JP2003060241A

JP2003060241A - 回路素子の配列方法、及び表示装置の製造方法

Info

Publication number: JP2003060241A
Application number: JP2001243922A
Authority: JP
Inventors: Toshiaki Iwabuchi; 寿章岩渕
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 2001-08-10
Filing date: 2001-08-10
Publication date: 2003-02-28

Abstract

(57)【要約】【課題】回路素子の等配列化及び素子保持層の均等
厚化を容易に実現できる回路素子の配列方法及び表示装
置の製造方法を提供すること。【解決手段】複数の発光ダイオード素子５２を樹脂
層５３に保持する工程と、しかる後に、複数の発光ダイ
オード素子５２間において樹脂層５３の一部を除去する
工程と、しかる後に、樹脂層５３を加圧変形させること
により、複数の発光ダイオード素子５２間の距離を拡大
する工程とを有する、発光ダイオード素子５２の配列方
法、及びこの素子を内蔵する画像表示装置の製造方法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、例えば、表示素子
等の回路素子を離間して配列するための回路素子の配列
方法、及び表示装置の製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、回路素子を配列する方法として
は、ウエーハからダイシングして回路素子を分離し、分
離した回路素子をダイシングシートからチップトレイに
移送し、更には、チップトレイから回路素子（例えば、
半導体チップ）を真空吸着でピックアップして、基板に
マウント若しくは接続するという方法が知られていた。

【０００３】この方法は、例えば、半導体パッケージの
製造工程において一般的に行われていた。しかしなが
ら、この方法においては、回路素子を１個づつ移送しな
がらマウントする工程を経る必要があり、多量の回路素
子を配列する工程には不向きの方法であった。

【０００４】また、多数個の回路素子を配列する方法と
しては、例えば、特開平９−１２０９３４号公報に開示
されるように、基板上に微細構造を組み付ける方法があ
った。これは、予め、配列するパターンに応じて基板に
窪みを形成しておき、そこに、回路素子を液体に分散し
てスラリー状にしたものを流し、予め形成しておいた基
板の窪みに回路素子を入れることにより、これを配列す
るというものであった。

【０００５】この方法の問題点は、例えば、窪みの数以
上に回路素子を多量に用意しておく必要があること、窪
みに回路素子が入るまでに要する時間が長く、配列が完
了するまでの工程に長時間を要すること、大きな基板に
配列する時には基板への窪み形成に高精度が要求される
こと、及び窪み形成に大きな基板を収容し得る大型の装
置が必要になること等が挙げられる。これらの問題点
は、回路素子の配列を円滑に行う上で大きな障害であっ
た。

【０００６】

【発明に至る経過】そこで、本出願人は、効果的で好ま
しい回路素子の配列方法を特願２００１−１４４５９２
等において既に提起した。この回路素子の配列方法等は
下記のようなものである。

【０００７】まず、この素子配列方法に用いる回路素子
は、例えば、先細り形状とされた先端部を有する回路素
子であって、図２１に示すような構造を有する発光素子
を挙げることができる。なお、図２１の（ａ）が発光素
子の断面図であり、図２１の（ｂ）がその平面図であ
る。

【０００８】この発光素子はＧａＮ系の発光ダイオード
であり、例えば、サファイア基板（図示せず）上に結晶
成長される発光素子である。このようなＧａＮ系の発光
ダイオード素子では、基板を透過するレーザ照射によっ
てレーザアブレーションを生じさせ、ＧａＮの窒素が気
化する現象に伴なってサファイア基板とＧａＮ系の結晶
成長層との間の界面で膜剥れが生じ、素子分離を容易な
ものにできるという特徴を有している。

【０００９】この構造によれば、ＧａＮ系半導体層から
なる下地成長層２１上に選択成長された六角錐形状のｎ
型のＧａＮ：Ｓｉ層２２が形成されている。下地成長層
２１上には図示しない絶縁膜が存在し、六角錐形状のＧ
ａＮ：Ｓｉ層２２は、この絶縁膜を開口した部分にＭＯ
ＣＶＤ（有機金属気相成長）法等によって形成される。

【００１０】このＧａＮ：Ｓｉ層２２は、成長時に使用
されるサファイア基板の主面をＣ面とした場合に、Ｓ面
（１−１０１面）で覆われたピラミッド型の成長層であ
り、シリコンをドープさせた領域である。そして、この
ＧａＮ：Ｓｉ層２２の傾斜したＳ面の部分はダブルへテ
ロ構造のクラッドとして機能する。

【００１１】次に、ＧａＮ：Ｓｉ層２２の傾斜したＳ面
を覆うように、活性層であるＩｎＧａＮ層２３が形成さ
れており、その外側に、マグネシウムドープのｐ型のＧ
ａＮ：Ｍｇ層２４が形成される。なお、このマグネシウ
ムドープのＧａＮ：Ｍｇ層２４もクラッドとして機能す
る。

【００１２】このような発光ダイオード素子５２には、
ｐ電極２５が形成されている。ｐ電極２５は、マグネシ
ウムドープのＧａＮ層２４上に形成されるＮｉ／Ｐｔ／
Ａｕ又はＮｉ（Ｐｄ）／Ｐｔ／Ａｕ等の金属材料を蒸着
して形成される。

【００１３】このような構造のＧａＮ系の発光ダイオー
ド素子５２は、青色発光も可能な素子であって、特に、
レーザアブレーションによって比較的簡単にサファイア
基板から剥離することができ、レーザビームを選択的に
照射することで選択的な剥離が実現される。

【００１４】なお、ＧａＮ系の発光ダイオード素子５２
としては、平板状や帯状に活性層が形成される構造であ
ってもよく、上端部にＣ面が形成された角錐構造のもの
であってもよい。又、他の窒化物系発光素子や化合物半
導体素子等であってもよい。

【００１５】次に、この発光ダイオード素子５２の配列
方法及び画像表示装置の製造方法について、図面の参照
下に詳細に説明する。

【００１６】この配列方法により発光ダイオード素子５
２を離間して配列するには、狭い面積で作製された素
子、例えば、ウエーハからダイシングした発光ダイオー
ド素子５２を、そのままの間隔で第１基板上に配列し、
これを第２基板である高分子シート上に転写した後、高
分子シートを延伸することにより行う。

【００１７】しかし、第２基板上に発光ダイオード素子
５２を転写するが、この状態では、発光ダイオード素子
５２の間隔が狭く、例えば、個々の発光ダイオード素子
５２に対応して電極等を形成することは難しい。

【００１８】そこで、第２基板を延伸して複数の発光ダ
イオード素子５２間を離間する。第２基板は、例えば、
高分子シートからなり、例えば、これを２軸延伸するこ
とにより、その面積を拡大することができる。この時、
第２基板上の発光ダイオード素子５２は、第２基板に固
定されたままの状態で延伸に伴って移動する。そして、
各発光ダイオード素子５２間の第２基板は延伸された結
果、図２５（ａ）及び図２５（ｂ）に示すように、各発
光ダイオード素子５２間の間隔が拡大される。

【００１９】なお、用いられる素子としては、発光ダイ
オード素子５２に限定されることなく、任意の素子に適
用することができ、例示するならば、液晶制御素子、光
電変換素子、圧電素子、薄膜トランジスタ素子、薄膜ダ
イオード素子、抵抗素子、スイッチング素子、微小磁気
素子及び微小光学素子等を挙げることができる。

【００２０】一方、上記の第２基板５５は、延伸可能な
材料、例えば、無軸延伸のポリエチレンテレフタレー
ト、ポリプロピレン等のポリオレフィン、或いはエチレ
ン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ樹脂）等からなる高分
子シートにより構成すればよい。そして、それ自体の粘
着性により発光ダイオード素子５２を固定することが可
能な場合には、高分子シート自体が素子保持層となるの
で、特に、発光ダイオード素子５２を保持するための素
子保持層を別途形成する必要はない。

