JP3638374B2 - Rotary substrate processing equipment - Google Patents
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、基板を水平に保持した状態で回転させながら基板に対して所定の処理を行う回転式基板処理装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
回転式塗布装置、回転式現像装置などの回転式基板処理装置においては、半導体ウエハなどの基板を水平に保持して回転させる必要がある。基板を保持する装置としては、従来より基板の裏面を真空吸引して保持する吸引式スピンチャックが用いられている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、吸引式スピンチャックでは、基板を強固に保持するために強力な吸引を行っており、このために基板の裏面に吸着跡が生じて後工程の処理に悪影響を及ぼす場合がある。また、基板の裏面が汚染されやすいといった問題もある。
【0004】
そこで、本発明者は、基板の裏面周縁部と外周端面とを保持して基板を回転させる外周端縁保持型の基板回転保持装置(機械式スピンチャック)を案出した。図6は、その基板回転保持装置の概略構成図である。なお、本構造の基板回転保持装置は未公開である。
【0005】
図6において、基板回転保持装置は、基板9を保持するための基板保持台41を備える。基板保持台41は、円板状の底板42と、底板42の周縁上に形成されたリング状の基板支持部材43とから構成される。基板支持部材43は、基板9の底面を支持する複数のピン部材46aと、基板9の水平方向の位置を規制する複数のピン部材46bとを有している。
【0006】
この基板保持台41上に基板9が載置されると、基板9と基板保持台41の底板42との間にはほぼ密閉された空間Xが構成される。したがって、基板9の上面近傍を浮遊するミスト(飛沫)やパーティクル(粒子)は基板9の裏面側に回り込むことが困難となり、これによって基板9の裏面の汚染が防止される。
【0007】
ところが、基板9の周囲が基板保持部材43により取り囲まれると、基板9の受渡しを行うための搬送アームを基板9の下面に送り込むことができなくなる。
そこで、図示の基板回転保持装置では、基板保持台41の底板42に複数の貫通孔44を設けている。さらに、貫通孔44を通して下方から基板押し上げピン45を上昇させて基板9を押し上げるように構成している。そして、基板押し上げピン45によって押し上げられた基板9の下面に搬送アームを送り込むことによって基板9の受渡しを可能としている。
【0008】
ところが、基板保持台41の回転動作時には、基板9の下部の空間X内の空気が遠心力を受けて基板保持台41の外方へ押し出され、空間X内の圧力が低下する。空間X内の圧力が低下すると、底板42の下方の空気が貫通孔44を通して空間X内に吸い込まれる。この空気がミストやパーティクルにより汚染されていると、ミストやパーティクルが空間X内に侵入して基板9の裏面側に付着し、基板の裏面を汚染するという問題が生じる。
【0009】
本発明の目的は、基板の裏面の汚染を生じさせることなく基板の回転処理が可能な回転式基板処理装置を提供することである。
【0010】
【課題を解決するための手段および発明の効果】
第1の発明に係る回転式基板処理装置は、鉛直方向に延びる回転軸を有するモータと、モータの回転軸の先端に取り付けられかつ貫通孔が形成された底板を有し、底板の上方に所定の空間を隔てて基板を水平に保持して回転する基板保持部材と、基板の下面側の所定の空間内にガスを供給することによって基板の下面に負圧領域が生じることを防止するガス供給手段とを備え、ガス供給手段は、基板の下面中心部にガスを吐出するための吐出口を有しかつ底板の上面中心部分に取り付けられたノズルキャップを備えたものである。
【0011】
第2の発明に係る回転式基板処理装置は、第1の発明に係る回転式基板処理装置の構成において、ガス供給手段が、回転軸の内部を軸方向に延びかつ先端が基板保持部材の底板およびノズルキャップの吐出口を通り所定に空間に連通された供給管路と、供給管路の下端と外部に設けられたガス供給源とを接続し、ガス供給源から供給されるガスを供給管路に導くガス導入管路とを備えたものである。
【0012】
第3の発明に係る回転式基板処理装置は、第2の発明に係る回転式基板処理装置の構成において、供給管路の下端と外部に設けられた洗浄液供給源とを接続し、洗浄液供給源から供給される洗浄液を供給管路に導く洗浄液導入管路と、供給管路とガス導入管路とが連通された状態と、供給管路と洗浄液導入管路とが連通された状態とを切り換える切換手段とをさらに備えたものである。
