JP2003068647A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 フィルタの交換を容易に行なうことが可能で
あり、かつフィルタ交換によって生産性を低下させるこ
とのない技術を提供する。 【解決手段】 フィルタを備えた製造装置によって処理
を行なう半導体装置の製造方法において、前記フィルタ
として気密の保持されたフィルタユニットに複数のフィ
ルタを用意し、用意した複数のフィルタの内の一のフィ
ルタを使用して前記製造装置による処理を所定量継続し
た後に、気密を保持したままで、前記使用するフィルタ
を同一フィルタユニットの他のフィルタに切り換えて、
処理を再開する。この構成によれば、フィルタの交換を
容易に行なうことが可能となり、排気部の気密性を維持
したままでフィルタの交換を行なうことができる。この
ため、フィルタ交換後の真空度の確認、各種パラメータ
を確認するためのテスト運転が不用になり、生産性が向
上する。
あり、かつフィルタ交換によって生産性を低下させるこ
とのない技術を提供する。 【解決手段】 フィルタを備えた製造装置によって処理
を行なう半導体装置の製造方法において、前記フィルタ
として気密の保持されたフィルタユニットに複数のフィ
ルタを用意し、用意した複数のフィルタの内の一のフィ
ルタを使用して前記製造装置による処理を所定量継続し
た後に、気密を保持したままで、前記使用するフィルタ
を同一フィルタユニットの他のフィルタに切り換えて、
処理を再開する。この構成によれば、フィルタの交換を
容易に行なうことが可能となり、排気部の気密性を維持
したままでフィルタの交換を行なうことができる。この
ため、フィルタ交換後の真空度の確認、各種パラメータ
を確認するためのテスト運転が不用になり、生産性が向
上する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
方法に関し、特に、フィルタを有する製造装置を用いた
製造方法に適用して有効な技術に関するものである。
方法に関し、特に、フィルタを有する製造装置を用いた
製造方法に適用して有効な技術に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の製造では、各種の成膜が行
なわれており、こうした成膜方法の一つにＣＶＤ（Chem
ical Vapor Deposition）がある。ＣＶＤによる成膜
は、ウェハを収容した反応室に膜の構成元素を気化させ
た反応ガスを供給し、その分解或いは反応生成物をウェ
ハ上に堆積させる技術である。ＣＶＤによる成膜は多用
途に用いられており、例えばテトラエトキシシラン（Ｔ
ＥＯＳ）ガス及び酸素を反応ガスとしたシリコン酸化膜
は、層間絶縁膜、不純物注入のマスク、容量素子の誘電
体膜或いは保護絶縁膜等の広い用途に用いられている。
なわれており、こうした成膜方法の一つにＣＶＤ（Chem
ical Vapor Deposition）がある。ＣＶＤによる成膜
は、ウェハを収容した反応室に膜の構成元素を気化させ
た反応ガスを供給し、その分解或いは反応生成物をウェ
ハ上に堆積させる技術である。ＣＶＤによる成膜は多用
途に用いられており、例えばテトラエトキシシラン（Ｔ
ＥＯＳ）ガス及び酸素を反応ガスとしたシリコン酸化膜
は、層間絶縁膜、不純物注入のマスク、容量素子の誘電
体膜或いは保護絶縁膜等の広い用途に用いられている。
【０００３】このテトラエトキシシランは常温では液体
であり、熱分解には７００℃以上の温度が必要であり、
ＣＶＤ装置では供給部で常温液体のテトラエトキシシラ
ンを加熱気化して反応ガスを生成し、この反応ガスを反
応室に送り込んで反応生成物を堆積させ、未反応の反応
ガスである残ガスを排気する構成となっている。
であり、熱分解には７００℃以上の温度が必要であり、
ＣＶＤ装置では供給部で常温液体のテトラエトキシシラ
ンを加熱気化して反応ガスを生成し、この反応ガスを反
応室に送り込んで反応生成物を堆積させ、未反応の反応
ガスである残ガスを排気する構成となっている。
【０００４】テトラエトキシシランは、人体に有害であ
るため、或いは再液化した残ガスが排気ポンプに付着し
てその動作を妨げるため、排気から除去する必要があ
る。このため、残ガスは排気部上流に設けられたフィル
タに捕捉され排気部下流以降への流出を防止する構成と
なっている。
るため、或いは再液化した残ガスが排気ポンプに付着し
てその動作を妨げるため、排気から除去する必要があ
る。このため、残ガスは排気部上流に設けられたフィル
タに捕捉され排気部下流以降への流出を防止する構成と
なっている。
