JP2003075669A - 光導波路の製造方法 - Google Patents
光導波路の製造方法Info
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- JP2003075669A JP2003075669A JP2001264570A JP2001264570A JP2003075669A JP 2003075669 A JP2003075669 A JP 2003075669A JP 2001264570 A JP2001264570 A JP 2001264570A JP 2001264570 A JP2001264570 A JP 2001264570A JP 2003075669 A JP2003075669 A JP 2003075669A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 所望の光回路特性を歩留りよく得ることがで
きる光導波路の製造方法を提供することにある。 【解決手段】 光が導波するコア４，４を、コア４，４
より屈折率が低いクラッド５で埋め込む構造を備えた光
導波路６の製造方法において、光回路となるコア４，４
を、エキシマレーザーＬ１を照射して形成するものであ
る。
きる光導波路の製造方法を提供することにある。 【解決手段】 光が導波するコア４，４を、コア４，４
より屈折率が低いクラッド５で埋め込む構造を備えた光
導波路６の製造方法において、光回路となるコア４，４
を、エキシマレーザーＬ１を照射して形成するものであ
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光導波路の製造方
法に係り、特に、エキシマレーザーを使用して光導波路
の特性向上を図った光導波路の製造方法に関するもので
ある。
法に係り、特に、エキシマレーザーを使用して光導波路
の特性向上を図った光導波路の製造方法に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】図４に示すように、光導波路４０は、石
英ガラスなどの基板４１上に屈折率の高いコアガラス
（導波路）を形成し、そのコアガラスをエッチングして
所望の形状に形成して光回路となるコア４２，４２と
し、コア４２，４２の周囲を屈折率の低いクラッド層４
３で囲んだ構造としたものであり、光ファイバとの整合
性がよいことから光通信における実用的な光部品として
期待されている。
英ガラスなどの基板４１上に屈折率の高いコアガラス
（導波路）を形成し、そのコアガラスをエッチングして
所望の形状に形成して光回路となるコア４２，４２と
し、コア４２，４２の周囲を屈折率の低いクラッド層４
３で囲んだ構造としたものであり、光ファイバとの整合
性がよいことから光通信における実用的な光部品として
期待されている。
【０００３】従来の光導波路の製造方法として、例え
ば、石英ガラス基板４１上に、電子ビーム蒸着法により
組成ＳｉＯ2 −ＴｉＯ2 のコア膜を６〜１０μｍの厚さ
で形成し、そのコア膜を、フォトリソグラフィー及び反
応性イオンエッチングを用いて光回路となるコア４２，
４２を形成し、さらにコア４２，４２上に、プラズマＣ
ＶＤ（Chemical Vapour Deposition：化学気相堆積）法
によりＳｉＯ2 からなるクラッド層４３を形成して光導
波路４０を製造する方法がある。
ば、石英ガラス基板４１上に、電子ビーム蒸着法により
組成ＳｉＯ2 −ＴｉＯ2 のコア膜を６〜１０μｍの厚さ
で形成し、そのコア膜を、フォトリソグラフィー及び反
応性イオンエッチングを用いて光回路となるコア４２，
４２を形成し、さらにコア４２，４２上に、プラズマＣ
ＶＤ（Chemical Vapour Deposition：化学気相堆積）法
によりＳｉＯ2 からなるクラッド層４３を形成して光導
波路４０を製造する方法がある。
【０００４】基板４１として石英ガラスの他にシリコン
