JP2003075484A - 静電容量検出回路及び静電容量検出方法 - Google Patents
静電容量検出回路及び静電容量検出方法Info
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Abstract
することができる静電容量検出回路を提供する。 【解決手段】 容量検出部10と電位固定部30とから
構成され、容量検出部10は、交流電圧発生器11と、
第1演算増幅器14と、ボルテージフォロワを構成する
第2演算増幅器16と、第1演算増幅器14と第2演算
増幅器16との間に接続される検出用コンデンサ15等
を備え、電位固定部30は、交流電圧発生器11からの
交流信号を反転増幅する第3演算増幅器33と、その出
力端子とグランド間に直列に接続される抵抗(R4)3
4及び抵抗(R5)35等を備え、被検出コンデンサ1
7から静電容量検出回路40をみた入力インピーダンス
が容量検出部10をみたものよりも大きくなるように、
抵抗(R4)34及び抵抗(R5)35の回路定数(例え
ば、10MΩ以上)を設定しておく。
Description
る回路及び方法に関し、特に、高いSN比で容量を検出
する回路及び方法に関する。
平9−280806号公報記載のものを挙げることがで
きる。図5は、この静電容量検出回路を示す回路図であ
る。この検出回路では、電極90、91で形成される容
量センサ92が、信号線93を介して演算増幅器95の
反転入力端子に接続されている。そしてこの演算増幅器
95の出力端子と前記反転入力端子との間にコンデンサ
96が接続されるとともに、非反転入力端子に交流電圧
Vacが印加されている。また信号線93はシールド線9
4によって被覆され、外乱ノイズに対して電気的に遮蔽
されている。そしてこのシールド線94は、演算増幅器
95の非反転入力端子に接続されている。出力電圧Vd
は、演算増幅器95の出力端子からトランス97を介し
て取り出される。
入力端子と非反転入力端子とがイマージナリショートの
状態となり、反転入力端子に接続された信号線93と非
反転入力端子に接続されたシールド線94とは、互いに
ほぼ同電位となる。これによって、信号線93はシール
ド線94によってガーディングされ、つまり、両者9
3、94間の浮遊容量はキャンセルされ、浮遊容量に影
響されない出力電圧Vdが得られるというものである。
うな従来技術によれば、容量センサ92とコンデンサ9
6を接続する信号線93には直流電流が流れず、電気的
にフローティング状態となることから、電位が不安定と
なり回路出力が電源電圧に飽和する等が生じてしまうこ
とにより、正常に回路が動作しなくなるという問題があ
る。確かに容量センサ92の容量がある程度に大きいと
きは信号線93とシールド線94との間の浮遊容量に影
響されない正確な出力電圧Vdを得ることができるもの
の、数pFあるいはfF(フェムトファラッド)オーダ
ーの微小な容量の検出においては、誤差が大きくなって
しまうという問題がある。
っては、演算増幅器95の内部のトラッキングエラー又
は演算誤差等により、イマージナリショートの状態にあ
る反転入力端子と非反転入力端子の電圧間にも結果的に
微妙な位相・振幅のズレが発生し、検出誤差が大きくな
ってしまうという問題もある。
型の音声通信機器においては、コンデンサマイクロホン
等の容量センサで検出した音声を、高感度かつ忠実に電
気信号に変換するSN比の高い増幅回路が求められてい
る。数pFあるいはfFオーダーの微小な容量又はその
変化を正確に検出することができるならば、極めて高い
感度で、かつ、忠実に音声を検出することが可能な高性
能なマイクロホンが実現され、携帯電話機等の音声通信
機器での音声のピックアップにおける性能が飛躍的に向
上される。
みてなされたものであり、高いSN比を有し、微小な容
量を正確に検出することができ、コンデンサマイクロホ
ン等の容量センサの容量検出に適した静電容量検出回路
及び方法を提供することを目的とする。
に、本発明に係る静電容量検出回路は、被検出コンデン
サの静電容量に対応する検出信号を出力する静電容量検
出回路であって、被検出コンデンサに接続され、その静
電容量を検出する容量検出部と、前記被検出コンデンサ
と前記容量検出部との接続点に一定電位を印加する電位
固定部とを備え、前記被検出コンデンサから前記電位固
定部をみた入力インピーダンスは、前記被検出コンデン
サから前記容量検出部をみた入力インピーダンスよりも
