JP2003059012A - 薄膜磁気ヘッド - Google Patents
薄膜磁気ヘッドInfo
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- JP2003059012A JP2003059012A JP2001241998A JP2001241998A JP2003059012A JP 2003059012 A JP2003059012 A JP 2003059012A JP 2001241998 A JP2001241998 A JP 2001241998A JP 2001241998 A JP2001241998 A JP 2001241998A JP 2003059012 A JP2003059012 A JP 2003059012A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 シールド層の磁化を所定の方向に安定化させ
ることにより、ノイズの発生を抑え、安定した状態で良
好な記録再生を行うことができなかった。 【構成】 上部シールド層３及び下部シールド層１のう
ちの少なくとも一方のトラック幅Ｔｗ方向の両側部１Ａ
に、永久磁石膜からなるハードバイアス膜４が形成され
ているとともに、このハードバイアス膜４の磁気記録媒
体との対向面（ＡＢＳ面）側の端面４Ａが、磁気記録媒
体の対向面（ＡＢＳ面）よりも内部に後退している。
ることにより、ノイズの発生を抑え、安定した状態で良
好な記録再生を行うことができなかった。 【構成】 上部シールド層３及び下部シールド層１のう
ちの少なくとも一方のトラック幅Ｔｗ方向の両側部１Ａ
に、永久磁石膜からなるハードバイアス膜４が形成され
ているとともに、このハードバイアス膜４の磁気記録媒
体との対向面（ＡＢＳ面）側の端面４Ａが、磁気記録媒
体の対向面（ＡＢＳ面）よりも内部に後退している。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えばハードディ
スク装置などに搭載される薄膜磁気ヘッドに係り、特に
シールド層の磁化を単磁区化して再生特性を向上させる
ことができる薄膜磁気ヘッドに関する。
スク装置などに搭載される薄膜磁気ヘッドに係り、特に
シールド層の磁化を単磁区化して再生特性を向上させる
ことができる薄膜磁気ヘッドに関する。
【０００２】
【従来技術及びその問題点】図１１は、従来の薄膜磁気
ヘッドを磁気記録媒体との対向面であるＡＢＳ面（Air
Bearing Surface）側から示す拡大断面図である。この
薄膜磁気ヘッドは、例えば浮上式ヘッドを構成するスラ
イダのトレーリング側端面に、磁気抵抗効果を利用した
読出しヘッドｈ１と、記録用のインダクティブヘッドｈ
２とを積層している。
ヘッドを磁気記録媒体との対向面であるＡＢＳ面（Air
Bearing Surface）側から示す拡大断面図である。この
薄膜磁気ヘッドは、例えば浮上式ヘッドを構成するスラ
イダのトレーリング側端面に、磁気抵抗効果を利用した
読出しヘッドｈ１と、記録用のインダクティブヘッドｈ
２とを積層している。
【０００３】同図に示す薄膜磁気ヘッドにおいて、下部
シールド層１０１は、例えばセンダストやＮｉ−Ｆｅ系
合金（パーマロイ）などの軟磁性材料で形成されてい
る。下部シールド層１０１の上に、非磁性材料による下
部ギャップ層１０２が形成されている。そして、この下
部ギャップ層１０２の上に、磁気抵抗効果、例えばＡＭ
Ｒ効果を発揮する多層膜１０３が形成されている。
シールド層１０１は、例えばセンダストやＮｉ−Ｆｅ系
合金（パーマロイ）などの軟磁性材料で形成されてい
る。下部シールド層１０１の上に、非磁性材料による下
部ギャップ層１０２が形成されている。そして、この下
部ギャップ層１０２の上に、磁気抵抗効果、例えばＡＭ
Ｒ効果を発揮する多層膜１０３が形成されている。
【０００４】この多層膜１０３の両側には、縦バイアス
層として、バイアス層１０４が形成されており、この縦
バイアス磁界はＸ方向に向けられ、多層膜１０３が同じ
Ｘ方向に揃えられて単磁区化された状態になる。また、
バイアス層１０４の上には、非磁性、かつ、導電性の材
料で電極層１０５が形成されている。
層として、バイアス層１０４が形成されており、この縦
バイアス磁界はＸ方向に向けられ、多層膜１０３が同じ
Ｘ方向に揃えられて単磁区化された状態になる。また、
バイアス層１０４の上には、非磁性、かつ、導電性の材
料で電極層１０５が形成されている。
【０００５】さらに、その上に、非磁性材料による上部
ギャップ層１０６が形成され、その上部ギャップ層１０
６の上には上部シールド層１０７が形成されている。そ
して、上部シールド層１０７の上には、絶縁層（図示し
ないが）が積層され、この絶縁層の上には、螺旋状のパ
ターンに形成されたコイル層１０８が設けられている。
また、この絶縁層の上には、上部コア層１０９がパーマ
ロイなどの磁性材料でメッキ形成されている。
ギャップ層１０６が形成され、その上部ギャップ層１０
６の上には上部シールド層１０７が形成されている。そ
して、上部シールド層１０７の上には、絶縁層（図示し
ないが）が積層され、この絶縁層の上には、螺旋状のパ
ターンに形成されたコイル層１０８が設けられている。
また、この絶縁層の上には、上部コア層１０９がパーマ
ロイなどの磁性材料でメッキ形成されている。
【０００６】この上部コア層１０９は、磁気記録媒体に
記録磁界を与えるヘッドｈ２のトレーリング側コア部と
して機能している。上部コア層１０９は、図示のよう
に、ＡＢＳ面側で上部シールド層１０７の上にギャップ
層１１０を介して対向し、磁気記録媒体に記録磁界を与
える磁気ギャップが形成される。
記録磁界を与えるヘッドｈ２のトレーリング側コア部と
して機能している。上部コア層１０９は、図示のよう
に、ＡＢＳ面側で上部シールド層１０７の上にギャップ
層１１０を介して対向し、磁気記録媒体に記録磁界を与
える磁気ギャップが形成される。
【０００７】このような構成の薄膜磁気ヘッドでは、磁
気記録媒体の信号磁界（紙面に対して垂直方向から印
加）により、多層膜１０３の磁気抵抗効果層（ＡＭＲ
層）の抵抗値が変化し、この抵抗変化を利用して、ヘッ
ドｈ１が磁気記録媒体から記録情報を読取っている。
気記録媒体の信号磁界（紙面に対して垂直方向から印
加）により、多層膜１０３の磁気抵抗効果層（ＡＭＲ
層）の抵抗値が変化し、この抵抗変化を利用して、ヘッ
ドｈ１が磁気記録媒体から記録情報を読取っている。
【０００８】ところで、このような薄膜磁気ヘッドで
は、多層膜１０３の上下に形成されている上部シールド
層１０７と下部シールド層１０１に不規則な磁区の変化
が発生すると、上部シールド層１０７及び下部シールド
層１０１と、多層膜１０３との相互作用により、バルク
ハウゼンノイズが磁気記録媒体からの再生信号に重畳す
るなどの悪影響をもたらす。そこで、これらのシールド
層１０１、１０７に対して、磁化方向を磁化容易軸
（Ｘ）方向に揃えて単磁区化させ、シールド層１０１、
１０７の磁化反転（磁気的可逆性）を良好にすることが
必要になっている。
は、多層膜１０３の上下に形成されている上部シールド
層１０７と下部シールド層１０１に不規則な磁区の変化
が発生すると、上部シールド層１０７及び下部シールド
層１０１と、多層膜１０３との相互作用により、バルク
ハウゼンノイズが磁気記録媒体からの再生信号に重畳す
るなどの悪影響をもたらす。そこで、これらのシールド
層１０１、１０７に対して、磁化方向を磁化容易軸
（Ｘ）方向に揃えて単磁区化させ、シールド層１０１、
１０７の磁化反転（磁気的可逆性）を良好にすることが
必要になっている。
【０００９】このような事情から、これらシールド層１
０１、１０７の磁化方向の制御として、一軸異方性を付
与できる軟磁性材料、例えばパーマロイやＣｏ系アモル
ファス合金などを使用し、これを磁場中で成膜及びアニ
−ル処理を施したり、成膜及びアニ−ル処理後にＸ方向
を磁化容易軸とするように磁化させることが行われてき
た。
０１、１０７の磁化方向の制御として、一軸異方性を付
与できる軟磁性材料、例えばパーマロイやＣｏ系アモル
ファス合金などを使用し、これを磁場中で成膜及びアニ
−ル処理を施したり、成膜及びアニ−ル処理後にＸ方向
を磁化容易軸とするように磁化させることが行われてき
た。
【００１０】しかしながら、このような方法では、これ
らのシールド層１０１、１０７の磁化方向を完全に揃え
ることが難しく、微視的にみると、磁気異方性が分散し
た状態（異方性分散）を生じて磁化容易軸がずれてしま
う。特に、上部コア層１０９、上部シールド層（下部コ
ア層）１０７の間に記録磁界を発生させるたびに、上部
シールド層（下部コア層）１０７に不規則な磁区の変化
が発生する。
らのシールド層１０１、１０７の磁化方向を完全に揃え
ることが難しく、微視的にみると、磁気異方性が分散し
た状態（異方性分散）を生じて磁化容易軸がずれてしま
う。特に、上部コア層１０９、上部シールド層（下部コ
ア層）１０７の間に記録磁界を発生させるたびに、上部
シールド層（下部コア層）１０７に不規則な磁区の変化
が発生する。
【００１１】そこで、例えば図１２に示すような薄膜磁
気ヘッドが提案されている。この薄膜磁気ヘッドは図１
２に示すように、上下のシールド層１０７、１０１毎に
トラック幅（Ｔｗ）方向の両側に、永久磁石膜からなる
ハードバイアス膜１１１、１１２をそれぞれ形成したも
のであり、これによってシールド層１０１、１０７の磁
化を容易軸方向に揃えることができる。
気ヘッドが提案されている。この薄膜磁気ヘッドは図１
２に示すように、上下のシールド層１０７、１０１毎に
トラック幅（Ｔｗ）方向の両側に、永久磁石膜からなる
ハードバイアス膜１１１、１１２をそれぞれ形成したも
のであり、これによってシールド層１０１、１０７の磁
化を容易軸方向に揃えることができる。
【００１２】ところで、一般に、物性的に見ると、永久
磁石のような硬磁性体では、端部に磁極が形成されるた
め、その端部近傍の特に角部での磁界の強さが最も強く
なる傾向がある。この薄膜磁気ヘッドでも、ハードバイ
アス膜のハイト方向の両端部近傍の角部での磁界が強
い。
磁石のような硬磁性体では、端部に磁極が形成されるた
め、その端部近傍の特に角部での磁界の強さが最も強く
なる傾向がある。この薄膜磁気ヘッドでも、ハードバイ
アス膜のハイト方向の両端部近傍の角部での磁界が強
い。
【００１３】しかも、その一方の端部がＡＢＳ面と同一
面にまで達する状態で形成されて露出しているため、例
えばこのハードバイアス膜が磁気記録媒体へ磁気的な影
響を及ぼし、不要な書き込みや、書き込まれている情報
を消去したり、磁気抵抗効果素子へ悪影響をもたらす、
といった不都合を生じている。特に、記録情報の高密度
化、狭ギャップ化の傾向とともに、磁気抵抗効果素子へ
与えるノイズが問題となる虞れがある。
