JP2003073344A - 光学活性３−メチル−４−ヒドロキシブチルアミン類の製造方法 - Google Patents
光学活性３−メチル−４−ヒドロキシブチルアミン類の製造方法Info
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- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/55—Design of synthesis routes, e.g. reducing the use of auxiliary or protecting groups
Abstract
(57)【要約】
【課題】 医・農薬などの製造中間体として有用な、光
学活性３−メチル−４−ヒドロキシブチルアミン類を効
率よく製造する。 【解決手段】 式（１） 【化１】 ［式中、Xはハロゲン原子等を表す。］で表される化合
物と金属シアン化合物を反応させることにより製造され
る式（２） 【化２】 で表される化合物を不斉水素化することにより製造され
る式（３） 【化３】 で表される、光学活性化合物又はその鏡像異性体を還元
することにより製造される式（４） 【化４】 で表される、光学活性化合物又はその鏡像異性体の水酸
基を保護することを特徴とする式（５） 【化５】 （式中、Ｒ1は水酸基の保護基を表す。）で表される、
３−メチル−４−置換オキシ−ブチルアミン類又はその
鏡像異性体の製造方法。
学活性３−メチル−４−ヒドロキシブチルアミン類を効
率よく製造する。 【解決手段】 式（１） 【化１】 ［式中、Xはハロゲン原子等を表す。］で表される化合
物と金属シアン化合物を反応させることにより製造され
る式（２） 【化２】 で表される化合物を不斉水素化することにより製造され
る式（３） 【化３】 で表される、光学活性化合物又はその鏡像異性体を還元
することにより製造される式（４） 【化４】 で表される、光学活性化合物又はその鏡像異性体の水酸
基を保護することを特徴とする式（５） 【化５】 （式中、Ｒ1は水酸基の保護基を表す。）で表される、
３−メチル−４−置換オキシ−ブチルアミン類又はその
鏡像異性体の製造方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、排尿異常改善剤と
して有用な、（９Ｒ）−７−［３，５−ビス（トリフル
オロメチル）ベンジル］−６，７，８，９，１０，１１
−ヘキサヒドロ−５−（４−ヒドロキシメチルフェニ
ル）−９−メチル−６，１３−ジオキソ−１３Ｈ−
［１，４］−ジアゾシノ［２，１−ｇ］［１，７］ナフ
チリジンの製造中間体として、又、その他の医・農薬の
製造中間体として有用な化合物である光学活性３−置換
−４−ヒドロキシ−ブチルアミン類及びその誘導体の製
造方法に関するものである。
して有用な、（９Ｒ）−７−［３，５−ビス（トリフル
オロメチル）ベンジル］−６，７，８，９，１０，１１
−ヘキサヒドロ−５−（４−ヒドロキシメチルフェニ
ル）−９−メチル−６，１３−ジオキソ−１３Ｈ−
［１，４］−ジアゾシノ［２，１−ｇ］［１，７］ナフ
チリジンの製造中間体として、又、その他の医・農薬の
製造中間体として有用な化合物である光学活性３−置換
−４−ヒドロキシ−ブチルアミン類及びその誘導体の製
造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術および課題】従来、光学活性３−置換−４
−ヒドロキシ−ブチルアミン類及びその誘導体の製造方
法としては、テトラヘドロン（Tetrahedron） ３９巻
３１０７項（１９８３年）、およびジャーナル オブ
メディシナルケミストリー（J. Med. Chem.）３０巻
１９４８項（１９８７年）を参考にして、（S）−３
−ヒドロキシ−２−メチルプロピオン酸メチルエステル
を用いて（R）−３−メチル−４−（２−テトラヒドロ
ピラニルオキシ）ブチルアミンを合成する方法が、特開
平１０−１０９９８９号公報に報告されているが、光学
活性３−置換−４−ヒドロキシ−ブチルアミン類及びそ
の誘導体の製造方法として満足できるものではなく、さ
らに工業的に有利な方法が求められている。
−ヒドロキシ−ブチルアミン類及びその誘導体の製造方
法としては、テトラヘドロン（Tetrahedron） ３９巻
３１０７項（１９８３年）、およびジャーナル オブ
メディシナルケミストリー（J. Med. Chem.）３０巻
１９４８項（１９８７年）を参考にして、（S）−３
−ヒドロキシ−２−メチルプロピオン酸メチルエステル
を用いて（R）−３−メチル−４−（２−テトラヒドロ
ピラニルオキシ）ブチルアミンを合成する方法が、特開
平１０−１０９９８９号公報に報告されているが、光学
活性３−置換−４−ヒドロキシ−ブチルアミン類及びそ
の誘導体の製造方法として満足できるものではなく、さ
らに工業的に有利な方法が求められている。
【０００３】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記課題
を解決するため鋭意研究を行った結果、効率的な製造方
法を見出し、本発明を完成した。
を解決するため鋭意研究を行った結果、効率的な製造方
法を見出し、本発明を完成した。
【０００４】即ち、本発明は、式（１）
【０００５】
【化１１】
【０００６】［式中、Xはハロゲン原子、C1-4アルキル
スルホニルオキシ基（該アルキルスルホニルオキシ基は
ハロゲン原子で任意に置換されていてもよい。）又はア
リールスルホニルオキシ基を表す。］で表される化合物
と金属シアン化合物を反応させることにより製造される
式（２）
スルホニルオキシ基（該アルキルスルホニルオキシ基は
ハロゲン原子で任意に置換されていてもよい。）又はア
リールスルホニルオキシ基を表す。］で表される化合物
と金属シアン化合物を反応させることにより製造される
式（２）
【０００７】
【化１２】
【０００８】で表される、３−シアノ−２−メチル−２
−プロペノールを不斉水素化することにより製造される
式（３）
−プロペノールを不斉水素化することにより製造される
式（３）
【０００９】
【化１３】
【００１０】で表される、光学活性２−メチル−３−ヒ
ドロキシ−ブチロニトリル又はその鏡像異性体を還元す
ることにより製造される式（４）
ドロキシ−ブチロニトリル又はその鏡像異性体を還元す
ることにより製造される式（４）
【００１１】
【化１４】
【００１２】で表される、光学活性３−メチル−４−ヒ
ドロキシブチルアミン又はその鏡像異性体の水酸基を保
護することを特徴とする式（５）
ドロキシブチルアミン又はその鏡像異性体の水酸基を保
護することを特徴とする式（５）
【００１３】
【化１５】
【００１４】（式中、Ｒ1は水酸基の保護基を表す。）
で表される、光学活性３−メチル−４−ヒドロキシブチ
ルアミン類又はその鏡像異性体の製造方法に関するもの
であり、又、式（１）
で表される、光学活性３−メチル−４−ヒドロキシブチ
ルアミン類又はその鏡像異性体の製造方法に関するもの
であり、又、式（１）
【００１５】
【化１６】
【００１６】［式中、Xはハロゲン原子、C1-4アルキル
スルホニルオキシ基（該アルキルスルホニルオキシ基は
ハロゲン原子で任意に置換されていてもよい。）又はア
リールスルホニルオキシ基を表す。］で表される化合物
と金属シアン化合物を反応させることにより製造される
式（２）
スルホニルオキシ基（該アルキルスルホニルオキシ基は
ハロゲン原子で任意に置換されていてもよい。）又はア
リールスルホニルオキシ基を表す。］で表される化合物
と金属シアン化合物を反応させることにより製造される
式（２）
【００１７】
【化１７】
【００１８】で表される、３−シアノ−２−メチル−２
−プロペノールの水酸基を保護することにより製造され
る式（６）
−プロペノールの水酸基を保護することにより製造され
る式（６）
【００１９】
【化１８】
【００２０】（式中、Ｒ1は水酸基の保護基を表す。）
で表される、３−置換オキシ−１−シアノ−２−メチル
プロペン類を不斉水素化することにより製造される式
（７）
で表される、３−置換オキシ−１−シアノ−２−メチル
プロペン類を不斉水素化することにより製造される式
（７）
【００２１】
【化１９】
【００２２】（式中、Ｒ1は前記と同じ意味を表す。）
で表される、２−メチル−３−置換オキシブチロニトリ
ル類又はその鏡像異性体を還元することを特徴とする式
（５）
で表される、２−メチル−３−置換オキシブチロニトリ
ル類又はその鏡像異性体を還元することを特徴とする式
（５）
【００２３】
【化２０】
【００２４】（式中、Ｒ1は前記と同じ意味を表す。）
で表される、光学活性３−メチル−４−ヒドロキシブチ
ルアミン類又はその鏡像異性体の製造方法に関するもの
である。
で表される、光学活性３−メチル−４−ヒドロキシブチ
ルアミン類又はその鏡像異性体の製造方法に関するもの
である。
【００２５】
【発明の実施の形態】以下、更に詳細に本発明を説明す
