JP4086870B2 - プリント回路基板設計支援装置、方法およびプログラム - Google Patents
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ディファレンシャルモード放射とは、信号配線が作る閉回路がループアンテナと同じように働き、放射するものである。例えば、一般的な例として、送信側ICと受信側ICが配線パターンとグランドプレーンとで構成されるマイクロストリップ線路でつながっている場合には、この配線パターンを流れる電流とグランドプレーンを中心とした配線パターンの鏡像電流とが閉ループの電流として流れ、これがループアンテナと同じような放射を起こすものである。例えば、IEICE TRAN. COMMUN.,VOL.E78-B, NO.2 FEBRUARY 1995 ”Prediction of Peak Frequencies on Electromagnetic Emission from a Signal Line on a Printed Circuit Board”にその詳細が述べられている。
しかしながら、このような電磁界シミュレータで多数の信号配線を持つ大規模なプリント回路基板の放射量を計算する場合、大きなメモリーを用意しなければならず、かつ、計算時間も非常にかかるため、基板設計と並行に電磁界シミュレーションを行うことは現状非常に難しい。
プリント回路基板に形成されている配線に起因して生ずる電磁放射の放射量を算出することによりプリント回路基板の設計を支援するプリント回路基板設計支援装置で用いられるプリント回路基板設計支援方法であって、入力手段により、プリント基板に形成されているグランドプレーンと配線に関する第1の設計情報を入力し、第1の記憶手段により、入力手段で入力された第1の設計情報を記憶し、抽出手段により、第1の設計情報から所望の配線に関する第2の設計情報を抽出し、第2の記憶手段により、抽出手段で抽出した第2の設計情報を記憶し、演算手段により、第2の記憶手段から第2の設計情報を読み出し、この第2の設計情報に基づいて配線から生ずる電磁放射のディファレンシャルモード(DM)放射量を算出し、第2の設計情報に基づいて配線に対応してグランドプレーンから生ずるコモンモード(CM)放射量とディファレンシャルモード(DM)放射量との比を示すCM放射量比を算出し、このCM放射量比に基づいて配線に起因して生ずる電磁放射全体の主な放射量を示す主(MAJ)放射量とディファレンシャルモード(DM)放射量との比を示すMAJ放射量比を算出し、このMAJ放射量比とディファレンシャルモード(DM)放射量とに基づいて主(MAJ)放射量を算出するようにしたものである。
まず、プリント回路基板からの電磁放射が信号配線からのディファレンシャルモード(DM)放射とグランドプレーンからのコモンモード(CM)放射の合成であることを、図を参照して説明する。
一方、グランドプレーンは信号配線に沿った方向に励振されるため、グランドプレーン長辺がダイポールアンテナとして働く。このダイポールアンテナによる放射がCM放射である。これら2つのアンテナからの放射が合成されることで、プリント回路基板からの最大放射が決まる。
ここで測定している電磁波(30MHz〜1GHz)では、より波長の短い光とは異なり、特定の位置でそのレベルが急激に大きくなることはほとんどない。そのため、この3つの直交する観測面を見ることで、本基板からの最大放射レベルは抜けなく観測されることになる。また図15の観測面θ=0゜における垂直偏波(Eφ)と図16の観測面φ=0゜における水平偏波(Eφ)は、ちょうど同じ位置の同じ偏波である。この位置に図15および図16の最もレベルの高い位置がくるので、これらが本基板からの最大放射を示すことになる。
図中、「■」(四角(黒))は放射電界の測定結果から上記係数を求めた結果、実線は市販のFDTD(Finite Difference Time Domain)電磁界シミュレータによって求めた結果である。
図1は本発明の一実施の形態にかかるプリント回路基板設計支援装置の構成を示すブロック図である。
プリント回路基板設計支援装置1は、グランドプレーンを有するプリント回路基板、このプリント回路基板に形成された配線、およびこのプリント回路基板に実装される部品のそれぞれに関する設計情報を基にして、そのプリント回路基板の配線に起因して生ずる電磁放射の放射量を算出することによりプリント回路基板の設計を支援する装置である。このプリント回路基板設計支援装置1は、入力装置2、記憶装置3、データ処理装置4、出力装置5およびプログラム4aから構成されている。