【０００５】この残ガスは、排気部で冷却され再液化す
ると粘度の高い液状となり、フィルタに付着して次第に
フィルタを詰まらせるので、装置の稼動に伴いフィルタ
の除去効率が低下する。除去効率の低下によって突発的
な真空ポンプの停止或いは異物発生等の問題が生じるの
で、フィルタは一定の周期で交換或いは清掃が行なわれ
ている。
ると粘度の高い液状となり、フィルタに付着して次第に
フィルタを詰まらせるので、装置の稼動に伴いフィルタ
の除去効率が低下する。除去効率の低下によって突発的
な真空ポンプの停止或いは異物発生等の問題が生じるの
で、フィルタは一定の周期で交換或いは清掃が行なわれ
ている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】通常、こうしたフィル
タ交換は一週間に一回程度の頻度で行なわれているが、
フィルタは真空ライン間に装着されているため、これを
取り外し新たなフィルタを取り付けた場合には真空が切
れてしまう。このため、再び稼動させるには真空度の確
認、各種パラメータを確認するためのテスト運転が必要
となるので、生産が再開されるまでに約１日の作業が必
要となり、この間装置は生産に寄与していない。
タ交換は一週間に一回程度の頻度で行なわれているが、
フィルタは真空ライン間に装着されているため、これを
取り外し新たなフィルタを取り付けた場合には真空が切
れてしまう。このため、再び稼動させるには真空度の確
認、各種パラメータを確認するためのテスト運転が必要
となるので、生産が再開されるまでに約１日の作業が必
要となり、この間装置は生産に寄与していない。
【０００７】また、半導体装置では常に微細化が求めら
れており、超微細化プロセスに適応する絶縁膜として
は、ウェハ面内均一性が向上する等の利点から、成膜条
件の低温化が進められている。処理が低温化されること
によって反応ガスの気化効率が低下し残ガスの比率が増
加する。このためフィルタ交換はその頻度が増加するこ
とになり、更に生産性を低下させることになる。
れており、超微細化プロセスに適応する絶縁膜として
は、ウェハ面内均一性が向上する等の利点から、成膜条
件の低温化が進められている。処理が低温化されること
によって反応ガスの気化効率が低下し残ガスの比率が増
加する。このためフィルタ交換はその頻度が増加するこ
とになり、更に生産性を低下させることになる。
【０００８】本発明の課題は、これらの問題点を解決
し、フィルタの交換を容易に行なうことが可能であり、
かつフィルタ交換によって生産性を低下させることのな
い技術を提供することにある。本発明の前記ならびにそ
の他の課題と新規な特徴は、本明細書の記述及び添付図
面によって明らかになるであろう。
し、フィルタの交換を容易に行なうことが可能であり、
かつフィルタ交換によって生産性を低下させることのな
い技術を提供することにある。本発明の前記ならびにそ
の他の課題と新規な特徴は、本明細書の記述及び添付図
面によって明らかになるであろう。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
下記のとおりである。フィルタを備えた製造装置によっ
て処理を行なう半導体装置の製造方法において、前記フ
ィルタとして気密の保持されたフィルタユニットに複数
のフィルタを用意し、用意した複数のフィルタの内の一
のフィルタを使用して前記製造装置による処理を所定量
継続した後に、気密を保持したままで、前記使用するフ
ィルタを同一フィルタユニットの他のフィルタに切り換
えて、処理を再開する。
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
下記のとおりである。フィルタを備えた製造装置によっ
て処理を行なう半導体装置の製造方法において、前記フ
ィルタとして気密の保持されたフィルタユニットに複数
のフィルタを用意し、用意した複数のフィルタの内の一
のフィルタを使用して前記製造装置による処理を所定量
継続した後に、気密を保持したままで、前記使用するフ
ィルタを同一フィルタユニットの他のフィルタに切り換
えて、処理を再開する。
【００１０】上述した本発明によれば、フィルタの交換
を容易に行なうことが可能となり、排気部の気密性を維
持したままでフィルタの交換を行なうことができる。こ
のため、フィルタ交換後の真空度の確認、各種パラメー
タを確認するためのテスト運転が不用になり、生産性が
向上する。
を容易に行なうことが可能となり、排気部の気密性を維
持したままでフィルタの交換を行なうことができる。こ
のため、フィルタ交換後の真空度の確認、各種パラメー
