JP2003059987A - Semiconductor wafer prober and method for measuring electric characteristic of semiconductor chip using the same - Google Patents
Semiconductor wafer prober and method for measuring electric characteristic of semiconductor chip using the sameInfo
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体ウェハー
上に形成された複数の半導体チップの電気的特性を測定
する半導体ウェハープローバおよびそれを用いた半導体
チップの電気的特性の測定方法に関する。詳しくは、半
導体ウェハープローバに測定用プローブのコンタクト抵
抗を測定するコンタクト抵抗測定部を設けて、半導体チ
ップの電気的特性を測定する途中でプローブのコンタク
ト抵抗をテストボードにプローブカードをセットしたま
まで任意の頻度で確認できるようにすることで、生産性
をそれほど低下させることなく、測定用プローブのコン
タクト抵抗の上昇による半導体チップの電気的特性の測
定異常を未然に防止できる半導体ウェハープローバおよ
びそれを用いた半導体チップの電気的特性の測定方法に
係るものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor wafer prober for measuring electrical characteristics of a plurality of semiconductor chips formed on a semiconductor wafer and a method for measuring electrical characteristics of semiconductor chips using the semiconductor wafer prober. Specifically, a semiconductor wafer prober is equipped with a contact resistance measurement unit that measures the contact resistance of the measurement probe, and while measuring the electrical characteristics of the semiconductor chip, the contact resistance of the probe can be left on the test board with the probe card set. By making it possible to confirm at any frequency, it is possible to prevent abnormal measurement of the electrical characteristics of the semiconductor chip due to an increase in the contact resistance of the measurement probe without significantly reducing productivity, and a semiconductor wafer prober and it. The present invention relates to a method for measuring electrical characteristics of a semiconductor chip used.
【0002】[0002]
【従来の技術】半導体装置の製造工程では、ウェハープ
ロセスで半導体ウェハー上に1個1個の半導体チップが
形成され、その後にこれらの半導体ウェハー上に形成さ
れた複数の半導体チップの電気的特性を測定するプロー
ブテストが行われる。従来このプローブテストは、例え
ば図7に示すような半導体ウェハープローバ1を用い行
われている。図7に示すように、この半導体ウェハープ
ローバ1は、測定用プローブ11が設けられたプローブ
カード12と、ウェハー20aを保持するための保持用
ステージ20と、プローブ11の先端を研磨する研磨機
構30と、測定用テスター40とから構成されている。
プローブカード12はテストボード10に装着されて使
用される。2. Description of the Related Art In the process of manufacturing a semiconductor device, a semiconductor chip is formed on a semiconductor wafer by a wafer process, and then the electrical characteristics of a plurality of semiconductor chips formed on these semiconductor wafers are measured. A measuring probe test is performed. Conventionally, this probe test is performed using a semiconductor wafer prober 1 as shown in FIG. 7, for example. As shown in FIG. 7, the semiconductor wafer prober 1 includes a probe card 12 provided with a measurement probe 11, a holding stage 20 for holding a wafer 20a, and a polishing mechanism 30 for polishing the tip of the probe 11. And a measurement tester 40.
The probe card 12 is mounted on the test board 10 for use.
【0003】プローブカード12には、半導体チップの
電極パッドと接触するために複数の針状端子を有するプ
ローブ11が設けられている。このプローブカード12
は、テストボード10およびケーブル40aを介してテ
スター40に接続される。テスター40からの電気信号
をプローブカード12を介して半導体チップに入力し、
また半導体チップからの信号をプローブカード12を介
してテスター40に転送する。The probe card 12 is provided with a probe 11 having a plurality of needle-like terminals for making contact with the electrode pads of the semiconductor chip. This probe card 12
Is connected to the tester 40 via the test board 10 and the cable 40a. The electric signal from the tester 40 is input to the semiconductor chip via the probe card 12,
Further, the signal from the semiconductor chip is transferred to the tester 40 via the probe card 12.
【0004】ステージ20は、真空吸着により測定しよ
うとするウェハー20aを保持することができる。ま
た、このステージ20はX,Y,Zの三次元方向に移動
できるように、水平(X,Y方向)駆動部21と垂直
(Z方向)駆動部22が設けられる。The stage 20 can hold a wafer 20a to be measured by vacuum suction. Further, a horizontal (X, Y direction) drive unit 21 and a vertical (Z direction) drive unit 22 are provided so that the stage 20 can move in three-dimensional directions of X, Y, Z.
【0005】研磨機構30は、研磨板30aと、この研
磨板30aが装着される研磨ステージ30bとからなっ
ている。この研磨ステージ30bは接合治具30cによ
って保持用ステージ20に接合されている。この研磨機
構30は、プローブ11の先端を研磨するためのもので
ある。The polishing mechanism 30 comprises a polishing plate 30a and a polishing stage 30b on which the polishing plate 30a is mounted. The polishing stage 30b is joined to the holding stage 20 by a joining jig 30c. The polishing mechanism 30 is for polishing the tip of the probe 11.
【0006】図7に示すような半導体ウェハープローバ
1を用いてウェハー状態の半導体チップの電気的特性を
測定する場合、まず、ウェハー20aの表面を上向きに
して、真空吸着によりウェハー20aをステージ20の
表面に保持する。次に、水平駆動部21によりステージ
20を水平に移動し、測定しようとする半導体チップの
位置を決めてから、このステージ20を垂直駆動部22
により上方に移動し、半導体チップの電極パッドとプロ
ーブ11とを接触させ、測定を行う。When the electrical characteristics of a semiconductor chip in a wafer state are measured using the semiconductor wafer prober 1 as shown in FIG. 7, first, the surface of the wafer 20a is faced up, and the wafer 20a is mounted on the stage 20 by vacuum suction. Hold on the surface. Next, the stage 20 is moved horizontally by the horizontal drive unit 21 to determine the position of the semiconductor chip to be measured, and then the stage 20 is moved to the vertical drive unit 22.
