JP2003078824A - イメージセンシング方法及びそのためのディジタルcmosイメージセンサ - Google Patents
イメージセンシング方法及びそのためのディジタルcmosイメージセンサInfo
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Abstract
ンプ等の回路が発生するランダムノイズを、高ゲインの
コラムアンプとディジタル領域での処理で低減すること
により、高感度を有するイメージセンシング方法及びそ
のためのディジタルCMOSイメージセンサを提供す
る。 【解決手段】 イメージセンサアレイ1の画素1Aから
の走査出力信号と基準電圧VREF との偏差をみる第1の
加算器3と、この加算器3からの出力が入力されるコラ
ムアンプ4と、このコラムアンプ4からの出力が入力さ
れるA/D変換器5と、このA/D変換器5からの出力
が入力されるノイズ用フレームメモリ6と、前記A/D
変換された出力を前記ノイズ用フレームメモリ6に記憶
されたノイズからディジタル領域で減算する第2の加算
器7と、この第2の加算器7からの出力が入力されるデ
ィジタルフィルタ8とを備え、ビデオ信号フレーム周波
数の数倍のフレーム周波数で、高速に全画素を読み出し
撮像し、オーバーサンプリング信号処理によって、雑音
低減を行う。
Description
Sイメージセンサに係り、その低消費電力特性や、機能
回路を集積化できるなどの特徴からCCDを越えるもの
として期待されている高感度デジタルCMOSイメージ
センサに関するものであり、特に、その雑音低減に関す
るものである。
減法として、アナログ領域で、リセットノイズや固定パ
ターンノイズをキャンセルする方式が提案されている。
を行って高速画像を読み出す方式も存在するが、まだ十
分SNRを達成しているとは言えない。
は、以下のようなものが開示されている。
メージセンサのノイズキャンセル回路”、映像情報メデ
ィア学会技術報告、Vol.22,No.3,pp.7
−11(Jan.1998) 〔2〕中村信男、松長誠之、“高感度CMOSイメージ
センサの開発”、映像情報メディア学会誌、Vol.5
4,No.2,pp.216−223(200) 〔3〕Dwi Handoko、川人祥二、田所嘉昭、
松澤昭、“高速非破壊中間撮像CMOSイメージセン
サ”、映像情報メディア学会誌、Vol.55,No.
2,pp.264−270(2001)
CMOSイメージセンサでは、高感度を得るには難があ
った。
ンサのノイズレベルを支配するアンプ等の回路が発生す
るランダムノイズを、高ゲインのコラムアンプと、ディ
ジタル領域での処理で低減することにより、高感度を有
するイメージセンシング方法及びそのためのディジタル
CMOSイメージセンサを提供することを目的とする。
成するために、 〔1〕イメージセンシング方法において、ビデオ信号フ
レーム周波数のN倍のフレーム周波数で、高速に全画素
を読み出し撮像し、その際信号レベルとリセットレベル
を別々に読み出して高ゲインのコラムアンプで増幅後A
/D変換を行い、ディジタル領域でリセットノイズと固
定パターンノイズのキャンセルを行った信号に対して、
ディジタル低域通過フィルタで、ランダムノイズ低減処
理を行い、1/Nに画像速度を落とすことを特徴とす
る。
において、イメージアレイの画素からの走査出力信号と
基準電圧との偏差をみる第1の加算器と、この第1の加
算器からの出力が入力されるコラムアンプと、このコラ
ムアンプからの出力が入力されるA/D変換器と、この
A/D変換器からの出力が入力されるノイズ用フレーム
メモリと、前記A/D変換された出力を前記ノイズ用フ
レームメモリに記憶されたノイズからディジタル領域で
減算する第2の加算器と、この第2の加算器からの出力
が入力されるディジタルフィルタとを備え、ビデオ信号
フレーム周波数の数倍のフレーム周波数で、高速に全画
素を読み出し撮像し、オーバーサンプリング信号処理に
よって、雑音低減を行うことを特徴とする。
Sイメージセンサにおいて、イメージアレイからの信号
を通常のN倍(Nは1以上)の速度で高速に読み出し、
前記コラムアンプで高ゲインで増幅し、リセットレベル