【0013】
第4の発明に係る回転式基板処理装置は、第2に発明に係る回転式基板処理装置の構成において、供給管路が互いに独立して延びる第1の通路と第2の通路とを有しており、ガス導入管路が供給管路の第1の通路に接続されており、さらに供給管路の第2の通路と外部に設けられた洗浄液供給源とを接続し、洗浄液供給源から供給される洗浄液を供給管路の第2の通路に導く洗浄液導入管路を備えたものである。
【0014】
第1〜第4の発明に係る回転式基板処理装置においては、基板の回転処理時に、ガス供給手段が基板の下面側にガスを供給する。このため、基板の下面側の気体に基板の回転による遠心力が作用した場合でも、この領域がガスに充満され負圧になることが防止される。したがって、基板保持部材の下方側の空気が底板の貫通孔を通して基板の裏面側に侵入することが妨げられ、基板の裏面の汚染が防止される。
【0015】
特に、第2の発明に係る回転式基板処理装置においては、回転軸の内部に供給管路を設け、この供給管路を通してガスを基板の下面側に導くように構成されている。このため、ガスの供給管路のための余分なスペースを必要とすることなく、簡素な構成で基板の下面側での負圧領域の発生を防止することができる。
【0016】
特に、第3の発明に係る回転式基板処理装置においては、供給管路に導くガスと洗浄液とを切換手段を用いて切り換えるように構成されている。このため、回転軸中に設けられる1つの供給管路によって洗浄液供給処理とガス供給処理とを行わせることができる。
【0017】
第4の発明に係る回転式基板処理装置においては、供給管路にガスを通過させる第1の通路と洗浄液を通過させる第2の通路とを設けている。このため、ガスの供給動作と洗浄液の供給動作とを独立して制御することができる。
【0018】
【発明の実施の形態】
図1は、本発明の第1の実施例による回転式塗布装置の概略構成図である。図1においては、回転式塗布装置の主要部分の構成のみを模式的に示している。また、図2は、図1中の基板支持台の平面図である。
【0019】
図1に示すように、回転式塗布装置は、基板9を保持して回転する基板保持台1と、基板保持台1を回転させるスピンモータ14とを備えている。
基板保持台1の周囲は中空のカップ(図示省略)により取り囲まれている。このカップは主に処理液が外方に飛散するのを防止するために設けられている。
【0020】
基板保持台1は、底板2と、底板2上に取り付けられた基板支持部材3および環状部材6とを備えている。
底板2は、円板状に形成されており、その中心に形成された軸部2aがスピンモータ14の回転軸10の先端にはめ込まれて固定されている。また、図2に示すように底板2には同心円上の3か所に貫通孔7が設けられている。
【0021】
基板支持部材3はリング状に形成されており、基板9の底面を支持する複数の底面支持ピン4と、基板9の外周端面に当接して水平方向の移動を規制するための複数の端面支持ピン5が形成されている。
【0022】
また、基板支持部材3の周囲には環状部材6が配置されている。環状部材6は、回転時に基板支持部材3の底面支持ピン4および端面支持ピン5によって基板9の周囲に乱気流が生じることを防止するために設けられている。これにより、底板2と基板9の下面との間には、ほぼ密閉された空間Xが構成されている。
【0023】
基板保持台1の下部には基板押し上げピン17および基板押し上げピン17を昇降させる昇降機構部(図示省略)が設けられている。基板押し上げピン17は、基板9の排出時に底板2の貫通孔7を通過して基板9を上方へ押し上げる。また、基板9の装着時には、基板押し上げピン17が基板保持台1の上方に上昇して基板9の裏面を支持した後、下降して基板保持台1の所定の位置に基板9を装着する。さらに、基板押し上げピン17は下降して所定の待機位置に戻る。
【0024】
上記の回転式塗布装置は、基板9の表面に処理液を回転塗布する機能に加え、基板9の裏面に洗浄液を供給して裏面洗浄を行なう機能と、基板9下方の空間X内に不活性ガスを供給する機能とを備えている。このような機能を果たすために、以下のような構成が設けられている。
【0025】
図1において、スピンモータ14の回転軸10には、軸方向に沿って貫通した軸通路11が形成されている。同様に、基板支持台1の底板2の軸部2aには回転軸10の軸通路11に連通する軸通路2bが形成されている。そして、この回転軸10の軸通路11および底板2の軸通路2bの内部には供給管路13が挿入されている。
【0026】
