JP2003054033A - 潜像形成装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 干渉領域を使用するか否かに関わらず、両者
の潜像ドットの大きさに差が生じないようにすることを
目的とする。 【解決手段】 感光体にビームを照射する発光ユニット
４を有し、ビームの干渉領域および／または非干渉領域
を利用して潜像ドットを形成する潜像形成装置であっ
て、発光ユニット４は、レーザダイオード（ＬＤ）４１
と、ＬＤ４１が発した光を略平行光線に収束してビーム
を形成するコリメートレンズ４２と、ビーム径を所定の
大きさにするアパーチャ４３と、ＬＤ４１のＯＮ・ＯＦ
Ｆタイミングおよび／または発光強度を制御するＬＤ制
御板４４とを有する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、感光体に光を照射
して静電潜像を形成する潜像形成装置に関し、特に複数
の光照射領域の重複（干渉領域）を利用する潜像形成装
置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、潜像形成装置は、例えばデジタル
複写機の露光手段として用いられている。図５に、従来
のデジタル複写機を示す。このデジタル複写機の潜像形
成装置は、感光体（ドラム）１、帯電チャージャ２、ポ
リゴンモータ３、ＬＤユニット４、現像スリーブ５、転
写チャージャ６、クリーナー７、を有する。感光体１
は、ドラム状の像担持体であり、図中に矢印で示す方向
に回転することにより複写が実行される。帯電チャージ
ャ２は、電荷を発生させ、感光体１の表面を帯電させ
る。ポリゴンモータ３は、図６および図７に示すよう
に、ポリゴンミラーを回転させることでＬＤユニット４
の発するレーザ光を感光体１上で走査させる。ＬＤユニ
ット４は、ＬＤ（レーザダイオード）を発光させて感光
体１に照射し、感光体１の表面に静電潜像を形成する。
現像スリーブ５は、感光体１の表面に形成された潜像を
現像してトナー像（可視像）を形成する。転写チャージ
ャ６は、現像スリーブ５が現像したトナー像を、転写材
に静電転写する。クリーナー７は、感光体１の表面上に
残ったトナーを除去する。

【０００３】図８を用いて、作像プロセスの概略を示
す。 （１）帯電：暗中において、帯電チャージャ２が負のコ
ロナ放電を行うと、感光体１の表面は負に帯電される。
ケーシング上のグリッドにより感光体１の表面上の電位
は一定に保たれる。 （２）露光：ＬＤユニット４が発したレーザ光は、ポリ
ゴンミラーで反射され、感光体１の表面上に投影され
る。レーザ光が照射された部分では、負の電荷がなくな
る。 （３）現像：現像スリーブ５は、負に帯電したトナーに
負のバイアスを加え、感光体１の表面上で負に帯電して
いない部分にトナーを押し込むことにより、可視像を形
成する。 （４）Ｐセンサ：感光体１の表面上に現像された一定パ
ターンの画像濃度をフォトセンサで読み取り、その値に
よりトナー補給クラッチをＯＮ，ＯＦＦしてトナー濃度
を制御する。 （５）転写：感光体１と密着したペーパの裏面から正の
電荷を与えることにより、トナー像をペーパに転写す
る。 （６）分離：転写の際にペーパに与えられた正の電荷を
分離チャージャによって除去し、感光体１とペーパとの
吸着力を消去し、ペーパを分離する。さらに分離を容易
にするため分離爪を設ける。 （７）ＰＣＣ：ＡＣおよび負の電荷を感光体１に与える
ことで、転写の際に感光体１の表面上に残った電荷を消
去する。 （８）クリーニング：感光体１の表面上に残ったトナー
を導電性のファーブラシで電荷を除去し、クリーニング
ブレードで掻きおとす。 （９）除電：クリーニング後、感光体１の残留電荷を除
去するため全面露光を行い、次のコピーに備える。 作像プロセスでは、上記（１）〜（９）を繰り返し実行
することで、ペーパに原稿が転写される。

【０００４】このような潜像形成装置は、発光素子が出
力する光（主として、ＬＤが発するレーザ光）をポリゴ
ンミラー等の回転体を介して感光体１の表面上を主走査
方向に走査して１ライン分の画像信号の波形を得る。こ
れを副走査方向に繰り返し実行することにより、ドット
像を得ている。なお、主走査方向のラインは、光が走査
する方向のラインであり、同期検知板により各ラインご
との主走査開始位置が決定される。主走査方向のライン
は、ポリゴンモータ３の回転によって作像される。副走
査方向のライン像は、感光体１の回転方向のラインであ
り、感光体１の回転とポリゴンモータ３の回転とに基づ
いてライン像が作像される。