と信号レベルと別々にA/D変換して、ディジタル領域
で偏差信号をとり、その偏差信号に対して、ディジタル
低域通過フィルタで高域のノイズを除去することを特徴
とする。
Sイメージセンサにおいて、最後に、信号を間引いて、
通常の1/N倍の速度の画像に戻すことを特徴とする。
て詳細に説明する。
活かした高感度イメージセンサを実現する方法として、
フレームオーバーサンプリングによる信号処理を用いた
雑音低減法について述べる。
より、信号振幅を小さくすることで、コラムに高ゲイン
のアンプを持たせ、これによって、コラムアンプ後の広
帯域アンプの雑音やA/D変換器の量子化雑音を低減で
きるとともに、固定パターン雑音やリセット雑音のディ
ジタルノイズキャンセルの精度を高めることにより、低
雑音のディジタルイメージセンサを実現するものであ
る。
減 図1は本発明にかかる画像の高速読み出しによるノイズ
低減を用いたCMOSイメージセンサの構成図である。
イ、1Aは画素(ピクセル)、2は垂直スキャナー、3
はイメージセンサアレイ1からの垂直スキャナー2によ
り走査された出力信号と基準電圧VREF との偏差をみる
第1の加算器、4はコラムアンプ、5はA/D変換器、
6はノイズ用フレームメモリ、7はA/D変換された出
力をノイズ用フレームメモリ6に記憶されたノイズから
ディジタル領域で減算する第2の加算器、8はディジタ
ルフィルタ及びデシメーター、9はディジタル出力であ
る。
チップ上に必ずしも集積化する必要はなく、例えば、A
/D変換器5までを集積化し、ディジタル処理部(6,
7,8)は、専用のASICを用いるのが、現実的な構
成と考えられる。
ティブピクセル回路、あるいは、高い電圧ゲインを得る
ために、埋め込みフォトダイオードと画素内電荷転送に
よる画素(ピクセル)1Aを用いることもできる。しか
し、3トランジスタ方式で性能が出せることが1つの利
点にもなり得る。
1つの画素1Aに着目し、カソード部(フローティング
デフュージョン部)の電圧(VFB)の時間変化波形、制
御信号、読み出された信号のタイミングチャートを図2
に示す。
ーム周波数のM倍のフレーム周波数で、全画素を読み出
す。この倍率をフレームオーバーサンプリング比(OS
R)と呼ぶことにする。
ルし、コラムで増幅する。このとき、読み出される電圧
にはオフセット電圧がのっているので、これをキャンセ
ルするためにVREF を減ずる。コラムアンプ4のゲイン
は、丁度、オーバーサンプリング比と同じにとることが
できる。CMOSイメージセンサは、3V程度の電源電
圧を扱うので、回路で扱える信号振幅は1V程度であ
る。画素1Aからの出力電圧が1Vであれば、コラムア
ンプ4で、さらに振幅を増幅することはできない。
高速フレームの周期で信号を読み出すことにより、セン
サ部の振幅は1/Mになっているので、コラムアンプ4
でM倍してもアンプの出力が飽和することはない。これ
が、オーバーサンプリングの大きな特徴の1つである。
A/D変換器5の量子化雑音が相対的に小さく見え、S
NRを向上することができる。コラムアンプ4で増幅さ
れた電圧をA/D変換し、ノイズ用フレームメモリ6に
記憶する。いま、ノイズ用フレームメモリ6に記憶され
たn番目のフレームのある画素値をR(nT)と表記す
ると、R(nT)は、ほぼ以下のように表すことができ
る。
(nT)はそれぞれ、ショット雑音、画素部のリセット
(kTC)雑音、固定パターン雑音、ソースフォロワバ
ッファとコラムアンプ4の入力換算雑音の和であり、A
/D変換前の電圧をA/D変換器5のフルスケール電圧
(VFS)で割り、A/D変換器5の精度で量子化した値
である。
H等の回路のノイズのディジタル値、Q(nT)はA/
D変換器5の量子化ノイズ、S(nT)は映像信号のデ
ィジタル値である。
用いてサンプルし、同様にコラムアンプ4で増幅する。
その電圧をA/D変換する。これを、U(nT)とす
る。ノイズ用フレームメモリ6に記憶されたノイズか
ら、その値をディジタル領域で減算した値をY(nT+
ΔT)とする。その値はフレームの先頭まで記憶される
と考えると、Y(nT+ΔT)=Y〔(n+1)T〕で
