JP2003084221A - 合波レーザー光源および露光装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 高出力が得られる低コストの合波レーザー光
源を得る。 【解決手段】 マルチキャビティレーザーダイオードチ
ップ10の複数の発光点10ａからそれぞれ出射したレーザ
ービームＢを、光学系20によりマルチモード光ファイバ
ー30に結合させて合波する。そしてマルチキャビティレ
ーザーダイオードチップ10として、その複数の発光点10
ａが、マルチモード光ファイバー30のコア径とほぼ等し
い幅内に並設されてなるものを用いる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は合波レーザー光源に
関し、特に詳細には、マルチキャビティレーザーダイオ
ードチップから発せられたレーザービームを光ファイバ
ーを利用して合波する合波レーザー光源に関するもので
ある。

【０００２】また本発明は、上述のような合波レーザー
光源を露光用光源として用いる露光装置に関するもので
ある。

【０００３】

【従来の技術】従来、紫外域のレーザービームを発生さ
せる装置として、半導体レーザー励起固体レーザーから
発せられた赤外光を紫外域の第３高調波に変換する波長
変換レーザーや、エキシマレーザーや、Ａｒレーザーが
実用に供されている。

【０００４】さらには近時、例えば1998年発行のJpn.Ap
pl.phys.Lett.,Vol.37.p.L1020に示されるように、400
ｎｍ近傍の波長のレーザービームを発するＧａＮ系半導
体レーザーも提供されている。

【０００５】このような波長のレーザービームを発する
光源は、350〜420ｎｍの紫外領域を含んだ所定の波長域
（以下「紫外域」という）に感度を有する感光材料を露
光する露光装置において、露光用光源として適用するこ
とも考えられている。その場合の露光用光源は、当然な
がら、感光材料を感光させるのに十分な出力を備えるこ
とが求められる。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかし上記エキシマレ
ーザーは、装置が大型で、コストやメンテナンスコスト
も高いという問題がある。

【０００７】また、赤外光を紫外域の第３高調波に変換
する波長変換レーザーは、波長変換効率が非常に低いこ
とから、高出力を得るのは極めて困難になっている。現
在のところは、30Ｗの半導体レーザーで固体レーザー媒
質を励起して10Ｗの基本波（波長1064ｎｍ）を発振さ
せ、それを３Ｗの第２高調波（波長532ｎｍ）に変換
し、それら両者の和周波である１Ｗの第３高調波（波長
355ｎｍ）を得る、というのが現在の実用レベルであ
る。その場合の半導体レーザーの電気−光効率は50％程
度であり、そして紫外光への変換効率は1.7％程度と非
常に低いものとなっている。そしてこのような波長変換
レーザーは、高価な光波長変換素子を用いるために、コ
ストがかなり高いものとなっている。

【０００８】またＡｒレーザーは電気−光効率が0.005
％と非常に低く、寿命が1000時間程度と非常に短いとい
う問題がある。

【０００９】一方、ＧａＮ系半導体レーザーについて
は、低転位のＧａＮ結晶基板が得られないことから、Ｅ
ＬＯＧという成長方法によって約５μｍ程度の低転位領
域を作り出し、その上にレーザー領域を形成して高出力
化と高信頼性を実現する試みがなされている。しかし、
こうして作製されるＧａＮ系半導体レーザーにおいて
も、大面積に亘って低転位の基板を得るのが難しいの
で、500ｍＷ〜１Ｗ級の高出力なものは未だ商品化され
ていない。

【００１０】また、半導体レーザーの高出力化の別の試
みとして、例えば１つで100ｍＷの光を出力するキャビ
ティを100個形成することで10Ｗの出力を得るようなこ
とも考えられているが、100個程度の多数のキャビティ
を高歩留まりで作成することは、ほとんど現実性が無い
と言える。特に、シングルキャビティの場合でも99％以
上の高歩留まり化は困難であるＧａＮ系半導体レーザー
にあっては、なおさらである。

【００１１】本発明は上記の事情に鑑み、高出力が得ら
れる低コストの合波レーザー光源を提供することを目的
とする。

【００１２】また本発明は、上述のような合波レーザー
光源を用いることにより、高強度のレーザー光で感光材
料を露光可能な露光装置を提供することを目的とする。

【００１３】

【課題を解決するための手段】本発明による合波レーザ
ー光源は、１本のマルチモード光ファイバーと、このマ
ルチモード光ファイバーのコア径とほぼ等しい幅内に複
数の発光点が並設されてなるマルチキャビティレーザー
ダイオードチップと、前記複数の発光点からそれぞれ出
射したレーザービームを前記マルチモード光ファイバー
に結合させる光学系とを備えてなることを特徴とするも
のである。

