JP2003075547A - 物体検出装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 簡単な回路構成で差動増幅回路部の減数値で
ある電圧Ｖ２に反射型光センサのオフセット電圧と同値
の電圧を設定できる物体検出装置を得る。 【解決手段】 制御回路部４と、反射型光センサ回路部
１と、反射型光センサ回路部１の出力電圧Ｖ１と制御回
路部４で設定された電圧Ｖ２との差分を増幅する差動増
幅回路部２と、差動増幅回路部２の出力電圧Ｖ３と制御
回路部４で設定された電圧Ｖ４とを比較し、電圧Ｖ４よ
り差動増幅回路部２の出力電圧Ｖ３の方が高ければ出力
電圧をＶＣＣ側に、低ければ出力電圧を０［Ｖ］側に変
化させる、或いは、逆に電圧Ｖ４より差動増幅回路部の
出力電圧Ｖ３の方が高ければ出力電圧を０［Ｖ］側に、
低ければ出力電圧をＶＣＣ側に変化させる比較回路部３
とを有し、制御回路部４は、比較回路部３の出力電圧Ｖ
５に基づいて電圧Ｖ２および電圧Ｖ４を制御するように
する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、物体検出装置に関
し、特に、反射型光センサを使用した物体検知に適用し
て有効な技術に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】光センサは反射型と透過型とに大別でき
るが、複写機、プリンタ、スキャナなどでは、原稿検知
に反射型光センサが数多く利用されている。

【０００３】ここで、反射型光センサには直流光を用い
たものと変調光を用いたものとがある。

【０００４】変調光式では、図３に変調駆動方式の反射
型光センサを示すブロック図として示すように、発光側
にはＬＥＤを変調駆動するためのドライバである変調駆
動回路が、受光側にはフォトトランジスタからの出力を
増幅する増幅器の他に検波回路および波形整形回路が設
けられており、外乱光に強く長距離検出に適したセンサ
になる。

【０００５】また、直流光式では、図４に直流光方式の
反射型光センサを示すブロック図として示すように、発
光側にはＬＥＤに流す電流値を決める抵抗が、受光側に
はフォトトランジスタが設けられたシンプルな回路構成
となっているのが一般的である。

【０００６】また、回路の誤動作をなくすために、被検
出物があるときとないときのセンサの出力電圧差を大き
くする必要があり、センサの取り付けには図５に光セン
サの取り付けの一例を示す説明図として、図６に光セン
サの取り付けの他の一例を示す説明図として、図７に光
センサの取り付けのさらに他の一例を示す説明図として
示すような工夫を行うのが一般的である。

【０００７】すなわち、図５に示す場合は、センサ５０
とその正面に位置する構造物５１との間の距離を十分に
取らないと被検出物通過範囲５２と構造物５１との隙間
が小さくなり、被検出物が存在しないときにセンサ５０
の発光部からの光が構造物５１で乱反射して受光部に戻
ってきてＳ／Ｎ比が下がるので（図５（ａ））、センサ
５０とその正面に位置する構造物５１との間の距離を十
分に取るようにしたものである（図５（ｂ））。

【０００８】また、図５のような対策を施せないケース
などでは、図６に示すように、センサ５０の発光部から
の光が照射される位置に反射率の低い部材５３を取り付
けたり、図７に示すように、センサ５０の発光部から構
造物５１に照射された光を外方に反射する反射部５１ａ
を形成したりする。

【０００９】そして、前述した図３および図４に示す何
れかの反射型光センサも、出力段に接続されているトラ
ンジスタのＶＢＥ電圧が、被検出物があるときにはＯＮ
される電圧よりも十分高く、被検出物がないときにＯＮ
される電圧よりも十分低く出力されるように回路の定数
や取り付けの条件を定めることにより、被検出物を検出
しているときにはトランジスタがＯＮして出力がほぼ０
［Ｖ］、被検出物を検出してないときにはトランジシタ
がＯＦＦして出力はＶＣＣにプルアップされ物体検出装
置として機能する。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】ここで、被検知物の反
射率が低い場合や外乱光がある場合、あるいはセンサ自
体の放たれた光が辺りの構造体により乱反射してセンサ
の受光部で受光される場合は、被検知物の有無で生じる
センサの出力電圧差、Ｓ／Ｎ比が小さくなる。

