JP2003071365A - Liquid applying device and liquid applying method - Google Patents

Liquid applying device and liquid applying method

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JP2003071365A
JP2003071365A JP2001264575A JP2001264575A JP2003071365A JP 2003071365 A JP2003071365 A JP 2003071365A JP 2001264575 A JP2001264575 A JP 2001264575A JP 2001264575 A JP2001264575 A JP 2001264575A JP 2003071365 A JP2003071365 A JP 2003071365A
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liquid
article
semiconductor wafer
shutter mechanism
opening
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JP2001264575A
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Japanese (ja)
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Kenji Yamauchi
健二 山内
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Original Assignee
Sony Corp
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a liquid applying device and a liquid applying method which can apply prescribed liquid to the region to be coated of an article in a short time and with an excellent uniformity, and can reduce the quantity of usage thereof. SOLUTION: This liquid applying device 100 which applies a resist solution to the region to be coated of a semiconductor wafer 5 is provided with a storage tank 7 which has a plurality of opening parts and supplies the resist solution from the opening parts to a plurality of specified regions of the semiconductor wafer 5, a shutter mechanism 64 which is disposed on the storage tank 7 in order to open and close the opening parts selectively, a chuck holder 41 which has a spin chuck 4 beneath the storage tank 7 and rotates the semiconductor wafer 5 mounted on the spin chuck 4 and a controller 80 which opens the shutter mechanism 64, drops the resist solution, at the same time, operates the chuck holder 41, rotates the semiconductor wafer 5 by a prescribed angle and, then, controls the chuck holder 41 so as to rotate the semiconductor wafer 5 in the state of closing the shutter mechanism 64.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、半導体装置の製
造工程で使用されるレジストスピンコータや、コーター
デベロッパ(現像装置)等に適用して好適な液体塗布装
置及び液体塗布方法に関するものである。詳しくは、所
定の液体を物品の被塗布領域に施す際に、回転機構とシ
ャッタ機構とを制御する制御手段を備え、この制御手段
によって、シャッタ機構を開けて液体を滴下すると共
に、回転機構を動作させて物品を所定角度だけ回転させ
るなどしたのち、シャッタ機構を閉じた状態で、物品を
回転させることによって、分散させた液体を物品の複数
の特定領域から円周方向に一斉に、少量で均一に塗布で
きるようにしたものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a liquid coating device and a liquid coating method suitable for application to a resist spin coater used in a semiconductor device manufacturing process, a coater developer (developing device) and the like. More specifically, when a predetermined liquid is applied to the coated area of the article, a control means for controlling the rotating mechanism and the shutter mechanism is provided, and by this controlling means, the shutter mechanism is opened to drop the liquid and the rotating mechanism is operated. After operating the product to rotate it by a predetermined angle, etc., by rotating the product with the shutter mechanism closed, the dispersed liquid is distributed in a circumferential direction from a plurality of specific regions of the product all at once in a small amount. It is designed to be applied uniformly.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、電子機器に搭載される半導体装置
の高集積化の要求はますます高まりつつある。このよう
な状況下で、半導体装置のチャネル領域や、配線パター
ン等の寸法精度を左右するフォトリソ工程では、その製
造プロセスや製造装置の改良が日々行われている。
2. Description of the Related Art In recent years, the demand for higher integration of semiconductor devices mounted in electronic equipment is increasing. Under such circumstances, in the photolithography process that influences the dimensional accuracy of the channel region of the semiconductor device, the wiring pattern, etc., the manufacturing process and manufacturing device are being improved every day.

【0003】フォトリソ工程で使用される装置には、半
導体ウェハにレジスト溶液を塗布して、当該半導体ウェ
ハ上に所定のレジスト塗布膜を形成するレジストスピン
コータや、予め露光されたレジスト塗布膜に現像液を施
して、半導体ウェハ上に所定のレジストパターンを形成
するコーターデベロッパ(現像装置)等がある。
The apparatus used in the photolithography process includes a resist spin coater for applying a resist solution to a semiconductor wafer to form a predetermined resist coating film on the semiconductor wafer, and a developer for pre-exposed resist coating film. There is a coater / developer (developing device) or the like for forming a predetermined resist pattern on a semiconductor wafer by applying the above.

【0004】図9は従来例に係る液体塗布装置50の構
成例を示す断面図である。この液体塗布装置50は、半
導体ウェハ5の被塗布領域にレジスト塗布膜を形成する
ものである。
FIG. 9 is a sectional view showing a structural example of a liquid coating device 50 according to a conventional example. The liquid coating device 50 forms a resist coating film on the coating target region of the semiconductor wafer 5.

【0005】この液体塗布装置50は、半導体ウェハ5
を保持するスピンチャック52と、このスピンチャック
52を下方から支持し、回転させるチャックホルダ51
と、ストロー形状を有して、半導体ウェハ5の中心部上
方に設けられた1本のノズル53とを備えている。
The liquid coating device 50 is provided with a semiconductor wafer 5
And a chuck holder 51 for supporting and rotating the spin chuck 52 from below.
And a single nozzle 53 having a straw shape and provided above the central portion of the semiconductor wafer 5.

【0006】この液体塗布装置50を用いて、半導体ウ
ェハ5にレジスト塗布膜を形成する場合、まず、半導体
ウェハ5をスピンチャック52上に搬送する。次に、半
導体ウェハ5の中心部の直上方にノズル53を近づけ
る。そして、半導体ウェハ5をスピンチャック52で保
持したまま、ノズル53から半導体ウェハ5の中心部に
レジスト溶液を吐出する。その後、チャックホルダ51
を動作して、スピンチャック52で保持した半導体ウェ
ハ5を高速回転させる。
When a resist coating film is formed on the semiconductor wafer 5 by using the liquid coating apparatus 50, the semiconductor wafer 5 is first transferred onto the spin chuck 52. Next, the nozzle 53 is brought directly above the center of the semiconductor wafer 5. Then, while holding the semiconductor wafer 5 by the spin chuck 52, the resist solution is discharged from the nozzle 53 to the central portion of the semiconductor wafer 5. After that, the chuck holder 51
Is operated to rotate the semiconductor wafer 5 held by the spin chuck 52 at a high speed.