る。
る。
【００２６】まず、Ｒ1及びXの各置換基における語句に
ついて説明する。
ついて説明する。
【００２７】尚、本明細書中「ｎ」はノルマルを、
「ｉ」はイソを、「ｓ」はセカンダリーを、「ｔ」はタ
ーシャリーを、「ｐ」はパラを意味する。
「ｉ」はイソを、「ｓ」はセカンダリーを、「ｔ」はタ
ーシャリーを、「ｐ」はパラを意味する。
【００２８】ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素
原子、臭素原子及びヨウ素原子が挙げられる。
原子、臭素原子及びヨウ素原子が挙げられる。
【００２９】C1-4アルキルスルホニルオキシ基として
は、メチルスルホニルオキシ、エチルスルホニルオキ
シ、n-プロピルスルホニルオキシ、i-プロピルスルホニ
ルオキシ、n-ブチルスルホニルオキシ、i-ブチルスルホ
ニルオキシ、s-ブチルスルホニルオキ及びt-ブチルスル
ホニルオキシが挙げられる。
は、メチルスルホニルオキシ、エチルスルホニルオキ
シ、n-プロピルスルホニルオキシ、i-プロピルスルホニ
ルオキシ、n-ブチルスルホニルオキシ、i-ブチルスルホ
ニルオキシ、s-ブチルスルホニルオキ及びt-ブチルスル
ホニルオキシが挙げられる。
【００３０】アリールスルホニルオキシ基としては、ベ
ンゼンスルホニルオキシ及びｐ−トルエンスルホニルオ
キシ等が挙げられる。
ンゼンスルホニルオキシ及びｐ−トルエンスルホニルオ
キシ等が挙げられる。
【００３１】Xの具体例としては、フッ素原子、塩素原
子、臭素原子、ヨウ素原子、メチルスルホニルオキシ、
エチルスルホニルオキシ、n-プロピルスルホニルオキ
シ、i-プロピルスルホニルオキシ、n-ブチルスルホニル
オキシ、i-ブチルスルホニルオキシ、s-ブチルスルホニ
ルオキ、t-ブチルスルホニルオキシ、トリフルオロメタ
ンスルホニル、ベンゼンスルホニルオキシ及びｐ−トル
エンスルホニルオキシ等が挙げられ、好ましくは、塩素
原子、臭素原子、メタンスルホニルオキシ基が挙げら
れ、更に好ましくは塩素原子が挙げられる。
子、臭素原子、ヨウ素原子、メチルスルホニルオキシ、
エチルスルホニルオキシ、n-プロピルスルホニルオキ
シ、i-プロピルスルホニルオキシ、n-ブチルスルホニル
オキシ、i-ブチルスルホニルオキシ、s-ブチルスルホニ
ルオキ、t-ブチルスルホニルオキシ、トリフルオロメタ
ンスルホニル、ベンゼンスルホニルオキシ及びｐ−トル
エンスルホニルオキシ等が挙げられ、好ましくは、塩素
原子、臭素原子、メタンスルホニルオキシ基が挙げら
れ、更に好ましくは塩素原子が挙げられる。
【００３２】金属シアン化合物の具体例としては、シア
ン化リチウム、シアン化ナトリウム、シアン化カリウ
ム、シアン化セシウム、シアン化銅、シアン化亜鉛等が
挙げられ、好ましくは、シアン化リチウム、シアン化ナ
トリウム及びシアン化カリウムが挙げられる。
ン化リチウム、シアン化ナトリウム、シアン化カリウ
ム、シアン化セシウム、シアン化銅、シアン化亜鉛等が
挙げられ、好ましくは、シアン化リチウム、シアン化ナ
トリウム及びシアン化カリウムが挙げられる。
【００３３】Ｒ1が表す水酸基の保護基としては、水酸
基の保護基として通常知られている保護基であれば特に
制限はなく、例えばトリメチルシリル基、トリエチルシ
リル基、トリイソプロピルシリル基、ｔ-ブチルジメチ
ルシリル基、ｔ-ブチルジフェニルシリル基などの三置
換シリル基；メトキシメチル基、メトキシエトキシメチ
ル基、１−（エトキシ）エチル基、メトキシイソプロピ
ル基などの１−（アルコキシ）アルキル基；テトラヒド
ロフラニル基、テトラヒドロピラニル基などの２−オキ
サシクロアルキル基；ｔ-ブチル基などのアルキル基；
ベンジル基、パラメトキシベンジル基などのアラルキル
基；アリル基、プロペニル基などのアルケニル基；パラ
メトキシフェニル基などのアリール基；アセチル基、ト
リフルオロアセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、
ピバロイル基、ベンゾイル基、メチルベンゾイル基など
のアシル基；メトキシカルボニル基、エトキシカルボニ
ル基、プロピルオキシカルボニル基、イソプロピルオキ
シカルボニル基、ブチルオキシカルボニル基、イソブチ
ルオキシカルボニル基、ｔ-ブチルオキシカルボニル基
などのアルコキシカルボニル基等が挙げられ、中間体と
しての使い勝手の点から２−オキサシクロアルキル基及
びアシル基等が好ましく、例えば、テトラヒドロピラニ
ル基及びベンゾイル基が好ましい。
基の保護基として通常知られている保護基であれば特に
制限はなく、例えばトリメチルシリル基、トリエチルシ
リル基、トリイソプロピルシリル基、ｔ-ブチルジメチ
ルシリル基、ｔ-ブチルジフェニルシリル基などの三置
換シリル基；メトキシメチル基、メトキシエトキシメチ
ル基、１−（エトキシ）エチル基、メトキシイソプロピ
ル基などの１−（アルコキシ）アルキル基；テトラヒド
ロフラニル基、テトラヒドロピラニル基などの２−オキ
サシクロアルキル基；ｔ-ブチル基などのアルキル基；
ベンジル基、パラメトキシベンジル基などのアラルキル
基；アリル基、プロペニル基などのアルケニル基；パラ
メトキシフェニル基などのアリール基；アセチル基、ト
リフルオロアセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、
ピバロイル基、ベンゾイル基、メチルベンゾイル基など
のアシル基；メトキシカルボニル基、エトキシカルボニ
ル基、プロピルオキシカルボニル基、イソプロピルオキ
シカルボニル基、ブチルオキシカルボニル基、イソブチ
ルオキシカルボニル基、ｔ-ブチルオキシカルボニル基
などのアルコキシカルボニル基等が挙げられ、中間体と
しての使い勝手の点から２−オキサシクロアルキル基及
びアシル基等が好ましく、例えば、テトラヒドロピラニ
ル基及びベンゾイル基が好ましい。
【００３４】次に、本願発明の光学活性３−メチル−４
−ヒドロキシブチルアミン類の製造方法について説明す
る。
−ヒドロキシブチルアミン類の製造方法について説明す
る。
【００３５】本願発明の光学活性３−メチル−４−ヒド
ロキシブチルアミン類及びその誘導体の製造方法は下記
の反応スキームで表される。
ロキシブチルアミン類及びその誘導体の製造方法は下記
の反応スキームで表される。
【００３６】
【化２１】
【００３７】（式中、Ｘ及びＲ1は前記と同じ意味を表
す。） 即ち、化合物（１）と金属シアン化合物を反応させるこ
とにより、３−シアノ−２−メチル−２−プロペノール
（２）とした後、不斉水素化して光学活性３−シアノ−
２−メチルプロパノール又はその鏡像異性体（３）と
し、これを還元することにより、光学活性３−メチルー
４−ヒドロキシブチルアミン又はその鏡像異性体（４）
とした後、水酸基を保護することにより光学活性３−メ
チル−４−ヒドロキシブチルアミン類（５）を製造する
ことができ、又、化合物（１）と金属シアン化合物を反
応させることにより、３−シアノ−２−メチル−２−プ
ロペノール（２）とし、この水酸基を保護することによ
り３−置換オキシ−１−シアノ−２−メチルプロペン類
（６）とした後、不斉水素化して光学活性３−メチル−
４−置換オキシブチロニトリル類又はその鏡像異性体
（７）とし、これを還元することにより光学活性３−メ
チル−４−ヒドロキシブチルアミン類（５）を製造する
こともできる。
す。） 即ち、化合物（１）と金属シアン化合物を反応させるこ
とにより、３−シアノ−２−メチル−２−プロペノール
（２）とした後、不斉水素化して光学活性３−シアノ−
２−メチルプロパノール又はその鏡像異性体（３）と
し、これを還元することにより、光学活性３−メチルー
４−ヒドロキシブチルアミン又はその鏡像異性体（４）
とした後、水酸基を保護することにより光学活性３−メ
チル−４−ヒドロキシブチルアミン類（５）を製造する
ことができ、又、化合物（１）と金属シアン化合物を反
応させることにより、３−シアノ−２−メチル−２−プ
ロペノール（２）とし、この水酸基を保護することによ
り３−置換オキシ−１−シアノ−２−メチルプロペン類
（６）とした後、不斉水素化して光学活性３−メチル−
４−置換オキシブチロニトリル類又はその鏡像異性体
（７）とし、これを還元することにより光学活性３−メ
チル−４−ヒドロキシブチルアミン類（５）を製造する
こともできる。
【００３８】上記反応スキームの製造工程は、逐次進め
ることもできるが、条件を選ぶことにより連続化するこ
とも可能である。
ることもできるが、条件を選ぶことにより連続化するこ
とも可能である。
【００３９】得られた化合物（５）は特開平１０−１０
９９８９号公報記載の薬理活性化合物に導くことができ
る。
９９８９号公報記載の薬理活性化合物に導くことができ
る。
【００４０】〔化合物（１）から化合物（２）の製造〕
化合物（１）と金属シアン化合物を反応させることによ
り、３−シアノ−２−メチル−２−プロペノール（２）