タを確認するためのテスト運転が不用になり、生産性が
向上する。
【００１１】以下、本発明の実施の形態を説明する。な
お、実施の形態を説明するための全図において、同一機
能を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明
は省略する。
お、実施の形態を説明するための全図において、同一機
能を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明
は省略する。
【００１２】
【発明の実施の形態】（実施の形態１）図１は、本発明
の一実施の形態に用いられるＣＶＤ装置の概略構成を示
す図である。この装置では、供給部の加熱部１にて常温
液状のテトラエトキシシランを加熱気化させた反応ガス
と酸素とを反応室２に供給し、ヒータ３により反応室２
を加熱することによって、反応室２内で熱反応が生じ収
容されたウェハ４に酸化シリコンを堆積させる。反応室
２は減圧状態とするため及び未反応のガスを回収するた
めに排気部の真空ポンプ５ａ，５ｂによって排気されて
おり、真空ポンプ５ａ，５ｂの上流に圧力調整弁（ＡＰ
Ｃ：Auto Pressure Control）６、バルブ７及びフィル
タユニット８が排気管９によって接続されている。
の一実施の形態に用いられるＣＶＤ装置の概略構成を示
す図である。この装置では、供給部の加熱部１にて常温
液状のテトラエトキシシランを加熱気化させた反応ガス
と酸素とを反応室２に供給し、ヒータ３により反応室２
を加熱することによって、反応室２内で熱反応が生じ収
容されたウェハ４に酸化シリコンを堆積させる。反応室
２は減圧状態とするため及び未反応のガスを回収するた
めに排気部の真空ポンプ５ａ，５ｂによって排気されて
おり、真空ポンプ５ａ，５ｂの上流に圧力調整弁（ＡＰ
Ｃ：Auto Pressure Control）６、バルブ７及びフィル
タユニット８が排気管９によって接続されている。
【００１３】本実施の形態のＣＶＤ装置のフィルタユニ
ット８は、図２及び図３に示すように、円筒状をしたフ
ィルタ１１を、円筒形の枠体１２（破線図示）に中心か
ら等距離に等間隔で５本並列に収納している。このフィ
ルタユニット８では、枠体１２をケーシング１３内にて
回転させることによって、排気管９と各フィルタ１１と
を順次に接続して、フィルタ１１を交換可能な構成とな
っている。
ット８は、図２及び図３に示すように、円筒状をしたフ
ィルタ１１を、円筒形の枠体１２（破線図示）に中心か
ら等距離に等間隔で５本並列に収納している。このフィ
ルタユニット８では、枠体１２をケーシング１３内にて
回転させることによって、排気管９と各フィルタ１１と
を順次に接続して、フィルタ１１を交換可能な構成とな
っている。
【００１４】枠体１２とケーシング１３との間及び排気
管９と枠体１２との間にはＯリング１４が取り付けられ
ており、このＯリング１４によって、フィルタユニット
８全体が気密を保持されているため、排気部の気密を保
持したままでフィルタ１１の交換が可能である。
管９と枠体１２との間にはＯリング１４が取り付けられ
ており、このＯリング１４によって、フィルタユニット
８全体が気密を保持されているため、排気部の気密を保
持したままでフィルタ１１の交換が可能である。
【００１５】このＣＶＤ装置を用いた半導体装置の製造
方法について、図４に示すＭＩＳＦＥＴ（Metal Insula
tor Semiconductor Field Effect Transistor）の形成
を例にして説明する。ＭＩＳＦＥＴではウェハ（半導体
基板）４の主面に熱酸化等によりゲート絶縁膜２１を形
成し、ゲート絶縁膜２１上に多結晶シリコン膜２２及び
シリサイド膜２３を積層した上に、酸化シリコン膜２４
を堆積させホトリソグラフィによりこの酸化シリコン膜
２４をパターニングし、パターニングした酸化シリコン
膜２４をマスクとして多結晶シリコン膜２２及びシリサ
イド膜２３をパターニングしてゲート電極を形成する。
方法について、図４に示すＭＩＳＦＥＴ（Metal Insula
tor Semiconductor Field Effect Transistor）の形成
を例にして説明する。ＭＩＳＦＥＴではウェハ（半導体
基板）４の主面に熱酸化等によりゲート絶縁膜２１を形
成し、ゲート絶縁膜２１上に多結晶シリコン膜２２及び
シリサイド膜２３を積層した上に、酸化シリコン膜２４
を堆積させホトリソグラフィによりこの酸化シリコン膜
２４をパターニングし、パターニングした酸化シリコン
膜２４をマスクとして多結晶シリコン膜２２及びシリサ
イド膜２３をパターニングしてゲート電極を形成する。
