JP2003076741A - プリント回路基板設計支援装置、方法およびプログラム - Google Patents

プリント回路基板設計支援装置、方法およびプログラム

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JP2003076741A JP2002146242A JP2002146242A JP2003076741A JP 2003076741 A JP2003076741 A JP 2003076741A JP 2002146242 A JP2002146242 A JP 2002146242A JP 2002146242 A JP2002146242 A JP 2002146242A JP 2003076741 A JP2003076741 A JP 2003076741A
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章 涌井
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誠至 恵谷
Takashi Harada
高志 原田
Toshihide Kuriyama
敏秀 栗山
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 電磁界シミュレーションを行わずに、プリン
ト回路基板の配線に起因して生ずる電磁放射の放射量を
容易に計算でき、基板全体からの電磁放射の放射量を容
易かつ正確に把握できるようにする。 【解決手段】 DM放射量算出手段16で配線から生ず
る電磁放射のディファレンシャルモード(DM)放射量
を算出し、このDM放射量とCM放射量比算出手段17
で算出されたCM放射量比(CM/DM)とに基づき、
当該配線に対応してグランドプレーンから生ずるコモン
モード(CM)放射量をCM放射量算出手段19で算出
する。また、DM放射量とMAJ放射量比算出手段18
で算出されたMAJ放射量比(MAJ/DM)とに基づ
き、当該配線に起因して生ずる電磁放射全体の主な放射
量を示す主(MAJ)放射量をMAJ放射量算出手段2
0で算出する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、プリント回路基板
設計支援装置、方法およびプログラムに関し、特にプリ
ント回路基板、部品および配線に関するプリント回路基
板の設計情報を基にしてそのプリント回路基板の配線か
らの電磁放射の放射量を計算することにより、不要電磁
放射を抑えたプリント回路基板の設計を支援するプリン
ト回路基板の設計支援装置、方法およびプログラムに関
するものである。
【0002】
【従来の技術】電子機器から放射される不要な電磁波が
公共の放送や通信に障害を与えないために、電子機器お
よび電子機器に搭載したプリント回路基板からの不要な
電磁放射を抑えることが必要となっている。しかし、こ
の電磁放射を抑えることはその原因を突き止めることが
難しいことから容易ではない。また、この電磁放射を抑
えるために、機器のケーブルの根元にフェライトコアを
取り付ける場合や、プリント回路基板の高速信号配線に
フェライトビーズやダンピング抵抗、各種フィルタなど
を挿入する場合があり、製品のコストアップの原因とな
っている。さらに、上記対策でも不十分な場合には、基
板を再設計や再製作することもあり、出荷遅れの原因に
もなっている。
【0003】コストアップや出荷遅れなしに電磁放射を
抑えるには、プリント回路基板の設計段階で電磁放射を
抑えるための設計手法を盛り込むことが望ましい。設計
および開発の上流であるほど、修正にかかるコストが低
く抑えられるためである。
【0004】このような背景から、従来、不要な電磁放
射を抑えたプリント回路基板の設計を支援するための装
置や設計支援方法、設計を支援するためのプログラムを
記憶した記憶媒体などが提案されている。例えば、特開
平5−67176号公報に記載された「プリント基板C
AD装置」、特開平10−49568号公報に記載され
た「回路基板設計方法および記憶媒体」、特開2001
−134626号公報に記載された「設計支援装置」な
どがそれに相当する。
【0005】図22に、特開平5−67176号公報に
記載された「プリント基板CAD装置」の実施形態にお
ける概念図を示す。この発明では、基板面をメッシュに
分割し、分割したメッシュ要素毎に含まれる信号路の電
流値を計算する。この電流値もしくはこの電流値を基に
してさらに計算したメッシュ要素毎の放射ノイズの予測
量、の高低に応じてメッシュの視覚属性を決定してい
る。この発明により、プリント回路基板の設計者は、升
目に示された電流値および放射ノイズの予想量の高低に
よって直感的に放射ノイズ量の高低を理解することがで
きる。また、設計者は表示レベルが局所的に高くならな
いように配線していけば、基板上のノイズ量は自ずと分
散させることができる。
【0006】図23に、特開平10−49568号公報
に記載された「回路基板設計方法および記憶媒体」のフ
ローチャートを示す。この発明では、S22〜S24
で、仮想断面記述テーブルから読み出した仮想断面にて
各信号線を仮想配線し、その不要輻射量Xを算出する。
さらに、S27で不要輻射量Xが許容値Aを越えていた
信号配線に対して、仮想断面の改善を実施した改善解N
1と、対策部品を挿入した改善N2を算出する。S28
において、両改善解N1・N2は、層構成記述テーブル
より読み出した各層構造へ割り付けられる。さらに、S
29およびS30では、改善解N1・N2と各層構造と
の組み合わせの中から実施可能解Pを抽出し、その中か
ら、製造コストと不要輻射量とに基づいて、最適解Qを
選択する。S31では、最適解Qにより決定される層構
造へ各信号線を自動配線する。この発明により、基板設
計の早い段階での放射ノイズの評価およびノイズ対策が
行なえる。
【0007】図24に、特開2001−134626号
公報に記載された「設計支援装置」の全体構成図を示
す。この発明では、基板、部品およびネットに関する設
計情報を格納する手段(設計データ格納手段107)
と、配置対象となる部品を選択する手段(配置対象部品
選択手段110)と、配置対象部品に接続する高速ネッ
トを設計データ格納手段から検索する手段(高速ネット
検索手段111)と、高速ネット検索手段で検索した高
速ネットを仮想的に配線する経路を決定する手段(仮想
配線経路決定手段940)と、仮想配線経路に配線され
た高速ネットの放射ノイズを算出する手段(放射ノイズ
算出手段950)と、放射ノイズを表示する情報を生成
する手段(放射ノイズ表示情報生成手段115)とを備
えることを特徴とする。この発明により、部品配置時に
放射ノイズシミュレーションを行い、配置対象となる部
品(配置対象部品)と接続する高速ネットに対する放射
ノイズ量を設計者に様々な表示パターンで表示すること
ができるため、配置対象部品の適切な配置位置がわか
り、放射ノイズ特性のよい配線設計が可能となる。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】このような従来の手法
では、プリント回路基板からの電磁放射として、信号配
線からの電磁放射(ディファレンシャルモード放射、差
動モード放射もしくはノーマルモード放射と呼ばれる電
磁放射)のみを扱っている。ディファレンシャルモード
放射とは、信号配線が作る閉回路がループアンテナと同
じように働き、放射するものである。例えば、一般的な
例として、送信側ICと受信側ICが配線パターンとグ
ランドプレーンとで構成されるマイクロストリップ線路
でつながっている場合には、この配線パターンを流れる
電流とグランドプレーンを中心とした配線パターンの鏡
像電流とが閉ループの電流として流れ、これがループア
ンテナと同じような放射を起こすものである。例えば、
IEICETRAN. COMMUN.,VOL.E78-B, NO.2 FEBRUARY 1995
”Prediction of Peak Frequencies on Electromagnet
ic Emission from a Signal Line on a Printed Circui
tBoard”にその詳細が述べられている。
【0009】プリント回路基板からの電磁放射は、この
信号配線からの放射以外に、信号配線に対向するグラン
ドプレーンからの放射(コモンモード放射、共通モード
放射、もしくはAsymmetrical mode Radiationと呼ばれ
る電磁放射)があり、基板によっては、このコモンモー
ド放射の方が支配的になることが報告されている。例え
ば、文献1(R. Dockey, ”Asymmetrical Mode Radiati
on from Multi-layerPrinted Circuit Boards” EMC/ES
D International Symposium, 1992, pp.247-251.)で
は、信号配線を流れる電流によってグランドプレーンは
ダイポールアンテナと同じように働き、グランドプレー
ン全体が共振を起こし、強い電磁放射を引き起こすこ
と、この放射量はグランドプレーンの幅によって変わる
ことが報告されている。
【0010】また、文献2(B. Archambeault, ”Model