を製造することができる。 この際、化合物（１）（無
溶媒又は溶媒で希釈）に金属シアン化合物（無溶媒又は
溶媒で希釈）を加えて反応させてもよいが、金属シアン
化合物（無溶媒又は溶媒で希釈）に化合物（１）（無溶
媒又は溶媒で希釈）を加えて反応させることもできる。
化合物（１）と金属シアン化合物を反応させることによ
り、３−シアノ−２−メチル−２−プロペノール（２）
を製造することができる。 この際、化合物（１）（無
溶媒又は溶媒で希釈）に金属シアン化合物（無溶媒又は
溶媒で希釈）を加えて反応させてもよいが、金属シアン
化合物（無溶媒又は溶媒で希釈）に化合物（１）（無溶
媒又は溶媒で希釈）を加えて反応させることもできる。
【００４１】反応は大気中、あるいは窒素、アルゴン等
の不活性ガス雰囲気下で行うこともできる。
の不活性ガス雰囲気下で行うこともできる。
【００４２】化合物（１）に金属シアン化合物を加える
か又は金属シアン化合物に化合物（１）を加える際の温
度としては、通常−１１０℃から反応に使用する溶媒の
沸点の範囲で行うことができ、好ましくは−５〜１００
℃の範囲である。
か又は金属シアン化合物に化合物（１）を加える際の温
度としては、通常−１１０℃から反応に使用する溶媒の
沸点の範囲で行うことができ、好ましくは−５〜１００
℃の範囲である。
【００４３】反応時間としては原料化合物が消費される
までの時間であるが、通常１分から２４時間の範囲で行
うことができる。
までの時間であるが、通常１分から２４時間の範囲で行
うことができる。
【００４４】反応させる温度としては特に限定されるも
のではないが、通常−１１０℃から反応に使用する溶媒
の沸点の範囲で行うことができ、好ましくは−１０〜１
００℃の範囲である。
のではないが、通常−１１０℃から反応に使用する溶媒
の沸点の範囲で行うことができ、好ましくは−１０〜１
００℃の範囲である。
【００４５】反応させる時間は、反応させる温度により
変化するため一概に規定できないが、例えば、反応温度
が２５℃の場合は、通常１〜５０時間の範囲であり、好
ましくは３〜２０時間行えば充分である。
変化するため一概に規定できないが、例えば、反応温度
が２５℃の場合は、通常１〜５０時間の範囲であり、好
ましくは３〜２０時間行えば充分である。
【００４６】化合物（１）は、合成品を用いることがで
きるが、市販品をそのまま用いることもできる。
きるが、市販品をそのまま用いることもできる。
【００４７】使用する金属シアン化合物としては、シア
ン化リチウム、シアン化ナトリウム、シアン化カリウ
ム、シアン化セシウム、シアン化銅、シアン化亜鉛等が
挙げられる。
ン化リチウム、シアン化ナトリウム、シアン化カリウ
ム、シアン化セシウム、シアン化銅、シアン化亜鉛等が
挙げられる。
【００４８】化合物（１）と金属シアン化合物のモル比
は任意に設定できるが、通常０.５〜５（金属シアン化
合物／（１））倍モルの範囲が挙げられ、好ましくは
０.８〜２.１（（２）／（１））倍モルの範囲があげら
れる。
は任意に設定できるが、通常０.５〜５（金属シアン化
合物／（１））倍モルの範囲が挙げられ、好ましくは
０.８〜２.１（（２）／（１））倍モルの範囲があげら
れる。
【００４９】反応は無溶媒でも進行するが、通常は溶媒
を用いた方が好ましく、溶媒の種類としては、水、ベン
ゼン、トルエン、キシレン、クロロベンゼン等の芳香族
化合物類、ヘキサン、ヘプタン、シクロヘキサン等の炭
化水素類、クロロホルム、塩化メチレン等のハロゲン化
炭化水素類、ジオキサン、テトラヒドロフラン、ジメト
キシエタン等のエーテル類、アセトン、メチルエチルケ
トン、メチルイソブチルケトン等のケトン類、アセトニ
トリル、イソブチロニトリル等のニトリル類、N, N−ジ
メチルホルムアミド、N−メチルピロリドン、N, N’−
ジメチルイミダゾリノン等のアミド類、ジメチルスルホ
キシドおよびこれらの混合物があげられ、好ましくは
水、アミド類、ジメチルスルホキシドが挙げられる。
を用いた方が好ましく、溶媒の種類としては、水、ベン
ゼン、トルエン、キシレン、クロロベンゼン等の芳香族
化合物類、ヘキサン、ヘプタン、シクロヘキサン等の炭
化水素類、クロロホルム、塩化メチレン等のハロゲン化
炭化水素類、ジオキサン、テトラヒドロフラン、ジメト
キシエタン等のエーテル類、アセトン、メチルエチルケ
トン、メチルイソブチルケトン等のケトン類、アセトニ
トリル、イソブチロニトリル等のニトリル類、N, N−ジ
メチルホルムアミド、N−メチルピロリドン、N, N’−
ジメチルイミダゾリノン等のアミド類、ジメチルスルホ
キシドおよびこれらの混合物があげられ、好ましくは
水、アミド類、ジメチルスルホキシドが挙げられる。
【００５０】溶媒を使用する際の量は、反応基質に対
し、通常０.１〜３０重量倍の範囲を用いる事ができる
が、好ましくは５.０〜２０重量倍が挙げられる。
し、通常０.１〜３０重量倍の範囲を用いる事ができる
が、好ましくは５.０〜２０重量倍が挙げられる。
【００５１】尚、ここでいう溶媒を使用する際の量と
は、化合物（１）、金属シアン化合物等を希釈するのに
用いた溶媒量の総和を意味する。
は、化合物（１）、金属シアン化合物等を希釈するのに
用いた溶媒量の総和を意味する。
【００５２】反応終了後、反応混合物に食塩を加え、例
えば酢酸エチル、トルエン等の溶媒を抽出溶媒として加
えて抽出操作を行う。 分離した有機層に、場合によっ
ては食塩水溶液等を加えて水洗操作を行う。 分離した
有機層を硫酸マグネシウム等の乾燥剤で乾燥し、減圧下
で溶媒を留去することで３−シアノ−２−メチル−２−
プロペノール（２）を得ることができる。 さらにシリ
カゲルカラムクロマトグラフィーあるいは蒸留により容
易に精製することができる。
えば酢酸エチル、トルエン等の溶媒を抽出溶媒として加
えて抽出操作を行う。 分離した有機層に、場合によっ
ては食塩水溶液等を加えて水洗操作を行う。 分離した
有機層を硫酸マグネシウム等の乾燥剤で乾燥し、減圧下
で溶媒を留去することで３−シアノ−２−メチル−２−
プロペノール（２）を得ることができる。 さらにシリ
カゲルカラムクロマトグラフィーあるいは蒸留により容
易に精製することができる。
【００５３】〔化合物（２）から化合物（３）の製造〕
化合物（２）を不斉水素化することにより化合物（３）
を製造することができる。
化合物（２）を不斉水素化することにより化合物（３）
を製造することができる。
【００５４】不斉水素化は、光学活性触媒の存在下、水
素源を作用させることにより達成される。
素源を作用させることにより達成される。
【００５５】この際使用する光学活性触媒は、通常、不
斉配位子を有する遷移金属錯体である。
斉配位子を有する遷移金属錯体である。
【００５６】遷移金属としては、例えばニッケル、パラ
ジウム、白金、コバルト、ロジウム、イリジウム、鉄、
ルテニウム、チタン等が挙げられ、入手の容易さ等か
ら、好ましくはロジウム等が挙げられる。
ジウム、白金、コバルト、ロジウム、イリジウム、鉄、
ルテニウム、チタン等が挙げられ、入手の容易さ等か
ら、好ましくはロジウム等が挙げられる。
【００５７】使用する不斉配位子としては、通常使用さ
れている不斉配位子を用いることができるが、例えば、
カタリティク アシメトリック シンセシス 第２版、
２０００年、第２〜６項（CATALYTIC ASYMMETRIC SYNTH
ESIS Second Edition, 2000,WILEY-VCH, p２〜６）に記
載されている配位子を挙げることができる。
れている不斉配位子を用いることができるが、例えば、
カタリティク アシメトリック シンセシス 第２版、
２０００年、第２〜６項（CATALYTIC ASYMMETRIC SYNTH
ESIS Second Edition, 2000,WILEY-VCH, p２〜６）に記
載されている配位子を挙げることができる。
【００５８】例えば、(S,S)-BDPP、(R,R)-BICP、(R)-BI
MOP、(S)-BINAP、(S)-TolBINAP、(S)-XylBINAP、(S)-DT
BBINAP、(S)-p-MeO-BINAP、(S)-BINAP-SO3Na、(S)-Cy-B
INAP、(S)-BIPHEMP、(S)-MeO-BIPHEP、(S)-p-Tol-MeO-B
IPHEP、di-t-Bu-MeO-BIPHEP、(S)-Fr-MeO-BIPHEP、(S)-
BICPEP、(S)-BICHEP、(R,R)-BIPNOR、(R,R)-BisP*、(S,
S)-t-BuBisP*、(S)-bis-steroidal phosphine、(S)-tet
raMe-BITIANP、(S)-Me-BPE、(S)-Et-BPE、(S)-i-BPE、
(S,S)-CHIRAPHOS、(R,R)-CDP、(S,S)-DIOP、(S,S)-DIOP
-OH、(S,S)-MOD-DIOP、(S,S)-CyDIOP、(S,S)-DIPAMP、
