JP2003060130A - 半導体装置及びその封止方法及びそれを用いた実装方法 - Google Patents
半導体装置及びその封止方法及びそれを用いた実装方法Info
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- JP2003060130A JP2003060130A JP2001240373A JP2001240373A JP2003060130A JP 2003060130 A JP2003060130 A JP 2003060130A JP 2001240373 A JP2001240373 A JP 2001240373A JP 2001240373 A JP2001240373 A JP 2001240373A JP 2003060130 A JP2003060130 A JP 2003060130A
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- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】安価な構成で取り扱いの強度を高め、高信頼性
の半導体パッケージ製品を実現する半導体装置及びその
封止方法及びそれを用いた実装方法を提供する。 【解決手段】ベアチップ１１は、内部の集積回路に関係
した複数の外部接続用のボール電極１３が設けられた能
動面１４を有する。ボール電極１３は多層配線層１２を
介して能動面１４全体における均一な配列を実現してい
る。この能動面１４以外のベアチップ１１表面に保護コ
ーティング外装、例えば樹脂コーティング外装１５が被
覆された形態をとっている。樹脂コーティング外装１５
はその厚さが数μｍ〜数十μｍであり、ベアチップサイ
ズに比べてもほとんど変わらない。
の半導体パッケージ製品を実現する半導体装置及びその
封止方法及びそれを用いた実装方法を提供する。 【解決手段】ベアチップ１１は、内部の集積回路に関係
した複数の外部接続用のボール電極１３が設けられた能
動面１４を有する。ボール電極１３は多層配線層１２を
介して能動面１４全体における均一な配列を実現してい
る。この能動面１４以外のベアチップ１１表面に保護コ
ーティング外装、例えば樹脂コーティング外装１５が被
覆された形態をとっている。樹脂コーティング外装１５
はその厚さが数μｍ〜数十μｍであり、ベアチップサイ
ズに比べてもほとんど変わらない。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製品に係
り、特にシリコンウェハ切り出しのベアチップに複数の
外部接続用の電極を有する能動面を設ける半導体装置及
びその封止方法及びそれを用いた実装方法に関する。
り、特にシリコンウェハ切り出しのベアチップに複数の
外部接続用の電極を有する能動面を設ける半導体装置及
びその封止方法及びそれを用いた実装方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】省スペースへの半導体製品実装にＣＳＰ
（Chip Size Package ）を利用する機会が増えてきた。
中でも、シリコンウェハ切り出しのベアチップに複数の
外部接続用の電極を有する能動面が設けてあるＣＳＰ、
いわゆるウェハレベルＣＳＰの使用が増えている。
（Chip Size Package ）を利用する機会が増えてきた。
中でも、シリコンウェハ切り出しのベアチップに複数の
外部接続用の電極を有する能動面が設けてあるＣＳＰ、
いわゆるウェハレベルＣＳＰの使用が増えている。
【０００３】図１０は、ウェハレベルＣＳＰの一例を示
す断面図である。シリコンウェハ切り出しのベアチップ
１０１に複数の外部接続用のボール電極１０２を有する
能動面１０３が設けてある。この能動面はウェハの段階
で主表面におけるパッド形成後に多層配線層を介してチ
ップ領域全体にボール電極１０２を設けている。
す断面図である。シリコンウェハ切り出しのベアチップ
１０１に複数の外部接続用のボール電極１０２を有する
能動面１０３が設けてある。この能動面はウェハの段階
で主表面におけるパッド形成後に多層配線層を介してチ
ップ領域全体にボール電極１０２を設けている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記ウェハレベルＣＳ
Ｐは、能動面１０３以外はベアチップ１０１、すなわち