ing of EMI Emissions from Microstrip Structures wi
th Imperfect Reference Planes” IEEE International
Symposium on Electromagnetic Compatibility, Austi
n, 1997, pp. 456-461.)では、信号配線をグランドプ
レーンの端部に寄せるほど、プリント回路基板からの電
磁放射量が増えることが報告されている。これらの報告
から、電磁放射を抑えたプリント回路基板を設計するに
は、信号配線からのディファレンシャルモード放射を考
えるとともに、放射量がグランドプレーンの大きさや信
号配線の位置によって大きく変わる、グランドプレーン
からのコモンモード放射についても考慮すべきことがわ
かる。
【0011】したがって、信号配線からの電磁放射の放
射量を計算する際、従来の手法で得られるディファレン
シャルモード放射の放射量に加えて、コモンモード放射
の放射量を計算するには、上記文献2のように電磁界シ
ミュレーションを用いる方法が考えられる。しかしなが
ら、このような電磁界シミュレータで多数の信号配線を
持つ大規模なプリント回路基板の放射量を計算する場
合、大きなメモリーを用意しなければならず、かつ、計
算時間も非常にかかるため、基板設計と並行に電磁界シ
ミュレーションを行うことは現状非常に難しい。本発明
はこのような課題を解決するためのものであり、電磁界
シミュレーションを行わずに、プリント回路基板の配線
に起因して生ずる電磁放射の放射量を容易に計算でき、
各配線の電磁放射の放射量を容易かつ正確に把握できる
プリント回路基板設計支援装置、方法およびプログラム
を提供することを目的とする。
【0012】
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るために、本発明にかかるプリント回路基板設計支援装
置は、グランドプレーンを有するプリント回路基板、こ
のプリント回路基板に形成された配線、およびこのプリ
ント回路基板に実装される部品のそれぞれに関する設計
情報を基にして、配線に起因して生ずる電磁放射の放射
量を算出することによりプリント回路基板の設計を支援
するプリント回路基板設計支援装置であって、配線に対
応してグランドプレーンから生ずる電磁放射のコモンモ
ード(CM)放射量と配線から生ずる電磁放射のディフ
ァレンシャルモード(DM)放射量との比を示すCM放
射量比に基づき、配線のコモンモード(CM)放射量を
算出する演算手段とを備えるものである。
【0013】この際、演算手段で、配線に起因して生ず
る電磁放射の主な放射量を示す主(MAJ)放射量とし
て、配線のディファレンシャルモード(DM)放射量と
コモンモード(CM)放射量との和に相当する放射量を
算出するようにしてもよく、例えば演算手段で、配線の
主(MAJ)放射量とディファレンシャルモード(D
M)放射量との比を示すMAJ放射量比に基づき、配線
の主(MAJ)放射量を算出するようにしてもよい。各
配線からの放射量を評価する場合、演算手段により算出
された配線の主(MAJ)放射量と配線の放射量の所望
限度を示す限度値とを比較し、その比較結果を出力する
比較手段をさらに備えてもよい。
【0014】配線のコモンモード(CM)放射量を算出
する具体的構成として、演算手段に、設計情報に基づき
配線のディファレンシャルモード(DM)放射量を算出
するDM放射量算出手段と、予め得られた、プリント回
路基板の大きさおよび当該プリント回路基板上での配線
の位置とCM放射量比との関係に基づき、プリント回路
基板の大きさと当該プリント回路基板上での配線の位置
に応じたCM放射量比を算出するCM放射量比算出手段
と、このCM放射量比算出手段で算出されたCM放射量
比とDM放射量算出手段で算出されたディファレンシャ
ルモード(DM)放射量とに基づき、配線のコモンモー
ド(CM)放射量を算出するCM放射量算出手段とを設
けてもよい。
【0015】配線の主(MAJ)放射量を算出する具体
的構成として、演算手段に、設計情報に基づき配線のデ
ィファレンシャルモード(DM)放射量を算出するDM
放射量算出手段と、予め得られた、プリント回路基板の
大きさおよび当該プリント回路基板上での配線の位置と
CM放射量比との関係に基づき、プリント回路基板の大
きさと当該プリント回路基板上での配線の位置に応じた
CM放射量比を算出するCM放射量比算出手段と、この
CM放射量比算出手段で算出されたCM放射量比に基づ
き、配線の主(MAJ)放射量とディファレンシャルモ
ード(DM)放射量との比を示すMAJ放射量比を算出
するMAJ放射量比算出手段と、このMAJ放射量比算
出手段で算出されたMAJ放射量比とDM放射量算出手
段で算出されたディファレンシャルモード(DM)放射
量とに基づき、配線の主(MAJ)放射量を算出するM
AJ放射量算出手段とを設けてもよい。
【0016】この際、配線のコモンモード(CM)放射
量を算出するため、演算手段に、CM放射量比算出手段
で算出されたCM放射量比とDM放射量算出手段で算出
されたディファレンシャルモード(DM)放射量とに基
づき、配線のコモンモード(CM)放射量を算出するC
M放射量算出手段とをさらに設けてもよい。
【0017】配線の主(MAJ)放射量を算出する具体
的構成として、演算手段に、設計情報に基づき配線のデ
ィファレンシャルモード(DM)放射量を算出するDM
放射量算出手段と、配線と対向するグランドプレーン
の、当該配線と平行な方向の幅をa、当該配線と直交す
る方向の幅をb、グランドプレーン端から当該配線まで
の距離をdとした場合、配線のコモンモード(CM)放
射量とディファレンシャルモード(DM)放射量との比
を示すCM放射量比CM/DM(a,b,d)を
【数9】 により算出するCM放射量比算出手段と、このCM放射
量比算出手段で算出されたCM放射量比CM/DM
(a,b,d)に基づき、配線の主(MAJ)放射量と
ディファレンシャルモード(DM)放射量との比を示す
MAJ放射量比MAJ/DM(a,b,d)を次式
【数10】 により算出するMAJ放射量比算出手段と、CM放射量
比算出手段で算出されたCM放射量比とDM放射量算出
手段で算出されたディファレンシャルモード(DM)放
射量とに基づき、配線のコモンモード(CM)放射量を
算出するCM放射量算出手段と、MAJ放射量比算出手
段で算出されたMAJ放射量比とDM放射量算出手段で
算出されたディファレンシャルモード(DM)放射量と
に基づき、配線の主(MAJ)放射量を算出するMAJ
放射量算出手段とを設けてもよい。
【0018】この際、配線を構成する配線要素に着目し
て各放射量を算出する場合、DM放射量算出手段は、直
交する2方向に沿って配線を分割して得られた複数の配
線要素ごとに、当該配線要素の長さをLとしてディファ
レンシャルモード(DM)放射量EDM(L)を算出する
とともに、これらを合算して配線全体のディファレンシ
ャルモード(DM)放射量を算出し、CM放射量比算出
手段は、各配線要素ごとにCM放射量比CM/DM
(a,b,d)を算出し、MAJ放射量比算出手段は、
各配線要素ごとにMAJ放射量比MAJ/DM(a,
b,d)を算出し、CM放射量算出手段は、各配線要素
のディファレンシャルモード(DM)放射量E DM(L)
とCM放射量比CM/DM(a,b,d)とに基づき、
配線全体のコモンモード(CM)放射量を次式
【数11】 により算出し、MAJ放射量算出手段は、各配線要素の
ディファレンシャルモード(DM)放射量EDM(L)と
MAJ放射量比MAJ/DM(a,b,d)とに基づ
き、配線全体の主(MAJ)放射量を次式
【数12】 により算出するようにしてもよい。
【0019】また、本発明にかかる他のプリント回路基
板設計支援装置は、グランドプレーンを有するプリント
回路基板、このプリント回路基板に形成された配線、お
よびこのプリント回路基板に実装される部品のそれぞれ
に関する設計情報を基にして、配線に起因して生ずる電
磁放射の放射量を算出することによりプリント回路基板
の設計を支援するプリント回路基板設計支援装置であっ
て、配線に起因して生ずる電磁放射の主な放射量を示す
主(MAJ)放射量として、配線から生ずる電磁放射の
ディファレンシャルモード(DM)放射量と、配線に対
応してグランドプレーンから生ずる電磁放射のコモンモ
ード(CM)放射量との和に相当する放射量を算出する
演算手段を備えるものである。
【0020】配線の主(MAJ)放射量を算出する具体
的構成として、演算手段に、設計情報に基づき配線のデ
ィファレンシャルモード(DM)放射量を算出するDM
放射量算出手段と、設計情報に基づき配線のコモンモー
ド(CM)放射量とディファレンシャルモード(DM)
放射量との比を示すCM放射量比を算出するCM放射量
比算出手段と、このCM放射量比算出手段で算出された
CM放射量比に基づき、配線の主(MAJ)放射量とデ
ィファレンシャルモード(DM)放射量との比を示すM
AJ放射量比を算出するMAJ放射量比算出手段と、C
M放射量比算出手段で算出されたCM放射量比とDM放
射量算出手段で算出されたディファレンシャルモード
(DM)放射量とに基づき、配線のコモンモード(C
M)放射量を算出するCM放射量算出手段と、MAJ放
射量比算出手段で算出されたMAJ放射量比とDM放射
量算出手段で算出されたディファレンシャルモード(D
