JP2003077884A - ケミカルドライエッチング方法 - Google Patents
ケミカルドライエッチング方法Info
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- JP2003077884A JP2003077884A JP2001263696A JP2001263696A JP2003077884A JP 2003077884 A JP2003077884 A JP 2003077884A JP 2001263696 A JP2001263696 A JP 2001263696A JP 2001263696 A JP2001263696 A JP 2001263696A JP 2003077884 A JP2003077884 A JP 2003077884A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ケミカルドライエッチングを用いてアンダー
カットを発生させずにエッチングする。またエッチング
損傷を発生させずに等方性エッチングで異方性エッチン
グと同様な加工を可能にする。 【解決手段】 基板表面に形成した被エッチング材の表
面にエッチングマスクパターンを形成し、エッチングす
るケミカルドライエッチング方法において、（ａ）被エ
ッチング材をそのエッチングレートが表面に向って次第
に小さくなるように形成し、（ｂ）この被エッチング材
の表面にエッチングマスクパターンを形成し、（ｃ）ケ
ミカルドライエッチングにより被エッチング材をエッチ
ングする。
カットを発生させずにエッチングする。またエッチング
損傷を発生させずに等方性エッチングで異方性エッチン
グと同様な加工を可能にする。 【解決手段】 基板表面に形成した被エッチング材の表
面にエッチングマスクパターンを形成し、エッチングす
るケミカルドライエッチング方法において、（ａ）被エ
ッチング材をそのエッチングレートが表面に向って次第
に小さくなるように形成し、（ｂ）この被エッチング材
の表面にエッチングマスクパターンを形成し、（ｃ）ケ
ミカルドライエッチングにより被エッチング材をエッチ
ングする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体製造工程
で用いるケミカルドライエッチング方法に関し、特に異
方性エッチングを可能にする方法に関するものである。
で用いるケミカルドライエッチング方法に関し、特に異
方性エッチングを可能にする方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体集積回路においては、集積度の向
上に伴い、回路線幅が益々微細化している。このためウ
ェット法に代わってドライエッチングが用いられるよう
になった。ドライエッチングは、気相中の反応種と固体
材料との物理的あるいは化学的な相互作用によりエッチ
ングする方法である。
上に伴い、回路線幅が益々微細化している。このためウ
ェット法に代わってドライエッチングが用いられるよう
になった。ドライエッチングは、気相中の反応種と固体
材料との物理的あるいは化学的な相互作用によりエッチ
ングする方法である。
【０００３】一方高精度の微細加工のためには、エッチ
ングが等方的に行われるのは好ましくない。等方的なエ
ッチングは被エッチング材料の膜厚に相当する横方向の
エッチング（アンダーカット）が避けられないからであ
る。
ングが等方的に行われるのは好ましくない。等方的なエ
ッチングは被エッチング材料の膜厚に相当する横方向の
エッチング（アンダーカット）が避けられないからであ
る。
【０００４】しかしこのドライエッチング法によれば、
化学的反応ばかりでなく、イオン等の荷電粒子が電界に
より一方向に加速されて基板材料に入射する、いわゆる
物理的作用を利用することができるため、異方性（ある
いは方向性）エッチングが可能になる（イオンエッチン
グ）。
化学的反応ばかりでなく、イオン等の荷電粒子が電界に
より一方向に加速されて基板材料に入射する、いわゆる
物理的作用を利用することができるため、異方性（ある
いは方向性）エッチングが可能になる（イオンエッチン
グ）。
【０００５】このようにイオンを使って異方性エッチン
グを可能とするイオンエッチング（スパッタエッチン
グ、イオンビームエッチング）は、通常Ａｒ（アルゴ
ン）やＨｅ（ヘリウム）等の不活性ガスをイオン化し
て、数百ｅＶから数ＫｅＶのエネルギーで被エッチング