シリコンチップ自体が露出されている形態になる。シリ
コンチップ自体は機械的な外傷を受けやすい。真空吸着
等を利用したハンドリングやその他の取り扱いにおい
て、破線部に示したコーナー部の欠損事故や予期せぬク
ラックを引き起こしてしまう危険性が常にある。
Ｐは、能動面１０３以外はベアチップ１０１、すなわち
シリコンチップ自体が露出されている形態になる。シリ
コンチップ自体は機械的な外傷を受けやすい。真空吸着
等を利用したハンドリングやその他の取り扱いにおい
て、破線部に示したコーナー部の欠損事故や予期せぬク
ラックを引き起こしてしまう危険性が常にある。
【０００５】本発明は上記のような事情を考慮してなさ
れたもので、安価な構成で取り扱いの強度を高め、高信
頼性の半導体パッケージ製品を実現する半導体装置及び
その封止方法及びそれを用いた実装方法を提供しようと
するものである。
れたもので、安価な構成で取り扱いの強度を高め、高信
頼性の半導体パッケージ製品を実現する半導体装置及び
その封止方法及びそれを用いた実装方法を提供しようと
するものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の［請求項１］に
係る半導体装置は、ベアチップに設けられ、内部の集積
回路に関係した複数の外部接続用の電極を有する能動面
と、前記能動面以外のベアチップ表面に被覆された保護
コーティング外装と、を具備したことを特徴とする。
係る半導体装置は、ベアチップに設けられ、内部の集積
回路に関係した複数の外部接続用の電極を有する能動面
と、前記能動面以外のベアチップ表面に被覆された保護
コーティング外装と、を具備したことを特徴とする。
【０００７】本発明の［請求項２］に係るより好ましい
実施態様としての半導体装置は、ベアチップに設けら
れ、内部の集積回路に関係した複数の外部接続用の電極
を有する能動面と、前記能動面以外のベアチップ表面に
被覆された樹脂コーティング外装と、を具備したことを
特徴とする。
実施態様としての半導体装置は、ベアチップに設けら
れ、内部の集積回路に関係した複数の外部接続用の電極
を有する能動面と、前記能動面以外のベアチップ表面に
被覆された樹脂コーティング外装と、を具備したことを
特徴とする。
【０００８】上記それぞれの本発明に係る半導体装置に
よれば、ベアチップが保護コーティング外装、好ましく
は樹脂コーティング外装を施していることにより、少な
くとも取り扱いにおけるチップ保護を満足する。しかも
ベアチップサイズをほとんど変えずに強度マージンの向
上したパッケージ形態が得られる。また、コーティング
外装色を選べばチップ表面の遮光にも優れる。
よれば、ベアチップが保護コーティング外装、好ましく
は樹脂コーティング外装を施していることにより、少な
くとも取り扱いにおけるチップ保護を満足する。しかも
ベアチップサイズをほとんど変えずに強度マージンの向
上したパッケージ形態が得られる。また、コーティング
外装色を選べばチップ表面の遮光にも優れる。
【０００９】なお、上記本発明を適用したパッケージ製
品として好ましくは、上記能動面は、突起した電極が配
列される配線層が設けられていることを特徴とする。上
記能動面は、ランドの電極が配列される配線基板が設け
られていることを特徴とする。上記能動面は、テープキ
ャリアの接続部を含むことを特徴とする。
品として好ましくは、上記能動面は、突起した電極が配
列される配線層が設けられていることを特徴とする。上
記能動面は、ランドの電極が配列される配線基板が設け
られていることを特徴とする。上記能動面は、テープキ
ャリアの接続部を含むことを特徴とする。
【００１０】本発明の［請求項６］に係る半導体装置の
封止方法は、ウェハより切り出し後のベアチップにおい
て、内部の集積回路に関係した複数の外部接続用の電極
を有する能動面を除き、樹脂系溶剤を吹き付ける工程
と、前記ベアチップに塗布された樹脂系溶剤を乾燥させ
る工程と、を具備したことを特徴とする。
封止方法は、ウェハより切り出し後のベアチップにおい
て、内部の集積回路に関係した複数の外部接続用の電極
を有する能動面を除き、樹脂系溶剤を吹き付ける工程
と、前記ベアチップに塗布された樹脂系溶剤を乾燥させ
る工程と、を具備したことを特徴とする。
【００１１】本発明の［請求項７］に係る半導体装置の
封止方法は、ウェハより切り出し後のベアチップにおい
て、内部の集積回路に関係した複数の外部接続用の電極
を有する能動面を除き、樹脂系溶剤に漬浸する工程と、