M)放射量とに基づき、配線の主(MAJ)放射量を算
出するMAJ放射量算出手段とを設けてもよい。
【0021】また、本発明にかかるプリント回路基板設
計支援方法は、グランドプレーンを有するプリント回路
基板、このプリント回路基板に形成された配線、および
このプリント回路基板に実装される部品のそれぞれに関
する設計情報を基にして、配線に起因して生ずる電磁放
射の放射量を算出することによりプリント回路基板の設
計を支援するプリント回路基板設計支援装置で用いられ
るプリント回路基板設計支援方法であって、プリント回
路基板設計支援装置の演算手段で、配線に対応してグラ
ンドプレーンから生ずる電磁放射のコモンモード(C
M)放射量と配線から生ずる電磁放射のディファレンシ
ャルモード(DM)放射量との比を示すCM放射量比に
基づき、配線のコモンモード(CM)放射量を算出する
ようにしたものである。
【0022】この際、演算手段で、配線に起因して生ず
る電磁放射の主な放射量を示す主(MAJ)放射量とし
て、配線のディファレンシャルモード(DM)放射量と
コモンモード(CM)放射量との和に相当する放射量を
算出するようにしてもよい。
【0023】具体的な手順として、演算手段で、設計情
報に基づき配線のディファレンシャルモード(DM)放
射量を算出し、予め得られた、プリント回路基板の大き
さおよび当該プリント回路基板上での配線の位置とCM
放射量比との関係に基づき、プリント回路基板の大きさ
と当該プリント回路基板上での配線の位置に応じたCM
放射量比を算出し、このCM放射量比とディファレンシ
ャルモード(DM)放射量とに基づき、配線のコモンモ
ード(CM)放射量を算出し、CM放射量比に基づき、
配線の主(MAJ)放射量とディファレンシャルモード
(DM)放射量との比を示すMAJ放射量比を算出し、
このMAJ放射量比とディファレンシャルモード(D
M)放射量とに基づき配線の主(MAJ)放射量を算出
するようにしてもよい。
【0024】より具体的な手順として、演算手段で、設
計情報に基づき配線のディファレンシャルモード(D
M)放射量を算出し、配線と対向するグランドプレーン
の、当該配線と平行な方向の幅をa、当該配線と直交す
る方向の幅をb、グランドプレーン端から当該配線まで
の距離をdとした場合、配線のコモンモード(CM)放
射量とディファレンシャルモード(DM)放射量との比
を示すCM放射量比CM/DM(a,b,d)を上記数
9の式により算出し、このCM放射量比CM/DM
(a,b,d)に基づき、配線の主(MAJ)放射量と
ディファレンシャルモード(DM)放射量との比を示す
MAJ放射量比MAJ/DM(a,b,d)を上記数1
0の式により算出し、CM放射量比とディファレンシャ
ルモード(DM)放射量とに基づき、配線のコモンモー
ド(CM)放射量を算出し、MAJ放射量比とディファ
レンシャルモード(DM)放射量とに基づき、配線の主
(MAJ)放射量を算出するようにしてもよい。
【0025】また、本発明にかかる他のプリント回路基
板設計支援方法は、グランドプレーンを有するプリント
回路基板、このプリント回路基板に形成された配線、お
よびこのプリント回路基板に実装される部品のそれぞれ
に関する設計情報を基にして、配線に起因して生ずる電
磁放射の放射量を算出することによりプリント回路基板
の設計を支援するプリント回路基板設計支援装置で用い
られるプリント回路基板設計支援方法であって、プリン
ト回路基板設計支援装置の演算手段で、配線に起因して
生ずる電磁放射の主な放射量を示す主(MAJ)放射量
として、配線から生ずる電磁放射のディファレンシャル
モード(DM)放射量と、配線に対応してグランドプレ
ーンから生ずる電磁放射のコモンモード(CM)放射量
との和に相当する放射量を算出するようにしてもよい。
【0026】また、本発明にかかるプログラムは、前述
した本発明にかかるプリント回路基板設計支援方法の各
手順をプリント回路基板設計支援装置に設けられたコン
ピュータで実行させるためのものである。なお、プログ
ラムの各ステップについては、前述した本発明にかかる
プリント回路基板設計支援方法の各手順と同一であり、
ここでの説明は省略する。
【0027】上記のとおりの本発明においては、以下の
ような作用により上述の課題が解決される。
【0028】まず、プリント回路基板からの電磁放射が
信号配線からのディファレンシャルモード(DM)放射
とグランドプレーンからのコモンモード(CM)放射の
合成であることを、図を参照して説明する。
【0029】図13にプリント回路基板の一例を示す。
本基板30は、信号層−グランド層−電源層−信号層で
構成した4層プリント回路基板で、その大きさは210
mm(横)×100mm(縦)×1.6mm(厚さ)で
ある。第1層の信号層に水晶発振器31、LSI32、
負荷容量33およびそれらをつなぐ信号配線34を設
け、水晶発振器31からLSI32に40MHzのクロ
ック信号を入力し、LSI32から16個ある7pF
(ピコファラッド)の負荷容量33に20MHzの矩形
波信号を出力する回路構成となっている。この他、第1
層の信号層には、LSI32の隣接領域に初期化回路3
5が設けられている。
【0030】本基板30からの放射は、平行に並んだ1
6本の信号配線34が同時動作することから、これらの
信号配線34からの放射と本基板30内層のグランドプ
レーン(図示せず)からの放射の合成と考えられる。不
要な電磁放射で問題とする30MHz〜1GHzの範囲
では、この信号配線34の長さが約3cmと1GHzの
1/10波長に相当するため、この信号配線34は微小
ループアンテナとして働く。この微小ループアンテナか
らの放射がDM放射である。一方、グランドプレーンは
信号配線に沿った方向に励振されるため、グランドプレ
ーン長辺がダイポールアンテナとして働く。このダイポ
ールアンテナによる放射がCM放射である。これら2つ
のアンテナからの放射が合成されることで、プリント回
路基板からの最大放射が決まる。
【0031】図14〜16に本基板の放射パターンの測
定結果を示す。本結果は床面にも電波吸収体を敷き詰め
た6面電波暗室内に基板を配置して測定した電界強度の
放射パターンである。基板と測定アンテナとの距離を3
m、基板と測定アンテナの高さをともに1.5mとし、
基板を床面と平行な面内で360度回転させながら測定
した。図14は基板面を床面に水平に配置した場合、図
15は基板長辺を床面に垂直に配置した場合、図16は
基板短辺を床面と垂直に配置した場合の結果である。各
図14〜16中には、DM放射、CM放射それぞれの放
射パターン概念図がともに示されている。放射レベルの
最も高い520MHz成分の結果である。実線は水平偏
波成分、破線は垂直偏波成分を示す。図14の場合、D
M放射の主偏波は垂直偏波、CM放射の主偏波は水平偏
波となる。測定結果も形状、偏波ともDM放射、CM放
射の概念図と一致している。そのため、この観測面の水
平偏波および垂直偏波の最大値が、CM放射の最大値お
よびDM放射の最大値を示すことになる。
【0032】図15の場合、DM放射、CM放射とも主
偏波は垂直偏波となる。そのため、測定結果も主偏波が
垂直偏波となる。そのため、測定結果も主偏波が垂直偏
波となり、θ=0゜ではDM放射の最大値とCM放射の
最大値の合成となり、最もレベルが高くなっている。ま
た、図16の場合、DM放射、CM放射とも主偏波は水
平偏波となる。そのため、測定結果も主偏波が水平偏波
となり、φ=0゜ではDM放射の最大値とCM放射の最
大値の合成となり、最もレベルが高くなっている。ここ
で測定している電磁波(30MHz〜1GHz)では、
より波長の短い光とは異なり、特定の位置でそのレベル
が急激に大きくなることはほとんどない。そのため、こ
の3つの直交する観測面を見ることで、本基板からの最
大放射レベルは抜けなく観測されることになる。また図
15の観測面θ=0゜における垂直偏波(Eφ)と図1
6の観測面φ=0゜における水平偏波(Eφ)は、ちょ
うど同じ位置の同じ偏波である。この位置に図15およ
び図16の最もレベルの高い位置がくるので、これらが
本基板からの最大放射を示すことになる。
【0033】以上をまとめると、図14の垂直偏波はD
M放射、水平偏波はCM放射、図15の垂直偏波と図1
6の水平偏波はDM放射とCM放射の合成を表現してい
ることがわかる。さらに、DM放射とCM放射が合成さ
れる観測面での最大値が本プリント回路基板からの最大
放射となっている。
【0034】以上の考察から、本発明者は、十分短い信
号配線を扱う場合には、プリント回路基板のからの電磁
放射の偏波特性によってDM放射、CM放射、DM放射
とCM放射の合成による最大放射、すなわち、当該信号
配線に起因して生ずる電磁放射の主な放射量を示す主
(MAJ)放射量とが分離できることを見出した。図1
7、図18、図19は、この考えに基づき、DM放射量
に対するCM放射量の比率(CM/DM)、DM放射量
に対する主放射量の比率(MAJ/DM)を示した結果
である。測定条件は図14と図17、図15と図18、
図16と図19に対応する。図中、「■」(四角
(黒))は放射電界の測定結果から上記係数を求めた結
果、実線は市販のFDTD(Finite Difference Time D
omain)電磁界シミュレータによって求めた結果であ
る。