(S,S)-Me-DuPHOS、(S,S)-Et-DuPHOS、(S,S)-i-Pr-DuPHO
S、(S,S)-FerroPHOS、(S)-H8-BINAP、(S,S)-NORPHOS、
(R,S,R,S)-Me-PennPhos、(S)-[2.2]PHANEPHOS、(S,S)-P
YRPHOS、(S,S)-RENORPHOS、(S,S,S,S)-RoPHOS、(R,R)-T
BPC、(R,R)-(S,S)-TRAP、(R,R)-(S,S)-EtTRAP、(R,R)-
(S,S)-i-BuTRAP、(S)-SEGPHOS等のC2-キラルジホスフィ
ン類およびこれらの鏡像異性体、および(R)-(S)-BPPF
A、(R)-(S)-BPPFOH、(2S,4S)-BPPM、(R)-(S)-BCPM、(R)
-(S)-MCCPM、(R)-(S)-m-CH3POPPM、(R)-(S)-MOD-BCPM、
(S)-CAMP、(R)-cy2-BIPHEMP、(S,R,R,R)-TMO-DEGUPHO
S、(R)-(S)-JOSIPHOS、(R)-(S)-XYLIPHOS、(R)-(S)-xyl
2PF-Pxyl2、(R)-(S)-MOD-XYLIPHOS、(R)-MOC-BIMOP、(1
R,2R)-PPCP、(R)-PROPHOS、(R)-BENZPHOS、(R)-CyCPHO
S、(S,S)-SulfBDPP等の非C2-キラルジホスフィン類およ
びこれらの鏡像異性体、および(S,S)-BDPCH、(S,S)-BDP
CP、(S,R)-BICPO、Ph-β-GLUP、Ph-β-GLUP-OH、(R,R,
R)-spirOP等のビスホスフィナイト類およびこれらの鏡
像異性体、および(R)-BDPAB、(1S,2R)-DPAMPP、(R)-H8-
BDPAB、(S)-Cp,Cp-IndoNOP、(S,2S)-Cr(CO)3-Cp,Cp-Ind
oNOP、(S)-isoAlaNOP 、(S)-Ph,Cp-isoAlaNOP、(S)-Cp,
Cp-isoAlaNOP、(S)-Ph,Cp-methyllactamide、(S)-Ph,Ph
-oxoProNOP、(S)-Cp,Cp-oxoProNOP、(S)-Cy,Cy-oxoProN
OP、(R)-PINDOPHOS、(S,S)-PNNP、(S)-PROLOPHOS等のア
ミドホスフィンおよびアミノホスフィン類およびこれら
の鏡像異性体を挙げることができ、入手の容易さ等か
ら、好ましくは(S,S)-t-BuBisP*等を挙げることができ
る。
MOP、(S)-BINAP、(S)-TolBINAP、(S)-XylBINAP、(S)-DT
BBINAP、(S)-p-MeO-BINAP、(S)-BINAP-SO3Na、(S)-Cy-B
INAP、(S)-BIPHEMP、(S)-MeO-BIPHEP、(S)-p-Tol-MeO-B
IPHEP、di-t-Bu-MeO-BIPHEP、(S)-Fr-MeO-BIPHEP、(S)-
BICPEP、(S)-BICHEP、(R,R)-BIPNOR、(R,R)-BisP*、(S,
S)-t-BuBisP*、(S)-bis-steroidal phosphine、(S)-tet
raMe-BITIANP、(S)-Me-BPE、(S)-Et-BPE、(S)-i-BPE、
(S,S)-CHIRAPHOS、(R,R)-CDP、(S,S)-DIOP、(S,S)-DIOP
-OH、(S,S)-MOD-DIOP、(S,S)-CyDIOP、(S,S)-DIPAMP、
(S,S)-Me-DuPHOS、(S,S)-Et-DuPHOS、(S,S)-i-Pr-DuPHO
S、(S,S)-FerroPHOS、(S)-H8-BINAP、(S,S)-NORPHOS、
(R,S,R,S)-Me-PennPhos、(S)-[2.2]PHANEPHOS、(S,S)-P
YRPHOS、(S,S)-RENORPHOS、(S,S,S,S)-RoPHOS、(R,R)-T
BPC、(R,R)-(S,S)-TRAP、(R,R)-(S,S)-EtTRAP、(R,R)-
(S,S)-i-BuTRAP、(S)-SEGPHOS等のC2-キラルジホスフィ
ン類およびこれらの鏡像異性体、および(R)-(S)-BPPF
A、(R)-(S)-BPPFOH、(2S,4S)-BPPM、(R)-(S)-BCPM、(R)
-(S)-MCCPM、(R)-(S)-m-CH3POPPM、(R)-(S)-MOD-BCPM、
(S)-CAMP、(R)-cy2-BIPHEMP、(S,R,R,R)-TMO-DEGUPHO
S、(R)-(S)-JOSIPHOS、(R)-(S)-XYLIPHOS、(R)-(S)-xyl
2PF-Pxyl2、(R)-(S)-MOD-XYLIPHOS、(R)-MOC-BIMOP、(1
R,2R)-PPCP、(R)-PROPHOS、(R)-BENZPHOS、(R)-CyCPHO
S、(S,S)-SulfBDPP等の非C2-キラルジホスフィン類およ
びこれらの鏡像異性体、および(S,S)-BDPCH、(S,S)-BDP
CP、(S,R)-BICPO、Ph-β-GLUP、Ph-β-GLUP-OH、(R,R,
R)-spirOP等のビスホスフィナイト類およびこれらの鏡
像異性体、および(R)-BDPAB、(1S,2R)-DPAMPP、(R)-H8-
BDPAB、(S)-Cp,Cp-IndoNOP、(S,2S)-Cr(CO)3-Cp,Cp-Ind
oNOP、(S)-isoAlaNOP 、(S)-Ph,Cp-isoAlaNOP、(S)-Cp,
Cp-isoAlaNOP、(S)-Ph,Cp-methyllactamide、(S)-Ph,Ph
-oxoProNOP、(S)-Cp,Cp-oxoProNOP、(S)-Cy,Cy-oxoProN
OP、(R)-PINDOPHOS、(S,S)-PNNP、(S)-PROLOPHOS等のア
ミドホスフィンおよびアミノホスフィン類およびこれら
の鏡像異性体を挙げることができ、入手の容易さ等か
ら、好ましくは(S,S)-t-BuBisP*等を挙げることができ
る。
【００５９】これらの遷移金属錯体を触媒として用いる
際には、反応基質に対して触媒を通常０.００１〜１.０
倍モル使用する。
際には、反応基質に対して触媒を通常０.００１〜１.０
倍モル使用する。
【００６０】水素源としては、水素およびギ酸／トリエ
チルアミン系、ギ酸／α−フェネチルアミン系、ギ酸／
トリフェニルアミン系、２−プロパノール等が挙げられ
る。
チルアミン系、ギ酸／α−フェネチルアミン系、ギ酸／
トリフェニルアミン系、２−プロパノール等が挙げられ
る。
【００６１】使用する水素源の量としては、反応基質に
対して水素を通常１.０〜１００倍モルを使用する。
対して水素を通常１.０〜１００倍モルを使用する。
【００６２】反応は通常、溶媒を必要とし、溶媒として
は、水、ギ酸、酢酸などの有機酸類、酢酸エチル、酢酸
ブチルなどのエステル類、ベンゼン、トルエン、キシレ
ン等の芳香族化合物類、ヘキサン、ヘプタン、シクロヘ
キサン等の炭化水素類、メタノール、エタノール、t−
ブチルアルコール、エチレングリコール、ジエチレング
リコールなどのアルコール類、ジオキサン、テトラヒド
ロフラン、ジメトキシエタン、ジグライム等のエーテル
類あるいはこれらの混合物が挙げられる。
は、水、ギ酸、酢酸などの有機酸類、酢酸エチル、酢酸
ブチルなどのエステル類、ベンゼン、トルエン、キシレ
ン等の芳香族化合物類、ヘキサン、ヘプタン、シクロヘ
キサン等の炭化水素類、メタノール、エタノール、t−
ブチルアルコール、エチレングリコール、ジエチレング
リコールなどのアルコール類、ジオキサン、テトラヒド
ロフラン、ジメトキシエタン、ジグライム等のエーテル
類あるいはこれらの混合物が挙げられる。
【００６３】溶媒を使用する際の量は、反応基質に対
し、通常０.１〜３０重量倍の範囲を用いる事ができる
が、好ましくは１.０〜２０重量倍が挙げられる。
し、通常０.１〜３０重量倍の範囲を用いる事ができる
が、好ましくは１.０〜２０重量倍が挙げられる。
【００６４】反応温度は、通常−８０℃から使用する溶
媒の沸点の範囲が挙げられるが、好ましくは２５℃から
使用する溶媒の沸点の範囲が挙げられる。
媒の沸点の範囲が挙げられるが、好ましくは２５℃から
使用する溶媒の沸点の範囲が挙げられる。
【００６５】溶媒を使用する際の量は、反応基質に対
し、通常０.１〜３０重量倍の範囲を用いる事ができる
が、好ましくは１.０〜２０重量倍が挙げられる。
し、通常０.１〜３０重量倍の範囲を用いる事ができる
が、好ましくは１.０〜２０重量倍が挙げられる。
【００６６】反応温度は、通常−８０℃から使用する溶
媒の沸点の範囲が挙げられるが、好ましくは２５℃から
使用する溶媒の沸点の範囲が挙げられる。
媒の沸点の範囲が挙げられるが、好ましくは２５℃から
使用する溶媒の沸点の範囲が挙げられる。
【００６７】反応圧力は通常、常圧〜２０MPaが挙げら
れる。
れる。
【００６８】〔化合物（３）から化合物（４）の製造〕
化合物（３）を還元することにより化合物（４）を製造