【００２１】かかる高分子シートの例としては、エチレ
ン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ樹脂）等を挙げること
ができる。このＥＶＡ樹脂は、エチレンと酢酸ビニルと
を共重合させた樹脂であり、酢酸ビニルの含有量を増す
ことにより、柔軟性、接着性を増すことができ、発光ダ
イオード素子５２を高分子シート上に直接保持すること
ができる。

【００２２】なお、高分子シートが粘着性を持たない場
合には、図２５に示すように、表面に粘着剤、或いは接
着剤からなる素子保持層５８を形成しておき、発光ダイ
オード素子５２を保持固定することが好ましい。

【００２３】高分子シートの表面に粘着剤、接着剤又は
樹脂等をコーティングしておき、これによって発光ダイ
オード素子５２を保持した状態で、基板である高分子シ
ートを延伸すると、表面の粘着剤、接着剤又は樹脂等も
高分子シートに引きずられて延伸する。従って、上記の
粘着剤、接着剤又は樹脂等からなる素子保持層５８の形
成は、発光ダイオード素子５２を離間する上で何ら妨げ
とはならない。

【００２４】上記の延伸の際には、第２基板５５を加熱
してもよい。第２基板５５を加熱することによって、延
伸操作を速やかに進行させることが可能になる。又、上
記の２軸延伸を行う場合、延伸は同時延伸であってもよ
いし、逐次延伸であってもよい。更に、延伸は必ずしも
２軸延伸でなくてよく、例えば、一軸延伸により一方向
にのみ発光ダイオード素子５２を離間することも可能で
ある。

【００２５】以上により、第２基板５５上に配列される
発光ダイオード素子５２を離間させた後、例えば、これ
らの発光ダイオード素子５２間に他の種類の素子を配置
することも可能である。例えば、第２基板５５上に配列
される素子５２が発光ダイオード素子である場合、素子
として他の色の発光素子を配置すれば、画像表示装置を
簡単に作製することが可能となる。この場合、他の色の
発光素子も同様に、高分子シートを延伸することにより
離間して配列しておき、これを転写することにより、上
記の発光ダイオード素子５２間に配置することも可能と
なる。

【００２６】次に、画像表示装置を構成する場合、発光
ダイオード素子５２や他の種類の素子に対応して電極を
形成することが不可欠である。そこで、第２基板５５上
に配列された発光ダイオード素子５２及び他の種類の素
子を、配線が施された基板（例えば、ガラス基板）上に
一括して転写し、転写と同時に、各素子の端子がガラス
基板上の配線と接続されるようにしてもよい。

【００２７】図２４は、発光の色の異なる複数種類の発
光素子を、配線が形成されたガラス基板１１上に一括転
写した例を示すものである。

【００２８】このガラス基板１１上には、第１配線層１
２と第２配線層１３とが互いに直交して形成されてお
り、各配線層１２及び１３が接続されて、赤色発光ダイ
オード素子５２Ｒ、緑色発光ダイオード素子５２Ｇ及び
青色発光ダイオード素子５２Ｂがそれぞれマトリクス状
に配列されている。各発光ダイオード素子は、先の図２
５等に示すようなプロセスを経て第２基板上に交互にマ
トリクス状に配列され、その後に、一括してガラス基板
１１上に転写される。

【００２９】なお、ここでは、画像表示装置の基板とし
てガラス基板１１を使用し、この上に発光ダイオード素
子を転写するようにしたが、高分子シートを被転写基板
として使用することも可能である。又、延伸後の高分子
シートをそのまま基板として活用することも可能であ
る。そして、これら高分子シートを画像表示装置の基板
として使用した場合には、屈曲性を有し、軽量で、且つ
割れにくい画像表示装置を実現することが可能となる。

【００３０】図２６は、２段階拡大転写法の基本的な工
程を示す図である。

【００３１】先ず、図２６（ａ）に示す第１基板５０上
に、例えば、発光ダイオード素子のような素子５２を密
に形成する。この発光ダイオード素子５２を密に形成す
ることによって、各基板当たりに生成される素子５２の
数を多くすることができ、製品コストを下げることがで
きる。

【００３２】この第１基板５０は、例えば、半導体ウエ
ーハ、ガラス基板、石英ガラス基板、サファイア基板及
びプラスチック基板等の種々の素子が形成可能な基板で
あるが、各発光ダイオード素子５２は、第１基板５０上
に直接形成したものであってもよく、他の基板上で形成
されたものを配列したものであってもよい。

【００３３】次に、図２６（ｂ）に示すように、第１基
板５０から各発光ダイオード素子５２が第１の一時保持
用部材５１に転写され、更に、この第１の一時保持用部
材５１を延伸することにより、各発光ダイオード素子５
２は、図２３中に破線で示すように、第１の一時保持用
部材５１の上に離間されて保持される。ここで、隣接す
る発光ダイオード素子５２は第１の一時保持用部材５１
の延伸に伴って離間され、図２６（ｂ）に示すように、
マトリクス状に配される。

【００３４】即ち、第１の一時保持用部材５１は、Ｘ方
向にそれぞれの発光ダイオード素子５２の間が広がるよ
うに延伸されるが、Ｘ方向に垂直なＹ方向にもそれぞれ
の発光ダイオード素子５２の間が広がるように延伸され
る。この時、離間される距離は、特に限定されず、一例
として、後続の工程での樹脂部形成や電極パッドの形成
を考慮した距離とすることができる。

【００３５】このような第１転写工程の後、図２６
（ｃ）に示すように、第１の一時保持用部材５１上に存
在する発光ダイオード素子５２は離間されていることか
ら、各発光ダイオード素子５２毎に発光ダイオード素子
の周りの樹脂５３の被覆と電極パッドの形成とが行われ
る。なお、発光ダイオード素子５２周りの樹脂５３の被
覆は電極パッドを形成し易くし、次の、第２転写工程で
の取り扱いを容易にするために形成される。又、電極パ
ッドの形成は、後述するように、最終的な配線が続く第
２転写工程の後に行われるため、その際に、配線不良が
生じないように比較的大きめのサイズに形成される。

【００３６】なお、図２６（ｃ）には、電極パッドは図
示していない。そして、各発光ダイオード素子５２の周
りを樹脂５３が覆うことにより、樹脂チップ５４が形成
される。なお、発光ダイオード素子５２は樹脂チップ５
４のほぼ中央に位置するが、一方の辺や角側に偏った位
置に存在してもよい。

【００３７】次に、図２６（ｄ）に示すように、第２転
写工程が行われる。この第２転写工程においては、第１
の一時保持用部材５１上でマトリクス状に配される発光
ダイオード素子５２が、樹脂チップ５４ごとに、更に、
離間するように第２基板８０上に転写される。

【００３８】この第２転写工程においては、隣接する発
光ダイオード素子５２は樹脂チップ５４毎に離間され、
図２６（ｄ）のようにマトリクス状に配される。即ち、
発光ダイオード素子５２はＸ方向にそれぞれの発光ダイ
オード素子の間を広げるように転写され、且つ、Ｘ方向
に垂直なＹ方向にもそれぞれ発光ダイオード素子の間を
広げるように転写される。

【００３９】次に、第２基板８０上において、樹脂チッ
プ５４毎に離間された各発光ダイオード素子５２には配
線が施される。この配線には、例えば、素子５２が発光
ダイオード等の発光素子の場合には、ｐ電極及びｎ電極
への配線が含まれ、液晶制御素子の場合には、選択信号
線、電圧線及び配向電極膜等の配線等が含まれる。

【００４０】図２６に示した２段階拡大転写法において
は、第１の転写後の離間したスペースを利用して電極パ
ッド（図示せず）の設置や樹脂５３による固め等を行う
ことができ、更に、第２の転写後に配線が施される。

【００４１】次に、上記の２段階拡大転写法において、
表示用素子として用いられる樹脂チップ５４について説
明する。

【００４２】この樹脂チップ５４は、図２２及び図２３
に示すように、ほぼ平板状でその主たる面がほぼ正方形
状となっている。この樹脂チップ５４の形状は樹脂５３
を固めて形成された形状であり、具体的には、未硬化の
樹脂５３で各発光ダイオード素子５２を包み込むように
全面に塗布し、これを硬化した後で、縁の部分をダイシ
ング等で切断することによって得られる。