【００１４】なお上記マルチキャビティレーザーダイオ
ードチップとしては、ＧａＮ系レーザーダイオードから
なるものが用いられることが望ましい。

【００１５】本発明の合波レーザー光源は、上述したマ
ルチモード光ファイバーを１本だけ用いて構成されても
よいが、好ましくは、該マルチモード光ファイバーを複
数用いて、それらのマルチモード光ファイバーの各々に
マルチキャビティレーザーダイオードチップおよび光学
系を組み合わせ、各マルチモード光ファイバーから高出
力のレーザービームを発するように構成することもでき
る。そのようにする場合、複数のマルチモード光ファイ
バーは少なくとも出射端部において１次元アレイ状、あ
るいは、バンドル状に配設されるのが望ましい。

【００１６】本発明による露光装置は、上記のように複
数のマルチモード光ファイバーが１次元アレイ状、ある
いは、バンドル状に配設されてなる本発明の合波レーザ
ー光源を露光用光源として備えたことを特徴とするもの
である。

【００１７】

【発明の効果】本発明の合波レーザー光源は、マルチキ
ャビティレーザーダイオードチップの複数の発光点から
それぞれ出射したレーザービームをマルチモード光ファ
イバーに結合させて合波する極めて簡単な構成のもので
あって、特に作製が困難な要素も必要としないので、低
コストで形成可能となる。

【００１８】このような合波レーザー光源を画像露光用
の光源として適用することを考えた場合、マルチモード
光ファイバーとしてはコア径がレーザー加工用光ファイ
バーのそれと比べて桁違いに小さいもの（例えば25μｍ
程度）が用いられる。そのようなマルチモード光ファイ
バーが用いられる場合、マルチキャビティレーザーダイ
オードチップの複数の発光点が光ファイバーのコア径よ
り著しく大きな幅に亘って配置されていると、各発光点
から出射したレーザービームを光学系により集光して
も、それらを全て光ファイバーのコアに入射させること
が困難になる。

【００１９】一方、マルチキャビティレーザーダイオー
ドチップの複数の発光点が、光ファイバーのコア径より
著しく短い幅内に密に配置されていると、発光点間の熱
の相互干渉が生じたり、熱密度が上がって放熱し難くな
ることから高出力化や高安定化が困難になる。これは、
すなわち合波レーザー光源の高出力化が難しくなるとい
うことである。

【００２０】それに対して本発明においては、マルチキ
ャビティレーザーダイオードチップとして、マルチモー
ド光ファイバーのコア径とほぼ等しい幅内に複数の発光
点が並設されてなるものを用いているので、各発光点か
ら出射したレーザービームを光学系により集光して、そ
れらを光ファイバーのコアに良好に入射させることがで
きる。

【００２１】また、上述の通りのマルチキャビティレー
ザーダイオードチップは、複数の発光点の互いのピッチ
が比較的大きなものとなるので、発光点間の熱の相互干
渉が無くなり、放熱しやすくなって、高出力化や高安定
化も可能となる。そこで本発明の合波レーザー光源は、
高い出力が得られるものとなる。

【００２２】他方、本発明の合波レーザー光源が、複数
のマルチモード光ファイバーを少なくとも出射端部にお
いて１次元アレイ状、あるいはバンドル状に配設してな
る場合は、それらの光ファイバーから高出力のレーザー
ビームを１次元あるいは２次元に整列した状態で出射さ
せることができる。そうであれば、整列して出射する複
数のレーザービームの各々を、変調部がライン状、ある
いは２次元状に配列されてなるＧＬＶやＤＭＤ等の空間
光変調素子の各変調部に入射させて、画像露光等のため
に効率良く変調させることができる。

【００２３】そこで、上述のように構成された合波レー
ザー光源を露光用光源として用いる本発明の露光装置
は、上記空間光変調素子を併せて用いて、２次元に整列
して出射するレーザービームをそのまま感光材料に２次
元状に照射することにより、あるいは１次元あるいは２
次元に整列して出射するレーザービームを感光材料に照
射するとともに感光材料をレーザービームに対して相対
的に副走査移動させることにより、該感光材料に２次元
画像を露光可能なものとなる。