供給管路13の先端は、底板2の上面中心部分に取り付けられたノズルキャップ8の中心に固定されている。また、供給管路13の先端近傍は、底板2の軸部2aの内部に設けられた回転軸受12によって支持されている。この回転軸受12によって、基板支持台1が回転した場合でも、供給管路13は回転せず静止状態を維持することができる。
【0027】
また、供給管路13の下端は、マニホールド15に接続されている。マニホールド15は回転式塗布装置の内部に固定されている。マニホールド15の内部に形成された接続路16の一端は、供給管路13の下端部に接続されている。また、接続路16の他端は、共通ライン20を介して不活性ガス供給ライン25と洗浄液供給ライン28とに接続されている。
【0028】
共通ライン20は自動二方弁21を含み、自動三方弁22を介して不活性ガス供給ライン25と洗浄液供給ライン28とに接続されている。
不活性ガス供給ライン25は、回転式塗布装置の外部に設けられた窒素ガス(N2 ガス)供給源(図示省略)に接続された管路を有し、その管路中にはフィルタ24と、流量計23とが設けられている。また、洗浄液供給ライン28は、外部に設けられた洗浄液供給源(図示省略)に接続された管路を有し、その管路中には流量計26と、フィルタ27とが設けられている。自動二方弁21および自動三方弁22はコントローラ29によって制御される。
【0029】
コントローラ29は、不活性ガス供給ライン25および洗浄液供給ライン28の供給動作の制御のみならず、たとえばスピンモータ14の回転制御などを行う。
【0030】
以上のように構成された回転式塗布装置において、供給管路13、共通ライン20、不活性ガス供給ライン25が本発明の不活性ガス供給手段を構成し、自動二方弁21、自動三方弁22およびコントローラ29が本発明の切換手段を構成する。
【0031】
ここで、回転式塗布装置の動作について説明する。図3は、回転塗布処理における基板回転数の時間的変化を示す図である。
図1および図3を参照して、レジスト処理工程において、コントローラ29は自動二方弁21を閉鎖状態に設定する。したがって、供給管路13の先端からは不活性ガス(窒素ガス)も洗浄液も吐出されない。この状態で、基板9の表面上にレジスト液が滴下され、高速(たとえば3000rpm)で回転塗布処理が行われる。
【0032】
次に、裏面洗浄工程では、コントローラ29は自動二方弁21を開放状態に設定し、自動三方弁22を洗浄液供給ライン28と連通する状態に切り換える。これにより、供給管路13の先端からは、基板9の裏面に向かって洗浄液が吐出される。基板9は低速(たとえば1200rpm)で回転される。これにより、基板9の裏面が洗浄液によって回転洗浄され、基板9の裏面の汚染物が除去される。
【0033】
さらに、乾燥工程では、再び基板9を高速回転(たとえば3000rpm)させることによって基板9をスピン乾燥させる。この時、同時に基板9の下方の空間X内に不活性ガスを充填する。
【0034】
すなわち、乾燥工程の初期において、コントローラ29は自動三方弁22を洗浄液供給ライン28側から不活性ガス供給ライン25側に切り換える。これにより、供給管路13の先端からは不活性ガスが吐出される。吐出された不活性ガスは基板9の下方の空間X内に充満し、空間X内が負圧になるのを防止する。このため、底板2の貫通孔7からは、外方の雰囲気が吸引されず、むしろ不活性ガスが空間Xから貫通孔7を通して外方へ流れ出る。このため基板9の裏面では、ミストなどに汚染された外気に触れることなく乾燥処理が進行する。
【0035】
乾燥処理が終了すると、基板支持台1の回転が停止される。なお、不活性ガスの供給は基板支持台1の回転停止後しばらく継続される。
また、不活性ガス供給ライン25および洗浄液供給ライン28は、共に流量計23,26およびフィルタ24,27を有しているため、清浄な不活性ガスおよび洗浄液を適当な量で送り出すことができる。
【0036】
このように、本実施例による回転式塗布装置は、乾燥工程において基板9の裏面側を不活性ガスで充満させた状態で回転処理を行うことにより、基板9の裏面側にミストなどの汚染源が侵入することを防止する。これにより、洗浄後の基板9の裏面を清浄な状態に保持することができる。
【0037】
図4は、本発明の第2の実施例による回転式塗布装置の概略構成図である。また図5は、図4中のA−A線断面図である。第2の実施例による回転式塗布装置は、第1の実施例による回転式塗布装置の構成に対し、不活性ガスの供給ラインと洗浄液の供給ラインとを各々個別に設けた構成が相違する。したがって、第1の実施例による回転式塗布装置と同一の構成部分には、同一の符号を付すことにより再度の説明を省略する。
【0038】