【００４３】そして、ほぼ平板状の樹脂層５３の表面側
と裏面側とには、それぞれ電極パッド５６及び５７が形
成される。これらの電極パッド５６及び５７の形成方法
としては、全面に電極パッド５６及び５７の材料となる
金属層や多結晶シリコン層等の導電層を形成し、フォト
リソグラフィー技術により、所要の電極形状にパターニ
ングすることで形成される。これらの電極パッド５６及
び５７は、発光ダイオード素子である素子５２のｐ電極
とｎ電極とにそれぞれ接続するように形成されており、
必要な場合には、樹脂層５３にビアホール等が形成され
る。

【００４４】ここで、電極パッド５６及び５７は、樹脂
チップ５４の表面側と裏面側とにそれぞれ形成されてい
るが、一方の面に双方の電極パッドを形成することも可
能である。なお、電極パッド５６及び５７の位置が平板
上でずれているのは、最終的な配線形成時に上側からコ
ンタクトをとっても重ならないようにするためである。
更に、電極パッド５６及び５７の形状は正方形に限定さ
れず、他の形状としてもよい。

【００４５】このような樹脂チップ５４を構成すること
によって、発光ダイオード素子５２の周りが樹脂５３ａ
で被覆されて平坦化され、精度良く電極パッド５６及び
５７を形成できると共に、発光ダイオード素子５２に比
べて広い領域に電極パッド５６及び５７を延在でき、次
の第２転写工程での転写を吸着装置で進める場合に取り
扱いが容易になる。又、後述するように、最終的な配線
が、続く第２転写工程の後に行われるため、比較的大き
めのサイズの電極パッド５６及び５７を利用した配線を
行うことによって、配線不良が未然に防止される。

【００４６】次に、図１３から図２０までを参照しなが
ら、図２１に示す発光素子の配列方法の具体的手法につ
いて説明する。

【００４７】先ず、図１３に示すように、第１基板５０
の主面上には、複数の発光ダイオード素子５２がマトリ
クス状に形成されている。この発光ダイオード素子５２
の大きさは約２０μｍ程度とすることができる。

【００４８】なお、第１基板５０の構成材料としては、
サファイア基板等のように、発光ダイオード素子５２に
照射するレーザの波長の透過率の高い材料が用いられ
る。又、発光ダイオード素子５２にはｐ電極までは形成
されているが、最終的な配線は未だなされておらず、発
光ダイオード素子５２間を分離する分離溝６２ｇが形成
されていて、個々の発光ダイオード素子５２は分離でき
る状態にある。

【００４９】なお、この溝６２ｇの形成は、例えば、反
応性イオンエッチングで行う。このような第１基板５０
を第１の一時保持用部材５１に対峙させて図１３に示す
ように転写を行う。

【００５０】ここで、第１の一時保持用部材５１の第１
基板５０に対峙する面には、第１の剥離層６４と樹脂層
５３とが２層になって形成されている。

【００５１】次に、第１の一時保持用部材５１の材質と
しては、高分子シート等を挙げることができ、第１の一
時保持用部材５１上の第１の剥離層６４の材質として
は、フッ素コート、シリコーン樹脂、水溶性接着剤（例
えば、ポリビニルアルコール：ＰＶＡ）及びポリイミド
等を用いることができる。

【００５２】又、第１の一時保持用部材５１の樹脂層５
３としては、紫外線（ＵＶ）硬化型樹脂、熱硬化性樹脂
又は熱可塑性樹脂のいずれかからなる層を用いることが
できる。一例としては、第１の一時保持用部材５１とし
て無軸延伸高分子シートを用い、第１の剥離層６４とし
てポリイミド膜を形成後、樹脂層５３としてのＵＶ硬化
型樹脂を塗布することができる。

【００５３】次に、転写に際しては、各発光ダイオード
素子５２に対してレーザ光を第１基板５０の裏面から照
射し、この発光ダイオード素子５２を第１基板５０から
レーザアブレーションを利用して剥離する。このＧａＮ
系の発光ダイオード素子５２は、サファイア基板との界
面で金属のＧａと窒素とに分解することから、比較的簡
単に剥離できる。

【００５４】照射するこのレーザ光としては、エキシマ
レーザ及び高調波ＹＡＧレーザ等が用いられる。そし
て、このレーザアブレーションを利用した剥離によっ
て、発光ダイオード素子５２はＧａＮ層と第１基板５０
の界面とで分離し、図１４に示すように、反対側の樹脂
層５３にｐ電極部分を突き刺すようにして転写する。

【００５５】転写後、図１５に示すように、上記の高分
子シートからなる第１の一時保持用部材５１を２軸延伸
し、転写された発光ダイオード素子５２を、第１基板５
０上に配列されている時よりも離間して第１の一時保持
用部材５１上に配列する。

【００５６】この延伸プロセスは、図２５等に示すプロ
セスと同様であり、これによって、Ｘ方向にそれぞれ発
光ダイオード素子５２の間隔が広げられ、同時に、Ｘ方
向に垂直なＹ方向にもそれぞれ発光ダイオード素子５２
の間隔が広げられる。

【００５７】ここで、発光ダイオード素子５２は、第１
の一時保持用部材５１の樹脂層５３に保持された状態
で、発光ダイオード素子５２の裏面がｎ電極側（カソー
ド電極側）になっており、発光ダイオード素子５２の裏
面には、第１基板５０との間にあった樹脂が残らないよ
うに除去、洗浄されているため、上記の延伸工程後、電
極パッド５７を形成すれば、電極パッド５７は発光ダイ
オード素子５２の裏面と電気的に接続される。

【００５８】その後、図１５に示すように、電極パッド
５７をパターニングする。この時のカソード側の電極パ
ッド５７としては、透明電極（ＩＴＯ及びＺｎＯ系
等）、若しくはＴｉ／Ａｌ／Ｐｔ／Ａｕ等の材料を用い
る。

【００５９】なお、透明電極の場合は、発光ダイオード
素子５２の裏面を大きく覆っても発光を遮ることがない
ために、パターニング精度が粗くしてもよく、大きな電
極形成ができ、パターニングプロセスが容易になる。

【００６０】上記の電極パッド５７の形成の後、図１６
に示すように、第２の一時保持用部材６７に転写してか
ら、ダイシングプロセスにより発光ダイオード素子５２
毎に硬化した樹脂層５３を分断し、各発光ダイオード素
子５２に対応した樹脂チップ５４とする。ここで、ダイ
シングプロセスは、機械的手段を用いたダイシング、或
いは、レーザビームを用いたレーザダイシングにより行
う。

【００６１】なお、ダイシングによる切り込み幅は、画
像表示装置の画素内の樹脂層５３で覆われた発光ダイオ
ード素子５２の大きさに依存するが、例えば、２０μｍ
以下の幅の狭い切り込みが必要な時には、上記のレーザ
ービームを用いたレーザによる加工を行うことが必要で
ある。この時、レーザビームとしては、エキシマレー
ザ、高調波ＹＡＧレーザ、炭酸ガスレーザ等を用いるこ
とができる。

【００６２】図１６は、第１の一時保持用部材５１から
発光ダイオード素子５２を第２の剥離層６０を介して第
２の一時保持用部材６７に転写して、アノード電極（ｐ
電極）側にビアホール７０を形成した後、アノード側の
電極パッド５６を形成し、更に樹脂５３ａからなる樹脂
層５３をダイシングした状態を示している。