【００２４】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を説明する。

【００２５】図１は、本発明の一実施の形態による合波
レーザー光源の平面形状を示すものである。図示される
ようにこの合波レーザー光源は、複数（ここでは一例と
して３個）の発光点10ａを有するマルチキャビティレー
ザーダイオードチップ10と、１本のマルチモード光ファ
イバー30と、上記複数の発光点10ａからそれぞれ出射し
たレーザービームＢをマルチモード光ファイバー30のコ
ア30ａに入射させる光学系としてのレンズ20とを備えて
構成されている。

【００２６】マルチモード光ファイバー30としては、そ
のコア30ａの径が一例として25μｍであるものが使用さ
れている。なおこのマルチモード光ファイバー30として
は、ステップインデックス型のもの、グレーデッドイン
デックス型のもの、およびそれらの複合型のものが適用
可能である。

【００２７】一方マルチキャビティレーザーダイオード
チップ10は、一例としてＧａＮ系レーザーダイオードか
らなる発振波長が405ｎｍのものである。このマルチキ
ャビティレーザーダイオードチップ10において複数の発
光点10ａは、上記マルチモード光ファイバー30のコア径
（25μｍ）とほぼ等しい幅内に並設されている。

【００２８】上記の構成において、マルチキャビティレ
ーザーダイオードチップ10の複数の発光点10ａからそれ
ぞれ出射したレーザービームＢはレンズ20によって集光
され、マルチモード光ファイバー30のコア30ａの入射端
面上に導かれる。こうして複数本のレーザービームＢは
マルチモード光ファイバー30のコア30ａに入射してそこ
を伝搬し、１本に合波されてマルチモード光ファイバー
30から出射する。

【００２９】上述した通りこの合波レーザー光源におい
ては、マルチキャビティレーザーダイオードチップ10と
して、マルチモード光ファイバー30のコア径とほぼ等し
い幅内に複数の発光点10ａが並設されてなるものを用い
ているので、各発光点10ａから出射したレーザービーム
Ｂをレンズ20により集光して、それらをマルチモード光
ファイバー30のコア30ａに良好に入射させることができ
る。例えばこのようなレンズ20として、マルチモード光
ファイバー30のコア径とほぼ等しい焦点距離の凸レンズ
を用いたり、マルチキャビティレーザーダイオードチッ
プ10からの出射ビームをその活性層に垂直な面内のみで
コリメートするロッドレンズを用いる等して、レーザー
ビームＢをマルチモード光ファイバー30に結合させるこ
とができるので、単純な光学系で高効率の結合が可能と
なる。

【００３０】また、上述のようにマルチモード光ファイ
バー30のコア径とほぼ等しい幅内に複数の発光点10ａが
並設されてなるマルチキャビティレーザーダイオードチ
ップ10は、複数の発光点10ａの互いのピッチが比較的大
きなものとなるので、発光点間の熱の相互干渉が無くな
り、放熱しやすくなって、高出力化や高安定化が可能と
なる。そこで本実施の形態による合波レーザー光源は、
高い出力が得られるものとなる。具体例として、各発光
点10ａの出力が100ｍＷであるマルチキャビティレーザ
ーダイオードチップ10を用いて、出力約300ｍＷの合波
レーザー光源を構成することも可能である。

【００３１】以上、合波本数を３本とした実施の形態に
ついて説明したが、本発明の合波レーザー光源における
合波本数はこの３本に限られるものではなく、２本以上
のいずれの数が選択されてもよい。

【００３２】本実施の形態の合波レーザー光源は、マル
チキャビティレーザーダイオードチップ10とレンズ20、
それにマルチモード光ファイバー30の入射端部を適宜の
ケーシングに収納し、マルチモード光ファイバー30の出
射端部をそのケーシングから引き出した形にして、紫外
光高輝度合波ファイバーモジュールを構成することがで
きる。