【００１６】続いて、パターニングした酸化シリコン膜
２４、多結晶シリコン膜２２及びシリサイド膜２３の側
面に酸化シリコンのサイドウォール２５を形成しゲート
電極及びサイドウォール２５をマスクとしてイオン注入
を行いソース領域，ドレイン領域２６を形成した後に、
層間絶縁膜２７によってウェハ４の主面を被覆する。
２４、多結晶シリコン膜２２及びシリサイド膜２３の側
面に酸化シリコンのサイドウォール２５を形成しゲート
電極及びサイドウォール２５をマスクとしてイオン注入
を行いソース領域，ドレイン領域２６を形成した後に、
層間絶縁膜２７によってウェハ４の主面を被覆する。
【００１７】こうしたＭＩＳＦＥＴの形成では多結晶シ
リコン膜２３、酸化シリコン膜２４、サイドウォール２
５或いは層間絶縁膜２７の形成にＣＶＤが用いられてお
り、連続的なウェハ４の処理を重ねるとフィルタ１１に
反応ガスの残ガスが付着して次第にフィルタを詰まらせ
るので、フィルタの除去効率が低下する。
リコン膜２３、酸化シリコン膜２４、サイドウォール２
５或いは層間絶縁膜２７の形成にＣＶＤが用いられてお
り、連続的なウェハ４の処理を重ねるとフィルタ１１に
反応ガスの残ガスが付着して次第にフィルタを詰まらせ
るので、フィルタの除去効率が低下する。
【００１８】このため、フィルタ１１は一定の周期で交
換するが、本実施の形態の装置のフィルタ１１交換で
は、図３に示す可動状態から、先ず図５に示すように、
ケーシング１３を左右に移動させ、続いて図６に示すよ
うに排気管９を移動させる。この状態で枠体１２を回転
させて新たなフィルタ１１を排気管９との接続位置に移
動させ、再び図５に示すように排気管９をフィルタ１１
と接続し、図３に示すようにケーシング１３を移動させ
て可動状態に復旧する。
換するが、本実施の形態の装置のフィルタ１１交換で
は、図３に示す可動状態から、先ず図５に示すように、
ケーシング１３を左右に移動させ、続いて図６に示すよ
うに排気管９を移動させる。この状態で枠体１２を回転
させて新たなフィルタ１１を排気管９との接続位置に移
動させ、再び図５に示すように排気管９をフィルタ１１
と接続し、図３に示すようにケーシング１３を移動させ
て可動状態に復旧する。
【００１９】本実施の形態の装置では、フィルタユニッ
ト８全体の気密性が維持されているため、フィルタ１１
を交換しても排気部の真空が切れることはないため、真
空度の確認、各種パラメータを確認するためのテスト運
転が不用であり、直ちに装置を稼動させて、前述した各
種の成膜を再開することができる。
ト８全体の気密性が維持されているため、フィルタ１１
を交換しても排気部の真空が切れることはないため、真
空度の確認、各種パラメータを確認するためのテスト運
転が不用であり、直ちに装置を稼動させて、前述した各
種の成膜を再開することができる。
【００２０】また、ＣＶＤ装置では反応室内の清掃等の
ために一定周期でメンテナンスを行なう必要があり、通
常は１ヶ月程度の周期で定期メンテナンスを行なってい
る。本発明では、フィルタユニット８を構成する各フィ
ルタ１１の交換周期の合計が製造装置全体の定期メンテ
ナンス周期と同等若しくはそれよりも若干長い程度とな
るようにフィルタ１１の本数を構成している。
ために一定周期でメンテナンスを行なう必要があり、通
常は１ヶ月程度の周期で定期メンテナンスを行なってい
る。本発明では、フィルタユニット８を構成する各フィ
ルタ１１の交換周期の合計が製造装置全体の定期メンテ
ナンス周期と同等若しくはそれよりも若干長い程度とな
るようにフィルタ１１の本数を構成している。
【００２１】この構成によって、全てのフィルタ１１を
使用し、フィルタ１１の交換が必要となる頃には、装置
全体のメンテナンスが必要となっており、装置全体のメ
ンテナンスと合せてフィルタ１１の交換を行なうため、
フィルタを交換するために装置の稼動を停止することが
ない。
使用し、フィルタ１１の交換が必要となる頃には、装置
全体のメンテナンスが必要となっており、装置全体のメ
ンテナンスと合せてフィルタ１１の交換を行なうため、
フィルタを交換するために装置の稼動を停止することが
ない。
【００２２】また、成膜条件の低温化によって反応ガス
の気化効率が低下し残ガスの比率が増加した場合にも、
フィルタの本数を増加させることにより容易に対処する
ことができ、生産性を低下させることがない。
の気化効率が低下し残ガスの比率が増加した場合にも、
フィルタの本数を増加させることにより容易に対処する
ことができ、生産性を低下させることがない。
【００２３】（実施の形態２）図７は、本発明の他の実
