JP2003068446A - エレクトロルミネッセンス用プラスチック基板 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 エレクトロルミネッセンス用透明導電性基
板として使用可能な高い透明性、透明導電性膜の密着
性、耐熱性に優れた透明導電性フィルムを提供するこ
と。 【解決手段】 環状オレフィン系重合体からなるフィル
ムに透明導電性薄膜を積層したエレクトロルミネッセン
ス用プラスチック基板。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、環状オレフィン系
重合体からなるフィルムに透明導電性薄膜を積層したエ
レクトロルミネッセンス用プラスチック基板に関する。

【０００２】

【従来の技術】エレクトロルミネッセンスディスプレイ
は、従来のディスプレイに対して薄型化が可能、応答速
度が速い、低電圧駆動、低消費電力などの特徴を有して
おり、ＬＣＤに代わる次世代ディスプレイの本命として
注目されている。特に、エレクトロルミネッセンスディ
スプレイは、薄型化に関して有利な方式であり、電極基
板材料をガラスからプラスチックフィルムに代えること
により、更なる薄型化、軽量化が可能となる。

【０００３】従来、エレクトロルミネッセンス用電極と
しては、ガラス基板上に酸化インジウム、酸化亜鉛、酸
化スズなどからなる金属酸化物膜を積層したものが使用
されてきた。しかしながら、エレクトロルミネッセンス
素子に対する軽量化、薄型化、耐衝撃性改良の要求に応
えるために、透明導電性基板としてガラスに代えて、プ
ラスチックフィルムを使用する試みが検討されている。
例えば、特開平１１−４８３８８号公報には、プラスチ
ックフィルムとして、ポリエチレンテレフタレート（Ｐ
ＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリア
リレート（ＰＡＲ）、ポリアクリレート、ポリカーボネ
ート（ＰＣ）、ポリエチレン、ポリプロピレンなどが使
用できることが開示されている。ところが、これらプラ
スチック材料は、エレクトロルミネッセンス用透明導電
性基板材料として用いるためには、透明性が不足してい
る、プラスチックフィルムと透明導電性膜の密着性が不
足している、耐熱性が不足しているなどの問題点があ
り、実用化には至っていないのが実状である。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、このような
状況に鑑み、エレクトロルミネッセンス用透明導電性基
板として使用可能な高い透明性、透明導電性膜の密着
性、耐熱性に優れた透明導電性フィルムを提供すること
を目的としたものである。また、驚くべきことに、本発
明の透明導電性フィルムを用いることにより、従来のプ
ラスチックフィルムを使用した透明導電性フィルムを用
いた場合はもちろんのこと、ガラス基板と比べても鮮や
かな表示特性を示すエレクトロルミネッセンスパネルが
得られることも明らかになった。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明は、環状オレフィ
ン系重合体からなるフィルムに透明導電性薄膜を積層し
たエレクトロルミネッセンス用プラスチック基板に関す
る。ここで、上記環状オレフィン系重合体としては、下
記一般式（１）で表される少なくとも一種の環状オレフ
ィン誘導体よりなる特定単量体（以下「特定単量体」と
もいう）もしくはこの特定単量体と共重合可能な共重合
性単量体を付加重合して得られる重合体、および／また
は下記一般式（１）で表される少なくとも一種の環状オ
レフィン誘導体よりなる特定単量体もしくはこの特定単
量体と共重合可能な共重合性単量体を開環重合して得ら
れる重合体またはその水素添加物が好ましい。

【０００６】

【化２】

【０００７】〔式中、Ｒ¹〜Ｒ⁴はそれぞれ独立して、水
素原子、炭素数１〜２０のアルキル基、シクロアルキル
基、アリール基、アルケニル基、ハロゲン原子、ハロゲ
ン化炭化水素基、−（ＣＲ⁶Ｒ⁷）_nＳｉ（ＯＲ⁵）_mＲ⁸
_(3-m)，−（ＣＲ⁶Ｒ⁷）_nＳｉ（Ｒ ⁹Ｒ¹⁰）ＯＳｉ（Ｏ
Ｒ⁵）_mＲ⁸ _(3-m)、−Ｃ（Ｏ）Ｏ（ＣＨ₂）_nＳｉ（Ｏ
Ｒ⁵）_mＲ⁸ _(3-m)または、−（ＣＨ₂）_kＸで表される極性
基を示す。ここで、Ｘは−Ｃ（Ｏ）ＯＲ¹¹、−ＯＣ
（Ｏ）Ｒ¹²、―Ｃ（Ｏ）ＯＨ、―ＯＲ¹³、―ＯＨ、−Ｃ
Ｎ、−ＮＲ¹⁴Ｒ¹⁵からなるの極性基を示す。Ｒ⁵は１〜
１０のアルキル基またはアリール基を示し、Ｒ⁶〜Ｒ¹⁰
はそれぞれ独立して、水素原子、または炭素数１〜２０
の炭化水素基を示し、ｇは０〜３の整数、ｈは０〜３の
整数であり、ｇ＋ｈが０〜４である。ｍは０〜３の整
数、ｎは０〜５の整数であり、Ｒ¹¹〜Ｒ¹⁵は水素原子、
炭素数１〜２０のアルキル基、アルケニル基、アリール
基、シクロアルキル基およびこれらのハロゲン置換基、
ｋは０〜３の整数を示す。また、Ｒ¹〜Ｒ⁴には、Ｒ¹と
Ｒ²または、Ｒ³とＲ⁴で形成されるビニリデニル基、Ｒ¹
とＲ²、Ｒ¹とＲ³または、Ｒ³とＲ⁴、Ｒ²とＲ⁴で形成さ
れるイミド基も含まれる。〕

【０００８】

【発明の実施の形態】上記一般式（１）で表される特定
単量体のうち、Ｒ¹〜Ｒ⁴の少なくとも一つが極性を有す
る基である特定単量体は、得られるプラスチックフィル
ムと金属酸化膜との密着性に優れる点で好ましく、特
に、極性基がエステル基、カルボキシル基である重合体
は色相、吸水率などのバランスが優れている。