【0035】電磁界シミュレーションでは、プリント回
路基板のグランドプレーンを、その平面の大きさは同じ
で厚さが無限小の完全導体板、LSIと負荷容量とをつ
なぐ配線部分を太さ無限小の完全導体棒、LSIの半導
体チップを電圧源、負荷容量をその抵抗分として1オー
ムとしてモデル化した。それ以外の例えば基板材である
薄い誘電体などは無視して計算した。また、シミュレー
ション条件として、吸収境界条件には、10層のPML
(Perfect Matched Layer)を用いた。また、入力パル
スとしてはガウシアンパルスを用いた。これらの条件の
もと、20MHzピッチで200MHzから1GHzま
で放射パターンを計算し、その偏波特性からDM放射成
分、CM放射成分、この両者の和である最大放射成分を
抽出し、CM/DMの比率、MAJ/DMの比率を求め
た結果である。両者のエンベロープが広帯域で良く一致
しており、上記考えが広帯域で適用できることが確認で
きる。
【0036】DM放射量は、信号配線の形状や流れる電
流値によって決まるため、信号配線の位置には依存しな
い。これに対し、CM放射量やCM放射量を含む主放射
量は信号配線の位置に大きく依存する。そのため、CM
/DM特性やMAJ/DM特性は、CM放射量もしくは
主放射量の位置依存性を表す係数となる。図20は、長
さ10mmの信号配線を210mm×100mmのグラ
ンドプレーン上の中央に配置した場合と、長辺方向に対
しては中心位置でかつこの配線と平行なグランドプレー
ン端からは5mmの位置に配置した場合のCM/DM特
性である。先と同じ方法で電磁界シミュレーションによ
り求めた結果である。前述した文献2にあるように、信
号配線がグランドプレーン端に近づくほど、広帯域でC
M放射が増えることを表している。ただし、信号配線の
位置が変わってもピーク周波数は変わらない。これはグ
ランドプレーンの形状が決まると自ずとグランドプレー
ンによる放射のピーク周波数が決まることを意味する。
【0037】図21は、同じく電磁界シミュレーション
によって求めた結果であるが、CM/DM特性のピーク
周波数において、信号配線のグランドプレーン幅方向の
位置とCM/DM特性の関係を計算した結果である。信
号配線がグランドプレーン端に近づくにつれてCM/D
Mの値が指数関数的に増加している。
【0038】本発明者は、プリント回路基板のグランド
プレーンの形状、配線の位置を変えながら、上記と同様
の測定や計算を繰り返し、グランドプレーンの大きさや
配線の位置を変えた場合に、CM/DM特性およびMA
J/DM特性がどのように変化するか詳細に調べた。そ
の結果、グランドプレーンの大きさが決まると、その縦
横の長さa,bと信号配線のグランドプレーン端からの
距離dによってCM/DM特性、およびMAJ/DM特
性が簡単な計算式で表現できることを見出した。そし
て、この計算式を用いれば、いかなる大きさの矩形グラ
ンドプレーンであっても、信号配線の位置が決まると、
その位置におけるCM/DM特性およびMAJ/DM特
性が求まることを発見した。
【0039】一方、DM放射量は、信号配線の形状と流
れる電流値が決まれば、簡単な理論式によって求められ
ることが知られている。
【0040】したがって、この計算式を用いてグランド
プレーンの形状と信号配線の位置との関係から、CM/
DM特性およびMAJ/DM特性を求め、別途、信号配
線のDM放射量を求めれば、この両者によりその信号配
線に対応して生ずるグランドプレーンからのCM放射量
およびその信号配線に起因して生ずる電磁放射全体の主
放射量を容易かつ短時間で算出できる。例えば、図17
から図19に示した電磁界シミュレーションによるCM
/DMの比率やMAJ/DMの比率の計算結果では、I
ntel製CPUのPentium(登録商標)III、
クロック周波数1GHzのパーソナルコンピュータを用
いて約48時間かかった。これに対し、この式を用いれ
ば、ピーク周波数での値だけであるが、1秒以下で求め
ることができた。
【0041】上記考えに基づいて放射量を計算すれば、
基板の設計段階において、信号配線の位置に依存した、
プリント回路基板からの放射量を把握することができ
る。また、信号配線からのDM放射だけを考慮した従来
方法に比べ、プリント回路基板からの放射量をより正確
に予測することができる。また、より正確に求めた放射
量により、電磁放射を抑えたプリント回路基板をより正
確に設計することが可能となる。
【0042】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。図1は本発明の一実施の形
態にかかるプリント回路基板設計支援装置の構成を示す
ブロック図である。プリント回路基板設計支援装置1
は、グランドプレーンを有するプリント回路基板、この
プリント回路基板に形成された配線、およびこのプリン
ト回路基板に実装される部品のそれぞれに関する設計情
報を基にして、そのプリント回路基板の配線に起因して
生ずる電磁放射の放射量を算出することによりプリント
回路基板の設計を支援する装置である。このプリント回
路基板設計支援装置1は、入力装置2、記憶装置3、デ
ータ処理装置4、出力装置5およびプログラム4aから
構成されている。
【0043】入力装置2は、上記放射量を算出するのに
必要な各種情報を入力するための装置である。この入力
装置2には、プリント回路基板の外形寸法、層構成、部
品や配線の形状や位置や電気定数などの、基板、部品お
よび配線に関する設計情報を入力する入力手段a6、電
磁放射量を計算する配線を指定するためにその配線名を
入力する入力手段b7、および各配線によって生ずる主
放射量の限度を示す、各配線で共通の限度値を入力する
入力手段c8が設けられている。記憶装置3は、上記放
射量を算出するのに必要な各種情報を記憶するための装
置である。この記憶装置3には、入力手段a6によって
入力された基板、部品および配線に関する設計情報を記
憶する記憶手段a9、後述する抽出手段13が入力手段
b7で入力した配線名に基づいて記憶手段a9より抽出
した、電磁放射量を計算する配線に関する設計情報を記
憶する記憶手段b10、後述する演算手段14の計算結
果である主放射量、CM放射量、DM放射量を記憶する
記憶手段c11、および入力手段c8によって入力した
各配線によって生ずる主放射量の限度値を記憶する記憶
手段d12が設けられている。
【0044】データ処理装置4は、全体としてコンピュ
ータからなり、CPUなどのマイクロプロセッサとその
周辺回路からなるハードウェア資源と、プログラム4a
とを協働させることにより、入力装置2により入力され
た各種情報や記憶装置3に記憶されている各種情報に基
づき所望の放射量を算出する。このデータ処理装置4に
は、記憶手段a9に記憶された設計情報の中から、入力
手段b7より指定された配線名に基づいて、電磁放射量
を計算する配線の情報を抽出し、その結果を記憶手段b
10に出力する抽出手段13、記憶手段b10に記憶し
た配線情報を基に、これらの配線の主放射量、CM放射
量、DM放射量を算出し、それらの結果を記憶手段c1
1に出力する演算手段14、および記憶手段c11に記
憶した演算結果と記憶手段d12に記憶した主放射量の
限度値とを比較し、その比較結果を後述する出力装置5
に出力する比較手段15が設けられている。
【0045】出力装置5は、比較手段15の結果を出力
することにより、当該プリント回路基板からの電磁放射
の放射量が所望の限度値を満足しているかどうかを報知
するための装置である。プログラム4aは、データ処理
装置4に読み込まれ、そのコンピュータで所望の放射量
の算出処理を実行させるためのプログラムである。この
プログラム4aは、CD−ROMやフレキシブルディス
クなどの記録媒体に格納されており、必要に応じてデー
タ処理装置4に接続された記憶装置3やハードディスク
などのデータ蓄積装置(図示せず)に予め転送し、ここ
からデータ処理装置4へ読み込むようにしてもよい。
【0046】データ処理装置4の演算手段14には、所
望の放射量を算出するための機能手段が設けられてお
り、これら機能手段は上記ハードウェア資源とプログラ
ム4aとが協働して実現される。これら機能手段として
は、プリント回路基板に形成されている配線から生ずる
電磁放射のディファレンシャルモード放射量(以下、D
M放射量という)を算出するDM放射量算出手段16、
配線に対応してプリント回路基板のグランドプレーンか
ら生ずる電磁放射のコモンモード放射量(以下、CM放
射量という)とDM放射量との比を示すCM放射量比
(CM/DM)を算出するCM放射量比算出手段17、
配線に起因して生ずる電磁放射全体の主な放射量を示す
主放射量(以下、MAJ放射量という)とDM放射量と
の比を示すMAJ放射量比(MAJ/DM)を算出す
る,MAJ放射量比算出手段18、CM放射量比とDM
放射量とからCM放射量を算出するCM放射量算出手段
19、およびMAJ放射量比とDM放射量とからMAJ
放射量を算出するMAJ放射量算出手段20が設けられ
ている。
【0047】次に、図2を参照して、本実施の形態にか
かるプリント回路基板支援装置の動作について説明す
る。図2は本実施の形態にかかるプリント回路基板支援
装置の動作を示すフローチャートである。
【0048】(S1)まず、入力手段a6によって、基
板、部品および配線に関する設計情報を本装置1に取り