【0007】これにより、ノズル53から半導体ウェハ
5の中心部に吐出されたレジスト溶液は、半導体ウェハ
5の中心部から円周方向に広がり、半導体ウェハ5の被
塗布領域にレジスト塗布膜が形成される。
As a result, the resist solution discharged from the nozzle 53 to the central portion of the semiconductor wafer 5 spreads in the circumferential direction from the central portion of the semiconductor wafer 5, and a resist coating film is formed on the coated region of the semiconductor wafer 5. It

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】ところで、従来方式に
かかる液体塗布装置50によれば、ストロー形状を有し
た1本のノズル53を、スピンチャック52で保持した
半導体ウェハ5の中心部上方に備え、このノズル53か
ら半導体ウェハ5の中心部にレジスト溶液を吐出し、そ
の後、半導体ウェハ5を高速回転して、当該半導体ウェ
ハ5の中心部から円周方向にレジスト溶液を塗り広げて
いた。
By the way, according to the liquid coating apparatus 50 according to the conventional method, one nozzle 53 having a straw shape is provided above the central portion of the semiconductor wafer 5 held by the spin chuck 52. The resist solution was discharged from the nozzle 53 to the center of the semiconductor wafer 5, and then the semiconductor wafer 5 was rotated at high speed to spread the resist solution in the circumferential direction from the center of the semiconductor wafer 5.

【0009】このため、半導体ウェハ5の中心部と比べ
て、その円周部に供給されるレジスト溶液は少なく、レ
ジスト塗布膜の形成に長時間を要すると共に、その厚さ
が不均一になってしまうという問題があった。
Therefore, the amount of resist solution supplied to the peripheral portion of the semiconductor wafer 5 is smaller than that of the central portion of the semiconductor wafer 5, and it takes a long time to form a resist coating film and the thickness thereof becomes uneven. There was a problem of being lost.

【0010】また、半導体ウェハ5の円周部にレジスト
溶液を十分供給するために、半導体ウェハ5の中心部に
余剰なレジスト溶液を供給してしまい、レジスト溶液
(以下で、所定の液体ともいう)を無駄にしてしまうお
それがあった。
Further, in order to sufficiently supply the resist solution to the circumferential portion of the semiconductor wafer 5, the surplus resist solution is supplied to the central portion of the semiconductor wafer 5, and the resist solution (hereinafter, also referred to as a predetermined liquid). ) Was wasted.

【0011】そこで、この発明は、このような問題を解
決したものであって、所定の液体を物品の被塗布領域に
短時間に、かつ、均一性良く施すことができるようにす
ると共に、その使用量を削減できるようにした液体塗布
装置及び液体塗布方法の提供を目的とする。
Therefore, the present invention solves such a problem and makes it possible to apply a predetermined liquid to a coated area of an article in a short time and with good uniformity. An object of the present invention is to provide a liquid application device and a liquid application method that can reduce the amount used.

【0012】[0012]

【課題を解決するための手段】上述した課題は、所定の
液体を物品の被塗布領域に施す液体塗布装置であって、
複数の開口部を有して、当該開口部から物品の複数の特
定領域に液体を供給する液供給手段と、これらの開口部
を選択的に開閉するために、液供給手段に設けられたシ
ャッタ機構と、液供給手段の下方に載置部を有して、当
該載置部に載置された物品を回転する回転機構と、シャ
ッタ機構を開けて液体を滴下すると共に、回転機構を動
作させて物品を所定角度回転させてから、シャッタ機構
を閉じた状態で、物品を回転するように制御する制御手
段とを備えたことを特徴とする液体塗布装置によって解
決される。
The above-mentioned problem is a liquid application device for applying a predetermined liquid to an application area of an article,
Liquid supply means having a plurality of openings and supplying liquid from the openings to a plurality of specific regions of the article, and a shutter provided in the liquid supply means for selectively opening and closing these openings. A rotation mechanism that has a mechanism and a placement section below the liquid supply means, and rotates an article placed on the placement section; a shutter mechanism is opened to drop liquid; and a rotation mechanism is operated. And a control means for controlling the article to rotate with the shutter mechanism closed after the article is rotated by a predetermined angle.

【0013】本発明に係る液体塗布装置によれば、物品
の複数の特定領域に分散させた状態で、同時に所定量の
液体を供給できる。
According to the liquid application device of the present invention, a predetermined amount of liquid can be simultaneously supplied while being dispersed in a plurality of specific regions of the article.

【0014】本発明に係る液体塗布方法は、所定の液体
を物品の被塗布領域に施す方法であって、物品の複数の
特定領域に分散させた状態で、同時に所定量の液体を供
給し、その後、液体を供給した物品を回転するものであ
る。
The liquid application method according to the present invention is a method of applying a predetermined liquid to an area to be coated of an article, in which a predetermined amount of liquid is simultaneously supplied in a state of being dispersed in a plurality of specific areas of the article, After that, the article supplied with the liquid is rotated.

【0015】本発明に係る液体塗布方法によれば、分散
させた液体を物品の複数の特定領域から円周方向に拡散
できるので、従来方式と比べて、この液体を物品の被塗
布領域に短時間に、かつ、均一性良く施すことができ
る。
According to the liquid application method of the present invention, the dispersed liquid can be diffused in the circumferential direction from a plurality of specific areas of the article, so that the liquid can be applied to the area to be coated of the article in a shorter time than the conventional method. It can be applied in time and with good uniformity.

【0016】[0016]

【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながら、この
発明の実施形態に係る半導体製造装置及び半導体装置の
製造方法について説明する。図1は本発明の実施形態に
係る液体塗布装置100の構成例を示す断面図である。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A semiconductor manufacturing apparatus and a semiconductor device manufacturing method according to embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a sectional view showing a configuration example of a liquid coating apparatus 100 according to an embodiment of the present invention.

【0017】この実施形態では、所定の液体を物品の被
塗布領域に施す際に、回転機構とシャッタ機構とを制御
する制御手段を備え、この制御手段によって、シャッタ
機構を開けて液体を滴下すると共に、回転機構を動作さ
せて物品を所定角度回転させてから、シャッタ機構を閉
じた状態で、物品を回転させ、分散させた液体を物品の
複数の特定領域から円周方向に一斉に塗布できるように
し、液体を物品の被塗布領域に短時間に、かつ、均一性
良く施すことができるようにすると共に、その使用量を
削減できるようにしたものである。
In this embodiment, a control means is provided for controlling the rotating mechanism and the shutter mechanism when a predetermined liquid is applied to the coated area of the article, and this control means opens the shutter mechanism to drop the liquid. At the same time, the rotating mechanism is operated to rotate the article by a predetermined angle, and then the article is rotated with the shutter mechanism closed, so that the dispersed liquid can be simultaneously applied in a circumferential direction from a plurality of specific regions of the article. In this way, the liquid can be applied to the coated area of the article in a short time and with good uniformity, and the usage amount can be reduced.

【0018】図1に示す液体塗布装置100は、物品の
一例となる半導体ウェハ5(直径約150mm)に、所
定の液体の一例となるレジスト溶液を施して、レジスト
塗布膜を形成するものである。
A liquid coating apparatus 100 shown in FIG. 1 forms a resist coating film by applying a resist solution, which is an example of a predetermined liquid, to a semiconductor wafer 5 (diameter of about 150 mm), which is an example of an article. .