【００１１】これらの場合は、時として、被検知物の有
無で生じるセンサの出力電圧差よりも、センサ感度によ
る出力電圧のばらつき範囲、経年変化によるセンサの出
力低下による電圧変化量の方が大きくなり、前述した図
３や図４に示す構成では、センサの感度により正常に動
作しなくなるものや、初めは動いていたが時が経つと動
作しなくなるといった不具合が生じてくる。

【００１２】この場合、例えば図８に従来における反射
型光センサの回路構成の一例を示すブロック図として示
すように、センサの出力信号から被検知物がないときの
電圧（以下、「オフセット電圧」という。）を差し引い
た差信号分を増幅させる差動増幅回路部５３と、この差
動増幅回路部５３の出力信号と閾値電圧とを比較する比
較回路部５４で被検出物の有無を判定する技術が考えら
れる。

【００１３】しかし、この場合において、差し引く電圧
としてオフセット電圧を設定するためには、機器の製造
時に調整治具等でオフセット電圧を計測するか、図９に
従来における反射型光センサの回路構成の他の一例を示
すブロック図として示すようにＡ／Ｄ変換器５５を設け
て制御回路部５６にオフセット電圧を読み取らせなくて
はならない。

【００１４】前者の技術では、生産効率が悪く経年変化
によるセンサの感度低下によるオフセット電圧の低下を
補正できない。また、後者の技術では、実際に被検出物
を検知させる動作を行っているときには不要であるＡ／
Ｄ変換器５５が必要となり、機器に数多くのセンサが存
在するときなどは回路が複雑且つ高価になる。

【００１５】そこで、本発明は、調整治具やＡ／Ｄ変換
器を用いない簡単な回路構成で差動増幅回路部の減数値
である電圧Ｖ２に反射型光センサのオフセット電圧と同
値の電圧を設定することのできる物体検出装置を提供す
ることを目的とする。

【００１６】

【課題を解決するための手段】この課題を解決するため
に、本発明の物体検出装置は、装置の動作制御を行う制
御回路部と、被検出物に対して光を照射する発光部と被
検出物から反射された光を受ける受光部を有する反射型
光センサを有する反射型光センサ回路部と、反射型光セ
ンサ回路部の出力電圧Ｖ１と制御回路部で設定された電
圧Ｖ２との差分を増幅する差動増幅回路部と、差動増幅
回路部の出力電圧Ｖ３と制御回路部で設定された電圧Ｖ
４とを比較し、電圧Ｖ４より差動増幅回路部の出力電圧
Ｖ３の方が高ければ出力電圧をＶＣＣ側に、低ければ出
力電圧を０［Ｖ］側に変化させる、或いは、逆に電圧Ｖ
４より差動増幅回路部の出力電圧Ｖ３の方が高ければ出
力電圧を０［Ｖ］側に、低ければ出力電圧をＶＣＣ側に
変化させる比較回路部とを有し、制御回路部は、比較回
路部の出力電圧Ｖ５に基づいて電圧Ｖ２および電圧Ｖ４
を制御するようにしたものである。

【００１７】これにより、調整治具やＡ／Ｄ変換器を用
いない簡単な回路構成により、生産時又は装置を立ち上
げる度にオフセット電圧を測定して差動増幅回路部の減
数値である電圧Ｖ２に反射型光センサのオフセット電圧
と同値の電圧を設定することが可能になる。

【００１８】

【発明の実施の形態】本発明の請求項１に記載の発明
は、装置の動作制御を行う制御回路部と、被検出物に対
して光を照射する発光部と被検出物から反射された光を
受ける受光部を有する反射型光センサを有する反射型光
センサ回路部と、反射型光センサ回路部の出力電圧Ｖ１
と制御回路部で設定された電圧Ｖ２との差分を増幅する
差動増幅回路部と、差動増幅回路部の出力電圧Ｖ３と制
御回路部で設定された電圧Ｖ４とを比較し、電圧Ｖ４よ
り差動増幅回路部の出力電圧Ｖ３の方が高ければ出力電
圧をＶＣＣ側に、低ければ出力電圧を０［Ｖ］側に変化
させる、或いは、逆に電圧Ｖ４より差動増幅回路部の出
力電圧Ｖ３の方が高ければ出力電圧を０［Ｖ］側に、低
ければ出力電圧をＶＣＣ側に変化させる比較回路部とを
有し、制御回路部は、比較回路部の出力電圧Ｖ５に基づ
いて電圧Ｖ２および電圧Ｖ４を制御する物体検出装置で
あり、調整治具やＡ／Ｄ変換器を用いない簡単な回路構
成により、生産時又は装置を立ち上げる度にオフセット
電圧を測定して差動増幅回路部の減数値である電圧Ｖ２
に反射型光センサのオフセット電圧と同値の電圧を設定
することが可能になるという作用を有する。