材料に衝突させるものであり、この方法はイオンによっ
て、物理的に削り取るスパッタリング現象を利用したエ
ッチング法と言うことができる。
グを可能とするイオンエッチング（スパッタエッチン
グ、イオンビームエッチング）は、通常Ａｒ（アルゴ
ン）やＨｅ（ヘリウム）等の不活性ガスをイオン化し
て、数百ｅＶから数ＫｅＶのエネルギーで被エッチング
材料に衝突させるものであり、この方法はイオンによっ
て、物理的に削り取るスパッタリング現象を利用したエ
ッチング法と言うことができる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしこのイオンエッ
チングには、種々の問題がある。例えば材料に損傷を与
えるという問題がある。図４、５はこのイオンエッチン
グによる損傷を説明する図である。図４はイオンエッチ
ング前の状態を、図５はエッチング後の状態を示す。
チングには、種々の問題がある。例えば材料に損傷を与
えるという問題がある。図４、５はこのイオンエッチン
グによる損傷を説明する図である。図４はイオンエッチ
ング前の状態を、図５はエッチング後の状態を示す。
【０００７】図４で符号１００はシリコン基板であり、
その表面にはシリコン酸化膜（ＳｉＯ2）１０２の薄膜
が形成されている。このＳｉＯ2膜１０２は絶縁膜とな
る。なおこの実施態様は例えばＭＯＳ型電界効果トラン
ジスタ（ＭＯＳ−ＦＥＴ）であり、基板１００にはキャ
リヤ電子が通るチャネルが形成され、このチャネルを絶
縁膜１０２が覆う。
その表面にはシリコン酸化膜（ＳｉＯ2）１０２の薄膜
が形成されている。このＳｉＯ2膜１０２は絶縁膜とな
る。なおこの実施態様は例えばＭＯＳ型電界効果トラン
ジスタ（ＭＯＳ−ＦＥＴ）であり、基板１００にはキャ
リヤ電子が通るチャネルが形成され、このチャネルを絶
縁膜１０２が覆う。
【０００８】絶縁膜１０２の上にはポリシリコン（多結
晶シリコン）１０４が、例えばＣＶＤ（Chemical Vapor
Deposition）法によって形成される。このＣＶＤ法は
１種以上の反応ガスにより絶縁膜１０２の表面またはそ
の付近で不均一化学反応を起こさせることにより、多結
晶シリコンを形成するものである。１０６はエッチング
マスクパターンであり、リソグラフィなどの手法によっ
てポリシリコン１０４の表面に形成される。このエッチ
ングマスクパターン１０６はエッチングレジストとなる
ものである。
晶シリコン）１０４が、例えばＣＶＤ（Chemical Vapor
Deposition）法によって形成される。このＣＶＤ法は
１種以上の反応ガスにより絶縁膜１０２の表面またはそ
の付近で不均一化学反応を起こさせることにより、多結
晶シリコンを形成するものである。１０６はエッチング
マスクパターンであり、リソグラフィなどの手法によっ
てポリシリコン１０４の表面に形成される。このエッチ
ングマスクパターン１０６はエッチングレジストとなる
ものである。
【０００９】イオンエッチングによれば、ＡｒやＨｅな
どのイオン化した荷電粒子１０８が電界により加速され
て表面に衝突する。このためにエッチングマスクパター
ン１０６を残してその周囲のポリシリコン１０４が削り
取られる。この結果ポリシリコン１０４は、マスクパタ
ーン１０６で覆われた部分１０４Ａを除いて除去されて
図５の状態になる。この残った部分１０４Ａはゲート電
極となる。しかしこの方法では、荷電粒子１０８がＳｉ
Ｏ2膜１０２の表面に損傷を与えたり、その周囲のＳｉ
Ｏ2膜１０２がない部分（通常ＭＯＳ−ＦＥＴではドレ
イン、ソースとなる）ではＳｉ基板１００の表面に損傷
を与える。
どのイオン化した荷電粒子１０８が電界により加速され
て表面に衝突する。このためにエッチングマスクパター
ン１０６を残してその周囲のポリシリコン１０４が削り
取られる。この結果ポリシリコン１０４は、マスクパタ
ーン１０６で覆われた部分１０４Ａを除いて除去されて
図５の状態になる。この残った部分１０４Ａはゲート電
極となる。しかしこの方法では、荷電粒子１０８がＳｉ
Ｏ2膜１０２の表面に損傷を与えたり、その周囲のＳｉ
Ｏ2膜１０２がない部分（通常ＭＯＳ−ＦＥＴではドレ
イン、ソースとなる）ではＳｉ基板１００の表面に損傷
を与える。
【００１０】またイオンエッチングによる損傷としては
次のようなことが問題となっている。ＭＯＳ構造デバイ
スへの影響としては、ゲート絶縁膜（ＳｉＯ2）中への
固定電荷の発生、多結晶シリコン（ポリシリコン、ゲー