込む。 (S2)記憶手段a9によって、上記情報を記憶する。 (S3)入力手段b7によって、電磁放射を計算する配
線名を入力する。 (S4)抽出手段13によって、上記配線名に対応した
配線情報およびその配線と関係する基板、部品情報を記
憶手段a9から抽出する。 (S5)記憶手段b10によって、上記抽出結果を記憶
する。 (S6)演算手段14によって、記憶手段b10に記憶
された情報をもとにこの対象としている配線による主放
射量、CM放射量、DM放射量を計算する。 (S7)記憶手段c11によって、計算した各放射量を
記憶する。
【0049】(S8)入力手段c8によって、各配線で
共通な主放射量の限度値を入力し、その値を記憶手段d
12に記憶する。 (S9)比較手段15によって、記憶手段c11に記憶
した主放射量の計算結果と、記憶手段d12に記憶した
主放射量の限度値との大小を比較する。 (S10)上記比較結果と各配線の主放射量、CM放射
量、DM放射量を出力装置5に出力し、本動作が終了す
る。
【0050】(S1)で取り込む設計情報とは、具体的
には、基板、部品および配線の外形寸法、層構成、位置
の情報や、基板材の情報や、部品の電気回路情報などで
ある。基板、部品および配線の外形寸法、層構成、位置
の情報としては、その名前と対象物の各頂点でのX,
Y,Z座標データなどを取り込む。これによりグランド
プレーンの大きさについても取り込まれる。基板材の情
報としては、その材料名とその材料の比誘電率、比透磁
率、導電率の値などを取り込む。パッシブ部品の電気回
路情報としては、その部品名と端子名と端子間の抵抗
値、インダクタンス値、キャパシタンス値、コンダクタ
ンス値などを取り込む。アクティブ部品の電気回路情報
としては、その部品名と端子名とその端子における電流
−電圧特性、出力波形の立ち上がり/立ち下がり時間、
振幅、パルス幅、デューティー比などを取り込む。
【0051】(S3)と(S4)において、電磁放射を
計算する配線の情報およびこの配線に関係する基板や部
品の情報を抽出する具体的な方法としては、例えば、入
力手段b7としてキーボード用い、このキーボードより
計算する配線名を入力し、抽出手段13により、この配
線に関係する基板、部品、配線情報を記憶手段a9より
抽出してもよい。または、抽出手段13に検索機能を用
意し、記憶手段a9に記憶された配線情報の中から、
「CLK」などの文字列を含む配線名を検索して、その
配線に関係する設計情報を抽出してもよい。または、入
力装置として表示装置とマウスを用い、記憶手段a9に
記憶した設計情報を2次元もしくは3次元の図面として
この表示装置に表示し、その中で計算させたい配線をマ
ウスで指定することで、計算させたい配線名を入力し、
その配線に関係する設計情報を記憶手段a9から抽出し
てもよい。または、上記方法の組み合わせでもよい。
【0052】次に、図3および図4を参照して、(S
6)における主放射量の計算処理について詳細に説明す
る。図3は(S6)内の詳細な動作を示すフローチャー
トである。図4〜10は(S6)の動作を示す概念図で
ある。 (S6−1)DM放射量算出手段16において、記憶手
段b10に記憶した配線情報およびその配線に関係する
部品や基板の情報の中から、DM放射量を計算する配線
を選ぶ(図4参照)。図4の例では、グランドプレーン
21と対向して形成される信号配線22に関する情報が
選択されている。 (S6−2)この配線を直交する2方向X,Yに沿っ
て、X、Y各座標成分の要素(NX1、NY1、NX2)に分
割する(図5参照)。図5の例は、図4に示した信号配
線22をX、Y各座標成分で分割したものである。
【0053】(S6−3)各配線要素の長さ(LX1、L
Y1、LX2)を抽出する(図6参照)。図6の例は、図5
に示したX、Y各座標成分の要素NX1、NY1、NX2のそ
れぞれの長さLX1、LY1、LX2を抽出したものである。 (S6−4)この配線と対向するグランドプレーンの2
方向の幅(a、b)を抽出する(図7参照)。図7の例
では、図4に示したグランドプレート21のY方向、X
方向のそれぞれの幅a、bが示されている。 (S6−5)各配線要素からそれと平行なグランドプレ
ーン端までの距離(dX1、dY1、dX2)を抽出する(図
8参照)。図8の例では、信号配線22の要素N X1、N
X2からグランドプレーン21の下側(図面に向かって下
側)の端までの距離がそれぞれdX1、dX2で示され、信
号配線22の要素NY1からグランドプレーン21の左側
(図面に向かって左側)の端までの距離がdY1で示され
ている。
【0054】(S6−6)DM放射量算出手段16にお
いて、各配線要素によるDM放射量(EDM(LX1)、E
DM(LY1)、EDM(LX2))を算出するとともに、配線
全体のDM放射量を求める(図9参照)。図9の例で
は、図5に示したX、Y各座標成分の要素NX1、NY1
X2についてそれぞれDM放射量(EDM(LX1)、EDM
(LY1)、EDM(LX2))を計算している。 (S6−7)CM放射量比算出手段17において、各配
線要素におけるCM放射量比(CM/DM)を計算する
とともに、MAJ放射量比算出手段18において、各配
線要素におけるMAJ放射量比(MAJ/DM)を算出
する(図10参照)。図10の例では、図5に示した
X、Y各座標成分の要素NX1、NY1、NX2についてそれ
ぞれCM/DMおよびMAJ/DMを算出している。
【0055】(S6−8)CM放射量算出手段19にお
いて、各配線要素のDM放射量とCM/DMとから各配
列要素のCM放射量を算出し、配線全体のCM放射量を
求める。また、MAJ放射量計算手段20において、各
配線要素のDM放射量とMAJ/DMとから各配列要素
のMAJ放射量を算出し、配線全体のMAJ放射量を求
める。 (S6−9)他に放射量を計算する配線が残っていれば
(S6−1)に戻り、なければ(S6)を終了する。
【0056】なお、個別の記載は省略しているが、本発
明のDM放射量算出手段16では、各配線要素のDM放
射量としてその最大値を求めている。またCM放射量比
算出手段17では、CM放射量の最大値とDM放射量の
最大値との比をCM放射量比とし、MAJ放射量比算出
手段18でも、MAJ放射量の最大値とDM放射量の最
大値との比をMAJ放射量比としている。したがって、
DM放射量算出手段19およびMAJ放射量算出手段2
0で算出されるDM放射量および主放射量も、それぞれ
最大値を示すことになる。
【0057】DM放射量算出手段16では、上記(S6
−6)における各配線要素のDM放射量(EDM(L,
f))は次式より求める。
【0058】
【数13】 ………式(1) ここで、Lは配線要素の長さ、hはグランドプレーンか
ら配線までの高さ、rは放射量の観測距離、I(f)は
電流値、fは周波数である。配線長lや配線高さhは基
板の設計情報から抽出できる。観測距離rは電磁放射の
規格から3mもしくは10mが基本である。この式は公
知の式である。例えば、PROCEEDINGS OF 1987 IEEE INT
ERNATIONAL SYMPOSIUM ON ELECTROMAGNETIC COMPATIBIL
ITY ”RADIATED EMISSIONS FROM COMMON-MODE CURRENT
S”などに紹介されている。電流値I(f)を求める方
法としては色々な方法があるが、例えば、信号配線の送
信側ICの出力端子での電流として定義し、次式より求
める方法がある。
【0059】
【数14】 ………式(2) ここで、V(f)は送信側ICの出力電圧スペクトル、
Z(f)は送信ICの出力端子から受信側を見た入力イ
ンピーダンスである。
【0060】送信ICの矩形の出力電圧スペクトルV
(f)は次式で定義できる。
【0061】
【数15】 ………式(3) ここで、nは整数、f0は電圧波形の基本繰り返し周波
数、Vは電圧波形の振幅、dutyは電圧波形のデュー
ティ比、trは電圧波形の立ち上がり/立ち下り時間で
ある。
【0062】一方、送信ICの出力端子から受信側を見
た入力インピーダンスZ(f)は次式で定義される。
【0063】
【数16】 ………式(4) ここで、Zoutは送信ICの出力インピーダンス、R
dampは送信ICに直列につながるダンピング抵抗、Z
loadは受信側ICの負荷インピーダンス、Zcは配線の
特性インピーダンス、β(f)は信号配線における位相
定数である。
【0064】これらの関係式を用いることで、送信IC
から矩形の電圧波形を入力した場合の配線電流I
(f)、およびこの配線電流における距離rでのDM放
射量(EDM(L,f))を求めることができる。
【0065】MAJ放射量比算出手段18およびCM放
射量比算出手段17では、上記(S6−7)の各配線要
素におけるMAJ/DMおよびCM/DMは、各配線要
素のMAJ/DM特性およびCM/DM特性がピークを
とる周波数におけるMAJ/DMおよびCM/DMの値
である。MAJ/DMは、各配線要素と対向するグラン
ドプレーンの、配線要素と平行な方向の幅をa、直交す
る方向の幅をbとすると、このa、bとグランドプレー
ン端から配線要素までの距離dの関数として、次式より
求めることができる。
【0066】
【数17】 ………式(5) この式は、最大(MAJ)放射量がDM放射量とCM放
射量の単純な和として表せることを表現している。この