【０００９】特定単量体の具体例としては、ビシクロ
［２．２．１］ヘプト−２−エン、１−メチルビシクロ
［２．２．１］ヘプト−２−エン、５−メチルビシクロ
［２．２．１］ヘプト−２−エン、７−ビシクロ［２．
２．１］ヘプト−２−エン、５，６−ジメチルビシクロ
［２．２．１］ヘプト−２−エン、５−エチルビシクロ
［２．２．１］ヘプト−２−エン、５−ｎ−ブチルビシ
クロ［２．２．１］ヘプト−２−エン、５−イソブチル
ビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン、５−ペンチ
ルビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン、５−ヘキ
シルビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン、５−ヘ
プチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン、５−
オクチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン、５
−デシルビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン、５
−ドデシルビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン、
５−メトキシカルボニルビシクロ［２．２．１］ヘプト
−２−エン、５−メチル−メトキシカルボニルビシクロ
［２．２．１］ヘプト−２−エン、５−エトキシカルボ
ニルビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン、５−プ
ロポキシカルボニルビシクロ［２．２．１］ヘプト−２
−エン、５−ブトキシカルボニルビシクロ［２．２．
１］ヘプト−２−エン、５−シアノビシクロ［２．２．
１］ヘプト−２−エン、５−アミノビシクロ［２．２．
１］ヘプト−２−エン、５−（Ｎ，Ｎ−ジエチルアミ
ノ）―ビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン、５−
ヒドロキシビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン、
５−メトキシビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エ
ン、５−トリメトキシシリルビシクロ［２．２．１］ヘ
プト−２−エン、５−トリメトキシシリル−７−オキサ
ビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン、５−ジメト
キシクロロシリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−
エン、５−ジメトキシクロロシリル−７−オキサビシク
ロ［２．２．１］ヘプト−２−エン、５−メトキシクロ
ロメチルシリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エ
ン、５−ジメトキシクロロシリルビシクロ［２．２．
１］ヘプト−２−エン、５−メトキシヒドリドメチルシ
リルビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン、５−ジ
メトキシヒドリドシリルビシクロ［２．２．１］ヘプト
−２−エン、５−メトキシジメチルシリルビシクロ
［２．２．１］ヘプト−２−エン、５−トリエトキシシ
リルビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン、５−ト
リエトキシシリル−７−オキサビシクロ［２．２．１］
ヘプト−２−エン、５−ジエトキシクロロシリルビシク
ロ［２．２．１］ヘプト−２−エン、５−エトキシクロ
ロ−メチルシリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−
エン、５−ジエトキシヒドリドシリルビシクロ［２．
２．１］ヘプト−２−エン、５−エトキシジメチルシリ
ルビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン、５−エト
キシジエチルシリル−７−オキサビシクロ［２．２．
１］ヘプト−２−エン、５−プロポキシジメチルシリル
ビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン、５−トリプ
ロポキシシリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エ
ン、５−トリフェノキシシリルビシクロ［２．２．１］
ヘプト−２−エン、５−トリメトキシシリルメチルビシ
クロ［２．２．１］ヘプト−２−エン、５−（２−トリ
メトキシシリル）エチルビシクロ［２．２．１］ヘプト
−２−エン、５−（２−ジメトキシクロロシリル）エチ
ルビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン、５−（１
−トリメトキシシリル）エチルビシクロ［２．２．１］
ヘプト−２−エン、５−（２−トリメトキシシリル）プ
ロピルビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン、５−
（１−トリメトキシシリル）プロピルビシクロ［２．
２．１］ヘプト−２−エン、５−トリエトキシシリルエ
チル−７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−
エン、５−ジメトキシメチルシリルメチルビシクロ
［２．２．１］ヘプト−２−エン、５−トリメトキシプ
ロピルシリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エ
ン、５−トリエトキシシロキシ−ジメチルシリルビシク
ロ［２．２．１］ヘプト−２−エンなどのビシクロ
［２．２．１］ヘプト−２−エン誘導体、テトラシクロ
［４．４．０．１^2,5．１^7,10］−３−ドデセン、８−
メチルテトラシクロ［４．４．０．１^2,5．１^7,10］−
３−ドデセン、８−エチルテトラシクロ［４．４．０．
１^2,5．１^7,10］−３−ドデセン、８−プロピルテトラ
シクロ［４．４．０．１^2,5．１^7,10］−３−ドデセ
ン、８−ブチルテトラシクロ［４．４．０．１^2,5．１
^7,10］−３−ドデセン、８−イソブチルテトラシクロ
［４．４．０．１^2,5．１^7,10］−３−ドデセン、８−
ヘキシルテトラシクロ［４．４．０．１^2,5．１^7,10］
−３−ドデセン、８−シクロヘキシルテトラシクロ
［４．４．０．１^2,5．１^7,10］−３−ドデセン、８−
ステアリルテトラシクロ［４．４．０．１^2,5．
１^7,10］−３−ドデセン、５，１０−ジメチルテトラシ
クロ［４．４．０．１^2,5．１^7,10］−３−ドデセン、
２，１０−ジメチルテトラシクロ［４．４．０．
１^2,5．１^7,10］−３−ドデセン、８，９−ジメチルテ
トラシクロ［４．４．０．１^2,5．１^7,10］−３−ドデ
セン、８−エチル−９−メチルテトラシクロ［４．４．
０．１^2,5．１^7,10］−３−ドデセン、１１，１２−ジ
メチルテトラシクロ［４．４．０．１^2,5．１^7,10］−
３−ドデセン、２，７，９−トリメチルテトラシクロ
［４．４．０．１^2,5．１^7,10］−３−ドデセン、９−
エチル−２，７−ジメチルテトラシクロ［４．４．０．
１^2,5．１^7,10］−３−ドデセン、９−イソブチル−
２，７−ジメチルテトラシクロ［４．４．０．１^2,5．
１^7,10］−３−ドデセン、９，１１，１２−トリメチル
テトラシクロ［４．４．０．１^2,5．１^7,10］−３−ド
デセン、９−エチル−１１，１２−ジメチルテトラシク
ロ［４．４．０．１^2,5．１^7,10］−３−ドデセン、９
−イソブチル−１１，１２−ジメチルテトラシクロ
［４．４．０．１^2,5．１^{7 ,10}］−３−ドデセン、５，
８，９，１０−テトラメチルテトラシクロ［４．４．
０．１^2,5．１^7,10］−３−ドデセン、８−エチリデン
テトラシクロ［４．４．０．１^2,5．１^7,10］−３−ド
デセン、８−エチリデン−９−メチルテトラシクロ
［４．４．０．１^2,5．１^7,10］−３−ドデセン、８−
エチリデン−９−エチルテトラシクロ［４．４．０．１
^2,5．１^7,10］−３−ドデセン、８−エチリデン−９−
イソプロピルテトラシクロ［４．４．０．１^2,5．１
^7,10］−３−ドデセン、８−エチリデン−９−ブチルテ
トラシクロ［４．４．０．１^2,5．１^7,10］−３−ドデ
セン、８−ｎ−プロピリデンテトラシクロ［４．４．
０．１^2,5．１^7,10］−３−ドデセン、８−ｎ−プロピ
リデン−９−メチルテトラシクロ［４．４．０．
１^2,5．１^7,10］−３−ドデセン、８−ｎ−プロピリデ
ン−９−エチルテトラシクロ［４．４．０．１^2,5．１
^7,10］−３−ドデセン、８−ｎ−プロピリデン−９−イ
ソプロピルテトラシクロ［４．４．０．１^2,5．
１^7,10］−３−ドデセン、８−ｎ−プロピリデン−９−
ブチルテトラシクロ［４．４．０．１^2,5．１^7,10］−
３−ドデセン、８−イソプロピリデンテトラシクロ
［４．４．０．１^2,5．１^7,10］−３−ドデセン、８−