ト電極となる）のゲートの加工時に荷電粒子のチャージ
アップによるゲート絶縁膜の絶縁破壊現象等が考えられ
ている。これらの現象はゲート絶縁膜の耐圧劣化を招く
点で問題になる。
次のようなことが問題となっている。ＭＯＳ構造デバイ
スへの影響としては、ゲート絶縁膜（ＳｉＯ2）中への
固定電荷の発生、多結晶シリコン（ポリシリコン、ゲー
ト電極となる）のゲートの加工時に荷電粒子のチャージ
アップによるゲート絶縁膜の絶縁破壊現象等が考えられ
ている。これらの現象はゲート絶縁膜の耐圧劣化を招く
点で問題になる。
【００１１】またイオンエッチングでは、イオンを基板
に対して斜めに入射させることによってエッチング速度
を大きくすることができるが、この場合にはマスクパタ
ーンの肩にテーパを持つファセット（小面）が発生す
る。またパターン側面で反射されたイオンによりパター
ン周辺に溝（トレンチング）が発生したり、エッチング
（スパッタ）された基板材料がパターン側壁に再付着し
たりする問題がある。さらにイオンエッチング装置は複
雑で取扱いが面倒であり、高価にもなるという問題もあ
る。
に対して斜めに入射させることによってエッチング速度
を大きくすることができるが、この場合にはマスクパタ
ーンの肩にテーパを持つファセット（小面）が発生す
る。またパターン側面で反射されたイオンによりパター
ン周辺に溝（トレンチング）が発生したり、エッチング
（スパッタ）された基板材料がパターン側壁に再付着し
たりする問題がある。さらにイオンエッチング装置は複
雑で取扱いが面倒であり、高価にもなるという問題もあ
る。
【００１２】この発明はこのような事情に鑑みなされた
ものであり、イオンエッチングにあった前記の問題を解
決することができるエッチング方法を提供することを目
的とする。
ものであり、イオンエッチングにあった前記の問題を解
決することができるエッチング方法を提供することを目
的とする。
【００１３】
【発明の構成】この発明はこの目的を達成するため、ケ
ミカルドライエッチングを使って異方性エッチングを可
能にするものである。すなわち、基板表面に形成した被
エッチング材の表面にエッチングマスクパターンを形成
し、エッチングするケミカルドライエッチング方法にお
いて、（ａ）被エッチング材をそのエッチングレートが
表面に向って次第に小さくなるように形成し、（ｂ）こ
の被エッチング材の表面にエッチングマスクパターンを
形成し、（ｃ）ケミカルドライエッチングにより被エッ
チング材をエッチングする、ことを特徴とするケミカル
ドライエッチング方法により達成するものである。
ミカルドライエッチングを使って異方性エッチングを可
能にするものである。すなわち、基板表面に形成した被
エッチング材の表面にエッチングマスクパターンを形成
し、エッチングするケミカルドライエッチング方法にお
いて、（ａ）被エッチング材をそのエッチングレートが
表面に向って次第に小さくなるように形成し、（ｂ）こ
の被エッチング材の表面にエッチングマスクパターンを
形成し、（ｃ）ケミカルドライエッチングにより被エッ
チング材をエッチングする、ことを特徴とするケミカル
ドライエッチング方法により達成するものである。
【００１４】工程（ａ）では、被エッチング材の薄膜
と、エッチングレート調整材の層とを交互にＣＶＤ（Ch
emical Vapor Deposition）法により積層することによ
って、被エッチング材のエッチングレートがその表面に
向って次第に小さくなるように形成することができる。
この場合、被エッチング材の薄膜とエッチング調整材の
層との厚さの比率を厚さ方向に順次変化させることがで
きる。被エッチング材の薄膜とエッチング調整材の層の
少くとも一方の成分を厚さ方向に変化させることによっ
てエッチングレートを厚さ方向に変化させることもでき
る。
と、エッチングレート調整材の層とを交互にＣＶＤ（Ch
emical Vapor Deposition）法により積層することによ
って、被エッチング材のエッチングレートがその表面に
向って次第に小さくなるように形成することができる。
この場合、被エッチング材の薄膜とエッチング調整材の
層との厚さの比率を厚さ方向に順次変化させることがで
きる。被エッチング材の薄膜とエッチング調整材の層の
少くとも一方の成分を厚さ方向に変化させることによっ
てエッチングレートを厚さ方向に変化させることもでき
る。
【００１５】また工程（ａ）では、ＣＶＤ法で厚さ方向
に均一に形成した被エッチング材に、その表面からエッ
