JP2003077903A5 - - Google Patents
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Claims (3)
- 真空処理室内に設置され、相対向し一方の電極が絶縁膜を有する試料を保持し得る試料台を兼ねる一対の平板電極と、
前記試料台を兼ねる一方の平板電極に設けられ、前記試料の裏面との間に伝熱ガスが供給される静電吸着膜と、
前記真空処理室のガス圧力を0.5〜4.0Paにするための手段と、
前記一対の平板電極の間隙を３０ｍｍないし100ｍｍとし、該一対の平板電極の他方の電極に設けられ、ＳｉまたはＣを含む材料からなる電極カバーと、
前記電極カバーに設けられた複数の細孔を有し、前記真空処理室にフッ素を含むエッチングガスを導入するガス導入手段と、
前記一方の電極に接続されたプラズマ中のイオンを加速するための電源と、
前記他方の電極に３０ＭＨｚないしは２００ＭＨｚの高周波電力を印加し前記導入されたガスをプラズマ化する高周波電源と、を備えた
ことを特徴とするプラズマ処理装置。 - 真空処理室内に設置され、相対向し一方の電極が絶縁膜を有する口径３００mm以上の試料を保持し得る試料台を兼ねる一対の平板電極と、
前記試料台を兼ねる一方の平板電極に設けられ、前記試料の裏面との間に伝熱ガスが供給される静電吸着膜と、
前記真空処理室のガス圧力を0.5〜4.0Paにするための手段と、
前記一対の平板電極の間隙を３０ｍｍないし６０ｍｍとし、該一対の平板電極の他方の電極に設けられ、ＳｉまたはＣを含む材料からなる電極カバーと、
前記電極カバーに設けられた複数の細孔を有し、前記真空処理室にフッ素を含むエッチングガスを導入するガス導入手段と、
前記一方の電極に接続されたプラズマ中のイオンを加速するための電源と、
前記他方の電極に３０ＭＨｚないしは２００ＭＨｚの高周波電力を印加し前記導入されたガスをプラズマ化する高周波電源と、を備えた
ことを特徴とするプラズマ処理装置。 - 真空処理室内に設置され、相対向し一方の電極が絶縁膜を有する口径３００mm以上の試料を保持し得る試料台を兼ねる一対の平板電極と、
前記試料台を兼ねる一方の平板電極に設けられ、前記試料の裏面との間に伝熱ガスが供給される静電吸着膜と、
前記真空処理室のガス圧力を0.5〜4.0Paにするための手段と、
前記一対の平板電極の間隙を３０ｍｍないし６０ｍｍとし、該一対の平板電極の他方の電極に設けられ、ＳｉまたはＣを含む材料からなる電極カバーと、
前記電極カバーに設けられた複数の細孔を有し、前記真空処理室にフッ素を含むエッチングガスを導入するガス導入手段と、
前記一方の電極に接続されたプラズマ中のイオンを加速するための電源と、
前記他方の電極に３０ＭＨｚないしは２００ＭＨｚの高周波電力を印加し前記導入されたガスをプラズマ化する高周波電源と、
前記試料の近傍に位置するＳｉまたはＣを含む材料からなるサセプタカバーを備えた、ことを特徴とするプラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002155499A JP4018935B2 (ja) | 1996-03-01 | 2002-05-29 | プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4439196 | 1996-03-01 | ||
| JP8-44391 | 1996-03-01 | ||
| JP9-7938 | 1997-01-20 | ||
| JP793897 | 1997-01-20 | ||
| JP2002155499A JP4018935B2 (ja) | 1996-03-01 | 2002-05-29 | プラズマ処理装置 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP04527597A Division JP3499104B2 (ja) | 1996-03-01 | 1997-02-28 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003077903A JP2003077903A (ja) | 2003-03-14 |
| JP2003077903A5 true JP2003077903A5 (ja) | 2004-12-16 |
| JP4018935B2 JP4018935B2 (ja) | 2007-12-05 |
Family
ID=27277807
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002155499A Expired - Lifetime JP4018935B2 (ja) | 1996-03-01 | 2002-05-29 | プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4018935B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008103760A (ja) * | 2007-12-27 | 2008-05-01 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置 |
| KR102064914B1 (ko) * | 2013-03-06 | 2020-01-10 | 삼성전자주식회사 | 식각 공정 장치 및 식각 공정 방법 |
| US10312048B2 (en) * | 2016-12-12 | 2019-06-04 | Applied Materials, Inc. | Creating ion energy distribution functions (IEDF) |
| CN110770880B (zh) * | 2018-05-28 | 2023-12-29 | 株式会社日立高新技术 | 等离子处理装置 |
-
2002
- 2002-05-29 JP JP2002155499A patent/JP4018935B2/ja not_active Expired - Lifetime
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