面にまで達する状態で形成されて露出しているため、例
えばこのハードバイアス膜が磁気記録媒体へ磁気的な影
響を及ぼし、不要な書き込みや、書き込まれている情報
を消去したり、磁気抵抗効果素子へ悪影響をもたらす、
といった不都合を生じている。特に、記録情報の高密度
化、狭ギャップ化の傾向とともに、磁気抵抗効果素子へ
与えるノイズが問題となる虞れがある。
【００１４】また、このような点からなるべく、シール
ド層の磁区制御に用いるハードバイアス膜を減らすた
め、特に記録時の記録磁界によって、不規則な磁区の変
動が発生し易い下部コア層の両側のハードバイアス膜を
設けたものが提案されている。これを図１２に示す。
ド層の磁区制御に用いるハードバイアス膜を減らすた
め、特に記録時の記録磁界によって、不規則な磁区の変
動が発生し易い下部コア層の両側のハードバイアス膜を
設けたものが提案されている。これを図１２に示す。
【００１５】しかしながら、この図１２に示す薄膜磁気
ヘッドは、下部コア層を兼用する上部シールド層１０７
のトラック幅（Ｘ）方向の両側のみにバイアス層１１１
を形成しているので、このバイアス層１１１のトラック
幅（Ｘ）方向の両側に位置する端部のうちＡＢＳ面に臨
む角部とよぶ部位から発生する磁界は、前述したように
大きい。
ヘッドは、下部コア層を兼用する上部シールド層１０７
のトラック幅（Ｘ）方向の両側のみにバイアス層１１１
を形成しているので、このバイアス層１１１のトラック
幅（Ｘ）方向の両側に位置する端部のうちＡＢＳ面に臨
む角部とよぶ部位から発生する磁界は、前述したように
大きい。
【００１６】このため、ここからの漏れ磁界（静磁界）
が図１２に示すように下部シールド層１０１に作用し、
バイアス層１１１と下部シールド層との間に複数の磁界
ループＡ１、Ｂ１、Ｃ１を形成する。そして、この磁界
ループＡ１、Ｂ１、Ｃ１が存在するために、下部シール
ド層１０１のＡ領域とＢ領域、Ｃ領域との磁界の方向が
異なるために、下部シールド層１０１内に多磁区が形成
されやすく、異方分散性となりやすい。その結果、バル
クハウゼンノイズを発生し易いといった問題点を生じて
いる。
が図１２に示すように下部シールド層１０１に作用し、
バイアス層１１１と下部シールド層との間に複数の磁界
ループＡ１、Ｂ１、Ｃ１を形成する。そして、この磁界
ループＡ１、Ｂ１、Ｃ１が存在するために、下部シール
ド層１０１のＡ領域とＢ領域、Ｃ領域との磁界の方向が
異なるために、下部シールド層１０１内に多磁区が形成
されやすく、異方分散性となりやすい。その結果、バル
クハウゼンノイズを発生し易いといった問題点を生じて
いる。
【００１７】また、この図１２に示すような構成の薄膜
磁気ヘッドで、仮に、下部シールド層１０１の両側にも
図１２に破線で示すバイアス層１１２が形成されていた
としても、同様に、前述の磁界ループに起因した多磁区
化の問題を依然として発生する虞れがある。因みに、こ
の場合には、下部シールド層１０１内のＢ領域とＣ領域
とにバイアス層１１２の磁化方向とは逆向きの磁化が形
成される。
磁気ヘッドで、仮に、下部シールド層１０１の両側にも
図１２に破線で示すバイアス層１１２が形成されていた
としても、同様に、前述の磁界ループに起因した多磁区
化の問題を依然として発生する虞れがある。因みに、こ
の場合には、下部シールド層１０１内のＢ領域とＣ領域
とにバイアス層１１２の磁化方向とは逆向きの磁化が形
成される。
【００１８】
【発明の目的】本発明の目的は、上記した事情に鑑み、
シールド層の磁化を所定の方向に安定化させることによ
り、ノイズの発生を抑え、安定した状態で良好な記録再
生を行うことができる薄膜磁気ヘッドを得ることにあ
る。
シールド層の磁化を所定の方向に安定化させることによ
り、ノイズの発生を抑え、安定した状態で良好な記録再
生を行うことができる薄膜磁気ヘッドを得ることにあ
る。
【００１９】
【発明の概要】前記目的を達成するため、本発明に係る
薄膜磁気ヘッドは、下部シールド層と、この下部シール
ド層の上に下部ギャップ層を介して形成された磁気抵抗
効果を発揮する多層膜と、この多層膜にバイアス磁界を
与えるバイアス層と、前記多層膜にセンス電流を与える
電極層と、前記多層膜上に上部ギャップ層を介して形成
された上部シールド層とを備えた薄膜磁気ヘッドにおい
て、前記上部シールド層と下部シールド層のうちの少な
くとも一方のトラック幅方向の両側部に、永久磁石膜か
らなるハードバイアス膜が形成されているとともに、前
記ハードバイアス膜の磁気記録媒体寄りの端面が、磁気
記録媒体との対向面よりも内部に後退していることを特
徴とする。
薄膜磁気ヘッドは、下部シールド層と、この下部シール
ド層の上に下部ギャップ層を介して形成された磁気抵抗
効果を発揮する多層膜と、この多層膜にバイアス磁界を
与えるバイアス層と、前記多層膜にセンス電流を与える
電極層と、前記多層膜上に上部ギャップ層を介して形成
された上部シールド層とを備えた薄膜磁気ヘッドにおい
て、前記上部シールド層と下部シールド層のうちの少な
くとも一方のトラック幅方向の両側部に、永久磁石膜か
らなるハードバイアス膜が形成されているとともに、前
記ハードバイアス膜の磁気記録媒体寄りの端面が、磁気
記録媒体との対向面よりも内部に後退していることを特
徴とする。
【００２０】前記一方のシールド層に形成されているハ
ードバイアス膜は、当該一方のシールド層の積層方向に
ついて上面および下面のうち、他方のシールド層に臨む
面から外部に露出しないように内部に埋設して形成され
る。
ードバイアス膜は、当該一方のシールド層の積層方向に
ついて上面および下面のうち、他方のシールド層に臨む
面から外部に露出しないように内部に埋設して形成され
る。
【００２１】前記上部及び下部シールド層のうちハード
バイアス膜を設けていない他方のシールド層のトラック
幅方向の両側部の上面側および下面のうちの少なくとも
一方には、一対の反強磁性膜が積層形成される。
バイアス膜を設けていない他方のシールド層のトラック
幅方向の両側部の上面側および下面のうちの少なくとも
一方には、一対の反強磁性膜が積層形成される。
【００２２】前記ハードバイアス膜によって磁化方向が
揃えられている前記上部および下部のシールド層のうち
の一方のシールド層の磁化方向と、前記反強磁性膜との
交換異方性磁界により磁化方向が揃えられている他方の
シールド層の磁化方向とは反平行（１８０°をなす反対
方向）であるのが好ましい。
揃えられている前記上部および下部のシールド層のうち
の一方のシールド層の磁化方向と、前記反強磁性膜との
交換異方性磁界により磁化方向が揃えられている他方の
シールド層の磁化方向とは反平行（１８０°をなす反対
方向）であるのが好ましい。
【００２３】また、本発明の薄膜磁気ヘッドは、下部シ
ールド層と、この下部シールド層の上に下部ギャップ層
を介して形成された磁気抵抗効果を発揮する多層膜と、
この多層膜にバイアス磁界を与えるバイアス層と、前記
多層膜にセンス電流を与える電極層と、前記多層膜上に
上部ギャップ層を介して形成された上部シールド層と、
上部シールド層の上に磁気ギャップ層を介して積層され
た上部コア層とを備えた薄膜磁気ヘッドにおいて、前記
上部シールド層と下部シールド層のうちの少なくとも一
方のトラック幅方向の両側部に、永久磁石膜からなるハ
ードバイアス膜が形成されているとともに、前記ハード
バイアス膜の磁気記録媒体寄りの端面が、磁気記録媒体
との対向面よりも内部に後退していることを特徴とす
る。
ールド層と、この下部シールド層の上に下部ギャップ層
を介して形成された磁気抵抗効果を発揮する多層膜と、
この多層膜にバイアス磁界を与えるバイアス層と、前記
多層膜にセンス電流を与える電極層と、前記多層膜上に
上部ギャップ層を介して形成された上部シールド層と、
上部シールド層の上に磁気ギャップ層を介して積層され
た上部コア層とを備えた薄膜磁気ヘッドにおいて、前記
上部シールド層と下部シールド層のうちの少なくとも一
方のトラック幅方向の両側部に、永久磁石膜からなるハ
ードバイアス膜が形成されているとともに、前記ハード
バイアス膜の磁気記録媒体寄りの端面が、磁気記録媒体
との対向面よりも内部に後退していることを特徴とす
る。
【００２４】本発明でも、前記一方のシールド層内に形
成されているハードバイアス膜は、当該一方のシールド
層の積層方向の上面および下面のうち、他方のシールド
層に臨む面から外部に露出しないように埋設されている
ことが好ましい。
成されているハードバイアス膜は、当該一方のシールド
層の積層方向の上面および下面のうち、他方のシールド
層に臨む面から外部に露出しないように埋設されている
ことが好ましい。
【００２５】また、本発明でも、前記上部及び下部シー
ルド層のうちハードバイアス膜を設けていない他方のシ
ールド層のトラック幅方向の両側部の上面および下面の
少なくとも一方には、一対の反強磁性膜が積層されてい
ることが好ましい。
ルド層のうちハードバイアス膜を設けていない他方のシ
ールド層のトラック幅方向の両側部の上面および下面の
少なくとも一方には、一対の反強磁性膜が積層されてい
ることが好ましい。
【００２６】また、本発明でも、前記ハードバイアス膜
によって磁化方向が揃えられている前記上部および下部
のシールド層のうちの一方のシールド層の磁化方向と、
前記反強磁性膜との交換異方性磁界により磁化方向が揃
えられている他方のシールド層の磁化方向とは反平行で
あるのが好ましい。
によって磁化方向が揃えられている前記上部および下部
のシールド層のうちの一方のシールド層の磁化方向と、
前記反強磁性膜との交換異方性磁界により磁化方向が揃
えられている他方のシールド層の磁化方向とは反平行で
あるのが好ましい。
【００２７】さらに、本発明は、下部シールド層と、こ
の下部シールド層の上に下部ギャップ層を介して形成さ
れた磁気抵抗効果を発揮する多層膜と、この多層膜にバ
イアス磁界を与えるバイアス層と、前記多層膜にセンス
電流を与える電極層と、前記多層膜上に上部ギャップ層
を介して形成された上部シールド層と、前記上部シール
ド層の上に形成された非磁性中間層と、この非磁性中間
層の上に磁気ギャップ層を介して対向する下部コア層及
び上部コア層とを備えた薄膜磁気ヘッドにおいて、前記
上部シールド層と下部シールド層のうちの少なくとも一
方のトラック幅方向の両側部に、永久磁石膜からなるハ
ードバイアス膜が形成されているとともに、前記ハード
バイアス膜の磁気記録媒体寄りの端面が、磁気記録媒体
との対向面よりも内部に後退していることを特徴として
いる。
の下部シールド層の上に下部ギャップ層を介して形成さ
れた磁気抵抗効果を発揮する多層膜と、この多層膜にバ
イアス磁界を与えるバイアス層と、前記多層膜にセンス
電流を与える電極層と、前記多層膜上に上部ギャップ層
を介して形成された上部シールド層と、前記上部シール