イソプロピリデン−９−メチルテトラシクロ［４．４．
０．１^2,5．１^7,10］−３−ドデセン、８−イソプロピ
リデン−９−エチルテトラシクロ［４．４．０．
１^2,5．１^7,10］−３−ドデセン、８−イソプロピリデ
ン−９−イソプロピルテトラシクロ［４．４．０．１
^2,5．１^7,10］−３−ドデセン、８−イソプロピリデン
−９−ブチルテトラシクロ［４．４．０．１^2,5．１
^7,10］−３−ドデセン、８−クロロテトラシクロ［４．
４．０．１^2,5．１^7,10］−３−ドデセン、８−ブロモ
テトラシクロ［４．４．０．１^2,5．１^7,10］−３−ド
デセン、８−フルオロテトラシクロ［４．４．０．１
^2,5．１^7,10］−３−ドデセン、８，９−ジクロロテト
ラシクロ［４．４．０．１^2,5．１^7,10］−３−ドデセ
ン、８−メトキシカルボニルテトラシクロ［４．４．
０．１^2,5．１^7,10］−３−ドデセン、８−エトキシカ
ルボニルテトラシクロ［４．４．０．１^2,5．１^7,10］
−３−ドデセン、８−ｎ−プロポキシカルボニルテトラ
シクロ［４．４．０．１^2,5．１^7,10］−３−ドデセ
ン、８−イソプロポキシカルボニルテトラシクロ［４．
４．０．１^2,5．１^7,10］−３−ドデセン、８−ｎ―ブ
トキシカルボニルテトラシクロ［４．４．０．１^2,5．
１^7,10］−３−ドデセン、８−メチル−８−メトキシカ
ルボニルテトラシクロ［４．４．０．１^2,5．１^{7,1 0}］
−３−ドデセン、８−メチル−８−エトキシカルボニル
テトラシクロ［４．４．０．１^2,5．１^{7,1 0}］−３−ド
デセン、８−メチル−８−ｎ−プロポキシカルボニルテ
トラシクロ［４．４．０．１^2,5．１^7,10］−３−ドデ
セン、８−メチル−８−イソプロポキシカルボニルテト
ラシクロ［４．４．０．１^2,5．１^7,10］−３−ドデセ
ン、８−メチル−８−ｎ―ブトキシカルボニルテトラシ
クロ［４．４．０．１^2,5．１^7,10］−３−ドデセン、
８−シアノテトラシクロ［４．４．０．１^2,5．
１^7,10］−３−ドデセン、８−アミノテトラシクロ
［４．４．０．１^2,5．１^7,10］−３−ドデセン、８−
（Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノ）−テトラシクロ［４．４．
０．１^2,5．１^7,10］−３−ドデセン、８−ヒドロキシ
テトラシクロ［４．４．０．１^2,5．１^7,10］−３−ド
デセン、８−メトキシテトラシクロ［４．４．０．１
^2,5．１^7,10］−３−ドデセン、Ｎ−シクロヘキシルジ
カルボキシイミドテトラシクロ［４．４．０．１^2,5．
１^{7 ,10}］−３−ドデセン、８−トリメトキシシリルテト
ラシクロ［４．４．０．１^2,5．１^7,10］−３−ドデセ
ン、８−トリエトキシシリルテトラシクロ［４．４．
０．１^2,5．１^7,10］−３−ドデセン、８−メチルジメ
トキシシリルテトラシクロ［４．４．０．１^2,5．１
^7,10］−３−ドデセン、８−トリエトキシシロキシ−ジ
メチルシリルテトラシクロ［４．４．０．１^2,5．１
^7,10］−３−ドデセン、などのテトラシクロ［４．４．
０．１^2,5．１^7,10］−３−ドデセン誘導体、ヘキサシ
クロ［６．６．１．１^3,6．１^10,13．０^2,7．０^9,14］
−４−ヘプタデセン、１２−メチルヘキサシクロ［６．
６．１．１^3,6．１^10,13．０^2,7．０^9,14］−４−ヘプ
タデセン、１２−エチルヘキサシクロ［６．６．１．１
^3,6．１^10,13．０^2,7．０⁹，１４］−４−ヘプタデセ
ン、１２−イソブチルヘキサシクロ［６．６．１．１
^3,6．１^10,13．０^2,7．０^9,14］−４−ヘプタデセン、
１，６，１０−トリメチル−１２−イソブチルヘキサシ
クロ［６．６．１．１^{3, 6}．１^10,13．０^2,7．０^9,14］
−４−ヘプタデセンなどのヘキサシクロ［６．６．１．
１^3,6．１^10,13．０^2,7．０^9,14］−４−ヘプタデセン
誘導体、オクタシクロ［８．８．０．１^2,9．１^4,7．１
^11,18．１^13,16．０^3,8．０^12,17］−５−ドコセン、１
５−メチルオクタシクロ［８．８．０．１^2,9．１^4,7．
１^11,18．１^13,16．０ ^3,8．０^12,17］−５−ドコセン、
１５−エチルオクタシクロ［８．８．０．１^2,9．
１^4,7．１^11,18．１^13,16．０ ^3,8．０^12,17］−５−ド
コセンなどのオクタシクロ［８．８．０．１^2,9．
１^4,7．１^11,18．１^13,16．０^3,8．０^12,17］−５−ド
コセン誘導体、ペンタシクロ［６．６．１．１^3,6．０
^2,7．０^9,14］−４−ヘキサデセン、１，３−ジメチル
ペンタシクロ［６．６．１．１^3,6．０^2,7．０^9,14］−
４−ヘキサデセン、１，６−ジメチルペンタシクロ
［６．６．１．１^3,6．０^2,7．０^9,14］−４−ヘキサデ
セン、１５，１６−ペンタシクロ［６．６．１．
１^3,6．０^2,7．０^9,14］−４−ヘキサデセンなどのペン
タシクロ［６．６．１．１^3,6．０^2,7．０^9,14］−４−
ヘキサデセン誘導体、ヘプタシクロ［８．７．０．１
^2,9．１^4,7．１^11,17．０^3,9．０^12,16］−５−エイコ
セン、ヘプタシクロ［８．８．０．１^2,9．１^4,7．１
^11,18．０^3,8．０^12,17］−５−ヘンエイコセンなどの
ヘプタシクロ［８．７．０．１^2,9．１^4,7．１^11,17．
０^{3 ,9}．０^12,16］−５−エイコセン誘導体、トリシクロ
［４．３．０．１^2,5］―３−デセン、２−メチルトリ
シクロ［４．３．０．１^2,5］―３−デセン、５−メチ
ルトリシクロ［４．３．０．１^2,5］―３−デセンなど
のトリシクロ［４．３．０．１^2,5］―３−デセン誘導
体、トリシクロ［４．４．０．１^2,5］―３−ウンデセ
ン、１０−メチルトリシクロ［４．４．０．１^2,5］―
３−ウンデセンなどのトリシクロ［４．４．０．
１^2,5］―３−ウンデセン誘導体、ペンタシクロ［６．
５．１．１^3,6．０^2,7．０^9,13］−４−ペンタデセン、
１，３−ジメチルペンタシクロ［６．５．１．１^3,6．
０^2,7．０^9,13］−４−ペンタデセン、１，６−ジメチ
ルペンタシクロ［６．５．１．１^3,6．０^2,7．０^9,13］
−４−ペンタデセン、１４，１５−ジメチルペンタシク
ロ［６．５．１．１^3,6．０^2,7．０^9,13］−４−ペンタ
デセンなどのペンタシクロ［６．５．１．１^3,6．
０^2,7．０^9,13］−４−ペンタデセン誘導体、ペンタシ
クロ［７．４．０．１^2,5．１^9,12．０^8,13］−３−ペ
ンタデセン、ヘプタシクロ［８．７．０．１^3,6．１
^10,17．１^12,15．０^2,7．０^11,16］−４−エイコセン、
ノナシクロ［１０．９．１．１^4,7．１^13,20．
１^15,18．０^3,8．０^2,10．０^{12,2 1}．０^14,19］−５−ペ
ンタコセン、ペンタシクロ［８．４．０．１^2,5．１
^9,12．０^8,13］−３−ヘキサデセン、１１−メチル−ペ
ンタシクロ［８．４．０．１^2,5．１^9,12．０^8,13］−
３−ヘキサデセン、１１−エチル−ペンタシクロ［８．
４．０．１^2,5．１^9,12．０^8,13］−３−ヘキサデセ
ン、１０，１１−ジメチル−ペンタシクロ［８．４．
０．１^2,5．１^9,12．０^8,13］−３−ヘキサデセン、ヘ
プタシクロ［８．８．０．１^4,7．１^11.18．１^13,16．
０^3,8．０^12,17］−５−ヘンエイコセン、１５−メチル
−ヘプタシクロ［８．８．０．１^4,7．１^11.18．１
^13,16．０^3,8．０^12,17］−５−ヘンエイコセン、トリ
メチル−ヘプタシクロ［８．８．０．１^4,7．１^11.18．
１^13,16．０^3,8．０ ^12,17］−５−ヘンエイコセン、ノ
ナシクロ［１０．１０．１．１^5,8．１^14,21．
１^16,18．０^2,11．０^4,9．０^{13 ,22}．０^15,20］−５−ヘ
キサコセン、５−フェニル−ビシクロ［２．２．１］ヘ
プト−２−エン、５−メチル−ビシクロ［２．２．１］
ヘプト−２−エン、５−ベンジル−ビシクロ［２．２．
１］ヘプト−２−エン、５−トリル−ビシクロ［２．
２．１］ヘプト−２−エン、５−(エチルフェニル)−ビ
シクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン、５−（イソプ
ロピルフェニル）−ビシクロ［２．２．１］ヘプト−２
−エン、１，４−メタノ−１，４，４a、９ａ―テトラ
ヒドロフルオレン、１，４−メタノ−１，４，４a、
５，１０，１０ａ―ヘキサヒドロアントラセン、シクロ
ペンタジエン−アセナフチレン付加体、５−エチリデン
ビシクロ〔２．２．１〕ヘプト−２−エン、５−（α―
ナフチル）−ビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エ
ン、５−アントラセニル−ビシクロ［２．２．１］ヘプ
ト−２−エンなどを挙げることができる。これらの特定
単量体は、単独で、または２種以上を併用して用いるこ
とができる。

