JP2003060333A - Method for connecting electronic component - Google Patents

Method for connecting electronic component

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JP2003060333A
JP2003060333A JP2001248926A JP2001248926A JP2003060333A JP 2003060333 A JP2003060333 A JP 2003060333A JP 2001248926 A JP2001248926 A JP 2001248926A JP 2001248926 A JP2001248926 A JP 2001248926A JP 2003060333 A JP2003060333 A JP 2003060333A
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JP
Japan
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conductive
fine particles
electronic components
film
conductive fine
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Application number
JP2001248926A
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Japanese (ja)
Inventor
Masateru Fukuoka
正輝 福岡
Kenji Iuchi
謙治 居内
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Sekisui Chemical Co Ltd
Original Assignee
Sekisui Chemical Co Ltd
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide the connecting method of electronic components, which can easily conduct electrical connection of high connection reliability in short time, without the leakage of an adjacent electrode, at connecting of fine electrodes to which the electronic components face. SOLUTION: In the connecting method of the electronic components for connecting the electrode components of the multiple electronic components, a conductive connection film where fine grains are arranged is used. In the conductive connection film where the fine grains are arranged, the conductive fine grains are arranged in a through-hole made in an adhesive film. The conductive fine grains are arranged, only at positions which correspond to the electrode parts of the confronted electronic components.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、電子部品の対向す
る微細な電極を接続するに際し、隣接電極のリークがな
く接続信頼性の高い電気的接続を短時間で容易に行える
電子部品の接続方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for connecting electronic parts, which is capable of easily making electrical connection with high reliability in connection in a short time when connecting fine electrodes facing each other in an electronic part without leakage of adjacent electrodes. Regarding

【0002】[0002]

【従来の技術】液晶ディスプレー、パーソナルコンピュ
ータ、携帯通信機器等のエレクトロニクス製品におい
て、半導体素子、チップ等の小型部品を基板に電気的に
接続したり、基板同士を電気的に接続する方法のうち、
微細な電極を対向させて接続する方法としては、金属バ
ンプ等を用いハンダや導電ペーストで接続したり、金属
バンプ等を直接圧着したりする方法が用いられている。
2. Description of the Related Art In electronic products such as liquid crystal displays, personal computers, and portable communication devices, among the methods for electrically connecting small components such as semiconductor elements and chips to a board or electrically connecting the boards to each other,
As a method of connecting the fine electrodes facing each other, a method of using metal bumps or the like for connection with solder or a conductive paste, or a method of directly pressure bonding the metal bumps or the like is used.

【0003】このような対向する微細な電極を接続する
場合には、個々の接続部の強度が弱い等の問題から通常
接続部の周辺を樹脂で封止する必要がある。通常、この
封止は電極の接続後に接続部に封止樹脂を注入すること
により行われる。しかしながら、微細な対向電極は接続
部の距離が短いこともあり、封止樹脂を短時間で均一に
注入することが困難であるという問題があった。
In the case of connecting such fine electrodes facing each other, it is usually necessary to seal the periphery of the connecting portion with resin due to the problem that the strength of each connecting portion is weak. Usually, this sealing is performed by injecting a sealing resin into the connecting portion after connecting the electrodes. However, the minute counter electrode has a problem that it is difficult to uniformly inject the sealing resin in a short time because the distance between the connecting portions is short.

【0004】この問題を解決する方法として、導電性微
粒子を絶縁性のバインダー樹脂と混ぜ合わせてフィルム
状又はペースト状にした異方性導電接着剤が考案され、
例えば、特開昭63−231889号公報、特開平4−
259766号公報、特開平3−291807号公報、
特開平5−75250号公報等に開示されている。
As a method for solving this problem, an anisotropic conductive adhesive is devised in which conductive fine particles are mixed with an insulating binder resin to form a film or paste,
For example, JP-A-63-231889 and JP-A-4-
259766, JP-A-3-291807,
It is disclosed in JP-A-5-75250.

【0005】しかしながら、異方性導電接着剤は、導電
性微粒子がバインダー樹脂にランダムに分散されたもの
であるため、バインダー中で導電性微粒子が連なってい
たり、加熱圧着時に対向電極上にない導電性微粒子が流
動して連なったりするため、隣接電極でリークを発生さ
せる可能性があった。また、加熱圧着により電極又はバ
ンプ上に導電性微粒子を押しつけた場合でも、電極と導
電性微粒子との間に絶縁材の薄層が残り易いため、接続
信頼性を低下させるという問題があった。
However, since the anisotropic conductive adhesive is one in which conductive particles are randomly dispersed in a binder resin, the conductive particles are connected in the binder, or the conductive particles not present on the counter electrode during thermocompression bonding. Since the conductive fine particles flow and connect with each other, there is a possibility that a leak may occur at the adjacent electrode. Further, even when the conductive fine particles are pressed onto the electrodes or the bumps by thermocompression bonding, a thin layer of the insulating material is likely to remain between the electrodes and the conductive fine particles, so that there is a problem that the connection reliability is lowered.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記現状に
鑑み、電子部品の対向する微細な電極を接続するに際
し、隣接電極のリークがなく接続信頼性の高い電気的接
続を短時間で容易に行える電子部品の接続方法を提供す
ることを目的とするものである。
SUMMARY OF THE INVENTION In view of the above situation, the present invention provides an easy electrical connection in a short time when connecting fine electrodes facing each other of an electronic component, which is free from leakage of adjacent electrodes. It is an object of the present invention to provide a method of connecting electronic components that can be performed.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】本発明は、複数の電子部
品を微粒子配置導電接続フィルムを用いて接続する電子
部品の接続方法であって、前記微粒子配置導電接続フィ
ルムは、接着性フィルムに設けられた貫通穴に導電性微
粒子が配置されたものであり、前記導電性微粒子は、対
向する前記電子部品の電極部に対応する位置にのみ配置
されている電子部品の接続方法である。以下に本発明を
詳述する。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention is a method for connecting electronic components in which a plurality of electronic components are connected using a fine particle-arranged conductive connection film, wherein the fine particle-arranged conductive connection film is provided on an adhesive film. Conductive fine particles are arranged in the through holes, and the conductive fine particles are a method of connecting electronic components arranged only at positions corresponding to the electrode portions of the electronic components facing each other. The present invention is described in detail below.

【0008】本発明は、複数の電子部品を微粒子配置導
電接続フィルムを用いて接続する電子部品の接続方法で
ある。上記微粒子配置導電接続フィルムは、接着性フィ
ルムに設けられた貫通穴に導電性微粒子が配置されたも
のである。
The present invention is a method of connecting electronic parts, in which a plurality of electronic parts are connected using a fine particle-arranged conductive connection film. The above-mentioned fine particle-arranged conductive connection film is one in which conductive fine particles are arranged in through holes provided in the adhesive film.