ド層の上に形成された非磁性中間層と、この非磁性中間
層の上に磁気ギャップ層を介して対向する下部コア層及
び上部コア層とを備えた薄膜磁気ヘッドにおいて、前記
上部シールド層と下部シールド層のうちの少なくとも一
方のトラック幅方向の両側部に、永久磁石膜からなるハ
ードバイアス膜が形成されているとともに、前記ハード
バイアス膜の磁気記録媒体寄りの端面が、磁気記録媒体
との対向面よりも内部に後退していることを特徴として
いる。
【００２８】本発明でも、前記一方のシールド層内に形
成されているハードバイアス膜は、当該一方のシールド
層の積層方向の上面および下面のうち、他方のシールド
層に臨む面から外部に露出しないように埋設されている
のが好ましい。することができる。
成されているハードバイアス膜は、当該一方のシールド
層の積層方向の上面および下面のうち、他方のシールド
層に臨む面から外部に露出しないように埋設されている
のが好ましい。することができる。
【００２９】また、本発明でも、前記上部及び下部シー
ルド層のうちハードバイアス膜を設けていない他方のシ
ールド層のトラック幅方向の両側部の上面および下面の
少なくとも一方には、一対の反強磁性膜が積層されてい
るのが好ましい。
ルド層のうちハードバイアス膜を設けていない他方のシ
ールド層のトラック幅方向の両側部の上面および下面の
少なくとも一方には、一対の反強磁性膜が積層されてい
るのが好ましい。
【００３０】また、本発明でも、前記ハードバイアス膜
によって磁化方向が揃えられている前記上部および下部
のシールド層のうちの一方のシールド層の磁化方向と、
前記反強磁性膜との交換異方性磁界により磁化方向が揃
えられている他方のシールド層の磁化方向とは反平行で
あるのが好ましい。
によって磁化方向が揃えられている前記上部および下部
のシールド層のうちの一方のシールド層の磁化方向と、
前記反強磁性膜との交換異方性磁界により磁化方向が揃
えられている他方のシールド層の磁化方向とは反平行で
あるのが好ましい。
【００３１】
【発明の実施形態】以下、この発明の実施の形態につい
て、添付図面を参照しながら説明する。 ［第１の実施形態］図１（Ａ）は、本発明の第１の実施
形態に係るマージド(merged)タイプの薄膜磁気ヘッドを
磁気記録媒体(図略)との対向面となるＡＢＳ(Air Beari
ng Surface)面からみた正面図、同図（Ｂ）はこの薄膜
磁気ヘッドを積層方向の上側からみた平面図である。な
お、図示外のハードディスクまたは磁気テープなどの磁
気記録媒体の移動方向はＺ方向であり、磁気記録媒体か
らの信号磁界の方向はＹ方向である。図１に示す薄膜磁
気ヘッドは、浮上式ヘッドを構成するスライダのトレー
リング側端面に形成されたものであリ、読出しヘッドｈ
１と、記録用のインダクティブヘッドｈ２とが積層され
ている。
て、添付図面を参照しながら説明する。 ［第１の実施形態］図１（Ａ）は、本発明の第１の実施
形態に係るマージド(merged)タイプの薄膜磁気ヘッドを
磁気記録媒体(図略)との対向面となるＡＢＳ(Air Beari
ng Surface)面からみた正面図、同図（Ｂ）はこの薄膜
磁気ヘッドを積層方向の上側からみた平面図である。な
お、図示外のハードディスクまたは磁気テープなどの磁
気記録媒体の移動方向はＺ方向であり、磁気記録媒体か
らの信号磁界の方向はＹ方向である。図１に示す薄膜磁
気ヘッドは、浮上式ヘッドを構成するスライダのトレー
リング側端面に形成されたものであリ、読出しヘッドｈ
１と、記録用のインダクティブヘッドｈ２とが積層され
ている。
【００３２】この読出しヘッドｈ１は、磁気抵抗効果を
利用してハードディスクなどの磁気記録媒体からの信号
磁界を検出し、記録信号を読み取るものである。スライ
ダのトレーリング側端面には、軟磁性材料からなる下部
シールド層１が形成されている。
利用してハードディスクなどの磁気記録媒体からの信号
磁界を検出し、記録信号を読み取るものである。スライ
ダのトレーリング側端面には、軟磁性材料からなる下部
シールド層１が形成されている。
【００３３】この下部シールド層１は、パーマロイやＣ
ｏ（コバルト）系アモルファス合金のように、一軸異方
性をもつ軟磁性材やセンダストのような等方的な軟磁性
材料により形成される。
ｏ（コバルト）系アモルファス合金のように、一軸異方
性をもつ軟磁性材やセンダストのような等方的な軟磁性
材料により形成される。
【００３４】前記下部シールド層１の上側には、アルミ
ナ（Ａｌ2Ｏ3）などの非磁性材料により、下部ギャップ
層２１が形成され、この下部ギャップ層２１上には、磁
気抵抗効果を発揮する多層膜２が設けられている。
ナ（Ａｌ2Ｏ3）などの非磁性材料により、下部ギャップ
層２１が形成され、この下部ギャップ層２１上には、磁
気抵抗効果を発揮する多層膜２が設けられている。
【００３５】この多層膜２は、図示しないが、下から順
に、反強磁性層、固定磁性層、非磁性導電層、フリー磁
性層の順に積層させ、スピンバルブ型磁気抵抗効果素子
（ＧＭＲ）を構成している。なお、多層膜２の積層体
は、下から順に、フリー磁性層、非磁性導電層、固定磁
性層、反強磁性層の順に積層してもよい。また、多層膜
２は、磁気抵抗効果層、軟磁性層を備えた異方性磁気抵
抗効果素子（ＡＭＲ）で構成してもよい。
に、反強磁性層、固定磁性層、非磁性導電層、フリー磁
性層の順に積層させ、スピンバルブ型磁気抵抗効果素子
（ＧＭＲ）を構成している。なお、多層膜２の積層体
は、下から順に、フリー磁性層、非磁性導電層、固定磁
性層、反強磁性層の順に積層してもよい。また、多層膜
２は、磁気抵抗効果層、軟磁性層を備えた異方性磁気抵
抗効果素子（ＡＭＲ）で構成してもよい。
【００３６】多層膜２の反強磁性層は、ＰｔＭｎ（プラ
チナ・マンガン）から形成されているが、例えば、元素
Ｘ（ただし、Ｘは、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｏ
ｓのうち１種または２種以上の元素である）とＭｎとを
含有する反強磁性材料、あるいは、元素Ｘと元素Ｘ′合
金（ただし、元素Ｘ′は、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅ、Ｂ
ｅ、Ｂ、Ｃ、Ｎ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｐ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃ
ｒ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｚ
ｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ａｇ、Ｃｄ、Ｓｎ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、
Ｒｅ、Ａｕ、Ｐｂ、及び希土類元素のうち１種または２
種以上の元素である）とＭｎを含有する反強磁性材料に
より形成することができる。
チナ・マンガン）から形成されているが、例えば、元素
Ｘ（ただし、Ｘは、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｏ
ｓのうち１種または２種以上の元素である）とＭｎとを
含有する反強磁性材料、あるいは、元素Ｘと元素Ｘ′合
金（ただし、元素Ｘ′は、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅ、Ｂ
ｅ、Ｂ、Ｃ、Ｎ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｐ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃ
ｒ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｚ
ｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ａｇ、Ｃｄ、Ｓｎ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、
Ｒｅ、Ａｕ、Ｐｂ、及び希土類元素のうち１種または２
種以上の元素である）とＭｎを含有する反強磁性材料に
より形成することができる。
【００３７】前記固定磁性層は、ＮｉＦｅ合金、ＣｏＦ
ｅ合金、Ｃｏ、ＣｏＮｉＦｅ合金などにより形成され
る。この固定磁性層が積層された後、ハイト方向（図示
Ｙ方向）への磁場中アニールを施すことで、固定磁性層
と反強磁性層との界面で発生する交換結合磁界により、
固定磁性層の磁化はハイト方向（図示Ｙ方向）に強固に
固定される。
ｅ合金、Ｃｏ、ＣｏＮｉＦｅ合金などにより形成され
る。この固定磁性層が積層された後、ハイト方向（図示
Ｙ方向）への磁場中アニールを施すことで、固定磁性層
と反強磁性層との界面で発生する交換結合磁界により、
固定磁性層の磁化はハイト方向（図示Ｙ方向）に強固に
固定される。
【００３８】前記非磁性導電層は、例えばＣｕなどの電
気抵抗の低い導電性材料によって形成される。この非磁
性導電層上にはフリー磁性層が形成される。このフリー
磁性層は、ＮｉＦｅ合金、ＣｏＦｅ合金、Ｃｏ、ＣｏＮ
ｉＦｅ合金などにより形成される。前記保護層はＴａな
どで形成される。
気抵抗の低い導電性材料によって形成される。この非磁
性導電層上にはフリー磁性層が形成される。このフリー
磁性層は、ＮｉＦｅ合金、ＣｏＦｅ合金、Ｃｏ、ＣｏＮ
ｉＦｅ合金などにより形成される。前記保護層はＴａな
どで形成される。
【００３９】このように略台形状に形成した多層膜２の
両側領域には、下から順にバイアス層２２、電極層２３
がそれぞれ積層されている。なお、バイアス層２２の下
には図示しないバイアス下地層を形成してもよい。
両側領域には、下から順にバイアス層２２、電極層２３
がそれぞれ積層されている。なお、バイアス層２２の下
には図示しないバイアス下地層を形成してもよい。
【００４０】バイアス層２２の下に形成するバイアス下
地層は、例えば、結晶構造が体心立方構造（ｂｃｃ構
造）の金属膜で形成される。具体的には、Ｃｒ、Ｗ、Ｍ
ｏ、Ｖ、Ｍｎ、Ｎｂ、Ｔａのいずれか１種または２種以
上の元素で形成することができるが、特に、Ｃｒ膜で形
成することが好ましい。このＣｒ膜は、バイアス層２２
の結晶配向を整える機能に優れ、バイアス層２２の保磁
力を適切に大きくすることができるからである。
地層は、例えば、結晶構造が体心立方構造（ｂｃｃ構
造）の金属膜で形成される。具体的には、Ｃｒ、Ｗ、Ｍ
ｏ、Ｖ、Ｍｎ、Ｎｂ、Ｔａのいずれか１種または２種以
上の元素で形成することができるが、特に、Ｃｒ膜で形
成することが好ましい。このＣｒ膜は、バイアス層２２
の結晶配向を整える機能に優れ、バイアス層２２の保磁
力を適切に大きくすることができるからである。