【００１９】本発明の請求項２に記載の発明は、請求項
１記載の発明において、制御回路部は、比較回路部の電
圧Ｖ４に０［Ｖ］の電圧を設定し、差動増幅回路部の減
数値である電圧Ｖ２には反射型光センサ回路部の出力電
圧Ｖ１よりも低い電圧を設定し、比較回路部の出力を０
［Ｖ］側に（或いはＶＣＣ側に）遷移させてこの比較回
路部の出力電圧Ｖ５を監視し、出力電圧Ｖ５がＶＣＣ側
に（或いは０［Ｖ］側に）遷移するまで差動増幅回路部
の電圧Ｖ２を上げて反射型光センサ回路部の出力電圧Ｖ
１と電圧Ｖ２とを等しくする物体検出装置であり、調整
治具やＡ／Ｄ変換器を用いない簡単な回路構成により、
生産時又は装置を立ち上げる度にオフセット電圧を測定
して差動増幅回路部の減数値である電圧Ｖ２に反射型光
センサのオフセット電圧と同値の電圧を設定することが
可能になるという作用を有する。

【００２０】本発明の請求項３に記載の発明は、請求項
１記載の発明において、制御回路部は、比較回路部の電
圧Ｖ４に０［Ｖ］の電圧を設定し、差動増幅回路部の減
数値である電圧Ｖ２には反射型光センサ回路部の出力電
圧Ｖ１よりも高い電圧を設定し、比較回路部の出力をＶ
ＣＣ側に（或いは０［Ｖ］側に）遷移させてこの比較回
路部の出力電圧Ｖ５を監視し、出力電圧Ｖ５が０［Ｖ］
側に（或いはＶＣＣ側に）遷移するまで差動増幅回路部
の電圧Ｖ２を下げて反射型光センサ回路部の出力電圧Ｖ
１と電圧Ｖ２とを等しくする物体検出装置であり、調整
治具やＡ／Ｄ変換器を用いない簡単な回路構成により、
生産時又は装置を立ち上げる度にオフセット電圧を測定
して差動増幅回路部の減数値である電圧Ｖ２に反射型光
センサのオフセット電圧と同値の電圧を設定することが
可能になるという作用を有する。

【００２１】本発明の請求項４に記載の発明は、請求項
２または３記載の発明において、被検出物がない状態の
反射型光センサ回路部の出力電圧を差動増幅回路部の減
数値である電圧Ｖ２に設定し、当該反射型光センサ回路
部のオフセットをキャンセルさせて増幅することにより
被検出物の有無で生じる反射型光センサ回路部の電圧差
を取る物体検出装置であり、調整治具やＡ／Ｄ変換器を
用いない簡単な回路構成により、生産時又は装置を立ち
上げる度ににオフセット電圧を測定して差動増幅回路部
の減数値である電圧Ｖ２に反射型光センサのオフセット
電圧と同値の電圧を設定することが可能になるという作
用を有する。

【００２２】本発明の請求項５に記載の発明は、請求項
４記載の発明において、差動増幅回路部の電圧Ｖ２の大
きさに応じて比較回路部の閾値電圧の設定を変化させる
物体検出装置であり、調整治具やＡ／Ｄ変換器を用いな
い簡単な回路構成により、生産時又は装置を立ち上げる
度にオフセット電圧を測定して差動増幅回路部の減数値
である電圧Ｖ２に反射型光センサのオフセット電圧と同
値の電圧を設定することが可能になるという作用を有す
る。