Then, the electrode pad of the semiconductor chip and the probe 11 are brought into contact with each other to measure.
【0007】このとき、テスター40からプローブ11
を介して半導体チップに電源電圧を加えた状態で所定の
波形の入力信号を半導体チップに与え、半導体チップを
動作させる。また、半導体チップからの出力信号がテス
ター40に戻ってくる。テスター40は、このときの半
導体チップの出力信号の波形を、あらかじめプログラム
されている正常な信号波形と比較判断し、この半導体チ
ップの良・否を判断する。At this time, from the tester 40 to the probe 11
An input signal having a predetermined waveform is applied to the semiconductor chip in a state where a power supply voltage is applied to the semiconductor chip through the semiconductor chip to operate the semiconductor chip. Further, the output signal from the semiconductor chip returns to the tester 40. The tester 40 compares the waveform of the output signal of the semiconductor chip at this time with a pre-programmed normal signal waveform to determine whether the semiconductor chip is good or bad.
【0008】上述したように、一つの半導体チップの測
定完了後、ステージ20の垂直駆動部22がもとの位置
まで下がり、水平方向に駆動する水平駆動部21が次の
半導体チップの測定位置に移動し、再びステージ20を
垂直駆動部22により上方に移動することにより、次の
半導体チップの測定を行う。As described above, after the measurement of one semiconductor chip is completed, the vertical drive unit 22 of the stage 20 is lowered to its original position, and the horizontal drive unit 21 driven in the horizontal direction is moved to the measurement position of the next semiconductor chip. By moving the stage 20 again by the vertical drive unit 22, the next semiconductor chip is measured.
【0009】図7に示すような半導体ウェハープローバ
1で、半導体チップの電気的特性の測定を正確に行うた
めには、半導体チップの電極パッドに測定プローブ11
を一定の値以下のコンタクト抵抗で接触することが必要
である。また、プローブ11は消耗品であるため、測定
によるダメージ(例えば表面に膜が付着して、または先
端変形)で先端が経時的に変化し、コンタクト抵抗は高
まる方へシフトする。そのため、従来は、任意に設定で
きる頻度で、プローブ11の先端を研磨板30aで研磨
し、プローブ11のコンタクト抵抗の上昇を抑えること
が行われている。In the semiconductor wafer prober 1 as shown in FIG. 7, in order to accurately measure the electrical characteristics of the semiconductor chip, the measuring probe 11 is attached to the electrode pad of the semiconductor chip.
Must be contacted with a contact resistance of a certain value or less. Further, since the probe 11 is a consumable item, the tip changes with time due to damage due to measurement (for example, a film is attached to the surface or tip deformation), and the contact resistance shifts to a higher direction. Therefore, conventionally, the tip of the probe 11 is polished by the polishing plate 30a at a frequency that can be arbitrarily set to suppress an increase in the contact resistance of the probe 11.
【0010】[0010]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た半導体ウェハープローバ1を用いて半導体チップの電
気的特性を測定する場合、どのような状態でプローブ1
1のコンタクト抵抗が上昇するかを予測するのが難し
く、作業者は測定異常が発生することを恐れるあまり、
頻繁にプローブ11の研磨を実施することとなり、この
ため、プローブ11の先端が度重なる研磨で磨耗し、そ
の性能を維持できなくなる。また、研磨後のコンタクト
抵抗の確認は、一旦、プローブ11を取り外して専用の
プローブテスターで測定しなければならず、これにより
再度半導体ウェハープローバ1にセットする作業が発生
し、生産性が著しく低下する。逆に、プローブ11の寿
命を延ばすために研磨の頻度を落とすと、コンタクト抵
抗不良による測定異常が発生し歩留の低下につながると
いう問題点がある。However, when measuring the electrical characteristics of a semiconductor chip using the above-mentioned semiconductor wafer prober 1, the probe 1 may be used in any state.
It is difficult to predict whether the contact resistance of 1 will increase, and the operator is afraid that a measurement abnormality will occur,
Since the probe 11 is frequently polished, the tip of the probe 11 is abraded by repeated polishing, and its performance cannot be maintained. Further, in order to confirm the contact resistance after polishing, the probe 11 must be removed once and measured with a dedicated probe tester, which causes a work of setting the probe 11 again on the semiconductor wafer prober 1, resulting in a significant decrease in productivity. To do. On the contrary, if the frequency of polishing is reduced in order to extend the life of the probe 11, there is a problem that a measurement abnormality occurs due to a defective contact resistance and a yield is reduced.
【0011】そこで、この発明は、半導体ウェハーの生
産性をそれほど低下させることなく、測定用プローブの
コンタクト抵抗の上昇による半導体チップの電気的特性
の測定異常を防止し得る半導体ウェハープローバおよび
それを用いた半導体チップの電気的特性の測定方法を提
供することを目的とする。Therefore, the present invention is directed to a semiconductor wafer prober and a semiconductor wafer prober which can prevent abnormal measurement of electrical characteristics of a semiconductor chip due to an increase in contact resistance of a measurement probe without significantly lowering the productivity of the semiconductor wafer. Another object of the present invention is to provide a method for measuring the electrical characteristics of a semiconductor chip.