前記ベアチップに塗布された樹脂系溶剤を乾燥させる工
程と、を具備したことを特徴とする。
封止方法は、ウェハより切り出し後のベアチップにおい
て、内部の集積回路に関係した複数の外部接続用の電極
を有する能動面を除き、樹脂系溶剤に漬浸する工程と、
前記ベアチップに塗布された樹脂系溶剤を乾燥させる工
程と、を具備したことを特徴とする。
【００１２】上記のような本発明に係る半導体装置の封
止方法によれば、樹脂系溶剤の吹き付け、あるいは樹脂
系溶剤への漬浸による短時間で安価な、しかも均一性が
得られる保護コーティングが実現される。また、コーテ
ィングの色を選べばチップ表面の遮光にも優れる。
止方法によれば、樹脂系溶剤の吹き付け、あるいは樹脂
系溶剤への漬浸による短時間で安価な、しかも均一性が
得られる保護コーティングが実現される。また、コーテ
ィングの色を選べばチップ表面の遮光にも優れる。
【００１３】本発明の［請求項８］に係る半導体装置の
実装方法は、上記［請求項６］または［請求項７］に記
載の半導体装置の封止方法を適用して保護コーティング
チップとなり、前記保護コーティングチップ内部の集積
回路に関係し複数の外部接続用の電極を有する能動面を
所定の基板実装部に合わせてフリップチップボンディン
グする工程と、少なくともボンディング接続部を保護部
材で覆う工程と、を具備したことを特徴とする。
実装方法は、上記［請求項６］または［請求項７］に記
載の半導体装置の封止方法を適用して保護コーティング
チップとなり、前記保護コーティングチップ内部の集積
回路に関係し複数の外部接続用の電極を有する能動面を
所定の基板実装部に合わせてフリップチップボンディン
グする工程と、少なくともボンディング接続部を保護部
材で覆う工程と、を具備したことを特徴とする。
【００１４】本発明の［請求項９］に係る半導体装置の
実装方法は、上記［請求項６］または［請求項７］に記
載の半導体装置の封止方法を適用して保護コーティング
チップとなり、前記保護コーティングチップ内部の集積
回路に関係し複数の外部接続用の電極を有する能動面の
各電極と、実装部側における複数のリード端子それぞれ
とを位置合わせしてテープキャリアボンディングする工
程と、少なくとも前記能動面側及びボンディング接続部
周辺に亘り保護部材で覆う工程と、を具備したことを特
徴とする。
実装方法は、上記［請求項６］または［請求項７］に記
載の半導体装置の封止方法を適用して保護コーティング
チップとなり、前記保護コーティングチップ内部の集積
回路に関係し複数の外部接続用の電極を有する能動面の
各電極と、実装部側における複数のリード端子それぞれ
とを位置合わせしてテープキャリアボンディングする工
程と、少なくとも前記能動面側及びボンディング接続部
周辺に亘り保護部材で覆う工程と、を具備したことを特
徴とする。
【００１５】上記それぞれの本発明に係る半導体装置の
実装方法によれば、保護コーティングチップは、少なく
とも取り扱いにおけるチップ保護を満足する。しかもベ
アチップサイズをほとんど変えずに強度マージンが向上
する。これにより、今までと同様に支障なく実装がで
き、多品種への適応に優れ汎用的である。
実装方法によれば、保護コーティングチップは、少なく
とも取り扱いにおけるチップ保護を満足する。しかもベ
アチップサイズをほとんど変えずに強度マージンが向上
する。これにより、今までと同様に支障なく実装がで
き、多品種への適応に優れ汎用的である。
【００１６】
【発明の実施の形態】図１は、本発明の第１実施形態に
係るウェハレベルＣＳＰ（Chip Size Package ）の構成
を示す要部の断面図である。ベアチップ１１は、内部の
集積回路に関係した複数の外部接続用のボール電極１３
が設けられた能動面１４を有する。ボール電極１３は多
層配線層１２を介して能動面１４全体における均一な配
列を実現している。
係るウェハレベルＣＳＰ（Chip Size Package ）の構成
を示す要部の断面図である。ベアチップ１１は、内部の
集積回路に関係した複数の外部接続用のボール電極１３
が設けられた能動面１４を有する。ボール電極１３は多
層配線層１２を介して能動面１４全体における均一な配
列を実現している。
【００１７】この能動面１４以外のベアチップ１１表面
に保護コーティング外装、例えば樹脂コーティング外装
１５が被覆された形態をとっている。樹脂コーティング
外装１５はその厚さが数μｍ〜数十μｍであり、ベアチ