することができる。
化合物（３）を還元することにより化合物（４）を製造
することができる。
【００６９】還元方法として試薬還元と接触水素添加が
挙げられる。
挙げられる。
【００７０】A. 試薬還元
還元剤としては、たとえばBH3-THF、BH3-SMe2、LiAlH(O
Me)3、LiAlH4、AlH3、LiBEt3H、 (i-Bu)2AlH、NaAlEt2H
2、NaBH4-ZnCl2、NaBH4-BF3OEt2、NaBH4-TMSCl、NaBH4-
LiCl、NaBH4-AlCl3、NaBH4-CoCl2などが挙げられ、好ま
しくはLiAlH4が挙げられる。
Me)3、LiAlH4、AlH3、LiBEt3H、 (i-Bu)2AlH、NaAlEt2H
2、NaBH4-ZnCl2、NaBH4-BF3OEt2、NaBH4-TMSCl、NaBH4-
LiCl、NaBH4-AlCl3、NaBH4-CoCl2などが挙げられ、好ま
しくはLiAlH4が挙げられる。
【００７１】使用する還元剤の量としては、化合物
（３）に対して通常１.０〜２０モル倍が挙げられる。
（３）に対して通常１.０〜２０モル倍が挙げられる。
【００７２】反応は通常、溶媒を必要とし、溶媒として
は、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族化合物
類、ヘキサン、ヘプタン、シクロヘキサン等の炭化水素
類、メタノール、エタノール、t−ブチルアルコール、
エチレングリコール、ジエチレングリコールなどのアル
コール類、ジオキサン、テトラヒドロフラン、ジメトキ
シエタン、ジグライム等のエーテル類あるいはこれらの
混合物が挙げられる。
は、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族化合物
類、ヘキサン、ヘプタン、シクロヘキサン等の炭化水素
類、メタノール、エタノール、t−ブチルアルコール、
エチレングリコール、ジエチレングリコールなどのアル
コール類、ジオキサン、テトラヒドロフラン、ジメトキ
シエタン、ジグライム等のエーテル類あるいはこれらの
混合物が挙げられる。
【００７３】溶媒を使用する際の量は、反応基質に対
し、通常０.１〜３０重量倍の範囲を用いる事ができる
が、好ましくは１.０〜２０重量倍が挙げられる。
し、通常０.１〜３０重量倍の範囲を用いる事ができる
が、好ましくは１.０〜２０重量倍が挙げられる。
【００７４】反応温度は、通常−８０℃から使用する溶
媒の沸点の範囲が挙げられるが、好ましくは−３０℃か
ら使用する溶媒の沸点の範囲が挙げられる。
媒の沸点の範囲が挙げられるが、好ましくは−３０℃か
ら使用する溶媒の沸点の範囲が挙げられる。
【００７５】還元剤としてLiAlH4を用いる場合、使用す
るLiAlH4の量としては、化合物（３）に対して通常１.
０〜２０倍モルが挙げられ、好ましくは０.５〜１.３倍
モルが挙げられる。
るLiAlH4の量としては、化合物（３）に対して通常１.
０〜２０倍モルが挙げられ、好ましくは０.５〜１.３倍
モルが挙げられる。
【００７６】反応は通常、溶媒を必要とし、溶媒として
は、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族化合物
類、ヘキサン、ヘプタン、シクロヘキサン等の炭化水素
類、メタノール、エタノール、t−ブチルアルコール、
エチレングリコール、ジエチレングリコールなどのアル
コール類、ジオキサン、テトラヒドロフラン、ジメトキ
シエタン、ジグライム等のエーテル類あるいはこれらの
混合物が挙げられ、好ましくはエーテル類が挙げられ、
さらに好ましくはテトラヒドロフランが挙げられる。
は、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族化合物
類、ヘキサン、ヘプタン、シクロヘキサン等の炭化水素
類、メタノール、エタノール、t−ブチルアルコール、
エチレングリコール、ジエチレングリコールなどのアル
コール類、ジオキサン、テトラヒドロフラン、ジメトキ
シエタン、ジグライム等のエーテル類あるいはこれらの
混合物が挙げられ、好ましくはエーテル類が挙げられ、
さらに好ましくはテトラヒドロフランが挙げられる。
【００７７】溶媒を使用する際の量は、反応基質に対
し、通常０.１〜３０重量倍の範囲を用いる事ができる
が、好ましくは１.０〜２０重量倍が挙げられる。
し、通常０.１〜３０重量倍の範囲を用いる事ができる
が、好ましくは１.０〜２０重量倍が挙げられる。
【００７８】反応温度は、通常−８０℃から使用する溶
媒の沸点の範囲が挙げられるが、好ましくは−３０℃か
ら使用する溶媒の沸点の範囲が挙げられ、さらに好まし
くは０℃から使用する溶媒の沸点の範囲が挙げられる。
媒の沸点の範囲が挙げられるが、好ましくは−３０℃か
ら使用する溶媒の沸点の範囲が挙げられ、さらに好まし
くは０℃から使用する溶媒の沸点の範囲が挙げられる。
【００７９】B. 接触水素添加
化合物（３）に対して水素を通常２.０〜１００倍モル
を使用する。
を使用する。
【００８０】化合物（３）に対して触媒を通常０.００
１〜１.０倍モル使用する。
１〜１.０倍モル使用する。
【００８１】触媒として、酸化白金（IV）、白金ブラッ
ク、白金カーボン粉末、白金カーボンサルファイド粉末
などの白金触媒、パラジウムカーボン、パラジウムアル
ミナ、パラジウムブラック、酸化パラジウムなどのパラ
ジウム触媒、オスミウムカーボンなどのオスミウム触
媒、レニウムカーボンなどのレニウム触媒、ラネーニッ
ケルなどのニッケル触媒が挙げられる。
ク、白金カーボン粉末、白金カーボンサルファイド粉末
などの白金触媒、パラジウムカーボン、パラジウムアル
ミナ、パラジウムブラック、酸化パラジウムなどのパラ
ジウム触媒、オスミウムカーボンなどのオスミウム触
媒、レニウムカーボンなどのレニウム触媒、ラネーニッ
ケルなどのニッケル触媒が挙げられる。
【００８２】反応を加速するために、硫酸、塩酸、リン
酸、過塩素酸などの酸類、アンモニア、ピリジン、トリ
エチルアミン、水酸化ナトリウム、水酸化カリウムなど
の塩基を加えることができる。
酸、過塩素酸などの酸類、アンモニア、ピリジン、トリ
エチルアミン、水酸化ナトリウム、水酸化カリウムなど
の塩基を加えることができる。
【００８３】反応は通常溶媒を必要とし、溶媒として
水、ギ酸、酢酸などの有機酸類、酢酸エチル、酢酸ブチ
ルなどのエステル類、ベンゼン、トルエン、キシレン等
の芳香族化合物類、ヘキサン、ヘプタン、シクロヘキサ
ン等の炭化水素類、メタノール、エタノール、t−ブチ
ルアルコール、エチレングリコール、ジエチレングリコ
ールなどのアルコール類、ジオキサン、テトラヒドロフ
ラン、ジメトキシエタン、ジグライム等のエーテル類あ
るいはこれらの混合物が挙げられる。
水、ギ酸、酢酸などの有機酸類、酢酸エチル、酢酸ブチ
ルなどのエステル類、ベンゼン、トルエン、キシレン等
の芳香族化合物類、ヘキサン、ヘプタン、シクロヘキサ
ン等の炭化水素類、メタノール、エタノール、t−ブチ
ルアルコール、エチレングリコール、ジエチレングリコ
ールなどのアルコール類、ジオキサン、テトラヒドロフ
ラン、ジメトキシエタン、ジグライム等のエーテル類あ
るいはこれらの混合物が挙げられる。
【００８４】溶媒を使用する際の量は、反応基質に対
し、通常０.１〜３０重量倍の範囲を用いる事ができる
が、好ましくは１.０〜２０重量倍が挙げられる。
し、通常０.１〜３０重量倍の範囲を用いる事ができる
が、好ましくは１.０〜２０重量倍が挙げられる。
【００８５】反応温度は、通常−８０℃から使用する溶
媒の沸点の範囲が挙げられるが、好ましくは２５℃から
使用する溶媒の沸点の範囲が挙げられる。
媒の沸点の範囲が挙げられるが、好ましくは２５℃から
使用する溶媒の沸点の範囲が挙げられる。
【００８６】反応圧力は通常、常圧〜２０MPaが挙げら
れる。 〔化合物（４）から化合物（５）の製造〕化合物（４）
の水酸基を保護することにより化合物（５）を製造する
ことができる。
れる。 〔化合物（４）から化合物（５）の製造〕化合物（４）
の水酸基を保護することにより化合物（５）を製造する
ことができる。
【００８７】水酸基の保護基としては、前述の保護基が
挙げられ、これら保護基の導入および除去は文献記載の
方法を適宜採用して行うことができる（Green, T.W.; W
uts,P.G.M. “Protective Groups in Organic Synthesi
s”, 2nd Ed., Wiley Interscience Publication, John
-Weiley&Sons, New York, 1991, pp 14-118）。
挙げられ、これら保護基の導入および除去は文献記載の
方法を適宜採用して行うことができる（Green, T.W.; W
uts,P.G.M. “Protective Groups in Organic Synthesi