あり、 Y〔(n+1)T〕=M×〔S(nT)−S(nT+ΔT)〕 +M×〔Ns (nT)−Ns (nT+ΔT)〕 +M×〔Npn(nT)−Npn(nT+ΔT)〕 +Na (nT)−Na (nT+ΔT) +Q(nT)−Q(nT+ΔT) …(2) となる。
は、時間相関があるので除去される。A/D変換器5の
量子化の精度までは完全にキャンセルされ、実際には、
A/D変換器5の非線形性ノイズ及び量子化ノイズの中
に埋もれることになる。そのノイズは、他のランダム雑
音と区別がつかなくなる。
ット数で決まる精度以下にすることができ、また、両者
とも、A/D変換前にコラムアンプ4で増幅されるの
で、十分高い。例えば、VFS=0.8Vの10ビットA
/D変換器5を用い、16倍のオーバーサンプリングを
行って、コラムアンプ4で16倍の増幅をすれば、アン
プ前のA/D変換器の分解能は、約50μVである。こ
れは、固定パターンノイズとリセットノイズのキャンセ
ル精度が約50μVになることを意味する。
フィルタを用いた2段階のフィルタリング処理が比較的
簡単な構成であり、急峻なカットオフ特性が得られる。
ルフィルタの構成図である。
ムフィルタ(櫛歯状フィルタ)、13は第1の分周器
(fs/4)、14はディジタルLPF、15は第2の
分周器(fs/16)、16はディジタル出力である。
雑音が低減される様子を、図4に示す。
を行う場合の例を示している。これは、4次の櫛形フィ
ルタを用い、最初、1/4にデシメーションを行う。4
次の櫛形フィルタは次式の周波数特性をもつ。
ある。櫛形フィルタは低域通過の特性を持ちながら、図
4(a)に示すように、fs /4の整数倍の周波数でゼ
ロ点をもつ。故に、高域の追いやられたノイズは、図4
(b)に示すように減衰する。
ンをした際、ゼロ点の整数倍の周波数付近の成分がビデ
オ信号帯域に折り返され、図4(c)に示すようにな
り、十分に減衰しているので都合が良い。その後、急峻
なカットオフ特性をもつ低域通過ディジタルフィルタに
より、fs /32以上の雑音成分を除去する〔図4
(d)参照〕。最後に、図4(e)に示すように、fs
/16の周波数、つまり、ビデオ速度周波数にデシメー
ションを行う。このようにして大幅に雑音低減が可能で
あることがわかる。
のではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能
であり、これらを本発明の範囲から排除するものではな
い。
よれば、以下のような効果を奏することができる。
る広帯域アンプのランダムノイズ及びA/D変換器の量
子化ノイズを大幅に低減することができる。
ターン雑音及びリセット雑音除去効果が高い。
ンの増幅を行うため、感度が高い。つまり、SNRが大
いに改善され、特にコラムで高いゲインで増幅すること
ができる。
ズ低減を用いたCMOSイメージセンサの構成図であ
る。
フュージョン部)の電圧(VFB)の時間変化波形、制御
信号、読み出された信号のタイミングチャートである。
の構成図である。
ズ低減の説明図である。
Claims (4)
- 【請求項1】 ビデオ信号フレーム周波数のN倍のフレ
ーム周波数で、高速に全画素を読み出し撮像し、その際
信号レベルとリセットレベルを別々に読み出して高ゲイ
ンのコラムアンプで増幅後A/D変換を行い、ディジタ
ル領域でリセットノイズと固定パターンノイズのキャン
セルを行った信号に対して、ディジタル低域通過フィル
タで、ランダムノイズ低減処理を行い、1/Nに画像速
度を落とすことを特徴とするイメージセンシング方法。 - 【請求項2】(a)イメージアレイの画素からの走査出
力信号と基準電圧との偏差をみる第1の加算器と、
(b)該第1の加算器からの出力が入力されるコラムア
ンプと、(c)該コラムアンプからの出力が入力される
A/D変換器と、(d)該A/D変換器からの出力が入
力されるノイズ用フレームメモリと、(e)前記A/D
変換された出力を前記ノイズ用フレームメモリに記憶さ
れたノイズからディジタル領域で減算する第2の加算器
と、(f)該第2の加算器からの出力が入力されるディ
ジタルフィルタとを備え、(g)ビデオ信号フレーム周
波数の数倍のフレーム周波数で、高速に全画素を読み出