【００６３】このダイシングの結果、素子分離溝７１が
形成され、発光ダイオード素子５２は、素子毎に区分け
されたものになる。この素子分離溝７１はマトリクス状
の各発光ダイオード素子５２を分離するため、平面から
見たパターンとしては、縦横に延長された複数の平行線
からなる。なお、この素子分離溝７１の底部では、第２
の一時保持用部材６７の表面が臨んでいる。第２の一時
保持用部材６７は、一例として、プラスチック基板にＵ
Ｖ粘着材が塗布してある、いわゆるダイシングシートで
あり、ＵＶが照射されると粘着力が低下するものを利用
できる。

【００６４】なお、上記の転写の際には、第１の剥離層
６４を形成した第１の一時保持用部材５１の裏面からエ
キシマレーザを照射する。これにより、例えば、第１の
剥離層６４としてポリイミドの層を形成した場合では、
ポリイミドのアブレーションにより剥離が発生して、各
発光ダイオード素子５２は第２の一時保持用部材６７側
に転写される。

【００６５】更に、上記のアノード側の電極パッド５６
の形成プロセスの例としては、樹脂層５３の表面を、酸
素プラズマで発光ダイオード素子５２のｐ電極が露出し
てくるまでエッチングする。又、ビアホール７０の形成
には、エキシマレーザ、高調波ＹＡＧレーザ及び炭酸ガ
スレーザ等を用いることができる。又、アノード側の電
極パッド５６はＮｉ／Ｐｔ／Ａｕ等で形成する。

【００６６】次に、吸着装置等の機械的手段を用いて、
発光ダイオード素子５２を含む樹脂チップ５４が第二の
一時保持用部材６７から剥離される。この時、第２の一
時保持用部材６７上には第２の剥離層６０が形成されて
いる。この第２の剥離層６０は、例えば、フッ素コー
ト、シリコーン樹脂、水溶性接着剤（例えば、ＰＶＡ）
及びポリイミド等を用いて作成することができる。

【００６７】このような第２の剥離層６０を形成した第
２の一時保持用部材６７の裏面から、例えばＹＡＧ第３
高調波レーザ光を照射する。これにより、例えば剥離層
６０としてポリイミドの層を形成した場合では、ポリイ
ミドの層と石英基板の界面とでポリイミドのアブレーシ
ョンにより剥離が発生して、各発光ダイオード素子５２
を含む樹脂形成チップ５４は、第２の一時保持用部材６
７から上記の機械的手段により容易に剥離可能となる。

【００６８】次に、図１７は、第２の一時保持用部材６
７上に配列している発光ダイオード素子５２を含む樹脂
チップ５４を上記の機械的手段としての吸着装置７３で
ピックアップするところを示した図である。

【００６９】この時の吸着孔７５は、画像表示装置の画
素ピッチにマトリクス状に開口していて、発光ダイオー
ド素子５２を含む樹脂チップ５４を多数個、一括して吸
着できるようになっている。

【００７０】そして、吸着孔７５の部材には、例えば、
Ｎｉ電鋳により作製したもの、若しくは、ステンレス
（ＳＵＳ）等の金属板７２をエッチングで穴加工したも
のが使用され、金属板７２の吸着孔７５の奥には、吸着
チャンバ７４が形成されており、この吸着チャンバ７４
を負圧に制御することで発光ダイオード素子５２を含む
樹脂チップ５４の吸着が可能になる。

【００７１】なお、発光ダイオード素子５２は、この段
階では樹脂５３ａで覆われており、その上面はほぼ平坦
化されている。この為に、吸着装置７３による選択的な
吸着を容易に進めることができる。

【００７２】図１８は、発光ダイオード素子５２を第２
基板８０に転写するところを示した図である。

【００７３】この第２基板８０に装着する際に、第２基
板８０に予め接着剤層７６が塗布されており、発光ダイ
オード素子５２下面の接着剤層７６を硬化させ、発光ダ
イオード素子５２を含む樹脂チップ５４を第２基板８０
に固着して配列させることができる。この装着時には、
吸着装置７３の吸着チャンバ７４が圧力の高い状態とな
り、吸着装置７３と発光ダイオード素子５２との吸着に
よる結合状態は解放される。

【００７４】接着剤層７６は、ＵＶ硬化型接着剤、熱硬
化性接着剤及び熱可塑性接着剤等によって構成すること
ができる。ここで、発光ダイオード素子５２が配置され
る位置は、第１及び第２の一時保持用部材５１及び６７
上での配列よりもさらに離間したものとなる。

【００７５】この時、接着剤層７６の樹脂を硬化させる
エネルギーであるビーム９３は第２基板８０の裏面から
供給される。ＵＶ硬化型接着剤の場合は、ＵＶ照射装置
によって、又、熱硬化性接着剤の場合は、レーザによっ
て発光ダイオード素子５２の下面のみを硬化させ、熱可
塑性接着剤場合は、同様に、レーザ照射にて接着剤を溶
融させて接着を行う。

【００７６】又、第２基板８０上にシャドウマスクとし
ても機能する電極層７７を配設し、特に電極層７７の画
面側の表面、即ち、この表示装置を見る人がいる側の面
に黒クロム層７８を形成する。こうすることによって、
画像のコントラストを向上させることができると共に、
黒クロム層７８でのエネルギー吸収率を高くして選択的
に照射されるビーム９３によって接着剤層７６が早く硬
化するようにすることができる。

【００７７】次に、図１９は、Ｒ、Ｇ、Ｂの３色のそれ
ぞれの発光ダイオード素子５２Ｒ、５２Ｇ、５２Ｂを第
２基板８０に配列し、絶縁層７９で被覆した状態を示
す。

【００７８】図１７及び図１８で用いた吸着装置７３を
そのまま使用して、第２基板８０にマウントする位置を
その色の位置にずらすだけでマウントすると、画素とし
てのピッチが一定のまま３色からなる画素を形成でき
る。なお、絶縁層７９の材質としては、透明エポキシ接
着剤、ＵＶ硬化型接着剤及びポリイミド等を用いること
ができる。

【００７９】図１９では、赤色の発光ダイオード素子５
２Ｒが六角錐のＧａＮ層を有しない構造とされ、他の発
光ダイオード素子５２Ｇ及び５２Ｂとその形状が異なっ
ているが、この段階では、各発光ダイオード素子５２
Ｒ、５２Ｇ、５２Ｂは既に樹脂チップ５４として樹脂５
３ａで覆われており、発光ダイオード素子としての構造
の違いにもかかわらず同一の取り扱いが実現される。

【００８０】次に、図２０に示すように、Ｒ、Ｇ、Ｂの
３色の発光ダイオード素子５２Ｒ、５２Ｇ、５２Ｂのそ
れぞれの電極パッド５７及びアノード側の電極パッド５
６や、第２基板８０上の電極層７７等に対応して、これ
らを電気的に接続するために、開口部であるビアホール
７０’をそれぞれ形成し、更に、配線を形成する。そし
て、この開口部（ビアホール）７０’の形成は、例え
ば、レーザ光等を用いて行う。

【００８１】この時に形成する開口部であるビアホール
７０’は、Ｒ、Ｇ、Ｂの３色の発光ダイオード素子５２
Ｒ、５２Ｇ、５２Ｂのそれぞれの電極パッド５７及びア
ノード側の電極パッド５６の面積を大きくしているの
で、ビアホール７０’の形状を大きくでき、且つ、ビア
ホール７０’の位置精度も、各発光ダイオード素子に直
接形成するビアホールに比べて粗い精度で形成できる。

【００８２】次に、絶縁層７９に開口部としてのビアホ
ール７０’を形成した後、Ｒ、Ｇ、Ｂ３色の発光ダイオ
ード素子５２Ｒ、５２Ｇ、５２Ｂのアノード側のそれぞ
れの電極パッド５６及びカソード側の電極パッド５７
と、第２基板８０の配線用の電極層７７とを接続する配
線８６を形成する。その後、保護層（図示せず）を配線
上に形成し、画像表示装置のパネルは完成する。

【００８３】この時の保護層は、図１９の絶縁層７９と
同様に、透明エポキシ接着剤等の材料が使用できる。こ
の保護層は加熱硬化して配線を完全に覆う。この後、パ
ネル端部の配線からドライバーＩＣを接続して駆動パネ
ルを作製することになる。