記憶装置3は、上記放射量を算出するのに必要な各種情報を記憶するための装置である。この記憶装置3には、入力手段a6によって入力された基板、部品および配線に関する設計情報を記憶する記憶手段a9、後述する抽出手段13が入力手段b7で入力した配線名に基づいて記憶手段a9より抽出した、電磁放射量を計算する配線に関する設計情報を記憶する記憶手段b10、後述する演算手段14の計算結果である主放射量、CM放射量、DM放射量を記憶する記憶手段c11、および入力手段c8によって入力した各配線によって生ずる主放射量の限度値を記憶する記憶手段d12が設けられている。
プログラム4aは、データ処理装置4に読み込まれ、そのコンピュータで所望の放射量の算出処理を実行させるためのプログラムである。このプログラム4aは、CD−ROMやフレキシブルディスクなどの記録媒体に格納されており、必要に応じてデータ処理装置4に接続された記憶装置3やハードディスクなどのデータ蓄積装置(図示せず)に予め転送し、ここからデータ処理装置4へ読み込むようにしてもよい。
これら機能手段としては、プリント回路基板に形成されている配線から生ずる電磁放射のディファレンシャルモード放射量(以下、DM放射量という)を算出するDM放射量算出手段16、配線に対応してプリント回路基板のグランドプレーンから生ずる電磁放射のコモンモード放射量(以下、CM放射量という)とDM放射量との比を示すCM放射量比(CM/DM)を算出するCM放射量比算出手段17、配線に起因して生ずる電磁放射全体の主な放射量を示す主放射量(以下、MAJ放射量という)とDM放射量との比を示すMAJ放射量比(MAJ/DM)を算出する,MAJ放射量比算出手段18、CM放射量比とDM放射量とからCM放射量を算出するCM放射量算出手段19、およびMAJ放射量比とDM放射量とからMAJ放射量を算出するMAJ放射量算出手段20が設けられている。
(S2)記憶手段a9によって、上記情報を記憶する。
(S3)入力手段b7によって、電磁放射を計算する配線名を入力する。
(S4)抽出手段13によって、上記配線名に対応した配線情報およびその配線と関係する基板、部品情報を記憶手段a9から抽出する。
(S5)記憶手段b10によって、上記抽出結果を記憶する。
(S6)演算手段14によって、記憶手段b10に記憶された情報をもとにこの対象としている配線による主放射量、CM放射量、DM放射量を計算する。
(S7)記憶手段c11によって、計算した各放射量を記憶する。
(S9)比較手段15によって、記憶手段c11に記憶した主放射量の計算結果と、記憶手段d12に記憶した主放射量の限度値との大小を比較する。
(S10)上記比較結果と各配線の主放射量、CM放射量、DM放射量を出力装置5に出力し、本動作が終了する。
パッシブ部品の電気回路情報としては、その部品名と端子名と端子間の抵抗値、インダクタンス値、キャパシタンス値、コンダクタンス値などを取り込む。アクティブ部品の電気回路情報としては、その部品名と端子名とその端子における電流−電圧特性、出力波形の立ち上がり/立ち下がり時間、振幅、パルス幅、デューティー比などを取り込む。
(S6−1)DM放射量算出手段16において、記憶手段b10に記憶した配線情報およびその配線に関係する部品や基板の情報の中から、DM放射量を計算する配線を選ぶ(図4参照)。図4の例では、グランドプレーン21と対向して形成される信号配線22に関する情報が選択されている。
(S6−2)この配線を直交する2方向X,Yに沿って、X、Y各座標成分の要素(NX1、NY1、NX2)に分割する(図5参照)。図5の例は、図4に示した信号配線22をX、Y各座標成分で分割したものである。
(S6−4)この配線と対向するグランドプレーンの2方向の幅(a、b)を抽出する(図7参照)。図7の例では、図4に示したグランドプレート21のY方向、X方向のそれぞれの幅a、bが示されている。
(S6−5)各配線要素からそれと平行なグランドプレーン端までの距離(dX1、dY1、dX2)を抽出する(図8参照)。図8の例では、信号配線22の要素NX1、NX2からグランドプレーン21の下側(図面に向かって下側)の端までの距離がそれぞれdX1、dX2で示され、信号配線22の要素NY1からグランドプレーン21の左側(図面に向かって左側)の端までの距離がdY1で示されている。