【0009】上記接着性フィルムとしては接着性を有す
れば特に限定はされないが、適度な弾性や柔軟性、回復
性を持つものが得やすいという点から高分子量体又はそ
の複合物が好ましい。上記複合物の高分子量体以外の材
料としては、例えば、セラミック等の無機物や低分子量
化合物等が挙げられる。
The adhesive film is not particularly limited as long as it has adhesiveness, but a high molecular weight compound or a composite thereof is preferable from the viewpoint that a film having appropriate elasticity, flexibility and recoverability can be easily obtained. Examples of materials other than the high molecular weight compound of the above composite include inorganic materials such as ceramics and low molecular weight compounds.

【0010】上記高分子量体としては、例えば、フェノ
ール樹脂、アミノ樹脂、アクリル樹脂、エチレン−酢酸
ビニル樹脂、スチレン−ブタジエンブロック共重合体、
ポリエステル樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、アルキド
樹脂、ポリイミド樹脂、ウレタン樹脂、エポキシ系樹脂
等の熱可塑性樹脂;硬化性樹脂、架橋樹脂、有機無機ハ
イブリッド重合体等が挙げられる。これらのうち、不純
物が少なく広い物性の範囲のものが得やすいという点か
らエポキシ系樹脂が好ましい。ここで、エポキシ系樹脂
には未硬化のエポキシ樹脂と上記の他の樹脂との混合物
や半硬化状態のエポキシ樹脂が含まれるものとする。ま
た、上記高分子量体は、必要に応じてガラス繊維やアル
ミナ粒子等の無機充填物を含んでいてもよい。
Examples of the high molecular weight polymer include phenol resin, amino resin, acrylic resin, ethylene-vinyl acetate resin, styrene-butadiene block copolymer,
Thermoplastic resins such as polyester resins, urea resins, melamine resins, alkyd resins, polyimide resins, urethane resins and epoxy resins; curable resins, crosslinked resins, organic-inorganic hybrid polymers and the like can be mentioned. Of these, epoxy resins are preferable because they have few impurities and are easily obtained in a wide range of physical properties. Here, it is assumed that the epoxy resin includes a mixture of an uncured epoxy resin and the other resin described above, and a semi-cured epoxy resin. In addition, the high molecular weight body may include an inorganic filler such as glass fiber or alumina particles, if necessary.

【0011】上記接着性フィルムは、押圧及び加熱によ
り、被着体に硬化接着できるものであることが好まし
い。これにより素子及び基板の電極とフィルムの導電性
微粒子との位置を合わせれば、押圧及び加熱のみで接続
することが可能となり、接続の信頼性を飛躍的に高める
ことができる。これら、硬化、接着の機能は、別途硬化
型接着剤を塗布することによっても得られるが、本発明
ではフィルム自体がこの機能を持つことにより、非常に
簡便に電子部品の接続を行うことができる。
The above-mentioned adhesive film is preferably one which can be cured and adhered to an adherend by pressing and heating. Thus, if the electrodes of the element and the substrate are aligned with the conductive fine particles of the film, the connection can be made only by pressing and heating, and the reliability of the connection can be dramatically improved. These functions of curing and adhesion can also be obtained by applying a curable adhesive separately, but in the present invention, since the film itself has this function, it is possible to connect electronic parts very easily. .

【0012】上記接着性フィルムは、熱伝導率が高いも
のであることが好ましい。これにより、押圧及び加熱の
みで接続を行う場合でも、確実に接続することができ
る。上記接着性フィルムの熱伝導率を上げる方法として
は特に限定されないが、熱伝導率の高い絶縁性のフィラ
ーをフィルム中に分散させる方法が好適である。上記フ
ィラーとしては、例えば、窒化ホウ素、窒化珪素、窒化
アルミ、炭化珪素等が挙げられる。これらのフィラー
は、単独で用いられてもよいし、2種以上が併用されて
もよい。上記フィラーの添加量は、接着性フィルム全体
の10〜80体積%であることが好ましい。10体積%
未満であると、熱伝導率向上の効果が低く、80体積%
を超えると、接着性フィルムの接着性や形状を保ちにく
くなる。より好ましくは20〜60体積%である。
The above adhesive film preferably has a high thermal conductivity. Thereby, even if the connection is made only by pressing and heating, the connection can be surely made. The method of increasing the thermal conductivity of the adhesive film is not particularly limited, but a method of dispersing an insulating filler having a high thermal conductivity in the film is suitable. Examples of the filler include boron nitride, silicon nitride, aluminum nitride, silicon carbide and the like. These fillers may be used alone or in combination of two or more. The amount of the filler added is preferably 10 to 80% by volume of the entire adhesive film. 10% by volume
When it is less than 80%, the effect of improving the thermal conductivity is low, and it is 80% by volume.
When it exceeds, it becomes difficult to maintain the adhesiveness and shape of the adhesive film. It is more preferably 20 to 60% by volume.

【0013】上記接着性フィルムの厚さは、導電性微粒
子の平均粒径の1/2〜2倍であることが好ましい。1
/2倍未満であると、接着性フィルム部分で基板を支持
しにくくなり、2倍を超えると、導電性微粒子が電極に
届かず接続不良の原因となることがある。より好ましく
は2/3〜1.5倍であり、更に好ましくは3/4〜
1.3倍、特に好ましくは0.8〜1.2倍であり、
0.9〜1.1倍であると著しく効果が高まる。特に、
素子及び基板の電極上にバンプがあるような場合にはフ
ィルムの厚さは導電性微粒子の平均粒径の1倍以上であ
ることが好ましく、逆にバンプがない場合には1倍未満
であることが好ましい。
The thickness of the adhesive film is preferably 1/2 to 2 times the average particle size of the conductive fine particles. 1
When it is less than / 2 times, it is difficult to support the substrate with the adhesive film portion, and when it exceeds 2 times, the conductive fine particles may not reach the electrode, which may cause connection failure. It is more preferably 2/3 to 1.5 times, still more preferably 3/4 to
1.3 times, particularly preferably 0.8 to 1.2 times,
If it is 0.9 to 1.1 times, the effect is remarkably enhanced. In particular,
When bumps are present on the electrodes of the element and the substrate, the thickness of the film is preferably 1 time or more the average particle diameter of the conductive fine particles, and conversely, when there is no bump, it is less than 1 time. It is preferable.