【0012】[0012]
【課題を解決するための手段】この発明に係る半導体ウ
ェハープローバは、測定用プローブを半導体ウェハー上
に形成された半導体チップの電極パッドに接触させ、こ
の半導体チップの電気的特性を測定する半導体ウェハー
プローバであって、半導体ウェハーを保持する保持用ス
テージと、測定用プローブを有するプローブカードをセ
ットするテストボードと、測定用プローブのコンタクト
抵抗を測定するためのコンタクト抵抗測定用ウェハーを
有するコンタクト抵抗測定部と、テストボードにケーブ
ルを介して接続される、半導体チップの電気的特性およ
び測定用プローブのコンタクト抵抗を測定するためのテ
スターと、半導体チップの電気的特性を測定する際には
測定用プローブが半導体ウェハーの所定の半導体チップ
の電極パッドに接触するように保持用ステージを移動
し、測定用プローブのコンタクト抵抗を測定する際には
測定用プローブがコンタクト抵抗測定用ウェハーの表面
に接触するようにコンタクト抵抗測定部を移動する駆動
手段とを備えるものである。A semiconductor wafer prober according to the present invention is a semiconductor wafer in which a measuring probe is brought into contact with an electrode pad of a semiconductor chip formed on the semiconductor wafer to measure the electrical characteristics of the semiconductor chip. A contact resistance measurement including a holding stage for holding a semiconductor wafer, a test board for setting a probe card having a measuring probe, and a contact resistance measuring wafer for measuring the contact resistance of the measuring probe. Section, a tester connected to the test board via a cable for measuring the electrical characteristics of the semiconductor chip and the contact resistance of the measuring probe, and a measurement probe for measuring the electrical characteristics of the semiconductor chip. Contact the electrode pad of the specified semiconductor chip on the semiconductor wafer. And a drive means for moving the contact resistance measuring unit so that the measuring probe contacts the surface of the contact resistance measuring wafer when measuring the contact resistance of the measuring probe. It is a thing.
【0013】この発明に係る半導体チップの電気的特性
の測定方法は、測定用プローブを半導体ウェハー上に形
成された半導体チップの電極パッドに接触させ、この半
導体チップの電気的特性を測定する測定方法であって、
半導体チップの電気的特性を測定する前に、コンタクト
抵抗測定部を用いて測定用プローブのコンタクト抵抗を
測定し、この測定の結果を基づいてコンタクト抵抗の管
理値を決定し、一定回数の半導体チップの電気的特性の
測定毎に、測定用プローブのコンタクト抵抗を測定し、
このコンタクト抵抗の測定値が管理値以上のとき、測定
用プローブを研磨し、このコンタクト抵抗の測定値が管
理値より小さいとき、半導体チップの電気的特性の測定
を続けるものである。A method of measuring the electrical characteristics of a semiconductor chip according to the present invention is a method of measuring the electrical characteristics of a semiconductor chip by bringing a measuring probe into contact with an electrode pad of the semiconductor chip formed on a semiconductor wafer. And
Before measuring the electrical characteristics of the semiconductor chip, the contact resistance of the measuring probe is measured using the contact resistance measuring unit, and the control value of the contact resistance is determined based on the result of this measurement. For each measurement of the electrical characteristics of, measure the contact resistance of the measurement probe,
When the measured value of the contact resistance is equal to or higher than the control value, the measurement probe is polished, and when the measured value of the contact resistance is lower than the control value, the measurement of the electrical characteristics of the semiconductor chip is continued.
【0014】この発明においては、半導体ウェハープロ
ーバに測定用プローブのコンタクト抵抗を測定するコン
タクト抵抗測定部を設けることにより、半導体チップの
電気的特性を測定する途中で測定用プローブのコンタク
ト抵抗をテストボードにプローブカードをセットしたま
まで任意の頻度で確認することができ、生産性をそれほ
ど低下させることなく、プローブのコンタクト抵抗の上
昇による半導体チップの電気的特性の測定異常を未然に
防止することが可能となる。In the present invention, the semiconductor wafer prober is provided with the contact resistance measuring section for measuring the contact resistance of the measuring probe, so that the contact resistance of the measuring probe can be measured while the electrical characteristics of the semiconductor chip are being measured. The probe card can be checked at any frequency with it set, and it is possible to prevent abnormal measurement of the electrical characteristics of the semiconductor chip due to an increase in the contact resistance of the probe without reducing productivity. It will be possible.
【0015】また、プローブの研磨を実施する前にコン
タクト抵抗の確認を行い、研磨の必要性を確認できるた
め、プローブ研磨の回数を抑制でき、プローブの寿命を
延ばすことが可能となる。Further, since the contact resistance can be confirmed before the probe is polished and the necessity of polishing can be confirmed, the number of times of probe polishing can be suppressed and the life of the probe can be extended.
【0016】また、各々の頻度で採取したデータを蓄積
プログラム制御(Stored Program Control)等の手法を
用いて傾向管理することができるため、プローブ先端の
劣化によるコンタクト抵抗の上昇を未然に発見し、測定
異常の発生を未然に防止することが可能となる。また、
高価な設備であるプローブ専用のプローブテスターが必
要がなく、経費を削減できる。Further, since data collected at each frequency can be trend-managed by using a method such as stored program control, an increase in contact resistance due to deterioration of the tip of the probe can be found in advance. It is possible to prevent occurrence of measurement abnormality. Also,
Costs can be reduced because there is no need for a probe tester dedicated to probes, which is expensive equipment.
【0017】[0017]
【発明の実施の形態】図1は、この発明の実施の形態と
しての半導体ウェハープローバ100の構成を示してい
る。この半導体ウェハープローバ100は、半導体ウェ
ハー上に形成された複数の半導体チップの電気的特性を
測定するためのものである。この図1において、図7と
対応する部分には同一符号を付し、その詳細説明は省略
する。1 shows the structure of a semiconductor wafer prober 100 according to an embodiment of the present invention. This semiconductor wafer prober 100 is for measuring the electrical characteristics of a plurality of semiconductor chips formed on a semiconductor wafer. In FIG. 1, parts corresponding to those in FIG. 7 are designated by the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted.