大きいことを特徴とする。
被検出コンデンサの静電容量に対応する検出信号を出力
する静電容量検出方法であって、被検出コンデンサの静
電容量を検出する容量検出回路と被検出コンデンサとの
接続点に、電位固定回路を用いて一定電位を印加し、前
記被検出コンデンサから前記電位固定回路をみた入力イ
ンピーダンスは、前記被検出コンデンサから前記容量検
出回路をみた入力インピーダンスよりも大きいことを特
徴とする。
多くが電位固定部に流れるのではなく、ほとんどが容量
検出部に流れるように回路定数を設定しておく。
圧発生器と、その電圧を入力とする第1反転増幅回路と
で構成し、電位固定部は、電圧発生器が発生する電圧を
一定の比率で変換し、一定電位として接続点に印加して
もよい。
ンピーダンスが高く出力インピーダンスが低いインピー
ダンス変換器と、第1インピーダンス素子と、前記電圧
発生器が発生する電圧を反転増幅する第1演算増幅器と
前記演算増幅器の出力に接続される信号出力端子とを備
え、前記インピーダンス変換器の入力端子には前記被検
出コンデンサの一端と前記第1インピーダンス素子の一
端とが接続され、前記演算増幅器の負帰還路に前記第1
インピーダンス素子及び前記インピーダンス変換器が含
まれ、前記電位固定部は、前記電圧発生器が発生する電
圧を入力とする第2反転増幅回路と、前記第2反転増幅
回路の出力電圧を分圧することで前記一定電位を生成す
る分圧回路とを有するように構成してもよい。
増幅回路の出力端子に直列に接続された2つの抵抗で構
成し、例えば、それぞれ10MΩ以上の抵抗とする。
端子と反転入力端子とが接続された演算増幅器からなる
電圧ゲインが1のボルテージフォロワであってもよい
し、電圧ゲインが1よりも小さい(あるいは、1よりも
大きい)電圧増幅器であってもよい。
ってもよいし、交流電圧発生器であってもよい。被検出
コンデンサがコンデンサマイクロホン等の物理量(音
等)の変化に応じて静電容量が変化する容量型センサで
ある場合には、電圧発生器が直流電圧発生器であって
も、音に対応する交流信号が出力端子に現れるからであ
る。
インダクタンス及びコンデンサのいずれであってもよ
い。第1インピーダンス素子としてコンデンサを用いた
場合には、電圧発生器から出力される交流信号の周波数
に依存しない検出信号を得ることができる。
デンサとを接続する信号線が長くなる場合には、同軸ケ
ーブル等のシールド部材で覆われた信号線を用いればよ
い。そして、必要に応じて、そのシールド部材に、信号
線と同電位のガード電圧を印加するガード電圧印加手段
を設ければよい。
て、図面を用いて詳細に説明する。図1は、本発明の実
施の形態例における静電容量検出回路40の回路図であ
る。なお、本図では、この静電容量検出回路40に、検
出対象である被検出コンデンサ17(ここでは、コンデ
ンサマイクロホン等、静電容量Csの変化を利用して各
種物理量を検出する容量型センサ)が接続されている。
て、被検出コンデンサ17の容量に対応する検出信号を
出力する容量検出部10と、被検出コンデンサ17が容
量検出部10に接続される信号線(図中の検出線21)
の電位を固定する電位固定部30とから構成される。
る交流電圧発生器11、抵抗(R1)12、抵抗(R2)
13、第1演算増幅器14、検出用コンデンサ(容量C
f)15及び第2演算増幅器16から構成され、被検出
コンデンサ17の静電容量に対応する検出信号(電圧V
out)を信号出力端子20から出力する。
(本例では接地)に接続され、他端(出力端子)から一
定の交流電圧(電圧Vin、角周波数ω)を発生してい
る。交流電圧発生器11の出力端子と第1演算増幅器1
4の反転入力端子との間には抵抗(R1)12が接続さ
れている。なお、所定の電位とは、ある基準電位、所定
の直流電位、接地電位またはフローティング状態のいず
れかを指すものであり、実施の態様にあわせて最適なも
のが選択される。
ス及び開ループゲインが極めて高い電圧増幅器であり、
ここでは、非反転入力端子が所定の電位(本例では接
地)に接続され、非反転入力端子及び反転入力端子がイ
マージナリショートの状態となっている。この第1演算
増幅器14の負帰還路、つまり、第1演算増幅器14の
出力端子から反転入力端子までの間に、検出用コンデン
サ15、第2演算増幅器16及び抵抗(R2)13がこ
の順で直列に接続されている。
と出力端子とが接続され、入力インピーダンスが極めて
高く、出力インピーダンスが極めて低い、電圧ゲインが