【0014】上記接着性フィルムは、硬化後の常温での
線膨張係数が10〜200ppmであることが好まし
い。10ppm未満であると、導電性微粒子との線膨張
の差が大きいために、本発明の電子部品の接続方法によ
り電子部品が接続された導電接続構造体に熱サイクル等
をかけた場合、導電性微粒子の伸びに接着性フィルムが
追従することができず、電気的接続が不安定になること
があり、200ppmを超えると、導電接続構造体に熱
サイクル等をかけた場合、電極間が広がりすぎ、導電性
微粒子が電極から離れ接続不良の原因になることがあ
る。より好ましくは20〜150ppmであり、更に好
ましくは30〜100ppmである。
The above-mentioned adhesive film preferably has a linear expansion coefficient of 10 to 200 ppm at room temperature after curing. When the content is less than 10 ppm, the difference in linear expansion from the conductive fine particles is large, and therefore, when the conductive connection structure to which the electronic component is connected by the method for connecting the electronic component of the present invention is subjected to a heat cycle or the like, the conductivity is reduced. The adhesive film may not be able to follow the elongation of the fine particles and the electrical connection may become unstable. If it exceeds 200 ppm, when the conductive connection structure is subjected to a thermal cycle etc., the space between the electrodes becomes too wide. However, the conductive fine particles may separate from the electrodes and cause a connection failure. It is more preferably 20 to 150 ppm, and further preferably 30 to 100 ppm.

【0015】上記導電性微粒子としては、例えば、金
属、カーボン等の無機物、導電性高分子からなるもの、
又は、高分子量体、シリカ、アルミナ、金属、カーボン
等の無機物、低分子量化合物等からなるコアの表面にメ
ッキ等の方法により導電層を設けたもの等が挙げられる
が、適度な弾性や柔軟性、回復性を有し球状のものが得
やすいという点から、高分子量体からなるコアの表面に
導電層が形成されたものが好ましい。
The conductive fine particles include, for example, metals, inorganic substances such as carbon, and conductive polymers.
Alternatively, a high molecular weight material, an inorganic material such as silica, alumina, a metal, carbon, etc., a core having a low molecular weight compound, etc. and a conductive layer provided by a method such as plating on the surface of the core can be used. From the viewpoint of recoverability and spherical shape, it is preferable that the conductive layer is formed on the surface of the core made of a high molecular weight material.

【0016】上記高分子量体としては、例えば、フェノ
ール樹脂、アミノ樹脂、アクリル樹脂、エチレン−酢酸
ビニル樹脂、スチレン−ブタジエンブロック共重合体、
ポリエステル樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、アルキド
樹脂、ポリイミド樹脂、ウレタン樹脂、エポキシ樹脂等
の熱可塑性樹脂;硬化性樹脂、架橋樹脂、有機無機ハイ
ブリッド重合体等が挙げられる。これらのうち、耐熱性
の点から架橋樹脂が好ましい。また、上記高分子量体は
必要に応じて充填物を含んでいてもよい。
Examples of the above-mentioned high molecular weight polymer include phenol resin, amino resin, acrylic resin, ethylene-vinyl acetate resin, styrene-butadiene block copolymer,
Thermoplastic resins such as polyester resins, urea resins, melamine resins, alkyd resins, polyimide resins, urethane resins and epoxy resins; curable resins, crosslinked resins, organic-inorganic hybrid polymers and the like can be mentioned. Of these, crosslinked resins are preferable from the viewpoint of heat resistance. In addition, the high molecular weight material may include a filler, if necessary.

【0017】上記導電層としては、金属からなる被覆層
が好適に用いられる。上記金属としては特に限定されな
いが、ニッケル又は金を含むものが好ましい。上記金属
の被覆層としては単層又は複層のいずれでもよいが、電
極との接触抵抗や導電性及び酸化劣化を起こさないとい
う点から表面層が金であることが好ましく、また、複層
化のためのバリア層やコアと金属との密着性向上のため
ニッケル層を設けることが好ましい。
A coating layer made of metal is preferably used as the conductive layer. The metal is not particularly limited, but one containing nickel or gold is preferable. The metal coating layer may be either a single layer or a multilayer, but it is preferable that the surface layer is gold from the viewpoint that contact resistance with electrodes, conductivity and oxidative deterioration do not occur. It is preferable to provide a barrier layer for improving the adhesion and a nickel layer for improving the adhesion between the core and the metal.

【0018】上記導電層の厚さは、充分な導通を得るた
め、及び、剥がれないような被膜強度を得るために0.
3μm以上であることが好ましい。より好ましくは1μ
m以上であり、更に好ましくは2μm以上である。ま
た、上記導電層の厚さは、コアの特性が失われないよう
導電性微粒子の平均粒径の1/5倍以下であることが好
ましい。
The thickness of the above-mentioned conductive layer is set to 0 in order to obtain sufficient conduction and to obtain a film strength that prevents peeling.
It is preferably 3 μm or more. More preferably 1μ
m or more, and more preferably 2 μm or more. Further, the thickness of the conductive layer is preferably ⅕ times or less of the average particle diameter of the conductive fine particles so that the characteristics of the core are not lost.

【0019】上記導電性微粒子の平均粒径は、10〜8
00μmであることが好ましい。10μm未満である
と、電極や基板の平滑性の精度の問題から導電性微粒子
が電極と接触せず導通不良を発生する可能性があり、8
00μmを超えると、微細ピッチの電極に対応できず隣
接電極でショートを発生することがある。より好ましく
は15〜300μmであり、更に好ましくは20〜15
0μmであり、特に好ましくは40〜80μmである。
なお、上記平均粒径は、任意の導電性微粒子100個の
粒径を顕微鏡を用いて測定し、その値を平均して得られ
る値である。
The conductive fine particles have an average particle size of 10-8.
It is preferably 00 μm. If the thickness is less than 10 μm, the conductive fine particles may not come into contact with the electrodes due to the problem of the accuracy of the smoothness of the electrodes or the substrate, which may result in poor conduction.
If it exceeds 00 μm, it may not be possible to cope with electrodes having a fine pitch, and a short circuit may occur at the adjacent electrode. It is more preferably 15 to 300 μm, and further preferably 20 to 15 μm.
It is 0 μm, and particularly preferably 40 to 80 μm.
The average particle size is a value obtained by measuring the particle size of 100 arbitrary conductive particles with a microscope and averaging the values.

【0020】上記導電性微粒子の、粒子の平均長径を平
均短径で割った値であるアスペクト比は1.3未満であ
ることが好ましい。1.3以上であると、粒子が不揃い
となるため、短径部分が電極に届かず接続不良の原因と
なることがある。より好ましくは1.1未満であり、特
に好ましくは1.05未満である。微粒子は製造法にも
よるが、通常アスペクト比が高いものが多いため、本発
明で用いる導電性微粒子は変形可能な状態で表面張力を
利用する等の方法で球形化処理をして球状にすることが
好ましい。
The aspect ratio, which is a value obtained by dividing the average major axis of the particles by the average minor axis, of the conductive fine particles is preferably less than 1.3. If it is 1.3 or more, the particles become uneven, and the short diameter portion may not reach the electrode, which may cause connection failure. It is more preferably less than 1.1, and particularly preferably less than 1.05. Although the fine particles usually have a high aspect ratio depending on the manufacturing method, the conductive fine particles used in the present invention are sphered by a spheroidizing treatment such as by utilizing surface tension in a deformable state. It is preferable.