【0019】図1において、この液体塗布装置100は
ハウジング2を備えている。このハウジング2は、当該
液体塗布装置100の外筐であり、例えばステンレス金
属から構成されている。
In FIG. 1, the liquid coating apparatus 100 includes a housing 2. The housing 2 is an outer casing of the liquid coating apparatus 100 and is made of, for example, stainless metal.

【0020】また、液体塗布装置100は、このハウジ
ング2の内部にドレンカップ3とスピンチャック4を備
えている。ドレンカップ3は、半導体ウェハ5に供給さ
れた余剰なレジスト溶液等を、半導体ウェハ5の下方で
受け止めるものである。このドレンカップ3には、当該
ドレンカップ3で受け止めたレジスト溶液等を装置外に
排出する廃液管(図示せず)が設けられている。
The liquid coating apparatus 100 also has a drain cup 3 and a spin chuck 4 inside the housing 2. The drain cup 3 receives the excess resist solution and the like supplied to the semiconductor wafer 5 below the semiconductor wafer 5. The drain cup 3 is provided with a waste liquid pipe (not shown) for discharging the resist solution and the like received by the drain cup 3 to the outside of the apparatus.

【0021】また、スピンチャック4は、このドレンカ
ップ3の内方に設けられており、半導体ウェハ5を真空
吸引して保持するものである。スピンチャック4の半導
体ウェハ5を保持する面には、複数の細孔(図示せず)
が設けられており、真空ポンプ(図示せず)と接続する
ようになされている。
The spin chuck 4 is provided inside the drain cup 3 and holds the semiconductor wafer 5 by vacuum suction. The surface of the spin chuck 4 holding the semiconductor wafer 5 has a plurality of pores (not shown).
Is provided and is adapted to be connected to a vacuum pump (not shown).

【0022】さらに、この液体塗布装置100は、回転
機構の一例となるチャックホルダ41を備えている。こ
のチャックホルダ41は、ドレンカップ3の中央下方か
ら上方に伸びてスピンチャック4を支持すると共に、固
定したスピンチャック4を回転し、昇降するものであ
る。スピンチャック4に保持された半導体ウェハ5は、
このチャックホルダ41によって、所定の速度で、所定
の角度回転、又は振動するようになされる。
Further, the liquid coating apparatus 100 includes a chuck holder 41 which is an example of a rotating mechanism. The chuck holder 41 extends upward from below the center of the drain cup 3 to support the spin chuck 4, and rotates the fixed spin chuck 4 to move up and down. The semiconductor wafer 5 held by the spin chuck 4 is
The chuck holder 41 rotates or vibrates at a predetermined speed at a predetermined angle.

【0023】また、液体塗布装置100は、スピンチャ
ック4の下側に整流板31及び32と、洗浄ノズル33
を備えている。この中で、整流板31及び32は、上方
からのエア流を整流するためのものである。さらに、洗
浄ノズル33は、半導体ウェハ5の裏面を洗浄するため
のものである。
In addition, the liquid coating apparatus 100 includes the current plate 31 and 32 below the spin chuck 4 and the cleaning nozzle 33.
Is equipped with. Among these, the rectifying plates 31 and 32 are for rectifying the air flow from above. Further, the cleaning nozzle 33 is for cleaning the back surface of the semiconductor wafer 5.

【0024】そして、この液体塗布装置100は、ドレ
ンカップ3と同軸となるように、当該ドレンカップ3の
内周側にスプラッシュガード6を備えている。このスプ
ラッシュガード6は、ドレンカップ3の内周側で回転す
ることなく昇降のみ可能になされている。図1におい
て、スプラッシュガード6は昇降用シリンダ61に固定
されており、昇降可能になされている。半導体ウェハ5
に供給されたレジスト溶液等は、このスプラッシュガー
ド6によって、その飛散を防止するようになされる。
The liquid coating apparatus 100 is provided with a splash guard 6 on the inner peripheral side of the drain cup 3 so as to be coaxial with the drain cup 3. The splash guard 6 can only move up and down without rotating on the inner peripheral side of the drain cup 3. In FIG. 1, the splash guard 6 is fixed to a lifting cylinder 61 so that it can be lifted and lowered. Semiconductor wafer 5
The splash solution 6 prevents the resist solution and the like supplied to the above from scattering.

【0025】また、液体塗布装置100は、液供給手段
の一例となるストレージタンク7を備えている。このス
トレージタンク7は、レジスト溶液を貯留すると共に、
スピンチャック4に載置された半導体ウェハ5の直上方
に近接し、半導体ウェハ5にレジスト溶液を供給するも
のである。このストレージタンク7は円筒形状を有して
おり、その底部に液滴下用の複数の開口部を備えてい
る。
The liquid coating apparatus 100 also includes a storage tank 7 which is an example of liquid supply means. This storage tank 7 stores the resist solution and
The resist solution is supplied to the semiconductor wafer 5 in the vicinity of immediately above the semiconductor wafer 5 placed on the spin chuck 4. The storage tank 7 has a cylindrical shape, and has a plurality of openings for dropping liquid drops at the bottom thereof.

【0026】このストレージタンク7は、モータハウジ
ング9を介して、上方側部から水平方向に伸びるアーム
8に取り付けられている。そして、このアーム8は、昇
降用シリンダ81によって固定されている。ストレージ
タンク7は、この昇降用シリンダ81の上下動作によっ
て昇降可能になされている。
The storage tank 7 is attached via a motor housing 9 to an arm 8 extending horizontally from the upper side. The arm 8 is fixed by the lifting cylinder 81. The storage tank 7 can be moved up and down by the vertical movement of the lifting cylinder 81.

【0027】図2A〜Cはストレージタンク7の構成例
を示す平面図と、断面図と、底面図である。図2Bに示
すストレージタンク7の筐体は、撥水性の良い樹脂、例
えば、PFA(テトラフロロエチレン−パーフロロアル
キルビニルエーテル共重合体)からなるものである。
2A to 2C are a plan view, a sectional view, and a bottom view showing an example of the structure of the storage tank 7. The housing of the storage tank 7 shown in FIG. 2B is made of a resin having good water repellency, for example, PFA (tetrafluoroethylene-perfluoroalkyl vinyl ether copolymer).