施の形態に用いられるフィルタユニットの概略構成を示
す図である。本実施の形態のフィルタユニット８は、複
数のフィルタ１１を排気管９に並列に接続し、夫々のフ
ィルタ１１をバルブ１５の開閉によって切り換える構成
となっている。構成が単純であり可動部分がないので気
密性の維持に優れており、既存の材料を組み合わせて構
成することができるが、フィルタ１１交換の際には、複
数のフィルタ１１の系統夫々について気密性のテストを
行なわなければならず、フィルタ１１の数が多い場合に
はテストに時間を要することになる。
施の形態に用いられるフィルタユニットの概略構成を示
す図である。本実施の形態のフィルタユニット８は、複
数のフィルタ１１を排気管９に並列に接続し、夫々のフ
ィルタ１１をバルブ１５の開閉によって切り換える構成
となっている。構成が単純であり可動部分がないので気
密性の維持に優れており、既存の材料を組み合わせて構
成することができるが、フィルタ１１交換の際には、複
数のフィルタ１１の系統夫々について気密性のテストを
行なわなければならず、フィルタ１１の数が多い場合に
はテストに時間を要することになる。
【００２４】以上、本発明を、前記実施の形態に基づき
具体的に説明したが、本発明は、前記実施の形態に限定
されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲におい
て種々変更可能であることは勿論である。例えば、前述
した実施の形態ではＣＶＤ装置を例として本発明を説明
したが、フィルタを有する他の装置に本発明を適用し
て、半導体装置の製造を行なうことも可能である。
具体的に説明したが、本発明は、前記実施の形態に限定
されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲におい
て種々変更可能であることは勿論である。例えば、前述
した実施の形態ではＣＶＤ装置を例として本発明を説明
したが、フィルタを有する他の装置に本発明を適用し
て、半導体装置の製造を行なうことも可能である。
【００２５】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。 （１）本発明によれば、フィルタの交換を容易に行なう
ことが可能となるという効果がある。 （２）本発明によれば、排気部の気密性を維持したまま
でフィルタの交換を行なうことができるという効果があ
る。 （３）本発明によれば、上記効果（２）により、フィル
タ交換後の真空度の確認、各種パラメータを確認するた
めのテスト運転が不用になるという効果がある。 （４）本発明によれば、上記効果（１），（３）によ
り、生産性が向上するという効果がある。 （５）本発明によれば、上記効果（１），（３）によ
り、成膜条件の低温化に対応することができるという効
果がある。
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。 （１）本発明によれば、フィルタの交換を容易に行なう
ことが可能となるという効果がある。 （２）本発明によれば、排気部の気密性を維持したまま
でフィルタの交換を行なうことができるという効果があ
る。 （３）本発明によれば、上記効果（２）により、フィル
タ交換後の真空度の確認、各種パラメータを確認するた
めのテスト運転が不用になるという効果がある。 （４）本発明によれば、上記効果（１），（３）によ
り、生産性が向上するという効果がある。 （５）本発明によれば、上記効果（１），（３）によ
り、成膜条件の低温化に対応することができるという効
果がある。
【図１】本発明の一実施の形態に用いられるＣＶＤ装置
の概略構成を示す図である。
の概略構成を示す図である。
【図２】図１の装置のフィルタユニットを示す斜視図で
ある。
ある。
【図３】図１の装置のフィルタユニットを示す縦断面図
である。
である。
【図４】本発明の半導体装置の製造方法を例示する縦断
面図である。
面図である。
【図５】本発明の一実施の形態におけるフィルタ交換を
説明する縦断面図である。
説明する縦断面図である。
【図６】本発明の一実施の形態におけるフィルタ交換を
説明する縦断面図である。
説明する縦断面図である。
【図７】図７は、本発明の他の実施の形態に用いられる
フィルタユニットの概略構成を示す図である。
フィルタユニットの概略構成を示す図である。
１…加熱部、２…反応室、３…ヒータ、４…ウェハ、５
ａ，５ｂ…真空ポンプ、６…圧力調整弁、７…バルブ、
８…フィルタユニット、９…排気管、１１…フィルタ、
１２…枠体、１３…ケーシング、１４…Ｏリング、１５
…バルブ、２１…ゲート絶縁膜、２２…多結晶シリコン