【００８４】上述のような発光ダイオード素子の配列方
法においては、第１の一時保持用部材５１に発光ダイオ
ード素子５２を保持させた時点で、延伸により発光ダイ
オード素子間の距離が大きくされ、その広がった間隔を
利用して、比較的サイズの大きな電極パッド５６及び５
７等を設けることが可能となる。

【００８５】そして、これら比較的サイズの大きな電極
パッド５６及び５７を利用した配線が行われるために、
発光ダイオード素子のサイズに比較して、最終的な装置
のサイズが著しく大きな場合であっても容易に配線を形
成できる。

【００８６】

【発明が解決しようとする課題】上記の延伸工程におい
ては、発光ダイオード素子５２の転写された樹脂層５３
を貼りつけた延伸シート（第１の一時保持用部材５１）
の２軸延伸によって、発光ダイオード素子５２の間隔
（ピッチ）を拡大する際、延伸シート（第１の一時保持
用部材５１）の２軸方向における双方の端部を引いて延
伸するが、引っ張り荷重は延伸シート（第１の一時保持
用部材５１）の動きに伴い、発光ダイオード素子５２の
転写された樹脂層５３の周囲の端部から時間の経過に伴
って中央部に向かって徐々に影響を及ぼす。

【００８７】そのために、中央部で延伸された発光ダイ
オード素子５２間の距離と、端部で延伸された発光ダイ
オード素子５２間の距離とでは差が生じて、中央部の樹
脂層の厚さの変化量が小さい割に端部の厚さの変化量が
大きくなり、延伸シート（第１の一時保持用部材５１）
周囲の端部においては、発光ダイオード素子５２のアラ
イメント精度（発光ダイオード素子５２間の距離の均一
性又は等配列性）が、引っ張り力の差による累積誤差の
積み重ねによって劣化する傾向がある。

【００８８】この累積誤差によって、樹脂層の厚さが比
較的不均一になったり、発光ダイオード素子５２間の距
離も比較的不均等になって、後の工程において、発光ダ
イオード素子５２の配線工程時に確実に配線を行えなく
なることが考えられる。

【００８９】本発明は、上記のような実情に鑑みてなさ
れたものであって、その目的は、回路素子の等配列化及
び素子保持層の均等厚化を実現できる、回路素子の配列
方法及び表示装置の製造方法を提供することにある。

【００９０】

【課題を解決するための手段】即ち、本発明は、複数の
回路素子を素子保持層に保持する工程と、少なくとも前
記複数の回路素子間において前記素子保持層の一部を除
去する工程と、前記保持層を加圧変形させることによ
り、前記複数の回路素子間の距離を拡大する工程とを有
する、回路素子の配列方法に係るものである。

【００９１】本発明は又、複数の表示用素子を素子保持
層に保持する工程と、少なくとも前記複数の表示用素子
間において前記素子保持層の一部を除去する工程と、一
部を除去した前記素子保持層を加圧変形させることによ
り、前記複数の表示用素子間の距離を拡大する工程と、
前記複数の表示用素子のそれぞれに所定の電極を形成す
る工程とを有する、表示装置の製造方法に係るものであ
る。

【００９２】本発明によれば、加圧変形前に素子保持層
の一部を除去して複数の回路素子間を分離若しくは区分
するので、回路素子を保持する複数の素子保持層間にこ
れらが加圧変形して拡大する余地となる空間が生じ、各
素子保持層がそれぞれ独自に加圧変形して薄肉化（即
ち、延伸する）ことになる。従って、回路素子を保持す
る複数の素子保持層が互いに影響し合うことなしに各回
路素子を伴いながら変形、移動するため、各回路素子間
の距離が均等に拡大されて、そのアライメント精度が向
上することになる。

【００９３】又、各回路素子を保持する複数の素子保持
層のそれぞれが均等に加圧されるため、素子保持層の薄
肉化を均等な厚みで行え、これに伴って、回路素子間の
距離も均等になる。

【００９４】

【発明の実施の形態】本発明においては、前記素子保持
層の均等な加圧変形のために、前記複数の回路素子間及
びこの周囲において前記素子保持層の一部を除去するの
が望ましい。

【００９５】又、前記素子保持層の加圧変形によって前
記素子保持層を薄肉化すると共に、前記複数の回路素子
間のピッチを拡大し、かつこれらの複数の回路素子間の
前記素子保持層の除去部分を実質的に消滅させて平坦な
連続層を形成するのが望ましい。

【００９６】又、前記回路素子間の距離の均等化のため
に、前記複数の回路素子の各周囲にほぼ均等幅に前記素
子保持層を残すように、前記素子保持層の一部を除去す
るのが望ましい。

【００９７】又、前記素子保持層の前記加圧変形を平坦
性の高い加圧手段によって行うのが望ましい。

【００９８】又、前記素子保持層の一部の除去に、ブレ
ードダイシング法及びレーザダイシング法から選ばれた
少なくとも一種の方法を用いるのが望ましい。

【００９９】又、前記素子保持層を加熱下で加圧変形さ
せるのが望ましい。

【０１００】又、前記素子保持層に対して前記複数の回
路素子を転写するのが望ましく、前記回路素子が素子保
持層の加圧変形に伴ってスムーズに移動するためには、
前記複数の回路素子を前記素子保持層の表面側に存在さ
せるように前記転写を行い、前記素子保持層の前記加圧
変形を行うのが望ましい。

【０１０１】又、前記素子保持層を熱可塑性樹脂によっ
て形成するのが望ましい。

【０１０２】又、前記回路素子を発光素子とするのが望
ましい。

【０１０３】又、前記複数の回路素子を単色の発光用と
し、これを単一の素子保持層に保持した後、前記加圧変
形を行うのが望ましい。

【０１０４】前記複数の表示用素子を複数色の発光用と
する場合、それぞれ異なる素子保持層に保持した後に、
これらの素子保持層を重ね合わせて前記加圧変形を同時
に行うのが望ましい。

【０１０５】又、前記電極の形成後に、前記素子保持層
を前記表示用素子毎に分割し、これらの分割された表示
用素子を配線基板上に接続、固定する工程を更に有する
のが望ましい。

【０１０６】又、前記配線基板に前記表示用素子と接続
される配線層を形成し、この配線層に前記表示用素子の
前記電極を接続するのが望ましい。

【０１０７】以下、本実施の好ましい形態による回路素
子の配列方法及び画像表示装置の製造方法について、図
面を参照しながら詳細に説明する。

【０１０８】具体的には、図３から図９までを参照しな
がら、図２１に示したと同様の発光素子の配列方法につ
いて説明する。

【０１０９】先ず、図３に示すように、第１基板５０の
主面上には、複数の発光ダイオード素子５２がマトリク
ス状に形成されている。この発光ダイオード素子５２の
大きさは約２０μｍ程度とすることができる。

【０１１０】なお、第１基板５０の構成材料としては、
サファイア基板等のように、発光ダイオード素子５２に
照射するレーザの波長の透過率の高い材料が用いられ
る。又、発光ダイオード素子５２には、ｐ電極までは形
成されているが最終的な配線は未だなされておらず、発
光ダイオード素子５２間を分離する溝６２ｇが形成され
ていて、個々の発光ダイオード素子５２は分離できる状
態にある。

【０１１１】なお、この溝６２ｇの形成は、例えば反応
性イオンエッチングで行う。このような第１基板５０を
第１の一時保持用部材５１に対峙させて図３に示すよう
に転写を行う。

【０１１２】ここで、第１の一時保持用部材５１の第１
基板５０に対峙する面には、第１の剥離層６４と樹脂層
５３とが２層になって形成されている。

【０１１３】第１の一時保持用部材５１の材質として
は、高分子シート等を挙げることができ、第１の一時保
持用部材５１上の第１の剥離層６４の材質としては、フ
ッ素コート、シリコーン樹脂、水溶性接着剤（例えば、
ポリビニルアルコール：ＰＶＡ）及びポリイミド等を用
いることができる。