【００２３】以下、本発明の実施の形態について、図１
および図２を用いて説明する。

【００２４】図１は本発明の一実施の形態である反射型
光センサを使用した物体検出装置を示す回路図、図２は
図１の物体検出装置の動作を示すフローチャートであ
る。

【００２５】図１に示すように、本実施の形態の物体検
出装置は、ディジタル信号で設定された値をアナログ信
号に変換する第１のＤ／Ａ変換器５および第２のＤ／Ａ
変換器６と、被検出物に対して光を照射する発光部およ
び被検出物から反射された光を受ける受光部を有する反
射型光センサを有する反射型光センサ回路部１と、この
反射型光センサ回路部１の出力電圧Ｖ１から第１のＤ／
Ａ変換器５を介して制御回路部４で設定された電圧Ｖ２
を引き、その信号を増幅する差動増幅回路部２と、差動
増幅回路部２の出力信号Ｖ３と第２のＤ／Ａ変換器６を
介して制御回路部４で設定された閾値電圧（電圧）Ｖ４
とを比較して被検出物の有無を判定する比較回路部３
と、比較回路部３の出力電圧Ｖ５を監視し、差動増幅回
路部２の減数値である電圧Ｖ２と比較回路部３の閾値電
圧である第１および第２のＤ／Ａ変換器５，６の出力を
制御する制御回路部４とを有している。そして、第１お
よび第２のＤ／Ａ変換器５，６は入出力ポートを有する
制御回路部４に接続されており、制御回路部４により値
が設定されるようになっている。

【００２６】この物体検出装置の回路動作について説明
する。

【００２７】反射型光センサ回路部１は、発光部と受光
部が一体となった反射型光センサユニットを用いてお
り、発光部から放射された光が反射して受光部に入る
と、その光の量に応じて出力電流が流れて電圧が発生す
るようになっている。

【００２８】差動増幅回路部２は、オペアンプ［Ｏｐｅ
ｒａｔｉｏｎａｌ Ａｍｐｌｉｆｉｅｒ］から構成され
ている。これはオペアンプの応用回路として一般的に知
られている差動増幅回路の形であって、抵抗１０＝抵抗
２０＝Ｒ１、抵抗３０＝抵抗４０＝Ｒ２のとき次式が成
り立つことは周知のことである。

【００２９】 Ｖ３＝（Ｒ２／Ｒ１）×（Ｖ１−Ｖ２）・・・（式１） したがって、反射型光センサ回路部１の出力電圧Ｖ１か
ら第１のＤ／Ａ変換器５で設定された電圧Ｖ２が引かれ
て（Ｒ２／Ｒ１）倍に増幅された信号Ｖ３が次段の比較
回路部３へ出力されることになる（Ｒ２＞Ｒ１とす
る）。

【００３０】比較回路部３はコンパレータが使用されて
いる。そして、第２のＤ／Ａ変換器６で設定された閾値
の電圧Ｖ４よりも入力信号Ｖ３が大きいときにコンパレ
ータの出力はＬｏｗになる回路とする（これとは逆に、
コンパレータの出力がＨｉｇｈになる回路であってもよ
い）。

【００３１】制御回路部４は、比較回路部３の信号Ｖ５
を監視し、接続されている２個の第１および第２のＤ／
Ａ変換器５，６にディジタル信号で設定値を指示する機
能を持つ。たとえば、８ビットのデータで設定できるＤ
／Ａ変換器であれば、基準電圧（電源）を２５５ステッ
プで設定できることになる。

【００３２】第１および第２のＤ／Ａ変換器５，６は、
８ビットのディジタル値で制御回路部４から指示を受け
た場合を考えると、第１および第２のＤ／Ａ変換器５，
６が出力する電圧値は次式のようになる。

【００３３】 Ｖ４≒ＶＣＣ×［制御回路部からの設定値］／２５５・・・（式２） 次に、本物体検出装置の動作について、図２を用いて説
明する。

【００３４】ここで、図２は、図１に示す回路でオフセ
ット電圧を測定して差動増幅回路部２に設定する減数値
の電圧に測定したオフセット電圧値を設定させるための
制御回路部４が行うアルゴリズムの一例を示すフローチ
ャートである。

【００３５】このフローチャートは、第１のＤ／Ａ変換
器５を調整して、出力電圧Ｖ３が０［Ｖ］になるポイン
トを見つけている。このポイントのときの第１のＤ／Ａ
変換器５の電圧Ｖ２が反射型光センサ回路部１の出力値
を指し示すことになる。つまり、被検出物がないときに
行えばオフセット電圧を測定していることになる。

【００３６】すなわち、先ず検出物がない状態にし、制
御回路部４より第１のＤ／Ａ変換器５に０（Ｖ２＝０
［Ｖ］）を、第２のＤ／Ａ変換器６に０＋αを設定する
（ステップＳ１）。なお、αを加算しているのはこのコ
ンパレータに同値が入力された場合に出力が不定にな
り、Ｖ３＝Ｖ４＝０［Ｖ］の入力を避けるためである。
ここでは説明上α＝１とする。

【００３７】Ｖ１にはオフセット電圧が発生しているの
で、Ｖ１＞Ｖ２であり、（式１）より、 Ｖ３＝（Ｖ１−０）×（Ｒ２／Ｒ１） Ｖ３＝Ｖ１×（Ｒ２／Ｒ１）＞＞０［Ｖ］・・・（式３） になる。

