の位置に設けられているから、電極での共振
エネルギーのロスを低減できる。そして、本発明では、
ｎ倍波の振動モードで振動するものとされているから、
前記各薄膜部の膜厚比が多少変動しても共振周波数温度
係数が大きく変動するようなことがない膜厚比領域が存
在するから、膜厚比をその領域に設定することで温度変
化に対して共振周波数を安定させられる。
基板と、前記基板に形成されている、少なくとも１層以
上の圧電薄膜を有する内側薄膜部の上下面を少なくとも
一対の上部電極及び下部電極を対向させて挟む構造の振
動部とを有する、共振子を複数設けた圧電共振子におい
て、前記下部電極の下に、圧電薄膜または誘電薄膜を含
む１層以上の外側薄膜部を有するとともに、前記振動部
はｎ倍波（ただし、ｎは２以上の整数）の振動モードで
振動し、且つ前記上部電極及び下部電極が、概略、前記
ｎ倍波の腹の位置に設けられているから、電極での共振
エネルギーのロスを低減できる。そして、本発明では、
ｎ倍波の振動モードで振動するものとされているから、
前記各薄膜部の膜厚比が多少変動しても共振周波数温度
係数が大きく変動するようなことがない膜厚比領域が存
在するから、膜厚比をその領域に設定することで温度変
化に対して共振周波数を安定させられる。
【図１】本発明の実施形態に係る圧電共振子の断面図
【図２】図１の圧電共振子における膜厚比と共振周波数
温度係数との特性図
温度係数との特性図
【図３】本発明の他の実施形態に係る圧電共振子の断面
図
図
【図４】本発明のさらに他の実施形態に係る圧電共振子
の断面図
の断面図
【図５】本発明のさらに他の実施形態に係る圧電共振子
の断面図
の断面図
【図６】本発明のさらに他の実施形態に係る圧電共振子
の断面図
の断面図
【図７】本発明のさらに他の実施形態に係る圧電共振子
の断面図
の断面図
【図８】本発明のさらに他の実施形態に係る圧電共振子
の断面図
の断面図
【図９】本発明の圧電共振子を用いたフィルタの回路図
【図１０】本発明の圧電共振子を用いたフィルタの回路
図
図
【図１１】本発明の圧電共振子を用いたデュプレクサの
概略説明図
概略説明図
【図１２】本発明のさらに他の実施形態に係る圧電共振
子の断面図
子の断面図
１ 圧電共振子
２ 基板
３ ダイヤフラム
４ 振動部位
４ａ 下部電極
４ｂ 上部電極
４ｃ 圧電膜
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 後藤 義彦
京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式
会社村田製作所内
(72)発明者 野村 忠志
京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式
会社村田製作所内
(72)発明者 吉野 幸夫
京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式
会社村田製作所内
Ｆターム(参考） 5J108 AA04 AA07 BB04 BB07 BB08
CC11 CC12 DD08
Claims (10)
- 【請求項１】基板と、前記基板に形成されている、少な
くとも１層以上の圧電薄膜を有する内側薄膜部の上下面
を少なくとも一対の上部電極及び下部電極を対向させて
挟む構造の振動部とを有する、共振子を複数設けた圧電
共振子において、 前記下部電極の下に、圧電薄膜または誘電薄膜を含む１
層以上の外側薄膜部を有するとともに、前記振動部はｎ
倍波（ただし、ｎは２以上の整数）の振動モードで振動
し、且つ前記上部電極及び下部電極が、概略、前記ｎ倍
波の腹の位置に設けられている、ことを特徴とする圧電
共振子。 - 【請求項２】請求項１に記載の圧電共振子において、 前記ｎ倍波が、２倍波とされて、前記外側薄膜部の膜厚
をｔｏ、前記内側薄膜部の膜厚をｔｉ、両薄膜部の膜厚
比をｒ＝ｔｏ／ｔｉとしたとき、前記膜厚比ｒが、当該
圧電共振子全体の共振周波数温度係数をゼロ付近にする
値に設定されている、ことを特徴とする圧電共振子。 - 【請求項３】請求項１または２に記載の圧電共振子にお
いて、 前記内側薄膜部もしくは外側薄膜部の少なくとも一方で
各薄膜が、互いに異なる共振周波数温度係数を有する組
み合わせとされている、ことを特徴とする圧電共振子。 - 【請求項４】請求項１ないし３のいずれかに記載の圧電
共振子において、 前記外側薄膜部が、ＳｉＯ2薄膜を主成分とする薄膜、
ＳｉＮ薄膜を主成分とする薄膜、Ａｌ2Ｏ3薄膜を主成分
とする薄膜のうちの少なくとも１つ以上からなる、こと
を特徴とする圧電共振子。 - 【請求項５】請求項１ないし４のいずれかに記載の圧電
共振子において、 前記内側薄膜部が、ＺｎＯを主成分とする薄膜、ＡｌＮ
を主成分とする薄膜、チタン酸ジルコン酸鉛を主成分と
する薄膜、チタン酸鉛を主成分とする薄膜、チタン酸バ
リウムを主成分とする薄膜のうちの少なくとも１つ以上
からなる、ことを特徴とする圧電共振子。 - 【請求項６】請求項１ないし５のいずれかに記載の圧電
共振子において、 前記基板は開口部もしくは凹部を有し、前記開口部もし
くは凹部上に前記振動部が形成されていることを特徴と
する圧電共振子。 - 【請求項７】請求項１ないし６のいずれかに記載の圧電
共振子の複数を備え、それらの圧電共振子における電極
同士をフィルタ回路の構成に接続してなる、ことを特徴
とするフィルタ。 - 【請求項８】請求項１ないし６のいずれかに記載の圧電
共振子を複数、梯子型に接続してなることを特徴とする
フィルタ。 - 【請求項９】請求項７または８に記載のフィルタを用い
て構成されることを特徴とするデュプレクサ。 - 【請求項１０】請求項１ないし６のいずれかに記載の圧
電共振子の１つないしは複数を備え、それらの圧電共振
子を電子通信動作に使用する、ことを特徴とする電子通
信機器。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002139863A JP3903842B2 (ja) | 2001-07-03 | 2002-05-15 | 圧電共振子、フィルタおよび電子通信機器 |
| GB0214408A GB2379108B (en) | 2001-07-03 | 2002-06-21 | Piezoelectric resonator,filter,and electric communication device |
| US10/179,972 US20030006862A1 (en) | 2001-07-03 | 2002-06-26 | Piezoelectric resonator, filter, and electronic communication device |
| KR10-2002-0038234A KR100488617B1 (ko) | 2001-07-03 | 2002-07-03 | 압전 공진기, 필터 및 전자 통신 장치 |