基板を用い、石英系ガラスで下部クラッド層を形成し、
その下部クラッド層上に上述した方法で導波路を形成す
ることもできる。
基板を用い、石英系ガラスで下部クラッド層を形成し、
その下部クラッド層上に上述した方法で導波路を形成す
ることもできる。
【０００５】また、電子ビーム蒸着法やプラズマＣＶＤ
法の代わりに、火炎堆積法を用いて光導波路４０を作製
することもできる。
法の代わりに、火炎堆積法を用いて光導波路４０を作製
することもできる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題 】しかしながら、従来
の製造方法により光導波路を製造する場合、プラズマＣ
ＶＤ法でクラッド層４３を形成するには、図５に示すよ
うな光導波路５０のコア４２，４２の間隔が狭い所にお
いての埋め込みが本質的に不十分であるため、光導波路
５０内にボイド５１が発生し光導波路５０として所望の
特性を得ることができないという問題がある。
の製造方法により光導波路を製造する場合、プラズマＣ
ＶＤ法でクラッド層４３を形成するには、図５に示すよ
うな光導波路５０のコア４２，４２の間隔が狭い所にお
いての埋め込みが本質的に不十分であるため、光導波路
５０内にボイド５１が発生し光導波路５０として所望の
特性を得ることができないという問題がある。
【０００７】また、火炎堆積法は、コアの間隔が狭い所
へのガラス（クラッド層）形成は優れているが、生成さ
れるＳｉＯ2 −Ｂ2 Ｏ3 −Ｐ2 Ｏ5 系多孔質ガラス層は
透明ガラス化時において１３００℃以上の高温熱処理を
施す必要がある。
へのガラス（クラッド層）形成は優れているが、生成さ
れるＳｉＯ2 −Ｂ2 Ｏ3 −Ｐ2 Ｏ5 系多孔質ガラス層は
透明ガラス化時において１３００℃以上の高温熱処理を
施す必要がある。
【０００８】この結果、図６に示すように、高温熱処理
の際に石英ガラス基板やクラッド層に変形及び収縮が生
じ、変形した基板６１、変形したクラッド層６３となっ
てしまう。このため、光導波路６０端面におけるコア６
２，６２の間隔は設計値とずれ、複数の光ファイバとガ
ラス導波路を接続固定する際、光導波路６０のコア６
２，６２と光ファイバの接続損失が増加するという問題
がある。
の際に石英ガラス基板やクラッド層に変形及び収縮が生
じ、変形した基板６１、変形したクラッド層６３となっ
てしまう。このため、光導波路６０端面におけるコア６
２，６２の間隔は設計値とずれ、複数の光ファイバとガ
ラス導波路を接続固定する際、光導波路６０のコア６
２，６２と光ファイバの接続損失が増加するという問題
がある。
【０００９】そこで、本発明の目的は、所望の光回路特
性を歩留りよく得ることができる光導波路の製造方法を
提供することにある。
性を歩留りよく得ることができる光導波路の製造方法を
提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するために創案されたものであり、請求項１の発明は、
光が導波するコアを、コアより屈折率が低いクラッドで
埋め込む構造を備えた光導波路の製造方法において、光
回路となるコアを、エキシマレーザーを照射して形成す
る光導波路の製造方法である。
するために創案されたものであり、請求項１の発明は、
光が導波するコアを、コアより屈折率が低いクラッドで
埋め込む構造を備えた光導波路の製造方法において、光
回路となるコアを、エキシマレーザーを照射して形成す
る光導波路の製造方法である。
【００１１】請求項２の発明は、石英基板上に、ＳｉＯ
2 に少なくとも１種類以上のドーパントを混入して石英
基板と屈折率を等しくしたガラス膜を形成し、このガラ
ス膜にエキシマレーザーを直接照射し、光回路となるコ
アを形成する請求項１記載の光導波路の製造方法であ
る。
2 に少なくとも１種類以上のドーパントを混入して石英
基板と屈折率を等しくしたガラス膜を形成し、このガラ