ップサイズに比べてもほとんど変わらない。
に保護コーティング外装、例えば樹脂コーティング外装
１５が被覆された形態をとっている。樹脂コーティング
外装１５はその厚さが数μｍ〜数十μｍであり、ベアチ
ップサイズに比べてもほとんど変わらない。
【００１８】上記実施形態の構成によれば、ベアチップ
１１が樹脂コーティング外装１５を施していることによ
り、少なくとも取り扱いにおけるチップ保護を満足す
る。すなわち、真空吸着等を利用したハンドリングやそ
の他の取り扱いにおいて、チップコーナー部等が強化さ
れ欠損やクラックはほとんど起こらない。
１１が樹脂コーティング外装１５を施していることによ
り、少なくとも取り扱いにおけるチップ保護を満足す
る。すなわち、真空吸着等を利用したハンドリングやそ
の他の取り扱いにおいて、チップコーナー部等が強化さ
れ欠損やクラックはほとんど起こらない。
【００１９】しかも、樹脂コーティング外装１５は、そ
の厚さが数μｍ〜数十μｍであり、ベアチップサイズを
ほとんど変えずに強度マージンの向上したパッケージ形
態が得られる。また、コーティング外装色を選べばチッ
プ表面の遮光にも優れる。なお、樹脂コーティング外装
１５に代る保護コーティング外装があれば、それに代え
てもよい。
の厚さが数μｍ〜数十μｍであり、ベアチップサイズを
ほとんど変えずに強度マージンの向上したパッケージ形
態が得られる。また、コーティング外装色を選べばチッ
プ表面の遮光にも優れる。なお、樹脂コーティング外装
１５に代る保護コーティング外装があれば、それに代え
てもよい。
【００２０】上記のような薄い保護コーティング外装に
よって、ウェハレベルＣＳＰはそのサイズをほとんど変
えずに構成されるので、各種のウェハレベルＣＳＰある
いはＣＳＰを実現することができる。以下その幾つかを
図２〜図５に、第２〜第５実施例として示す。
よって、ウェハレベルＣＳＰはそのサイズをほとんど変
えずに構成されるので、各種のウェハレベルＣＳＰある
いはＣＳＰを実現することができる。以下その幾つかを
図２〜図５に、第２〜第５実施例として示す。
【００２１】図２は、図１の構成に比べてボール電極１
３の代りにスタッド電極２３を有するものである。能動
面２４以外のベアチップ２１表面に数μｍ〜数十μｍの
厚さの樹脂コーティング外装２５が被覆された形態をと
っている。
３の代りにスタッド電極２３を有するものである。能動
面２４以外のベアチップ２１表面に数μｍ〜数十μｍの
厚さの樹脂コーティング外装２５が被覆された形態をと
っている。
【００２２】図３は、図１の構成に比べて能動面３４
が、セラミック配線基板３２を介して配列されたランド
３３となっている。能動面３４以外のベアチップ３１表
面に数μｍ〜数十μｍの厚さの樹脂コーティング外装３
５が予め被覆された形態をとっている。
が、セラミック配線基板３２を介して配列されたランド
３３となっている。能動面３４以外のベアチップ３１表
面に数μｍ〜数十μｍの厚さの樹脂コーティング外装３
５が予め被覆された形態をとっている。
【００２３】図４は、図１の構成に比べて能動面４４
が、通常のチップ主表面に形成された電極はバンプ４３
になっており、ＣＯＦ（Chip On Flexible ）実装また
はＣＯＧ（Chip On Glass ）実装されている。実装接続
部周辺は保護部材４７の注入などで保護されている。能
動面４４以外のベアチップ４１表面に数μｍ〜数十μｍ
の厚さの樹脂コーティング外装４５が予め被覆された形
態をとっている。
が、通常のチップ主表面に形成された電極はバンプ４３
になっており、ＣＯＦ（Chip On Flexible ）実装また
はＣＯＧ（Chip On Glass ）実装されている。実装接続
部周辺は保護部材４７の注入などで保護されている。能
動面４４以外のベアチップ４１表面に数μｍ〜数十μｍ
の厚さの樹脂コーティング外装４５が予め被覆された形
態をとっている。
【００２４】図５は、図１の構成に比べて能動面５４
が、テープキャリア５２を介して繋がっている。ベアチ
ップ５１における能動面５４の各電極であるバンプ５３
は、テープキャリア５２の対応するフィンガーリード５
６に接続され、これら接続部を含む周辺はポッティング
樹脂５７により保護されている。テープキャリア５２は
所定部に外部接続用のボール電極等が形成される。能動
面５４以外のベアチップ５１表面に数μｍ〜数十μｍの
厚さの樹脂コーティング外装５５が予め被覆された形態