【００３３】次に図２〜６を参照して、上記の紫外光高
輝度合波ファイバーモジュールを利用した画像露光装置
について説明する。

【００３４】図２は、この画像露光装置110Ａの全体形
状を示すものである。図示の通りこの画像露光装置110
Ａは、複数のレーザービームを生成する光源ユニット12
0と、光源ユニット120で生成された複数のレーザービー
ムを集光する露光ヘッド130と、露光ヘッド130を副走査
方向に沿って移動させる露光ヘッド移動部140と、画像
が記録される記録媒体Ｆが装着されかつ該記録媒体Ｆが
主走査方向に移動するように図２の矢印Ｒ方向に回転駆
動されるドラム150と、主として光源ユニット120の冷却
用の風（以下、「冷却風」という。）を生成する冷却用
ブロア160とを含んで構成されている。

【００３５】なお記録媒体Ｆは、ドラム150に巻き付け
ることができる可撓性記録材料であって、具体的には感
光もしくは感熱性のフィルム、感光もしくは感熱性の印
刷用刷版等である。また、このように記録媒体Ｆをドラ
ム150に巻き付ける形態ではなく、ドラム150自体が感光
もしくは感熱性を有する場合にも、本発明は同様に適用
可能である。

【００３６】光源ユニット120には、上記のようにして
構成された紫外光高輝度合波ファイバーモジュール（以
下、単に合波ファイバーモジュールという）121が表面
に配置され、裏面に放熱フィン123（図３も参照）が設
けられた光源基板124と、光源基板124の一端部に垂直に
取り付けられると共にＳＣ型光コネクタ125Ａのアダプ
タが複数（合波ファイバーモジュール121と同数）設け
られたアダプタ基板125と、光源基板124の他端部に水平
に取り付けられると共に記録媒体Ｆに記録する画像の画
像データに応じて合波ファイバーモジュール121を駆動
するＬＤドライバー回路126（図５も参照）が設けられ
たＬＤドライバー基板127とが備えられている。

【００３７】合波ファイバーモジュール121に接続され
た光ファイバー30の他端部には各々ＳＣ型光コネクタ12
5Ａのプラグが設けられており、該プラグはアダプタ基
板125に設けられたアダプタの一方の挿入口に嵌合され
ている。したがって、各合波ファイバーモジュール121
から射出されたレーザービームは光ファイバー30によっ
て、アダプタ基板125に設けられているアダプタの略中
央位置まで伝送される。

【００３８】また、ＬＤドライバー基板127に設けられ
ているＬＤドライバー回路126における合波ファイバー
モジュール121の駆動用信号の出力端子は合波ファイバ
ーモジュール121に個別に接続されており、各合波ファ
イバーモジュール121は、ＬＤドライバー回路126によっ
て各々個別に駆動が制御される。

【００３９】一方、露光ヘッド130には、上記複数の合
波ファイバーモジュール121から射出された各レーザー
ビームＢを取りまとめて射出するファイバーアレイ部13
1が備えられている。このファイバーアレイ部131には、
各々アダプタ基板125に設けられた複数のアダプタの他
方の挿入口に、一端部に設けられたＳＣ型光コネクタの
プラグが嵌合された複数のマルチモード光ファイバー17
0によって、各合波ファイバーモジュール121から射出さ
れたレーザービームＢが伝送される。

【００４０】図４には、ファイバーアレイ部131を図２
の矢印Ａ方向に見た状態が示されている。同図に示すよ
うにこのファイバーアレイ部131は、各々片面に合波フ
ァイバーモジュール121の数の半数のＶ字溝が相隣接し
て設けられた２枚の基台131Ａが、上記Ｖ字溝が対向す
るように配置されると共に、各Ｖ字溝に対して各光ファ
イバー170の他端部が１本ずつ嵌め込まれて構成されて
いる。したがって、ファイバーアレイ部131からは、各
合波ファイバーモジュール121から射出された複数のレ
ーザービームが所定間隔ごとに同時に出射されることに
なる。

【００４１】また、図２に示すように露光ヘッド130に
は、ファイバーアレイ部131側より、コリメータレンズ1
32、開口部材133、および結像レンズ134が順に配列され
ている。なお開口部材133は、開口部がファイバーアレ
イ部131のレーザービーム出射口からみてファーフィー
ルド（far field ）の位置となるように配置されてい
る。これによって、ファイバーアレイ部131における複
数の光ファイバー170の出射端から出射された全てのレ
ーザービームＢに対して同等の光量制限効果を与えるこ
とができる。