関係は、先に説明した図14から図16の結果に基づい
たもので、本発明者が見いだしたものである。また、C
M/DM(a,b,d)は次式より求めることができ
る。
【0067】
【数18】 ………式(6) この式は、配線がグランドプレーン端に近づくほど、C
M/DMの値が指数関数的に増加することを示してい
る。このように、この関係式を指数関数で表現したの
は、先に説明した図21や、後述する図11、図12の
電磁界シミュレーション結果にあるように、CM/DM
の比率が、配線パターンとグランドプレーン端との距離
が近づくほど、指数関数的に増加する結果を、測定およ
び電磁界シミュレーションから得たためである。ここ
で、10の階乗の式になっているのは、dB(デービ
ー)をリニアに変更するためである。
【0068】また、y0(a,b)、t(a,b)は次
式で表現できる。
【0069】
【数19】 ………式(7)
【0070】
【数20】 ………式(8) ここで、y0(a,b)はグランドプレーン中央に配線
を配置した場合のCM/DM[dB]の値で、グランド
プレーンの幅aとbによって決まる。また、t(a,
b)は式(6)の指数関数の傾きを決める係数で、これ
もaとbによって決まる。式(7)、(8)は、後述す
る図11、図12の結果を元にして作成した。グランド
プレーンの縦横比(a/b)が変わらない場合には、グ
ランドプレーン中央でのCM/DMの比率が変わらない
ことを、本発明者が見いだしたためである。
【0071】CM放射量比算出手段19、MAJ放射量
算出手段20およびDM放射量算出手段16では、以上
の関係式を用いることで、上記(S6−8)における主
放射量、CM放射量、DM放射量は次式より求められ
る。
【0072】
【数21】 ………式(9)
【0073】
【数22】 ………式(10)
【0074】
【数23】 ………式(11) ここで、放射量EMAJ、ECM、EDMはそれぞれX、Y座
標ごとに求める。EDM(L)はEDM(L,f)が最も高
くなる周波数fにおける値とした。
【0075】次に、(S9)における比較方法について
説明する。上記(S6)では、X、Y座標ごとに主放射
量を計算したので、その中で値の大きいものと記憶手段
d12に記憶した限度値とを比較する。
【0076】(S10)での結果の出力方法としては、
例えば、表示装置を有する出力装置を用い、各配線に起
因して生ずる電磁放射の主放射量、グランドプレーンか
らのCM放射量、配線自身からのDM放射量の各値を表
示する。または、主放射量、CM放射量もしくはDM放
射量の大きい順に配線を列挙し、配線ごとに上記3つの
放射量を表示する。または、プリント回路基板の基板、
部品、配線の位置情報を2次元もしくは3次元の構造と
して表示装置に表示し、放射量を計算した配線を各放射
量の高低によって色分けして表示する。または、これら
を組み合わせて表示する。
【0077】図11にCM/DMの配線位置依存性を示
し、図12にMAJ/DMの配線位置依存性を示す。こ
れらの図の中で、「計算式」とは式(5)〜(8)を用
いて計算した結果、「シミュ」とは電磁界シミュレーシ
ョンによる結果を意味する。電磁界シミュレーションに
よる計算条件は、先に示した図17から図21と同じで
ある。グランドプレーンの大きさが300mm×100
mm、300mm×200mm、300mm×300m
mの場合について計算した結果である。グランドプレー
ン端の真上では多少差があるが、それ以外の位置におい
てCM/DM、MAJ/DMとも、計算結果とシミュレ
ーション結果がよく一致していることが確認できる。ま
た、この電磁界シミュレーションによる計算時間は、各
点に対して約48時間かかったが、この計算式を用いれ
ば、それが各点に対して1秒以下であった。
【0078】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、配線に
対応してグランドプレーンから生ずる電磁放射のコモン
モード(CM)放射量と配線から生ずる電磁放射のディ
ファレンシャルモード(DM)放射量との比を示すCM
放射量比に基づき、コモンモード(CM)放射量を算出
するようにしたので、従来のように電磁界シミュレーシ
ョンを行わずに、プリント回路基板の配線に起因して生
ずる電磁放射の放射量を容易かつ短時間に計算できる。
また、プリント回路基板の配線に起因して生ずる電磁放
射全体の主な放射量を示す主(MAJ)放射量として、
ディファレンシャルモード(DM)放射量とコモンモー
ド(CM)放射量との和に相当する放射量を算出するよ
うにしたので、従来のようにディファレンシャルモード
(DM)放射量のみを扱う場合と比較して、各配線ごと
にその電磁放射の放射量を正確に計算できる。したがっ
て、電磁放射を抑えた配線設計を容易かつ短時間で行う
ことが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の一実施の形態にかかるプリント回路
基板設計支援装置の構成を示すブロック図である。
【図2】 図1に示すプリント回路基板設計支援装置の
動作を説明するためのフローチャート図である。
【図3】 図2に示すステップS6を詳細に説明するた
めのフローチャート図である。
【図4】 図3に示すステップS6−1を詳細に説明す
るための概念図である。
【図5】 図3に示すステップS6−2を詳細に説明す
るための概念図である。
【図6】 図3に示すステップS6−3を詳細に説明す
るための概念図である。
【図7】 図3に示すステップS6−4を詳細に説明す
るための概念図である。
【図8】 図3に示すステップS6−5を詳細に説明す
るための概念図である。
【図9】 図3に示すステップS6−6を詳細に説明す
るための概念図である。
【図10】 図3に示すステップS6−7を詳細に説明
するための概念図である。
【図11】 図1に示すプリント回路基板設計支援装置
による計算結果と電磁界シミュレーション結果との比較
結果を示す図である。
【図12】 図1に示すプリント回路基板設計支援装置
による計算結果と電磁界シミュレーション結果との比較
結果を示す図である。
【図13】 本発明に適用可能なプリント回路基板の一
例を示す模式図である。
【図14】 基板面を水平に配置した場合の放射パター
ンの一例を示す模式図である。
【図15】 基板長辺を垂直に配置した場合の放射パタ
ーンの一例を示す模式図である。
【図16】 基板短辺を垂直に配置した場合の放射パタ
ーンの一例を示す模式図である。
【図17】 CM/DMの周波数特性を示す図である。
【図18】 MAJ/DMの周波数特性を示す図であ
る。
【図19】 MAJ/DMの周波数特性を示す図であ
る。
【図20】 CM/DMの位置依存性を示す図である。
【図21】 CM/DMの位置依存性を示す図である。
【図22】 従来技術を説明するための図である。
【図23】 従来技術を説明するための図である。
【図24】 従来技術を説明するための図である。
【符号の説明】
1…プリント回路基板設計支援装置、2…入力装置、3
…記憶装置、4…データ処理装置、4a…プログラム、
5…出力装置、6…入力手段a、7…入力手段b、8…
入力手段c、9…記憶手段a、10…記憶手段b、11
…記憶手段c、12…記憶手段d、13…抽出手段、1
4…演算手段、15…比較手段、16…DM放射量算出
手段、17…CM放射量比算出手段、18…MAJ放射
量比算出手段、19…CM放射量算出手段、20…MA
J放射量算出手段、21…グランドプレーン、22,3
4…信号配線、30…プリント回路基板、31…水晶発
振器、32…LSI、33…負荷容量、35…初期化回
路。
フロントページの続き (72)発明者 矢口 貴宏 神奈川県川崎市高津区坂戸3丁目2番1号 株式会社エヌイーシー情報システムズ内 (72)発明者 涌井 章 神奈川県川崎市高津区坂戸3丁目2番1号 株式会社エヌイーシー情報システムズ内 (72)発明者 恵谷 誠至 神奈川県川崎市高津区坂戸3丁目2番1号 株式会社エヌイーシー情報システムズ内 (72)発明者 原田 高志 東京都港区芝五丁目7番1号 日本電気株 式会社内 (72)発明者 栗山 敏秀 東京都港区芝五丁目7番1号 日本電気株 式会社内 Fターム(参考) 5B046 AA08 BA04 JA01

Claims (21)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 グランドプレーンを有するプリント回路
    基板、このプリント回路基板に形成された配線、および
    このプリント回路基板に実装される部品のそれぞれに関
    する設計情報を基にして、前記配線に起因して生ずる電
    磁放射の放射量を算出することにより前記プリント回路
    基板の設計を支援するプリント回路基板設計支援装置で
    あって、 前記配線に対応して前記グランドプレーンから生ずる電
    磁放射のコモンモード(CM)放射量と前記配線から生
    ずる電磁放射のディファレンシャルモード(DM)放射
    量との比を示すCM放射量比に基づき、前記配線のコモ
    ンモード(CM)放射量を算出する演算手段とを備える
    ことを特徴とするプリント回路基板設計支援装置。
  2. 【請求項2】 請求項1記載のプリント回路基板設計支
    援装置において、 前記演算手段は、 前記配線に起因して生ずる電磁放射の主な放射量を示す