【０００５】例えば、１インチ当たり１２００のドット
で表現される１２００dpi の画像では、基準となる１ド
ットの大きさは、２．５４ｃｍ／１２００≒２１μｍで
ある。（以下、Ｎdpi の画像の基準となる１ドットの径
を、Ｎdpi の基準ドット径と表現する。）よって、図９
に示すように、１２００dpi のドット像を得る場合に
は、約２１μｍ間隔で画像信号のＯＮ／ＯＦＦを行い、
１ライン分の走査が終了した後、副走査方向に約２１μ
ｍの間隔を置いて１ライン目と同様の走査を繰り返す必
要がある。すなわち、画像の解像度（dpi ）は、画像信
号の密度と換言できる。

【０００６】近年、画像信号の高密度化（高解像度化）
の要求が高まっているが、光学系の精度を向上させるこ
とは難しいため、干渉が発生しない程度ドット同士の間
隔が開いた潜像を形成する際にも、実際には、画像の安
定化や均一性の確保等を図っている。すなわち、干渉が
発生する可能性があるパターンの潜像を形成する場合
は、ドットを適当な位置に分散させて目視上ムラが確認
できないように画像を形成している。

【０００７】このため、ビームを小径化して互いに干渉
（光の重なり）を起こさないようにする方法とは逆に、
ビームの干渉を積極的に利用して画像信号を高密度化す
る方法が用いられることも多い。

【０００８】図１０に示すように、光の干渉領域を利用
する方法では、奇数ライン上にドット像を形成すること
を指示する画像信号がある場合（例えば、１ライン目の
１dot 目あるいは５ライン目の５dot 目）は、ライン上
の対応する位置においてレーザ光を照射し、偶数ライン
上にドット像を形成することを指示する画像信号がある
場合（例えば、２ライン目の３dot 目）は、そのライン
を挟む奇数ライン上でレーザ光を照射する。すなわち、
光の干渉領域を利用する方法では、レーザ光の照射を
１，３，５，・・・２ｎ＋１の奇数ライン上でのみ行
う。偶数ライン上にドット像を形成する画素信号の場合
は、照射するレーザ光の輝度を奇数ライン上にドット像
を形成する場合よりも弱くする（例えば、レーザ光の輝
度を１／２とする）。これにより、奇数ライン上にはド
ット像が形成されず、干渉領域となる偶数ライン上では
照射光が合成されて潜像が強められるため、ドット像が
作像される。

【０００９】この方法では、レーザ光のビーム径が小さ
すぎると干渉領域が形成されないか、あるいは潜像ドッ
トがリング状に形成されてしまい、逆にビーム径が大き
すぎると、本来画像信号が存在しない領域までドット像
が作像されてしまうため、レーザ光を適当なビーム径に
設定している。なお、副走査方向の１ラインおきにレー
ザ光を照射することで、副走査方向の送り速度を、干渉
領域を利用しない方法（図９に示した方法）の２倍にで
きる。

【００１０】干渉領域を利用する方法では、干渉領域を
利用して形成する潜像ドットと利用しないで形成する潜
像ドットとを併用してドット像を作像するため、正しい
ドット像を得るために、これらの潜像ドットが略同一と
なるように設定する必要がある。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
技術では、ＬＤのＯＦＦタイミングのみを制御していた
ため、干渉領域の大きさを上手く制御できず、干渉領域
を利用して形成した潜像ドットと利用しないで形成した
潜像ドットとで大きさが異なってしまうことがあった。
また、干渉領域を利用しないで形成した潜像ドットと干
渉領域を利用して形成した潜像ドットとの間で濃度差が
生じてしまうという問題があった。

【００１２】本発明はかかる問題に鑑みてなされたもの
であり、干渉領域を利用して形成した潜像ドットと利用
しないで形成した潜像ドットとで、両者の潜像ドットの
大きさに差が生じないようにすることを目的とする。ま
た、干渉領域を利用して形成した潜像ドットと利用しな
いで形成した潜像ドットとで濃度差が生じないようにす
ることを目的とする。