| US10/785,284 US6888424B2 (en) | 2001-07-03 | 2004-02-24 | Piezoelectric resonator, filter, and electronic communication device |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001-202135 | 2001-07-03 | ||
| JP2001202135 | 2001-07-03 | ||
| JP2002139863A JP3903842B2 (ja) | 2001-07-03 | 2002-05-15 | 圧電共振子、フィルタおよび電子通信機器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003087085A true JP2003087085A (ja) | 2003-03-20 |
| JP3903842B2 JP3903842B2 (ja) | 2007-04-11 |
Family
ID=26618045
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002139863A Expired - Fee Related JP3903842B2 (ja) | 2001-07-03 | 2002-05-15 | 圧電共振子、フィルタおよび電子通信機器 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US20030006862A1 (ja) |
| JP (1) | JP3903842B2 (ja) |
| KR (1) | KR100488617B1 (ja) |
| GB (1) | GB2379108B (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005101569A (ja) * | 2003-08-25 | 2005-04-14 | Murata Mfg Co Ltd | 圧電薄膜の製造方法および圧電共振子 |
| JP2005260915A (ja) * | 2004-02-09 | 2005-09-22 | Murata Mfg Co Ltd | 分波器、通信機 |
| JP2005311567A (ja) * | 2004-04-20 | 2005-11-04 | Sony Corp | フィルタ装置及び送受信機 |
| US7327205B2 (en) | 2004-03-12 | 2008-02-05 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Demultiplexer and surface acoustic wave filter |
| JP2009508340A (ja) * | 2005-09-16 | 2009-02-26 | エプコス アクチエンゲゼルシャフト | 調整可能なコンデンサおよび調整可能なコンデンサを有する回路 |
| US7504910B2 (en) | 2004-04-30 | 2009-03-17 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Thin-film piezoelectric resonator utilizing a second or higher harmonic mode |
| US7531943B2 (en) | 2004-03-31 | 2009-05-12 | Panasonic Corporation | Acoustic resonator and filter |
| CN104854793A (zh) * | 2012-12-21 | 2015-08-19 | 埃普科斯股份有限公司 | Baw部件、baw部件的叠层和用于制造baw部件的方法,所述baw部件包括两个不同的堆叠压电材料 |
Families Citing this family (62)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3903842B2 (ja) * | 2001-07-03 | 2007-04-11 | 株式会社村田製作所 | 圧電共振子、フィルタおよび電子通信機器 |
| JP4096845B2 (ja) * | 2002-11-08 | 2008-06-04 | 株式会社村田製作所 | 分波器および通信装置 |
| US7275292B2 (en) | 2003-03-07 | 2007-10-02 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Method for fabricating an acoustical resonator on a substrate |
| US7242270B2 (en) * | 2003-10-30 | 2007-07-10 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Decoupled stacked bulk acoustic resonator-based band-pass filter |
| US7358831B2 (en) * | 2003-10-30 | 2008-04-15 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Film bulk acoustic resonator (FBAR) devices with simplified packaging |
| US6946928B2 (en) * | 2003-10-30 | 2005-09-20 | Agilent Technologies, Inc. | Thin-film acoustically-coupled transformer |
| US7400217B2 (en) * | 2003-10-30 | 2008-07-15 | Avago Technologies Wireless Ip Pte Ltd | Decoupled stacked bulk acoustic resonator band-pass filter with controllable pass bandwith |
| DE602004000851T2 (de) * | 2003-10-30 | 2007-05-16 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Akustisch gekoppelter Dünnschicht-Transformator mit zwei piezoelektrischen Elementen, welche entgegengesetzte C-Axen Orientierung besitzten |