ス膜にエキシマレーザーを直接照射し、光回路となるコ
アを形成する請求項１記載の光導波路の製造方法であ
る。
【００１２】請求項３の発明は、石英基板上に、ＳｉＯ
2 に少なくとも１種類以上のドーパントを混入して石英
基板と屈折率を等しくしたガラス膜を形成し、このガラ
ス膜にフォトマスクを介してエキシマレーザーを照射
し、光回路となるコアを形成する請求項１記載の光導波
路の製造方法である。
2 に少なくとも１種類以上のドーパントを混入して石英
基板と屈折率を等しくしたガラス膜を形成し、このガラ
ス膜にフォトマスクを介してエキシマレーザーを照射
し、光回路となるコアを形成する請求項１記載の光導波
路の製造方法である。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の好適実施の形態を
添付図面にしたがって説明する。
添付図面にしたがって説明する。
【００１４】図１（ａ）〜（ｃ）は、本発明の好適実施
の形態である光導波路の製造工程を示す概略図である。
の形態である光導波路の製造工程を示す概略図である。
【００１５】図１（ａ）〜（ｃ）に示すように、本発明
に係る光導波路の製造方法は、平坦な石英基板１上に、
ＳｉＯ2 に少なくとも１種類以上のドーパントを混入し
て石英基板１と屈折率を等しくした平坦なガラス膜２を
形成し、ガラス膜２の上方に、光回路のパターンが形成
されたフォトマスク３を配置し、そのフォトマスク３の
上方より、ガラス膜２にエキシマレーザーＬ１を照射し
て光回路となるコア４，４を形成し、ガラス膜２上に、
コア４，４よりも屈折率が低い平坦なクラッド層５を形
成して光導波路６を製造する方法である。この光導波路
６は、コア４，４をクラッド層５で埋め込む構造となっ
ている。より詳細に言えば、コア４，４は、石英基板
１、エキシマレーザーＬ１が照射されないガラス膜２
ｒ，２ｌ，２ｍ、クラッド層５で覆われている。
に係る光導波路の製造方法は、平坦な石英基板１上に、
ＳｉＯ2 に少なくとも１種類以上のドーパントを混入し
て石英基板１と屈折率を等しくした平坦なガラス膜２を
形成し、ガラス膜２の上方に、光回路のパターンが形成
されたフォトマスク３を配置し、そのフォトマスク３の
上方より、ガラス膜２にエキシマレーザーＬ１を照射し
て光回路となるコア４，４を形成し、ガラス膜２上に、
コア４，４よりも屈折率が低い平坦なクラッド層５を形
成して光導波路６を製造する方法である。この光導波路
６は、コア４，４をクラッド層５で埋め込む構造となっ
ている。より詳細に言えば、コア４，４は、石英基板
１、エキシマレーザーＬ１が照射されないガラス膜２
ｒ，２ｌ，２ｍ、クラッド層５で覆われている。
【００１６】光導波路６の製造方法の一例をより詳細に
説明する。
説明する。
【００１７】まず、平坦な石英基板１上に、プラズマＣ
ＶＤ装置を使用して厚さが６μｍの平坦な石英系ガラス
膜２を形成する［図１（ａ）］。このガラス膜２は、石
英ガラスと屈折率が等しくなるように、ＳｉＯ2 に、ド
ーパントとしての屈折率を上げる作用を持つＧｅＯ2
と、ドーパントとしての屈折率を下げる作用を持つＢ2
Ｏ3 とを適量ドープしたものである。
ＶＤ装置を使用して厚さが６μｍの平坦な石英系ガラス
膜２を形成する［図１（ａ）］。このガラス膜２は、石
英ガラスと屈折率が等しくなるように、ＳｉＯ2 に、ド
ーパントとしての屈折率を上げる作用を持つＧｅＯ2
と、ドーパントとしての屈折率を下げる作用を持つＢ2
Ｏ3 とを適量ドープしたものである。
【００１８】このガラス膜２の上方に、フォトリソグラ
フィーの要領で、光回路のパターンが形成されたフォト
マスク３を配置し、そのフォトマスク３の上方より、ガ
ラス膜２にエキシマレーザーＬ１を照射する［図１
（ｂ）］。
フィーの要領で、光回路のパターンが形成されたフォト
マスク３を配置し、そのフォトマスク３の上方より、ガ
ラス膜２にエキシマレーザーＬ１を照射する［図１
（ｂ）］。