【００１３】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
請求項１記載の潜像形成装置は、感光体にビームを照射
する発光ユニットを有し、ビームの干渉領域および／ま
たは非干渉領域を利用して潜像ドットを形成する潜像形
成装置であって、発光ユニットは、発光素子と、発光素
子が発した光を略平行光線に収束してビームを形成する
手段と、ビーム径を所定の大きさにする手段と、発光素
子のＯＮ・ＯＦＦタイミングおよび／または発光強度を
制御する照射エネルギー制御手段とを有することを特徴
とする。

【００１４】請求項２記載の潜像形成装置は、感光体に
ビームを照射する発光ユニットを有し、ビームの干渉領
域および／または非干渉領域を利用して潜像ドットを形
成する潜像形成装置であって、発光ユニットは、発光素
子と、発光素子が発した光を略平行光線に集束してビー
ムを形成する手段と、ビーム径を所定の大きさにする手
段と、発光素子のＯＮ・ＯＦＦタイミングおよび発光強
度のいずれか一方を制御する照射エネルギー制御手段と
を有することを特徴とする。

【００１５】請求項３の発明は請求項１または２記載の
潜像形成装置であって、ビーム径は、ビームの干渉領域
を利用して潜像ドットを形成する際に、潜像ドットに与
えられる照射エネルギーが、潜像ドットの中心で最大と
なるように設定されることを特徴とする。

【００１６】請求項４の発明は請求項１または２記載の
潜像形成装置であって、ビーム径は、ドット間隔の３倍
以上、かつ、６倍以下の大きさに設定されることを特徴
とする。

【００１７】請求項５の発明は請求項１から４のいずれ
か１項記載の潜像形成装置であって、照射エネルギー制
御手段は、干渉領域を利用して形成される潜像ドット
と、非干渉領域を利用して形成される潜像ドットとが略
同一となるように調整することを特徴とする。

【００１８】

【発明の実施の形態】本実施形態による潜像形成装置
は、図５に示した従来のデジタル複写機に適用できる。
図１に、本実施形態を適用したＬＤユニット４を示す。
ＬＤユニット４は、半導体レーザダイオード（ＬＤ）４
１、コリメートレンズ４２、アパーチュア４３、および
ＬＤ制御板４４を有する。ＬＤ４１は、感光体１に照射
するレーザ光を発生させる。本実施形態のＬＤ４１は、
波長λ＝７８０ｎｍのレーザ光を発するものとする。コ
リメートレンズ４２は、ＬＤ４１が発したレーザ光を略
平行光線に集束させる。アパーチャ４３は、コリメート
レンズ４２によって略平行光線とされたレーザ光を、所
定の径のビームにする。ＬＤ制御板４４は、画像信号に
基づいて、ＬＤ４１を制御して発光のＯＮ／ＯＦＦを切
り替える。また、ＬＤ４１が発するレーザ光の輝度を制
御して、ビームのパワーを調整する。すなわちＬＤ制御
板４４は、ＬＤ４１のＯＮ・ＯＦＦタイミングおよび／
または発光強度を制御して、ビームの照射エネルギーを
調整する。ＬＤユニット４から照射された光は、従来の
デジタル複写機と同様にポリゴンモータ３の回転によっ
て、ポリゴンミラーおよびミラーを介して感光体１に照
射される。

【００１９】まず、感光体１に照射するレーザ光のビー
ム径を設定する。図２に、感光体表面に形成されるビー
ムパターン（光照射パターン、合成光照射パターン）
を、アパーチャ４３の口径を変化させた、４つの条件の
場合で示す。なお、ビームパターンは、感光体１の表面
上に形成された静電潜像パターンと考えてもよい。干渉
しない領域でのビームパターン（光照射パターン）は、
ＬＤの照射位置を中心として、略正規分布曲線状に形成
される。ここでは、６００dpi （４２μｍ間隔）でＬＤ
の照射位置を設定し、１／２ピッチ（２１μｍ）で干渉
領域を作成している。したがって、４２μｍ間隔に設定
されたＬＤ照射位置の中間に干渉領域が形成されるた
め、１２００dpi に相当するドット画像が得られること
になる。なお、図面上では干渉領域と干渉しない領域と
のビームパターンを同様に表しているが、実際には、干
渉しない領域の場合はレーザ光の輝度を低くして、合成
光照射パターンと光照射パターンとが略同一になるよう
に設定する。すなわち、干渉領域を利用して潜像ドット
を形成する場合は、干渉領域を利用しないで潜像ドット
を形成する場合より輝度の低いレーザ光によるビームを
照射し、ビームが干渉した状態ではじめて干渉領域を利
用しない場合のビームパターンと略同一となるようにす
る。