【0021】上記導電性微粒子は、CV値が5%以下で
あることが好ましい。5%を超えると、粒径が不揃いと
なるため、小さい導電性微粒子が電極に届かず接続不良
の原因となることがある。より好ましくは2%以下であ
り、更に好ましくは1%以下である。なお、 上記CV
値は、下記式により求められる。 CV値(%)=(σ/Dn)×100 式中、σは粒径の標準偏差を表し、Dnは平均粒径を表
す。通常の微粒子はCV値が大きいため、本発明で用い
る導電性微粒子は分級等により粒径を揃える必要があ
る。特に平均粒径が200μm以下の微粒子は精度良く
分級するのが困難であるため、篩や気流分級、湿式分級
等を組み合わせることが好ましい。
The conductive fine particles preferably have a CV value of 5% or less. If it exceeds 5%, the particle diameters are not uniform, so that small conductive fine particles may not reach the electrodes, which may cause connection failure. It is more preferably 2% or less, still more preferably 1% or less. The above CV
The value is calculated by the following formula. CV value (%) = (σ / Dn) × 100 In the formula, σ represents the standard deviation of the particle size, and Dn represents the average particle size. Since ordinary fine particles have a large CV value, it is necessary to make the conductive fine particles used in the present invention uniform in particle size by classification or the like. In particular, it is difficult to accurately classify fine particles having an average particle size of 200 μm or less, so it is preferable to combine sieves, airflow classification, wet classification, and the like.

【0022】上記導電性微粒子の導電抵抗は、平均粒径
の10%を圧縮した場合、単粒子の導電抵抗、即ち、抵
抗値が1Ω以下であることが好ましい。1Ωを超える
と、充分な電流値を確保できなかったり、大きな電圧に
耐えられず素子が正常に作動しなかったりすることがあ
る。より好ましくは0.3Ω以下であり、更に好ましく
は0.05Ω以下であり、0.01Ω以下では電流駆動
型の素子でも高い信頼性を保ったまま対応が可能になる
等著しく効果が高まる。
Regarding the conductive resistance of the above-mentioned conductive fine particles, when 10% of the average particle diameter is compressed, it is preferable that the conductive resistance of the single particles, that is, the resistance value is 1Ω or less. If it exceeds 1 Ω, a sufficient current value may not be secured, or a large voltage may not be withstood and the element may not operate normally. The resistance is more preferably 0.3 Ω or less, further preferably 0.05 Ω or less, and if it is 0.01 Ω or less, the effect can be remarkably enhanced, for example, even a current-driven element can be dealt with while maintaining high reliability.

【0023】上記導電性微粒子は、K値が400〜15
000N/mm2であることが好ましい。400N/m
2未満であると、対向する電極に導電性微粒子が充分
食い込むことができないため、電極表面が酸化されてい
る場合等に導通がとれなかったり、接触抵抗が大きく導
通信頼性が落ちる場合があり、15000N/mm2
超えると、対向電極で挟み込んだ際に電極に局部的に過
度の圧力がかかり素子が破壊されたり、粒径の大きな導
電性微粒子のみにより電極間のギャップが決まってしま
い粒径の小さい導電性微粒子が電極に届かず接続不良の
原因となったりする。より好ましくは1000〜1万N
/mm2であり、更に好ましくは2000〜8000N
/mm2であり、特に好ましくは3000〜6000N
/mm2である。なお、上記K値は、下記式により求め
られる。 K値(N/mm2)=(3/√2)・F・S-3/2・R
-1/2 式中、Fは20℃、10%圧縮変形における荷重値
(N)を表し、Sは圧縮変位(mm)を表し、Rは半径
(mm)を表す。
The conductive fine particles have a K value of 400 to 15
000 N / mm2Is preferred. 400 N / m
m2If it is less than, the conductive fine particles are sufficient for the opposing electrodes.
The electrode surface is not oxidized because it cannot penetrate.
When there is a problem such as when the
Communication reliability may decrease, 15000 N / mm2To
If it exceeds, the electrode will be locally overloaded when sandwiched by the counter electrodes.
Pressure is applied to the device to destroy it,
The gap between the electrodes is determined only by the conductive particles.
Conductive particles with small particle size do not reach the electrode
It may be a cause. More preferably 1000 to 10,000 N
/ Mm2And more preferably 2000 to 8000N.
/ Mm2And particularly preferably 3000-6000N
/ Mm2Is. The above K value is calculated by the following formula.
To be K value (N / mm2) = (3 / √2) ・ F ・ S-3/2・ R
-1/2 In the formula, F is the load value at 20 ° C and 10% compression deformation
(N), S is compression displacement (mm), R is radius
(Mm) is represented.

【0024】上記導電性微粒子は、20℃、10%圧縮
変形における回復率が5%以上であることが好ましい。
5%未満であると、衝撃等により対向する電極間が瞬間
的に広がった際それに追従することができず、瞬間的に
電気的接続が不安定になることがある。より好ましくは
20%以上であり、更に好ましくは50%以上であり、
特に好ましくは80%以上である。
The conductive fine particles preferably have a recovery rate of 5% or more at 20 ° C. and 10% compression deformation.
If it is less than 5%, it is impossible to follow the momentary expansion between the opposing electrodes due to impact or the like, and the electrical connection may be momentarily unstable. It is more preferably at least 20%, even more preferably at least 50%,
It is particularly preferably 80% or more.

【0025】上記導電性微粒子は、常温での線膨張係数
が10〜200ppmであることが好ましい。10pp
m未満であると、接着性フィルムとの線膨張の差が大き
いために、導電接続構造体に熱サイクル等がかかったと
きに接着性フィルムの伸びに追従することができず、電
気的接続が不安定になることがあり、200ppmを超
えると、熱サイクル等がかかったときに電極間が広がり
すぎ接着性フィルムが基板と接着されている場合には、
その接着部分が破壊され電極の接続部に応力が集中し、
接続不良の原因になることがある。より好ましくは20
〜150ppmであり、更に好ましくは30〜100p
pmである。
The conductive fine particles preferably have a coefficient of linear expansion of 10 to 200 ppm at room temperature. 10 pp
When it is less than m, the difference in linear expansion from the adhesive film is large, and therefore the elongation of the adhesive film cannot be followed when the conductive connection structure is subjected to a thermal cycle, etc. If it exceeds 200 ppm, it may become unstable, and when the adhesive film is adhered to the substrate due to the excessive spread of the electrodes when a thermal cycle is applied,
The bonded part is destroyed and stress concentrates on the connection part of the electrode,
It may cause connection failure. More preferably 20
To 150 ppm, more preferably 30 to 100 p
pm.