をとっている。
が、テープキャリア５２を介して繋がっている。ベアチ
ップ５１における能動面５４の各電極であるバンプ５３
は、テープキャリア５２の対応するフィンガーリード５
６に接続され、これら接続部を含む周辺はポッティング
樹脂５７により保護されている。テープキャリア５２は
所定部に外部接続用のボール電極等が形成される。能動
面５４以外のベアチップ５１表面に数μｍ〜数十μｍの
厚さの樹脂コーティング外装５５が予め被覆された形態
をとっている。
【００２５】図６は、本発明の半導体装置の封止方法に
おける第１実施形態に係るベアチップの樹脂コーティン
グについて説明する概略図である。図１に示したウェハ
レベルＣＳＰで説明する。
おける第１実施形態に係るベアチップの樹脂コーティン
グについて説明する概略図である。図１に示したウェハ
レベルＣＳＰで説明する。
【００２６】ベアチップ１１は、ウェハから切り出され
た段階で内部の集積回路に関係した複数の外部接続用の
ボール電極１３が設けられた能動面１４を有する。この
能動面１４をリセス６１に嵌め込み可能な台座などを用
い、能動面１４を除いて樹脂系溶剤をスプレーにより吹
き付ける。ある程度の厚さ（数μ〜数十μの範囲）で均
一に塗布された後、溶剤を飛ばして乾燥させる。これに
より、図１のような、能動面１４以外のベアチップ１１
表面に樹脂コーティング外装１５が被覆された形態を実
現する。
た段階で内部の集積回路に関係した複数の外部接続用の
ボール電極１３が設けられた能動面１４を有する。この
能動面１４をリセス６１に嵌め込み可能な台座などを用
い、能動面１４を除いて樹脂系溶剤をスプレーにより吹
き付ける。ある程度の厚さ（数μ〜数十μの範囲）で均
一に塗布された後、溶剤を飛ばして乾燥させる。これに
より、図１のような、能動面１４以外のベアチップ１１
表面に樹脂コーティング外装１５が被覆された形態を実
現する。
【００２７】図７は、本発明の半導体装置の封止方法に
おける第２実施形態に係るベアチップの樹脂コーティン
グについて説明する概略図である。図１に示したウェハ
レベルＣＳＰで説明する。
おける第２実施形態に係るベアチップの樹脂コーティン
グについて説明する概略図である。図１に示したウェハ
レベルＣＳＰで説明する。
【００２８】ベアチップ１１は、ウェハから切り出され
た段階で内部の集積回路に関係した複数の外部接続用の
ボール電極１３が設けられた能動面１４を有する。この
能動面１４を吸着するなどして保持し、能動面１４を除
いて樹脂系溶剤に漬浸する。粘性を調節すればある程度
の厚さ（数μ〜数十μの範囲）で均一に塗布される。そ
の後、溶剤を飛ばして乾燥させ、図１のように、能動面
１４以外のベアチップ１１表面に樹脂コーティング外装
１５が被覆された形態を実現する。
た段階で内部の集積回路に関係した複数の外部接続用の
ボール電極１３が設けられた能動面１４を有する。この
能動面１４を吸着するなどして保持し、能動面１４を除
いて樹脂系溶剤に漬浸する。粘性を調節すればある程度
の厚さ（数μ〜数十μの範囲）で均一に塗布される。そ
の後、溶剤を飛ばして乾燥させ、図１のように、能動面
１４以外のベアチップ１１表面に樹脂コーティング外装
１５が被覆された形態を実現する。
【００２９】上記のような実施形態に係る半導体装置の
封止方法によれば、樹脂系溶剤の吹き付け、あるいは樹
脂系溶剤への漬浸による短時間で安価な、しかも均一性
が得られる保護コーティングが実現される。また、コー
ティングの色を選べばチップ表面の遮光にも優れる。
封止方法によれば、樹脂系溶剤の吹き付け、あるいは樹
脂系溶剤への漬浸による短時間で安価な、しかも均一性
が得られる保護コーティングが実現される。また、コー
ティングの色を選べばチップ表面の遮光にも優れる。
【００３０】図８（ａ），（ｂ）は、上述の図６、図７
で示したような本発明の半導体装置の封止方法を用いて
実装方法の一例を説明する概略図である。
で示したような本発明の半導体装置の封止方法を用いて
実装方法の一例を説明する概略図である。
【００３１】図８（ａ）に示すように、ベアチップ８１
は、ウェハから切り出された段階で例えば主表面に複数
の外部接続用のバンプ８３が設けられた能動面８４を有
する。この能動面８４を例えば上記図６または図７で示
した方法を利用して能動面１４を除いて樹脂系溶剤を塗
布し、乾燥させる。その際、ベアチップ８１の取り扱い
は、図６の場合では能動面８４に対する裏面の吸着、図