【００２０】は、ビーム径を、１２００dpi の基準ド
ット径（２１μｍ）の約２．８倍（５９μｍ）とした場
合のビームパターンを示す。このビーム径では、干渉領
域の中心でピーク値が得られていないため、潜像ドット
が正しく形成されない。は、ビーム径を、１２００dp
i の基準ドット径の約３．７倍（７９μｍ）に拡大した
場合のビームパターンを示す。このビーム径では、干渉
領域の中心でピークが形成されている。は、ビーム径
を、１２００dpi の基準ドット径の約４．２倍（９０μ
ｍ）に拡大した場合のビームパターンを示す。このビー
ム径でも、干渉領域の中心でピークが形成されている。
は、ビーム径を、１２００dpi の基準ドット径の約６
倍（１２８μｍ）に拡大した場合のビームパターンを示
す。このビーム径では、干渉領域の中心でピークが形成
されているものの、干渉領域の大きさがＬＤ照射位置の
間隔とくらべてかなり大きくなってしまう。

【００２１】１２００dpi の場合は、ビームの径が約６
５μｍ（基準ドット径の約３倍）以上あれば、干渉領域
の中心でピーク値が得られ始める。すなわち、この径が
本実施形態を適用できる最小ビーム径となる。一方、ビ
ームの径が１３０μｍ（基準ドット径の約６倍）以上に
なると、１ドットラインの濃度を干渉領域を利用しない
場合の１ドットラインの濃度に調整できない等の不具合
が生じる。すなわち、この径が本実施形態におけるビー
ム径の上限となる。よって、ビーム径を基準ドット径
（換言すると、所望するドット間隔）の３倍以上、６倍
以下とすれば、干渉領域の中心にピーク値を得られ、か
つ、干渉領域を利用しない場合のドットと同じ大きさに
調整できる。本実施形態に最も適したビーム径は、７８
μｍ（基準ドット径の約３．７倍）であり、この近傍の
ビーム径であれば比較的容易に調整できる。

【００２２】ビーム径を変更する場合は、アパーチャ４
３の形状を変更すればよい。このようにビーム径を変え
ることで干渉領域でのビームパターンはＬＤ照射位置の
中間（干渉領域の中心；１２００dpi の位置）にピーク
を持つことができ、干渉領域を使用しない場合の１ドッ
トラインと同じ濃度に調整できる。これにより、作像プ
ロセスにおける副走査密度を２倍に向上できる。

【００２３】次に、干渉領域を利用して潜像ドットを形
成する場合の照射エネルギーを設定する。まず、干渉領
域を利用するライン（例えば、図１０の偶数ライン）の
みに、主走査方向に延びる１ドットライン像を形成する
作像プロセスを実行する。ライン数は、数本あればよい
が、後述の干渉領域との濃度調整にも使用することを考
慮して、２０×２０ｍｍサイズの１ドットライン像とす
る。作像プロセス通過後の転写紙上のトナー画像を顕微
鏡等で目視しながら、主走査方向に延びるラインの幅
（副走査方向のライン幅）が所望の値となるようにレー
ザ光の輝度を調整する。なお、１２００dpi の画像を所
望する場合、２１μｍ幅にすると、種々の画像品質に対
応するために行われる画像設計の自由度がなくなり、斜
めライン切れ切れやドット画像を調整できない問題が発
生するため、約３０μｍ幅とした。すなわち、１ドット
ライン幅を３０μｍとすることにより、隣接する画素同
士が各々の周縁部で重なり合うため、画像設計が容易と
なる。

【００２４】上記の例では、ＬＤ制御板４４がＬＤ４１
が発するレーザ光の輝度を変えることで照射エネルギー
を調整しているが、照射時間（画像信号のＯＮ・ＯＦ
Ｆ、すなわちＬＤ４１のＯＮ・ＯＦＦタイミング）の制
御によっても照射エネルギーを調整できる。図３に、本
実施形態によるＬＤユニット４が、照射時間を制御して
照射エネルギーを調整する場合の例を示す、従来では、
画像信号をＯＦＦするタイミングのみを調整しており、
画像信号がＯＮとなるタイミングは調整していなかった
が、本実施形態では、画像信号のＯＮ・ＯＦＦ両方のタ
イミングを調整することでより正確に照射エネルギーを
調整できる。しかし、潜像は、照射時間を変更した場合
の方がより直線的に変化するため、画像を設計する際の
パラメータとして使用することが望ましい。よって、干
渉領域を利用して形成する潜像ドットの調整は、レーザ
光の輝度を制御して行うことが好ましい。