【００１９】ガラス膜２には、屈折率を上げる作用を持
つＧｅＯ2 が混入されているので、ガラス膜２のエキシ
マレーザーＬ１が照射された部分では、ガラス中で弱く
結合していたＧｅ同士の結合が切れ、Ｇｅの酸素欠乏欠
陥の構造が変化し、いわゆる光誘起屈折率変化によって
局所的に屈折率が高くなる。すなわち、ガラス膜２のエ
キシマレーザーＬ１が照射された部分には、光回路とな
るコア４，４が形成される。コア４，４の厚さは、ガラ
ス膜２の厚さと同じである。ガラス膜２のエキシマレー
ザーＬ１が照射されない部分には、石英基板１と同じ屈
折率の側部クラッド層２ｒ，２ｌ，２ｍが形成される。
つＧｅＯ2 が混入されているので、ガラス膜２のエキシ
マレーザーＬ１が照射された部分では、ガラス中で弱く
結合していたＧｅ同士の結合が切れ、Ｇｅの酸素欠乏欠
陥の構造が変化し、いわゆる光誘起屈折率変化によって
局所的に屈折率が高くなる。すなわち、ガラス膜２のエ
キシマレーザーＬ１が照射された部分には、光回路とな
るコア４，４が形成される。コア４，４の厚さは、ガラ
ス膜２の厚さと同じである。ガラス膜２のエキシマレー
ザーＬ１が照射されない部分には、石英基板１と同じ屈
折率の側部クラッド層２ｒ，２ｌ，２ｍが形成される。
【００２０】本実施の形態では、コア４，４と石英基板
１の比屈折率差が０．８％となるようにしている。コア
４，４と石英基板１の比屈折率差は、エキシマレーザー
Ｌ１の照射パワーと照射時間によって所望の値に制御で
きる。
１の比屈折率差が０．８％となるようにしている。コア
４，４と石英基板１の比屈折率差は、エキシマレーザー
Ｌ１の照射パワーと照射時間によって所望の値に制御で
きる。
【００２１】エキシマレーザーＬ１としては、例えば、
波長が０．１９３μｍのＡｒＦエキシマレーザーから波
長が０．３５１μｍのＸｅＦエキシマレーザーまでを使
用することができる。その出力は、〜数十ｋＷ（平均で
〜数十Ｗ）である。
波長が０．１９３μｍのＡｒＦエキシマレーザーから波
長が０．３５１μｍのＸｅＦエキシマレーザーまでを使
用することができる。その出力は、〜数十ｋＷ（平均で
〜数十Ｗ）である。
【００２２】それから、再びプラズマＣＶＤ装置を使用
して平坦なクラッド層５となる厚さが２０μｍのＳｉＯ
2 膜を形成すると、図１（ｃ）に示した光導波路６が完
成する。クラッド層５にはドーパントは含まれていな
い。
して平坦なクラッド層５となる厚さが２０μｍのＳｉＯ
2 膜を形成すると、図１（ｃ）に示した光導波路６が完
成する。クラッド層５にはドーパントは含まれていな
い。
【００２３】以上のようにして作製された光導波路６を
ダイサーで切り出し、光学特性を評価したところ、光回
路設計値通りの特性を得ることができた。
ダイサーで切り出し、光学特性を評価したところ、光回
路設計値通りの特性を得ることができた。
【００２４】このように、本発明に係る光導波路の製造
方法では、ドーパントが添加された平坦なガラス膜２に
エキシマレーザーを照射しているので、図３（ａ）に示
すように、ガラス膜２のエキシマレーザーが照射された
部分は、混入されたドーパントの影響で屈折率が上が
り、平面上にガラス膜２の厚さと同じ厚さのコア４，４
が形成される。
方法では、ドーパントが添加された平坦なガラス膜２に
エキシマレーザーを照射しているので、図３（ａ）に示
すように、ガラス膜２のエキシマレーザーが照射された
部分は、混入されたドーパントの影響で屈折率が上が
り、平面上にガラス膜２の厚さと同じ厚さのコア４，４
が形成される。
【００２５】したがって、従来の製造方法で形成される
図３（ｂ）に示すようなコア４２，４２とは異なり、製
造過程で段差が生じることがなくなるため、狭いコア
４，４間隔内にＣＶＤ法でクラッド層を形成する必要が
なく、ボイドが発生することはない。
図３（ｂ）に示すようなコア４２，４２とは異なり、製
造過程で段差が生じることがなくなるため、狭いコア
４，４間隔内にＣＶＤ法でクラッド層を形成する必要が