７の場合では能動面８４に対する吸着を利用して操作す
る。
は、ウェハから切り出された段階で例えば主表面に複数
の外部接続用のバンプ８３が設けられた能動面８４を有
する。この能動面８４を例えば上記図６または図７で示
した方法を利用して能動面１４を除いて樹脂系溶剤を塗
布し、乾燥させる。その際、ベアチップ８１の取り扱い
は、図６の場合では能動面８４に対する裏面の吸着、図
７の場合では能動面８４に対する吸着を利用して操作す
る。
【００３２】上記のような工程を経て、略均一な厚さ
（数μ〜数十μの範囲）に塗布された樹脂コーティング
外装８５を有するベアチップ８１が形成される。ここで
はこれを保護コーティングチップ８１ｐと呼ぶ。
（数μ〜数十μの範囲）に塗布された樹脂コーティング
外装８５を有するベアチップ８１が形成される。ここで
はこれを保護コーティングチップ８１ｐと呼ぶ。
【００３３】その後、図８（ｂ）に示すように、フレキ
シブル基板やガラス基板などの実装基板８２に対し、保
護コーティングチップ８１ｐのバンプ８３が所定の実装
となるように能動面８４を合わせてフリップチップボン
ディングする。フリップチップボンディングは、例えば
ＡＣＦ（Anisotropic Conductive Film：異方性導電接
着材料または異方性導電膜）等を利用した電気的接続が
考えられる。
シブル基板やガラス基板などの実装基板８２に対し、保
護コーティングチップ８１ｐのバンプ８３が所定の実装
となるように能動面８４を合わせてフリップチップボン
ディングする。フリップチップボンディングは、例えば
ＡＣＦ（Anisotropic Conductive Film：異方性導電接
着材料または異方性導電膜）等を利用した電気的接続が
考えられる。
【００３４】図９（ａ），（ｂ）は、上述の図６、図７
で示したような本発明の半導体装置の封止方法を用いて
実装方法の他の例を説明する概略図である。
で示したような本発明の半導体装置の封止方法を用いて
実装方法の他の例を説明する概略図である。
【００３５】図９（ａ）に示すように、ベアチップ９１
は、ウェハから切り出された段階で例えば主表面に複数
の外部接続用のバンプ９３が設けられた能動面９４を有
する。この能動面９４を例えば上記図６または図７で示
した方法を利用して、略均一な厚さ（数μ〜数十μの範
囲）に塗布された樹脂コーティング外装９５を有するベ
アチップ９１が形成される。ここではこれを保護コーテ
ィングチップ９１ｐと呼ぶ。
は、ウェハから切り出された段階で例えば主表面に複数
の外部接続用のバンプ９３が設けられた能動面９４を有
する。この能動面９４を例えば上記図６または図７で示
した方法を利用して、略均一な厚さ（数μ〜数十μの範
囲）に塗布された樹脂コーティング外装９５を有するベ
アチップ９１が形成される。ここではこれを保護コーテ
ィングチップ９１ｐと呼ぶ。
【００３６】その後、図９（ｂ）に示すように、テープ
キャリアなどの実装基板９２に対し保護コーティングチ
ップ９１ｐのバンプ９３を所定の実装となるように合わ
せてテープキャリアボンディングする。テープキャリア
ボンディングは、例えばＴＡＢ（Tape Automated Bondi
ng）等を利用した一括ボンディングが考えられる。
キャリアなどの実装基板９２に対し保護コーティングチ
ップ９１ｐのバンプ９３を所定の実装となるように合わ
せてテープキャリアボンディングする。テープキャリア
ボンディングは、例えばＴＡＢ（Tape Automated Bondi
ng）等を利用した一括ボンディングが考えられる。
【００３７】上記それぞれの本発明に係る半導体装置の
実装方法によれば、保護コーティングチップ８１ｐ，９
１ｐは、少なくとも取り扱いにおけるチップ保護を満足
する。しかもベアチップサイズをほとんど変えずに強度
マージンが向上する。これにより、今までと同様に支障
なく実装ができ、多品種への適応に優れ汎用的である。
実装方法によれば、保護コーティングチップ８１ｐ，９
１ｐは、少なくとも取り扱いにおけるチップ保護を満足
する。しかもベアチップサイズをほとんど変えずに強度
マージンが向上する。これにより、今までと同様に支障
なく実装ができ、多品種への適応に優れ汎用的である。
【００３８】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、能
動面以外のベアチップ表面に保護コーティング外装を施
す。ベアチップが保護コーティング外装、好ましくは樹