【0028】このストレージタンク7には、レジスト溶
液が貯留される液体貯留室72と、液体貯留室72の周
囲に恒温水等を循環させる温調(温度調整)ジャケット
73とが一体的に設けられている。液体貯留室72に貯
留されるレジスト溶液は、この温調ジャケット73を循
環する恒温水等によって温度調整される。また、ストレ
ージタンク7の上面には、液体貯留室72に貯留された
レジスト溶液の揮発や、液体貯留室72への異物の混入
等を防ぐタンク蓋71が取り付けられている。
The storage tank 7 is integrally provided with a liquid storage chamber 72 in which the resist solution is stored, and a temperature adjustment (temperature adjustment) jacket 73 for circulating constant temperature water or the like around the liquid storage chamber 72. ing. The temperature of the resist solution stored in the liquid storage chamber 72 is adjusted by constant temperature water or the like circulating in the temperature adjustment jacket 73. Further, a tank lid 71 is attached to the upper surface of the storage tank 7 for preventing volatilization of the resist solution stored in the liquid storage chamber 72 and mixing of foreign matter into the liquid storage chamber 72.

【0029】図2Aに示すように、ストレージタンク7
のタンク蓋71には、液体貯留室72内に定量のレジス
ト溶液を流入させるための液体導入口67A、排気制御
バルブを接続するための接続口67B、真空脱気システ
ムを接続するための接続口67C、及びタンク内液量管
理センサの挿入口67Dが設けられている。
As shown in FIG. 2A, the storage tank 7
In the tank lid 71, a liquid introduction port 67A for flowing a fixed amount of resist solution into the liquid storage chamber 72, a connection port 67B for connecting an exhaust control valve, and a connection port for connecting a vacuum degassing system. 67C and an insertion port 67D for the tank liquid amount management sensor are provided.

【0030】これら液体導入口67Aや各接続口67B
〜Dには不図示の樹脂製チューブを介して各機能部品が
接続される。レジスト溶液は、液体導入口67Aより窒
素ガス等で圧送されて流入される。また、この圧送によ
るレジスト溶液中の窒素ガスのバブルは、接続口67C
に接続される真空脱気システムによって除去される。さ
らに、このタンク蓋71には、温度調整用の恒温水等を
温調ジャケット73に送り込むための温調用液体入口6
9A、及び温調用液体出口69Bが設けられている。
These liquid inlet 67A and each connecting port 67B
Each functional component is connected to D through a resin tube (not shown). The resist solution is pressure-fed with nitrogen gas or the like from the liquid inlet 67A and is introduced. In addition, the nitrogen gas bubbles in the resist solution due to this pressure feeding are connected to the connection port 67C.
Is removed by a vacuum degassing system connected to. Further, the tank lid 71 has a temperature control liquid inlet 6 for feeding constant temperature water for temperature control to the temperature control jacket 73.
9A and a temperature control liquid outlet 69B are provided.

【0031】図2Bに戻って、このストレージタンク7
には、その底面の中心部に第1の開口部78が設けられ
ている。また、この開口部78を中心に放射状に広がる
ようにして、ストレージタンク7の液体貯留室72底面
には第2の開口部74が複数個設けられている。開口部
74は、開口部78から遠ざかるにつれて、その寸法が
大きくなるようになされている。
Returning to FIG. 2B, this storage tank 7
Has a first opening 78 at the center of its bottom surface. A plurality of second openings 74 are provided on the bottom surface of the liquid storage chamber 72 of the storage tank 7 so as to spread radially around the opening 78. The size of the opening 74 increases as the distance from the opening 78 increases.

【0032】例えば、開口部74は32個設けられてい
る。これらの開口部74は、8個毎に組を成し、計4組
の開口部74が開口部78を4重に取り囲むように配置
されている。
For example, 32 openings 74 are provided. These opening portions 74 form a set every eight pieces, and a total of four sets of opening portions 74 are arranged so as to surround the opening portion 78 fourfold.

【0033】以下で、開口部78を中心として、最も内
側に配置された8個の開口部74を第1組の開口部74
と称する。また、この第1組のすぐ外側に配置された8
個の開口部74を第2組と称し、第2組の外側に配置さ
れた8個の開口部74を第3組と称し、最も外側に配置
された8個の開口部74を第4組と称する。
In the following, with the opening 78 as the center, the eight innermost openings 74 are arranged as the first set of openings 74.
Called. In addition, the 8 placed just outside of this first set
The openings 74 are referred to as a second set, the eight openings 74 arranged outside the second set are referred to as a third set, and the eight openings 74 arranged at the outermost side are referred to as a fourth set. Called.

【0034】各組の8個の開口部74は、開口部78を
中心にして、約45°の等間隔で配置されている。ま
た、第1組の開口部74と第2組の開口部74は、開口
部78を基準にして約23°、即ち、開口部74の配置
間隔(約45°)の半分程ずれるように配置されてい
る。
The eight openings 74 of each set are arranged at equal intervals of about 45 ° around the opening 78. The first set of opening portions 74 and the second set of opening portions 74 are arranged so as to be offset by about 23 ° with respect to the opening portion 78, that is, about half the arrangement interval (about 45 °) of the opening portions 74. Has been done.

【0035】同様に第2組と第3組、及び第3組と第4
組の各開口部74も約23°ずれるように配置されてい
る。さらに、第3組と第4組の開口部74は、第1組と
第2組の開口部74よりも大きく成されている。
Similarly, the second set and the third set, and the third set and the fourth set.
The openings 74 of the set are also arranged to be offset by about 23 °. Further, the openings 74 of the third set and the fourth set are larger than the openings 74 of the first set and the second set.

【0036】これら複数の開口部74を開閉する為に、
液体塗布装置100は、ストレージタンク7に取り付け
られたシャッタ機構64を備えている。
In order to open and close the plurality of openings 74,
The liquid coating device 100 includes a shutter mechanism 64 attached to the storage tank 7.

【0037】図2Bにおいて、このシャッタ機構64
は、円板状の栓部材75と、この栓部材75を固定する
液体導入管63と、シャッタ回転用モータ91と、この
シャッタ回転用モータ91から延出されたモータ回転軸
92と、モータ回転軸92と液体導入管とを係合せしめ
る一対のギアと、少なくともシャッタ回転用モータ91
を固定するモータハウジング9とから構成されている。
In FIG. 2B, this shutter mechanism 64
Is a disk-shaped stopper member 75, a liquid introduction tube 63 for fixing the stopper member 75, a shutter rotation motor 91, a motor rotation shaft 92 extended from the shutter rotation motor 91, and a motor rotation. A pair of gears for engaging the shaft 92 and the liquid introduction pipe, and at least a shutter rotation motor 91.
And a motor housing 9 for fixing the motor.

【0038】これらの中で、図2Cに示す栓部材75
は、開口部74(図2B参照)と略対応する複数の開口
部76と、開口部78と略対応する開口部62を有して
いる。この栓部材75は、撥水性のPFA等から形成さ
れている。或いは、この栓部材75は、ポリ塩化ビニル
等から成ると共に、その表面を撥水性の樹脂等で被覆さ
れていても良い。そして、栓部材75は、パッキンとな
り得る形状を有している。
Among these, the plug member 75 shown in FIG. 2C.
Has a plurality of openings 76 substantially corresponding to the openings 74 (see FIG. 2B) and an opening 62 substantially corresponding to the openings 78. The plug member 75 is made of water repellent PFA or the like. Alternatively, the plug member 75 may be made of polyvinyl chloride or the like, and its surface may be covered with a water-repellent resin or the like. The plug member 75 has a shape that can serve as packing.