s”, 2nd Ed., Wiley Interscience Publication, John
-Weiley&Sons, New York, 1991, pp 14-118）。
【００８８】例えば、水酸基の保護基としてｔ−ブチル
ジメチルシリル基、ｔ−ブチルジフェニルシリル基など
のかさ高い三置換シリル基を保護基とする場合、反応
は、ｔ−ブチルジメチルシリルクロリド、ｔ−ブチルジ
フェニルシリルクロリドなどの三置換シリルハライドま
たはｔ−ブチルジメチルシリルトリフルオロメタンスル
ホネート、ｔ−ブチルジフェニルシリルトリフルオロメ
タンスルホネートなどの三置換シリルトリフルオロメタ
ンスルホネートを、イミダゾール、２，６−ルチジンな
どの塩基の存在下に、化合物（４）と反応させることに
より行うことができる。
ジメチルシリル基、ｔ−ブチルジフェニルシリル基など
のかさ高い三置換シリル基を保護基とする場合、反応
は、ｔ−ブチルジメチルシリルクロリド、ｔ−ブチルジ
フェニルシリルクロリドなどの三置換シリルハライドま
たはｔ−ブチルジメチルシリルトリフルオロメタンスル
ホネート、ｔ−ブチルジフェニルシリルトリフルオロメ
タンスルホネートなどの三置換シリルトリフルオロメタ
ンスルホネートを、イミダゾール、２，６−ルチジンな
どの塩基の存在下に、化合物（４）と反応させることに
より行うことができる。
【００８９】又、例えば、水酸基の保護基としてアセチ
ル基、トリフルオロアセチル基、ベンゾイル基などのア
シル基を保護基とする場合、反応は無水酢酸、無水トリ
フルオロ酢酸などのカルボン酸無水物または塩化ベンゾ
イルなどのカルボン酸ハロゲン化物を、ピリジン、トリ
エチルアミンなどの塩基の存在下に化合物（４）と反応
させることにより行うことができ、また、水酸基の保護
基としてメトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基
などのアルコキシカルボニル基を保護基とする場合、反
応はクロロ炭酸メチル、クロロ炭酸エチルなどのクロロ
炭酸エステルをピリジン、トリエチルアミンなどの塩基
の存在下に化合物（４）と反応させることにより行うこ
とができる。
ル基、トリフルオロアセチル基、ベンゾイル基などのア
シル基を保護基とする場合、反応は無水酢酸、無水トリ
フルオロ酢酸などのカルボン酸無水物または塩化ベンゾ
イルなどのカルボン酸ハロゲン化物を、ピリジン、トリ
エチルアミンなどの塩基の存在下に化合物（４）と反応
させることにより行うことができ、また、水酸基の保護
基としてメトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基
などのアルコキシカルボニル基を保護基とする場合、反
応はクロロ炭酸メチル、クロロ炭酸エチルなどのクロロ
炭酸エステルをピリジン、トリエチルアミンなどの塩基
の存在下に化合物（４）と反応させることにより行うこ
とができる。
【００９０】又、例えば、水酸基の保護基としてテトラ
ヒドロフラニル基、テトラヒドロピラニル基などの２−
オキサシクロアルキル基を保護基とする場合、反応は、
２,３−ジヒドロフラン、２,３−ジヒドロピランなどの
不飽和環状エーテルを、酸の存在下に、化合物（４）と
反応させることにより行うことができる。
ヒドロフラニル基、テトラヒドロピラニル基などの２−
オキサシクロアルキル基を保護基とする場合、反応は、
２,３−ジヒドロフラン、２,３−ジヒドロピランなどの
不飽和環状エーテルを、酸の存在下に、化合物（４）と
反応させることにより行うことができる。
【００９１】使用する酸としては、塩酸、硫酸などの鉱
酸、あるいはギ酸、酢酸、トリフルオロ酢酸、マンデル
酸、酒石酸などのカルボン酸類、あるいはメタンスルホ
ン酸、p−トルエンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸、
トリフルオロメタンスルホン酸、カンファースルホン酸
などのスルホン酸類、オキシ塩化リン、Amberlite IR-1
20(H型)が挙げられる。
酸、あるいはギ酸、酢酸、トリフルオロ酢酸、マンデル
酸、酒石酸などのカルボン酸類、あるいはメタンスルホ
ン酸、p−トルエンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸、
トリフルオロメタンスルホン酸、カンファースルホン酸
などのスルホン酸類、オキシ塩化リン、Amberlite IR-1
20(H型)が挙げられる。
【００９２】化合物（４）に対する酸の量としては、通
常０.００１〜２.０倍モルが挙げられる。
常０.００１〜２.０倍モルが挙げられる。
【００９３】化合物（４）に対する不飽和環状エーテル
の量としては、０.８〜１０倍モルが挙げられる。
の量としては、０.８〜１０倍モルが挙げられる。
【００９４】反応は無溶媒でも進行するが、溶媒を用い
てもよく、溶媒の種類としては、ベンゼン、トルエン、
キシレン、クロロベンゼン等の芳香族化合物類、ヘキサ
ン、ヘプタン、シクロヘキサン等の炭化水素類、クロロ
ホルム、塩化メチレン、ジクロロエタン等のハロゲン化
炭化水素類、ジオキサン、テトラヒドロフラン、ジメト
キシエタン等のエーテル類、アセトン、メチルエチルケ
トン、メチルイソブチルケトン等のケトン類、アセトニ
トリル、イソブチロニトリル等のニトリル類、N, N−ジ
メチルホルムアミド、N−メチルピロリドン、N, N’−
ジメチルイミダゾリノン等のアミド類、ジメチルスルホ
キシドおよびこれらの混合物が挙げられ、好ましくはハ
ロゲン化炭化水素類、エーテル類が挙げられる。
てもよく、溶媒の種類としては、ベンゼン、トルエン、
キシレン、クロロベンゼン等の芳香族化合物類、ヘキサ
ン、ヘプタン、シクロヘキサン等の炭化水素類、クロロ
ホルム、塩化メチレン、ジクロロエタン等のハロゲン化
炭化水素類、ジオキサン、テトラヒドロフラン、ジメト
キシエタン等のエーテル類、アセトン、メチルエチルケ
トン、メチルイソブチルケトン等のケトン類、アセトニ
トリル、イソブチロニトリル等のニトリル類、N, N−ジ
メチルホルムアミド、N−メチルピロリドン、N, N’−
ジメチルイミダゾリノン等のアミド類、ジメチルスルホ
キシドおよびこれらの混合物が挙げられ、好ましくはハ
ロゲン化炭化水素類、エーテル類が挙げられる。
【００９５】溶媒を使用する際の量は、反応基質に対
し、通常０.１〜３０重量倍の範囲を用いる事ができる
が、好ましくは１.０〜２０重量倍が挙げられる。
し、通常０.１〜３０重量倍の範囲を用いる事ができる
が、好ましくは１.０〜２０重量倍が挙げられる。
【００９６】反応温度は、通常−８０〜２００℃で行わ
れるが、好ましくは−３０℃から使用する溶媒の沸点の
範囲が挙げられる。
れるが、好ましくは−３０℃から使用する溶媒の沸点の
範囲が挙げられる。
【００９７】〔化合物（２）から化合物（６）の製造〕
化合物（２）の水酸基を保護することにより化合物
（６）を製造することができる。
化合物（２）の水酸基を保護することにより化合物
（６）を製造することができる。
【００９８】水酸基を保護することによる化合物（６）
の製造方法は、化合物（４）から化合物（５）を製造す
る方法と同様の条件で行うことができる。
の製造方法は、化合物（４）から化合物（５）を製造す
る方法と同様の条件で行うことができる。
【００９９】〔化合物（６）から化合物（７）の製造〕
化合物（６）を不斉水素化することにより化合物（７）
を製造することができる。
化合物（６）を不斉水素化することにより化合物（７）
を製造することができる。
【０１００】不斉水素化することによる化合物（７）の
製造方法は、化合物（２）から化合物（３）を製造する
方法と同様の条件で行うことができる。
製造方法は、化合物（２）から化合物（３）を製造する
方法と同様の条件で行うことができる。
【０１０１】〔化合物（７）から化合物（５）の製造〕
化合物（７）を還元することにより化合物（５）を製造
することができる。
化合物（７）を還元することにより化合物（５）を製造
することができる。
【０１０２】還元することによる化合物（５）の製造方
法は、化合物（３）から化合物（４）を製造する方法と
同様の条件で行うことができる。
法は、化合物（３）から化合物（４）を製造する方法と
同様の条件で行うことができる。
【０１０３】
【実施例】以下実施例によって本発明をさらに具体的に
説明するが、本発明は、これらによって限定されるもの
ではない。
説明するが、本発明は、これらによって限定されるもの
ではない。
【０１０４】尚、２−クロロメチル−２−メチルオキシ
ラン（1-a）は、市販のものを用いた。
ラン（1-a）は、市販のものを用いた。
【０１０５】化合物の光学純度は、GＣ（ガスクロマト
グラフィー）により決定した。 化合物（３）及び（７
−b）（７−bは加水分解して３に誘導して測定した。）
は、以下の分析条件にて測定した。カラム：SUPELCO GA
MMA-DEX (30.0m×250μm×0.25μm)、８０℃（２０min.