【００４２】一方、露光ヘッド移動部140には、長手方
向が副走査方向に沿うように配置されたボールネジ141
および２本のレール142が備えられており、ボールネジ1
41を回転駆動する副走査モータ143（図５も参照）を作
動させることによって、一部がボールネジ141に螺合さ
れた露光ヘッド130を、レール142に案内された状態で副
走査方向に移動させることができる。

【００４３】また、ドラム150は主走査モータ151（図５
も参照）を作動させることによって図２の矢印Ｒ方向に
回転され、これによって主走査がなされる。

【００４４】一方、冷却用ブロア160は、図２および図
３に示すように、該冷却用ブロア160によって生成され
た冷却風の風向きが、該冷却風が光源基板124に設けら
れた放熱フィン123および全ての光ファイバー30の双方
に当る方向となるように配置されている。したがって、
冷却用ブロア160により生成された冷却風によって、各
合波ファイバーモジュール121の駆動時における温度上
昇を抑制することができると共に、各光ファイバー30を
強制的に振動させることができる。

【００４５】次に図５を参照して、この画像露光装置11
0Ａの制御系の構成について説明する。同図に示すよう
に該制御系は、画像データに応じて各合波ファイバーモ
ジュール121を駆動するＬＤドライバー回路126と、主走
査モータ151を駆動する主走査モータ駆動回路181と、副
走査モータ143を駆動する副走査モータ駆動回路182と、
冷却用ブロア160を駆動する冷却用ブロア駆動回路183
と、ＬＤドライバー回路126、主走査モータ駆動回路18
1、副走査モータ駆動回路182および冷却用ブロア駆動回
路183を制御する制御回路180とを備えている。ここで制
御回路180には、記録媒体Ｆに記録する画像を示す画像
データが供給される。

【００４６】次に、以上のように構成された画像露光装
置110Ａの作用について、図６に示すフローチャートを
参照しつつ説明する。なお図６は、画像露光装置110Ａ
によって画像記録を行う際の処理の流れを示すフローチ
ャートである。

【００４７】まず、記録媒体Ｆに記録する画像を担持し
た画像データを、画像記録に際して該画像の画像データ
を一時的に記憶する不図示の画像メモリから制御回路18
0に転送する（ステップＳ100）。制御回路180は、転送
されてきた画像データ、および記録画像の予め定められ
た解像度を示す解像度データに基づいて調整された信号
をＬＤドライバー回路126、主走査モータ駆動回路181、
および副走査モータ駆動回路182に供給する。

【００４８】次いで制御回路180は、冷却用ブロア160の
駆動を開始するように冷却用ブロア駆動回路183を制御
する（ステップＳ102）。これにより、冷却用ブロア160
によって生成された冷却風による各合波ファイバーモジ
ュール121の冷却動作が開始されると共に、各光ファイ
バー30の振動が開始される。

【００４９】ここで、各光ファイバー30の振動を、光フ
ァイバー30から出射された光の光量変動を１主走査時間
の間にランダム化させることができる振動とすることに
よって、記録媒体Ｆ上に記録される画像のむらを低減す
ることができる。そこで本実施の形態では、このような
振動とすることができる風量で、かつ本来の目的である
放熱フィン123の冷却に必要とされる風量を実験やコン
ピュータ・シミュレーション等によって予め得ておき、
この風量となるように冷却用ブロア駆動回路183が冷却
用ブロア160の駆動を制御している。

【００５０】次に主走査モータ駆動回路181は、制御回
路180から供給された信号に基づいて上記解像度データ
に応じた回転速度でドラム150を図１の矢印Ｒ方向に回
転させるように主走査モータ151を制御し（ステップＳ1
04）、副走査モータ駆動回路182は、上記解像度データ
に応じて副走査モータ143による露光ヘッド130の副走査
方向に対する送り間隔を設定する（ステップＳ106）。

【００５１】次にＬＤドライバー回路126は、画像デー
タに応じて各合波ファイバーモジュール121の駆動を制
御する（ステップＳ108）。

【００５２】各合波ファイバーモジュール121から射出
されたレーザービームＢは、光ファイバー30、ＳＣ型光
コネクタ125Ａ、および光ファイバー170を介してファイ
バーアレイ部131から出射され、コリメータレンズ132に
よって平行光束とされた後、開口部材133によって光量
が制限され、結像レンズ134を介してドラム150上の記録
媒体Ｆに集光される。