【0039】また、図2Bのシャッタ回転用モータ91
は、例えばパルスモータであり、モーター回転軸92と
液体導入管63に取り付けられた一対のギアを介して、
栓部材75を所定の角度回転するようになされている。
さらに、液体導入管63はその内側が空洞になされてお
り、栓部材75の中心にある開口部62に差し込むよう
になされている。
Further, the shutter rotation motor 91 shown in FIG. 2B is used.
Is, for example, a pulse motor, and through a pair of gears attached to the motor rotating shaft 92 and the liquid introducing pipe 63,
The stopper member 75 is rotated by a predetermined angle.
Further, the liquid introducing pipe 63 has a hollow inside so that it can be inserted into the opening 62 at the center of the plug member 75.

【0040】以下で、開口部74と、開口部76と、栓
部材75とを合わせてノズル77という。このノズル7
7は、栓部材75を回転させて、開口部74と開口部7
6とを重ね合わせた場合に開き、開口部74と開口部7
6とをずらした場合に閉まるようになされる。ノズル7
7を開くことによって、液体貯留室72内に貯留された
レジスト溶液を自然落下により吐出させることができ
る。
Hereinafter, the opening 74, the opening 76, and the plug member 75 are collectively referred to as a nozzle 77. This nozzle 7
7 rotates the stopper member 75 to open the opening 74 and the opening 7
6 and 6 are overlapped with each other to open the opening 74 and the opening 7.
It is designed to close when 6 and 6 are shifted. Nozzle 7
By opening 7, the resist solution stored in the liquid storage chamber 72 can be discharged by spontaneous fall.

【0041】また、一端を栓部材75に嵌合した液体導
入管63の他端からレジスト溶液を供給することによっ
て、レジスト溶液を開口部62から吐出させることがで
きる。
The resist solution can be discharged from the opening 62 by supplying the resist solution from the other end of the liquid introducing pipe 63 having one end fitted to the stopper member 75.

【0042】さらに、液体貯留室72の内壁面と、開口
部74及び栓部材75の表面は、撥水性に優れたPFA
で構成されているので、レジスト溶液が付着しないよう
になされている。これにより、液体貯留室72内や、栓
部材75周辺でのレジスト溶液の残留を防止できるの
で、レジスト溶液を定量吐出することができる。また、
液体貯留室72の内壁面、開口部74及び栓部材75の
表面に付着した残液を吸い取るための機構も不要であ
る。
Furthermore, the inner wall surface of the liquid storage chamber 72 and the surfaces of the opening 74 and the plug member 75 are made of PFA having excellent water repellency.
Therefore, the resist solution does not adhere thereto. As a result, the resist solution can be prevented from remaining in the liquid storage chamber 72 or around the stopper member 75, so that the resist solution can be discharged in a fixed amount. Also,
A mechanism for sucking the residual liquid adhering to the inner wall surface of the liquid storage chamber 72, the opening 74 and the surface of the plug member 75 is also unnecessary.

【0043】そして、液体塗布塗布装置100は、シャ
ッタ回転用モータ91と、図1に示したチャックホルダ
41の両方を制御するコントローラ80を備えている。
このコントローラ80は、制御手段の一例である。
The liquid coating / coating apparatus 100 is provided with a controller 80 for controlling both the shutter rotation motor 91 and the chuck holder 41 shown in FIG.
The controller 80 is an example of control means.

【0044】このコントローラ80によって、図3に示
すように、スピンチャック4に吸着保持された半導体ウ
ェハ5の上方にストレージタンク7を近づけた後、図2
Bに示したノズル77を開けてレジスト溶液を滴下する
と共に、スピンチャック4に載置された半導体ウェハ5
を所定角度回転し、その後、ノズル77を閉じると共
に、半導体ウェハ5を高速回転することができる。
As shown in FIG. 3, the controller 80 causes the storage tank 7 to approach above the semiconductor wafer 5 sucked and held by the spin chuck 4, and then, as shown in FIG.
The nozzle 77 shown in B is opened to drop the resist solution, and the semiconductor wafer 5 mounted on the spin chuck 4 is also dropped.
Can be rotated by a predetermined angle, then the nozzle 77 can be closed and the semiconductor wafer 5 can be rotated at a high speed.

【0045】次に、本発明の実施形態に係る液体塗布方
法について説明する。図4〜図8は、本発明の実施形態
に係る液体塗布方法(その1〜5)を示す工程図であ
る。ここでは、上述した液体塗布装置100を用いて、
物品の一例となる半導体ウェハ5に、所定の液体の一例
となるレジスト溶液を施し、半導体ウェハ5の上面にレ
ジスト塗布膜を形成することを想定する。従って、同じ
符号のものは同じ機能を有するので、その説明を省略す
る。
Next, the liquid application method according to the embodiment of the present invention will be described. 4 to 8 are process diagrams showing the liquid application method (Nos. 1 to 5) according to the embodiment of the present invention. Here, using the liquid coating apparatus 100 described above,
It is assumed that a semiconductor wafer 5 as an example of an article is subjected to a resist solution as an example of a predetermined liquid to form a resist coating film on the upper surface of the semiconductor wafer 5. Therefore, those having the same reference numeral have the same function, and the description thereof will be omitted.

【0046】まず、図示しない搬送系によって、前工程
から図1に示した液体塗布装置100のドレンカップ3
上に半導体ウェハ5を搬送する。次に、スピンチャック
4を上昇移動させて、当該スピンチャック4上に半導体
ウェハ5を保持する。この時、ストレージタンク7は、
昇降用シリンダ81によって上方の待機位置で待機し、
当該ストレージタンク7の底面にある開口部78(図2
B参照)は、半導体ウェハ5の回転軸上に位置するよう
になされる。
First, the drain cup 3 of the liquid coating apparatus 100 shown in FIG.
The semiconductor wafer 5 is transferred onto the top. Next, the spin chuck 4 is moved upward to hold the semiconductor wafer 5 on the spin chuck 4. At this time, the storage tank 7
Stand by at the upper standby position by the lifting cylinder 81,
The opening 78 on the bottom surface of the storage tank 7 (see FIG.
(See B) is located on the rotation axis of the semiconductor wafer 5.