【００４１】バイアス層２２は、ＣｏＰｔ合金やＣｏＰ
ｔＣｒ合金などの硬磁性材料で形成される。電極層２３
には、Ａｕ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｒｈ、Ｗなどが一般に使用さ
れている。さらに、このバイアス層２２上には、電極層
２３が形成される。
ｔＣｒ合金などの硬磁性材料で形成される。電極層２３
には、Ａｕ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｒｈ、Ｗなどが一般に使用さ
れている。さらに、このバイアス層２２上には、電極層
２３が形成される。
【００４２】次に、磁気抵抗効果を発揮する多層膜２、
及び電極層２３の上には、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）などの
非磁性材料の上部ギャップ層２４が形成される。この上
部ギャップ層２４の上には、読出しヘッドｈ１の上部シ
ールド機能を有する上部シールド層３が形成される。
及び電極層２３の上には、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）などの
非磁性材料の上部ギャップ層２４が形成される。この上
部ギャップ層２４の上には、読出しヘッドｈ１の上部シ
ールド機能を有する上部シールド層３が形成される。
【００４３】この上部シールド層３には、パーマロイや
Ｃｏ（コバルト）系アモルファス合金のように、一軸異
方性をもつ軟磁性材やセンダストのような等方的な軟磁
性材料により形成される。なお、この実施形態では、上
部シールド層３が、記録用のインダクティブヘッドｈ２
側の下部コア層を兼用している。この上部シールド層３
には、トラック幅（Ｔｗ）方向の両側領域に位置する両
側部３Ａに、本発明の特徴の一つである、永久磁石膜の
ハードバイアス膜４が形成されている。
Ｃｏ（コバルト）系アモルファス合金のように、一軸異
方性をもつ軟磁性材やセンダストのような等方的な軟磁
性材料により形成される。なお、この実施形態では、上
部シールド層３が、記録用のインダクティブヘッドｈ２
側の下部コア層を兼用している。この上部シールド層３
には、トラック幅（Ｔｗ）方向の両側領域に位置する両
側部３Ａに、本発明の特徴の一つである、永久磁石膜の
ハードバイアス膜４が形成されている。
【００４４】このハードバイアス膜４は、上部シールド
層３に対して、磁化方向を磁化容易軸方向（Ｘ方向）に
揃えて単磁区化させ、上部シールド層３の磁化反転（磁
気的可逆性）を良好にするためのものであり、多層膜２
中のバイアス層２２と同様に、ＣｏＰｔ合金やＣｏＰｔ
Ｃｒ合金などの硬磁性材料で形成される。
層３に対して、磁化方向を磁化容易軸方向（Ｘ方向）に
揃えて単磁区化させ、上部シールド層３の磁化反転（磁
気的可逆性）を良好にするためのものであり、多層膜２
中のバイアス層２２と同様に、ＣｏＰｔ合金やＣｏＰｔ
Ｃｒ合金などの硬磁性材料で形成される。
【００４５】本実施形態では、特に、このハードバイア
ス膜４のハイト（Ｙ）方向の前後に位置する両端面４
Ａ、４Ａ´(図１（Ｂ）参照)が磁界が最も強い磁極の形
成部分となるが、このうち特に、本発明では、磁気記録
媒体の対向面寄りの端面４Ａを、磁気記録媒体(図略)と
の対向面となるＡＢＳ(Air Bearing Surface)面よりも
ハイト（Ｙ）方向の内部側にΔｈだけ後退して形成させ
ている。
ス膜４のハイト（Ｙ）方向の前後に位置する両端面４
Ａ、４Ａ´(図１（Ｂ）参照)が磁界が最も強い磁極の形
成部分となるが、このうち特に、本発明では、磁気記録
媒体の対向面寄りの端面４Ａを、磁気記録媒体(図略)と
の対向面となるＡＢＳ(Air Bearing Surface)面よりも
ハイト（Ｙ）方向の内部側にΔｈだけ後退して形成させ
ている。
【００４６】上部シールド層３の上には、非磁性材料で
磁気ギャップ層６が形成される。この磁気ギャップ層６
上には、ポリイミドまたはレジスト材料を用いた図示外
の絶縁層を介して平面的に螺旋状にパターン形成された
コイル層２５が設けられている。なお、このコイル層２
５は、Ｃｕなどの電気抵抗の小さな非磁性、かつ、導電
性の材料で形成される。このコイル層２５上には、絶縁
層を介して記録用のインダクティブヘッドｈ２のトレー
リング側コア部となる上部コア層７が軟磁性材料で形成
されている。なお、この上部コア層７のＸ方向の幅寸法
が、トラック幅Ｔｗとなる。
磁気ギャップ層６が形成される。この磁気ギャップ層６
上には、ポリイミドまたはレジスト材料を用いた図示外
の絶縁層を介して平面的に螺旋状にパターン形成された
コイル層２５が設けられている。なお、このコイル層２
５は、Ｃｕなどの電気抵抗の小さな非磁性、かつ、導電
性の材料で形成される。このコイル層２５上には、絶縁
層を介して記録用のインダクティブヘッドｈ２のトレー
リング側コア部となる上部コア層７が軟磁性材料で形成
されている。なお、この上部コア層７のＸ方向の幅寸法
が、トラック幅Ｔｗとなる。
【００４７】従って、この実施形態によれば、上部シ
ールド層３のトラック幅（Ｘ）方向の両側に永久磁石の
ハードバイアス膜４を形成し、この上部シールド層３
を、ハードバイアス膜４との接触面からの漏れ磁界（残
留磁化）により、トラック幅（Ｘ）方向が磁化容易軸方
向となるように単磁区化することによって、薄膜磁気ヘ
ッドとしてのヒシテリシスが無くなり、保磁力は非常に
小さくなる。
ールド層３のトラック幅（Ｘ）方向の両側に永久磁石の
ハードバイアス膜４を形成し、この上部シールド層３
を、ハードバイアス膜４との接触面からの漏れ磁界（残
留磁化）により、トラック幅（Ｘ）方向が磁化容易軸方
向となるように単磁区化することによって、薄膜磁気ヘ
ッドとしてのヒシテリシスが無くなり、保磁力は非常に
小さくなる。
【００４８】このハードバイアス膜４は、前述したよ
うに、端面４Ａを磁気記録媒体の対向面となるＡＢＳ(A
ir Bearing Surface)面から後退させた内部に設けるこ
とにより、ハードバイアス膜４が磁気記録媒体に対して
離間するので、例えば、磁気記録媒体への不要な磁気的
書込み、或は書き込まれている情報の不必要な消去、と
いった問題を防止できる。
うに、端面４Ａを磁気記録媒体の対向面となるＡＢＳ(A
ir Bearing Surface)面から後退させた内部に設けるこ
とにより、ハードバイアス膜４が磁気記録媒体に対して
離間するので、例えば、磁気記録媒体への不要な磁気的
書込み、或は書き込まれている情報の不必要な消去、と
いった問題を防止できる。
【００４９】このハードバイアス膜４は、上部シール
ド層３に埋め込まれており、積層方向（Ｚ）の下側に位
置する下面４Ｂは上部シールド層３から外部へ露出しな
いようになっている。このように、ハードバイアス膜４
を埋め込むことで、ハードバイアス膜４の角部４Ｅから
漏れ出る磁界が減少し、下部シールド層１、上部シール
ド層３の一軸異方性が安定化するという効果が得られ
る。
ド層３に埋め込まれており、積層方向（Ｚ）の下側に位
置する下面４Ｂは上部シールド層３から外部へ露出しな
いようになっている。このように、ハードバイアス膜４
を埋め込むことで、ハードバイアス膜４の角部４Ｅから
漏れ出る磁界が減少し、下部シールド層１、上部シール
ド層３の一軸異方性が安定化するという効果が得られ
る。
【００５０】即ち、ハードバイアス膜４、４と下部シー
ルド層１との間には、上部シールド層３において、下部
シールド層１に臨む下面寄りの一部３Ｂ（以下、これを
延出部とよぶ）が延出して形成されている。この延出部
３Ｂが存在することにより、ハードバイアス膜４、４の
角部４Ｅは、延出部３Ｂで被覆される。このハードバイ
アス膜４、４の角部４Ｅが、上部シールド層３の延出部
３Ｂで覆われていることにより、上部シールド層３と下
部シールド層１との間には、局部的な磁気ループが形成
されるのを回避することができる。
ルド層１との間には、上部シールド層３において、下部
シールド層１に臨む下面寄りの一部３Ｂ（以下、これを
延出部とよぶ）が延出して形成されている。この延出部
３Ｂが存在することにより、ハードバイアス膜４、４の
角部４Ｅは、延出部３Ｂで被覆される。このハードバイ
アス膜４、４の角部４Ｅが、上部シールド層３の延出部
３Ｂで覆われていることにより、上部シールド層３と下
部シールド層１との間には、局部的な磁気ループが形成
されるのを回避することができる。
【００５１】さらに、このハードバイアス膜４と上部
シールド層３とは、直接接触しており、強磁性結合が相
互作用しているため、上部シールド層３の延出部３Ｂを
ハードバイアス膜４の磁化方向と同一方向に磁化し、ハ
ードバイアス膜４、４の角部４Ｆにおける磁気勾配を緩
慢にさせる効果をもたらしている。
シールド層３とは、直接接触しており、強磁性結合が相
互作用しているため、上部シールド層３の延出部３Ｂを
ハードバイアス膜４の磁化方向と同一方向に磁化し、ハ
ードバイアス膜４、４の角部４Ｆにおける磁気勾配を緩
慢にさせる効果をもたらしている。
【００５２】また、前述したように、上部シールド層
３は一対のハードバイアス膜４により磁化方向を揃えて
単磁区化できるが、上部シールド層３のトラック幅
（Ｘ）方向の両側部３Ａと下部シールド層１の両側部１
Ａとにおける静磁界Ｂ２、Ｃ２の磁界ループ（磁路）の
形成により、下部シールド層１の磁化方向も揃えること
ができる。従って、上部シールド層３は、記録時の記録
磁界および磁気記録媒体からの信号磁界が印加されて
も、磁化反転が可逆的に発生し、不規則な磁区の変化を
伴わずに、出力信号にはバルクハウゼンノイズが重畳す
ることがない。
３は一対のハードバイアス膜４により磁化方向を揃えて
単磁区化できるが、上部シールド層３のトラック幅
（Ｘ）方向の両側部３Ａと下部シールド層１の両側部１
Ａとにおける静磁界Ｂ２、Ｃ２の磁界ループ（磁路）の
形成により、下部シールド層１の磁化方向も揃えること
ができる。従って、上部シールド層３は、記録時の記録
磁界および磁気記録媒体からの信号磁界が印加されて
も、磁化反転が可逆的に発生し、不規則な磁区の変化を
伴わずに、出力信号にはバルクハウゼンノイズが重畳す
ることがない。
【００５３】なお、この実施形態では、ハードバイアス
膜４、４の積層方向（Ｚ）の上側に位置する上面４Ｄ
は、上部シールド層３から外部に露出しているが、上部
シールド層３の一部に埋め込んで露出しないように形成
してもよい。
膜４、４の積層方向（Ｚ）の上側に位置する上面４Ｄ
は、上部シールド層３から外部に露出しているが、上部
シールド層３の一部に埋め込んで露出しないように形成
してもよい。
【００５４】［第２の実施形態］次に、本発明の第２の
実施形態について説明する。図２（Ａ）は、本発明の第
２の実施形態に係るマージド(merged)タイプの薄膜磁気