し撮像し、オーバーサンプリング信号処理によって、雑
音低減を行うことを特徴とするディジタルCMOSイメ
ージセンサ。 - 【請求項3】 請求項2記載のディジタルCMOSイメ
ージセンサにおいて、イメージアレイからの信号を通常
のN倍(Nは1以上)の速度で高速に読み出し、前記コ
ラムアンプで高ゲインで増幅し、リセットレベルと信号
レベルと別々にA/D変換して、ディジタル領域で偏差
信号をとり、該偏差信号に対して、ディジタル低域通過
フィルタで高域のノイズを除去することを特徴とするデ
ィジタルCMOSイメージセンサ。 - 【請求項4】 請求項3記載のディジタルCMOSイメ
ージセンサにおいて、最後に、信号を間引いて、通常の
1/N倍の速度の画像に戻すことを特徴とするディジタ
ルCMOSイメージセンサ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001269011A JP3916901B2 (ja) | 2001-09-05 | 2001-09-05 | イメージセンシング方法及びそのためのディジタルcmosイメージセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001269011A JP3916901B2 (ja) | 2001-09-05 | 2001-09-05 | イメージセンシング方法及びそのためのディジタルcmosイメージセンサ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003078824A true JP2003078824A (ja) | 2003-03-14 |
JP3916901B2 JP3916901B2 (ja) | 2007-05-23 |
Family
ID=19094905
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---|---|---|---|
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---|---|
JP (1) | JP3916901B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006025189A (ja) * | 2004-07-08 | 2006-01-26 | Shoji Kawahito | ディジタルノイズキャンセル機能をもつイメージセンサ |
KR100842513B1 (ko) | 2005-11-18 | 2008-07-01 | 캐논 가부시끼가이샤 | 고체촬상장치 |
WO2008080321A1 (en) * | 2006-12-28 | 2008-07-10 | Byd Company Limited | Fixed pattern noise elimination circuit for cmos image sensor |
-
2001
- 2001-09-05 JP JP2001269011A patent/JP3916901B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2006025189A (ja) * | 2004-07-08 | 2006-01-26 | Shoji Kawahito | ディジタルノイズキャンセル機能をもつイメージセンサ |
KR100842513B1 (ko) | 2005-11-18 | 2008-07-01 | 캐논 가부시끼가이샤 | 고체촬상장치 |
WO2008080321A1 (en) * | 2006-12-28 | 2008-07-10 | Byd Company Limited | Fixed pattern noise elimination circuit for cmos image sensor |
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP3916901B2 (ja) | 2007-05-23 |
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