【００３８】比較回路部３の閾値である第２のＤ／Ａ変
換器６にはＶ４＝０＋α＝１が設定されているので、
（式２）より、 Ｖ４＝ＶＣＣ×１／２５５ ＝５／２５５≒０．０２
［Ｖ］ になり、Ｖ３＞Ｖ４となる。閾値Ｖ４よりも入力信号Ｖ
３の方が大きいので比較回路部３の出力Ｐ１はＬｏｗに
なる（逆論理のコンパレータを使用した場合はＨｉｇｈ
になる）。

【００３９】次に、比較回路部３の出力Ｐ１の出力がＬ
ｏｗからＨｉｇｈ（逆論理のコンパレータの場合はＨｉ
ｇｈからＬｏｗ）に変化したかどうかをを監視する（ス
テップＳ２）。

【００４０】そして、Ｈｉｇｈ（逆論理のコンパレータ
の場合はＬｏｗ）に変化しなければ、第１のＤ／Ａ変換
器５をインクリメントし（ステップＳ３）、ステップＳ
２に戻る。この処理は、ステップＳ２においてに比較回
路部３の出力Ｐ１の出力がＨｉｇｈ（逆論理のコンパレ
ータの場合はＬｏｗ）に変化するまで繰り返す。

【００４１】ステップＳ２において、比較回路部３の出
力Ｐ１の出力がＬｏｗからＨｉｇｈ（逆論理のコンパレ
ータの場合はＨｉｇｈからＬｏｗ）に変化したならば、
これは比較回路部３の閾値である第２のＤ／Ａ変換器６
の電圧Ｖ４よりもＶ３の方が小さくなったことを、つま
り（Ｖ４≒０．０２［Ｖ］）＞（Ｖ３≒０［Ｖ］）であ
ることを意味する。

【００４２】差動増幅回路部２でＶ３≒０になる条件は
（式２）より、 Ｖ３≒０≒（Ｒ２／Ｒ１）×（Ｖ２−Ｖ１）・・・（式４） よりＶ２≒Ｖ１ということが分かる。

【００４３】そして、このときの第１のＤ／Ａ変換器５
の値をオフセット電圧に決定する（ステップＳ４）。な
お、この値はセンサ回路として使用するときの設定値と
なる。

【００４４】最後に、第２のＤ／Ａ変換器６に実際にセ
ンサ回路として使用するときの閾値を設定する（ステッ
プＳ５）。この値は回路の条件により適当な値を設定す
ればよいが、このときの値は固定でもよいし、オフセッ
ト電圧の高さに応じて可変させてもよい。

【００４５】機器取り付けの条件によるオフセットのば
らつきの影響がないセンサ回路ユニットの場合は、上記
方法で測定したオフセット電圧のばらつきをセンサ感度
のばらつきとして捉えることができるので、オフセット
の電圧により比較回路部３に設定する閾値Ｖ４を可変す
ることでノイズによる影響を少なくできる。

【００４６】このように、本発明によれば、調整治具や
Ａ／Ｄ変換器を用いない簡単な回路構成により、生産時
又は装置を立ち上げる度にオフセット電圧を測定して差
動増幅回路部の減数値である電圧Ｖ２に反射型光センサ
のオフセット電圧と同値の電圧を設定することが可能に
なる。

【００４７】これにより、生産性が向上するとともに多
くのセンサが存在する機器においても回路は複雑になら
ない。

【００４８】また、経年変化でセンサの感度が低下する
ことによりオフセット電圧も落ちるが、オフセット電圧
の初期値を記憶させておき、経年変化に応じて閾値電圧
を下げることにより、センサの感度低下や経年変化の影
響を受けることもない。

【００４９】

【発明の効果】以上のように、本発明によれば、調整治
具やＡ／Ｄ変換器を用いない簡単な回路構成により、生
産時又は装置を立ち上げる度にオフセット電圧を測定し
て差動増幅回路部の減数値である電圧Ｖ２に反射型光セ
ンサのオフセット電圧と同値の電圧を設定することが可
能になるという有効な効果が得られる。

【００５０】これにより、生産性が向上するとともに多
くのセンサが存在する機器においても回路は複雑になら
ないという効果が得られる。

【００５１】また、本発明によれば、経年変化でセンサ
の感度が低下することによりオフセット電圧も落ちる
が、オフセット電圧の初期値を記憶させておき、経年変
化に応じて閾値電圧を下げることにより、センサの感度
低下や経年変化の影響を受けることもないという有効な
効果が得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施の形態である反射型光センサを
使用した物体検出装置を示す回路図