【0018】図1に示すように、半導体ウェハープロー
バ100は、測定用プローブ11が設けられたプローブ
カード12と、半導体ウェハー20aを保持するための
保持用ステージ20と、プローブ11の先端を研磨する
研磨機構30と、プローブ11のコンタクト抵抗を測定
するコンタクト抵抗測定部50と、半導体チップの電気
的特性およびプローブ11のコンタクト抵抗を測定する
テスター60とから構成されている。プローブカード1
2はテストボード10に装着されて使用される。As shown in FIG. 1, the semiconductor wafer prober 100 polishes the probe card 12 provided with the measurement probe 11, the holding stage 20 for holding the semiconductor wafer 20a, and the tip of the probe 11. The polishing mechanism 30 includes a contact resistance measuring unit 50 that measures the contact resistance of the probe 11, and a tester 60 that measures the electrical characteristics of the semiconductor chip and the contact resistance of the probe 11. Probe card 1
2 is mounted on the test board 10 for use.
【0019】プローブカード12には、半導体チップの
電極パッドと接触するための複数の針状端子を有するプ
ローブ11を設けられている。このプローブカード12
は、テストボード10およびケーブル60aを介してテ
スター60に接続される。テスター60からの電気信号
をプローブカード12を介して半導体チップに入力し、
また半導体チップからの信号をプローブカード12を介
してテスター60に転送する。The probe card 12 is provided with a probe 11 having a plurality of needle terminals for contacting the electrode pads of the semiconductor chip. This probe card 12
Is connected to the tester 60 via the test board 10 and the cable 60a. The electric signal from the tester 60 is input to the semiconductor chip via the probe card 12,
Further, the signal from the semiconductor chip is transferred to the tester 60 via the probe card 12.
【0020】ステージ20は、真空吸着により測定しよ
うとするウェハー20aを保持することができる。ま
た、このステージ20はX,Y,Zの三次元方向に移動
できるように、駆動手段としての水平(X,Y方向)駆
動部21と垂直(Z方向)駆動部22が設けられてい
る。ステージ20の移動は、制御ラインは図示していな
いが、テスター60からのコントロール信号により制御
される。The stage 20 can hold the wafer 20a to be measured by vacuum suction. Further, the stage 20 is provided with a horizontal (X, Y direction) drive unit 21 and a vertical (Z direction) drive unit 22 as drive means so that the stage 20 can move in three-dimensional directions of X, Y, Z. The movement of the stage 20 is controlled by a control signal from the tester 60, although a control line is not shown.
【0021】研磨機構30は、研磨板30aと、この研
磨板30aが装着される研磨ステージ30bからなって
いる。この研磨ステージ30bは接合治具30cによっ
て保持用ステージ20に接合されている。この研磨機構
30は、プローブ11の先端を研磨するためのものであ
る。The polishing mechanism 30 comprises a polishing plate 30a and a polishing stage 30b on which the polishing plate 30a is mounted. The polishing stage 30b is joined to the holding stage 20 by a joining jig 30c. The polishing mechanism 30 is for polishing the tip of the probe 11.
【0022】コンタクト抵抗測定部50は、コンタクト
抵抗測定用ウェハー50aと、この測定用ウェハー50
aが装着されるコンタクト抵抗測定ステージ50bとか
らなっている。この測定ステージ50bは、接合治具5
0cによって保持用ステージ20に接合されている。測
定用ウェハー50aの表面には、比抵抗値の小さな層
(例えばAl、Auを蒸着したもの)が形成されてい
る。また、測定用ウェハー50aは真空吸着または機械
的固定機構により測定ステージ50bに固定される。The contact resistance measuring section 50 includes a contact resistance measuring wafer 50a and the measuring wafer 50.
and a contact resistance measuring stage 50b to which a is mounted. This measuring stage 50b is connected to the joining jig 5
It is joined to the holding stage 20 by 0c. On the surface of the measurement wafer 50a, a layer having a small specific resistance value (for example, a film obtained by vapor deposition of Al or Au) is formed. The measuring wafer 50a is fixed to the measuring stage 50b by vacuum suction or a mechanical fixing mechanism.
【0023】テスタ−60は、測定する半導体チップの
電気的特性およびプローブ11のコンタクト抵抗を測定
するための電気信号の授受および処理を行うものであ
る。The tester 60 sends and receives and processes an electrical signal for measuring the electrical characteristics of the semiconductor chip to be measured and the contact resistance of the probe 11.
【0024】このような半導体ウェハープローバ100
を用い、半導体チップの電気的特性を測定する場合、ま
ず、コンタクト抵抗測定部50でプローブ11のコンタ
クト抵抗を測定し、これを基づいてコンタクト抵抗の管
理値を決定し、次に、プローブ11のコンタクト抵抗の
確認頻度を設定し、次に、半導体チップの電気的特性の
測定を行い、この測定の途中で、上述設定された確認頻
度でプローブ11のコンタクト抵抗を測定し、この測定
値を管理値と比較して、測定値が管理値以上のとき、プ
ローブ11を研磨し、測定値が管理値より小さいとき、
半導体チップの電気的特性の測定を続ける。Such a semiconductor wafer prober 100
When measuring the electrical characteristics of the semiconductor chip by using, the contact resistance of the probe 11 is first measured by the contact resistance measuring unit 50, and the control value of the contact resistance is determined based on the measured contact resistance. The contact resistance confirmation frequency is set, then the electrical characteristics of the semiconductor chip are measured, and in the middle of this measurement, the contact resistance of the probe 11 is measured at the confirmation frequency set as described above, and this measured value is managed. Compared with the value, when the measured value is above the control value, the probe 11 is polished, and when the measured value is less than the control value,
Continue measuring the electrical characteristics of the semiconductor chip.
【0025】この半導体チップの電気的特性を測定する
方法について、図1〜図3を参照してさらに説明する。
図2は、測定用プローブ11の構成を示し、図3は、測
定処理を示すフローチャートである。まず、図1に示す
ように、ウェハー20aの表面を上向きにして、真空吸
着によりウェハー20aをステージ20の上に保持す
る。A method of measuring the electrical characteristics of this semiconductor chip will be further described with reference to FIGS.
FIG. 2 shows the configuration of the measurement probe 11, and FIG. 3 is a flowchart showing the measurement process. First, as shown in FIG. 1, with the surface of the wafer 20a facing upward, the wafer 20a is held on the stage 20 by vacuum suction.