【0026】上記微粒子配置導電接続フィルムは、接着
性フィルムの任意の位置に貫通穴を開け、貫通穴に導電
性微粒子を配置、止着することにより得ることができ
る。上記接着性フィルムの貫通穴に、導電性微粒子を配
置、止着する方法としては特に限定されないが、導電性
微粒子を接着性フィルムの貫通穴を通して吸引する方
法、又は、導電性微粒子を貫通穴上で押圧する方法が好
ましい。これにより、より安定した状態に止着すること
ができる。なお、吸引により導電性微粒子を配置する場
合には、下記の接着性フィルムの貫通穴の平均穴径、ア
スペクト比、CV値は、それぞれ吸引した状態での値を
示すものとする。
The above-mentioned fine particle-arranged conductive connection film can be obtained by forming a through hole at an arbitrary position of the adhesive film, disposing the conductive fine particle in the through hole, and fixing the conductive fine particle. In the through-hole of the adhesive film, the conductive fine particles are disposed, the method of fixing is not particularly limited, a method of sucking the conductive fine particles through the through-hole of the adhesive film, or the conductive fine particles on the through-hole The method of pressing with is preferable. Thereby, it can be fixed in a more stable state. When the conductive fine particles are arranged by suction, the average hole diameter, aspect ratio, and CV value of the through holes of the adhesive film described below are values in the sucked state.

【0027】上記貫通穴の平均穴径は、上記導電性微粒
子の平均粒径の1/2〜2倍であることが好ましい。こ
の範囲外であると、止着された導電性微粒子が貫通穴か
らズレやすくなる。より好ましくは2/3〜1.3倍で
あり、更に好ましくは4/5〜1.2倍であり、特に好
ましくは0.9〜1.1倍であり、0.95〜1.05
倍であるとき著しく効果が高まる。
The average hole diameter of the through holes is preferably 1/2 to 2 times the average particle diameter of the conductive fine particles. If it is out of this range, the adhered conductive fine particles are easily displaced from the through holes. It is more preferably 2/3 to 1.3 times, still more preferably 4/5 to 1.2 times, particularly preferably 0.9 to 1.1 times, and 0.95 to 1.05.
When doubled, the effect is significantly increased.

【0028】上記貫通穴の、穴径の平均長径を平均短径
で割った値であるアスペクト比は、2未満であることが
好ましい。2以上であると、止着された導電性微粒子が
貫通穴からズレやすくなる。より好ましくは1.5以下
であり、更に好ましくは1.3以下であり、特に好まし
くは1.1以下である。
The aspect ratio, which is the value obtained by dividing the average major axis of the hole diameters by the average minor axis of the through holes, is preferably less than 2. When it is 2 or more, the adhered conductive fine particles are easily displaced from the through hole. It is more preferably 1.5 or less, still more preferably 1.3 or less, and particularly preferably 1.1 or less.

【0029】上記の貫通穴のCV値は10%以下である
ことが好ましい。10%を超えると、穴径が不揃いとな
り止着した導電性微粒子が貫通穴からズレやすくなる。
より好ましくは5%以下であり、更に好ましくは2%以
下であり、特に1%以下では著しく効果が高まる。な
お、上記貫通穴のCV値は、下記式により求められる。 CV値(%)=(σ2/Dn2)×100 式中、σ2は穴径の標準偏差を表し、Dn2は平均穴径
を表す。
The CV value of the through hole is preferably 10% or less. If it exceeds 10%, the hole diameters become irregular and the adhered conductive fine particles are easily displaced from the through holes.
It is more preferably 5% or less, further preferably 2% or less, and particularly 1% or less, the effect is remarkably enhanced. The CV value of the through hole is calculated by the following formula. CV value (%) = (σ2 / Dn2) × 100 In the formula, σ2 represents the standard deviation of the hole diameter, and Dn2 represents the average hole diameter.

【0030】上記貫通穴は、表面から裏面に向けて厚さ
方向にテーパー状又は階段状になっていることが好まし
い。これにより止着された導電性微粒子はより安定に配
置され、ズレ等を発生しにくくなる。
The through holes are preferably tapered or stepwise in the thickness direction from the front surface to the back surface. As a result, the fixed conductive fine particles are more stably arranged and are less likely to be displaced.

【0031】上記貫通穴を接着性フィルムに設ける方法
としては特に限定されないが、レーザーを用いた穴開け
加工が好ましい。ドリル等を用いて機械的に行う穴開け
加工では、所望の寸法精度が得られにくく、また加工に
長い時間を要することがある。穴開け加工用レーザーと
しては、例えば、炭酸ガスレーザー、YAGレーザー、
エキシマレーザー等が挙げられる。必要となる寸法精度
とコストとを考慮して、レーザー種類を決定すれば良
い。
The method of forming the through holes in the adhesive film is not particularly limited, but drilling using a laser is preferable. In the mechanical boring process using a drill or the like, it may be difficult to obtain desired dimensional accuracy, and the process may take a long time. As the laser for drilling, for example, carbon dioxide gas laser, YAG laser,
An excimer laser etc. are mentioned. The type of laser may be determined in consideration of the required dimensional accuracy and cost.

【0032】配置された導電性微粒子の重心は、接着性
フィルム中にあることが好ましい。接着性フィルム中に
あると、接着性フィルム面外に重心がある場合に比べ著
しく安定で、ズレ等による欠落を起こすことがない。
The center of gravity of the conductive fine particles placed is preferably in the adhesive film. When it is in the adhesive film, it is remarkably stable as compared with the case where the center of gravity is outside the surface of the adhesive film, and there is no loss due to misalignment or the like.

【0033】上記微粒子配置導電接続フィルムにおいて
は、導電性微粒子は対向する電子部品の電極部に対応す
る位置にのみ配置されている。これにより、確実な接続
が行えるとともに、隣接電極でのリークの発生がない。
In the above-mentioned fine particle-arranged conductive connection film, the conductive fine particles are arranged only at the positions corresponding to the electrode portions of the electronic parts facing each other. As a result, a reliable connection can be made and no leak occurs at the adjacent electrode.

【0034】本発明は、複数の電子部品を微粒子配置導
電接続フィルムを用いて接続する電子部品の接続方法で
ある。上記電子部品としては特に限定されず、例えば、
液晶ディスプレー、パーソナルコンピュータ、携帯通信
機器等の小型部品、チップ、基板等が挙げられる。
The present invention is a method of connecting a plurality of electronic parts using a fine particle-arranged conductive connection film. The electronic component is not particularly limited, for example,
Examples include small parts such as liquid crystal displays, personal computers, mobile communication devices, chips, substrates, and the like.