【0047】その後、チャックホルダ41を駆動して、
半導体ウェハ5を保持したスピンチャック4を下方のド
レンカップ3内に移動させる。さらに、昇降用シリンダ
81を駆動して、ストレージタンク7を半導体ウェハ5
の直上方まで下降させる。
Then, the chuck holder 41 is driven to
The spin chuck 4 holding the semiconductor wafer 5 is moved into the drain cup 3 below. Further, the lifting cylinder 81 is driven to move the storage tank 7 to the semiconductor wafer 5
Down just above.

【0048】また、このストレージタンク7の下降動作
と前後して、スプラッシュガード6をドレンカップ3内
に移動させる。さらに、ストレージタンク7の液体貯留
室72内には定量のレジスト溶液を供給し貯留させる。
Before or after the lowering operation of the storage tank 7, the splash guard 6 is moved into the drain cup 3. Further, a fixed amount of resist solution is supplied and stored in the liquid storage chamber 72 of the storage tank 7.

【0049】このとき、図4Aに示す栓部材75の開口
部は76は、ストレージタンク7の開口部74と重なら
ない状態、即ち、ノズルは閉状態になされている。ま
た、ノズルは閉じられているので、このノズルの下方に
待機する図4Bの半導体ウェハ5には、まだ、レジスト
溶液は滴下されていない状態である。
At this time, the opening 76 of the stopper member 75 shown in FIG. 4A does not overlap the opening 74 of the storage tank 7, that is, the nozzle is closed. Further, since the nozzle is closed, the resist solution has not yet been dropped onto the semiconductor wafer 5 in FIG. 4B which stands by below the nozzle.

【0050】次に、図5Aに示すように、栓部材75を
回転させて、当該栓部材の開口部とストレージタンクの
開口部74を重ね合わせ、ストレージタンク7からレジ
スト溶液を滴下する。この動作は、コントローラ80
(図1参照)からシャッタ回転用モータ91(図2B参
照)に所定の制御信号が送信されて、実行される。ま
た、このとき、ストレージタンク7の中心部にある開口
部78からもレジスト溶液を吐出させる。これにより、
図5Bに示すように、半導体ウェハ5の中心部と、この
中心部から外れた複数の領域に、レジスト溶液59が供
給される。
Next, as shown in FIG. 5A, the stopper member 75 is rotated, the opening portion of the stopper member and the opening portion 74 of the storage tank are overlapped, and the resist solution is dropped from the storage tank 7. This operation is performed by the controller 80
A predetermined control signal is transmitted from (see FIG. 1) to the shutter rotation motor 91 (see FIG. 2B) and executed. At this time, the resist solution is also discharged from the opening 78 at the center of the storage tank 7. This allows
As shown in FIG. 5B, the resist solution 59 is supplied to the central portion of the semiconductor wafer 5 and a plurality of regions deviated from the central portion.

【0051】そして、図6Aに示す開口部74及び78
からレジスト溶液を吐出させたまま、半導体ウェハの中
心部を軸にして、当該半導体ウェハを例えば半時計回り
に約23°回転させる。これは、コントローラからチャ
ックホルダ41(図1参照)に、所定の制御信号を送信
することによって行う。これにより、図6Bに示すよう
に、半導体ウェハ5の特定領域に、レジスト溶液59を
ダーツの的状に供給できる。
Then, the openings 74 and 78 shown in FIG. 6A.
While the resist solution is being discharged from, the semiconductor wafer is rotated, for example, about 23 ° in the counterclockwise direction around the center of the semiconductor wafer as an axis. This is performed by transmitting a predetermined control signal from the controller to the chuck holder 41 (see FIG. 1). As a result, as shown in FIG. 6B, the resist solution 59 can be supplied to the specific region of the semiconductor wafer 5 in the shape of darts.

【0052】次に、コントローラからシャッタ回転用モ
ータ及びチャックホルダに所定の制御信号を送信し、図
7Aに示すように、栓部材75を回転させてノズルを閉
じる。また、開口部78からのレジスト溶液の吐出も停
止する。そして、半導体ウェハを高速回転させる。この
回転によって、図7Bに示すように、半導体ウェハ5の
特定領域に分散されたレジスト溶液59は、実線矢印で
示す半導体ウェハ5の円周方向に拡散するようになされ
る。
Next, a predetermined control signal is transmitted from the controller to the shutter rotation motor and the chuck holder, and the stopper member 75 is rotated to close the nozzle as shown in FIG. 7A. Further, the discharge of the resist solution from the opening 78 is also stopped. Then, the semiconductor wafer is rotated at high speed. By this rotation, as shown in FIG. 7B, the resist solution 59 dispersed in the specific region of the semiconductor wafer 5 is diffused in the circumferential direction of the semiconductor wafer 5 indicated by the solid arrow.

【0053】さらに、図8Aに示すように、開口部76
と開口部74をずらしたまま、即ち、シャッタ機構64
(図1参照)を閉じたまま、半導体ウェハを数十秒の
間、高速回転させる。これにより、図8Bに示すよう
に、レジスト溶液は半導体ウェハ5の全面に略均一に施
され、当該半導体ウェハ5上にレジスト塗布膜57が形
成される。このときの半導体ウェハ5の回転速度や、回
転時間はコントローラで制御する。
Further, as shown in FIG. 8A, the opening 76
And the opening 74 are displaced, that is, the shutter mechanism 64
With the (see FIG. 1) closed, the semiconductor wafer is rotated at high speed for several tens of seconds. As a result, as shown in FIG. 8B, the resist solution is applied to the entire surface of the semiconductor wafer 5 substantially uniformly, and the resist coating film 57 is formed on the semiconductor wafer 5. The rotation speed and rotation time of the semiconductor wafer 5 at this time are controlled by the controller.

【0054】その後、図1のストレージタンク7を待機
位置に戻し、スピンチャック4近傍の洗浄ノズル33か
ら有機溶剤を噴射して、半導体ウェハ5の裏面を洗浄す
る。半導体ウェハ5の裏面を洗浄した後、この半導体ウ
ェハ5を搬送系により液体塗布装置100より取り出
し、次の露光工程へ搬送する。
Thereafter, the storage tank 7 of FIG. 1 is returned to the standby position, and the organic solvent is sprayed from the cleaning nozzle 33 near the spin chuck 4 to clean the back surface of the semiconductor wafer 5. After cleaning the back surface of the semiconductor wafer 5, the semiconductor wafer 5 is taken out of the liquid coating apparatus 100 by the transfer system and transferred to the next exposure step.