【0026】次に、図3に示すステップS1を行う。事
前に適正と判断されたプローブカード12を半導体ウェ
ハープローバ100のテストボード10にセットし、水
平駆動部21でステージ20を水平に移動させ、コンタ
クト抵抗測定部50をプローブ11の下に移動させる。
また、垂直駆動部22でコンタクト抵抗測定ステージ5
0bを上方に移動させ、コンタクト抵抗測定用ウェハー
50aにプローブ11を接触させ、プローブ11のコン
タクト抵抗を測定する。例えば、図2に示すようなプロ
ーブ構成の場合は、11a−11b間、11b−11c
間、11c−11d間、11d−11e間、11e−1
1f間、11f−11g間、11g−11h間、11h
−11a間の各々の抵抗値を測定し、その測定結果をテ
スター60内のメモリに記憶させる。ここで得られた抵
抗値からコンタクト抵抗の管理値を決め、テスター60
内のメモリに保持しておく。Next, step S1 shown in FIG. 3 is performed. The probe card 12 determined to be proper in advance is set on the test board 10 of the semiconductor wafer prober 100, the stage 20 is horizontally moved by the horizontal drive unit 21, and the contact resistance measurement unit 50 is moved below the probe 11.
In addition, the vertical drive unit 22 uses the contact resistance measurement stage 5
0b is moved upward, the probe 11 is brought into contact with the contact resistance measuring wafer 50a, and the contact resistance of the probe 11 is measured. For example, in the case of the probe configuration as shown in FIG. 2, between 11a-11b, 11b-11c
, 11c-11d, 11d-11e, 11e-1
Between 1f, 11f-11g, 11g-11h, 11h
Each resistance value between −11a is measured, and the measurement result is stored in the memory in the tester 60. The contact resistance control value is determined from the resistance value obtained here, and the tester 60
Keep it in the internal memory.
【0027】この場合、各プローブ間の抵抗Rは、図4
に示すように、プローブ(例えば11a)のコンタクト
抵抗(R11a)と、プローブ(例えば11b)のコン
タクト抵抗(R11b)と、この両プローブ間のコンタ
クト抵抗測定用ウェハー50aの表面の抵抗rとの和で
ある。各プローブのコンタクト抵抗(例えばR11a)
は、通常例えば約0.5Ωであり、コンタクト抵抗測定
用ウェハー50aの表面の抵抗rはほぼゼロである。In this case, the resistance R between the probes is as shown in FIG.
As shown in, the sum of the contact resistance (R11a) of the probe (for example, 11a), the contact resistance (R11b) of the probe (for example, 11b), and the resistance r of the surface of the contact resistance measuring wafer 50a between the both probes. Is. Contact resistance of each probe (eg R11a)
Is usually about 0.5Ω, and the resistance r on the surface of the contact resistance measuring wafer 50a is almost zero.
【0028】次に、ステップS2を行う。プローブ11
のコンタクト抵抗の確認頻度をテスター60に任意に設
定する。例えば、N回の半導体チップの電気的特性の測
定ごとに、プローブ11のコンタクト抵抗を測定するよ
うな指示する内容を測定プログラム内に付加する。この
Nはウェハー内の総チップ数としてもよい。Next, step S2 is performed. Probe 11
The check frequency of the contact resistance is set to the tester 60 arbitrarily. For example, the content of the instruction to measure the contact resistance of the probe 11 is added to the measurement program each time the electrical characteristics of the semiconductor chip are measured N times. This N may be the total number of chips in the wafer.
【0029】次に、ステップS3を行う。半導体チップ
の電気的特性の測定作業の回数を確認し、設定回数でな
い場合、ステップ6で、半導体チップの電気的特性の測
定作業を実行する。このとき、ステージ20の水平駆動
部21でステージ20を水平に移動し、測定しようとす
る半導体チップの位置を決めてから、このステージ20
を垂直駆動部22で上方に移動し、半導体チップの電極
パッドとプローブ11とを接触させ、テスター60から
プローブ11を介し半導体チップに電源電圧を加えた状
態で一定の波形入力信号を半導体チップに与え、半導体
チップを動作させる。また、半導体チップからの出力信
号の波形を測定する。この出力信号の波形を、あらかじ
めプログラムされている正常な信号波形と比較判断し、
半導体チップの良・否を判断する。Next, step S3 is performed. The number of times of measuring the electrical characteristics of the semiconductor chip is confirmed, and if the number of times is not the set number of times, the measuring operation of the electrical characteristics of the semiconductor chip is executed in step 6. At this time, the stage 20 is moved horizontally by the horizontal drive unit 21 of the stage 20, and the position of the semiconductor chip to be measured is determined.
Is moved upward by the vertical drive unit 22, the electrode pad of the semiconductor chip is brought into contact with the probe 11, and a constant waveform input signal is applied to the semiconductor chip while the power supply voltage is applied from the tester 60 to the semiconductor chip via the probe 11. Then, the semiconductor chip is operated. Also, the waveform of the output signal from the semiconductor chip is measured. Compare and judge the waveform of this output signal with the normal signal waveform programmed in advance,
Determines whether a semiconductor chip is good or bad.
【0030】ステップS3で確認した結果、設定回数N
になった場合、ステップS4を行う。テスター60から
信号を発信し、半導体チップの電気的特性の測定を一時
中止し、コンタクト抵抗測定用ウェハー50aをプロー
ブ11に接触させ、プローブ11の上述各プローブ間の
コンタクト抵抗を測定する。次に、ステップS5でこの
測定結果を基づいて、テスター60内に保持しておいた
管理値と比較し、プローブ11の適正を判断する。例え
ば、各プローブ端子間の抵抗Rを管理値と比較した結
果、抵抗Rが管理値より低い場合には、Lと定義され、
抵抗Rが管理値より高い場合には、Hと定義される。図
5に示すように、11a−11b間のR値はL、11b
−11c間のR値はH、11c−11d間のR値はH、
11d−11e間のR値はLとなっている場合、プロー
ブ11cが劣化していることが判断できる。このときプ
ローブ11のコンタクト抵抗の測定値が管理値より高い
こととなる。As a result of confirmation in step S3, the set number N
If so, step S4 is performed. A signal is transmitted from the tester 60, the measurement of the electrical characteristics of the semiconductor chip is temporarily stopped, the contact resistance measuring wafer 50a is brought into contact with the probe 11, and the contact resistance between the probes of the probe 11 is measured. Next, in step S5, based on this measurement result, it is compared with the control value held in the tester 60 to judge the suitability of the probe 11. For example, when the resistance R between the probe terminals is compared with the control value and the resistance R is lower than the control value, it is defined as L,
When the resistance R is higher than the control value, it is defined as H. As shown in FIG. 5, R values between 11a and 11b are L and 11b.
The R value between −11c is H, the R value between 11c and 11d is H,
When the R value between 11d and 11e is L, it can be determined that the probe 11c is deteriorated. At this time, the measured value of the contact resistance of the probe 11 is higher than the control value.
【0031】このように比較した結果によって、全ての
プローブ間の抵抗Rが全て管理値より低い場合は、その
まま測定作業を続行する(ステップS6)。もし、一つ
以上のプローブ間の抵抗Rが管理値より高い場合は、ス
テップS7を行う。テスター60から水平駆動部21、
垂直駆動部22に制御信号を送ることにより研磨板30
aをプローブ11に接触させ、プローブ11の先端の研
磨を行う。研磨後、コンタクト抵抗の再測定のため、再
度コンタクト抵抗測定用ウェハー50aをプローブ11
に接触させ、上述の方法でコンタクト抵抗を測定する
(ステップS8)。そして、ステップ9で、測定結果を
テスター60内に保持しておいた管理値と比較し、管理
値を下回った場合はそのまま測定作業を続行する(ステ
ップS6)。管理値以上の場合は、プローブカード12
の交換が必要であり、測定作業をストップし、アラーム
(図1にアラーム機構は図示せず)で作業者に知らせる
(ステップ10)。According to the result of the comparison, if the resistances R between all the probes are all lower than the control value, the measurement work is continued (step S6). If the resistance R between one or more probes is higher than the control value, step S7 is performed. From the tester 60 to the horizontal drive unit 21,
By sending a control signal to the vertical drive unit 22, the polishing plate 30
A is brought into contact with the probe 11, and the tip of the probe 11 is polished. After polishing, the contact resistance measuring wafer 50a is again measured by the probe 11 to measure the contact resistance again.
And contact resistance is measured by the method described above (step S8). Then, in step 9, the measurement result is compared with the control value held in the tester 60, and if it is below the control value, the measurement operation is continued as it is (step S6). If it is above the control value, probe card 12
Need to be replaced, the measurement work is stopped, and the operator is notified by an alarm (alarm mechanism not shown in FIG. 1) (step 10).
【0032】図3に示すステップS11で、全てのウェ
ハー20aを測定完了したことが確認されたら、測定が
終了となる。When it is confirmed in step S11 shown in FIG. 3 that all the wafers 20a have been measured, the measurement is completed.
【0033】このように本実施の形態においては、半導
体ウェハープローバ100にプローブ11のコンタクト
抵抗を測定するコンタクト抵抗測定部50を設けること
により、プローブ11のコンタクト抵抗を測定途中で確
認でき、プローブ11のコンタクト抵抗の上昇による測
定異常を未然に防ぐことができる。As described above, in the present embodiment, by providing the semiconductor wafer prober 100 with the contact resistance measuring unit 50 for measuring the contact resistance of the probe 11, the contact resistance of the probe 11 can be confirmed during the measurement. It is possible to prevent measurement abnormalities due to an increase in contact resistance of the device.
【0034】また、テストボード10にプローブカード
12をセットしたままでプローブ11のコンタクト抵抗
を確認することができるため、テストボード10からの
プローブカード12の取り外しと専用のプローブテスタ
ーでの測定作業および再度半導体ウェハープローバのテ
ストボードにプローブカードをセットする作業がなくな
り、大幅な生産性の低下を抑制できる。Further, since the contact resistance of the probe 11 can be confirmed with the probe card 12 still set on the test board 10, the probe card 12 is removed from the test board 10 and the measurement work by the dedicated probe tester is performed. There is no need to set the probe card on the test board of the semiconductor wafer prober again, and a large decrease in productivity can be suppressed.
【0035】また、プローブ11の研磨を実施する前に
コンタクト抵抗の確認を行い、研磨の必要性を確認でき
るため、プローブ11の研磨の回数を抑制でき、プロー
ブ11の寿命を延ばすことが可能となる。また、各々の
頻度で採取したデータを傾向管理することができるた
め、プローブ11先端の劣化によるコンタクト抵抗の上
昇を未然に発見し、測定異常の発生を未然に防止するこ
とが可能となる。また、高価な設備であるプローブ専用
のプローブテスターが必要がなく、経費を削減できる。Further, since the contact resistance can be confirmed before the probe 11 is polished and the necessity of polishing can be confirmed, the number of times the probe 11 is polished can be suppressed and the life of the probe 11 can be extended. Become. Further, since it is possible to manage the tendency of the data collected at each frequency, it is possible to detect an increase in contact resistance due to deterioration of the tip of the probe 11 in advance and prevent occurrence of measurement abnormality. Further, there is no need for a probe tester dedicated to the probe, which is an expensive facility, and the cost can be reduced.
【0036】なお、上述実施の形態においては、コンタ
クト抵抗測定部50が保持用ステージ20に接合される
ものであったが、これに限定されるものではない。例え
ば、図6に示すように、コンタクト抵抗測定部50を別
体で設置するようにしてもよい。この場合、コンタクト
抵抗測定用ステージ50bは、X,Y,Zの三次元方向
に移動できるように、水平駆動部51と垂直駆動部52
で駆動される。水平駆動部51と垂直駆動部52により
プローブ11をコンタクト抵抗測定ステージ50bの上
に設置されているコンタクト抵抗測定用ウェハー50a
に接触させることができる。Although the contact resistance measuring unit 50 is bonded to the holding stage 20 in the above embodiment, the present invention is not limited to this. For example, as shown in FIG. 6, the contact resistance measuring unit 50 may be installed separately. In this case, the contact resistance measuring stage 50b can be moved in the three-dimensional directions of X, Y, Z so that the horizontal driving unit 51 and the vertical driving unit 52 can be moved.
Driven by. The contact resistance measuring wafer 50a in which the probe 11 is installed on the contact resistance measuring stage 50b by the horizontal driving unit 51 and the vertical driving unit 52.
Can be contacted with.
【0037】また、上述実施の形態においては、コンタ
クト抵抗測定ステージ50bは新たに設けられたもので
あったが、これに限定されるものではない。例えば、研
磨ステージ30bを利用して、研磨板30aの代わりに
コンタクト抵抗測定用ウェハー50aを設置するように
してもよい。Although the contact resistance measuring stage 50b is newly provided in the above-mentioned embodiment, the present invention is not limited to this. For example, the polishing stage 30b may be used to place the contact resistance measuring wafer 50a in place of the polishing plate 30a.
【0038】また、例えば、研磨用ステージ30bを利
用して、研磨用ステージ30bの上に研磨板30aとコ
ンタクト抵抗測定用ウェハー50aを各半分に常設する
ようにしてもよい。この場合、プローブ11の研磨が必
要な場合、この半導体ウェハープローバ100とは別個
に設けられた研磨装置でプローブ11の研磨を行うこと
になる。Further, for example, by using the polishing stage 30b, the polishing plate 30a and the contact resistance measuring wafer 50a may be permanently provided in each half on the polishing stage 30b. In this case, when the probe 11 needs to be polished, the probe 11 is polished by a polishing device provided separately from the semiconductor wafer prober 100.
【0039】また、コンタクト抵抗に対して、貯蓄した
データは蓄積プログラム制御(SPC)等の手法を用い
て傾向管理を行い、コンタクト抵抗が管理値を超える前
にプローブの先端の研磨を実施するようにシステム化し
てもよい。For the contact resistance, the stored data is subjected to trend management using a method such as storage program control (SPC), and the tip of the probe is polished before the contact resistance exceeds the control value. May be systematized.
【0040】[0040]
【発明の効果】この発明によれば、半導体ウェハープロ
ーバにプローブのコンタクト抵抗を測定するコンタクト
抵抗測定部が設置されるものであり、半導体チップの電
気的特性を測定する途中でプローブのコンタクト抵抗を
テストボードにプローブカードをセットしたままで任意
の頻度で確認することができ、生産性をそれほど低下さ
せることなく、プローブのコンタクト抵抗の上昇による
半導体チップの電気的特性の測定異常を未然に防止でき
る。According to the present invention, the contact resistance measuring unit for measuring the contact resistance of the probe is installed in the semiconductor wafer prober, and the contact resistance of the probe is measured during the measurement of the electrical characteristics of the semiconductor chip. The probe card can be checked on the test board at any frequency with it set, and it is possible to prevent abnormal measurement of the electrical characteristics of the semiconductor chip due to an increase in the contact resistance of the probe without significantly reducing productivity. .
【図1】実施の形態の半導体ウェハープローバの構成を
示す図である。FIG. 1 is a diagram showing a configuration of a semiconductor wafer prober according to an embodiment.
【図2】プローブの構成を示す図である。FIG. 2 is a diagram showing a configuration of a probe.
【図3】実施の形態の半導体ウェハープローバを用いた
測定のフローチャートである。FIG. 3 is a flowchart of measurement using the semiconductor wafer prober of the embodiment.
【図4】各プローブ間の抵抗Rの構成を示す図である。FIG. 4 is a diagram showing a configuration of a resistance R between each probe.
【図5】各プローブ間の抵抗Rの比較結果を示す図であ
る。FIG. 5 is a diagram showing a comparison result of resistance R between each probe.
【図6】実施の形態の半導体ウェハープローバの他の例
を示す図である。FIG. 6 is a diagram showing another example of the semiconductor wafer prober of the embodiment.
【図7】従来の半導体ウェハープローバの構成を示す図
である。FIG. 7 is a diagram showing a configuration of a conventional semiconductor wafer prober.
1,100・・・半導体ウェハープローバ、11・・・
プローブ、12・・・プローブカード、20・・・ステ
ージ、20a・・・ウェハー、21,51・・・水平駆
動部、22,52・・・垂直駆動部、30・・・研磨機
構、30a・・・研磨板、30b・・・研磨ステージ、
30c,50c・・・接合治具、40,60・・・テス
ター、40a,60a・・・ケーブル、50・・・コン
タクト抵抗測定部、50a・・・コンタクト抵抗測定用
ウェハー、50b・・・コンタクト抵抗測定ステージ1, 100 ... Semiconductor wafer prober, 11 ...