【００２５】次に、干渉領域を利用しないで潜像ドット
を形成する場合の照射エネルギーを設定する。図４に、
上述のごとく干渉領域を利用して形成した１ドットライ
ン濃度と、干渉領域を使用しない位置での１ドットライ
ン濃度とが同じ濃度になるように調整するために照射エ
ネルギーを変化させた時のビームパターンを示す。な
お、に示す干渉領域作像時のビームパターン（１／ｅ
² ＝７９μｍ）を基準エネルギーとし、、のビーム
パターンを相対的に示す。は、照射エネルギーを約
１．６倍に上げた場合（１／ｅ² ＝１００μｍ）のＬＤ
ビームパターンを示す。なおに対して変化の程度が分か
るように記載した。は、照射エネルギーを２．１倍に
上げた場合（１／ｅ² ＝１１２μｍ）のビームパターン
を示す。

【００２６】まず、干渉領域を利用しないライン（例え
ば、図１０の奇数ライン）のみに、主走査方向に延びる
１ドットライン像を作成する作像プロセスを実行する。
ライン数は、２０×２０ｍｍサイズを考慮して、１ドッ
トラインを約４７０本作成した。作像プロセス通過後の
転写紙上のトナー画像の濃度計（例えば、マクベス濃度
計）で測定し、その時の画像濃度を得る。同様に、前述
の”干渉領域のレーザ光の輝度調整”に使用した転写紙
上のトナー画像を濃度計で測定し、干渉領域で決定した
照射エネルギーからの変更量としてレーザ光の輝度を調
整する。なお、この例においても、レーザ光の輝度を制
御して照射エネルギーを調整したが、上記同様に照射時
間（ＬＤ４１のＯＮ・ＯＦＦタイミング、すなわち照射
タイミング）を制御しても照射エネルギーを調整でき
る。しかし、干渉領域の場合と異なるパラメータを制御
すると照射調整が非常に複雑となるため、同じパラメー
タを制御して照射エネルギーを調整することが好まし
い。

【００２７】本実施形態では、干渉領域を利用しないで
ドット像を形成する場合の照射エネルギーを、干渉領域
を利用してドット像を形成する場合の照射エネルギーに
対し、約１．９倍にアップさせたエネルギーとしたこと
で同じ濃度の１ドットライン画像を得ることができた。
このように、まずビーム径を定めて干渉領域のドット像
を作像する条件を決定し、次いで干渉しない領域での照
射エネルギーを、干渉領域のドット像と同じ濃度になる
条件に調整すればよい。

【００２８】仮に感光体１の感度や作像プロセスの速度
が変更された場合でも、干渉領域を利用する場合のレー
ザ光の輝度を基準として、干渉領域を利用しない位置で
のレーザ光の輝度を決定することで種々の装置に対応可
能となる。すなわち、まずビーム径を決定し、干渉領域
を利用する場合のレーザ光の輝度を設定する。干渉領域
を利用しない位置でのレーザ光の輝度は、干渉領域を利
用する場合の１ドットライン濃度と同一となるように
（本実施形態では、照射エネルギー（光エネルギー）を
１．９倍にする）決定すれば、同じ濃度の１ドットライ
ンが得られる。

【００２９】なお、本実施形態においては、１２００dp
i の潜像を形成する場合を例に説明を行ったが、他の解
像度の場合も上記の例と同様にビーム径を設定し、干渉
する領域の照射エネルギーを設定すればよい。すなわ
ち、まず、ＬＤ照射位置の中間でピークが得られるビー
ム径に設定し、次いで、副走査方向のラインが所望の幅
となるように干渉領域での照射エネルギーを設定し、最
後に、干渉領域を利用しない場合の照射エネルギーを決
定すればよい。最適なビーム径、あるいは干渉領域を利
用するラインと干渉領域を利用しないラインとの照射エ
ネルギーの比率等は、発光素子の種類あるいは感光体感
度等の条件によって変化するが上記同様にして設定でき
る。

【００３０】本発明による潜像形成装置は、実施形態で
示したデジタル複写機に限定されることはなく、例えば
レーザプリンタ等に適用することもできる。また、発光
素子はＬＤに限定されるものではなく、ＬＥＤ（Light
Emitting Diode）等の発光素子を適用することも可能で
ある。このように、本発明はその主旨を逸脱しない範囲
内において変形実施が可能である。