【０１１４】又、第１の一時保持用部材５１上の樹脂層
５３としては、紫外線（ＵＶ）硬化型樹脂、熱硬化性樹
脂又は熱可塑性樹脂のいずれかからなる層を用いること
ができる。一例としては、第１の剥離層６４としてポリ
イミド膜を形成後、樹脂層５３としてのＵＶ硬化型接着
剤を塗布することができる。

【０１１５】使用可能な熱可塑性樹脂としては、例え
ば、アイオノマー樹脂、ＥＥＡ樹脂、ＡＡＳ樹脂、ＡＳ
樹脂、ＡＣＳ樹脂、エチレン酢酸ビニルコポリマー、Ａ
ＢＳ樹脂、塩化ビニル樹脂、塩素化ポリエチレン樹脂、
酢酸繊維系樹脂、フッ素樹脂、ポリアセタール樹脂、ポ
リアミド樹脂、ポリアリレート樹脂、熱可塑性ポリウレ
タンエラストマー、熱可塑性エラストマー、液晶ポリマ
ー、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、ポリサルホン樹
脂、ポリエーテルサルホン樹脂、高密度ポリエチレン、
低密度ポリエチレン、直鎖状低密度ポリエチレン、強化
ポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネート樹脂、
ポリスチレン、ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリフェ
ニレンサルファイド樹脂、ポリブタジエン樹脂、ポリブ
チレンテレフタレート、ポリプロピレン樹脂、メタクリ
ル樹脂、メチルペンテンポリマー等がある。また、使用
可能な熱硬化性樹脂としては、尿素樹脂、メラミン樹
脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、不飽和ポリエステ
ル樹脂及びアクリル樹脂等がある。

【０１１６】次に、転写に際しては、樹脂層５３を予め
レーザ照射によって未硬化部分を選択的に残しておき、
この状態で、各発光ダイオード素子５２に対してレーザ
光を第１基板５０の裏面から照射し、この発光ダイオー
ド素子５２を第１基板５０からレーザアブレーションを
利用して剥離する。なお、ＧａＮ系の発光ダイオード素
子５２は、サファイアとの界面で金属のＧａと窒素とに
分解することから、比較的簡単に剥離できる。

【０１１７】照射するレーザとしては、エキシマレーザ
及び高調波ＹＡＧレーザ等が用いられる。そして、この
レーザアブレーションを利用した剥離によって、発光ダ
イオード素子５２はＧａＮ層と第１基板５０の界面とで
分離し、図４に示すように、反対側の未硬化の樹脂層５
３にｐ電極部分を突き刺すようにして転写する。なお、
硬化した樹脂層やレーザ照射しない領域には、転写しな
い。

【０１１８】そして、この状態から第１基板５０を取り
除き、図１（ａ）及び図５に示すように、第１の一時保
持用部材５１に複数の発光ダイオード素子５２が埋設さ
れた状態とする。

【０１１９】なお、図１においては、発光ダイオード素
子５２は図５に示すような形状や他の形状であってもよ
いが、簡略に概略図示している（以下、同様）。

【０１２０】又、概略図である図１（ａ）においては、
図面の説明上、発光ダイオード素子５２が４個で一組と
なるかの如くに表現したが、実際には、破線によって示
すように、発光ダイオード素子５２の転写された樹脂層
５３が、第１の一時保持用部材５１上に連続して存在
し、複数の発光ダイオード素子５２が所定間隔で転写さ
れているものとする（以下、同様）。

【０１２１】そして、図３及び図４に示したように、第
１の一時保持用部材５１上の発光ダイオード素子５２の
保持層となる樹脂層５３に、単色の発光用の発光ダイオ
ード素子５２を発光ダイオード素子５２の成長基板（サ
ファイア基板）から転写した後に、図１（ｂ）の実線及
び図５の仮想線に示すように、転写したそれぞれの発光
ダイオード素子５２の間、及び発光ダイオード素子５２
の周囲の樹脂層５３の一部５３ａをダイシングして除去
し、個々の素子入り樹脂チップに分割する。

【０１２２】この除去する理由としては、樹脂層５３の
一部を除去することによって、後の加圧変形工程の際
に、樹脂層５３が薄肉化して拡がる余地を確保し、同時
に、樹脂層５３の平坦化も実現するためである。

【０１２３】なお、このダイシング方法としては、ブレ
ード６６によるダイシング、又はレーザによるダイシン
グ等を用いてよい。ダイシングする位置、幅及び樹脂層
５３に対する深さ等は、加熱下で加圧されて平坦化され
る樹脂層５３の面積及び厚さから算出して決める。

【０１２４】ダイシングによって樹脂層５３の一部５３
ａを除去する幅については、少なくとも複数の発光ダイ
オード素子５２の各周囲にほぼ均等幅で樹脂層５３が残
るようにすることが必要である。これは、次の加圧変形
工程時に、樹脂層５３を発光ダイオード素子５２を伴っ
てほぼ均一に拡げ、発光ダイオード素子５２間の拡大さ
れた距離をほぼ均一にするためである。

【０１２５】次に、図１（ｃ）及び図６に示すように、
加圧板等の加圧手段８４によって、発光ダイオード素子
５２が転写された状態で分割されたそれぞれの樹脂層５
３を、第１の一時保持用部材５１に対して、加熱下で加
圧する。なお、加圧手段８４は平坦性の高いものとし、
加熱手段としてはホットプレートや加熱雰囲気を用いて
よい。

【０１２６】これによって、図１（ｄ）及び図７に示す
ように、加圧変形により樹脂層５３が押しつぶされなが
ら薄肉化されると共に、樹脂層５３に転写された発光ダ
イオード素子５２が樹脂層５３の加圧変形による薄肉化
に伴って樹脂層５３中を移動し、複数の発光ダイオード
素子５２間の距離（ピッチ）がほぼ均等に拡大されて配
置され、かつ各樹脂層間が相互に接合、一体化して平坦
な連続層となる。

【０１２７】ここで、発光ダイオード素子５２は第１の
一時保持用部材５１上の樹脂層５３に保持された状態
で、発光ダイオード素子５２の裏面がｎ電極側（カソー
ド電極側）になっていて、発光ダイオード素子５２の裏
面には、第１基板５０との間にあった樹脂が残らないよ
うに除去、洗浄され、上記の加圧による薄肉化後に、図
８に示すように電極パッド５７を形成した後にパターニ
ングすれば、電極パッド５７は発光ダイオード素子５２
の裏面と電気的に接続される。

【０１２８】次に、図９に示すように、第１の一時保持
用部材５１の第１剥離層６４から発光ダイオード素子５
２の含まれた樹脂層５３を剥離し、その後に、電極パッ
ド５７の設けられた側を第２の剥離層６０を介して第２
の一時保持用部材６７に転写し、更に、図１０に示すよ
うに、アノード電極（ｐ電極）側のビアホール７０を形
成した後、図１１に示すように、アノード側の電極パッ
ド５６を形成する。

【０１２９】次に、図１２に示すように、樹脂からなる
樹脂層５３をダイシングして、素子分離溝７１を形成
し、発光ダイオード素子５２を素子毎に分割した樹脂チ
ップ５４とする。

【０１３０】即ち、ダイシングプロセスにより、発光ダ
イオード素子５２毎に樹脂層５３を分断し、各発光ダイ
オード素子５２に対応した素子入り樹脂チップ５４とす
る。なお、この後の工程は図１７〜図２０に示した工程
と同様に行い、画像表示装置を完成する。

【０１３１】上記においては、単色の発光ダイオード素
子５２のみを転写したが、図２（ａ）に示すように、
Ｒ、Ｇ、Ｂの３色の発光ダイオード素子５２Ｒ、５２
Ｇ、５２Ｂを、三色の発光用としてそれぞれ異なる樹脂
層５３Ｒ、５３Ｇ、５３Ｂに転写させたものを、第１の
一時保持用部材５１上に重ね、かつ各発光ダイオード素
子５２Ｒ、５２Ｇ、５２Ｂがそれぞれ垂直方向に重複し
ないように配置する。