なく、ボイドが発生することはない。
【００２６】すなわち、本発明に係る光導波路の製造方
法では、ガラス膜２にエキシマレーザーＬ１を照射する
と、光回路となるコア４，４が形成されると同時に、コ
ア４，４が側部クラッド層２ｒ，２ｌ，２ｍに埋め込ま
れた構造ができあがるので、平面上にクラッド層を容易
にかつ高精度で形成することができる。
法では、ガラス膜２にエキシマレーザーＬ１を照射する
と、光回路となるコア４，４が形成されると同時に、コ
ア４，４が側部クラッド層２ｒ，２ｌ，２ｍに埋め込ま
れた構造ができあがるので、平面上にクラッド層を容易
にかつ高精度で形成することができる。
【００２７】また、火炎堆積法を用いる必要がなくな
り、基板に反りや収縮が起きることを防ぐことが可能で
ある。その結果、所望の光回路特性を歩留りよく得るこ
とができる。
り、基板に反りや収縮が起きることを防ぐことが可能で
ある。その結果、所望の光回路特性を歩留りよく得るこ
とができる。
【００２８】本実施の形態では、設計したい光回路のパ
ターンに応じてフォトマスクを取り換えれば、フォトマ
スクの全面にエキシマレーザーＬ１を照射することがで
きるので、エキシマレーザーの光源を移動させる手段が
不要であり、同一基板上に複雑な光回路となるコアを一
括して形成できる。
ターンに応じてフォトマスクを取り換えれば、フォトマ
スクの全面にエキシマレーザーＬ１を照射することがで
きるので、エキシマレーザーの光源を移動させる手段が
不要であり、同一基板上に複雑な光回路となるコアを一
括して形成できる。
【００２９】次に、第２の実施の形態を説明する。
【００３０】図２（ａ）〜（ｃ）は、第２の実施の形態
である光導波路の製造工程を示す概略図である。
である光導波路の製造工程を示す概略図である。
【００３１】まず、平坦な石英基板１上に、プラズマＣ
ＶＤ装置を使用して厚さが６μｍの平坦な石英系ガラス
膜２を形成する［図２（ａ）］。このガラス膜２は、石
英ガラスと屈折率が等しくなるように、ＳｉＯ2 に、ド
ーパントとしての屈折率を上げる作用を持つＧｅＯ2
と、ドーパントとしての屈折率を下げる作用を持つＢ2
Ｏ3 とを適量ドープしたものである。
ＶＤ装置を使用して厚さが６μｍの平坦な石英系ガラス
膜２を形成する［図２（ａ）］。このガラス膜２は、石
英ガラスと屈折率が等しくなるように、ＳｉＯ2 に、ド
ーパントとしての屈折率を上げる作用を持つＧｅＯ2
と、ドーパントとしての屈折率を下げる作用を持つＢ2
Ｏ3 とを適量ドープしたものである。
【００３２】ガラス膜２上に、ＥＢ（Electron Beam：
電子ビーム）描画の要領でエキシマレーザーＬ２を直接
照射し、光回路のパターンをガラス膜２上に描画し、コ
ア２４，２４と石英基板１の比屈折率差が０．８％の光
回路となるコア２４，２４を形成する［図２（ｂ）］。
コア２４，２４と石英基板１との比屈折率差はエキシマ
レーザーＬ２の照射パワーと照射時間によって所望の値
に制御できる。
電子ビーム）描画の要領でエキシマレーザーＬ２を直接
照射し、光回路のパターンをガラス膜２上に描画し、コ
ア２４，２４と石英基板１の比屈折率差が０．８％の光
回路となるコア２４，２４を形成する［図２（ｂ）］。
コア２４，２４と石英基板１との比屈折率差はエキシマ
レーザーＬ２の照射パワーと照射時間によって所望の値
に制御できる。
【００３３】エキシマレーザーＬ２としては、例えば、
波長が０．１９３μｍのＡｒＦエキシマレーザーから波
長が０．３５１μｍのＸｅＦエキシマレーザーまでを使
用することができる。その出力は、〜数十ｋＷ（平均で
〜数十Ｗ）である。
波長が０．１９３μｍのＡｒＦエキシマレーザーから波
長が０．３５１μｍのＸｅＦエキシマレーザーまでを使
用することができる。その出力は、〜数十ｋＷ（平均で
〜数十Ｗ）である。
【００３４】それから、再びプラズマＣＶＤ装置を使用
してクラッド５層となる厚さが２０μｍのＳｉＯ2 膜を