    主(MAJ)放射量として、前記配線のディファレンシ
    ャルモード(DM)放射量とコモンモード(CM)放射
    量との和に相当する放射量を算出することを特徴とする
    プリント回路基板設計支援装置。
  3. 【請求項3】 請求項2記載のプリント回路基板設計支
    援装置において、 前記演算手段は、 前記配線の主(MAJ)放射量とディファレンシャルモ
    ード(DM)放射量との比を示すMAJ放射量比に基づ
    き、前記配線の主(MAJ)放射量を算出することを特
    徴とするプリント回路基板設計支援装置。
  4. 【請求項4】 請求項2記載のプリント回路基板設計支
    援装置において、 前記演算手段により算出された前記配線の主(MAJ)
    放射量と前記配線の放射量の所望限度を示す限度値とを
    比較し、その比較結果を出力する比較手段をさらに備え
    ることを特徴とするプリント回路基板設計支援装置。
  5. 【請求項5】 請求項1記載のプリント回路基板設計支
    援装置において、 前記演算手段は、 前記設計情報に基づき前記配線のディファレンシャルモ
    ード(DM)放射量を算出するDM放射量算出手段と、 予め得られた、プリント回路基板の大きさおよび当該プ
    リント回路基板上での配線の位置とCM放射量比との関
    係に基づき、前記プリント回路基板の大きさと当該プリ
    ント回路基板上での前記配線の位置に応じたCM放射量
    比を算出するCM放射量比算出手段と、 このCM放射量比算出手段で算出されたCM放射量比と
    前記DM放射量算出手段で算出されたディファレンシャ
    ルモード(DM)放射量とに基づき、前記配線のコモン
    モード(CM)放射量を算出するCM放射量算出手段と
    を有することを特徴とするプリント回路基板設計支援装
    置。
  6. 【請求項6】 請求項3記載のプリント回路基板設計支
    援装置において、 前記演算手段は、 前記設計情報に基づき前記配線のディファレンシャルモ
    ード(DM)放射量を算出するDM放射量算出手段と、 予め得られた、プリント回路基板の大きさおよび当該プ
    リント回路基板上での配線の位置とCM放射量比との関
    係に基づき、前記プリント回路基板の大きさと当該プリ
    ント回路基板上での前記配線の位置に応じたCM放射量
    比を算出するCM放射量比算出手段と、 このCM放射量比算出手段で算出されたCM放射量比に
    基づき、前記配線の主(MAJ)放射量とディファレン
    シャルモード(DM)放射量との比を示すMAJ放射量
    比を算出するMAJ放射量比算出手段と、 このMAJ放射量比算出手段で算出されたMAJ放射量
    比と前記DM放射量算出手段で算出されたディファレン
    シャルモード(DM)放射量とに基づき、前記配線の主
    (MAJ)放射量を算出するMAJ放射量算出手段とを
    有することを特徴とするプリント回路基板設計支援装
    置。
  7. 【請求項7】 請求項6記載のプリント回路基板設計支
    援装置において、 前記演算手段は、 前記CM放射量比算出手段で算出されたCM放射量比と
    前記DM放射量算出手段で算出されたディファレンシャ
    ルモード(DM)放射量とに基づき、前記配線のコモン
    モード(CM)放射量を算出するCM放射量算出手段と
    を有することを特徴とするプリント回路基板設計支援装
    置。
  8. 【請求項8】 請求項3記載のプリント回路基板設計支
    援装置において、 前記演算手段は、 前記設計情報に基づき前記配線のディファレンシャルモ
    ード(DM)放射量を算出するDM放射量算出手段と、 前記配線と対向する前記グランドプレーンの、当該配線
    と平行な方向の幅をa、当該配線と直交する方向の幅を
    b、前記グランドプレーン端から当該配線までの距離を
    dとした場合、前記配線のコモンモード(CM)放射量
    とディファレンシャルモード(DM)放射量との比を示
    すCM放射量比CM/DM(a,b,d)を次式 【数1】 により算出するCM放射量比算出手段と、 このCM放射量比算出手段で算出されたCM放射量比C
    M/DM(a,b,d)に基づき、前記配線の主(MA
    J)放射量とディファレンシャルモード(DM)放射量
    との比を示すMAJ放射量比MAJ/DM(a,b,
    d)を次式 【数2】 により算出するMAJ放射量比算出手段と、 前記CM放射量比算出手段で算出されたCM放射量比と
    前記DM放射量算出手段で算出されたディファレンシャ
    ルモード(DM)放射量とに基づき、前記配線のコモン
    モード(CM)放射量を算出するCM放射量算出手段
    と、 前記MAJ放射量比算出手段で算出されたMAJ放射量
    比と前記DM放射量算出手段で算出されたディファレン
    シャルモード(DM)放射量とに基づき、前記配線の主
    (MAJ)放射量を算出するMAJ放射量算出手段とを
    備えることを特徴とするプリント回路基板設計支援装
    置。
  9. 【請求項9】 請求項8記載のプリント回路基板設計支
    援装置において、 前記DM放射量算出手段は、直交する2方向に沿って前
    記配線を分割して得られた複数の配線要素ごとに、当該
    配線要素の長さをLとしてディファレンシャルモード
    (DM)放射量EDM(L)を算出するとともに、これら
    を合算して前記配線全体のディファレンシャルモード
    (DM)放射量を算出し、 前記CM放射量比算出手段は、前記各配線要素ごとにC
    M放射量比CM/DM(a,b,d)を算出し、 前記MAJ放射量比算出手段は、前記各配線要素ごとに
    MAJ放射量比MAJ/DM(a,b,d)を算出し、 前記CM放射量算出手段は、前記各配線要素のディファ
    レンシャルモード(DM)放射量EDM(L)とCM放射
    量比CM/DM(a,b,d)とに基づき、前記配線全
    体のコモンモード(CM)放射量を次式 【数3】 により算出し、 前記MAJ放射量算出手段は、前記各配線要素のディフ
    ァレンシャルモード(DM)放射量EDM(L)とMAJ
    放射量比MAJ/DM(a,b,d)とに基づき、前記
    配線全体の主(MAJ)放射量を次式 【数4】 により算出することを特徴とするプリント回路基板設計
    支援装置。
  10. 【請求項10】 グランドプレーンを有するプリント回
    路基板、このプリント回路基板に形成された配線、およ
    びこのプリント回路基板に実装される部品のそれぞれに
    関する設計情報を基にして、前記配線に起因して生ずる
    電磁放射の放射量を算出することにより前記プリント回
    路基板の設計を支援するプリント回路基板設計支援装置
    であって、 前記配線に起因して生ずる電磁放射の主な放射量を示す
    主(MAJ)放射量として、前記配線から生ずる電磁放
    射のディファレンシャルモード(DM)放射量と、前記
    配線に対応して前記グランドプレーンから生ずる電磁放
    射のコモンモード(CM)放射量との和に相当する放射
    量を算出する演算手段を備えることを特徴とするプリン
    ト回路基板設計支援装置。
  11. 【請求項11】 請求項10記載のプリント回路基板設
    計支援装置において、 前記演算手段は、 前記設計情報に基づき前記配線のディファレンシャルモ
    ード(DM)放射量を算出するDM放射量算出手段と、 前記設計情報に基づき前記配線のコモンモード(CM)
    放射量とディファレンシャルモード(DM)放射量との
    比を示すCM放射量比を算出するCM放射量比算出手段
    と、 このCM放射量比算出手段で算出されたCM放射量比に
    基づき、前記配線の主(MAJ)放射量とディファレン
    シャルモード(DM)放射量との比を示すMAJ放射量
    比を算出するMAJ放射量比算出手段と、 前記CM放射量比算出手段で算出されたCM放射量比と
    前記DM放射量算出手段で算出されたディファレンシャ
    ルモード(DM)放射量とに基づき、前記配線のコモン
    モード(CM)放射量を算出するCM放射量算出手段
    と、 前記MAJ放射量比算出手段で算出されたMAJ放射量
    比と前記DM放射量算出手段で算出されたディファレン
    シャルモード(DM)放射量とに基づき、前記配線の主
    (MAJ)放射量を算出するMAJ放射量算出手段とを
    有することを特徴とするプリント回路基板設計支援装
    置。
  12. 【請求項12】 グランドプレーンを有するプリント回
    路基板、このプリント回路基板に形成された配線、およ
    びこのプリント回路基板に実装される部品のそれぞれに
    関する設計情報を基にして、前記配線に起因して生ずる
    電磁放射の放射量を算出することにより前記プリント回
    路基板の設計を支援するプリント回路基板設計支援装置
    で用いられるプリント回路基板設計支援方法であって、 前記プリント回路基板設計支援装置の演算手段で、 前記配線に対応して前記グランドプレーンから生ずる電