【0035】上記チップとしては特に限定されず、例え
ば、IC、LSI等の半導体等の能動部品;コンデン
サ、水晶振動子等の受動部品;ベアチップ等が挙げられ
る。上記基板としては、フレキシブル基板とリジッド基
板とに大別される。上記フレキシブル基板としては、例
えば、50〜500μm厚さを有するポリイミド、ポリ
アミド、ポリエステル、ポリスルホン等からなる樹脂シ
ート等が挙げられる。上記リジッド基板としては、樹脂
製のものとセラミック製のものとに分けられ、上記樹脂
製のものとしては、例えば、ガラス繊維強化エポキシ樹
脂、フェノール樹脂、セルロース繊維強化フェノール樹
脂等からなるものが挙げられ、上記セラミック製のもの
としては、例えば、二酸化ケイ素、アルミナ等からなる
ものが挙げられる。上記基板としては、単層基板であっ
てもよいし、また、単位面積当たりの電極数を増やすた
めに、例えば、スルーホール形成等の手段により、複数
の層を形成し、相互に電気的接続を行わせる多層基板で
あってもよい。
The chip is not particularly limited, and examples thereof include active parts such as semiconductors such as IC and LSI; passive parts such as capacitors and crystal oscillators; bare chips. The substrate is roughly classified into a flexible substrate and a rigid substrate. Examples of the flexible substrate include a resin sheet made of polyimide, polyamide, polyester, polysulfone, or the like having a thickness of 50 to 500 μm. The rigid substrate is divided into resin and ceramic ones, and examples of the resin substrate include those made of glass fiber reinforced epoxy resin, phenol resin, cellulose fiber reinforced phenol resin and the like. Examples of the ceramic material include those made of silicon dioxide, alumina, and the like. The substrate may be a single-layer substrate, or in order to increase the number of electrodes per unit area, a plurality of layers are formed by means of, for example, through hole formation, and electrically connected to each other. It may be a multi-layer substrate.

【0036】上記チップ、基板等の表面には、電極が形
成されている。上記電極の材質としては、例えば、金、
銀、銅、ニッケル、パラジウム、カーボン、アルミニウ
ム、ITO等が挙げられる。接触抵抗を低減させるため
に、銅、ニッケル等の上に更に金を被覆したものを用い
てもよい。上記電極の形状としては特に限定されず、例
えば、縞状、ドット状、任意形状等が挙げられる。上記
電極の厚さは、0.1〜100μmが好ましい。上記電
極の幅は、1〜500μmが好ましい。
Electrodes are formed on the surfaces of the chip, the substrate and the like. Examples of the material of the electrode include gold,
Examples thereof include silver, copper, nickel, palladium, carbon, aluminum and ITO. In order to reduce the contact resistance, copper, nickel or the like coated with gold may be used. The shape of the electrode is not particularly limited, and examples thereof include a stripe shape, a dot shape, and an arbitrary shape. The thickness of the electrode is preferably 0.1 to 100 μm. The width of the electrode is preferably 1 to 500 μm.

【0037】本発明の電子部品の接続方法は、特に電子
部品の少なくとも1つがメモリ系IC、ロジック系I
C、又は、CCDである場合に好適である。
In the method of connecting electronic components according to the present invention, particularly at least one of the electronic components is a memory IC or a logic I.
It is suitable when it is C or CCD.

【0038】上記メモリ系ICは、情報を記憶する働き
を持つものであって、通常、電源が入っている時だけ記
憶し電源が切れると記憶内容が失われる揮発性メモリ
と、電源を切っても記憶し続ける不揮発性メモリとに大
別される。揮発性メモリはRAMと呼ばれ、記憶保持動
作が必要な随時書込み読み出しメモリであるDRAMと
電源が入っている限り情報を記憶し続けるSRAMがあ
る。これに対して、不揮発性のメモリはROMと呼ばれ
る。このうちMROMは記憶内容をIC製造時に固定
し、以後は読み出し動作だけを行うメモリである。ま
た、EPROMやEEPROM又はフラシュメモリは、
IC完成時には白紙の状態にあり、電気的に情報を書き
込んで記憶することができるタイプのメモリである。
The memory IC has a function of storing information. Normally, the memory IC is stored only when the power is on, and the stored contents are lost when the power is turned off. It is also roughly divided into non-volatile memory that keeps storing. Volatile memory is called RAM, and includes DRAM, which is a write / read memory that requires a memory holding operation, and SRAM, which keeps storing information as long as the power is on. On the other hand, non-volatile memory is called ROM. Of these, the MROM is a memory whose stored contents are fixed at the time of manufacturing the IC, and thereafter performs only the read operation. In addition, EPROM, EEPROM or flash memory,
This is a type of memory that is blank when the IC is completed and that can electrically store and write information.

【0039】上記ロジック系ICは、マイコン等で使用
されるCPU、すなわち中央演算処理装置に分類される
ICである。このうちMPUは、コンピュータ等の心臓
部に当たるCPUの機能だけを1個のICにしたもので
あり、MCUは、CPUの機能の他にいろいろな周辺I
Cの機能を取り込んだものである。また、ASICは、
用途が専用化されたICである。
The logic IC is a CPU used in a microcomputer or the like, that is, an IC classified into a central processing unit. Of these, the MPU is a single IC that has only the function of the CPU, which is the heart of a computer, etc.
It incorporates the function of C. In addition, ASIC
It is an IC whose purpose is dedicated.

【0040】上記CCDは多数のMOSキャパシタを列
状に配列した構造を持ち、1次元と2次元の構成があ
る。2次元CCDは、撮像領域に小さなフォトダイオー
ドが縦・横マトリックス状に配列され、それぞれのフォ
トダイオードが半球状のマイクロレンズを持っている。
これに対し、1次元CCDは、直線上に並んだ細長い形
をしている。
The CCD has a structure in which a large number of MOS capacitors are arranged in a row and has a one-dimensional structure and a two-dimensional structure. In the two-dimensional CCD, small photodiodes are arranged in a matrix in the vertical and horizontal directions in the image pickup area, and each photodiode has a hemispherical microlens.
On the other hand, the one-dimensional CCD has an elongated shape arranged in a straight line.