【0055】このように、本発明に係る液体塗布装置1
00によれば、レジスト溶液を半導体ウェハ5の被塗布
領域に施す際に、チャックホルダ41とシャッタ機構6
4とを制御するコントローラ80を備え、このコントロ
ーラ80は、シャッタ機構64を開けてレジスト溶液を
滴下すると共に、チャックホルダ41を動作させて半導
体ウェハ5を約23°回転させてから、シャッタ機構6
4を閉じた状態で、半導体ウェハ5を回転するようにし
たものである。
As described above, the liquid coating apparatus 1 according to the present invention
According to No. 00, when the resist solution is applied to the application area of the semiconductor wafer 5, the chuck holder 41 and the shutter mechanism 6 are used.
The controller 80 controls the shutter mechanism 6 by opening the shutter mechanism 64 to drop the resist solution and operating the chuck holder 41 to rotate the semiconductor wafer 5 by about 23 °.
The semiconductor wafer 5 is rotated in a state where 4 is closed.

【0056】従って、半導体ウェハ5の複数の特定領域
に分散させた状態で、同時に所定量のレジスト溶液を供
給できる。これにより、分散させたレジスト溶液を複数
の特定領域から円周方向に一斉に塗布できるので、従来
方式と比べて、レジスト溶液を半導体ウェハ5の被塗布
領域に短時間に、かつ、均一性良く施すことができる。
それゆえ、レジスト溶液の使用量を削減でき、その塗布
コストを低減できる。
Therefore, a predetermined amount of resist solution can be simultaneously supplied while being dispersed in a plurality of specific regions of the semiconductor wafer 5. As a result, the dispersed resist solution can be applied simultaneously from a plurality of specific areas in the circumferential direction, so that the resist solution can be applied to the applied area of the semiconductor wafer 5 in a short time and with good uniformity as compared with the conventional method. Can be given.
Therefore, the amount of resist solution used can be reduced and the coating cost can be reduced.

【0057】尚、この実施形態では、液体塗布装置10
0を使用して、半導体ウェハ5上にレジスト塗布膜57
を形成する場合について説明したが、これに限られるこ
とはない。例えば、所定の物品の一例として、露光後の
レジスト塗布膜を備えた半導体ウェハ5を選択し、この
半導体ウェハ5に所定の液体の一例となる現像液を施し
ても良い。
In this embodiment, the liquid coating device 10
0 is used to form a resist coating film 57 on the semiconductor wafer 5.
Although the case of forming the above has been described, the present invention is not limited to this. For example, a semiconductor wafer 5 provided with a resist coating film after exposure may be selected as an example of a predetermined article, and the semiconductor wafer 5 may be subjected to a developing solution which is an example of a predetermined liquid.

【0058】この場合、まず、液体塗布装置100の液
体貯留室72内に定量の現像液を供給し貯留させる。次
に、ノズル77を開いて現像液を滴下させると共に、ス
ピンドルチャック4を、例えば−23°〜+23°の範
囲内で数十秒パドリング(間欠回転)させてウェハ5に
振動を与え、現像を促進させる。その後、ストレージタ
ンク7を待機位置に戻し、不図示のノズルからリンス液
をウェハ5上に吐出させると共にウェハ5を回転させ
て、現像液、リンス液、露光後のレジストを振り切る。
In this case, first, a fixed amount of developer is supplied and stored in the liquid storage chamber 72 of the liquid coating apparatus 100. Next, the nozzle 77 is opened to drop the developing solution, and the spindle chuck 4 is paddled (intermittently rotated) for several tens of seconds within a range of, for example, −23 ° to + 23 ° to vibrate the wafer 5 for development. Promote. Then, the storage tank 7 is returned to the standby position, the rinse liquid is discharged onto the wafer 5 from a nozzle (not shown), and the wafer 5 is rotated to shake off the developer, rinse liquid, and resist after exposure.

【0059】これにより、半導体ウェハ5上に所定のレ
ジストパターンを形成できる。従来方式と比べて、所定
量の現像液を複数の開口部から短時間に供給できるの
で、レジストに対するダメージを軽減できると共に、当
該現像液を半導体ウェハ5の被現像領域に均一性良く塗
布することができる。それゆえ、品質の高いレジストパ
ターンを再現性良く形成できる。
As a result, a predetermined resist pattern can be formed on the semiconductor wafer 5. Compared with the conventional method, a predetermined amount of developing solution can be supplied from a plurality of openings in a short time, so that damage to the resist can be reduced and the developing solution can be uniformly applied to the development target area of the semiconductor wafer 5. You can Therefore, a high quality resist pattern can be formed with good reproducibility.

【0060】[0060]

【発明の効果】本発明に係る液体塗布装置によれば、所
定の液体を物品の被塗布領域に施す際に、回転機構とシ
ャッタ機構とを制御する制御手段を備え、この制御手段
は、シャッタ機構を開けて液体を滴下すると共に、回転
機構を動作させて物品を所定角度回転させてから、シャ
ッタ機構を閉じた状態で、物品を回転するようにしたも
のである。
According to the liquid coating apparatus of the present invention, there is provided control means for controlling the rotating mechanism and the shutter mechanism when a predetermined liquid is applied to the coated area of the article, and the control means comprises the shutter. The mechanism is opened to drop the liquid, the rotating mechanism is operated to rotate the article by a predetermined angle, and then the article is rotated with the shutter mechanism closed.

【0061】この構成によって、物品の複数の特定領域
に分散させた状態で、同時に所定量の液体を供給でき
る。従って、分散させた液体を複数の特定領域から円周
方向に一斉に塗布できるので、従来方式と比べて、液体
を物品の被塗布領域に短時間に、かつ、均一性良く施す
ことができる。これにより、液体の使用量を削減でき、
液体の塗布コストを低減できる。
With this structure, a predetermined amount of liquid can be simultaneously supplied in a state of being dispersed in a plurality of specific regions of the article. Therefore, since the dispersed liquid can be simultaneously applied in a circumferential direction from a plurality of specific areas, the liquid can be applied to the applied area of the article in a short time and with good uniformity, as compared with the conventional method. This reduces the amount of liquid used,
The liquid application cost can be reduced.

【0062】また、本発明に係る液体塗布方法によれ
ば、物品の複数の特定領域に分散させた状態で、同時に
所定量の液体を供給し、その後、この液体を供給した物
品を回転するようになされる。
Further, according to the liquid application method of the present invention, a predetermined amount of liquid is simultaneously supplied in a state of being dispersed in a plurality of specific regions of the article, and then the article to which this liquid is supplied is rotated. Done

【0063】この構成によって、分散させた液体を物品
の複数の特定領域から円周方向に拡散できるので、従来
方式と比べて、この液体を物品の被塗布領域に短時間
に、かつ、均一性良く施すことができる。従って、この
液体の使用量を削減でき、この液体を物品の被塗布領域
に再現性良く塗布できる。
With this structure, the dispersed liquid can be diffused in the circumferential direction from a plurality of specific areas of the article, so that the liquid can be applied to the area to be coated of the article in a short time and in comparison with the conventional method. It can be applied well. Therefore, the amount of the liquid used can be reduced, and the liquid can be applied to the coated area of the article with good reproducibility.