    磁放射のコモンモード(CM)放射量と前記配線から生
    ずる電磁放射のディファレンシャルモード(DM)放射
    量との比を示すCM放射量比に基づき、前記配線のコモ
    ンモード(CM)放射量を算出することを特徴とするプ
    リント回路基板設計支援方法。
  13. 【請求項13】 請求項12記載のプリント回路基板設
    計支援方法において、 前記演算手段で、 前記配線に起因して生ずる電磁放射の主な放射量を示す
    主(MAJ)放射量として、前記配線のディファレンシ
    ャルモード(DM)放射量とコモンモード(CM)放射
    量との和に相当する放射量を算出することを特徴とする
    プリント回路基板設計支援方法。
  14. 【請求項14】 請求項13記載のプリント回路基板設
    計支援方法において、 前記演算手段で、 前記設計情報に基づき前記配線のディファレンシャルモ
    ード(DM)放射量を算出し、 予め得られた、プリント回路基板の大きさおよび当該プ
    リント回路基板上での配線の位置とCM放射量比との関
    係に基づき、前記プリント回路基板の大きさと当該プリ
    ント回路基板上での前記配線の位置に応じたCM放射量
    比を算出し、 このCM放射量比とディファレンシャルモード(DM)
    放射量とに基づき、前記配線のコモンモード(CM)放
    射量を算出し、 前記CM放射量比に基づき、前記配線の主(MAJ)放
    射量とディファレンシャルモード(DM)放射量との比
    を示すMAJ放射量比を算出し、 このMAJ放射量比と前記ディファレンシャルモード
    (DM)放射量とに基づき前記配線の主(MAJ)放射
    量を算出することを特徴とするプリント回路基板設計支
    援方法。
  15. 【請求項15】 請求項13記載のプリント回路基板設
    計支援方法において、 前記演算手段で、 前記設計情報に基づき前記配線のディファレンシャルモ
    ード(DM)放射量を算出し、 前記配線と対向する前記グランドプレーンの、当該配線
    と平行な方向の幅をa、当該配線と直交する方向の幅を
    b、前記グランドプレーン端から当該配線までの距離を
    dとした場合、前記配線のコモンモード(CM)放射量
    と前記ディファレンシャルモード(DM)放射量との比
    を示すCM放射量比CM/DM(a,b,d)を次式 【数5】 により算出し、 このCM放射量比CM/DM(a,b,d)に基づき、
    前記配線の主(MAJ)放射量とディファレンシャルモ
    ード(DM)放射量との比を示すMAJ放射量比MAJ
    /DM(a,b,d)を次式 【数6】 により算出し、 前記CM放射量比と前記ディファレンシャルモード(D
    M)放射量とに基づき、前記配線のコモンモード(C
    M)放射量を算出し、 前記MAJ放射量比と前記ディファレンシャルモード
    (DM)放射量とに基づき、前記配線の主(MAJ)放
    射量を算出することを特徴とするプリント回路基板設計
    支援方法。
  16. 【請求項16】 グランドプレーンを有するプリント回
    路基板、このプリント回路基板に形成された配線、およ
    びこのプリント回路基板に実装される部品のそれぞれに
    関する設計情報を基にして、前記配線に起因して生ずる
    電磁放射の放射量を算出することにより前記プリント回
    路基板の設計を支援するプリント回路基板設計支援装置
    で用いられるプリント回路基板設計支援方法であって、 前記プリント回路基板設計支援装置の演算手段で、 前記配線に起因して生ずる電磁放射の主な放射量を示す
    主(MAJ)放射量として、前記配線から生ずる電磁放
    射のディファレンシャルモード(DM)放射量と、前記
    配線に対応して前記グランドプレーンから生ずる電磁放
    射のコモンモード(CM)放射量との和に相当する放射
    量を算出することを特徴とするプリント回路基板設計支
    援方法。
  17. 【請求項17】 グランドプレーンを有するプリント回
    路基板、このプリント回路基板に形成された配線、およ
    びこのプリント回路基板に実装される部品のそれぞれに
    関する設計情報を基にして、前記配線に起因して生ずる
    電磁放射の放射量を算出することにより前記プリント回
    路基板の設計を支援するプリント回路基板設計支援装置
    に設けられたコンピュータで、 前記配線に対応して前記グランドプレーンから生ずる電
    磁放射のコモンモード(CM)放射量と前記配線から生
    ずる電磁放射のディファレンシャルモード(DM)放射
    量との比を示すCM放射量比に基づき、前記配線のコモ
    ンモード(CM)放射量を算出する処理を実行させるた
    めのプログラム。
  18. 【請求項18】 請求項17記載のプログラムにおい
    て、 前記配線に起因して生ずる電磁放射の主な放射量を示す
    主(MAJ)放射量として、前記配線のディファレンシ
    ャルモード(DM)放射量とコモンモード(CM)放射
    量との和に相当する放射量を算出する処理をさらに実行
    させるためのプログラム。
  19. 【請求項19】 請求項18記載のプログラムにおい
    て、 前記両処理として、 前記設計情報に基づき前記配線のディファレンシャルモ
    ード(DM)放射量を算出するステップと、 予め得られた、プリント回路基板の大きさおよび当該プ
    リント回路基板上での配線の位置とCM放射量比との関
    係に基づき、前記プリント回路基板の大きさと当該プリ
    ント回路基板上での前記配線の位置に応じたCM放射量
    比を算出するステップと、 このCM放射量比とディファレンシャルモード(DM)
    放射量とに基づき、前記配線のコモンモード(CM)放
    射量を算出するステップと、 前記CM放射量比に基づき、前記配線の主(MAJ)放
    射量とディファレンシャルモード(DM)放射量との比
    を示すMAJ放射量比を算出するステップと、 このMAJ放射量比と前記ディファレンシャルモード
    (DM)放射量とに基づき前記配線の主(MAJ)放射
    量を算出するステップとを実行させるためのプログラ
    ム。
  20. 【請求項20】 請求項18記載のプログラムにおい
    て、 前記両処理として、 前記設計情報に基づき前記配線のディファレンシャルモ
    ード(DM)放射量を算出するステップと、 前記配線と対向する前記グランドプレーンの、当該配線
    と平行な方向の幅をa、当該配線と直交する方向の幅を
    b、前記グランドプレーン端から当該配線までの距離を
    dとした場合、前記配線のコモンモード(CM)放射量
    と前記ディファレンシャルモード(DM)放射量との比
    を示すCM放射量比CM/DM(a,b,d)を次式 【数7】 により算出するステップと、 このCM放射量比CM/DM(a,b,d)に基づき、
    前記配線の主(MAJ)放射量とディファレンシャルモ
    ード(DM)放射量との比を示すMAJ放射量比MAJ
    /DM(a,b,d)を次式 【数8】 により算出するステップと、 前記CM放射量比と前記ディファレンシャルモード(D
    M)放射量とに基づき、前記配線のコモンモード(C
    M)放射量を算出するステップと、 前記MAJ放射量比と前記ディファレンシャルモード
    (DM)放射量とに基づき、前記配線の主(MAJ)放
    射量を算出するステップとを実行させるためのプログラ
    ム。
  21. 【請求項21】 グランドプレーンを有するプリント回
    路基板、このプリント回路基板に形成された配線、およ
    びこのプリント回路基板に実装される部品のそれぞれに
    関する設計情報を基にして、前記配線に起因して生ずる
    電磁放射の放射量を算出することにより前記プリント回
    路基板の設計を支援するプリント回路基板設計支援装置
    に設けられたコンピュータで、 前記配線に起因して生ずる電磁放射の主な放射量を示す
    主(MAJ)放射量として、前記配線から生ずる電磁放
    射のディファレンシャルモード(DM)放射量と、前記
    配線に対応して前記グランドプレーンから生ずる電磁放
    射のコモンモード(CM)放射量との和に相当する放射
    量を算出する処理を実行させるためのプログラム。
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JPWO2022070329A1 (ja) * 2020-09-30 2022-04-07

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Yuvaraj et al. Electromagnetic interference noise mitigation technique in high speed signal circuits using electromagnetic band gap structure

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