図4において、スピンモータ14の回転軸10は、軸方向に貫通した軸通路11を有している。軸通路11の内部には二重供給管路30が挿入されている。二重供給管路30は、図5に示すように、隔壁により仕切られた第1の通路31と第2の通路32とを有している。
【0039】
図4において、二重供給管路30の先端側は底板2の軸通路2bの内部に回転軸受12を介して保持されている。また、二重供給管路30の下方端はマニホールド35に接続されている。マニホールド35は、その内部に不活性ガス接続路36と洗浄液接続路37とが個別に形成されている。そして、二重供給管路30の第1の通路31が不活性ガス接続路36に接続され、第2の通路32が洗浄液接続路37に接続されている。
【0040】
また、マニホールド35の不活性ガス接続路36には不活性ガス供給ライン25が接続され、洗浄液接続路37には洗浄液供給ライン28が接続されている。不活性ガス供給ライン25は、不活性ガス供給源(図示省略)に接続され、そのライン中に自動二方弁38、流量計23およびフィルタ24を備えている。 また、洗浄液供給ライン28は、洗浄液供給源(図示省略)に接続され、そのライン中に自動二方弁39、流量計26およびフィルタ27を備えている。コントローラ29は自動二方弁38,39の開閉動作を制御する。
【0041】
ここで再び図3を参照して、レジスト処理工程において、コントローラ29は両方の自動二方弁38,39を閉鎖する。
次に、基板の裏面洗浄工程において、コントローラ29は洗浄液供給ライン28の自動二方弁39を開放状態に設定し、不活性ガス供給ライン25の自動二方弁38を閉鎖状態に設定する。これにより、洗浄液が二重供給管路30の第2の通路32を通して基板9の裏面に吐出される。洗浄液は、基板9の回転に伴って基板9の裏面中央部分から外周側に向かって広げられ、基板9の裏面が洗浄される。
【0042】
さらに、乾燥工程では、コントローラ29は洗浄液供給ライン28の自動二方弁39を閉塞するとともに、不活性ガス供給ライン25の自動二方弁38を開放する。これにより、二重供給管路30の第2の通路32を通しての洗浄液の供給が遮断され、第1の通路31を通して不活性ガスが供給される。不活性ガスは基板9の裏面側の空間X内に充満される。これにより、空間X内の負圧の発生が防止される。したがって、貫通孔7を通して外部からミストなどを含む空気が空間X内に侵入するのを防止することができる。
【0043】
このように、洗浄液を供給する供給路と不活性ガスを供給する供給路とを個別に設けることにより、洗浄液と不活性ガスとを瞬時に切り換えて供給することができる。
【0044】
なお、上記第2の実施例において、第1の通路31および第2の通路32は一本の二重供給管路30に形成されている。このため、回転軸10内の狭い軸通路11内に効率良く挿入することができる。しかしながら、この第1および第2の通路31,32を各々別の管路を用いて回転軸10の内部に挿入してもよい。
【0045】
さらに、二重供給管路30として2重管を用いることによって第1の管路31と第2の管路32とを形成してもよい。
また、上記実施例において、不活性ガスの代わりに清浄な空気を用いても同様の効果を得ることができる。
【0046】
さらに、本発明による不活性ガスを供給する構成は、回転式洗浄装置や回転式現像装置等にも適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施例による回転式塗布装置の概略構成図である。
【図2】図1に示す基板保持台の平面図である。
【図3】回転塗布処理工程における基板回転数の時間的変化を示す図である。
【図4】本発明の第2の実施例による回転式塗布装置の概略構成図である。
【図5】図4中のA−A線断面図である。
【図6】従来の回転式塗布装置の概略構成図である。
【符号の説明】
1 基板保持台
2 底板
3 基板支持部材
7 貫通孔
8 ノズルキャップ
9 基板
10 回転軸
11 軸通路
12 回転軸受
13 供給管路
14 スピンモータ
15 マニホールド
16 接続路
17 基板押し上げピン
21,38,39 自動二方弁
22 自動三方弁
25 不活性ガス供給ライン
28 洗浄液供給ライン
30 二重供給管路
31 第1の通路
32 第2の通路[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a rotary substrate processing apparatus that performs predetermined processing on a substrate while rotating the substrate while being held horizontally.