1のボルテージフォロワを構成している。この第2演算
増幅器16の非反転入力端子には、信号線又はプリント
基板上の配線パターン等の導電体を介して、被検出コン
デンサ17の一端が接続され、一方、被検出コンデンサ
17の他端は、所定の電位(本例では接地)に接続され
ている。第1演算増幅器14の出力端子には、この容量
検出部10の出力信号、つまり、被検出コンデンサ17
の容量に対応した検出信号を出力するための信号出力端
子20が接続されている。
発生する交流電圧を入力とし、一定の比率で電圧変換す
ることによって、容量検出部10の第2演算増幅器16
の非反転入力端子における電圧と同電位(振幅及び位相
が同一)の電圧を発生し、被検出コンデンサ17と容量
検出部10とを接続する検出線21に印加出力する回路
であり、抵抗(R6)31、抵抗(R7)32、第3演算
増幅器33、抵抗(R4)34及び抵抗(R5)35から
構成される。
4と同様に、入力インピーダンス及び開ループゲインが
極めて高い電圧増幅器であり、ここでは、非反転入力端
子が所定の電位(本例では接地)に接続され、非反転入
力端子及び反転入力端子がイマージナリショートの状態
となり、抵抗(R6)31及び抵抗(R7)32と共に、
反転増幅回路を構成している。抵抗(R4)34及び抵
抗(R5)35は、第3演算増幅器33の出力端子23
と所定の電位(本例では接地)間に、この順で直列に接
続されている。これら抵抗(R4)34と抵抗(R5)3
5との接続点24は、第3演算増幅器33の出力電圧を
一定比率で分圧した電圧V4を発生しており、この電位
固定部30の出力端子24として、容量検出部10の検
出線21にその電圧V4を印加している。
部10における検出線21の電位を固定するために用い
られている。つまり、検出線21は、容量検出部10に
おいては、検出用コンデンサ15の一端、入力インピー
ダンスの高い第2演算増幅器16の非反転入力端子及び
被検出コンデンサ17の一端に接続されているだけなの
で、この電位固定部30が容量検出部10に接続されて
いない場合には、検出線21はフロート状態に近い状態
となり、電位が確定的には定まらない不安定な状態とな
ってしまう。このような不安定な状態を避けるために、
電位固定部30が容量検出部10に接続されている。
40の動作は以下の通りである。まず、静電容量検出回
路40における容量検出部10単体の動作、即ち、電位
固定部30が容量検出部10に接続されていない場合
(電位固定部30を有しない場合)における容量検出部
10の動作を説明する。
1演算増幅器14等から構成される反転増幅回路に着目
すると、第1演算増幅器14の両入力端子がイマージナ
リショートの状態となって同電位(本例では0V)であ
り、かつ、その入力インピーダンスが極めて高く、電流
が流れないことから、抵抗(R1)12を流れる電流
は、Vin/R1となり、その全てが抵抗(R2)13を流
れるので、第2演算増幅器16の出力電圧をV2とする
と、 Vin/R1=−V2/R2 が成り立ち、これを整理することにより、第2演算増幅
器16の出力電圧V2は、 V2=−(R2/R1)・Vin (式1) となる。また、第2演算増幅器16はボルテージフォロ
ワを構成し、その両入力端子がイマージナリショートの
状態にあり、入力電圧(非反転入力端子の電圧)V1と
出力電圧(反転入力端子及び出力端子での電圧)V2は
等しくなるので、その入力電圧V1は、 V1=V2 (式2) が成り立つ。また、検出用コンデンサ15を被検出コン
デンサ17に向かって流れる電流をiとすると、第2演
算増幅器16の入力インピーダンスが極めて高いことか
ら、その電流iの全てが被検出コンデンサ17に流れる
ので、V1=i・(1/jωCs)となり、信号出力端子
20から出力される検出信号の電圧Voutは、 Vout=i・(1/jωCf)+V1 =(1+Cs/Cf)・V1 (式3) となる。
と、 V1=−(R2/R1)・Vin (式4) が得られ、このV1を上記式3に代入すると、 Vout=−(1+Cs/Cf)・(R2/R1)・Vin (式5) が得られる。
0の信号出力端子20から出力される検出信号の電圧V
outは、被検出コンデンサ17の容量Csに依存した値と
なる。従って、この電圧Voutに対して種々の信号処理
を施すことによって、容量Csを特定することができ
る。また、この式5には角周波数ωが含まれていないこ
とから分かるように、この検出信号の電圧Voutは、交