チング調整材をイオン注入することによって厚さ方向の
エッチングレートに変化を持たせることもできる。
に均一に形成した被エッチング材に、その表面からエッ
チング調整材をイオン注入することによって厚さ方向の
エッチングレートに変化を持たせることもできる。
【００１６】基板をシリコン基板とし、被エッチング材
を多結晶シリコンとし、エッチング調整材をＡｓ（ヒ
素）を含む材料とすれば、ＭＯＳ電界効果トランジスタ
の製造に適する。この場合シリコン基板のキャリヤが流
れるチャネル部分の表面に薄い絶縁膜（通常は酸化膜、
ＳｉＯ2）を間に挟んで被エッチング材となる多結晶シ
リコン（ポリシリコン）のゲート電極を形成するが、こ
の発明はこのゲート電極の形成に適した方法となる。
を多結晶シリコンとし、エッチング調整材をＡｓ（ヒ
素）を含む材料とすれば、ＭＯＳ電界効果トランジスタ
の製造に適する。この場合シリコン基板のキャリヤが流
れるチャネル部分の表面に薄い絶縁膜（通常は酸化膜、
ＳｉＯ2）を間に挟んで被エッチング材となる多結晶シ
リコン（ポリシリコン）のゲート電極を形成するが、こ
の発明はこのゲート電極の形成に適した方法となる。
【００１７】
【実施態様】図１は本発明の一実施態様に用いる放電分
離型ケミカルドライエッチング装置の概要を示す図であ
る。図中符号１は真空容器を示し、この真空容器１のエ
ッチング室２内には、被処理物３を載置する載置台４が
設けられている。この載置台４は温度調節機構を有して
おり、被処理物３の温度を制御できるようになってい
る。
離型ケミカルドライエッチング装置の概要を示す図であ
る。図中符号１は真空容器を示し、この真空容器１のエ
ッチング室２内には、被処理物３を載置する載置台４が
設けられている。この載置台４は温度調節機構を有して
おり、被処理物３の温度を制御できるようになってい
る。
【００１８】前記真空容器１の天壁には、ガス導入管５
が接続されており、その先には、放電管６が接続されて
いて、ガス導入口７からガスが導入される。前記放電管
６には、マイクロ波導波管８が接続されている。ガス導
入口７からガスが導入され、マイクロ波導波管８よりマ
イクロ波（図示せず）が印可されて放電管６内にプラズ
マが発生する。このプラズマによってガスが活性化され
たのち、被処理物３がセットされているエッチング室２
に導入され、被処理物３がエッチングされる。被処理物
３と反応した反応ガスは排気口９よりエッチング室２の
外に排気される。
が接続されており、その先には、放電管６が接続されて
いて、ガス導入口７からガスが導入される。前記放電管
６には、マイクロ波導波管８が接続されている。ガス導
入口７からガスが導入され、マイクロ波導波管８よりマ
イクロ波（図示せず）が印可されて放電管６内にプラズ
マが発生する。このプラズマによってガスが活性化され
たのち、被処理物３がセットされているエッチング室２
に導入され、被処理物３がエッチングされる。被処理物
３と反応した反応ガスは排気口９よりエッチング室２の
外に排気される。
【００１９】図２、３はこの装置を用いた本発明の方法
を示す図であり、図２はドライエッチング前を図３はド
ライエッチング後の状態を示す。図２、３では前記図
４、５と同一部分に同一符号を付したのでその説明は繰
り返さない。
を示す図であり、図２はドライエッチング前を図３はド
ライエッチング後の状態を示す。図２、３では前記図
４、５と同一部分に同一符号を付したのでその説明は繰
り返さない。
【００２０】図４、５と異なるのは、ポリシリコン１０
４ａのエッチングレートを厚さ方向に変化させた点であ
る。すなわちポリシリコン１０４ａはＣＶＤ法によって
ＳｉＯ2膜１０２の上に形成されるが、その際に反応ガ
スの成分や基板１００の温度などの反応条件を制御する
ことによって、エッチングレートが表面（上方）に向っ
て次第に小さくなるようにした。ここにエッチングレー
トは、エッチングされ易さを示す指標であり、大きい時
にエッチング速度が大きくなる。
４ａのエッチングレートを厚さ方向に変化させた点であ
る。すなわちポリシリコン１０４ａはＣＶＤ法によって
ＳｉＯ2膜１０２の上に形成されるが、その際に反応ガ
スの成分や基板１００の温度などの反応条件を制御する
ことによって、エッチングレートが表面（上方）に向っ
て次第に小さくなるようにした。ここにエッチングレー
トは、エッチングされ易さを示す指標であり、大きい時
にエッチング速度が大きくなる。
【００２１】例えば、ポリシリコン１０４ａは、その形