脂コーティング外装を施していることにより、少なくと
も取り扱いにおけるチップ保護を満足する。しかもこの
樹脂コーティング外装は薄い被膜なので、ベアチップサ
イズをほとんど変えずに強度マージンの向上したパッケ
ージ形態が得られる。また、コーティング外装色を選べ
ばチップ表面の遮光にも優れる。この結果、安価な構成
で取り扱いの強度を高め、高信頼性の半導体パッケージ
製品を実現する半導体装置及びその封止方法及びそれを
用いた実装方法を提供することができる。
動面以外のベアチップ表面に保護コーティング外装を施
す。ベアチップが保護コーティング外装、好ましくは樹
脂コーティング外装を施していることにより、少なくと
も取り扱いにおけるチップ保護を満足する。しかもこの
樹脂コーティング外装は薄い被膜なので、ベアチップサ
イズをほとんど変えずに強度マージンの向上したパッケ
ージ形態が得られる。また、コーティング外装色を選べ
ばチップ表面の遮光にも優れる。この結果、安価な構成
で取り扱いの強度を高め、高信頼性の半導体パッケージ
製品を実現する半導体装置及びその封止方法及びそれを
用いた実装方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施形態に係るウェハレベルＣＳ
Ｐ（Chip Size Package ）の構成を示す要部の断面図で
ある。
Ｐ（Chip Size Package ）の構成を示す要部の断面図で
ある。
【図２】本発明の第２実施形態に係るウェハレベルＣＳ
Ｐの構成を示す要部の断面図である。
Ｐの構成を示す要部の断面図である。
【図３】本発明の第３実施形態に係るウェハレベルＣＳ
Ｐの構成を示す要部の断面図である。
Ｐの構成を示す要部の断面図である。
【図４】本発明の第４実施形態に係るウェハレベルＣＳ
Ｐの構成を示す要部の断面図である。
Ｐの構成を示す要部の断面図である。
【図５】本発明の第５実施形態に係るウェハレベルＣＳ
Ｐの構成を示す要部の断面図である。
Ｐの構成を示す要部の断面図である。
【図６】本発明の半導体装置の封止方法における第１実
施形態に係るベアチップの樹脂コーティングについて説
明する概略図である。
施形態に係るベアチップの樹脂コーティングについて説
明する概略図である。
【図７】本発明の半導体装置の封止方法における第２実
施形態に係るベアチップの樹脂コーティングについて説
明する概略図である。
施形態に係るベアチップの樹脂コーティングについて説
明する概略図である。
【図８】（ａ），（ｂ）は、上述の図６、図７で示した
ような本発明の半導体装置の封止方法を用いて実装方法
の他の例を説明する概略図である。
ような本発明の半導体装置の封止方法を用いて実装方法
の他の例を説明する概略図である。
【図９】（ａ），（ｂ）は、上述の図６、図７で示した
ような本発明の半導体装置の封止方法を用いて実装方法
の一例を説明する概略図である。
ような本発明の半導体装置の封止方法を用いて実装方法
の一例を説明する概略図である。
【図１０】ウェハレベルＣＳＰの一例を示す断面図であ
る。
る。
１１，２１，３１，４１，５１，８１，９１，１０１…
ベアチップ １２…多層配線層 １３，１０２…ボール電極 １４，２４，３４，４４，５４，８４，９４，１０３…
能動面 １５，２５，３５，４５，５５，８５，９５…樹脂コー
ティング外装 ３２…セラミック配線基板 ３３…ランド ４３，５３，８３，９３…バンプ ４７…保護部材 ５２…テープキャリア ５６…フィンガーリード ５３…電極 ５７…ポッティング樹脂 ６１…リセス ８１ｐ，９１ｐ…保護コーティングチップ ８２，９２…実装基板
ベアチップ １２…多層配線層 １３，１０２…ボール電極 １４，２４，３４，４４，５４，８４，９４，１０３…
能動面 １５，２５，３５，４５，５５，８５，９５…樹脂コー
ティング外装 ３２…セラミック配線基板 ３３…ランド ４３，５３，８３，９３…バンプ ４７…保護部材 ５２…テープキャリア ５６…フィンガーリード ５３…電極 ５７…ポッティング樹脂 ６１…リセス ８１ｐ，９１ｐ…保護コーティングチップ ８２，９２…実装基板
Claims (9)
- 【請求項１】 ベアチップに設けられ、内部の集積回路
に関係した複数の外部接続用の電極を有する能動面と、 前記能動面以外のベアチップ表面に被覆された保護コー
ティング外装と、を具備したことを特徴とする半導体装
置。 - 【請求項２】 ベアチップに設けられ、内部の集積回路