流電圧発生器11からの交流信号Vinの周波数に依存し
ない。これによって、被検出コンデンサ17に印加され
る交流電圧の周波数に依存することなく、被検出コンデ
ンサ17の容量を検出することができる(周波数依存特
性を有しない)静電容量検出回路が実現される。したが
って、コンデンサマイクロホン等、容量値がある周波数
(音声帯域)で変化するような被検出コンデンサ17に
対して、検出された信号を周波数補正することなく、そ
の電圧値から直接、容量値を特定することが可能とな
る。
ンデンサ15及び被検出コンデンサ17に電流を供給し
ている第1演算増幅器14は、その非反転入力端子が所
定の電位(本例では接地)に接続され、固定化されてい
る。したがって、図5に示される従来の回路における演
算増幅器95と異なり、第1演算増幅器14は、入力さ
れる交流信号の周波数等に依存することなく、演算誤差
が低減されノイズの少ない安定した電流を検出用コンデ
ンサ15及び被検出コンデンサ17に供給するので、被
検出コンデンサ17の微小な容量の検出が可能となる。
いて説明する。抵抗(R6)31、抵抗(R7)32及び
第3演算増幅器33から構成される反転増幅回路に着目
すると、第1演算増幅器14と同様の動作により、第3
演算増幅器33の出力端子23での電圧V3は、 V3=−(R7/R6)・Vin (式6) となる。そして、抵抗(R4)34と抵抗(R5)35と
の接続点の電圧(電位固定部30の出力電圧)V4は、
第3演算増幅器33の出力電圧V3を抵抗(R4)34と
抵抗(R5)35とで定まる比で分圧した値となるの
で、 V4=V3・(R5/(R4+R5)) (式7) となる。この式7に、上記式6で表されるV3を代入す
ると、 V4=−(R7/R6)・(R5/(R4+R5))・Vin (式8) が得られる。
7)32、抵抗(R4)34及び抵抗(R5)35は、上
記式8で示される電圧V4が容量検出部10における第
2演算増幅器16の非反転入力端子での電圧V1と等し
くなるように、予め抵抗値が決定されている。例えば、 R7/R6=2・(R2/R1) (式9) が成り立ち、かつ、 R4=R5 (式10) が成り立つような抵抗値となっている。このときには、
これら式9及び式10で示される条件を上記式8に代入
し、さらに、上記式4を代入して分かるように、 V4=−2(R2/R1)・(1/2)・Vin =V1 (式11) が成り立つ。つまり、電位固定部30は、第2演算増幅
器16の非反転入力端子(検出線21)での電圧V1と
同一電位の電圧V4を発生し、検出線21に印加出力し
ていることが分かる。これによって、検出線21の電位
は固定され、フロート状態が回避されるので、静電容量
検出回路40による検出動作が安定化される。
(抵抗(R4)34及び抵抗(R5)35の抵抗値)の静
電容量検出回路40への影響について説明する。
抗(R5)35は、上記式8から分かるように、それら
の抵抗値の比については、一定条件を満たす必要がある
が、個々の抵抗値については、制約を受けないとも考え
られる。
抗(R5)35の抵抗値が小さい場合には、被検出コン
デンサ17を流れる電流のほとんど全てが検出用コンデ
ンサ15を流れることにはならず、そのために、静電容
量検出回路40による容量の検出感度が低下する。つま
り、被検出コンデンサ17に流れる電流の一部が電位固
定部30に流入出することとなり、被検出コンデンサ1
7の容量あるいは容量の変化に対応する信号の一部だけ
が信号出力端子20に伝達されることになってしまう。
(R5)35の抵抗値の静電容量検出回路40への影響
を調べるために、これらの抵抗値の比を一定にしたま
ま、それらの抵抗値を様々な値に変化させながら、信号
出力端子20で観測される信号及びノイズの大きさ(レ
ベル)を計測し、S/N比を求める実験を行った。
ブルであり、抵抗(R4)34及び抵抗(R5)35それ
ぞれの抵抗値を100kΩ、1MΩ、10MΩ、100
MΩ、1GΩと変化させた場合の信号の大きさ、ノイズ
の大きさ及びSN比を示している。図2(b)は、図2
(a)に示された実験データをプロットしたグラフであ
る。なお、図2(a)において、単位「dBV」は、計
測値をM(実効電圧;volt)としたときに、20log
(M)の値が記されていることを意味し、単位「dB」
は、20log(S/N)の値が記されていることを意
味する。
うに、抵抗(R4)34及び抵抗(R5)35が100k