成過程で反応ガスのＡｓ濃度を次第に少なくするように
変化させることにより、このような厚さ方向のエッチン
グレートに変化を持たせることができる。このようにし
てポリシリコン１０４ａを形成した後、エッチングマス
クパターン１０６を形成する。
成過程で反応ガスのＡｓ濃度を次第に少なくするように
変化させることにより、このような厚さ方向のエッチン
グレートに変化を持たせることができる。このようにし
てポリシリコン１０４ａを形成した後、エッチングマス
クパターン１０６を形成する。
【００２２】次にこれを図１に示す装置を用いてケミカ
ルドライエッチングする。このエッチングにおいては例
えば、ＮＦ3、ＣＦ4、ＳＦ6などの反応ガスを用いて行
う。このエッチングは等方性に行われるが、ポリシリコ
ン１０４ａはエッチングレートが上層で小さく下層で大
きいので上層から順にエッチングが進行する際に横方向
のエッチング量が深さ方向に揃うことになり、アンダー
カットが発生することなくエッチングを行うことができ
る。図３はこの状態を示している。
ルドライエッチングする。このエッチングにおいては例
えば、ＮＦ3、ＣＦ4、ＳＦ6などの反応ガスを用いて行
う。このエッチングは等方性に行われるが、ポリシリコ
ン１０４ａはエッチングレートが上層で小さく下層で大
きいので上層から順にエッチングが進行する際に横方向
のエッチング量が深さ方向に揃うことになり、アンダー
カットが発生することなくエッチングを行うことができ
る。図３はこの状態を示している。
【００２３】その後レジストとなるマスクパターン１０
６を除去（レジストアッシング）すれば、ポリシリコン
１０４ａが現れ、ここがゲート電極１０４ａＡとなる。
６を除去（レジストアッシング）すれば、ポリシリコン
１０４ａが現れ、ここがゲート電極１０４ａＡとなる。
【００２４】以上の実施態様では、被エッチング材とな
るポリシリコン１０４ａをＣＶＤ法によって形成した
が、この発明では他の方法によって厚さ方向にエッチン
グレートが異なる構造にすることもできる。例えば均一
なポリシリコンをＣＶＤ法で形成した後、ポリシリコン
の表面からエッチング調整材をイオン注入法によって注
入（ドープ）することもできる。
るポリシリコン１０４ａをＣＶＤ法によって形成した
が、この発明では他の方法によって厚さ方向にエッチン
グレートが異なる構造にすることもできる。例えば均一
なポリシリコンをＣＶＤ法で形成した後、ポリシリコン
の表面からエッチング調整材をイオン注入法によって注
入（ドープ）することもできる。
【００２５】
【発明の効果】請求項１の発明は以上のように、被エッ
チング材にその厚さ方向にエッチングレートが表面に向
って次第に小さくなるように変化を持たせて形成してお
くから、等方性エッチングであるケミカルドライエッチ
ングを用いてもアンダーカットを発生することなくエッ
チングすることが可能になる。
チング材にその厚さ方向にエッチングレートが表面に向
って次第に小さくなるように変化を持たせて形成してお
くから、等方性エッチングであるケミカルドライエッチ
ングを用いてもアンダーカットを発生することなくエッ
チングすることが可能になる。
【００２６】このためイオンエッチングなどのエッチン
グ損傷等の問題を有する異方性エッチングを用いること
なく、等方性エッチングによって異方性エッチングと同
様なエッチング加工結果を得ることができる。従ってエ
ッチング損傷を発生させることがなく、イオンエッチン
グのような問題が無く、装置も簡単にすることができ
る。
グ損傷等の問題を有する異方性エッチングを用いること
なく、等方性エッチングによって異方性エッチングと同
様なエッチング加工結果を得ることができる。従ってエ
ッチング損傷を発生させることがなく、イオンエッチン
グのような問題が無く、装置も簡単にすることができ
る。
【００２７】被エッチング材は、その薄膜とエッチング
レート調整材の層とを交互にＣＶＤ法により積層するこ
とにより形成できる（請求項２）。この場合各層の厚さ
や各層の成分を変えればよい（請求項５）。被エッチン
グ材は、イオン注入法により形成することもできる（請
求項３）。基板をシリコン、被エッチング材をポリシリ
コンとした場合には、エッチングレート調整材はＡｓを
含む材料とすることができ、このようなものはＭＯＳ−
ＦＥＴの製造に適するものとなる（請求項４）。
レート調整材の層とを交互にＣＶＤ法により積層するこ
とにより形成できる（請求項２）。この場合各層の厚さ