(S6−7)CM放射量比算出手段17において、各配線要素におけるCM放射量比(CM/DM)を計算するとともに、MAJ放射量比算出手段18において、各配線要素におけるMAJ放射量比(MAJ/DM)を算出する(図10参照)。図10の例では、図5に示したX、Y各座標成分の要素NX1、NY1、NX2についてそれぞれCM/DMおよびMAJ/DMを算出している。
(S6−9)他に放射量を計算する配線が残っていれば(S6−1)に戻り、なければ(S6)を終了する。
ここで、Lは配線要素の長さ、hはグランドプレーンから配線までの高さ、rは放射量の観測距離、I(f)は電流値、fは周波数である。配線長lや配線高さhは基板の設計情報から抽出できる。観測距離rは電磁放射の規格から3mもしくは10mが基本である。この式は公知の式である。例えば、PROCEEDINGS OF 1987 IEEE INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON ELECTROMAGNETIC COMPATIBILITY ”RADIATED EMISSIONS FROM COMMON-MODE CURRENTS”などに紹介されている。電流値I(f)を求める方法としては色々な方法があるが、例えば、信号配線の送信側ICの出力端子での電流として定義し、次式より求める方法がある。
ここで、Zoutは送信ICの出力インピーダンス、Rdampは送信ICに直列につながるダンピング抵抗、Zloadは受信側ICの負荷インピーダンス、Zcは配線の特性インピーダンス、β(f)は信号配線における位相定数である。
この式は、最大(MAJ)放射量がDM放射量とCM放射量の単純な和として表せることを表現している。この関係は、先に説明した図14から図16の結果に基づいたもので、本発明者が見いだしたものである。
また、CM/DM(a,b,d)は次式より求めることができる。
この式は、配線がグランドプレーン端に近づくほど、CM/DMの値が指数関数的に増加することを示している。このように、この関係式を指数関数で表現したのは、先に説明した図21や、後述する図11、図12の電磁界シミュレーション結果にあるように、CM/DMの比率が、配線パターンとグランドプレーン端との距離が近づくほど、指数関数的に増加する結果を、測定および電磁界シミュレーションから得たためである。ここで、10の階乗の式になっているのは、dB(デービー)をリニアに変更するためである。
ここで、y0(a,b)はグランドプレーン中央に配線を配置した場合のCM/DM[dB]の値で、グランドプレーンの幅aとbによって決まる。また、t(a,b)は式(6)の指数関数の傾きを決める係数で、これもaとbによって決まる。式(7)、(8)は、後述する図11、図12の結果を元にして作成した。グランドプレーンの縦横比(a/b)が変わらない場合には、グランドプレーン中央でのCM/DMの比率が変わらないことを、本発明者が見いだしたためである。
グランドプレーンの大きさが300mm×100mm、300mm×200mm、300mm×300mmの場合について計算した結果である。グランドプレーン端の真上では多少差があるが、それ以外の位置においてCM/DM、MAJ/DMとも、計算結果とシミュレーション結果がよく一致していることが確認できる。また、この電磁界シミュレーションによる計算時間は、各点に対して約48時間かかったが、この計算式を用いれば、それが各点に対して1秒以下であった。
Claims (4)
- プリント回路基板に形成されている配線に起因して生ずる電磁放射の放射量を算出することにより前記プリント回路基板の設計を支援するプリント回路基板設計支援装置であって、
プリント基板に形成されているグランドプレーンと配線に関する第1の設計情報を入力する入力手段と、
前記入力手段により入力された第1の設計情報を記憶する第1の記憶手段と、
前記第1の設計情報から所望の配線に関する第2の設計情報を抽出する抽出手段と、
前記抽出手段で抽出した前記第2の設計情報を記憶する第2の記憶手段と、