Ωのときは、感度(SN比)低下が生じている。これ
は、検出線21から電位固定部30への電流の流入出が
大きいためと考えられる。また、抵抗(R4)34及び
抵抗(R5)35が1MΩのときも、100kΩのとき
ほどではないが、若干電流の流入出があり、感度低下が
起きていると考えられる。抵抗(R4)34及び抵抗
(R5)35が、ほぼ絶縁に近い10MΩ以上では、上
限に近いと思われる高い信号レベルがほとんど変わらず
一定している為に、高いSN比が得られている。なお、
抵抗(R4)34及び抵抗(R5)35が10MΩ以上
で、ノイズレベルの大幅な低減が見られる。
4及び抵抗(R5)35が1GΩ程度までは、抵抗値が
大きいほどSN比の向上が見られる。したがって、回路
仕様、回路内のバランス(交流信号Vinの周波数、検出
用コンデンサ15の容量Cf等の値)、高抵抗入手の難
易等にもよるが、抵抗(R4)34及び抵抗(R5)35
については、10MΩ以上のできるだけ高い抵抗値を使
用することが望ましい。
及び抵抗(R5)35の抵抗値が大きくなるにしがって
信号出力端子20に現れる検出信号の信号レベルが大き
くなるのは、被検出コンデンサ17の静電容量Csが変
化したときに、その変化に伴う電流(被検出コンデンサ
17を流れる交流電流)の多くが、電位固定部30(抵
抗(R4)34及び抵抗(R5)35)に流れるのではな
く、検出用コンデンサ15に流れるからと考えられる。
これは、被検出コンデンサ17の容量の変化に対応する
電流が、電位固定部30から(第3演算増幅器33から
抵抗(R4)34を介して)供給されるよりも、容量検
出部10から(第1演算増幅器14から検出用コンデン
サ15を介して)供給される量が多くなるからである。
言い換えると、被検出コンデンサ17から電位固定部3
0をみた入力インピーダンスZin30と、被検出コンデン
サ17から容量検出部10をみた入力インピーダンスZ
in10との比Zin30:Zin10に応じて、被検出コンデンサ
17を流れる電流が検出用コンデンサ15に向かって流
れるので、その比Zin30:Zin10が大きいほど、被検出
コンデンサを流れる電流の多くが検出用コンデンサ15
を流れるので、検出信号の信号レベルが大きくなると考
えられる。
量検出回路40によれば、容量検出部10に電位固定部
30が付加されることで、検出線21がフロート状態と
なって不安定になってしまうことが回避されるととも
に、電位固定部30の抵抗(R4)34及び抵抗(R5)
35の抵抗値を一定値以上の高い値に設定しておくこと
で、信号出力端子20に現れる検出信号に含まれるノイ
ズが低減され、センサの感度が向上し、高いSN比が得
られる。
いて、実施の形態に基づいて説明したが、本発明は、こ
の実施の形態に限定されるものではない。
のように、図1に示された静電容量検出回路40の容量
検出部10におけるボルテージフォロワ(第2演算増幅
器16)に代えて、インピーダンス変換器16aを接続
してもよい。具体的には、入力インピーダンスが極めて
高く、出力インピーダンスが極めて低く、電圧ゲインが
A倍の電圧増幅器等からなるインピーダンス変換器16
aを用いてもよい。なお、ここでのA倍に示される変数
Aは零(0)以外の実数を示す。
電圧V1との関係、つまり、上記式4に対応する関係式
は、 V1=−(R2/R1)・(Vin/A) となるが、このこと自体は、被検出コンデンサ17から
容量検出部10a及び電位固定部30をみた入力インピ
ーダンスに直接影響を与えるものではない。よって、こ
の図3に示された容量検出部10aを含む静電容量検出
回路も、電位固定部30の抵抗(R4)34及び抵抗
(R5)35の抵抗値が大きいほど検出信号のSN比を
向上させる点において、図1に示された静電容量検出回
路40と共通する。
や図3に示されるインピーダンス変換器16aの入力段
に、MOSFET等からなるバッファ回路を付加するこ
とで、より高い入力インピーダンスを維持してもよい。
ように、図1に示された静電容量検出回路40の容量検
出部10における交流電圧発生器11に代えて、直流電
圧を発生する直流電圧発生器11aを用いてもよい。例
えば、被検出コンデンサ17がコンデンサマイクロホン
である場合には、その容量Csは、入力された音の周波
数に合わせて変化するので、検出信号Voutの交流成分
だけを取り出すことで、被検出コンデンサ17の容量の
変化分ΔC、即ち、音に対応する信号を高い感度で得る