形成すると、図２（ｃ）に示した光導波路２６が完成す
る。クラッド層５にはドーパントは含まれない。
してクラッド５層となる厚さが２０μｍのＳｉＯ2 膜を
形成すると、図２（ｃ）に示した光導波路２６が完成す
る。クラッド層５にはドーパントは含まれない。
【００３５】このように作製された光導波路２６をダイ
サーで切り出し、光学特性を評価したところ、光回路設
計値通りの特性を得ることができた。
サーで切り出し、光学特性を評価したところ、光回路設
計値通りの特性を得ることができた。
【００３６】この第２の実施の形態においても、ドーパ
ントが添加された平坦なガラス膜２にエキシマレーザー
を照射しているので、ガラス膜２のエキシマレーザーが
照射された部分は、混入されたドーパントの影響で屈折
率が上がり、平面上にガラス膜２の厚さと同じ厚さのコ
ア２４，２４が形成される。
ントが添加された平坦なガラス膜２にエキシマレーザー
を照射しているので、ガラス膜２のエキシマレーザーが
照射された部分は、混入されたドーパントの影響で屈折
率が上がり、平面上にガラス膜２の厚さと同じ厚さのコ
ア２４，２４が形成される。
【００３７】したがって、従来の製造方法で形成される
図３（ｂ）に示すようなコア４２，４２とは異なり、製
造過程で段差が生じることがなくなるため、狭いコア２
４，２４間隔内にＣＶＤ法でクラッド層を形成する必要
がなく、ボイドが発生することはない。
図３（ｂ）に示すようなコア４２，４２とは異なり、製
造過程で段差が生じることがなくなるため、狭いコア２
４，２４間隔内にＣＶＤ法でクラッド層を形成する必要
がなく、ボイドが発生することはない。
【００３８】すなわち、第２の実施の形態では、ガラス
膜２にエキシマレーザーＬ２を照射すると、光回路とな
るコア２４，２４が形成されると同時に、コア２４，２
４が側部クラッド層２ｒ，２ｌ，２ｍに埋め込まれた構
造ができあがるので、平面上にクラッド層を容易にかつ
高精度で形成することができる。
膜２にエキシマレーザーＬ２を照射すると、光回路とな
るコア２４，２４が形成されると同時に、コア２４，２
４が側部クラッド層２ｒ，２ｌ，２ｍに埋め込まれた構
造ができあがるので、平面上にクラッド層を容易にかつ
高精度で形成することができる。
【００３９】また、火炎堆積法を用いる必要がなくな
り、基板に反りや収縮が起きることを防ぐことが可能で
ある。その結果、所望の光回路特性を歩留りよく得るこ
とができる。
り、基板に反りや収縮が起きることを防ぐことが可能で
ある。その結果、所望の光回路特性を歩留りよく得るこ
とができる。
【００４０】第２の実施の形態では、エキシマレーザー
の光源を移動させる手段が必要となるが、光回路のパタ
ーンごとに異なるフォトマスクを用意する必要がないと
いう利点がある。
の光源を移動させる手段が必要となるが、光回路のパタ
ーンごとに異なるフォトマスクを用意する必要がないと
いう利点がある。
【００４１】上記実施の形態では、石英基板上に、ドー
パントとしてＧｅＯ2 やＢ2 Ｏ3 がドープされたＳｉＯ
2 からなるガラス膜を形成した例で説明したが、石英基
板上に成膜されるガラス膜にドーパントされる材料は、
特にＧｅＯ2 やＢ2 Ｏ3 に限ったものではなく、たとえ
ば、Ｐ2 Ｏ5 等でも同様の効果が得られる。また、エキ
シマレーザーを照射する前の基板を、水素で置換した加
圧炉内に入れておくと、光感受性が高くなるので、屈折
率の上昇が顕著になる。
パントとしてＧｅＯ2 やＢ2 Ｏ3 がドープされたＳｉＯ
2 からなるガラス膜を形成した例で説明したが、石英基
板上に成膜されるガラス膜にドーパントされる材料は、
特にＧｅＯ2 やＢ2 Ｏ3 に限ったものではなく、たとえ
ば、Ｐ2 Ｏ5 等でも同様の効果が得られる。また、エキ
シマレーザーを照射する前の基板を、水素で置換した加
圧炉内に入れておくと、光感受性が高くなるので、屈折
率の上昇が顕著になる。
【００４２】
【発明の効果】以上説明したことから明らかなように、