【００１０】本発明の環状オレフィン系付加重合体は、
上記特定単量体と共重合可能な共重合性単量体（Ａ）
（オレフィン化合物）を共重合した重合体を用いること
もできる。共重合可能な共重合性単量体（Ａ）として
は、エチレン、プロピレン、１−ブテン、４−メチル−
１−ペンテン、１−ヘキセン、１−オクテン、１−デセ
ン、１−ドデセン、１−テトラデセン、１−ヘキサデセ
ン、１−オクタデセンなどのα―オレフィン、シクロペ
ンテン、シクロへキセンなどのシクロオレフィン、１，
４−ヘキサジエン、４−メチル−１，４−ヘキサジエ
ン、５−メチル−１，４−ヘキサジエン、１，７−オク
タジエン、ジシクロペンタジエンなどの非共役ジエン類
を挙げることができる。

【００１１】上記共重合性単量体（Ａ）（オレフィン化
合物）を共重合性単量体として用いる場合に、当該共重
合性単量体（Ａ）の種類は、最終的に得られる重合体に
求められる特性に応じて選択されるが、通常、エチレン
を用いることが好ましく、この場合には、他の共重合性
単量体を用いる場合に比して、大きな重合活性が得られ
て重合体への転化率が大きくなると共に、得られる重合
体のガラス転移温度（Ｔｇ）を容易に制御できる。共重
合性単量体（Ａ）の使用量は、得られる重合体に求めら
れる特性に応じて適宜定められるが、通常、特定単量体
／共重合性単量体の重量比の値が１００／０〜１０／９
０、好ましくは１００／０〜２０／８０の範囲となる量
とされる。

【００１２】上記付加重合体を合成するための触媒とし
ては、チタン化合物、ジルコニウム化合物およびバナジ
ウム化合物から選ばれた少なくとも一種と、助触媒とし
ての有機アルミニウム化合物とが用いられる。ここで、
チタン化合物としては、四塩化チタン、三塩化チタンな
どを、またジルコニウム化合物としてはビス（シクロペ
ンタジエニル）ジルコニウムクロリド、ビス（シクロペ
ンタジエニル）ジルコニウムジクロリドなどを挙げるこ
とができる。

【００１３】さらに、バナジウム化合物としては、一般
式 ＶＯ（ＯＲ）ａ Ｘｂ 、またはＶ（ＯＲ）ｃ Ｘｄ 〔ただし、Ｒは炭化水素基、Ｘはハロゲン原子であっ
て、０≦ａ≦３、０≦ｂ≦３、２≦（ａ＋ｂ）≦３、０
≦ｃ≦４、０≦ｄ≦４、３≦（ｃ＋ｄ）≦４である。〕
で表されるバナジウム化合物、あるいはこれらの電子供
与付加物が用いられる。上記電子供与体としては、アル
コール、フェノール類、ケトン、アルデヒド、カルボン
酸、有機酸または無機酸のエステル、エーテル、酸アミ
ド、酸無水物、アルコキシシランなどの含酸素電子供与
体、アンモニア、アミン、ニトリル、イソシアナートな
どの含窒素電子供与体などが挙げられる。

【００１４】さらに、助触媒としての有機アルミニウム
化合物としては、少なくとも１つのアルミニウム−炭素
結合あるいはアルミニウム−水素結合を有するものから
選ばれた少なくとも１種が用いられる。上記において、
例えばバナジウム化合物を用いる場合におけるバナジウ
ム化合物と有機アルミニウム化合物の比率は、バナジウ
ム原子に対するアルミニウム原子の比（Ａｌ／Ｖ）が２
以上であり、好ましくは２〜５０、特に好ましくは３〜
２０の範囲である。