ことができる。このような容量検出部10bを含む静電
容量検出回路も、電位固定部30の抵抗(R4)34及
び抵抗(R5)35の抵抗値が大きいほど検出信号のS
N比を向上させる点において、図1に示された静電容量
検出回路40と共通する。
7と検出用コンデンサ15及び第2演算増幅器16とを
信号線で接続し、その信号線が長くなる場合には、その
信号線として、シールドで覆われた同軸ケーブルを使用
し、必要に応じて、そのシールドに信号線と同電位の電
圧をガード電圧として印加するガード電圧印加回路を設
けてもよい。例えば、図1に示された容量検出部10の
交流電圧発生器11が発生する交流信号Vinを入力と
し、その信号を(−R2/R1)倍し、得られた電圧(即
ち、電圧V1に等しい電圧)を同軸ケーブルのシールド
に印加するガード電圧印加回路を設けてもよい。これに
よって、信号線への外乱ノイズの混入を遮蔽したり、信
号線とシールド間等に発生する浮遊容量をキャンセルす
ることができる。
コンデンサ17に流れる電流を検出するために第1演算
増幅器14と第2演算増幅器16との間に検出用コンデ
ンサ15が接続されたが、これに代えて、抵抗やインダ
クタンス等のインピーダンス素子を接続してもよい。例
えば、検出用コンデンサ15に代えて抵抗値R3の抵抗
を接続した場合には、容量検出部10の出力端子20か
ら出力される検出信号の電圧Voutは、上記式5に代え
て、 Vout=−(1+jωCs・R3)・(R2/R1)・Vin となる。この場合であっても、検出信号の電圧Vout
は、容量値Csに対応する信号であることに変わりな
い。よって、この電圧Voutに基づいて、種々の信号処
理を施すことで、未知の容量値Csを容易に特定するこ
とができる。なお、検出用コンデンサ等の第1インピー
ダンス素子の種類に拘わらず、電位固定部30の抵抗
(R4)34及び抵抗(R5)35の抵抗値が大きいほ
ど、検出信号のSN比は向上される。
抵抗34、35には、文字通り抵抗を用いていたが、本
発明はこれに限らず、たとえば、ダイオードの逆バイア
ス特性を利用しても良いし、トランジスタのオフ状態を
使用する事も可能である。
れる容量型センサは、コンデンサマイクロホンだけに限
られず、加速度センサ、地震計、圧力センサ、変位セン
サ、変位計、近接センサ、タッチセンサ、イオンセン
サ、湿度センサ、雨滴センサ、雪センサ、雷センサ、位
置合わせセンサ、接触不良センサ、形状センサ、終点検
出センサ、振動センサ、超音波センサ、角速度センサ、
液量センサ、ガスセンサ、赤外線センサ、放射線セン
サ、水位計、凍結センサ、水分計、振動計、帯電セン
サ、プリント基板検査機等の公知の容量型センサなど、
静電容量の変化を利用して各種物理量を検出する全ての
トランスデューサ(デバイス)が含まれる。
は、プリント基板上に実現することができるだけでな
く、シリコン基板上に実現することもできる。例えば、
1つのシリコン基板上に、容量型センサと静電容量検出
回路とを形成することで、各種物理量を電気信号に変換
する超小型のトランスデューサが実現される。
に係る静電容量検出回路及び方法は、被検出コンデンサ
の静電容量に対応する検出信号を出力するものであっ
て、被検出コンデンサの静電容量を検出する容量検出部
と被検出コンデンサとの接続点に、電位固定部を用いて
一定電位を印加し、前記被検出コンデンサから前記電位
固定部をみた入力インピーダンスは、前記被検出コンデ
ンサから前記容量検出部をみた入力インピーダンスより
も大きいことを特徴とする。つまり、被検出コンデンサ
を流れる電流の多くが、電位固定部ではなく、容量検出
部に流れるように回路定数を設定しておく。
と容量検出部とが接続される接続点での電位が確定的に
固定されて不安定な動作が回避されるとともに、被検出
コンデンサを流れる電流の多くが容量検出部を流れるの
で、被検出コンデンサの静電容量に関する信号の多くが
容量検出部に伝達され、SN比が向上される。
増幅器に電圧を印加し、その演算増幅器の負帰還路に被
検出コンデンサを接続することで、被検出コンデンサの
容量を検出すればよい。つまり、非反転入力端子を所定
の電位(本例では接地)に接続した演算増幅器の出力端
子とインピーダンス変換器の入力端子間に第1インピー
ダンス素子を接続するとともに、インピーダンス変換器
の入力端子と所定の電位(本例では接地)間に被検出コ
ンデンサを接続する。
流す演算増幅器の電位(非反転入力端子の電位)が固定
化され、安定するので、演算増幅器の出力端子には被検