【０１３２】この場合、上記のように、第１の一時保持
用部材５１上の素子保持層となるそれぞれの樹脂層に、
３色の発光用の各発光ダイオード素子５２Ｒ、５２Ｇ、
５２Ｂを発光ダイオード素子のそれぞれの成長基板（図
示せず）から転写した後に、図２（ｂ）に示すように、
転写したそれぞれの発光ダイオード素子５２Ｒ、５２
Ｇ、５２Ｂを１組として、この組と隣接する他の組との
間の樹脂層５３の一部を上記したと同様にして除去す
る。

【０１３３】なお、ダイシングによって除去する幅につ
いては、上記したと同様に、少なくとも一組の発光ダイ
オード素子５２Ｒ、５２Ｇ、５２Ｂの一組の周囲に、ほ
ぼ均等幅で樹脂層５３が残るようにする。

【０１３４】これは、次の加熱下での加圧変形工程時
に、各樹脂層５３Ｒ、５３Ｇ、５３Ｂが拡がることに伴
って、一組の発光ダイオード素子５２Ｒ、５２Ｇ、５２
Ｂのそれぞれの間隔が均一に拡がるようにするためであ
る。

【０１３５】即ち、図２（ｃ）に示すように、上記した
加圧手段８４によって、各発光ダイオード素子５２Ｒ、
５２Ｇ、５２Ｂの転写されたそれぞれの樹脂層５３Ｒ、
５３Ｇ、５３Ｂを、第１の一時保持用部材５１に対し
て、加熱下で加圧する。

【０１３６】これによって、樹脂層５３Ｒ、５３Ｇ、５
３Ｂが同時に薄肉化されると共に、各発光ダイオード素
子５２Ｒ、５２Ｇ、５２Ｂが樹脂層の薄肉化に伴って樹
脂層中を移動して、複数の発光ダイオード素子５２Ｒ、
５２Ｇ、５２Ｂ間の距離（ピッチ）がほぼ均等に拡大さ
れて配置され、かつ平坦な連続層となる。

【０１３７】なお、この場合、発光ダイオード素子の一
部が第１の一時保持用部材と接触し、発光ダイオード素
子がスムーズに移動しないことを避けるため、図２
（ａ’）に示すように、発光ダイオード素子５２Ｂが樹
脂層５３Ｂ内を移動しやすいように、発光ダイオード素
子５２Ｂの下に樹脂層５３ａを追加してもよい。

【０１３８】図１及び図２の例とも、加圧変形後に樹脂
層が平坦化された連続層をなすことにより、樹脂層５３
上での電極パッド等の形成を良好に行えると共に、吸着
装置によるハンドリング時に樹脂層５３の表面に吸着チ
ャンバが吸着しやすくなり、作業性が向上する。

【０１３９】上記したように、本実施の形態によれば、
加圧変形前に樹脂層５３の一部を除去して複数の発光ダ
イオード素子５２−５２間を分離するので、発光ダイオ
ード素子を保持する複数の樹脂層間に、これらが加圧変
形して拡大する余地となる空間が生じ、各樹脂層がそれ
ぞれ独自に加圧変形して薄肉化（即ち、延伸する）こと
になる。従って、発光ダイオード素子を保持する複数の
樹脂層が互いに影響し合うことなしに各発光ダイオード
素子を伴いながら変形するため、各発光ダイオード素子
間の距離が均等に拡大されて、そのアライメント精度が
向上することになる。

【０１４０】又、各発光ダイオード素子を保持する複数
の樹脂層のそれぞれが均等に加圧されるため、樹脂層の
薄肉化を均等な厚みで行え、これに伴って、発光ダイオ
ード素子間の距離も均等になる。

【０１４１】従って、各画素の発光ダイオード素子の位
置精度が良いために、配線工程を従来の装置で容易かつ
高精度に行うことができる。

【０１４２】又、素子保持層の薄肉化及び均等厚化の際
に、Ｒ、Ｇ、Ｂの複数の表示用素子を保持した各素子保
持層を用いることによって、表示用素子の配列を少ない
工程で同時に実現できる。

【０１４３】又、同一面上にＲ、Ｇ、Ｂ発光ダイオード
素子を配置することになるので、配線工程が容易にな
る。

【０１４４】以上に説明した本発明の実施の形態は、本
発明の技術的思想に基づいて更に変形が可能である。

【０１４５】例えば、樹脂層の除去に使用する除去手
段、除去する幅、深さ、除去する位置、除去パターン
等、又は、加圧手段の種類、形状、加圧力、加圧時間
等、又は、加熱手段の種類、加熱温度、加熱時間等は、
所定の効果が有れば、任意に変化させてよい。

【０１４６】又、上述の例では、素子間の樹脂を除去し
て分割したが、樹脂をその厚さの一部まで除去して部分
的に残し（即ち、素子間に凹部を形成し）、この状態で
加圧変形させても、上述したと同様の効果が得られる。
上記の加圧手段として、例えば、樹脂層に対する荷重
（加圧）を機械圧及びガス圧等を用いて行ってもよい。

【０１４７】又、加圧時の加熱方法としては、ホットプ
レートを使用して行うのが一般的であるが、素子や樹脂
等の耐熱性の条件によっては、樹脂層側を加熱してもよ
いし、加熱板を加圧手段としてもよい。

【０１４８】その他、図１３〜図２３で述べたと同様の
構成等を採用してよいし、適用する素子は発光ダイオー
ド素子以外の他の回路素子であってよい。樹脂層には発
光ダイオード素子と共に、画素制御用のトランジスタの
Ｓｉチップ等を設けてもよい。

【０１４９】

【発明の作用効果】本発明によれば、加圧変形前に素子
保持層の一部を除去して複数の回路素子間を分離若しく
は区分するので、回路素子を保持する複数の素子保持層
間に、これらが加圧変形して拡大する余地となる空間が
生じ、各素子保持層が、それぞれ独自に加圧変形して薄
肉化（即ち、延伸する）ことになる。従って、回路素子
を保持する複数の素子保持層が互いに影響し合うことな
しに各回路素子を伴いながら変形、移動するため、各回
路素子間の距離が均等に拡大されて、そのアライメント
精度が向上することによる。

【０１５０】又、各回路素子を保持する複数の素子保持
層のそれぞれが均等に加圧されるため、素子保持層の薄
肉化を均等な厚みで行え、これに伴って、回路素子間の
距離も均等になる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態における、発光素子が転写
された樹脂層への加圧工程を示す概略平面図及び概略断
面図である。