ヘッドを磁気記録媒体(図略)との対向面となるＡＢＳ(A
ir Bearing Surface)面からみた概略正面図、同図
（Ｂ）はこの薄膜磁気ヘッドを積層方向の上側からみた
概略平面図である。なお、図示外のハードディスクまた
は磁気テープなどの磁気記録媒体の移動方向はＺ方向で
あり、磁気記録媒体からの信号磁界の方向はＹ方向であ
る。図２に示す薄膜磁気ヘッドが、第１の実施形態に係
る薄膜磁気ヘッドと異なるところは、ハードバイアス膜
４を上部シールド層３に形成する替わりに、下部シール
ド層１にハードバイアス膜４を形成している点である。
実施形態について説明する。図２（Ａ）は、本発明の第
２の実施形態に係るマージド(merged)タイプの薄膜磁気
ヘッドを磁気記録媒体(図略)との対向面となるＡＢＳ(A
ir Bearing Surface)面からみた概略正面図、同図
（Ｂ）はこの薄膜磁気ヘッドを積層方向の上側からみた
概略平面図である。なお、図示外のハードディスクまた
は磁気テープなどの磁気記録媒体の移動方向はＺ方向で
あり、磁気記録媒体からの信号磁界の方向はＹ方向であ
る。図２に示す薄膜磁気ヘッドが、第１の実施形態に係
る薄膜磁気ヘッドと異なるところは、ハードバイアス膜
４を上部シールド層３に形成する替わりに、下部シール
ド層１にハードバイアス膜４を形成している点である。
【００５５】即ち、この下部シールド層１には、トラッ
ク幅（Ｘ）方向の両側端部に位置する両側部１Ａに、永
久磁石膜からなるハードバイアス膜４が形成されてい
る。このハードバイアス膜４は、下部部シールド層１に
対して、磁化方向を磁化容易軸方向（Ｘ方向）に揃えて
単磁区化させ、下部シールド層１の磁化反転（磁気的可
逆性）を良好にするためのものであり、多層膜２中のバ
イアス層２２と同様に、ＣｏＰｔ合金やＣｏＰｔＣｒ合
金などの硬磁性材料で形成される。
ク幅（Ｘ）方向の両側端部に位置する両側部１Ａに、永
久磁石膜からなるハードバイアス膜４が形成されてい
る。このハードバイアス膜４は、下部部シールド層１に
対して、磁化方向を磁化容易軸方向（Ｘ方向）に揃えて
単磁区化させ、下部シールド層１の磁化反転（磁気的可
逆性）を良好にするためのものであり、多層膜２中のバ
イアス層２２と同様に、ＣｏＰｔ合金やＣｏＰｔＣｒ合
金などの硬磁性材料で形成される。
【００５６】また、本実施形態でも、特に、このハード
バイアス膜４のハイト（Ｙ）方向の前後に位置する両端
面４Ａ、４Ａ´(図２（Ｂ）参照)が磁界が最も強い磁極
の形成部分となるが、このうち特に、本発明では、磁気
記録媒体の対向面寄りの端面４Ａを、磁気記録媒体(図
略)との対向面となるＡＢＳ(Air Bearing Surface)面よ
りもハイト（Ｙ）方向の内部側にΔｈだけ後退して形成
させている。
バイアス膜４のハイト（Ｙ）方向の前後に位置する両端
面４Ａ、４Ａ´(図２（Ｂ）参照)が磁界が最も強い磁極
の形成部分となるが、このうち特に、本発明では、磁気
記録媒体の対向面寄りの端面４Ａを、磁気記録媒体(図
略)との対向面となるＡＢＳ(Air Bearing Surface)面よ
りもハイト（Ｙ）方向の内部側にΔｈだけ後退して形成
させている。
【００５７】従って、この実施形態によれば、下部シ
ールド層１のトラック幅（Ｘ）方向の両側に永久磁石膜
のハードバイアス膜４を形成し、この下部シールド層１
を、ハードバイアス膜４との接触面からの漏れ磁界（残
留磁化）により、Ｘ方向が磁化容易軸方向となるように
単磁区化することによって、薄膜磁気ヘッドとしてのヒ
シテリシスが無くなり、保磁力は非常に小さくなる。
ールド層１のトラック幅（Ｘ）方向の両側に永久磁石膜
のハードバイアス膜４を形成し、この下部シールド層１
を、ハードバイアス膜４との接触面からの漏れ磁界（残
留磁化）により、Ｘ方向が磁化容易軸方向となるように
単磁区化することによって、薄膜磁気ヘッドとしてのヒ
シテリシスが無くなり、保磁力は非常に小さくなる。
【００５８】このハードバイアス膜４は前述したよう
に、磁気記録媒体の対向面寄りの端面４Ａを磁気記録媒
体の対向面となるＡＢＳ(Air Bearing Surface)面から
後退させた内部に設けることにより、ハードバイアス膜
４が磁気記録媒体に対して離間するので、例えば、磁気
記録媒体への不要な磁気的書込み、或は書き込まれてい
る情報の不必要な消去、といった問題を防止できる。
に、磁気記録媒体の対向面寄りの端面４Ａを磁気記録媒
体の対向面となるＡＢＳ(Air Bearing Surface)面から
後退させた内部に設けることにより、ハードバイアス膜
４が磁気記録媒体に対して離間するので、例えば、磁気
記録媒体への不要な磁気的書込み、或は書き込まれてい
る情報の不必要な消去、といった問題を防止できる。
【００５９】しかも、このハードバイアス膜４は、下
部シールド層１に埋め込まれており、積層方向（Ｚ）の
上側に位置する上面４Ｄは下部シールド層１から外部へ
露出しないようになっている。このように、ハードバイ
アス膜４を埋めこむことで、ハードバイアス膜４の角部
４Ｅから漏れ出る磁界が減少し、下部シールド層１と上
部シールド層３の一軸異方性が安定化するといった効果
が得られる。
部シールド層１に埋め込まれており、積層方向（Ｚ）の
上側に位置する上面４Ｄは下部シールド層１から外部へ
露出しないようになっている。このように、ハードバイ
アス膜４を埋めこむことで、ハードバイアス膜４の角部
４Ｅから漏れ出る磁界が減少し、下部シールド層１と上
部シールド層３の一軸異方性が安定化するといった効果
が得られる。
【００６０】即ち、ハードバイアス膜４と上部シールド
層３との間には、下部シールド層１において、上部シー
ルド層３に臨む上面寄りの一部１Ｂ（以下、これを延出
部とよぶ）が延出して形成されており、この延出部１Ｂ
が存在することにより、ハードバイアス膜４、４の角部
４Ｅは上部シールド層３に向けて露出せずに済む。その
結果、このハードバイアス膜４、４の角部４Ｅが、下部
シールド層１の延出部１Ｂで覆われていることにより、
下部シールド層１と上部シールド層３との間には、局部
的な磁気ループが形成されるのを回避することができ
る。
層３との間には、下部シールド層１において、上部シー
ルド層３に臨む上面寄りの一部１Ｂ（以下、これを延出
部とよぶ）が延出して形成されており、この延出部１Ｂ
が存在することにより、ハードバイアス膜４、４の角部
４Ｅは上部シールド層３に向けて露出せずに済む。その
結果、このハードバイアス膜４、４の角部４Ｅが、下部
シールド層１の延出部１Ｂで覆われていることにより、
下部シールド層１と上部シールド層３との間には、局部
的な磁気ループが形成されるのを回避することができ
る。
【００６１】さらに、ハードバイアス膜４と下部シー
ルド層１とは、直接接触しており、強磁性結合が相互作
用しているため、下部シールド層１の延出部１Ｂをハー
ドバイアス膜４の磁化方向と同一方向に磁化し、ハード
バイアス膜４、４の角部４Ｆにおける磁気勾配を緩慢に
させる効果をもたらす。
ルド層１とは、直接接触しており、強磁性結合が相互作
用しているため、下部シールド層１の延出部１Ｂをハー
ドバイアス膜４の磁化方向と同一方向に磁化し、ハード
バイアス膜４、４の角部４Ｆにおける磁気勾配を緩慢に
させる効果をもたらす。
【００６２】また、前述したように、下部シールド層
１は一対のハードバイアス膜４により磁化方向を揃えて
単磁区化できるが、下部シールド層１のトラック幅
（Ｘ）方向の両側部１Ａと上部シールド層３の両側部３
Ａとにおける静磁界Ｂ２、Ｃ２の磁界ループ（磁路）の
形成により、上部シールド層３の磁化方向も揃えること
ができる。従って、下部シールド層１は、記録時の記録
磁界および磁気記録媒体からの信号磁界が印加されて
も、磁化反転が可逆的に発生し、不規則な磁区の変化を
伴わずに、出力信号にはバルクハウゼンノイズが重畳す
ることがない。
１は一対のハードバイアス膜４により磁化方向を揃えて
単磁区化できるが、下部シールド層１のトラック幅
（Ｘ）方向の両側部１Ａと上部シールド層３の両側部３
Ａとにおける静磁界Ｂ２、Ｃ２の磁界ループ（磁路）の
形成により、上部シールド層３の磁化方向も揃えること
ができる。従って、下部シールド層１は、記録時の記録
磁界および磁気記録媒体からの信号磁界が印加されて
も、磁化反転が可逆的に発生し、不規則な磁区の変化を
伴わずに、出力信号にはバルクハウゼンノイズが重畳す
ることがない。
【００６３】なお、この実施形態では、ハードバイアス
膜４の積層方向（Ｚ）の下側に位置する下面４Ｂは、下
部シールド層１から外部に露出しているが、下部シール
ド層１の一部に埋め込んで露出しないように形成しても
よい。
膜４の積層方向（Ｚ）の下側に位置する下面４Ｂは、下
部シールド層１から外部に露出しているが、下部シール
ド層１の一部に埋め込んで露出しないように形成しても
よい。
【００６４】[第３の実施形態]次に、本発明の第３の実
施形態について、図３を参照しながら説明する。なお、
この実施形態において、第１の実施形態と同一部分には
同一符号を付して重複説明を避ける。図３に示す薄膜磁
気ヘッドが、第１の実施形態に係る薄膜磁気ヘッドと異
なるところは、下部シール層１の積層（Ｚ）方向の上下
両面のうち上面に、反強磁性膜２７が形成されている点
であり、この反強磁性膜２７との交換結合により、下部
シールド層１は上部シールド層３の磁化方向と反対方向
に磁化が揃えられている。また、下部シールド層１は、
積層（Ｚ）方向の上下両面のうち下面に、反強磁性膜２
８が形成される構成としてもよく、或いは上面及び下面
の双方にそれぞれ反強磁性膜２７、２８が形成されてい
てもよい。
施形態について、図３を参照しながら説明する。なお、
この実施形態において、第１の実施形態と同一部分には
同一符号を付して重複説明を避ける。図３に示す薄膜磁
気ヘッドが、第１の実施形態に係る薄膜磁気ヘッドと異
なるところは、下部シール層１の積層（Ｚ）方向の上下
両面のうち上面に、反強磁性膜２７が形成されている点
であり、この反強磁性膜２７との交換結合により、下部
シールド層１は上部シールド層３の磁化方向と反対方向
に磁化が揃えられている。また、下部シールド層１は、
積層（Ｚ）方向の上下両面のうち下面に、反強磁性膜２
８が形成される構成としてもよく、或いは上面及び下面
の双方にそれぞれ反強磁性膜２７、２８が形成されてい
てもよい。
【００６５】一方、上部シールド層３には、トラック幅
（Ｘ）方向の両側端部に位置する両側部３Ａに、永久磁
石膜からなるハードバイアス膜４が形成されている。こ
のハードバイアス膜４は、上部シールド層３に対して、
磁化方向を磁化容易軸方向（Ｘ方向）に揃えて単磁区化
させ、上部シールド層３の磁化反転（磁気的可逆性）を
良好にするためのものであり、多層膜２中のバイアス層
２２と同様に、ＣｏＰｔ合金やＣｏＰｔＣｒ合金などの