前記第2の記憶手段から前記第2の設計情報を読み出し、この第2の設計情報に基づいて前記配線から生ずる電磁放射のディファレンシャルモード(DM)放射量の最大値と前記配線に対応して前記グランドプレーンから生ずるコモンモード(CM)放射量の最大値との和に相当する放射量を、前記配線に起因して生ずる電磁放射全体の主な放射量を示す主(MAJ)放射量として算出する演算手段と
を備えることを特徴とするプリント回路基板設計支援装置。 - 請求項1記載のプリント回路基板設計支援装置において、
前記演算手段は、
前記第2の設計情報に基づき前記配線のディファレンシャルモード(DM)放射量を算出するDM放射量算出手段と、
前記第2の設計情報に基づき前記配線のコモンモード(CM)放射量とディファレンシャルモード(DM)放射量との比を示すCM放射量比を算出するCM放射量比算出手段と、
このCM放射量比算出手段で算出されたCM放射量比に基づいて前記配線の主(MAJ)放射量とディファレンシャルモード(DM)放射量との比を示すMAJ放射量比を算出するMAJ放射量比算出手段と、
前記MAJ放射量比算出手段で算出されたMAJ放射量比と前記DM放射量算出手段で算出されたディファレンシャルモード(DM)放射量とに基づいて前記配線の主(MAJ)放射量を算出するMAJ放射量算出手段と
を有することを特徴とするプリント回路基板設計支援装置。 - プリント回路基板に形成されている配線に起因して生ずる電磁放射の放射量を算出することにより前記プリント回路基板の設計を支援するプリント回路基板設計支援装置で用いられるプリント回路基板設計支援方法であって、
入力手段により、プリント基板に形成されているグランドプレーンと配線に関する第1の設計情報を入力し、
第1の記憶手段により、前記入力手段で入力された第1の設計情報を記憶し、
抽出手段により、前記第1の設計情報から所望の配線に関する第2の設計情報を抽出し、
第2の記憶手段により、前記抽出手段で抽出した前記第2の設計情報を記憶し、
演算手段により、前記第2の記憶手段から第2の設計情報を読み出し、この第2の設計情報に基づいて前記配線から生ずる電磁放射のディファレンシャルモード(DM)放射量を算出し、前記第2の設計情報に基づいて前記配線に対応して前記グランドプレーンから生ずるコモンモード(CM)放射量とディファレンシャルモード(DM)放射量との比を示すCM放射量比を算出し、このCM放射量比に基づいて前記配線に起因して生ずる電磁放射全体の主な放射量を示す配線の主(MAJ)放射量とディファレンシャルモード(DM)放射量との比を示すMAJ放射量比を算出し、このMAJ放射量比と前記ディファレンシャルモード(DM)放射量とに基づいて前記主(MAJ)放射量を算出する
ことを特徴とするプリント回路基板設計支援方法。 - プリント回路基板に形成されている配線に起因して生ずる電磁放射の放射量を算出することにより前記プリント回路基板の設計を支援するプリント回路基板設計支援装置に設けられたコンピュータに、
入力手段により、プリント基板に形成されているグランドプレーンと配線に関する第1の設計情報を入力する入力ステップと、
第1の記憶手段により、前記入力手段で入力された第1の設計情報を記憶する第1の記憶ステップと、
抽出手段により、前記第1の設計情報から所望の配線に関する第2の設計情報を抽出する抽出ステップと、
第2の記憶手段により、前記抽出手段で抽出した前記第2の設計情報を記憶する第2の記憶ステップと、
演算手段により、前記第2の記憶手段から第2の設計情報を読み出すステップと、この第2の設計情報に基づいて前記配線から生ずる電磁放射のディファレンシャルモード(DM)放射量を算出するDM放射量算出ステップと、前記第2の設計情報に基づいて前記配線に対応して前記グランドプレーンから生ずるコモンモード(CM)放射量とディファレンシャルモード(DM)放射量との比を示すCM放射量比を算出するCM放射量比算出ステップと、このCM放射量比算出ステップで算出されたCM放射量比に基づいて前記配線に起因して生ずる電磁放射全体の主な放射量を示す主(MAJ)放射量とディファレンシャルモード(DM)放射量との比を示すMAJ放射量比を算出するMAJ放射量比算出ステップと、前記MAJ放射量比算出ステップで算出されたMAJ放射量比と前記DM放射量算出ステップで算出されたディファレンシャルモード(DM)放射量とに基づいて前記配線の主(MAJ)放射量を算出するMAJ放射量算出ステップと
を実行させるためのプログラム。
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