【図２】同、三色の発光素子が転写された複数の樹脂層
への加圧工程を示す概略平面図及び概略断面図である。

【図３】同、樹脂層に発光素子を転写する工程を示す断
面図である。

【図４】同、発光素子が転写された樹脂層を示す断面図
である。

【図５】同、発光素子が転写された樹脂層を示す断面図
である。

【図６】同、発光素子が転写された樹脂層を分割後に加
圧変形する工程を示す断面図である。

【図７】同、発光素子が転写された樹脂層の加圧変形後
の状態を示す断面図である。

【図８】同、発光素子が転写された樹脂層に第１の電極
パッドが設けられた状態を示す断面図である。

【図９】同、発光素子が転写された樹脂層を第２の一時
保持用部材に仮固定した状態を示す断面図である。

【図１０】同、発光素子が転写された樹脂層にビアホー
ルが設けられた状態を示す断面図である。

【図１１】同、発光素子が転写された樹脂層に第２の電
極パッドが設けられた状態を示す断面図である。

【図１２】同、発光素子が転写された樹脂層に素子分離
溝が設けられた状態を示す断面図である。

【図１３】先願発明における、樹脂層に発光素子を転写
する工程を示す断面図である。

【図１４】同、発光素子が転写された樹脂層を示す断面
図である。

【図１５】同、樹脂層が延伸された後に第１の電極パッ
ドが設けられた樹脂層の断面図である。

【図１６】同、第２の一時保持用部材に仮固定された後
に素子分離溝が設けられた樹脂層の断面図である。

【図１７】同、樹脂層が吸着装置と接触した状態を示す
断面図である。

【図１８】同、樹脂層が吸着装置によって第２基板に固
定された状態を示す断面図である。

【図１９】同、絶縁層が設けられた第２基板を示す断面
図である。

【図２０】同、配線が設けられた第２基板を示す断面図
である。

【図２１】同、発光ダイオード素子の断面図及び平面図
である。

【図２２】同、樹脂チップの斜視図である。

【図２３】同、樹脂チップの平面図である。

【図２４】同、配線が形成された基板上での素子の配列
状態を模式的に示す概略平面図である。

【図２５】同、第２基板の延伸後の状態を示す概略斜視
図及び概略断面図である。

【図２６】同、回路素子の配列方法の一例を示す模式図
である。

【符号の説明】

１１…ガラス基板、１２…第１配線層、１３…第２配線
層、２１…下地成長層、１７、１８、２２…ＧａＮ：Ｓ
ｉ層（シリコンドープ）、２３…ＩｎＧａＮ層、２４…
ＧａＮ：Ｍｇ層（マグネシウムドープ）、２５…ｐ電
極、５０…第１基板、５１…第１の一時保持用部材、５
２…発光ダイオード素子、５２Ｒ…赤色発光ダイオード
素子、５２Ｇ…緑色発光ダイオード素子、５２Ｂ…青色
発光ダイオード素子、５３、５３Ｒ、５３Ｇ、５３Ｂ…
樹脂層、５３ａ…樹脂除去部分、５４…樹脂チップ、５
５、８０…第２基板、５６…電極パッド、５７…電極パ
ッド、５８…素子保持層、６０…第２の剥離層、６２ｇ
…溝、６４…第１の剥離層、６６…ブレード、６７…第
２の一時保持用部材、７１…素子分離層溝、７２…金属
板、７３…吸着装置、７４…吸着チャンバ、７５…吸着
孔、７６…接着剤層、７７…電極層、７８…黒クロム
層、７９…絶縁層、８４…加圧手段、８６…配線

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続きＦターム(参考） 5C094 AA48 AA55 BA12 BA23 CA19 CA24 DA13 DB04 5F041 AA35 CA40 CA46 CA65 CA75 CA76 CA99 DA14 DA31 DA43 FF06 5G435 AA17 AA18 BB04 CC12 EE33 KK05

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】複数の回路素子を素子保持層に保持する
工程と、少なくとも前記複数の回路素子間において前記素子保持
層の一部を除去する工程と、前記素子保持層を加圧変形させることにより、前記複数
の回路素子間の距離を拡大する工程とを有する、回路素
子の配列方法。
【請求項２】前記複数の回路素子間及びこの周囲にお
いて前記素子保持層の一部を除去する、請求項１に記載
の回路素子の配列方法。
【請求項３】前記素子保持層の加圧変形によって前記
素子保持層を薄肉化すると共に、前記複数の回路素子間
のピッチを拡大し、かつこれらの複数の回路素子間の前
記素子保持層の除去部分を実質的に消滅させて平坦な連
続層を形成する、請求項１に記載の回路素子の配列方
法。
【請求項４】前記複数の回路素子の各周囲にほぼ均等
幅に前記素子保持層を残すように、前記素子保持層の一
部を除去する、請求項２に記載の回路素子の配列方法。
【請求項５】前記素子保持層の前記加圧変形を平坦性
の高い加圧手段によって行う、請求項１に記載の回路素
子の配列方法。
【請求項６】前記素子保持層の一部の除去に、ブレー
ドダイシング法及びレーザダイシング法から選ばれた少
なくとも一種の方法を用いる、請求項１に記載の回路素
子の配列方法。
【請求項７】前記素子保持層を加熱下で加圧変形させ
る、請求項１に記載の回路素子の配列方法。
【請求項８】前記素子保持層に対して前記複数の回路
素子を転写する、請求項１に記載の回路素子の配列方
法。
【請求項９】前記複数の回路素子を前記素子保持層の
表面側に存在させるように前記転写を行い、前記素子保
持層の前記加圧変形を行う、請求項８に記載の回路素子
の配列方法。
【請求項１０】前記素子保持層を熱可塑性樹脂によっ
て形成する、請求項１に記載の回路素子の配列方法。
【請求項１１】前記回路素子を発光素子とする、請求
項１に記載の回路素子の配列方法。
【請求項１２】前記複数の回路素子を単色の発光用と
し、これを単一の素子保持層に保持した後、前記加圧変
形を行う、請求項８に記載の回路素子の配列方法。
【請求項１３】前記複数の回路素子を複数色の発光用
としてそれぞれ異なる素子保持層に保持した後、これら
の素子保持層を重ね合わせて前記加圧変形を同時に行
う、請求項８に記載の回路素子の配列方法。
【請求項１４】複数の表示用素子を素子保持層に保持
する工程と、少なくとも前記複数の表示用素子間において前記素子保
持層の一部を除去する工程と、一部を除去した前記素子保持層を加圧変形させることに
より、前記複数の表示用素子間の距離を拡大する工程
と、前記複数の表示用素子のそれぞれに所定の電極を形成す
る工程とを有する、表示装置の製造方法。
【請求項１５】前記複数の表示用素子間及びこの周囲
において前記素子保持層の一部を除去する、請求項１４
に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１６】前記素子保持層の加圧変形によって前
記素子保持層を薄肉化すると共に、前記複数の表示用素
子間のピッチを拡大しかつこれらの複数の表示用素子間
の前記素子保持層の除去部分を実質的に消滅させて平坦
な連続層を形成する、請求項１４に記載の表示装置の製
造方法。
【請求項１７】前記複数の表示用素子の各周囲にほぼ
均等幅に前記素子保持層を残すように、前記素子保持層
の一部を除去する、請求項１６に記載の表示装置の製造
方法。
【請求項１８】前記素子保持層の前記加圧変形を平坦
性の高い加圧手段によって行う、請求項１４に記載の表
示装置の製造方法。
【請求項１９】前記素子保持層の一部の除去に、ブレ
ードダイシング法及びレーザダイシング法から選ばれた
少なくとも一種の方法を用いる、請求項１４に記載の表
示装置の製造方法。
【請求項２０】前記素子保持層を加熱下で加圧変形さ
せる、請求項１４に記載の表示装置の製造方法。
【請求項２１】前記支持保持層に対して前記複数の表
示用素子を転写する、請求項１４に記載の表示装置の製
造方法。
【請求項２２】前記複数の表示用素子を前記素子保持
層の表面側に存在させるように前記転写を行い、前記素
子保持層の前記加圧変形を行う、請求項２１に記載の表
示装置の製造方法。
【請求項２３】前記素子保持層を熱可塑性樹脂によっ
て形成する、請求項１４に記載の表示装置の製造方法。
【請求項２４】前記表示用素子を発光素子とする、請
求項１４に記載の表示装置の製造方法。
【請求項２５】前記複数の表示用素子を単色の発光用
とし、これを単一の素子保持層に保持した後、前記加圧
変形を行う、請求項２１に記載の表示装置の製造方法。
【請求項２６】前記複数の表示用素子を複数色の発光
用としてそれぞれ異なる素子保持層に保持した後、これ
らの素子保持層を重ね合わせて前記加圧変形を同時に行
う、請求項２１に記載の表示装置の製造方法。
【請求項２７】前記素子保持層を前記表示用素子毎に
分割し、これらの分割された表示用素子を配線基板上に
接続、固定する工程を更に有する、請求項１４に記載の
表示装置の製造方法。
【請求項２８】前記配線基板に前記表示用素子と接続
される配線層を形成し、この配線層に前記表示用素子の
前記電極を接続する、請求項２７に記載の表示装置の製
造方法。