硬磁性材料で形成される。
（Ｘ）方向の両側端部に位置する両側部３Ａに、永久磁
石膜からなるハードバイアス膜４が形成されている。こ
のハードバイアス膜４は、上部シールド層３に対して、
磁化方向を磁化容易軸方向（Ｘ方向）に揃えて単磁区化
させ、上部シールド層３の磁化反転（磁気的可逆性）を
良好にするためのものであり、多層膜２中のバイアス層
２２と同様に、ＣｏＰｔ合金やＣｏＰｔＣｒ合金などの
硬磁性材料で形成される。
【００６６】従って、この実施形態によれば、この上部
シールド層３は、ハードバイアス膜４により磁化方向が
揃えられ、単磁区化できる一方、下部シールド層１は反
強磁性膜２７との交換異方性磁界により、磁化方向が揃
えられ、単磁区化できる。なお、上部シールド層３と下
部シールド層１との磁化方向は反平行が好ましく、この
場合、上部シールド層３と下部シールド層１との両側部
３Ａ、１Ａで発生する静磁界Ｂ２、Ｃ２による磁界ルー
プにより、磁化方向がより安定となる。
シールド層３は、ハードバイアス膜４により磁化方向が
揃えられ、単磁区化できる一方、下部シールド層１は反
強磁性膜２７との交換異方性磁界により、磁化方向が揃
えられ、単磁区化できる。なお、上部シールド層３と下
部シールド層１との磁化方向は反平行が好ましく、この
場合、上部シールド層３と下部シールド層１との両側部
３Ａ、１Ａで発生する静磁界Ｂ２、Ｃ２による磁界ルー
プにより、磁化方向がより安定となる。
【００６７】[第４の実施形態]次に、本発明の第４の実
施形態について、図４を参照しながら説明する。なお、
この実施形態において、第１の実施形態と同一部分には
同一符号を付して重複説明を避ける。図４に示す薄膜磁
気ヘッドが、第１の実施形態に係る薄膜磁気ヘッドと異
なるところは、上部シールド層３の積層（Ｚ）方向の上
下に位置する両面のうち上面に反強磁性膜２９が形成さ
れている点であり、この反強磁性膜２９との交換結合に
より、上部シールド層３は下部シールド層１の磁化方向
と反対方向に磁化が揃えられている。また、上部シール
ド層３は、積層（Ｚ）方向の上下に位置する両面のうち
下面に反強磁性膜３０が形成された構成としてもよく、
或いは上面及び下面の双方にそれぞれ反強磁性膜２９、
３０が形成されていてもよい。
施形態について、図４を参照しながら説明する。なお、
この実施形態において、第１の実施形態と同一部分には
同一符号を付して重複説明を避ける。図４に示す薄膜磁
気ヘッドが、第１の実施形態に係る薄膜磁気ヘッドと異
なるところは、上部シールド層３の積層（Ｚ）方向の上
下に位置する両面のうち上面に反強磁性膜２９が形成さ
れている点であり、この反強磁性膜２９との交換結合に
より、上部シールド層３は下部シールド層１の磁化方向
と反対方向に磁化が揃えられている。また、上部シール
ド層３は、積層（Ｚ）方向の上下に位置する両面のうち
下面に反強磁性膜３０が形成された構成としてもよく、
或いは上面及び下面の双方にそれぞれ反強磁性膜２９、
３０が形成されていてもよい。
【００６８】一方、下部シールド層１には、トラック幅
（Ｘ）方向の両側端部に位置する両側部１Ａに、永久磁
石膜からなるハードバイアス膜４が形成されている。こ
のハードバイアス膜４は、下部シールド層１に対して、
磁化方向を磁化容易軸方向（Ｘ方向）に揃えて単磁区化
させ、下部シールド層１の磁化反転（磁気的可逆性）を
良好にするためのものであり、多層膜２中のバイアス層
２２と同様に、ＣｏＰｔ合金やＣｏＰｔＣｒ合金などの
硬磁性材料で形成される。
（Ｘ）方向の両側端部に位置する両側部１Ａに、永久磁
石膜からなるハードバイアス膜４が形成されている。こ
のハードバイアス膜４は、下部シールド層１に対して、
磁化方向を磁化容易軸方向（Ｘ方向）に揃えて単磁区化
させ、下部シールド層１の磁化反転（磁気的可逆性）を
良好にするためのものであり、多層膜２中のバイアス層
２２と同様に、ＣｏＰｔ合金やＣｏＰｔＣｒ合金などの
硬磁性材料で形成される。
【００６９】従って、この実施形態によれば、この下部
シールド層１は、ハードバイアス膜４により磁化方向が
揃えられ、単磁区化できる一方、上部シールド層３は反
強磁性膜２９との交換異方性磁界により、磁化方向が揃
えられ、単磁区化できる。なお、上部シールド層３と下
部シールド層１との磁化方向は反平行が好ましく、この
場合、上部シールド層３と下部シールド層１との両側部
３Ａ、１Ａで発生する静磁界Ｂ２、Ｃ２による磁界ルー
プにより、磁化方向がより安定となる。
シールド層１は、ハードバイアス膜４により磁化方向が
揃えられ、単磁区化できる一方、上部シールド層３は反
強磁性膜２９との交換異方性磁界により、磁化方向が揃
えられ、単磁区化できる。なお、上部シールド層３と下
部シールド層１との磁化方向は反平行が好ましく、この
場合、上部シールド層３と下部シールド層１との両側部
３Ａ、１Ａで発生する静磁界Ｂ２、Ｃ２による磁界ルー
プにより、磁化方向がより安定となる。
【００７０】[第５の実施形態]次に、本発明の第５の実
施形態について、図５を参照しながら説明する。なお、
この実施形態において、第１の実施形態と同一部分には
同一符号を付して重複説明を避ける。図５に示す薄膜磁
気ヘッドが、図１に示す第１の実施形態に係る薄膜磁気
ヘッドと異なるのは、上部シールド層３がシールド専用
層であり、非磁性中間層２６を介して下部コア層５がコ
ア専用層として設けられている点である。従って、この
ような構成によれば、下部コア専用層として下部コア層
５が設けられているため、記録磁界の生成時に、上部シ
ールド層３に直接磁界を印加されずにすみ、上部シール
ド層３内の不規則な磁区の発生をさらに防止することが
できる。
施形態について、図５を参照しながら説明する。なお、
この実施形態において、第１の実施形態と同一部分には
同一符号を付して重複説明を避ける。図５に示す薄膜磁
気ヘッドが、図１に示す第１の実施形態に係る薄膜磁気
ヘッドと異なるのは、上部シールド層３がシールド専用
層であり、非磁性中間層２６を介して下部コア層５がコ
ア専用層として設けられている点である。従って、この
ような構成によれば、下部コア専用層として下部コア層
５が設けられているため、記録磁界の生成時に、上部シ
ールド層３に直接磁界を印加されずにすみ、上部シール
ド層３内の不規則な磁区の発生をさらに防止することが
できる。
【００７１】なお、この実施形態では、ハードバイアス
膜４、４の積層（Ｚ）方向の上下に位置する上面４Ｄ及
び下面４Ｂが上部シールド層３に埋め込まれて外部に露
出しないようになっているが、このように露出させない
ように構成することで、下部コア層５には、静磁界によ
る多磁区の発生を抑制することができる。これにより、
安定した記録磁界を磁気記録媒体に供給することができ
る。また、ハードバイアス膜４は、製造を容易にするた
めに、上面４Ｄを上部シールド層３の上面と同一位置ま
で形成して非磁性中間層２６に、直接、臨ませるように
してもよい。
膜４、４の積層（Ｚ）方向の上下に位置する上面４Ｄ及
び下面４Ｂが上部シールド層３に埋め込まれて外部に露
出しないようになっているが、このように露出させない
ように構成することで、下部コア層５には、静磁界によ
る多磁区の発生を抑制することができる。これにより、
安定した記録磁界を磁気記録媒体に供給することができ
る。また、ハードバイアス膜４は、製造を容易にするた
めに、上面４Ｄを上部シールド層３の上面と同一位置ま
で形成して非磁性中間層２６に、直接、臨ませるように
してもよい。
【００７２】[第６の実施形態]次に、本発明の第６の実
施形態について、図６を参照しながら説明する。なお、
この実施形態において、第２の実施形態と同一部分には
同一符号を付して重複説明を避ける。図６に示す薄膜磁
気ヘッドが、図２に示す第２の実施形態に係る薄膜磁気
ヘッドと異なるところは、上部シールド層３がシールド
専用層であり、非磁性中間層２６を介して下部コア層５
がコア専用層として設けられている点である。従って、
このような構成によれば、下部コア専用層として下部コ
ア層５が設けられているため、記録磁界の生成時に、上
部シールド層３に直接磁界を印加させずにすみ、上部シ
ールド層３内の不規則な磁区の発生をさらに防止するこ
とができる。
施形態について、図６を参照しながら説明する。なお、
この実施形態において、第２の実施形態と同一部分には
同一符号を付して重複説明を避ける。図６に示す薄膜磁
気ヘッドが、図２に示す第２の実施形態に係る薄膜磁気
ヘッドと異なるところは、上部シールド層３がシールド
専用層であり、非磁性中間層２６を介して下部コア層５
がコア専用層として設けられている点である。従って、
このような構成によれば、下部コア専用層として下部コ
ア層５が設けられているため、記録磁界の生成時に、上
部シールド層３に直接磁界を印加させずにすみ、上部シ
ールド層３内の不規則な磁区の発生をさらに防止するこ
とができる。
【００７３】なお、この実施形態では、ハードバイアス
膜４が下部シールド層１に埋め込まれて上面４Ｄ及び下
面４Ｂが外部に露出しないようになっている。このよう
に上面４Ｄ及び下面４Ｂを露出させないようにハードバ
イアス膜４を埋めこむことで、ハードバイアス膜４の角
部４Ｅから漏れ出る磁界が減少し、下部シールド層１、
上部シールド層３の一軸異方性が安定化するといった効
果が得られる。また、ハードバイアス膜４は、製造を容
易にするために、上面４Ｄを下部シールド層１の上面と
同一位置まで形成して上部ギャップ層２４に臨ませるよ
うにしてもよい。
膜４が下部シールド層１に埋め込まれて上面４Ｄ及び下
面４Ｂが外部に露出しないようになっている。このよう
に上面４Ｄ及び下面４Ｂを露出させないようにハードバ
イアス膜４を埋めこむことで、ハードバイアス膜４の角
部４Ｅから漏れ出る磁界が減少し、下部シールド層１、
上部シールド層３の一軸異方性が安定化するといった効
果が得られる。また、ハードバイアス膜４は、製造を容
易にするために、上面４Ｄを下部シールド層１の上面と
同一位置まで形成して上部ギャップ層２４に臨ませるよ
うにしてもよい。
【００７４】[第７の実施形態]次に、本発明の第７の実
施形態について、図７を参照しながら説明する。なお、
この実施形態において、第３の実施形態と同一部分には
同一符号を付して重複説明を避ける。図７に示す薄膜磁
気ヘッドが、図３に示す第３の実施形態に係る薄膜磁気
ヘッドと異なるのは、上部シールド層３がシールド専用
層であり、非磁性中間層２６を介して下部コア層５がコ
ア専用層として設けられている点である。従って、この
ような構成によれば、下部コア専用層として下部コア層
５が設けられているため、記録磁界の生成時に、上部シ
ールド層３に直接磁界を印加されずにすみ、上部シール
ド層３内の不規則な磁区の発生をさらに防止することが
できる。
施形態について、図７を参照しながら説明する。なお、
この実施形態において、第３の実施形態と同一部分には