| US7019605B2 (en) * | 2003-10-30 | 2006-03-28 | Larson Iii John D | Stacked bulk acoustic resonator band-pass filter with controllable pass bandwidth |
| US7388454B2 (en) | 2004-10-01 | 2008-06-17 | Avago Technologies Wireless Ip Pte Ltd | Acoustic resonator performance enhancement using alternating frame structure |
| US8981876B2 (en) * | 2004-11-15 | 2015-03-17 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Piezoelectric resonator structures and electrical filters having frame elements |
| US7202560B2 (en) | 2004-12-15 | 2007-04-10 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Wafer bonding of micro-electro mechanical systems to active circuitry |
| US7791434B2 (en) | 2004-12-22 | 2010-09-07 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Acoustic resonator performance enhancement using selective metal etch and having a trench in the piezoelectric |
| US7427819B2 (en) * | 2005-03-04 | 2008-09-23 | Avago Wireless Ip Pte Ltd | Film-bulk acoustic wave resonator with motion plate and method |
| US7369013B2 (en) * | 2005-04-06 | 2008-05-06 | Avago Technologies Wireless Ip Pte Ltd | Acoustic resonator performance enhancement using filled recessed region |
| US7934884B2 (en) * | 2005-04-27 | 2011-05-03 | Lockhart Industries, Inc. | Ring binder cover |
| US7443269B2 (en) | 2005-07-27 | 2008-10-28 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Method and apparatus for selectively blocking radio frequency (RF) signals in a radio frequency (RF) switching circuit |
| US7868522B2 (en) | 2005-09-09 | 2011-01-11 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Adjusted frequency temperature coefficient resonator |
| US7391286B2 (en) * | 2005-10-06 | 2008-06-24 | Avago Wireless Ip Pte Ltd | Impedance matching and parasitic capacitor resonance of FBAR resonators and coupled filters |
| US7737807B2 (en) | 2005-10-18 | 2010-06-15 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Acoustic galvanic isolator incorporating series-connected decoupled stacked bulk acoustic resonators |
| US7675390B2 (en) | 2005-10-18 | 2010-03-09 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Acoustic galvanic isolator incorporating single decoupled stacked bulk acoustic resonator |
| US7423503B2 (en) * | 2005-10-18 | 2008-09-09 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Acoustic galvanic isolator incorporating film acoustically-coupled transformer |
| US7463499B2 (en) | 2005-10-31 | 2008-12-09 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte Ltd. | AC-DC power converter |
| US7561009B2 (en) * | 2005-11-30 | 2009-07-14 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Film bulk acoustic resonator (FBAR) devices with temperature compensation |
| US7746677B2 (en) | 2006-03-09 | 2010-06-29 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | AC-DC converter circuit and power supply |
| US7479685B2 (en) * | 2006-03-10 | 2009-01-20 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Electronic device on substrate with cavity and mitigated parasitic leakage path |