【００５３】この場合、記録媒体Ｆには、各合波ファイ
バーモジュール121から射出された複数のレーザービー
ムＢに応じて複数のビームスポットが形成される。これ
らのビームスポットにより、露光ヘッド130が上記ステ
ップＳ106で設定された送り間隔のピッチで副走査方向
に送られると共に、上記ステップＳ104により開始され
たドラム150の回転によって、解像度が上記解像度デー
タによって示される解像度となる２次元画像が記録媒体
Ｆ上に露光、記録される（ステップＳ110）。

【００５４】記録媒体Ｆ上への２次元画像の記録が終了
すると、主走査モータ駆動回路181は主走査モータ151の
回転駆動を停止し（ステップＳ112）、制御回路180は冷
却用ブロア160の駆動を停止するように冷却用ブロア駆
動回路183を制御し（ステップＳ114）、その後に本処理
を終了する。

【００５５】本処理によって、記録媒体Ｆへの所定解像
度による２次元画像の記録がなされると共に、この画像
記録の間には冷却用ブロア160が駆動されるので、光フ
ァイバー30がランダムに振動され、光ファイバー30を伝
搬するレーザービームに対して白色ノイズ的な雑音を重
畳させることができ、その結果、記録された２次元画像
にｓｗａｔｈむらやビートむら等の画像むらが発生する
ことを防止できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施の形態による合波レーザー光源
を示す平面図

【図２】本発明の一実施の形態による露光装置の斜視図

【図３】上記露光装置の一部を示す斜視図

【図４】上記露光装置の一部を示す正面図

【図５】上記露光装置の電気的構成を示すブロック図

【図６】上記露光装置における画像露光に関わる処理の
流れを示すフローチャート

【符号の説明】

10 マルチキャビティレーザーダイオードチップ 10ａ マルチキャビティレーザーダイオードチップの
発光点 20 レンズ 30 マルチモード光ファイバー 30ａ マルチモード光ファイバーのコア 110Ａ 画像露光装置 120 光源ユニット 121 合波ファイバーモジュール 130 露光ヘッド 140 露光ヘッド移動部 150 ドラム 170 マルチモード光ファイバー 250 合波光学系 251 マルチモード光ファイバー 261 マイクロレンズアレイ 262 集光レンズ 270 合波光学系 Ｂ レーザービーム Ｆ 記録媒体

フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｓ 5/40 Ｈ０１Ｓ 5/40 // Ｂ４１Ｊ 2/44 Ｂ４１Ｊ 3/21 Ｌ 2/45 2/455 Ｆターム(参考） 2C162 AE23 AE28 AE48 FA04 FA18 FA23 FA44 FA48 2H045 AG09 BA22 BA23 BA32 DA02 2H097 AA03 AB08 CA17 GB04 LA01 2H108 CB05 EA02 EA03 5F073 AB04 AB25 AB28 BA07 CA02 FA03 FA07

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 １本のマルチモード光ファイバーと、 このマルチモード光ファイバーのコア径とほぼ等しい幅
   内に複数の発光点が並設されてなるマルチキャビティレ
   ーザーダイオードチップと、 前記複数の発光点からそれぞれ出射したレーザービーム
   を前記マルチモード光ファイバーに結合させる光学系と
   を備えてなる合波レーザー光源。
2. 【請求項２】 前記半導体レーザーとしてＧａＮ系半導
   体レーザーが用いられていることを特徴とする請求項１
   記載の合波レーザー光源。
3. 【請求項３】 前記マルチモード光ファイバーが複数、
   少なくとも出射端部において１次元アレイ状に配設さ
   れ、それらのマルチモード光ファイバーの各々に前記マ
   ルチキャビティレーザーダイオードチップおよび光学系
   が組み合わされていることを特徴とする請求項１または
   ２記載の合波レーザー光源。
4. 【請求項４】 前記マルチモード光ファイバーが複数、
   少なくとも出射端部においてバンドル状に配設され、そ
   れらのマルチモード光ファイバーの各々に前記マルチキ
   ャビティレーザーダイオードチップおよび光学系が組み
   合わされていることを特徴とする請求項１または２記載
   の合波レーザー光源。
5. 【請求項５】 請求項３または４に記載の合波レーザー
   光源を露光用光源として備えたことを特徴とする露光装
   置。