同一符号を付して重複説明を避ける。図７に示す薄膜磁
気ヘッドが、図３に示す第３の実施形態に係る薄膜磁気
ヘッドと異なるのは、上部シールド層３がシールド専用
層であり、非磁性中間層２６を介して下部コア層５がコ
ア専用層として設けられている点である。従って、この
ような構成によれば、下部コア専用層として下部コア層
５が設けられているため、記録磁界の生成時に、上部シ
ールド層３に直接磁界を印加されずにすみ、上部シール
ド層３内の不規則な磁区の発生をさらに防止することが
できる。
【００７５】なお、この実施形態では、ハードバイアス
膜４、４の上面４Ｄ及び下面４Ｂが上部シールド層３に
埋め込まれて外部に露出しないようになっているが、こ
のように、ハードバイアス膜４を埋め込んで露出させな
いようにすることで、ハードバイアス膜４の角部４Ｅか
ら漏れ出る磁界が減少し、下部シールド層１と上部シー
ルド層３の一軸異方性が安定化するといった効果が得ら
れる。また、ハードバイアス膜４は、製造を容易にする
ために、上面４Ｄを上部シールド層３の上面と同一位置
まで形成して非磁性中間層２６に臨ませるようにしても
よい。
膜４、４の上面４Ｄ及び下面４Ｂが上部シールド層３に
埋め込まれて外部に露出しないようになっているが、こ
のように、ハードバイアス膜４を埋め込んで露出させな
いようにすることで、ハードバイアス膜４の角部４Ｅか
ら漏れ出る磁界が減少し、下部シールド層１と上部シー
ルド層３の一軸異方性が安定化するといった効果が得ら
れる。また、ハードバイアス膜４は、製造を容易にする
ために、上面４Ｄを上部シールド層３の上面と同一位置
まで形成して非磁性中間層２６に臨ませるようにしても
よい。
【００７６】[第８の実施形態]次に、本発明の第８の実
施形態について、図８を参照しながら説明する。なお、
この実施形態において、第４の実施形態と同一部分には
同一符号を付して重複説明を避ける。図８に示す薄膜磁
気ヘッドが、図４に示す第４の実施形態に係る薄膜磁気
ヘッドと異なるのは、上部シールド層３がシールド専用
層であり、非磁性中間層２６を介して下部コア層５がコ
ア専用層として設けられている点である。従って、この
ような構成によれば、下部コア専用層として下部コア層
５が設けられているため、記録磁界の生成時に、上部シ
ールド層３に直接磁界を印加されずにすみ、上部シール
ド層３内の不規則な磁区の発生をさらに防止することが
できる。
施形態について、図８を参照しながら説明する。なお、
この実施形態において、第４の実施形態と同一部分には
同一符号を付して重複説明を避ける。図８に示す薄膜磁
気ヘッドが、図４に示す第４の実施形態に係る薄膜磁気
ヘッドと異なるのは、上部シールド層３がシールド専用
層であり、非磁性中間層２６を介して下部コア層５がコ
ア専用層として設けられている点である。従って、この
ような構成によれば、下部コア専用層として下部コア層
５が設けられているため、記録磁界の生成時に、上部シ
ールド層３に直接磁界を印加されずにすみ、上部シール
ド層３内の不規則な磁区の発生をさらに防止することが
できる。
【００７７】また、この薄膜磁気ヘッドでも、第４の実
施形態と同様に、上部シールド層３の上下両面のうち、
上面に反強磁性膜２９が形成されており、この反強磁性
膜２９との交換結合により、上部シールド層３は下部シ
ールド層１の磁化方向と反対方向に磁化が揃えられてい
る。また、この薄膜磁気ヘッドでも、第４の実施形態と
同様に、上部シールド層３は、上下両面のうち、下面に
反強磁性膜３０が形成された構成としてもよく、或いは
上面及び下面の双方にそれぞれ反強磁性膜２９、３０が
形成されていてもよい。
施形態と同様に、上部シールド層３の上下両面のうち、
上面に反強磁性膜２９が形成されており、この反強磁性
膜２９との交換結合により、上部シールド層３は下部シ
ールド層１の磁化方向と反対方向に磁化が揃えられてい
る。また、この薄膜磁気ヘッドでも、第４の実施形態と
同様に、上部シールド層３は、上下両面のうち、下面に
反強磁性膜３０が形成された構成としてもよく、或いは
上面及び下面の双方にそれぞれ反強磁性膜２９、３０が
形成されていてもよい。
【００７８】[第９の実施形態]次に、本発明の第９の実
施形態について、図９を参照しながら説明する。なお、
この実施形態において、第１の実施形態と同一部分には
同一符号を付して重複説明を避ける。図９に示す薄膜磁
気ヘッドが、図１に示す第１の実施形態に係る薄膜磁気
ヘッドと異なる点は、下部シールド層１と上部シールド
層３の双方に、ハードバイアス膜４が形成されており、
下部シールド層１と上部シールド層３の磁化方向が同一
であるところである。なお、この場合に、静磁界の単一
磁界ループは形成されない。
施形態について、図９を参照しながら説明する。なお、
この実施形態において、第１の実施形態と同一部分には
同一符号を付して重複説明を避ける。図９に示す薄膜磁
気ヘッドが、図１に示す第１の実施形態に係る薄膜磁気
ヘッドと異なる点は、下部シールド層１と上部シールド
層３の双方に、ハードバイアス膜４が形成されており、
下部シールド層１と上部シールド層３の磁化方向が同一
であるところである。なお、この場合に、静磁界の単一
磁界ループは形成されない。
【００７９】しかしながら、この実施形態でも、ハード
バイアス膜４の端面４Ａを磁気記録媒体の対向面側の端
面に露出させずにハイト（Ｙ）方向の内部に後退させた
状態に形成してあるため、磁気記録媒体上の情報を消去
するといった虞れはない。また、下部シールド層１と上
部シールド層３とにハードバイアス膜４が形成されてい
るため、各々のシールド層は単磁区化されて磁化方向が
揃っている。
バイアス膜４の端面４Ａを磁気記録媒体の対向面側の端
面に露出させずにハイト（Ｙ）方向の内部に後退させた
状態に形成してあるため、磁気記録媒体上の情報を消去
するといった虞れはない。また、下部シールド層１と上
部シールド層３とにハードバイアス膜４が形成されてい
るため、各々のシールド層は単磁区化されて磁化方向が
揃っている。
【００８０】[第１０の実施形態]次に、本発明の第１０
の実施形態について、図１０を参照しながら説明する。
なお、この実施形態において、第９の実施形態と同一部
分には同一符号を付して重複説明を避ける。図１０に示
す薄膜磁気ヘッドが、図９に示す第９の実施形態に係る
薄膜磁気ヘッドと異なるのは、上部シールド層３がシー
ルド専用層であり、非磁性中間層２６を介して下部コア
層５がコア専用層として設けられている点である。従っ
て、このような構成によれば、下部コア専用層として下
部コア層５が設けられているため、記録磁界の生成時
に、上部シールド層３に直接磁界を印加されずにすみ、
上部シールド層３内の不規則な磁区の発生をさらに防止
できる。
の実施形態について、図１０を参照しながら説明する。
なお、この実施形態において、第９の実施形態と同一部
分には同一符号を付して重複説明を避ける。図１０に示
す薄膜磁気ヘッドが、図９に示す第９の実施形態に係る
薄膜磁気ヘッドと異なるのは、上部シールド層３がシー
ルド専用層であり、非磁性中間層２６を介して下部コア
層５がコア専用層として設けられている点である。従っ
て、このような構成によれば、下部コア専用層として下
部コア層５が設けられているため、記録磁界の生成時
に、上部シールド層３に直接磁界を印加されずにすみ、
上部シールド層３内の不規則な磁区の発生をさらに防止
できる。
【００８１】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、上
部シールド層及び下部シールド層のうち少なくとも一方
のシールド層には、トラック幅方向の両端部側に、永久
磁石膜からなるハードバイアス膜が形成されているとと
もに、このハードバイアス膜の磁気記録媒体と対向する
面側の端面が、磁気記録媒体の対向面よりも内部へ後退
している。
部シールド層及び下部シールド層のうち少なくとも一方
のシールド層には、トラック幅方向の両端部側に、永久
磁石膜からなるハードバイアス膜が形成されているとと
もに、このハードバイアス膜の磁気記録媒体と対向する
面側の端面が、磁気記録媒体の対向面よりも内部へ後退
している。
【００８２】従って、シールド層の磁化を所定の方向に
安定化させることができるばかりか、ハードバイアス膜
が磁気記録媒体に対して離間するので、例えば、このハ
ードバイアス膜が磁気記録媒体へ磁気的な悪影響を及ぼ
し、不要な書き込みや、書き込まれている情報を不必要
に消去したり、磁気抵抗効果素子へ悪影響をもたらす、
といった不都合が発生するのを同時に防止できるように
なる。これにより、ノイズの発生を抑え、安定した状態
で良好な記録再生を行うことができる。
安定化させることができるばかりか、ハードバイアス膜
が磁気記録媒体に対して離間するので、例えば、このハ
ードバイアス膜が磁気記録媒体へ磁気的な悪影響を及ぼ
し、不要な書き込みや、書き込まれている情報を不必要
に消去したり、磁気抵抗効果素子へ悪影響をもたらす、
といった不都合が発生するのを同時に防止できるように
なる。これにより、ノイズの発生を抑え、安定した状態
で良好な記録再生を行うことができる。
【図１】（Ａ）は、本発明の第１の実施形態に係る薄膜
磁気ヘッドをＡＢＳ面から見た正面図、（Ｂ）は、同平
面図である。
磁気ヘッドをＡＢＳ面から見た正面図、（Ｂ）は、同平
面図である。
【図２】（Ａ）は、本発明の第２の実施形態に係る薄膜
磁気ヘッドをＡＢＳ面から見た正面図、（Ｂ）は、同平
面図である。
磁気ヘッドをＡＢＳ面から見た正面図、（Ｂ）は、同平
面図である。
【図３】本発明の第３の実施形態に係る薄膜磁気ヘッド
をＡＢＳ面から見た正面図である。
をＡＢＳ面から見た正面図である。
【図４】本発明の第４の実施形態に係る薄膜磁気ヘッド
をＡＢＳ面から見た正面図である。
をＡＢＳ面から見た正面図である。
【図５】本発明の第５の実施形態に係る薄膜磁気ヘッド
をＡＢＳ面から見た正面図である。
をＡＢＳ面から見た正面図である。
【図６】本発明の第６の実施形態に係る薄膜磁気ヘッド
をＡＢＳ面から見た正面図である。
をＡＢＳ面から見た正面図である。
【図７】本発明の第７の実施形態に係る薄膜磁気ヘッド
をＡＢＳ面から見た正面図である。
をＡＢＳ面から見た正面図である。
【図８】本発明の第８の実施形態に係る薄膜磁気ヘッド
をＡＢＳ面から見た正面図である。
をＡＢＳ面から見た正面図である。
【図９】本発明の第９の実施形態に係る薄膜磁気ヘッド
をＡＢＳ面から見た正面図である。
をＡＢＳ面から見た正面図である。
【図１０】本発明の第１０の実施形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドをＡＢＳ面から見た正面図である。
ッドをＡＢＳ面から見た正面図である。
【図１１】従来の薄膜磁気ヘッドをＡＢＳ面側から見た