| US7508286B2 (en) * | 2006-09-28 | 2009-03-24 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | HBAR oscillator and method of manufacture |
| US20080202239A1 (en) * | 2007-02-28 | 2008-08-28 | Fazzio R Shane | Piezoelectric acceleration sensor |
| US8229142B2 (en) | 2007-04-18 | 2012-07-24 | Mine Safety Appliances Company | Devices and systems including transducers |
| US20090079514A1 (en) * | 2007-09-24 | 2009-03-26 | Tiberiu Jamneala | Hybrid acoustic resonator-based filters |
| US7791435B2 (en) | 2007-09-28 | 2010-09-07 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Single stack coupled resonators having differential output |
| US7732977B2 (en) | 2008-04-30 | 2010-06-08 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) | Transceiver circuit for film bulk acoustic resonator (FBAR) transducers |
| US7855618B2 (en) | 2008-04-30 | 2010-12-21 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Bulk acoustic resonator electrical impedance transformers |
| JP5226409B2 (ja) * | 2008-07-17 | 2013-07-03 | 太陽誘電株式会社 | 共振デバイス、通信モジュール、通信装置、共振デバイスの製造方法 |
| US8248185B2 (en) | 2009-06-24 | 2012-08-21 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Acoustic resonator structure comprising a bridge |
| US8902023B2 (en) | 2009-06-24 | 2014-12-02 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Acoustic resonator structure having an electrode with a cantilevered portion |
| US8193877B2 (en) | 2009-11-30 | 2012-06-05 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Duplexer with negative phase shifting circuit |
| US9243316B2 (en) | 2010-01-22 | 2016-01-26 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Method of fabricating piezoelectric material with selected c-axis orientation |
| US8796904B2 (en) | 2011-10-31 | 2014-08-05 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Bulk acoustic resonator comprising piezoelectric layer and inverse piezoelectric layer |
| US8962443B2 (en) | 2011-01-31 | 2015-02-24 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Semiconductor device having an airbridge and method of fabricating the same |
| US9154112B2 (en) | 2011-02-28 | 2015-10-06 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Coupled resonator filter comprising a bridge |
| US9148117B2 (en) | 2011-02-28 | 2015-09-29 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Coupled resonator filter comprising a bridge and frame elements |
| US9425764B2 (en) | 2012-10-25 | 2016-08-23 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Accoustic resonator having composite electrodes with integrated lateral features |
| US9203374B2 (en) | 2011-02-28 | 2015-12-01 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Film bulk acoustic resonator comprising a bridge |
| US9048812B2 (en) | 2011-02-28 | 2015-06-02 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Bulk acoustic wave resonator comprising bridge formed within piezoelectric layer |
| US9136818B2 (en) | 2011-02-28 | 2015-09-15 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Stacked acoustic resonator comprising a bridge |