[0002]
[Prior art]
In a rotary substrate processing apparatus such as a rotary coating apparatus and a rotary developing apparatus, a substrate such as a semiconductor wafer needs to be held horizontally and rotated. As a device for holding a substrate, a suction type spin chuck that holds the back surface of the substrate by vacuum suction has been conventionally used.
[0003]
[Problems to be solved by the invention]
However, in the suction type spin chuck, strong suction is performed in order to firmly hold the substrate, and this may cause a suction mark on the back surface of the substrate, which may adversely affect the processing in the subsequent process. There is also a problem that the back surface of the substrate is easily contaminated.
[0004]
In view of this, the present inventors have devised an outer peripheral edge holding type substrate rotation holding device (mechanical spin chuck) that rotates the substrate while holding the back surface peripheral edge portion and the outer peripheral end surface of the substrate. FIG. 6 is a schematic configuration diagram of the substrate rotation holding device. The substrate rotation holding device of this structure has not been disclosed.
[0005]
In FIG. 6, the substrate rotation holding device includes a substrate holding table 41 for holding the
[0006]
When the
[0007]
However, if the periphery of the
Therefore, in the illustrated substrate rotation holding device, a plurality of through
[0008]
However, during the rotation operation of the substrate holding table 41, the air in the space X below the
[0009]
An object of the present invention is to provide a rotary substrate processing apparatus capable of rotating a substrate without causing contamination of the back surface of the substrate.
[0010]
[Means for Solving the Problems and Effects of the Invention]
A rotary substrate processing apparatus according to a first aspect of the present invention includes a motor having a rotary shaft extending in the vertical direction, and a bottom plate attached to the tip of the rotary shaft of the motor and formed with a through hole. A substrate holding member that rotates while holding the substrate horizontally across the space, and a gas supply that prevents a negative pressure region from being generated on the lower surface of the substrate by supplying gas into a predetermined space on the lower surface side of the substrate The gas supply means includes a nozzle cap having a discharge port for discharging gas at the center of the lower surface of the substrate and attached to the center of the upper surface of the bottom plate.
[0011]
A rotary substrate processing apparatus according to a second aspect of the present invention is the rotary substrate processing apparatus according to the first aspect, wherein the gas supply means extends in the axial direction inside the rotary shaft and the tip is a bottom plate of the substrate holding member. And a supply pipe that passes through a discharge port of the nozzle cap and communicates with a predetermined space, and a lower end of the supply pipe and a gas supply source provided outside are connected to supply gas supplied from the gas supply source. And a gas introduction pipe that leads to the road.
[0012]
A rotary substrate processing apparatus according to a third aspect of the present invention is the rotary substrate processing apparatus according to the second aspect of the present invention, wherein the lower end of the supply line is connected to a cleaning liquid supply source provided outside, and a cleaning liquid supply source is connected. The cleaning liquid introduction line for guiding the cleaning liquid supplied from the supply line to the supply line, the state where the supply line and the gas introduction line are connected, and the state where the supply line and the cleaning liquid introduction line are connected And a switching means.