出コンデンサの容量に対応する正確な信号が出力される
こととなり、数pFあるいはfFオーダーの微小な容量
の検出が可能となる。
生する電圧を入力とする反転増幅回路と、前記反転増幅
回路の出力電圧を分圧することで前記一定電位を生成す
る分圧回路とを有するように構成し、前記分圧回路は、
前記反転増幅回路の出力端子に直列に接続された2つの
抵抗とし、例えば、それぞれ10MΩ以上の抵抗とす
る。これによって、検出信号に含まれる信号レベルが増
加するとともに、ノイズが抑制され、ほぼ限界に近いと
思われる高いSN比の検出信号が得られる。
ってもよいし、交流電圧発生器であってもよい。被検出
コンデンサがコンデンサマイクロホン等の物理量(音
等)の変化に応じて静電容量が変化する容量型センサで
ある場合には、電圧発生器が直流電圧発生器であって
も、音に対応する交流信号が出力端子に現れるからであ
る。
ンデンサを用いることで、電圧発生器が発生する交流信
号の周波数に依存しない検出信号が得られ、周波数を補
償するための回路等が不要となる。
ス変換器の入力端子とをシールド部材で覆われた信号線
で接続し、その信号線の電圧と同電位の電圧をシールド
部材に印加するガード電圧印加手段を付加してもよい。
これによって、信号線を同電位のシールドでガーディン
グし、信号線とシールド間に発生する浮遊容量を検出し
ないようにすることができるので、より微小の容量に対
して高い精度で検出することが可能となる。
被検出コンデンサに電流を流すことによって容量を検出
しているので、エレクトレットコンデンサマイクロホン
等のように、被検出コンデンサの電極に高分子フィルム
等を貼り付けてエレクトレット化する必要がなく、通常
の静電容量型センサに適用することができる。
し、微小な容量を正確に検出することができ、特に、高
感度なマイクロホンが必要とされる携帯電話機等の高機
能な音声通信機器に好適であり、その実用的価値は極め
て高い。
の回路図である。
び抵抗(R5)の抵抗値を変化させたときの検出信号に
含まれる信号の大きさ、ノイズの大きさ及びSN比につ
いての実験値を示すテーブルであり、(b)は、そのグ
ラフである。
におけるボルテージフォロワをインピーダンス変換器に
代えた、変形例に係る容量検出部の回路図である。
における交流電圧発生器を直流電圧発生器に代えた、変
形例に係る容量検出部の回路図である。
Claims (11)
- 【請求項1】 被検出コンデンサの静電容量に対応する
検出信号を出力する静電容量検出回路であって、 被検出コンデンサに接続され、その静電容量を検出する
容量検出部と、 前記被検出コンデンサと前記容量検出部との接続点に一
定電位を印加する電位固定部とを備え、 前記被検出コンデンサから前記電位固定部をみた入力イ
ンピーダンスは、前記被検出コンデンサから前記容量検
出部をみた入力インピーダンスよりも大きいことを特徴
とする静電容量検出回路。 - 【請求項2】 前記容量検出部は、 直流電圧又は交流電圧の少なくとも一方を発生する電圧
発生器と、 前記電圧発生器が発生する電圧を入力とする第1反転増
幅回路とを有し、 前記電位固定部は、前記電圧発生器が発生する電圧を一
定の比率で変換し、前記一定電位として前記接続点に印
加することを特徴とする請求項1記載の静電容量検出回
路。 - 【請求項3】 前記第1反転増幅回路は、 入力インピーダンスが高く出力インピーダンスが低いイ
ンピーダンス変換器と、第1インピーダンス素子と、前
記電圧発生器が発生する電圧を反転増幅する第1演算増
幅器と前記演算増幅器の出力に接続される信号出力端子
とを備え、 前記インピーダンス変換器の入力端子には前記被検出コ
ンデンサの一端と前記第1インピーダンス素子の一端と
が接続され、 前記演算増幅器の負帰還路に前記第1インピーダンス素
子及び前記インピーダンス変換器が含まれ、 前記電位固定部は、 前記電圧発生器が発生する電圧を入力とする第2反転増
幅回路と、 前記第2反転増幅回路の出力電圧を分圧することで前記
一定電位を生成する分圧回路とを有することを特徴とす
る請求項2記載の静電容量検出回路。 - 【請求項4】 前記分圧回路は、前記第2反転増幅回路
の出力端子に直列に接続された2つの抵抗からなること
を特徴とする請求項3記載の静電容量検出回路。 - 【請求項5】 前記2つの抵抗は、10MΩ以上である
ことを特徴とする請求項4記載の静電容量検出回路。 - 【請求項6】 前記2つの抵抗は、同一の抵抗値である