【００１５】また、重合触媒としては、通常、周期律表
８族のＮｉ、Ｐｄ、Ｃｏなどのカチオン錯体またはカチ
オン錯体を形成する触媒を用いることもできる。代表的
なものとして、〔Ｐｄ（ＣＨ₃ＣＮ）₄〕〔ＢＦ₄〕₂、
〔Ｐｄ（ＰｈＣＮ）₄〕〔ＳｂＦ₆〕、ジ−μ−クロロ−
ビス（６−メトキシビシクロ〔２．２．１〕ヘプト−２
−エン−エンド−５σ，２π）Ｐｄ（以下、「Ｉ」と略
す。）、Ｉとメチルアルモキサン（以下、「ＭＡＯ」と
略す。）、ＩとＡｇＳｂＦ₆、ＩとＡｇＢＦ₄、〔（η３
−アリール）ＰｄＣｌ〕₂とＡｇＳｂＦ₆、〔（η３−ア
リール）ＰｄＣｌ〕₂とＡｇＢＦ₄、〔（η３−クロチ
ル）Ｐｄ（シクロオクタジエン）〕〔ＰＦ₆〕、
〔（１，５−シクロオクタジエン）Ｐｄ（ＣＨ₃）（Ｃ
ｌ）〕とＰＰｈ₃とＮａＢ〔３，５−（ＣＦ₃）₂Ｃ
₆Ｈ₃〕₄、〔（η３−クロチル）Ｎｉ（シクロオクタジ
エン）〕〔Ｂ（（ＣＦ₃）₂Ｃ₆Ｈ₄） ₄〕、ＮｉＢｒ（Ｎ
ＰＭｅ₃）〕₄とＭＡＯ、Ｎｉ（オクトエート）₂とＭＡ
Ｏ、Ｎｉ（オクトエート）₂とＢ（Ｃ₆Ｆ₅）₃とＡｌＥｔ
₃、Ｎｉ（オクトエート）₂とＨＳｂＦ₆の反応物とＢＦ₃
・Ｅｔ₂ＯとＡｌＥｔ₃、Ｎｉ（オクトエート）₂とＨＳ
ｂＦ₆の反応物とＢＦ₃・Ｅｔ₂ＯとＡｌＥｔ₃の反応物、
Ｎｉ（オクトエート）₂とＨＳｂＦ₆の反応物とＡｌＥｔ
₂Ｆ、Ｎｉ（オクトエート）₂とＨＳｂＦ₆の反応物とＡ
ｌＥｔＦ₂、Ｎｉ（ナフトエート）₂とＨＳｂＦ₆の反応
物とＢＦ₃・Ｅｔ₂ＯとＡｌＢｕ₃、Ｎｉ（ナフトエー
ト）₂とＨＳｂＦ₆の反応物とＢ（Ｃ₆Ｆ₅）₃とＡｌＥｔ₃
の反応物、Ｎｉ（オクトエート）₂とＰｈ₃Ｃ・Ｂ（Ｃ₆
Ｆ₅）₃とＡｌＥｔ₃、Ｔｏｌｕｅｎｅ・Ｎｉ（Ｃ
₆Ｆ₅）₂、Ｘｙｌｅｎｅ・Ｎｉ（Ｃ₆Ｆ₅）₂、Ｍｅｓｉｔ
ｙｌｅｎｅ・Ｎｉ（Ｃ₆Ｆ₅）₂、Ｃｏ（ネオデカノエー
ト）とＭＡＯ、などが挙げられる。さらに、特願２００
１−１３２０５４号明細書に記載の遷移金属錯体化合物
を使用することもできる。

【００１６】重合反応に用いる溶媒としては、シクロへ
キサン、シクロペンタン、メチルシクロペンタンなどの
脂環式炭化水素溶媒、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、
オクタンなどの脂肪族炭化水素溶媒、ベンゼン、トルエ
ン、キシレンなどの芳香族炭化水素溶媒、ジクロロメタ
ン、１，２−ジクロロエタン、クロロベンゼンなどのハ
ロゲン化炭化水素溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチルなどの
エステル系溶媒、テトラヒドロフラン、ジメトキシエタ
ンなどのエーテル系溶媒、γ―ブチロラクトン、プロピ
レングリコール、ジメチルエーテル、ニトロメタン、N
−メチルピロリドン、ピリジン、N,N´−ジメチルイミ
ダゾリジノン、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセト
アミドなどから選ばれた溶媒が用いられる。

【００１７】一方、本発明の開環重合体は、メタセシス
開環重合により合成される。 ＜開環重合触媒＞本発明における開環重合反応は、メタ
セシス触媒の存在下に行われる。このメタセシス触媒
は、（ａ）Ｗ、ＭｏおよびＲｅの化合物から選ばれた少
なくとも１種と、（ｂ）デミングの周期律表ＩＡ族元素
（例えばＬｉ、Ｎａ、Ｋなど）、ＩＩＡ族元素（例え
ば、Ｍｇ、Ｃａなど）、ＩＩＢ族元素（例えば、Ｚｎ、
Ｃｄ、Ｈｇなど）、ＩＩＩＡ族元素（例えば、Ｂ、Ａｌ
など）、ＩＶＡ族元素（例えば、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｐｂな
ど）、あるいはＩＶＢ族元素（例えば、Ｔｉ、Ｚｒな
ど）の化合物であって、少なくとも１つの該元素−炭素
結合あるいは該元素−水素結合を有するものから選ばれ
た少なくとも１種との組合せからなる触媒である。ま
た、この場合に触媒の活性を高めるために、後述の
（ｃ）添加剤が添加されたものであってもよい。

【００１８】（ａ）成分として適当なＷ、Ｍｏあるいは
Ｒｅの化合物の代表例としては、ＷＣｌ６ 、ＭｏＣｌ
５ 、ＲｅＯＣｌ３ などの特開平１−１３２６２６号公
報第８頁左下欄第６行〜第８頁右上欄第１７行に記載の
化合物を挙げることができる。（ｂ）成分の具体例とし
ては、ｎ−Ｃ４ Ｈ９ Ｌｉ、（Ｃ２ Ｈ５ ）３ Ａｌ、
（Ｃ２ Ｈ５ ）２ ＡｌＣｌ、（Ｃ２ Ｈ５ ）１．５
ＡｌＣｌ１．５ 、（Ｃ２ Ｈ５ ）ＡｌＣｌ２、メチル
アルモキサン、ＬｉＨなど特開平１−１３２６２６号公
報第８頁右上欄第１８行〜第８頁右下欄第３行に記載の
化合物を挙げることができる。添加剤である（ｃ）成分
の代表例としては、アルコール類、アルデヒド類、ケト
ン類、アミン類などが好適に用いることができるが、さ
らに特開平１−１３２６２６号公報第８頁右下欄第１６
行〜第９頁左上欄第１７行に示される化合物を使用する
ことができる。

【００１９】メタセシス触媒の使用量としては、上記
（ａ）成分と特定単量体とのモル比で「（ａ）成分：特
定単量体」が、通常、１：５００〜１：５０，０００と
なる範囲、好ましくは１：１，０００〜１：１０，００
０となる範囲とされる。（ａ）成分と（ｂ）成分との割
合は、金属原子比で（ａ）：（ｂ）が１：１〜１：５
０、好ましくは１：２〜１：３０の範囲とされる。
（ａ）成分と（ｃ）成分との割合は、モル比で（ｃ）：
（ａ）が０．００５：１〜１５：１、好ましくは０．０
５：１〜７：１の範囲とされる。

【００２０】＜重合反応用溶媒＞開環重合反応において
用いられる溶媒（分子量調節剤溶液を構成する溶媒、特
定単量体および／またはメタセシス触媒の溶媒）として
は、例えばペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、
ノナン、デカンなどのアルカン類、シクロヘキサン、シ
クロヘプタン、シクロオクタン、デカリン、ノルボルナ
ンなどのシクロアルカン類、ベンゼン、トルエン、キシ
レン、エチルベンゼン、クメンなどの芳香族炭化水素、
クロロブタン、ブロモヘキサン、塩化メチレン、ジクロ
ロエタン、ヘキサメチレンジブロミド、クロロベンゼ
ン、クロロホルム、テトラクロロエチレンなどの、ハロ
ゲン化アルカン、ハロゲン化アリールなどの化合物、酢
酸エチル、酢酸ｎ−ブチル、酢酸ｉｓｏ−ブチル、プロ
ピオン酸メチル、ジメトキシエタンなどの飽和カルボン
酸エステル類、ジブチルエーテル、テトラヒドロフラ
ン、ジメトキシエタンなどのエーテル類などを挙げるこ
とができ、これらは単独であるいは混合して用いること
ができる。これらのうち、芳香族炭化水素が好ましい。
溶媒の使用量としては、「溶媒：特定単量体（重量
比）」が、通常、１：１〜１０：１となる量とされ、好
ましくは１：１〜５：１となる量とされる。