| US9083302B2 (en) | 2011-02-28 | 2015-07-14 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Stacked bulk acoustic resonator comprising a bridge and an acoustic reflector along a perimeter of the resonator |
| US9444426B2 (en) | 2012-10-25 | 2016-09-13 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Accoustic resonator having integrated lateral feature and temperature compensation feature |
| US8575820B2 (en) | 2011-03-29 | 2013-11-05 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Stacked bulk acoustic resonator |
| US8350445B1 (en) | 2011-06-16 | 2013-01-08 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Bulk acoustic resonator comprising non-piezoelectric layer and bridge |
| KR101853740B1 (ko) * | 2011-07-27 | 2018-06-14 | 삼성전자주식회사 | 체적 음향 공진기 및 체적 음향 공진기를 이용한 듀플렉서 |
| US8922302B2 (en) | 2011-08-24 | 2014-12-30 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Acoustic resonator formed on a pedestal |
| JP2014117014A (ja) * | 2012-12-06 | 2014-06-26 | Canon Inc | 振動体とその製造方法及び振動波駆動装置 |
| US10110198B1 (en) | 2015-12-17 | 2018-10-23 | Hrl Laboratories, Llc | Integrated quartz MEMS tuning fork resonator/oscillator |
| US10389392B1 (en) * | 2016-11-03 | 2019-08-20 | Hrl Laboratories, Llc | High-Q quartz-based inductor array for antenna matching |
| JP6822118B2 (ja) * | 2016-12-19 | 2021-01-27 | セイコーエプソン株式会社 | 振動子、発振器、電子機器、および移動体 |
| US11239823B1 (en) | 2017-06-16 | 2022-02-01 | Hrl Laboratories, Llc | Quartz MEMS piezoelectric resonator for chipscale RF antennae |
| US11101786B1 (en) | 2017-06-20 | 2021-08-24 | Hrl Laboratories, Llc | HF-VHF quartz MEMS resonator |
| US10921360B2 (en) | 2018-02-09 | 2021-02-16 | Hrl Laboratories, Llc | Dual magnetic and electric field quartz sensor |
| US10819276B1 (en) | 2018-05-31 | 2020-10-27 | Hrl Laboratories, Llc | Broadband integrated RF magnetic antenna |
| US11563420B1 (en) | 2019-03-29 | 2023-01-24 | Hrl Laboratories, Llc | Femto-tesla MEMS RF antenna with integrated flux concentrator |
| US11988727B1 (en) | 2019-07-31 | 2024-05-21 | Hrl Laboratories, Llc | Magnetostrictive MEMS magnetic gradiometer |
Family Cites Families (26)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CH626479A5 (ja) * | 1979-07-05 | 1981-11-13 | Suisse Horlogerie | |
| JPS58137317A (ja) * | 1982-02-09 | 1983-08-15 | Nec Corp | 圧電薄膜複合振動子 |
| JPS6448694A (en) | 1987-08-17 | 1989-02-23 | Mitsubishi Electric Corp | Three dimensional laser machine |
| US5032755A (en) * | 1988-03-03 | 1991-07-16 | Motorola, Inc. | Method and means for damping modes of piezoelectric vibrators |
| GB9013056D0 (en) * | 1990-06-12 | 1990-08-01 | Stc Plc | Temperature sensor |
| JPH06132769A (ja) * | 1992-10-19 | 1994-05-13 | Murata Mfg Co Ltd | 圧電共振子及びその製造方法 |
| US5520785A (en) * | 1994-01-04 | 1996-05-28 | Motorola, Inc. | Method for enhancing aluminum nitride |
| JPH07240661A (ja) | 1994-02-25 | 1995-09-12 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 高周波用ラダー型圧電フィルタ |
| JPH10318864A (ja) * | 1997-05-15 | 1998-12-04 | Murata Mfg Co Ltd | ダイヤフラム型素子の製造方法 |