断面図である。
断面図である。
【図１２】従来の他の薄膜磁気ヘッドをＡＢＳ面側から
見た断面図である。
見た断面図である。
１ 下部シールド層
１Ａ 両側部
１Ｂ 延出部
２ 多層膜
２１ 下部ギャップ層
２２ バイアス層
２３ 電極層
２４ 上部ギャップ層
２５ コイル層
２６ 非磁性中間層
２７ 反強磁性膜
２８ 反強磁性膜
２９ 反強磁性膜
３ 上部シールド層
３Ａ 両側部
３Ｂ 延出部
４ ハードバイアス膜
４Ａ 端面
４Ｂ 下面
４Ｄ 上面
４Ｅ 角部
４Ｆ 角部
５ 下部コア層
６ 磁気ギャップ層
７ 上部コア層
Ｂ２ 静磁界
Ｃ２ 静磁界
ｈ１ 読出しヘッド
ｈ２ インダクティブヘッド(記録用)
Ｘ トラック幅方向
Ｙ ハイト方向
Ｚ 積層方向
─────────────────────────────────────────────────────
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(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｈ０１Ｌ 43/08 Ｇ０１Ｒ 33/06 Ｒ
Claims (12)
- 【請求項１】 下部シールド層と、この下部シールド層
の上に下部ギャップ層を介して形成された磁気抵抗効果
を発揮する多層膜と、この多層膜にバイアス磁界を与え
るバイアス層と、前記多層膜にセンス電流を与える電極
層と、前記多層膜上に上部ギャップ層を介して形成され
た上部シールド層とを備えた薄膜磁気ヘッドにおいて、 前記上部シールド層と下部シールド層のうちの少なくと
も一方のトラック幅方向の左右両側に位置する両側部
に、永久磁石膜からなるハードバイアス膜が形成されて
いるとともに、 前記ハードバイアス膜の磁気記録媒体寄りの端面が、磁
気記録媒体との対向面よりも内部に後退していることを
特徴とする薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項２】 前記一方のシールド層に形成されている
ハードバイアス膜は、当該一方のシールド層の積層方向
について上下に位置する上面および下面のうち、他方の
シールド層に臨む前記上面または下面から露出しないよ
うに内部に埋設されたことを特徴とする請求項１に記載
の薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項３】 前記上部及び下部シールド層のうちハー
ドバイアス膜を設けていない他方のシールド層のトラッ
ク幅方向の両側部の上面側および下面のうちの少なくと
も一方には、一対の反強磁性膜が積層されていることを
特徴とする請求項２に記載の薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項４】 前記ハードバイアス膜によって磁化方向
が揃えられている前記上部および下部のシールド層のう
ちの一方のシールド層の磁化方向と、前記反強磁性膜と
の交換異方性磁界により磁化方向が揃えられている他方
のシールド層の磁化方向とは反平行であることを特徴と
する請求項１に記載の薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項５】 下部シールド層と、この下部シールド層
の上に下部ギャップ層を介して形成された磁気抵抗効果
を発揮する多層膜と、この多層膜にバイアス磁界を与え
るバイアス層と、前記多層膜にセンス電流を与える電極
層と、前記多層膜上に上部ギャップ層を介して形成され
た上部シールド層と、上部シールド層の上に磁気ギャッ
プ層を介して積層された上部コア層とを備えた薄膜磁気
ヘッドにおいて、 前記上部シールド層と下部シールド層のうちの少なくと
も一方のトラック幅方向の両側部に、永久磁石膜からな
るハードバイアス膜が形成されているとともに、 前記ハードバイアス膜の磁気記録媒体寄りの端面が、磁
気記録媒体との対向面よりも内部に後退していることを
特徴とする薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項６】 前記一方のシールド層内に形成されてい
るハードバイアス膜は、当該一方のシールド層の積層方
向の上面および下面のうち、他方のシールド層に臨む面
から外部に露出しないように埋設されたことを特徴とす
る請求項５に記載の薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項７】 前記上部及び下部シールド層のうちハー
ドバイアス膜を設けていない他方のシールド層のトラッ
ク幅方向の両側部の上面および下面の少なくとも一方に
は、一対の反強磁性膜が積層されていることを特徴とす
る請求項６に記載の薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項８】 前記ハードバイアス膜によって磁化方向
が揃えられている前記上部および下部のシールド層のう
ちの一方のシールド層の磁化方向と、前記反強磁性膜と
の交換異方性磁界により磁化方向が揃えられている他方
のシールド層の磁化方向とは反平行であることを特徴と
する請求項７に記載の薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項９】 下部シールド層と、この下部シールド層
の上に下部ギャップ層を介して形成された磁気抵抗効果
を発揮する多層膜と、この多層膜にバイアス磁界を与え
るバイアス層と、前記多層膜にセンス電流を与える電極
層と、前記多層膜上に上部ギャップ層を介して形成され
た上部シールド層と、前記上部シールド層の上に形成さ
れた非磁性中間層と、この非磁性中間層の上に磁気ギャ
ップ層を介して対向する下部コア層及び上部コア層とを
備えた薄膜磁気ヘッドにおいて、 前記上部シールド層と下部シールド層のうちの少なくと
も一方のトラック幅方向の両側部に、永久磁石膜からな
るハードバイアス膜が形成されているとともに、 前記ハードバイアス膜の磁気記録媒体寄りの端面が、磁
気記録媒体との対向面よりも内部に後退していることを
特徴とする薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項１０】 前記一方のシールド層内に形成されて
いるハードバイアス膜は、当該一方のシールド層の積層
方向の上面および下面のうち、他方のシールド層に臨む
面から外部に露出しないように埋設されたことを特徴と
する請求項９に記載の薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項１１】 前記上部及び下部シールド層のうちハ
ードバイアス膜を設けていない他方のシールド層のトラ
ック幅方向の両側部の上面および下面の少なくとも一方
には、一対の反強磁性膜が積層されていることを特徴と
する請求項１０に記載の薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項１２】 前記ハードバイアス膜によって磁化方
向が揃えられている前記上部および下部のシールド層の
うちの一方のシールド層の磁化方向と、前記反強磁性膜
との交換異方性磁界により磁化方向が揃えられている他
方のシールド層の磁化方向とは反平行であることを特徴
とする請求項１１に記載の薄膜磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001241998A JP3631449B2 (ja) | 2001-08-09 | 2001-08-09 | 薄膜磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001241998A JP3631449B2 (ja) | 2001-08-09 | 2001-08-09 | 薄膜磁気ヘッド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003059012A true JP2003059012A (ja) | 2003-02-28 |
| JP3631449B2 JP3631449B2 (ja) | 2005-03-23 |
Family
ID=19072346
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001241998A Expired - Fee Related JP3631449B2 (ja) | 2001-08-09 | 2001-08-09 | 薄膜磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3631449B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7573675B2 (en) | 2005-03-18 | 2009-08-11 | Tdk Corporation | Thin film magnetic head |
| JP2009289390A (ja) * | 2008-05-28 | 2009-12-10 | Tdk Corp | Ｃｐｐ型磁気抵抗効果素子および磁気ディスク装置 |
| US9146260B2 (en) | 2010-06-09 | 2015-09-29 | Alps Green Devices Co., Ltd. | Magnetic balance type current sensor |
-
2001
- 2001-08-09 JP JP2001241998A patent/JP3631449B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7573675B2 (en) | 2005-03-18 | 2009-08-11 | Tdk Corporation | Thin film magnetic head |
| JP2009289390A (ja) * | 2008-05-28 | 2009-12-10 | Tdk Corp | Ｃｐｐ型磁気抵抗効果素子および磁気ディスク装置 |
| JP4683130B2 (ja) * | 2008-05-28 | 2011-05-11 | Ｔｄｋ株式会社 | Ｃｐｐ型磁気抵抗効果素子および磁気ディスク装置 |
| US9146260B2 (en) | 2010-06-09 | 2015-09-29 | Alps Green Devices Co., Ltd. | Magnetic balance type current sensor |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3631449B2 (ja) | 2005-03-23 |
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