保持）、５℃／min.（昇温）、２００℃（１０min.保
持）、圧力６８.８kPa、カラム流量０.７mL／min.、カ
ラム平均線速度２０cm／sec、スプリット比１００：
１、注入口温度２００℃、検出器温度２５０℃又、(S,
S)-t-BuBisP*-Rh錯体とは、以下の構造を有する光学活
性触媒を意味する。
グラフィー）により決定した。 化合物（３）及び（７
−b）（７−bは加水分解して３に誘導して測定した。）
は、以下の分析条件にて測定した。カラム：SUPELCO GA
MMA-DEX (30.0m×250μm×0.25μm)、８０℃（２０min.
保持）、５℃／min.（昇温）、２００℃（１０min.保
持）、圧力６８.８kPa、カラム流量０.７mL／min.、カ
ラム平均線速度２０cm／sec、スプリット比１００：
１、注入口温度２００℃、検出器温度２５０℃又、(S,
S)-t-BuBisP*-Rh錯体とは、以下の構造を有する光学活
性触媒を意味する。
【０１０６】
【化２２】
【０１０７】〔実施例１〕
３−シアノ−２−メチル−２−プロペノール（２）の合
成
成
【０１０８】
【化２３】
【０１０９】３００mL反応フラスコにNaCN（４.６g, ９
３.９mmol）をはかり込み、これに水（１００mL）加え
て５℃とした。 同温にて激しく撹拌しながら２−クロ
ロメチル−２−メチルオキシラン（1-a）（１０.０g,
９３.９mmol）を１時間かけて滴下した後、常温で一晩
反応させた。 反応溶液に食塩（２０g）を加えて溶解
させた後、酢酸エチルで抽出した。 有機層を無水硫酸
マグネシウムで乾燥後、溶媒を留去すると表題化合物が
粗生成物として得られた。 これを蒸留（６０〜７０℃
／０.０２６〜０.０３３kPa）で精製することにより表
題化合物３−シアノ−２−メチル−２−プロペノール
（２）（４.７３g, 収率５２％）が得られた。
３.９mmol）をはかり込み、これに水（１００mL）加え
て５℃とした。 同温にて激しく撹拌しながら２−クロ
ロメチル−２−メチルオキシラン（1-a）（１０.０g,
９３.９mmol）を１時間かけて滴下した後、常温で一晩
反応させた。 反応溶液に食塩（２０g）を加えて溶解
させた後、酢酸エチルで抽出した。 有機層を無水硫酸
マグネシウムで乾燥後、溶媒を留去すると表題化合物が
粗生成物として得られた。 これを蒸留（６０〜７０℃
／０.０２６〜０.０３３kPa）で精製することにより表
題化合物３−シアノ−２−メチル−２−プロペノール
（２）（４.７３g, 収率５２％）が得られた。
【０１１０】〔実施例２〕
（R）−３−メチル−４−ヒドロキシ−ブチロニトリル
（３）の合成
（３）の合成
【０１１１】
【化２４】
【０１１２】１００mLオートクレーブに実施例１で得ら
れた３−シアノ−２−メチル−２−プロペノール（２）
（０.５０g, ５.２mmol）、メタノール（１８mL）、市
販の(S,S)-t-BuBisP*-Rh錯体（０.０１３g, ０.０２６m
mol）（日本化学工業株式会社製）をはかり込み、水素
雰囲気下（０.７MPa）で３日間撹拌し反応させた。 反
応溶液をフロリジールでろ過後、減圧濃縮すると表題化
合物（３）が粗生成物として得られた。 これをシリカ
ゲルカラムクロマトグラフィーで精製することにより表
題化合物（R）−３−メチル−４−ヒドロキシ−ブチロ
ニトリル（３）（０.１７g, 収率３３％, 光学収率２７
％ee）が得られた。
れた３−シアノ−２−メチル−２−プロペノール（２）
（０.５０g, ５.２mmol）、メタノール（１８mL）、市
販の(S,S)-t-BuBisP*-Rh錯体（０.０１３g, ０.０２６m
mol）（日本化学工業株式会社製）をはかり込み、水素
雰囲気下（０.７MPa）で３日間撹拌し反応させた。 反
応溶液をフロリジールでろ過後、減圧濃縮すると表題化
合物（３）が粗生成物として得られた。 これをシリカ
ゲルカラムクロマトグラフィーで精製することにより表
題化合物（R）−３−メチル−４−ヒドロキシ−ブチロ
ニトリル（３）（０.１７g, 収率３３％, 光学収率２７
％ee）が得られた。
【０１１３】〔実施例３〕
（R）−３−メチル−４−ヒドロキシ−ブチルアミン
（４）の合成
（４）の合成
【０１１４】
【化２５】
【０１１５】窒素雰囲気下、５０mL反応フラスコに、実
施例２で得られた（R）−３−メチル−４−ヒドロキシ
−ブチロニトリル（３）（０.１g, １.０１mmol）をは
かり込み、テトラヒドロフラン（１mL）を加えて、０℃
とした。 これにLiAlH4（０.０４７g, １.２５mmol）
を加えた後、常温で１時間撹拌した。 ０℃で水（０.
１mL）を加え、次いで１５％水酸化ナトリウム水溶液
（０.１mL）を加えた後、常温で３０分間撹拌した。
沈殿物をセライトろ過し、酢酸エチルで洗浄し、ろ液を
無水硫酸マグネシウムで乾燥後、濃縮すると表題化合物
が粗生成物として得られた。 これを蒸留（８０−１３
０℃／１.１−１.４kPa）により精製し、表題化合物
（R）−３−メチル−４−ヒドロキシ−ブチルアミン
（４）（０.０７５g, 収率７２％）が得られた。
施例２で得られた（R）−３−メチル−４−ヒドロキシ
−ブチロニトリル（３）（０.１g, １.０１mmol）をは
かり込み、テトラヒドロフラン（１mL）を加えて、０℃
とした。 これにLiAlH4（０.０４７g, １.２５mmol）
を加えた後、常温で１時間撹拌した。 ０℃で水（０.
１mL）を加え、次いで１５％水酸化ナトリウム水溶液
（０.１mL）を加えた後、常温で３０分間撹拌した。
沈殿物をセライトろ過し、酢酸エチルで洗浄し、ろ液を
無水硫酸マグネシウムで乾燥後、濃縮すると表題化合物
が粗生成物として得られた。 これを蒸留（８０−１３
０℃／１.１−１.４kPa）により精製し、表題化合物
（R）−３−メチル−４−ヒドロキシ−ブチルアミン
（４）（０.０７５g, 収率７２％）が得られた。
【０１１６】[実施例４]
（R）−３−メチル−４−ヒドロキシ−ブチルアミン
（４）の合成
（４）の合成
【０１１７】
【化２６】
【０１１８】実施例２で得られた（R）−３−メチル−
４−ヒドロキシ−ブチロニトリル（３）（１.０１g, １
０mmol）のエタノール（１０mL）溶液に２%Pt-C５０％
含水品（０.２g）、３５%塩酸（２.０g）を加えて、水
素圧下（０.７MPa）、５０℃で４時間撹拌した。 触媒
をろ過後、濃縮し、２０%水酸化ナトリウム水溶液を加
え、クロロホルムで抽出した。 有機層を無水硫酸マグ
ネシウムで乾燥後、濃縮すると表題化合物（R）−３−
メチル−４−ヒドロキシ−ブチルアミン（０.７８g, 収
率７４％）が得られた。
４−ヒドロキシ−ブチロニトリル（３）（１.０１g, １
０mmol）のエタノール（１０mL）溶液に２%Pt-C５０％
含水品（０.２g）、３５%塩酸（２.０g）を加えて、水
素圧下（０.７MPa）、５０℃で４時間撹拌した。 触媒
をろ過後、濃縮し、２０%水酸化ナトリウム水溶液を加
え、クロロホルムで抽出した。 有機層を無水硫酸マグ
ネシウムで乾燥後、濃縮すると表題化合物（R）−３−
メチル−４−ヒドロキシ−ブチルアミン（０.７８g, 収
率７４％）が得られた。
【０１１９】〔実施例５〕
（R）−３−メチル−４−（２−テトラヒドロピラニル
オキシ）ブチルアミン（５−a）の合成
オキシ）ブチルアミン（５−a）の合成
【０１２０】
【化２７】
【０１２１】１００mL反応フラスコに、実施例３および
４で得られた（R）−３−メチル−４−ヒドロキシ−ブ
チルアミン（４）（０.５０g, ４.８５mmol）をはかり
込み、テトラヒドロフラン（５mL）を加え、３,４−ジ
ヒドロピラン（０.６１g, ７.２５mmol）を加えて０℃
とした。 同温で撹拌しながら、３５％塩酸（０.５６
１g, ５.３８mmol）を滴下し、その後常温で５時間撹拌
した。 反応溶液に１５％水酸化ナトリウム水溶液を加
えて、pHを中性〜アルカリ性とし、酢酸エチルで抽出し
た。 有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥後、濃縮す
ると表題化合物が粗生成物として得られた。 これを蒸
留（８０−１００℃／０.８−１.２kPa）により精製
し、表題化合物（R）−３−メチル−４−（２−テトラ
ヒドロピラニルオキシ）ブチルアミン（５）（０.７３
g, 収率８０％）が得られた。
４で得られた（R）−３−メチル−４−ヒドロキシ−ブ
チルアミン（４）（０.５０g, ４.８５mmol）をはかり
込み、テトラヒドロフラン（５mL）を加え、３,４−ジ
ヒドロピラン（０.６１g, ７.２５mmol）を加えて０℃
とした。 同温で撹拌しながら、３５％塩酸（０.５６
１g, ５.３８mmol）を滴下し、その後常温で５時間撹拌
した。 反応溶液に１５％水酸化ナトリウム水溶液を加
えて、pHを中性〜アルカリ性とし、酢酸エチルで抽出し
た。 有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥後、濃縮す
ると表題化合物が粗生成物として得られた。 これを蒸
留（８０−１００℃／０.８−１.２kPa）により精製
し、表題化合物（R）−３−メチル−４−（２−テトラ
ヒドロピラニルオキシ）ブチルアミン（５）（０.７３
g, 収率８０％）が得られた。
【０１２２】〔実施例６〕
３−ベンゾイルオキシ−２−メチル−１−シアノ−１−