[0013]
A rotary substrate processing apparatus according to a fourth aspect of the present invention is the rotary substrate processing apparatus according to the second aspect of the invention, wherein the supply pipe line has a first passage and a second passage extending independently of each other. The gas introduction pipe is connected to the first passage of the supply pipe, and the second passage of the supply pipe is connected to the cleaning liquid supply source provided outside, and supplied from the cleaning liquid supply source. A cleaning liquid introduction pipe for guiding the cleaning liquid to be supplied to the second passage of the supply pipe.
[0014]
In the rotary substrate processing apparatus according to the first to fourth inventions, the gas supply means supplies gas to the lower surface side of the substrate during the substrate rotation processing. For this reason, even when a centrifugal force due to the rotation of the substrate acts on the gas on the lower surface side of the substrate, this region is prevented from being filled with gas and becoming negative pressure. Accordingly, the air on the lower side of the substrate holding member is prevented from entering the back surface side of the substrate through the through hole of the bottom plate, and contamination of the back surface of the substrate is prevented.
[0015]
In particular, in the rotary substrate processing apparatus according to the second invention, a supply pipe is provided inside the rotary shaft, and gas is guided to the lower surface side of the substrate through this supply pipe. For this reason, the generation of a negative pressure region on the lower surface side of the substrate can be prevented with a simple configuration without requiring an extra space for the gas supply conduit.
[0016]
In particular, the rotary substrate processing apparatus according to the third aspect of the invention is configured to switch between the gas guided to the supply pipe and the cleaning liquid using a switching means. For this reason, the cleaning liquid supply process and the gas supply process can be performed by one supply line provided in the rotating shaft.
[0017]
In the rotary substrate processing apparatus according to the fourth aspect of the present invention, a first passage through which gas passes and a second passage through which the cleaning liquid passes are provided in the supply pipe line. Therefore, the gas supply operation and the cleaning liquid supply operation can be controlled independently.
[0018]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
FIG. 1 is a schematic configuration diagram of a rotary coating apparatus according to a first embodiment of the present invention. In FIG. 1, only the structure of the main part of the rotary coating apparatus is schematically shown. FIG. 2 is a plan view of the substrate support in FIG.
[0019]
As shown in FIG. 1, the rotary coating apparatus includes a substrate holder 1 that holds and rotates a
The periphery of the substrate holder 1 is surrounded by a hollow cup (not shown). This cup is provided mainly to prevent the processing liquid from splashing outward.
[0020]
The substrate holder 1 includes a
The
[0021]
The
[0022]
An
[0023]
A substrate push-up
[0024]
In addition to the function of spin-coating the processing liquid on the surface of the
[0025]
In FIG. 1, a
[0026]
The front end of the
[0027]
Further, the lower end of the
[0028]
The
The inert
[0029]
The
[0030]
In the rotary coating apparatus configured as described above, the
[0031]
Here, the operation of the rotary coating apparatus will be described. FIG. 3 is a diagram showing temporal changes in the number of substrate rotations in the spin coating process.
Referring to FIGS. 1 and 3, in the resist processing step,
[0032]
Next, in the back surface cleaning step, the
[0033]
Further, in the drying process, the
[0034]
That is, at the beginning of the drying process, the
[0035]
When the drying process is completed, the rotation of the substrate support 1 is stopped. The supply of the inert gas is continued for a while after the rotation of the substrate support 1 is stopped.
In addition, since both the inert
[0036]
As described above, the rotary coating apparatus according to the present embodiment performs a rotation process in the drying process in a state where the back surface side of the
[0037]
FIG. 4 is a schematic configuration diagram of a rotary coating apparatus according to a second embodiment of the present invention. FIG. 5 is a cross-sectional view taken along line AA in FIG. The rotary coating apparatus according to the second embodiment is different from the rotary coating apparatus according to the first embodiment in that an inert gas supply line and a cleaning liquid supply line are individually provided. Therefore, the same components as those in the rotary coating apparatus according to the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is omitted.
[0038]
In FIG. 4, the rotating
[0039]
In FIG. 4, the distal end side of the
[0040]
An inert
[0041]
Referring again to FIG. 3, in the resist processing step, the
Next, in the substrate back surface cleaning step, the
[0042]
Further, in the drying process, the
[0043]
As described above, by separately providing the supply path for supplying the cleaning liquid and the supply path for supplying the inert gas, the cleaning liquid and the inert gas can be switched and supplied instantaneously.