に関係した複数の外部接続用の電極を有する能動面と、 前記能動面以外のベアチップ表面に被覆された樹脂コー
ティング外装と、を具備したことを特徴とする半導体装
置。 - 【請求項３】 前記能動面は、突起した電極が配列され
る配線層が設けられていることを特徴とする請求項１ま
たは２記載の半導体装置。 - 【請求項４】 前記能動面は、ランドの電極が配列され
る配線基板が設けられていることを特徴とする請求項１
または２記載の半導体装置。 - 【請求項５】 前記能動面は、テープキャリアの接続部
を含むことを特徴とする請求項１または２記載の半導体
装置。 - 【請求項６】 ウェハより切り出し後のベアチップにお
いて、内部の集積回路に関係した複数の外部接続用の電
極を有する能動面を除き、樹脂系溶剤を吹き付ける工程
と、 前記ベアチップに塗布された樹脂系溶剤を乾燥させる工
程と、を具備したことを特徴とする半導体装置の封止方
法。 - 【請求項７】 ウェハより切り出し後のベアチップにお
いて、内部の集積回路に関係した複数の外部接続用の電
極を有する能動面を除き、樹脂系溶剤に漬浸する工程
と、 前記ベアチップに塗布された樹脂系溶剤を乾燥させる工
程と、を具備したことを特徴とする半導体装置の封止方
法。 - 【請求項８】 請求項６または７に記載の半導体装置の
封止方法を適用して保護コーティングチップとなり、 前記保護コーティングチップ内部の集積回路に関係し複
数の外部接続用の電極を有する能動面を所定の基板実装
部に合わせてフリップチップボンディングする工程と、 少なくともボンディング接続部を保護部材で覆う工程
と、を具備したことを特徴とする半導体装置の実装方
法。 - 【請求項９】 請求項６または７に記載の半導体装置の
封止方法を適用して保護コーティングチップとなり、 前記保護コーティングチップ内部の集積回路に関係し複
数の外部接続用の電極を有する能動面の各電極と、実装
部側における複数のリード端子それぞれとを位置合わせ
してテープキャリアボンディングする工程と、 少なくとも前記能動面側及びボンディング接続部周辺に
亘り保護部材で覆う工程と、を具備したことを特徴とす
る半導体装置の実装方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001240373A JP2003060130A (ja) | 2001-08-08 | 2001-08-08 | 半導体装置及びその封止方法及びそれを用いた実装方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001240373A JP2003060130A (ja) | 2001-08-08 | 2001-08-08 | 半導体装置及びその封止方法及びそれを用いた実装方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003060130A true JP2003060130A (ja) | 2003-02-28 |
Family
ID=19070995
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001240373A Withdrawn JP2003060130A (ja) | 2001-08-08 | 2001-08-08 | 半導体装置及びその封止方法及びそれを用いた実装方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003060130A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006114867A (ja) * | 2004-09-17 | 2006-04-27 | Casio Comput Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
-
2001
- 2001-08-08 JP JP2001240373A patent/JP2003060130A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006114867A (ja) * | 2004-09-17 | 2006-04-27 | Casio Comput Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20081104 |