【0064】この発明は、半導体装置の製造工程で使用
されるレジストスピンコータや、コーターデベロッパ
(現像装置)等に適用して極めて好適である。
The present invention is extremely suitable for application to a resist spin coater used in a semiconductor device manufacturing process, a coater developer (developing device), and the like.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の実施形態に係る液体塗布装置100の
構成例を示す断面図である。
FIG. 1 is a cross-sectional view showing a configuration example of a liquid coating device 100 according to an embodiment of the present invention.

【図2】A〜Cは、ストレージタンク7の構成例を示す
平面図と、断面図と、底面図である。
2A to 2C are a plan view, a cross-sectional view, and a bottom view showing a configuration example of a storage tank 7.

【図3】ストレージタンク7の昇降動作を示す斜視図で
ある。
FIG. 3 is a perspective view showing a lifting operation of a storage tank 7.

【図4】A及びBは本発明の実施形態に係る液体塗布方
法(その1)を示す工程図である。
4A and 4B are process diagrams showing a liquid application method (No. 1) according to the embodiment of the present invention.

【図5】A及びBは本発明の実施形態に係る液体塗布方
法(その2)を示す工程図である。
5A and 5B are process drawings showing a liquid coating method (No. 2) according to the embodiment of the present invention.

【図6】A及びBは本発明の実施形態に係る液体塗布方
法(その3)を示す工程図である。
6A and 6B are process diagrams showing a liquid applying method (No. 3) according to the embodiment of the present invention.

【図7】A及びBは本発明の実施形態に係る液体塗布方
法(その4)を示す工程図である。
7A and 7B are process diagrams showing a liquid coating method (Part 4) according to the embodiment of the present invention.

【図8】A及びBは本発明の実施形態に係る液体塗布方
法(その5)を示す工程図である。
8A and 8B are process diagrams showing a liquid coating method (Part 5) according to the embodiment of the present invention.

【図9】従来例に係る液体塗布装置50の構成例を示す
断面図である。
FIG. 9 is a cross-sectional view showing a configuration example of a liquid application device 50 according to a conventional example.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

4・・・スピンチャック、5・・・半導体ウェハ、7・
・・ストレージタンク、41・・・チャックホルダ(回
転機構)、57・・・レジスト塗布膜、59・・・レジ
スト溶液、64・・・シャッタ機構、75・・・シャッ
タ、80・・・コントローラ(制御手段)、100・・
・液体塗布装置
4 ... Spin chuck, 5 ... Semiconductor wafer, 7 ...
..Storage tank, 41 ... Chuck holder (rotating mechanism), 57 ... Resist coating film, 59 ... Resist solution, 64 ... Shutter mechanism, 75 ... Shutter, 80 ... Controller ( Control means), 100 ...
・ Liquid coating device

Claims (7)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 所定の液体を物品の被塗布領域に施す液
体塗布装置であって、 複数の開口部を有して、当該開口部から前記物品の複数
の特定領域に前記液体を供給する液供給手段と、 前記開口部を選択的に開閉するために、前記液供給手段
に設けられたシャッタ機構と、 前記液供給手段の下方に載置部を有して、当該載置部に
載置された物品を回転する回転機構と、 前記シャッタ機構を開けて前記液体を滴下すると共に、
前記回転機構を動作させて前記物品を所定角度回転させ
てから、前記シャッタ機構を閉じた状態で、前記物品を
回転するように制御する制御手段とを備えたことを特徴
とする液体塗布装置。
1. A liquid application device for applying a predetermined liquid to an application area of an article, the liquid application apparatus having a plurality of openings and supplying the liquid from the openings to a plurality of specific areas of the article. A supply unit, a shutter mechanism provided in the liquid supply unit for selectively opening and closing the opening, and a mounting unit below the liquid supply unit and mounted on the mounting unit. A rotation mechanism for rotating the formed article, and opening the shutter mechanism to drop the liquid,
A liquid applying apparatus comprising: a control unit that operates the rotating mechanism to rotate the article by a predetermined angle, and then controls the article to rotate with the shutter mechanism closed.
【請求項2】 前記液供給手段は、 前記物体の回転軸から外れた位置に複数の開口部を有す
ることを特徴とする請求項1に記載の液体塗布装置。
2. The liquid application apparatus according to claim 1, wherein the liquid supply unit has a plurality of openings at positions off the rotation axis of the object.
【請求項3】 前記シャッタ機構は、 前記液供給手段の開口部に略対応した複数の開口部を有
した円板状の栓部材を備え、 前記栓部材を前記液供給手段に対して所定角度回転する
ことによって、前記液供給手段の開口部を開閉すること
を特徴とする請求項1に記載の液体塗布装置。
3. The shutter mechanism includes a disk-shaped stopper member having a plurality of openings substantially corresponding to the openings of the liquid supply means, and the stopper member is at a predetermined angle with respect to the liquid supply means. The liquid application device according to claim 1, wherein the opening of the liquid supply means is opened and closed by rotating.
【請求項4】 前記液供給手段に、 所定温度の液体を循環する循環槽を設けたことを特徴と
する請求項1に記載の液体塗布装置。
4. The liquid application apparatus according to claim 1, wherein the liquid supply means is provided with a circulation tank for circulating a liquid having a predetermined temperature.
【請求項5】 前記液体と接触する所定部位は、 撥水性の部材で被覆、又は形成されて成ることを特徴と
する請求項1に記載の液体塗布装置。
5. The liquid applying apparatus according to claim 1, wherein the predetermined portion that comes into contact with the liquid is covered with or formed of a water-repellent member.
【請求項6】 前記シャッタ機構を開けて前記液体を滴
下すると共に、前記回転機構を動作させて前記物品を所
定角度回転して振動させてから、前記シャッタ機構を閉
じた状態で、前記物品を回転するように制御する制御手
段を備えたことを特徴とする請求項1に記載の液体塗布
装置。
6. The shutter mechanism is opened to drip the liquid, the rotating mechanism is operated to rotate the article by a predetermined angle to vibrate, and then the article is removed with the shutter mechanism closed. The liquid coating apparatus according to claim 1, further comprising a control unit that controls to rotate.
【請求項7】 所定の液体を物品の被塗布領域に施す方
法であって、 前記物品の複数の特定領域に分散させた状態で、同時に
所定量の前記液体を供給し、その後、 前記液体を供給した物品を回転することを特徴とする液
体塗布方法。
7. A method of applying a predetermined liquid to a coated area of an article, wherein a predetermined amount of the liquid is simultaneously supplied in a state of being dispersed in a plurality of specific areas of the article, and then the liquid is added. A liquid application method comprising rotating the supplied article.
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