【図２】図１の物体検出装置の動作を示すフローチャー
ト

【図３】変調駆動方式の反射型光センサを示すブロック
図

【図４】直流光方式の反射型光センサを示すブロック図

【図５】光センサの取り付けの一例を示す説明図

【図６】光センサの取り付けの他の一例を示す説明図

【図７】光センサの取り付けのさらに他の一例を示す説
明図

【図８】従来における反射型光センサの回路構成の一例
を示すブロック図

【図９】従来における反射型光センサの回路構成の他の
一例を示すブロック図

【符号の説明】

１ 反射型光センサ回路部 ２ 差動増幅回路部 ３ 比較回路部 ４ 制御回路部 ５ 第１のＤ／Ａ変換器 ６ 第２のＤ／Ａ変換器

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】装置の動作制御を行う制御回路部と、 被検出物に対して光を照射する発光部と被検出物から反
   射された光を受ける受光部を有する反射型光センサを有
   する反射型光センサ回路部と、 前記反射型光センサ回路部の出力電圧Ｖ１と前記制御回
   路部で設定された電圧Ｖ２との差分を増幅する差動増幅
   回路部と、 前記差動増幅回路部の出力電圧Ｖ３と前記制御回路部で
   設定された電圧Ｖ４とを比較し、前記電圧Ｖ４より前記
   差動増幅回路部の出力電圧Ｖ３の方が高ければ出力電圧
   をＶＣＣ側に、低ければ出力電圧を０［Ｖ］側に変化さ
   せる、或いは、前記電圧Ｖ４より前記差動増幅回路部の
   出力電圧Ｖ３の方が高ければ出力電圧を０［Ｖ］側に、
   低ければ出力電圧をＶＣＣ側に変化させる比較回路部と
   を有し、 前記制御回路部は、前記比較回路部の出力電圧Ｖ５に基
   づいて前記電圧Ｖ２および前記電圧Ｖ４を制御すること
   を特徴とする物体検出装置。
2. 【請求項２】前記制御回路部は、前記比較回路部の電圧
   Ｖ４に０［Ｖ］の電圧を設定し、前記差動増幅回路部の
   減数値である電圧Ｖ２には前記反射型光センサ回路部の
   出力電圧Ｖ１よりも低い電圧を設定し、前記比較回路部
   の出力を０［Ｖ］側に（或いはＶＣＣ側に）遷移させて
   この比較回路部の出力電圧Ｖ５を監視し、前記出力電圧
   Ｖ５がＶＣＣ側に（或いは０［Ｖ］側に）遷移するまで
   前記差動増幅回路部の電圧Ｖ２を上げて前記反射型光セ
   ンサ回路部の出力電圧Ｖ１と電圧Ｖ２とを等しくするこ
   とを特徴とする請求項１記載のた物体検出装置。
3. 【請求項３】前記制御回路部は、前記比較回路部の電圧
   Ｖ４に０［Ｖ］の電圧を設定し、前記差動増幅回路部の
   減数値である電圧Ｖ２には前記反射型光センサ回路部の
   出力電圧Ｖ１よりも高い電圧を設定し、前記比較回路部
   の出力をＶＣＣ側に（或いは０［Ｖ］側に）遷移させて
   この比較回路部の出力電圧Ｖ５を監視し、前記出力電圧
   Ｖ５が０［Ｖ］側に（或いはＶＣＣ側に）遷移するまで
   前記差動増幅回路部の電圧Ｖ２を下げて前記反射型光セ
   ンサ回路部の出力電圧Ｖ１と電圧Ｖ２とを等しくするこ
   とを特徴とする請求項１記載の物体検出装置。
4. 【請求項４】被検出物がない状態の反射型光センサ回路
   部の出力電圧を前記差動増幅回路部の減数値である電圧
   Ｖ２に設定し、当該反射型光センサ回路部のオフセット
   をキャンセルさせて増幅することにより被検出物の有無
   で生じる前記反射型光センサ回路部の電圧差を取ること
   を特徴とする請求項２または３記載の物体検出装置。
5. 【請求項５】前記差動増幅回路部の電圧Ｖ２の大きさに
   応じて前記比較回路部の閾値電圧の設定を変化させるこ
   とを特徴とする請求項４記載の物体検出装置。