[0044]
In the second embodiment, the
[0045]
Further, a
Moreover, in the said Example, the same effect can be acquired even if it uses clean air instead of an inert gas.
[0046]
Furthermore, the configuration for supplying an inert gas according to the present invention can be applied to a rotary cleaning device, a rotary developing device, and the like.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a schematic configuration diagram of a rotary coating apparatus according to a first embodiment of the present invention.
2 is a plan view of the substrate holder shown in FIG. 1. FIG.
FIG. 3 is a diagram showing temporal changes in the number of rotations of a substrate in a spin coating process.
FIG. 4 is a schematic configuration diagram of a rotary coating apparatus according to a second embodiment of the present invention.
FIG. 5 is a cross-sectional view taken along line AA in FIG.
FIG. 6 is a schematic configuration diagram of a conventional rotary coating apparatus.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1
Claims (4)
前記モータの前記回転軸の先端に取り付けられかつ貫通孔が形成された底板を有し、前記底板の上方に所定の空間を隔てて基板を水平に保持して回転する基板保持部材と、
基板の下面側の前記所定の空間内にガスを供給することによって前記基板の下面に負圧領域が生じることを防止するガス供給手段とを備え、
前記ガス供給手段は、前記基板の下面中心部にガスを吐出するための吐出口を有しかつ前記底板の上面中心部分に取り付けられたノズルキャップを備えたことを特徴とする回転式基板処理装置。A motor having a rotating shaft extending in the vertical direction;
A substrate holding member that is attached to the tip of the rotating shaft of the motor and has a bottom plate formed with a through hole, and that rotates by holding the substrate horizontally with a predetermined space above the bottom plate;
Gas supply means for preventing a negative pressure region from being generated on the lower surface of the substrate by supplying gas into the predetermined space on the lower surface side of the substrate;
The rotary substrate processing apparatus, wherein the gas supply means includes a nozzle cap that has a discharge port for discharging gas at the center of the lower surface of the substrate and is attached to the center of the upper surface of the bottom plate. .
前記回転軸の内部を軸方向に伸びかつ先端が前記基板保持部材の前記底板および前記ノズルキャップの吐出口を通り前記所定の空間に連通された供給管路と、
前記供給管路の下端と外部に設けられたガス供給源とを接続し、前記ガス供給源から供給されるガスを前記供給管路に導くガス導入管路とを備えたことを特徴とする請求項1記載の回転式基板処理装置。The gas supply means includes
A supply pipe line extending in the axial direction inside the rotating shaft and having a tip communicating with the predetermined space through the bottom plate of the substrate holding member and the discharge port of the nozzle cap;
A gas introduction pipe that connects a lower end of the supply pipe and a gas supply source provided outside to guide a gas supplied from the gas supply source to the supply pipe is provided. Item 2. The rotary substrate processing apparatus according to Item 1.
前記供給管路と前記ガス導入管路とが連通された状態と、前記供給管路と前記洗浄液導入管路とが連通された状態とを切り換える切換手段とさらに備えたことを特徴とする請求項2記載の回転式基板処理装置。A cleaning liquid introduction pipe that connects a lower end of the supply pipe and a cleaning liquid supply source provided outside, and guides the cleaning liquid supplied from the cleaning liquid supply source to the supply pipe;
A switching means for switching between a state in which the supply line and the gas introduction line are in communication and a state in which the supply line and the cleaning liquid introduction line are in communication are further provided. The rotary substrate processing apparatus according to 2.
前記ガス導入管路は前記供給管路の前記第1の通路に接続されており、
前記供給管路の前記第2の通路と外部に設けられた洗浄液供給源とを接続し、前記洗浄液供給源から供給される洗浄液を前記供給管路の前記第2の通路に導く洗浄液導入管路をさらに備えたことを特徴とする請求項2記載の回転式基板処理装置。The supply line has a first passage and a second passage extending independently of each other;
The gas introduction line is connected to the first passage of the supply line;
A cleaning liquid introduction pipe that connects the second passage of the supply pipe with a cleaning liquid supply source provided outside and guides the cleaning liquid supplied from the cleaning liquid supply to the second path of the supply pipe The rotary substrate processing apparatus according to claim 2, further comprising:
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