本発明によれば次のごとき優れた効果を発揮する。
本発明によれば次のごとき優れた効果を発揮する。
【００４３】（１）所望の光回路特性を歩留りよく得る
ことができる。
ことができる。
【００４４】（２）製造過程で段差が生じることがなく
なるため、狭いコア間隔内にＣＶＤ法でクラッド層を形
成する必要がなく、ボイドが発生することはない。
なるため、狭いコア間隔内にＣＶＤ法でクラッド層を形
成する必要がなく、ボイドが発生することはない。
【００４５】（３）火炎堆積法を用いる必要がなくな
り、基板に反りや収縮が起きることを防ぐことが可能で
ある。
り、基板に反りや収縮が起きることを防ぐことが可能で
ある。
【図１】本発明の好適実施の形態を示す製造工程の概略
図である。
図である。
【図２】本発明の第２の実施の形態を示す製造工程の概
略図である。
略図である。
【図３】本発明に係る光導波路のクラッド層形成前の断
面図（ａ）、従来の光導波路のクラッド層形成前の断面
図（ｂ）である。
面図（ａ）、従来の光導波路のクラッド層形成前の断面
図（ｂ）である。
【図４】従来の光導波路の断面図である。
【図５】従来のプラズマＣＶＤ法によりクラッド層を形
成した光導波路の断面図である。
成した光導波路の断面図である。
【図６】従来の火炎堆積法によりクラッド層を形成した
光導波路の断面図である。
光導波路の断面図である。
１ 石英基板
２ ガラス膜
２ｒ，２ｌ，２ｍ 側部クラッド層
３ フォトマスク
４，４ コア
５ クラッド層
６ 光導波路
Ｌ１ エキシマレーザー
Claims (3)
- 【請求項１】 光が導波するコアを、コアより屈折率が
低いクラッドで埋め込む構造を備えた光導波路の製造方
法において、光回路となるコアを、エキシマレーザーを
照射して形成することを特徴とする光導波路の製造方
法。 - 【請求項２】 石英基板上に、ＳｉＯ2 に少なくとも１
種類以上のドーパントを混入して石英基板と屈折率を等
しくしたガラス膜を形成し、このガラス膜にエキシマレ
ーザーを直接照射し、光回路となるコアを形成する請求
項１記載の光導波路の製造方法。 - 【請求項３】 石英基板上に、ＳｉＯ2 に少なくとも１
種類以上のドーパントを混入して石英基板と屈折率を等
しくしたガラス膜を形成し、このガラス膜にフォトマス
クを介してエキシマレーザーを照射し、光回路となるコ
アを形成する請求項１記載の光導波路の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001264570A JP2003075669A (ja) | 2001-08-31 | 2001-08-31 | 光導波路の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001264570A JP2003075669A (ja) | 2001-08-31 | 2001-08-31 | 光導波路の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003075669A true JP2003075669A (ja) | 2003-03-12 |
Family
ID=19091151
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001264570A Pending JP2003075669A (ja) | 2001-08-31 | 2001-08-31 | 光導波路の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003075669A (ja) |
-
2001
- 2001-08-31 JP JP2001264570A patent/JP2003075669A/ja active Pending
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