【0041】本発明の電子部品の接続方法は、ベアチッ
プを接続するのに好適である。通常ベアチップをフリッ
プチップで接続する場合にはバンプが必要となるが、上
記微粒子配置導電接続フィルムを用いた場合、導電性微
粒子がバンプの役目を果たすためバンプレスでの接続が
可能であり、バンプ作製における煩雑な工程を省くこと
ができるという大きなメリットがある。バンプレスで接
続を行う場合には配置すべき電極以外の場所に導電性微
粒子が存在すると、チップの保護膜を破壊してしまう等
の不具合が発生するが、本発明で用いる微粒子配置導電
接続フィルムではそのような不具合が起こらない。ま
た、導電性微粒子が上述したような好ましいK値やCV
値等である場合は、アルミ電極のような酸化されやすい
電極も、その酸化膜を破って接続することができる。
The electronic component connecting method of the present invention is suitable for connecting bare chips. Usually, when connecting bare chips by flip chips, bumps are required, but when the above-mentioned fine particle-arranged conductive connection film is used, bumps can be connected because the conductive fine particles serve as bumps. There is a great merit that a complicated process in manufacturing can be omitted. In the case of bumpless connection, if conductive fine particles are present in a place other than the electrode to be arranged, problems such as destruction of the protective film of the chip occur, but the fine particle-arranged conductive connection film used in the present invention Then, such a problem does not occur. In addition, the conductive fine particles have preferable K value and CV as described above.
When the value is a value or the like, an electrode that is easily oxidized, such as an aluminum electrode, can be broken by connecting its oxide film.

【0042】本発明の電子部品の接続方法としては、例
えば、以下ような方法が挙げられる。表面に電極が形成
された基板又は部品を電極が上になるように置き、その
上に微粒子配置導電接続フィルムを、導電性微粒子が電
極の位置にくるように載せた後、もう一方の電極面を有
する基板又は部品を電極が下になるようにかつ電極の位
置が合うように置き、加熱、加圧等することにより接続
する。上記加熱、加圧には、ヒーターが付いた圧着機や
ボンディングマシーン等が用いられる。
Examples of the method of connecting the electronic parts of the present invention include the following methods. Place the substrate or part with the electrode formed on the surface so that the electrode is on top, and place the fine particle-arranged conductive connection film on it so that the conductive fine particles come to the position of the electrode, and then the other electrode surface The substrate or component having is placed so that the electrodes are on the lower side and the positions of the electrodes are aligned, and they are connected by heating, pressurizing, or the like. For the heating and pressing, a crimping machine equipped with a heater, a bonding machine, or the like is used.

【0043】本発明によれば、電子部品の微細な対向す
る電極を、隣接電極のリークがなく高い接続信頼性で接
続することができる。また、本発明の電子部品の接続方
法を用いて、複数の電子部品が接続されてなる導電接続
構造体を得ることができる。
According to the present invention, it is possible to connect minute opposing electrodes of an electronic component with high connection reliability without leakage of adjacent electrodes. Further, by using the electronic component connecting method of the present invention, it is possible to obtain a conductive connection structure in which a plurality of electronic components are connected.

【0044】[0044]

【実施例】以下に実施例を掲げて本発明を更に詳しく説
明するが、本発明はこれら実施例のみに限定されるもの
ではない。
The present invention will be described in more detail below with reference to examples, but the present invention is not limited to these examples.

【0045】(実施例1)シード重合により得られたジ
ビニルベンゼン系共重合体を篩と湿式分級とにより分級
し微粒子を得た。この微粒子に、無電解メッキにより厚
さ0.2μmのニッケル層を付け、更に電気メッキによ
り厚さ2.3μmの金層を付けた。メッキを施した微粒
子を分級し、平均粒径150μm、アスペクト比1.0
3、CV値1%、K値4000N/mm2、回復率60
%、常温での線膨張係数50ppm、抵抗値0.01Ω
の導電性微粒子を得た。
Example 1 The divinylbenzene-based copolymer obtained by seed polymerization was classified by a sieve and wet classification to obtain fine particles. A 0.2 μm thick nickel layer was applied to the fine particles by electroless plating, and a 2.3 μm thick gold layer was further applied by electroplating. The plated fine particles are classified to have an average particle diameter of 150 μm and an aspect ratio of 1.0.
3, CV value 1%, K value 4000N / mm 2 , recovery rate 60
%, Linear expansion coefficient at room temperature 50ppm, resistance value 0.01Ω
The conductive fine particles of

【0046】一方、厚さ140μm、1cm角の、アク
リルゴム50重量%を含む半硬化状態のエポキシ系フィ
ルムに、メモリ系ICチップの電極と位置が合うように
チップ1辺につき、約400μmのピッチで6個の穴を
約4mm離して2列、CO2レーザーで表面150μm
裏面125μmのテーパー状で、穴のCV値が2%、ア
スペクト比が1.04になるように開けた。
On the other hand, with a thickness of 140 μm, a 1 cm square, semi-cured epoxy film containing 50% by weight of acrylic rubber, a pitch of about 400 μm per side of the chip so as to be aligned with the electrodes of the memory IC chip. 2 holes with 6 holes about 4mm apart, surface 150μm with CO 2 laser
The back surface was tapered so that the hole had a CV value of 2% and an aspect ratio of 1.04.

【0047】このフィルムの裏側に直径8mmの吸い口
を、穴全てを覆い、なおかつ漏れがないように当て、−
50kPaの真空度で吸引を行いながら、導電性微粒子
に近づけ導電性微粒子の吸着を行った。この際、吸い口
にはフィルム支持用に目開き50μmのSUS製のメッ
シュを備え付けた。数秒程度でフィルムの各穴には導電
性微粒子が一つづつ過不足なく配置されていた。この間
導電性微粒子の付着がないよう除電を行った。また、余
分な付着粒子はほとんどみられなかったが、念のため異
物の除去を兼ねて柔軟なブラシにより表面を掃いた。導
電性微粒子を吸着配置させた後、真空を解放し、導電性
微粒子を安定化させるためフィルムをガラス板に挟み軽
くプレスした。導電性微粒子の重心はフィルムの中にあ
り、フィルムに振動を与えても導電性微粒子が穴から離
れることはなかった。
On the back side of this film, apply a mouthpiece having a diameter of 8 mm so as to cover all the holes and prevent leakage.
While conducting suction at a vacuum degree of 50 kPa, the conductive fine particles were brought close to and the conductive fine particles were adsorbed. At this time, a SUS mesh having an opening of 50 μm was attached to the mouthpiece for supporting the film. In about a few seconds, one conductive fine particle was placed in each hole of the film without excess or deficiency. During this period, static electricity was removed so that the conductive fine particles did not adhere. Also, although almost no extra adhered particles were seen, the surface was swept with a soft brush to remove foreign matter, just in case. After the conductive fine particles were adsorbed and arranged, the vacuum was released, and the film was sandwiched between glass plates and lightly pressed to stabilize the conductive fine particles. The center of gravity of the conductive fine particles was inside the film, and the conductive fine particles were not separated from the holes even when the film was vibrated.