| JP3262049B2 (ja) * | 1997-10-01 | 2002-03-04 | 株式会社村田製作所 | 圧電共振子およびそれを用いた電子部品 |
| JP3262048B2 (ja) * | 1997-10-01 | 2002-03-04 | 株式会社村田製作所 | 圧電共振子およびそれを用いた電子部品 |
| US5936150A (en) * | 1998-04-13 | 1999-08-10 | Rockwell Science Center, Llc | Thin film resonant chemical sensor with resonant acoustic isolator |
| US6060818A (en) * | 1998-06-02 | 2000-05-09 | Hewlett-Packard Company | SBAR structures and method of fabrication of SBAR.FBAR film processing techniques for the manufacturing of SBAR/BAR filters |
| JP2000138554A (ja) * | 1998-11-02 | 2000-05-16 | Murata Mfg Co Ltd | エネルギー閉じ込め型圧電共振子 |
| JP3860695B2 (ja) * | 1999-02-26 | 2006-12-20 | 京セラ株式会社 | 圧電共振子およびフィルタ |
| JP2000278078A (ja) * | 1999-03-29 | 2000-10-06 | Kyocera Corp | 圧電共振子 |
| JP3531522B2 (ja) * | 1999-04-19 | 2004-05-31 | 株式会社村田製作所 | 圧電共振子 |
| JP2001036376A (ja) * | 1999-07-23 | 2001-02-09 | Murata Mfg Co Ltd | 圧電共振子及び圧電部品 |
| JP3729054B2 (ja) * | 1999-10-29 | 2005-12-21 | 株式会社村田製作所 | 圧電共振子 |
| US6339276B1 (en) * | 1999-11-01 | 2002-01-15 | Agere Systems Guardian Corp. | Incremental tuning process for electrical resonators based on mechanical motion |
| JP3514222B2 (ja) | 1999-11-17 | 2004-03-31 | 株式会社村田製作所 | 圧電共振子、電子部品及び電子機器 |
| JP3514224B2 (ja) | 1999-11-11 | 2004-03-31 | 株式会社村田製作所 | 圧電共振子、フィルタ及び電子機器 |
| US6441539B1 (en) * | 1999-11-11 | 2002-08-27 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Piezoelectric resonator |
| JP3498682B2 (ja) | 2000-06-23 | 2004-02-16 | 株式会社村田製作所 | 圧電共振子およびそれを用いた圧電フィルタ |
| US6601276B2 (en) * | 2001-05-11 | 2003-08-05 | Agere Systems Inc. | Method for self alignment of patterned layers in thin film acoustic devices |
| JP3903842B2 (ja) * | 2001-07-03 | 2007-04-11 | 株式会社村田製作所 | 圧電共振子、フィルタおよび電子通信機器 |
-
2002
- 2002-05-15 JP JP2002139863A patent/JP3903842B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2002-06-21 GB GB0214408A patent/GB2379108B/en not_active Expired - Fee Related
- 2002-06-26 US US10/179,972 patent/US20030006862A1/en not_active Abandoned
- 2002-07-03 KR KR10-2002-0038234A patent/KR100488617B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2004
- 2004-02-24 US US10/785,284 patent/US6888424B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005101569A (ja) * | 2003-08-25 | 2005-04-14 | Murata Mfg Co Ltd | 圧電薄膜の製造方法および圧電共振子 |
| JP2005260915A (ja) * | 2004-02-09 | 2005-09-22 | Murata Mfg Co Ltd | 分波器、通信機 |
| US7327205B2 (en) | 2004-03-12 | 2008-02-05 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Demultiplexer and surface acoustic wave filter |
| US7531943B2 (en) | 2004-03-31 | 2009-05-12 | Panasonic Corporation | Acoustic resonator and filter |
| JP2005311567A (ja) * | 2004-04-20 | 2005-11-04 | Sony Corp | フィルタ装置及び送受信機 |
| US7504910B2 (en) | 2004-04-30 | 2009-03-17 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Thin-film piezoelectric resonator utilizing a second or higher harmonic mode |
| JP2009508340A (ja) * | 2005-09-16 | 2009-02-26 | エプコス アクチエンゲゼルシャフト | 調整可能なコンデンサおよび調整可能なコンデンサを有する回路 |