ことを特徴とする請求項5記載の静電容量検出回路。 - 【請求項7】 前記インピーダンス変換器は、出力端子
と反転入力端子とが接続された第2演算増幅器を備えた
ボルテージフォロワであることを特徴とする請求項1〜
6のいずれか1項に記載の静電容量検出回路。 - 【請求項8】 前記第1インピーダンス素子は、コンデ
ンサであることを特徴とする請求項1〜7のいずれか1
項に記載の静電容量検出回路。 - 【請求項9】 前記被検出コンデンサは、一定範囲の周
波数で容量が変化する容量型センサであることを特徴と
する請求項1〜8のいずれか1項に記載の静電容量検出
回路。 - 【請求項10】 前記被検出コンデンサと前記インピー
ダンス変換器の入力端子とは少なくともその一部がシー
ルド部材で覆われた信号線で接続され、 前記静電容量検出回路は、さらに、前記信号線の電圧と
同電位の電圧を前記シールド部材に印加するガード電圧
印加手段を備えることを特徴とする請求項1〜9記載の
静電容量検出回路。 - 【請求項11】 被検出コンデンサの静電容量に対応す
る検出信号を出力する静電容量検出方法であって、 被検出コンデンサの静電容量を検出する容量検出回路と
被検出コンデンサとの接続点に、電位固定回路を用いて
一定電位を印加し、 前記被検出コンデンサから前記電位固定回路をみた入力
インピーダンスは、前記被検出コンデンサから前記容量
検出回路をみた入力インピーダンスよりも大きいことを
特徴とする静電容量検出方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001270307A JP2003075484A (ja) | 2001-09-06 | 2001-09-06 | 静電容量検出回路及び静電容量検出方法 |
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JP2001270307A JP2003075484A (ja) | 2001-09-06 | 2001-09-06 | 静電容量検出回路及び静電容量検出方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003075484A true JP2003075484A (ja) | 2003-03-12 |
Family
ID=19095975
Family Applications (1)
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---|---|---|---|
JP2001270307A Pending JP2003075484A (ja) | 2001-09-06 | 2001-09-06 | 静電容量検出回路及び静電容量検出方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2003075484A (ja) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6182103A (ja) * | 1984-09-29 | 1986-04-25 | Nippon Kokan Kk <Nkk> | 帰還増幅型静電容量計 |
JP2002323523A (ja) * | 2001-04-27 | 2002-11-08 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 電位固定装置、電位固定方法および容量測定装置 |
-
2001
- 2001-09-06 JP JP2001270307A patent/JP2003075484A/ja active Pending
Patent Citations (2)
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JPS6182103A (ja) * | 1984-09-29 | 1986-04-25 | Nippon Kokan Kk <Nkk> | 帰還増幅型静電容量計 |
JP2002323523A (ja) * | 2001-04-27 | 2002-11-08 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 電位固定装置、電位固定方法および容量測定装置 |
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