【0048】このようにして得られた導電接続フィルム
を電極パターンが描かれた厚さ50μmのフィルム基板
上に電極の位置が合うように載せ、軽く押圧し仮圧着し
た。次いでメモリ系ICチップのアルミ電極と導電性微
粒子との位置を合わせ加熱圧着し、エポキシ樹脂を硬化
させフリップチップ接続を行った。硬化後のエポキシ樹
脂の常温での線膨張係数は40ppmであった。
The conductive connecting film thus obtained was placed on a film substrate having a thickness of 50 μm on which an electrode pattern was drawn so that the positions of the electrodes were aligned with each other, and lightly pressed to temporarily press-bond it. Next, the aluminum electrodes of the memory IC chip and the conductive fine particles were aligned with each other and thermocompression bonded, the epoxy resin was cured, and flip chip connection was performed. The linear expansion coefficient of the cured epoxy resin at room temperature was 40 ppm.

【0049】得られた導電接続構造体は、全ての電極で
安定した導通がとれ隣接電極でのリークもなく通常通り
作動し、−40℃〜+125℃の熱サイクルテストを1
000回行ったが、低温時でも高温時でも接続部の抵抗
値アップや作動に異常は見られなかった。
The conductive connection structure obtained had stable conduction in all electrodes and operated normally without leakage in adjacent electrodes, and was subjected to a thermal cycle test of -40 ° C to + 125 ° C for 1 time.
The test was performed 000 times, but no increase in the resistance value of the connection part or abnormal operation was observed at both low and high temperatures.

【0050】(実施例2)メモリ系ICチップを、ロジ
ック系ICチップとしたこと以外実施例1と同様にし
て、フリップチップ接続を行った。得られた接続構造体
は、全ての電極で安定した導通がとれ隣接電極でのリー
クもなく通常通り作動し、−40℃〜+125℃の熱サ
イクルテストを1000回行ったが、低温時でも高温時
でも接続部の抵抗値アップや作動に異常は見られなかっ
た。
(Example 2) Flip-chip connection was performed in the same manner as in Example 1 except that the memory IC chip was a logic IC chip. The obtained connection structure worked normally without any leakage in adjacent electrodes and had no leakage in adjacent electrodes, and was subjected to a thermal cycle test of -40 ° C to + 125 ° C 1000 times. Even at that time, no abnormality was observed in the resistance value increase or the operation of the connection part.

【0051】(実施例3)メモリ系ICチップを、CC
Dとしたこと以外実施例1と同様にして、フリップチッ
プ接続を行った。得られた接続構造体は、全ての電極で
安定した導通がとれ隣接電極でのリークもなく通常通り
作動し、−40℃〜+125℃の熱サイクルテストを1
000回行ったが、低温時でも高温時でも接続部の抵抗
値アップや作動に異常は見られなかった。
(Embodiment 3) A memory IC chip is replaced by a CC
Flip-chip connection was performed in the same manner as in Example 1 except that D was used. The resulting connection structure operates normally without any leakage in adjacent electrodes and stable conduction in all electrodes, and is subjected to a thermal cycle test of -40 ° C to + 125 ° C for 1 time.
The test was performed 000 times, but no increase in the resistance value of the connection part or abnormal operation was observed at both low and high temperatures.

【0052】(比較例1)エポキシ系フィルム中にラン
ダムに導電性微粒子を分散させた異方性導電接着剤を作
製してこれを用いた以外は実施例1、2及び3と同様に
して、メモリ系IC、ロジック系IC及びCCDのフリ
ップチップ接続を行った。しかしながら、得られた接続
構造体は、どの系においても、隣接電極でリークが発生
した。
(Comparative Example 1) The procedure of Examples 1, 2 and 3 was repeated except that an anisotropic conductive adhesive in which conductive fine particles were randomly dispersed in an epoxy film was prepared and used. Flip-chip connection of a memory IC, a logic IC and a CCD was performed. However, in any of the obtained connection structures, a leak occurred in the adjacent electrode.

【0053】[0053]

【発明の効果】本発明によれば、電子部品の対向する微
細な電極を接続するに際し、隣接電極のリークがなく接
続信頼性の高い電気的接続を短時間で容易に行える電子
部品の接続方法を提供することができる。
According to the present invention, when connecting fine electrodes facing each other of an electronic component, an electronic component connecting method can be easily performed in a short time without causing leakage of adjacent electrodes and having high connection reliability. Can be provided.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) C09J 163/00 C09J 163/00 Fターム(参考) 4J004 AA05 AA07 AA09 AA10 AA12 AA13 AA15 AA18 BA02 BA06 BA07 FA05 4J040 DA051 DE031 DF001 EB031 EB091 EB131 EC001 ED001 EF001 HA026 HA066 JA09 KA32 KA42 LA09 NA19 5E319 AA03 BB11 BB16 BB20 CC61 CD25 5F044 KK01 LL09 5G307 HA02 HB01 HB03 HC01 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of front page (51) Int.Cl. 7 Identification code FI theme code (reference) C09J 163/00 C09J 163/00 F term (reference) 4J004 AA05 AA07 AA09 AA10 AA12 AA13 AA15 AA18 BA02 BA06 BA07 FA05 4J040 DA051 DE031 DF001 EB031 EB091 EB131 EC001 ED001 EF001 HA026 HA066 JA09 KA32 KA42 LA09 NA19 5E319 AA03 BB11 BB16 BB20 CC61 CD25 5F044 KK01 LL09 5G307 HA02 HB01 HB03 HC01

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 複数の電子部品を微粒子配置導電接続フ
ィルムを用いて接続する電子部品の接続方法であって、
前記微粒子配置導電接続フィルムは、接着性フィルムに
設けられた貫通穴に導電性微粒子が配置されたものであ
り、前記導電性微粒子は、対向する前記電子部品の電極
部に対応する位置にのみ配置されていることを特徴とす
る電子部品の接続方法。
1. A method of connecting electronic components, which comprises connecting a plurality of electronic components by using a fine particle-arranged conductive connecting film,
The fine particle-arranged conductive connection film is one in which conductive fine particles are arranged in through holes provided in an adhesive film, and the conductive fine particles are arranged only at positions corresponding to the electrode parts of the electronic parts facing each other. A method of connecting electronic components, characterized in that
【請求項2】 電子部品は、少なくとも1つがメモリ系
ICであることを特徴とする請求項1記載の電子部品の
接続方法。
2. The electronic component connecting method according to claim 1, wherein at least one of the electronic components is a memory IC.
【請求項3】 電子部品は、少なくとも1つがロジック
系ICであることを特徴とする請求項1記載の電子部品
の接続方法。
3. The method of connecting electronic components according to claim 1, wherein at least one of the electronic components is a logic IC.
【請求項4】 電子部品は、少なくとも1つがCCDで
あることを特徴とする請求項1記載の電子部品の接続方
法。
4. The method of connecting electronic components according to claim 1, wherein at least one of the electronic components is a CCD.
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