膜、２３…シリサイド膜、２４酸化シリコン膜、２５…
サイドウォール、２６…ソース領域，ドレイン領域、２
７…層間絶縁膜。
ａ，５ｂ…真空ポンプ、６…圧力調整弁、７…バルブ、
８…フィルタユニット、９…排気管、１１…フィルタ、
１２…枠体、１３…ケーシング、１４…Ｏリング、１５
…バルブ、２１…ゲート絶縁膜、２２…多結晶シリコン
膜、２３…シリサイド膜、２４酸化シリコン膜、２５…
サイドウォール、２６…ソース領域，ドレイン領域、２
７…層間絶縁膜。
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フロントページの続き
(72)発明者 加藤 祐二
東京都小平市上水本町五丁目20番１号 株
式会社日立製作所半導体グループ内
Ｆターム(参考） 4M104 AA01 BB01 BB24 CC05 DD04
DD71 DD91 EE03 EE05 EE09
EE16 FF14 GG08 GG09
5F045 BB08 DQ06 EG08
Claims (4)
- 【請求項１】 フィルタを備えた製造装置によって処理
を行なう半導体装置の製造方法において、 前記フィルタとして気密の保持されたフィルタユニット
に複数のフィルタを用意し、用意した複数のフィルタの
内の一のフィルタを使用して前記製造装置による処理を
所定量継続した後に、気密を保持したままで、前記使用
するフィルタを同一フィルタユニットの他のフィルタに
切り換えて、処理を再開することを特徴とする半導体装
置の製造方法。 - 【請求項２】 前記処理がＣＶＤ処理であることを特徴
とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項３】 前記フィルタが反応ガスを除去するもの
であることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置の
製造方法。 - 【請求項４】 前記フィルタユニットを構成する各フィ
ルタの交換周期の合計が製造装置全体の定期メンテナン
ス周期と同等若しくはそれよりも長いことを特徴とする
請求項１乃至請求項３の何れか一項に記載の半導体装置
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001252416A JP2003068647A (ja) | 2001-08-23 | 2001-08-23 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001252416A JP2003068647A (ja) | 2001-08-23 | 2001-08-23 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003068647A true JP2003068647A (ja) | 2003-03-07 |
Family
ID=19080899
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001252416A Pending JP2003068647A (ja) | 2001-08-23 | 2001-08-23 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003068647A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005310809A (ja) * | 2004-04-16 | 2005-11-04 | Kondo Kogyo Kk | ミニエンバライメント方式の半導体製造装置 |
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2001
- 2001-08-23 JP JP2001252416A patent/JP2003068647A/ja active Pending
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| JP2005310809A (ja) * | 2004-04-16 | 2005-11-04 | Kondo Kogyo Kk | ミニエンバライメント方式の半導体製造装置 |
| JP4523792B2 (ja) * | 2004-04-16 | 2010-08-11 | 近藤工業株式会社 | ミニエンバライメント方式の半導体製造装置 |
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