【００２１】＜分子量調節剤＞得られる開環（共）重合
体の分子量の調節は、重合温度、触媒の種類、溶媒の種
類によっても行うことができるが、本発明においては、
分子量調節剤を反応系に共存させることにより調節す
る。ここに、好適な分子量調節剤としては、例えばエチ
レン、プロペン、１−ブテン、１−ペンテン、１−ヘキ
セン、１−ヘプテン、１−オクテン、１−ノネン、１−
デセンなどのα−オレフィン類およびスチレンを挙げる
ことができ、これらのうち、１−ブテン、１−ヘキセン
が特に好ましい。これらの分子量調節剤は、単独である
いは２種以上を混合して用いることができる。分子量調
節剤の使用量としては、開環重合反応に供される特定単
量体１モルに対して０．００５〜０．６モル、好ましく
は０．０２〜０．５モルとされる。

【００２２】開環重合体を得るための開環重合工程にお
いては、上記の特定単量体を単独で開環重合させてもよ
いが、当該特定単量体と共重合性単量体（Ｂ）とを開環
共重合させてもよい。この場合に使用される共重合性単
量体（Ｂ）の具体例としては、シクロブテン、シクロペ
ンテン、シクロヘプテン、ジシクロペンタジエンなどの
シクロオレフィンを挙げることができる。シクロオレフ
ィンの炭素数としては、４〜２０が好ましく、さらに好
ましくは５〜１２である。なお、共重合性単量体の使用
量は、得られる重合体に求められる特性に応じて適宜定
められるが、通常、特定単量体／共重合性単量体（Ｂ）
の重量比の値が１００／０〜１０／９０、好ましくは１
００／０〜２０／８０の範囲となる量とされる。さら
に、ポリブタジエン、ポリイソプレンなどの共役ジエン
化合物、スチレン−ブタジエン共重合体、エチレン−非
共役ジエン共重合体、ポリノルボルネンなどの主鎖に炭
素−炭素間二重結合を２つ以上含む不飽和炭化水素系ポ
リマーなどの存在下に特定単量体を開環重合させてもよ
い。また、上記開環（共）重合体をフリーデルクラフト
反応により環化して用いることができ、さらに、これを
水素添加して使用することもできる。

【００２３】以上のようにして得られる開環（共）重合
体は、そのままでも用いられるが、これをさらに水素添
加して得られた水素添加（共）重合体は、耐衝撃性の大
きい樹脂の原料として有用である。

【００２４】＜水素添加触媒＞水素添加反応は、通常の
方法、すなわち開環（共）重合体の溶液に水素添加触媒
を添加し、これに常圧〜３００気圧、好ましくは３〜２
００気圧の水素ガスを０〜２００℃、好ましくは２０〜
１８０℃で作用させることによって行われる。水素添加
触媒としては、通常のオレフィン性化合物の水素添加反
応に用いられるものを使用することができる。この水素
添加触媒としては、不均一系触媒および均一系触媒が挙
げられる。

【００２５】不均一系触媒としては、パラジウム、白
金、ニッケル、ロジウム、ルテニウムなどの貴金属触媒
物質を、カーボン、シリカ、アルミナ、チタニアなどの
担体に担持させた固体触媒を挙げることができる。ま
た、均一系触媒としては、ナフテン酸ニッケル／トリエ
チルアルミニウム、ニッケルアセチルアセトナート／ト
リエチルアルミニウム、オクテン酸コバルト／ｎ−ブチ
ルリチウム、チタノセンジクロリド／ジエチルアルミニ
ウムモノクロリド、酢酸ロジウム、クロロトリス（トリ
フェニルホスフィン）ロジウム、ジクロロトリス（トリ
フェニルホスフィン）ルテニウム、クロロヒドロカルボ
ニルトリス（トリフェニルホスフィン）ルテニウム、ジ
クロロカルボニルトリス（トリフェニルホスフィン）ル
テニウムなどを挙げることができる。触媒の形態は、粉
末でも粒状でもよい。

【００２６】これらの水素添加触媒は、開環（共）重合
体：水素添加触媒（重量比）が、１：１×１０^-6〜１：
２となる割合で使用される。このように、水素添加する
ことにより得られる水素添加（共）重合体は、優れた熱
安定性を有するものとなり、成形加工時や製品としての
使用時の加熱によっても、その特性が劣化することはな
い。ここに、水素添加率は、通常、５０％以上、好まし
く７０％以上、さらに好ましくは９０％以上である。

【００２７】本発明の方法によって得られる環状オレフ
ィン系重合体の分子量は、重合条件などによって制御す
ることができるが、通常、固有粘度（ηinh ）が０．２
〜５ｄＬ／ｇ、好ましくは０．４〜１．５ｄＬ／ｇとな
る大きさであることが好ましい。また、本発明による環
状オレフィン系重合体は、ゲルパーミエーションクロマ
トグラフィー（ＧＰＣ）で測定したポリスチレン換算数
平均分子量（Ｍｎ）が８，０００〜１００，０００、重
量平均分子量（Ｍｗ）が２０，０００〜１, ０００，０
００の範囲であることが好ましい。本発明による環状オ
レフィン系重合体のガラス転移温度は、用いる単量体の
種類によっても異なり、従って単量体を選択することに
よって適宜制御することが可能である。本発明に用いる
場合、該重合体のガラス転移温度は、１２０℃〜３５０
℃であることが好ましく、さらに好ましくは１５０℃〜
３００℃である。高耐熱性が要求される場合には、付加
型重合体を使用することが好ましい。

【００２８】さらに、本発明の方法によって得られる環
状オレフィン系重合体には、各種の添加剤を添加するこ
とができる。添加剤の代表例は酸化防止剤である。酸化
防止剤としては、例えば２，６−ジ−ｔ−ブチル−４−
メチルフェノール、４，４’−チオビス−（６−ｔ−ブ
チル−３−メチルフェノール）、１，１’−ビス（４−
ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、２，２’−メチ
レンビス（４−エチル−６−ｔ−ブチルフェノール）、
２，５−ジ−ｔ−ブチルヒドロキノン、ペンタエリスリ
チルテトラキス−３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−
ヒドロキシフェニル）プロピオネート、オクタデシル−
３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニ
ル）プロピオネートなどのフェノール系酸化防止剤、ヒ
ドロキノン系酸化防止剤、または例えばトリス（４−メ
トキシ−３，５−ジフェニル）フォスファイト、トリス
（ノニルフェニル）フォスファイト、トリス（２，４−
ｔ−ブチルフェニル）フォスファイトなどのリン系酸化
防止剤を挙げることができ、これらの酸化防止剤の１種
または２種以上を添加することにより、シクロオレフィ
ン系重合体に向上した酸化安定性を得ることができる。

【００２９】他の添加剤の具体例としては、例えば、離
型剤、難燃剤、抗菌剤、木粉、カップリング剤、紫外線
吸収剤、石油樹脂、可塑剤、着色剤、滑剤、帯電防止
剤、シリコーンオイル、発泡剤などの公知の添加剤を挙
げることができ、これらは適宜配合することができる。

【００３０】本発明に用いられるフィルムは、上記重合
体を含む溶液をキャスティングする方法（溶液流延
法）、あるいは、上記重合体を溶融成形する方法により
得ることができる。溶液流延法によってシートを形成す
る場合には、表面粗さを小さいものとするするために、
重合体の溶液にレベリング剤を添加してもよい。レベリ
ング剤としては、例えば、フッ素系ノニオン界面活性
剤、アクリル樹脂系レベリング剤、シリコーン系レベリ
ング剤などの塗料用レベリング剤を用いることができ、
それらの中でも、当該重合体の溶液を形成する有機溶媒
に対して良好な相溶性を有するものが好ましい。また、
本発明の環状オレフィン系重合体のうち、シリル基を含
有する重合体は、酸性化合物、アルカリ性化合物、塩化
合物、アミン化合物、有機金属化合物などの架橋触媒を
添加して、フィルム・シートに加工・成形したのち、必
要に応じて、加熱処理して２次架橋して使用することも
できる。

【００３１】このようにして作製されたフィルムは、さ
らに延伸処理を実施して使用することもできるし、延伸
処理無しに使用することも可能である。延伸処理を実施
する場合、１軸、または、２軸方向に延伸されたものい
ずれでもかまわない。また、製膜後にアニール処理を施
してもかまわない。

【００３２】また、上記フィルム中もしくは表面上に、
公知の添加剤、例えば易滑剤、ハードコート剤、防湿
剤、腐食防止剤などが添加もしくはコートされていても
かまわない。さらに、上記フィルム上に、公知の表面処
理、例えばコロナ処理、粗面化処理、アンカーコート処
理を行うことも可能である。

【００３３】上記フィルムの膜厚としては、特に制限は
ないが、５〜３００μmであることが好ましく、５０〜
２６０μmの範囲であることが特に好ましい。フィルム
膜厚が５μm未満ではフィルムの腰が弱く、エレクトロ
ルミネッセンスパネルの作製工程での取り扱い性に難が
ある。一方、フィルム膜厚が３００μmを超えると、エ
レクトロルミネッセンスパネルの厚さが厚くなりすぎる
ため好ましくない。

【００３４】本発明においては、上記フィルムに透明導
電性薄膜を積層して使用するが、透明導電性薄膜として
は、透明性および導電性を兼ね備えた材料であれば特に
制限はない。代表的なものとしては、金、銀、銅、アル
ミニウム、パラジウムなどの金属およびこれらの合金、
酸化スズ、酸化インジウム、酸化インジウム−スズ（IT
O）、酸化亜鉛などの化合物半導体およびそれらの混合
物の単層、積層体などからなる薄膜が用いられる。透明
導電膜の形成方法としては、真空蒸着法、スパッタリン
グ法、イオンプレーティング法、プラズマ法、スプレー
法などの公知の方法を用いることができる。透明導電性
薄膜の厚さは、通常、１〜１，０００ｎｍ、好ましくは
５〜５００ｎｍである。

【００３５】透明導電層の表面抵抗値としては、通常、
１０〜１，０００Ω／□であることが好ましい。１０Ω
／□よりも低い表面抵抗値を得るためには、透明導電性
薄膜の膜厚を非常に厚いものにする必要があり、製造コ
スト面、特性（曲げ特性など）面から好ましくない。一
方、１，０００Ω／□より高い表面抵抗値の場合には、
エレクトロルミネッセンスパネルに用いた場合の発光輝
度の点で問題となる。

【００３６】

【実施例】以下、本発明を実施例によってさらに具体的
に説明するが、本発明はこれら実施例によって何ら制限
を受けるものではない。なお、実施例中の部および％
は、特に断らない限り、重量部および％である。

【００３７】なお、密着性、熱収縮率、耐久性（耐熱
性）、表示の鮮やかさは、下記の方法により測定・評価
した。 （１） 密着性 評価試料に対して、カッターにより１ｍｍ×１ｍｍの碁
盤目が１０個×１０個形成されるように、切り込みを入
れ、セロハンテープによる剥離試験を行い、２５ブロッ
ク中における剥離したブロック数を測定した。 （２） 熱収縮率 ＪＩＳ Ｃ２３１８の方法に準拠し、熱処理前の寸法
Ｌ、１５０℃±３℃に保たれた恒温槽中に３時間放置後
の寸法Ｍを測定し、（Ｌ−Ｍ）×１００／Ｌの式から熱
収縮率を求めた。 （３） 耐久性（耐熱性） 評価試料を１５０℃の条件で、１００時間耐久試験を実
施し、実施後の性状を目視判定した。 （４） エレクトロルミネッセンスパネルの表示の鮮や
かさ 試作パネルの表示を目視にて判定した。 ○：非常に鮮やか △：やや鮮やかさに欠ける。 ×：鮮やかさに欠ける。

【００３８】合成例１（特定重合体の合成） 特定単量体として８−メチル−８−カルボキシメチルテ
トラシクロ［４．４．０．１^2,5．１^7,10］−３−ドデ
セン ２５０部と分子量調節剤である１−ヘキセン １
８部とトルエン７５０部を、窒素置換した反応容器に仕
込み、６０℃に加熱した。これに、重合触媒であるトリ
エチルアルミニウム（１．５モル／ｌ）のトルエン溶液
０．６２部と、ｔ−ブタノ−ルおよびメタノ−ルでＷ
Ｃｌ₆を変性し、ｔ−ブタノールとメタノールおよびタ
ングステンのモル比が０．３５：０．３：１とされたＷ
Ｃｌ₆溶液（濃度０．０５モル／ｌ）３．７部を加え、
８０℃で３時間加熱撹拌して、重合体溶液を得た。この
重合反応における重合転化率は９７％であり、重合体の
固有粘度（η_inh）は０．６５であった。得られた重合
体溶液Ａの４，０００部をオートクレーブに入れ、これ
にＲｕＨＣｌ（ＣＯ）［Ｐ（Ｃ₆Ｈ₅）₃］₃の０．４８部
を加え、水素ガス圧を１００ｋｇ／ｃｍ²、反応温度１
６５℃の条件で３時間加熱撹拌して水素添加反応を行っ
た。得られた反応溶液を冷却した後、水素ガスを放圧
し、水素添加重合体溶液を得た。この水素添加重合体溶
液を大量のメタノール中で凝固させた後、乾燥させ、水
素添加重合体（環状オレフィン系重合体）（以下「重合
体Ａ」という）を得た。

【００３９】このようにして得られた水素添加重合体に
ついて、¹Ｈ−ＮＭＲを用いて水素添加率を測定したと
ころ、９９．９％であった。また、この重合体につい
て、ＤＳＣ法によりガラス転移温度（Ｔｇ）を測定した
ところ、１７０℃であった。また、この重合体につい
て、ＧＰＣ法（溶媒：テトラヒドロフラン）により、ポ
リスチレン換算の重量平均分子量（Ｍｗ）を測定したと
ころ、１２０，０００であった。

【００４０】合成例２ 不活性ガス雰囲気下において、オートクレーブ中に触媒
として下記一般式（２）において、Ａ¹およびＡ²がフェ
ニル基、Ａ³は無し、Ｌがトリフェニルホスフィン基、
Ｘが−ＣＨ（ＣＨ₃）₂、Ｍがニッケル、Ｙが酸素原子で
ある遷移金属錯体化合物の７５マイクロモルを、ニッケ
ルビスシクロオクタジエン１５０マイクロモルと共に入
れ、全体の温度を１０℃にした後、オートクレーブ内を
エチレンで置換した。重合反応系の温度を１０℃に保ち
ながら乾燥トルエン１００ｍｌを加え、エチレン圧２．
５×１０^５ Ｐａの条件下で、８−メチル−８−メトキ
シカルボニルテトラシクロ〔４．４．０．１^２，５．１
^７，１０〕−３−ドデセンの５．２ｇ（２２．４ミリモ
ル）を加えて３時間重合反応処理したところ、ＧＰＣ法
（溶媒；テトラヒドロフラン）により求めたポリスチレ
ン換算の重量平均分子量が９８，０００の環状オレフィ
ン系付加共重合体１３ｇが得られた。このようにして得
られた付加型重合体（以下「重合体Ｂ」という。）のガ
ラス転移温度（Ｔｇ）をＤＳＣ法により測定したとこ
ろ、２８０℃であった。

【００４１】

【化３】

【００４２】実施例１ 重合体Ａから塩化メチレンを溶剤として用いて、厚さ１
００μｍのキャストフィルムを作製し、これに、スパッ
タリング法により厚み０．１μｍのＩＴＯ層を形成させ
た。この透明導電フィルムの一部を用いて、接着性試
験、熱収縮率を求めた。結果を表１にまとめた。また、
この透明導電フィルムを用いて、エレクトロルミネッセ
ンスパネルを以下のような手順で試作した。上記透明導
電性薄膜上に、キノリノール錯体溶液を塗布した後、溶
剤の除去処理を実施することにより、厚みが５０ｎｍの
エレクトロルミネッセンス層を形成させた。次いで、エ
レクトロルミネッセンス層上に、トリスキノリノラート
アルミナムよりなる厚みが６０ｎｍの電子輸送発光層を
形成し、この電子輸送発光層上に、蒸着法によって厚み
が１００ｎｍのマグネシウム／銀アロイ(重量比１０：
１)膜（陰極層）を形成させた。このようにして作製し
たエレクトロルミネッセンスパネルの評価結果を表１に
まとめた。

【００４３】実施例２ 重合体Ｂからトルエンを溶剤として用いて、厚さ１００
μｍのキャストフィルムを作製し、これに、スパッタリ
ング法により厚み０．１μｍのＩＴＯ層を形成させた。
この透明導電フィルムの一部を用いて、接着性試験、熱
収縮率を求めた。結果を表１にまとめた。また、この透
明導電フィルムを用いて、エレクトロルミネッセンスパ
ネルを実施例１と同様の方法により試作した。このよう
にして作製したエレクトロルミネッセンスパネルの評価
結果を表１にまとめた。

【００４４】比較例１ プラスチックフィルムとして、厚さが１８８μｍのポリ
エチレンテレフタレートフィルム〔東洋紡績（株）製；
Ａ４１４０〕を用いた他は、実施例１と同様の方法によ
り、透明導電フィルム、エレクトロルミネッセンスパネ
ルを作成した。これらの評価結果を表１にまとめた。

【００４５】比較例２ プラスチックフィルムの代わりに、ガラス基板を使用し
た他は、実施例１と同様の方法により、ガラス基板のエ
レクトロルミネッセンスパネルを作成した。これらの評
価結果を表１中に記す。

【００４６】

【表１】

【００４７】

【発明の効果】本発明の環状オレフィン系重合体をプラ
スチック基板として用いることにより、透明導電性薄膜
との密着性に優れ、熱収縮率が小さく、耐久性（耐熱
性）に優れたエレクトロルミネッセンスディスプレイを
提供することができる。

フロントページの続き Ｆターム(参考） 3K007 AB04 AB06 AB14 AB15 CA05 CA06 CB01 FA01 4F100 AA33A AK03B AR00A BA02 BA07 EH66A GB41 JA07B JG01A JJ03 JK06 JM02A JN01 JN01A YY00B 4J032 CA32 CA33 CA34 CA43 CA45 CB01 CB03 CC03 CG01 4J100 AA02Q AA03Q AA04Q AA15Q AA16Q AA17Q AA19Q AR05Q AR09P AR11P AR22Q AS11Q CA01 CA04 JA32

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 環状オレフィン系重合体からなるフィル
   ムに透明導電性薄膜を積層したエレクトロルミネッセン
   ス用プラスチック基板。
2. 【請求項２】 上記環状オレフィン系重合体が、下記一
   般式（１）で表される少なくとも一種の環状オレフィン
   誘導体よりなる特定単量体もしくはこの単量体と共重合
   可能な共重合性単量体を付加重合して得られる重合体、
   および／または下記一般式（１）で表される少なくとも
   一種の環状オレフィン誘導体よりなる特定単量体もしく
   はこの単量体と共重合可能な共重合性単量体を開環重合
   して得られる重合体またはその水素添加物である請求項
   １に記載のエレクトロルミネッセンス用プラスチック基
   板。 【化１】 〔式中、Ｒ¹〜Ｒ⁴はそれぞれ独立して、水素原子、炭素
   数１〜２０のアルキル基、シクロアルキル基、アリール
   基、アルケニル基、ハロゲン原子、ハロゲン化炭化水素
   基、−（ＣＲ⁶Ｒ⁷）_nＳｉ（ＯＲ⁵）_mＲ⁸ _(3-m)、−（Ｃ
   Ｒ⁶Ｒ⁷）_nＳｉ（Ｒ ⁹Ｒ¹⁰）ＯＳｉ（ＯＲ⁵）_mＲ⁸ _(3-m)、
   −Ｃ（Ｏ）Ｏ（ＣＨ₂）_nＳｉ（ＯＲ⁵）_mＲ⁸ _(3-m)、また
   は−（ＣＨ₂）_kＸで表される極性基を示す。ここで、Ｘ
   は−Ｃ（Ｏ）ＯＲ¹¹、−ＯＣ（Ｏ）Ｒ¹²、―Ｃ（Ｏ）Ｏ
   Ｈ、―ＯＲ¹³、―ＯＨ、−ＣＮ、−ＮＲ¹⁴Ｒ¹⁵からなる
   極性基を示す。Ｒ⁵は１〜１０のアルキル基またはアリ
   ール基を示し、Ｒ⁶〜Ｒ¹⁰はそれぞれ独立して、水素原
   子、または炭素数１〜２０の炭化水素基を示し、ｇは０
   〜３の整数、ｈは０〜３の整数であり、ｇ＋ｈが０〜４
   である。ｍは０〜３の整数、ｎは０〜５の整数であり、
   Ｒ¹¹〜Ｒ¹⁵は水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基、
   アルケニル基、アリール基、シクロアルキル基およびこ
   れらのハロゲン置換基、ｋは０〜３の整数を示す。ま
   た、Ｒ¹〜Ｒ⁴には、Ｒ¹とＲ²または、Ｒ³とＲ⁴で形成さ
   れるビニリデニル基、Ｒ¹とＲ²、Ｒ¹とＲ³または、Ｒ³
   とＲ⁴、Ｒ²とＲ⁴で形成されるイミド基も含まれる。〕