| CN104854793A (zh) * | 2012-12-21 | 2015-08-19 | 埃普科斯股份有限公司 | Baw部件、baw部件的叠层和用于制造baw部件的方法,所述baw部件包括两个不同的堆叠压电材料 |
| JP2016504870A (ja) * | 2012-12-21 | 2016-02-12 | エプコス アクチエンゲゼルシャフトＥｐｃｏｓ Ａｇ | 積層された２種の異なる圧電材料を備えるｂａｗ部品、当該ｂａｗ部品用の積層体、及び当該ｂａｗ部品の製造方法 |
| US9831851B2 (en) | 2012-12-21 | 2017-11-28 | Snaptrack, Inc. | BAW component, lamination for a BAW component, and method for manufacturing a BAW component |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3903842B2 (ja) | 2007-04-11 |
| GB2379108B (en) | 2003-10-08 |
| US6888424B2 (en) | 2005-05-03 |
| KR20030004131A (ko) | 2003-01-14 |
| GB0214408D0 (en) | 2002-07-31 |
| GB2379108A (en) | 2003-02-26 |
| US20030006862A1 (en) | 2003-01-09 |
| KR100488617B1 (ko) | 2005-05-11 |
| US20040164648A1 (en) | 2004-08-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3903842B2 (ja) | 圧電共振子、フィルタおよび電子通信機器 | |
| US7002437B2 (en) | Piezoelectric thin-film resonator, piezoelectric filter, and electronic component including the piezoelectric filter | |
| US7161447B2 (en) | Piezoelectric resonator, piezoelectric filter, and communication apparatus | |
| US7276994B2 (en) | Piezoelectric thin-film resonator, piezoelectric filter, and electronic component including the piezoelectric filter | |
| CN100542022C (zh) | 谐振器、滤波器以及谐振器的制造 | |
| EP1914888B1 (en) | Fabrication method of a ladder filter | |
| JP4625260B2 (ja) | 薄膜バルク共振子の製造方法 | |
| US9035536B2 (en) | Piezoelectric thin-film resonator and method for manufacturing the same | |
| JP4903636B2 (ja) | 共振器、それを備えた装置、および共振器の製造方法 | |
| WO2009110062A1 (ja) | 圧電薄膜共振器、フィルタ、通信モジュール、および通信装置 | |
| JP2006510296A (ja) | 電気音響共振器 | |
| EP1274168B1 (en) | Piezoelectric resonator, manufacturing method for the same, piezoelectric filter, manufacturing method for the same, duplexer, and electronic communication device | |
| JP2003347889A (ja) | 圧電フィルタ、およびそれを有する電子部品 | |
| JP2005057707A (ja) | 薄膜バルク音響共振子およびマイクロ電気機械システムデバイス | |
| JP2003051732A (ja) | 圧電共振子、フィルタおよび電子通信機器 | |
| JP2004015079A (ja) | 圧電フィルタ、およびそれを有する電子部品 | |
| JP2005236338A (ja) | 圧電薄膜共振子 | |
| JP2018121291A (ja) | バルク弾性波共振器の製造方法 | |
| JP4218672B2 (ja) | 圧電共振子、圧電フィルタ、通信装置 | |
| JP2004312201A (ja) | 圧電共振子、その製造方法、圧電フィルタ、デュプレクサ、通信装置 | |
| JP4693406B2 (ja) | 圧電薄膜デバイス及びその製造方法 | |
| JP2001185985A (ja) | 圧電共振子 | |
| JP2005093465A (ja) | 薄膜キャパシタ、圧電フィルタおよびその製造方法、ならびに分波器、通信機 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050621 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060606 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20061219 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20070101 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110119 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110119 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120119 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120119 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130119 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130119 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140119 Year of fee payment: 7 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |