JP2003059963A - パッケージ及び高周波伝送用金ワイヤとその製造方法 - Google Patents

パッケージ及び高周波伝送用金ワイヤとその製造方法

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JP2003059963A JP2001233812A JP2001233812A JP2003059963A JP 2003059963 A JP2003059963 A JP 2003059963A JP 2001233812 A JP2001233812 A JP 2001233812A JP 2001233812 A JP2001233812 A JP 2001233812A JP 2003059963 A JP2003059963 A JP 2003059963A
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Doko Cho
張道光
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Abstract

(57)【要約】 【課題】特に信号導通率の向上と低価格化を図ることが
できるパッケージ及び高周波伝送用金ワイヤとその製造
方法を提供する。 【解決手段】本発明は、 パッケージ及び高周波伝送用
金ワイヤの製造方法において、（Ａ）無酸素銅ワイヤ又
は純銀ワイヤ又は純パラジウム・ワイヤ等の線材を用い
て、前記線材の表面に、均等に約０．２５４〜２．５４
μmの純金メッキ層を一層メッキする表面メッキ作業を
行なう工程と、（Ｂ）延伸処理にてワイヤの直径が１．
０１６〜１０１．６μmの範囲となる合成金ワイヤを作
成する工程と、（Ｃ）材料特性及び品質の検査作業を行
なう工程とからなり、非純金材質線材の外層に純金メッ
キ層を被覆することを特徴とする、パッケージ及び高周
波伝送用金ワイヤの製造方法である。そして、上記の製
造方法よって、高い信号導通率と低価格を有するパッケ
ージ及び高周波伝送用金ワイヤが得られる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体パッケージ
及び高周波伝送用金ワイヤとその製造方法に係り、特
に、無酸素銅ワイヤ（Oxygen Free Copper）又は純銀ワ
イヤ（Pure SilverWire）又は純パラジウム・ワイヤ（P
ure Palladium）等の線材を用いて、非純金材質の線材
の表面に均等に純金メッキ層を一層メッキし、延伸処理
にて必要とするワイヤの直径を形成することにより、従
来のように直接純金で製造されたパッケージ及び高周波
伝送用金ワイヤの製品を代替することができるパッケー
ジ及び高周波伝送用金ワイヤとその製造方法に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術および発明が解決しようとする課題】従来
から、パッケージ及び高周波伝送用金ワイヤはすべて純
金で作成されてきたので、材料コストが極めて高価であ
る。そして、本発明は、信号導通率の向上と材料コスト
の低減を兼ねて実現できることを課題とする。
【０００３】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
の手段として、本発明の請求項１は、パッケージ及び高
周波伝送用金ワイヤの製造方法において、（Ａ）無酸素
銅ワイヤ又は純銀ワイヤ又は純パラジウム・ワイヤ等の
線材を用いて、前記線材の表面に、均等に約０．２５４
〜２．５４μmの純金メッキ層を一層メッキする表面メ
ッキ作業を行なう工程と、（Ｂ）延伸処理にてワイヤの
直径が１．０１６〜１０１．６μmの範囲となる合成金
ワイヤを作成する工程と、（Ｃ）材料特性及び品質の検
査作業を行なう工程とからなり、非純金材質線材の外層
に純金メッキ層を被覆することを特徴とする、パッケー
ジ及び高周波伝送用金ワイヤの製造方法を提供する。さ
らに、本発明の請求項２は、請求項１に記載のパッケー
ジ及び高周波伝送用金ワイヤの製造方法において、前記
工程（Ａ）の表面メッキ作業は、（ａ）線材の表面に付
着された垢を除去する脱脂（degrease）処理を行なう工
程と、（ｂ）表面清潔の水洗処理（rinse）を行なう工
程と、（ｃ）前記線材の表面に酸性水薬で活性化処理
（acid active）と二次水洗処理を行ない、純金メッキ
層の被覆能力を高める工程と、（ｄ）前記線材の表面に
純金メッキを行ない、純金メッキ層を形成する工程と、
(e)純金メッキ層の表面にメッキした後の水洗処理と表
面平滑処理を行なう工程と、（ｆ）乾燥作業を行ない、
線材の表面純金メッキ作業を完成する工程と、からなる
ことを特徴とする、パッケージ及び高周波伝送用金ワイ
ヤの製造方法を提供する。
【０００４】また、本発明の請求項３は、請求項１又は
請求項２に記載のパッケージ及び高周波伝送用金ワイヤ
の製造方法を使用して製造された製品であって、前記パ
ッケージ及び高周波伝送用金ワイヤは、非純金の材質の
線材と、前記線材の表面にメッキしている純金メッキ層
とからなることを特徴とするものを提供する。また、本
発明の請求項４は、請求項３に記載のパッケージ及び高
周波伝送用金ワイヤにおいて、前記線材は無酸素銅ワイ
ヤであることを特徴とするものを提供する。また、本発
明の請求項５は、請求項３に記載のパッケージ及び高周
波伝送用金ワイヤにおいて、前記線材は純銀ワイヤであ
ることを特徴とするものを提供する。さらに、本発明の
請求項６は、請求項３に記載のパッケージ及び高周波伝
送用金ワイヤにおいて、前記線材は純パラジウム・ワイ
ヤであることを特徴とするものを提供する。
【０００５】
【作用】本発明は、上記の構成を有するので、パッケー
ジ用金ワイヤの製造コストを低減できると共に、産業上
の競争力を大幅に向上することができる。
【０００６】
【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照して本発明
の好適な実施の形態を詳細に説明する。
【０００７】図１乃至図３に開示するように、本発明に
係る製造方法は、まず、非純金材質の線材１（Wire Ro
d）の上に表面純金メッキ作業２を行なう。前記線材１
の表面に純金メッキ層２６を一層メッキして、又、延伸
処理３にて要求される極細ワイヤの直径規格に一致する
合成金ワイヤを形成してから、材料特性及び品質の検査
作業４を行なった後、非純金材質線材１の外層に、純金
メッキ層２６を被覆するパッケージ及び高周波伝送用金
ワイヤ５の製品が製造されるのである。
【０００８】本発明は線材１の耐腐蝕性、安定性及び表
面の信号の導通効果を高めるために、上述のような表面
純金メッキ作業２を行ない、その表面に純金メッキ層２
６を一層メッキとする。この表面純金メッキ作業２は、
まず脱脂処理２１を行ない、即ち、アルカリ水薬で線材
１の表面を洗い、表面に付着された垢を除去する処理で
ある。
【０００９】その後、水洗処理２２（Rinse）を行な
い、即ち、高圧水で線材１の表面にスプレーして、その
表面に洗浄処理を行なってから、線材１の表面に酸性水
薬で活性化処理２３（Acid Active）及び二次水洗処理
２４を行ない、純金メッキ層の被覆能力を高める。
【００１０】次に、線材１の表面に純金メッキ２５を行
ない、厚さ約０．２５４〜２．５４μmの純金メッキ層
２６を形成させる。尚、純金メッキ層２６の表面にメッ
キした後の水洗処理２７及び表面平滑処理２８を行な
い、その表面に清潔及び平滑がなったので、その後の延
伸処理３の助けになる。
【００１１】最後に、上述の表面に純金メッキ層２６を
メッキしている線材１を乾燥２９によって処理した後、
線材１の表面純金メッキ作業２が完成する。
【００１２】上記線材１の非純金の材質は無酸素銅ワイ
ヤ、又は純銀ワイヤ、又は純パラジウム・ワイヤを選ぶ
方が良い。その原因はそれらの線材がすべて良い信号導
通率と良好な伸びの性質を備えると共に、極細直径の線
を延伸できるためである。
【００１３】また、上記延伸処理３は、表面に純金メッ
キ層２６をメッキしている線材１を少なくとも一個の伸
び金型の目に通過させて、その線の直径を所定の寸法ま
でに縮減させた後に、直径の極細な合成金ワイヤを作成
とする。このような合成金ワイヤは、通常１．０１６〜
１０１．６μmの範囲にあるが、その実際の需要に応じ
て決めれば良い。
【００１４】上記延伸処理３を行なった後、その完成品
に材料特性や品質の検査作業４を行ない、この検査作業
は信号の導通率、機械特性、線材の直径、材質の分析及
び不純物の含有量の確認等を含むことで、安定の品質を
確保する。所定の基準に合格又は一致したパッケージ及
び高周波伝送用金ワイヤ５を選別して、検査作業４を完
成する。
【００１５】上記製造方法で製造されたパッケージ及び
高周波伝送用金ワイヤの製品５は、図３に示すように、
非純金の材質の線材１と、その上にメッキしている純金
メッキ層２６を含み、前記線材１は無酸素銅線、又は純
銀線、又は純パラジウム・ワイヤ等の線材を用いて、約
パッケージ及び高周波伝送用金ワイヤ５の横断面積の８
５％の面積を占めるので、従来の純金材質の製造方法と
比較すれば、材料コストを大幅に節約できることが分か
る。
【００１６】本発明に係るパッケージ及び高周波伝送用
金ワイヤの製造方法は、製造コストを低減できる以外、
直径がφ２５μmの非純金の材質で製造された製品を従
来の同一直径（φ２５μm）の純金線（金の成分含有量
９９．９９％）の材質で製造された製品と室温２５℃の
環境で試験を行ない、その対比した材料の特性は下記の
通リである。 ＜イ＞切断荷重（Breaking Load）のテストについて、
合計５回のテストを行ない、その最大置及び最小の値を
対比する。本発明の非純金の材質で製造された製品の切
断荷重（Breaking Load）の最大値と最小値の範囲は６
〜１０gであり、従来の純金線の材質で製造された製品
の切断荷重（Breaking Load）の最大値と最小値の範囲
は７〜１２gである。 ＜ロ＞伸び率（Elongation）のテストについて、線材の
最初長さを１００mとし、合計５回のテストを行ない、
両者の最大値と最小値を比較する。本発明の非純金の材
質で製造された製品の伸び率の最大値と最小値の範囲は
０．８７〜１．４１％であり、従来の純金線の材質で製
造された製品の伸び率の最大値と最小値の範囲は２．２
４から〜４．９％である。 ＜ハ＞ワイヤ・ボンド（Wire Bond）のテストについ
て、合計３回のテストを行ない、その平均値について比
較する。本発明の非純金の材質で製造された製品のワイ
ヤ・ボンドは平均８．３３gであり、従来の純金線の材
質で製造された製品のワイヤ・ボンドは平均８．３３g
である。 ＜ニ＞レジスタンス（Resistance）のテストについて、
長さ１ｍのワイヤをとって、電流量１アンペア（μA）
を通電した後、比較とする。本発明の非純金の材質で製
造された製品のレジスタンスは３４．４６6Ω／mであ
り、従来の純金線の材質で製造された製品のレジスタン
スは４８．９３Ω／mである。
【００１７】
【発明の効果】以上を総合すると、本発明に係るパッケ
ージ及び高周波伝送用金ワイヤの製造方法及びその方法
により製造された非純金の材質の合成金ワイヤは、上記
の試験結果から、従来の金ワイヤとほぼ同一の材料特性
を有するため、線材のコストを大幅に低減すると共に、
産業上の利用性と競争力を格段に向上することができる
効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係るパッケージ及び高周波伝送用金ワ
イヤの製造方法のフローチャートである。
【図２】本発明に係る製造方法における表面純金メッキ
作業のフローチャートである。
【図３】本発明の製造方法により製造されたパッケージ
及び高周波伝送用金ワイヤの拡大断面図である。
【符号の説明】
１ 線材（wire rod） ２ 表面メッキ作業 ２１ 脱脂処理 ２２ 水洗処理 ２３ 活性化処理 ２４ 二次水洗処理 ２５ 純金メッキ ２６ 純金メッキ層 ２７ メッキした後の水洗処理 ２８ 表面平滑処理 ２９ 乾燥 ３ 延伸処理 ４ 検査作業 ５ パッケージ及び高周波伝送用の金ワイヤ（製
品）

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】パッケージ及び高周波伝送用金ワイヤの製
    造方法において、 （Ａ）無酸素銅ワイヤ又は純銀ワイヤ又は純パラジウム
    ・ワイヤ等の線材を用いて、前記線材の表面に、均等に
    約０．２５４〜２．５４μmの純金メッキ層を一層メッ
    キする表面メッキ作業を行なう工程と、 （Ｂ）延伸処理にてワイヤの直径が１．０１６〜１０
    １．６μmの範囲となる合成金ワイヤを作成する工程
    と、 （Ｃ）材料特性及び品質の検査作業を行なう工程とから
    なり、 非純金材質線材の外層に純金メッキ層を被覆することを
    特徴とする、パッケージ及び高周波伝送用金ワイヤの製
    造方法。
  2. 【請求項２】請求項１に記載のパッケージ及び高周波伝
    送用金ワイヤの製造方法において、 前記工程（Ａ）の表面メッキ作業は、 （ａ）線材の表面に付着された垢を除去する脱脂（degr
    ease）処理を行なう工程と、 （ｂ）表面清潔の水洗処理（rinse）を行なう工程と、 （ｃ）前記線材の表面に酸性水薬で活性化処理（acid a
    ctive）と二次水洗処理を行ない、純金メッキ層の被覆
    能力を高める工程と、 （ｄ）前記線材の表面に純金メッキを行ない、純金メッ
    キ層を形成する工程と、 (e)純金メッキ層の表面にメッキした後の水洗処理と表
    面平滑処理を行なう工程と、（ｆ）乾燥作業を行ない、
    線材の表面純金メッキ作業を完成する工程と、からなる
    ことを特徴とする、 パッケージ及び高周波伝送用金ワイヤの製造方法。
  3. 【請求項３】請求項１又は請求項２に記載のパッケージ
    及び高周波伝送用金ワイヤの製造方法を使用して製造さ
    れた製品であって、 前記パッケージ及び高周波伝送用金ワイヤは、非純金の
    材質の線材と、前記線材の表面にメッキしている純金メ
    ッキ層とからなることを特徴とする、パッケージ及び高
    周波伝送用金ワイヤ。
  4. 【請求項４】請求項３に記載のパッケージ及び高周波伝
    送用金ワイヤにおいて、 前記線材は無酸素銅ワイヤであることを特徴とする、パ
    ッケージ及び高周波伝送用金ワイヤ。
  5. 【請求項５】請求項３に記載のパッケージ及び高周波伝
    送用金ワイヤにおいて、 前記線材は純銀ワイヤであることを特徴とする、パッケ
    ージ及び高周波伝送用金ワイヤ。
  6. 【請求項６】請求項３に記載のパッケージ及び高周波伝
    送用金ワイヤにおいて、 前記線材は純パラジウム・ワイヤであることを特徴とす
    る、パッケージ及び高周波伝送用金ワイヤ。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011013527A1 (ja) 2009-07-30 2011-02-03 新日鉄マテリアルズ株式会社 半導体用ボンディングワイヤー
JP2012134534A (ja) * 2006-05-25 2012-07-12 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co Ltd 複合ボンドワイヤ用の方法及びシステム
JP5399581B1 (ja) * 2013-05-14 2014-01-29 田中電子工業株式会社 高速信号用ボンディングワイヤ
KR20140121330A (ko) 2013-04-05 2014-10-15 타나카 덴시 코오교오 카부시키가이샤 고속 신호선용 본딩 와이어

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012134534A (ja) * 2006-05-25 2012-07-12 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co Ltd 複合ボンドワイヤ用の方法及びシステム
WO2011013527A1 (ja) 2009-07-30 2011-02-03 新日鉄マテリアルズ株式会社 半導体用ボンディングワイヤー
KR20120035093A (ko) 2009-07-30 2012-04-13 가부시키가이샤 닛데쓰 마이크로 메탈 반도체용 본딩 와이어
US8742258B2 (en) 2009-07-30 2014-06-03 Nippon Steel & Sumikin Materials Co., Ltd. Bonding wire for semiconductor
KR20140121330A (ko) 2013-04-05 2014-10-15 타나카 덴시 코오교오 카부시키가이샤 고속 신호선용 본딩 와이어
JP5399581B1 (ja) * 2013-05-14 2014-01-29 田中電子工業株式会社 高速信号用ボンディングワイヤ

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