JP2003060314A5 - - Google Patents

Claims (5)

1. 基板と、
   前記基板の上方に配置されたGaN層と、
   前記GaN層の上方に配置され、Alを含有する第１の窒化物半導体層と、
   前記第１の窒化物半導体層の上方に配置され、Alを含有しかつ前記第1の窒化物半導体層のAｌ組成比よりAl組成比が小さい第２の窒化物半導体層と、
   前記第２の窒化物半導体層の上方に配置された活性層と、を備えた窒化物半導体発光素子。
2. 前記第２の窒化物半導体層と前記活性層との間に、Alを含有しかつ前記第２の窒化物半導体層のAｌ組成比よりAl組成比が小さい第３の窒化物半導体層を有する請求項１に記載の窒化物半導体発光素子。
3. 前記第１の窒化物半導体層は、前記GaN層の直上に配置されている請求項１または請求項２に記載の窒化物半導体発光素子。
4. 前記窒化物半導体層は、ＡlＧａＮ層である請求項１から請求項３のいずれかに記載の窒化物半導体発光素子。
5. 前記活性層の上方に、リッジストライプ状の窒化物半導体層を有する請求項１から請求項４のいずれかに記載の窒化物半導体発光素子。