プロペン（６）の合成
プロペン（６）の合成
【０１２３】
【化２８】
【０１２４】３００mL反応フラスコに、実施例１で得ら
れた３−シアノ−２−メチル−２−プロペノール（２）
（１０g, １０３.１mmol）をはかり込み、クロロホルム
（１００mL）を加え、トリエチルアミン（１２.５g, １
２３.５mmol）加えて０℃とした。 同温で撹拌しなが
ら、ベンゾイルクロライド（１７.４g, １２３.８mmo
l）を滴下し、その後常温で一晩撹拌した。 反応溶液
に希塩酸を加えてpHを中性〜酸性にした。 クロロホル
ムで抽出し、さらに食塩水で水洗した。 有機層を無水
硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を留去すると表題化合
物が粗生成物として得られた。 これをシリカゲルカラ
ムクロマトグラフィーで精製することにより表題化合物
３−ベンゾイルオキシ−２−メチル−１−シアノ−１−
プロペン（６）（１６.５８g, 収率８０％）が得られ
た。
れた３−シアノ−２−メチル−２−プロペノール（２）
（１０g, １０３.１mmol）をはかり込み、クロロホルム
（１００mL）を加え、トリエチルアミン（１２.５g, １
２３.５mmol）加えて０℃とした。 同温で撹拌しなが
ら、ベンゾイルクロライド（１７.４g, １２３.８mmo
l）を滴下し、その後常温で一晩撹拌した。 反応溶液
に希塩酸を加えてpHを中性〜酸性にした。 クロロホル
ムで抽出し、さらに食塩水で水洗した。 有機層を無水
硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を留去すると表題化合
物が粗生成物として得られた。 これをシリカゲルカラ
ムクロマトグラフィーで精製することにより表題化合物
３−ベンゾイルオキシ−２−メチル−１−シアノ−１−
プロペン（６）（１６.５８g, 収率８０％）が得られ
た。
【０１２５】〔実施例７〕
（S）−３−メチル−４−ベンジルオキシ−ブチロニト
リル（７−b）の合成
リル（７−b）の合成
【０１２６】
【化２９】
【０１２７】１００mLオートクレーブに実施例６で得ら
れた３−ベンゾイルオキシ−２−メチル−１−シアノ−
１−プロペン（６）（０.３００g, １.４９mmol）、メ
タノール（１０mL）、市販の(S,S)-t-BuBisP*-Rh錯体
（０.００７g, ０.０１４mmol）（日本化学工業株式会
社製）をはかり込み、水素雰囲気下（０.７MPa）で２日
間撹拌し反応させた。 反応溶液をフロリジールでろ過
後、減圧濃縮すると表題化合物（３）が粗生成物として
得られた。 これをシリカゲルカラムクロマトグラフィ
ーで精製することにより表題化合物（S）−３−メチル
−４−ベンジルオキシ−ブチロニトリル（７−b）（０.
０３０g, 収率１０％, 光学収率５.４％ee）が得られ
た。
れた３−ベンゾイルオキシ−２−メチル−１−シアノ−
１−プロペン（６）（０.３００g, １.４９mmol）、メ
タノール（１０mL）、市販の(S,S)-t-BuBisP*-Rh錯体
（０.００７g, ０.０１４mmol）（日本化学工業株式会
社製）をはかり込み、水素雰囲気下（０.７MPa）で２日
間撹拌し反応させた。 反応溶液をフロリジールでろ過
後、減圧濃縮すると表題化合物（３）が粗生成物として
得られた。 これをシリカゲルカラムクロマトグラフィ
ーで精製することにより表題化合物（S）−３−メチル
−４−ベンジルオキシ−ブチロニトリル（７−b）（０.
０３０g, 収率１０％, 光学収率５.４％ee）が得られ
た。
【０１２８】
【発明の効果】本発明方法を用いると、光学活性３−メ
チル−４−ヒドロキシブチルアミン類又はその鏡像異性
体を効率よく製造することができる。
チル−４−ヒドロキシブチルアミン類又はその鏡像異性
体を効率よく製造することができる。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｃ０７Ｃ 255/12 Ｃ０７Ｃ 255/12
255/14 255/14
Ｃ０７Ｄ 309/12 Ｃ０７Ｄ 309/12
// Ｃ０７Ｂ 61/00 ３００ Ｃ０７Ｂ 61/00 ３００
Ｃ０７Ｍ 7:00 Ｃ０７Ｍ 7:00
Ｆターム(参考） 4C062 AA20
4H006 AA02 AB84 AC11 AC52 AC54
AC80 AC81 BA61 BN10 BU32
4H039 CA19 CA71 CB10 CF40
Claims (2)
- 【請求項１】 式（１） 【化１】 ［式中、Xはハロゲン原子、C1-4アルキルスルホニルオ
キシ基（該アルキルスルホニルオキシ基はハロゲン原子
で任意に置換されていてもよい。）又はアリールスルホ
ニルオキシ基を表す。］で表される化合物と金属シアン
化合物を反応させることにより製造される式（２） 【化２】 で表される、３−シアノ−２−メチル−２−プロペノー
ルを不斉水素化することにより製造される式（３） 【化３】 で表される、光学活性２−メチル−３−ヒドロキシ−ブ
チロニトリル又はその鏡像異性体を還元することにより
製造される式（４） 【化４】 で表される、光学活性３−メチル−４−ヒドロキシブチ
ルアミン又はその鏡像異性体の水酸基を保護することを
特徴とする式（５） 【化５】 （式中、Ｒ1は水酸基の保護基を表す。）で表される、
光学活性３−メチル−４−ヒドロキシブチルアミン類又
はその鏡像異性体の製造方法。 - 【請求項２】 式（１） 【化６】 ［式中、Xはハロゲン原子、C1-4アルキルスルホニルオ
キシ基（該アルキルスルホニルオキシ基はハロゲン原子
で任意に置換されていてもよい。）又はアリールスルホ
ニルオキシ基を表す。］で表される化合物と金属シアン
化合物を反応させることにより製造される式（２） 【化７】 で表される、３−シアノ−２−メチル−２−プロペノー
ルの水酸基を保護することにより製造される式（６） 【化８】 （式中、Ｒ1は水酸基の保護基を表す。）で表される、
３−置換オキシ−１−シアノ−２−メチルプロペン類を
不斉水素化することにより製造される式（７） 【化９】 （式中、Ｒ1は前記と同じ意味を表す。）で表される、
２−メチル−３−置換オキシブチロニトリル類又はその
鏡像異性体を還元することを特徴とする式（５） 【化１０】 （式中、Ｒ1は前記と同じ意味を表す。）で表される、
光学活性３−メチル−４−ヒドロキシブチルアミン類又
はその鏡像異性体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001262569A JP2003073344A (ja) | 2001-08-31 | 2001-08-31 | 光学活性３−メチル−４−ヒドロキシブチルアミン類の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001262569A JP2003073344A (ja) | 2001-08-31 | 2001-08-31 | 光学活性３−メチル−４−ヒドロキシブチルアミン類の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003073344A true JP2003073344A (ja) | 2003-03-12 |
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ID=19089451
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001262569A Pending JP2003073344A (ja) | 2001-08-31 | 2001-08-31 | 光学活性３−メチル−４−ヒドロキシブチルアミン類の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003073344A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008534448A (ja) * | 2005-03-17 | 2008-08-28 | ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピア | 光学活性３−フェニルプロピオン酸誘導体を生成する方法、およびその誘導体の後続生成物 |
-
2001
- 2001-08-31 JP JP2001262569A patent/JP2003073344A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008534448A (ja) * | 2005-03-17 | 2008-08-28 | ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピア | 光学活性３−フェニルプロピオン酸誘導体を生成する方法、およびその誘導体の後続生成物 |
| JP4763771B2 (ja) * | 2005-03-17 | 2011-08-31 | ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピア | 光学活性３−フェニルプロピオン酸誘導体を生成する方法、およびその誘導体の後続生成物 |
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