Probe, 12 ... Probe card, 20 ... Stage, 20a ... Wafer, 21, 51 ... Horizontal driving unit, 22, 52 ... Vertical driving unit, 30 ... Polishing mechanism, 30a. ..Polishing plate, 30b ... Polishing stage,
30c, 50c ... Joining jig, 40, 60 ... Tester, 40a, 60a ... Cable, 50 ... Contact resistance measuring section, 50a ... Contact resistance measuring wafer, 50b ... Contact Resistance measurement stage
Claims (3)
成された半導体チップの電極パッドに接触させ、該半導
体チップの電気的特性を測定する半導体ウェハープロー
バであって、 上記半導体ウェハーを保持する保持用ステージと、 上記測定用プローブを有するプローブカードをセットす
るテストボードと、 上記測定用プローブのコンタクト抵抗を測定するための
コンタクト抵抗測定用ウェハーを有するコンタクト抵抗
測定部と、 上記テストボードにケーブルを介して接続される、上記
半導体チップの電気的特性および上記測定用プローブの
コンタクト抵抗を測定するためのテスターと、 上記半導体チップの電気的特性を測定する際には上記測
定用プローブが上記半導体ウェハーの所定の半導体チッ
プの電極パッドに接触するように上記保持用ステージを
移動し、上記測定用プローブのコンタクト抵抗を測定す
る際には上記測定用プローブが上記コンタクト抵抗測定
用ウェハーの表面に接触するように上記コンタクト抵抗
測定部を移動する駆動手段とを備えることを特徴とする
半導体ウェハープローバ。1. A semiconductor wafer prober for measuring the electrical characteristics of a semiconductor chip by bringing a measuring probe into contact with an electrode pad of the semiconductor chip formed on the semiconductor wafer, which holds the semiconductor wafer. A stage, a test board on which a probe card having the measurement probe is set, a contact resistance measurement unit having a contact resistance measurement wafer for measuring the contact resistance of the measurement probe, and a cable to the test board. And a tester for measuring the electrical characteristics of the semiconductor chip and the contact resistance of the measuring probe, and the measuring probe of the semiconductor wafer is used when measuring the electrical characteristics of the semiconductor chip. Keep the above so that it contacts the electrode pad of the specified semiconductor chip. And a driving means for moving the contact resistance measuring unit so that the measuring probe contacts the surface of the contact resistance measuring wafer when measuring the contact resistance of the measuring probe. A semiconductor wafer prober characterized by the above.
有する研磨機構をさらに備えることを特徴とする請求項
1に記載の半導体ウェハープローバ。2. The semiconductor wafer prober according to claim 1, further comprising a polishing mechanism having a polishing plate for polishing the measurement probe.
成された半導体チップの電極パッドに接触させ、該半導
体チップの電気的特性を測定する測定方法であって、 上記半導体チップの電気的特性を測定する前に、コンタ
クト抵抗測定部を用いて上記測定用プローブのコンタク
ト抵抗を測定し、該測定の結果を基づいて上記コンタク
ト抵抗の管理値を決定し、 一定回数の半導体チップの電気的特性の測定毎に、上記
測定用プローブの上記コンタクト抵抗を測定し、 上記コンタクト抵抗の測定値が上記管理値以上のとき、
上記測定用プローブを研磨し、上記コンタクト抵抗の測
定値が上記管理値より小さいとき、半導体チップの電気
的特性の測定を続けることを特徴とする半導体チップの
電気的特性の測定方法。3. A measuring method for measuring an electric characteristic of a semiconductor chip by bringing a measuring probe into contact with an electrode pad of the semiconductor chip formed on a semiconductor wafer, wherein the electric characteristic of the semiconductor chip is measured. Before measuring, measure the contact resistance of the measurement probe using the contact resistance measuring unit, determine the control value of the contact resistance based on the measurement result, and measure the electrical characteristics of the semiconductor chip a certain number of times. For each, measuring the contact resistance of the measurement probe, when the measured value of the contact resistance is above the control value,
A method for measuring electrical characteristics of a semiconductor chip, comprising: polishing the measurement probe; and continuing to measure the electrical characteristics of the semiconductor chip when the measured value of the contact resistance is smaller than the control value.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001247258A JP2003059987A (en) | 2001-08-16 | 2001-08-16 | Semiconductor wafer prober and method for measuring electric characteristic of semiconductor chip using the same |
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Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2007105387A1 (en) * | 2006-03-10 | 2007-09-20 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor inspecting system |
JP2008277769A (en) * | 2007-04-05 | 2008-11-13 | Nec Electronics Corp | Method of measuring probe resistance value, semiconductor device having pad for measuring probe resistance value |
KR100936545B1 (en) * | 2007-01-26 | 2010-01-11 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | Stage mechanism |
JP2010276477A (en) * | 2009-05-28 | 2010-12-09 | Fuji Electric Systems Co Ltd | Device and method of testing semiconductor chip |
JP2011237199A (en) * | 2010-05-06 | 2011-11-24 | Oki Semiconductor Co Ltd | Method and system for inspecting probe card |
EP2899555A1 (en) * | 2014-01-22 | 2015-07-29 | Tokyo Electron Limited | Prober and needle-tip polishing device for probe card |
-
2001
- 2001-08-16 JP JP2001247258A patent/JP2003059987A/en active Pending
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2007105387A1 (en) * | 2006-03-10 | 2007-09-20 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor inspecting system |
KR100936545B1 (en) * | 2007-01-26 | 2010-01-11 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | Stage mechanism |
JP2008277769A (en) * | 2007-04-05 | 2008-11-13 | Nec Electronics Corp | Method of measuring probe resistance value, semiconductor device having pad for measuring probe resistance value |
US8278935B2 (en) | 2007-04-05 | 2012-10-02 | Renesas Electronics Corporation | Probe resistance measurement method and semiconductor device with pads for probe resistance measurement |
US9217770B2 (en) | 2007-04-05 | 2015-12-22 | Renesas Electronics Corporation | Probe resistance measurement method and semiconductor device with pads for probe resistance measurement |
JP2010276477A (en) * | 2009-05-28 | 2010-12-09 | Fuji Electric Systems Co Ltd | Device and method of testing semiconductor chip |
JP2011237199A (en) * | 2010-05-06 | 2011-11-24 | Oki Semiconductor Co Ltd | Method and system for inspecting probe card |
EP2899555A1 (en) * | 2014-01-22 | 2015-07-29 | Tokyo Electron Limited | Prober and needle-tip polishing device for probe card |
US9383389B2 (en) | 2014-01-22 | 2016-07-05 | Tokyo Electron Limited | Prober and needle-tip polishing device for probe card |
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