や各層の成分を変えればよい（請求項５）。被エッチン
グ材は、イオン注入法により形成することもできる（請
求項３）。基板をシリコン、被エッチング材をポリシリ
コンとした場合には、エッチングレート調整材はＡｓを
含む材料とすることができ、このようなものはＭＯＳ−
ＦＥＴの製造に適するものとなる（請求項４）。
【図１】本発明の一実施態様に用いるケミカルドライエ
ッチング装置を示す図
ッチング装置を示す図
【図２】本発明によるエッチング前の状態を示す図
【図３】本発明によるエッチング後の状態を示す図
【図４】従来方法によるエッチング前の状態を示す
【図５】従来方法によるエッチング後の状態を示す
１００ シリコン基板
１０２ 絶縁膜（ＳｉＯ2）
１０４、１０４ａ 被エッチング材
１０４Ａ、１０４ａＡ ゲート電極
１０６ エッチングマスクパターン（エッチングレジス
ト）
ト）
Claims (5)
- 【請求項１】 基板表面に形成した被エッチング材の表
面にエッチングマスクパターンを形成し、エッチングす
るケミカルドライエッチング方法において、 （ａ）被エッチング材をそのエッチングレートが表面に
向って次第に小さくなるように形成し、 （ｂ）この被エッチング材の表面にエッチングマスクパ
ターンを形成し、 （ｃ）ケミカルドライエッチングにより被エッチング材
をエッチングする、ことを特徴とするケミカルドライエ
ッチング方法。 - 【請求項２】 工程（ａ）では、被エッチング材の薄膜
とエッチングレート調整材の層とを交互にＣＶＤ法によ
り積層することによって被エッチング材を形成する請求
項１のケミカルドライエッチング方法。 - 【請求項３】 工程（ａ）では、ＣＶＤ法で形成した被
エッチング材の表面にエッチングレート調整材をイオン
注入することによって厚さ方向のエッチングレートに変
化を与えた請求項１のケミカルドライエッチング方法。 - 【請求項４】 基板はシリコン基板であり、被エッチン
グ材は多結晶シリコンであり、エッチングレート調整材
はＡｓを含む材料である請求項１〜３のいずれかのケミ
カルドライエッチング方法。 - 【請求項５】 被エッチング材の薄膜とエッチングレー
ト調整材の層との厚さの比率を厚さ方向に順に変化させ
ることによってエッチングレートが表面に向って次第に
小さくなるようにした請求項２または４のケミカルドラ
イエッチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001263696A JP2003077884A (ja) | 2001-08-31 | 2001-08-31 | ケミカルドライエッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001263696A JP2003077884A (ja) | 2001-08-31 | 2001-08-31 | ケミカルドライエッチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003077884A true JP2003077884A (ja) | 2003-03-14 |
Family
ID=19090409
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001263696A Pending JP2003077884A (ja) | 2001-08-31 | 2001-08-31 | ケミカルドライエッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003077884A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006010357A (ja) * | 2004-06-22 | 2006-01-12 | Keio Gijuku | マイクロダイヤモンド電極製造方法 |
-
2001
- 2001-08-31 JP JP2001263696A patent/JP2003077884A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006010357A (ja) * | 2004-06-22 | 2006-01-12 | Keio Gijuku | マイクロダイヤモンド電極製造方法 |
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