【００３１】

【発明の効果】以上の説明により明らかなように、請求
項１記載の潜像形成装置によれば、ビーム径を所定の大
きさに設定でき、さらに、発光素子のＯＮ・ＯＦＦタイ
ミングおよび／または発光強度を制御してビームの照射
エネルギーを調整できる。よって、潜像ドットを任意の
大きさ、例えば画像設計を行いやすい大きさに設定でき
る。これにより、干渉領域を利用して形成した潜像ドッ
トの大きさが、干渉領域を利用しないで形成した潜像ド
ットの大きさと異なるという問題の発生を抑えられる。

【００３２】請求項２記載の潜像形成装置は、発光素子
のＯＮ・ＯＦＦタイミングおよび／または発光強度のい
ずれか一方のみを制御してビームの照射エネルギーを調
整する。よって、照射エネルギーの調整に用いなかった
一方を、画像濃度以外の調整（例えば、ジャギーの補正
やγ曲線調整等）用のパラメータとして利用できるた
め、画像設計が容易となる。

【００３３】請求項３の発明は請求項１または２記載の
潜像形成装置であって、ビームの干渉領域を利用して潜
像ドットを形成する際に潜像ドットに与えられる照射エ
ネルギーが中心で最大となるように設定する。よって、
干渉領域が小さすぎて潜像ドットを形成できなかった
り、潜像ドットがリング状となってしまう問題が発生す
ることはない。

【００３４】請求項４の発明は請求項１記載の潜像形成
装置であって、ビーム径をドット間隔の３倍以上、か
つ、６倍以下としている。よって、所望するドット間隔
（解像度）で静電潜像を形成できるうえに、干渉領域を
利用して形成する潜像ドットの大きさが干渉領域を利用
しないで形成する潜像ドットと比べて大きくなりすぎる
ことがない。

【００３５】請求項５の発明は請求項１から４のいずれ
か１項記載の潜像形成装置であって、ビームの照射エネ
ルギーを制御して、干渉領域を利用しないで形成する潜
像ドットと干渉領域を利用しないで形成する潜像ドット
とが略同一になるよう調整できる。よって、干渉領域を
利用して形成した潜像ドットと利用しないで形成した潜
像ドットとで濃度差が生じない。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明を好適に実施したＬＤユニットの構成例
を示す図である。

【図２】光照射パターンおよび合成光照射パターンを示
す図である。

【図３】本発明を好適に実施したＬＤユニットにおける
レーザ光の照射タイミングを示す図である。

【図４】干渉領域を利用しない潜像ドットを形成する場
合に照射するＬＤのビームパターンを示す図である。

【図５】従来のデジタル複写機の構成を示す図である。

【図６】ＬＤユニットの発した光が露光ユニットによっ
て感光体に照射される様子を示す図である。

【図７】ＬＤユニットの発した光が露光ユニットによっ
て感光体に照射される様子を示す図である。

【図８】作像プロセスを説明するための図である。

【図９】干渉領域を利用しないでドット像を形成する手
法を示す図である。

【図１０】干渉領域を利用してドット像を形成する手法
を示す図である。

【符号の説明】

１ 感光体（ドラム） ２ 帯電チャージャ ３ ポリゴンモータ ４ ＬＤユニット ５ 現像スリーブ ６ 転写チャージャ ７ クリーナー ４１ レーザダイオード（ＬＤ） ４２ コリメートレンズ ４３ アパーチャ ４４ ＬＤ制御板

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 感光体にビームを照射する発光ユニット
   を有し、 ビームの干渉領域および／または非干渉領域を利用して
   潜像ドットを形成する潜像形成装置であって、 前記発光ユニットは、 発光素子と、 該発光素子が発した光を略平行光線に収束してビームを
   形成する手段と、 ビーム径を所定の大きさにする手段と、 前記発光素子のＯＮ・ＯＦＦタイミングおよび／または
   発光強度を制御する照射エネルギー制御手段とを有する
   ことを特徴とする潜像形成装置。
2. 【請求項２】 感光体にビームを照射する発光ユニット
   を有し、 ビームの干渉領域および／または非干渉領域を利用して
   潜像ドットを形成する潜像形成装置であって、 前記発光ユニットは、 発光素子と、 該発光素子が発した光を略平行光線に集束してビームを
   形成する手段と、 ビーム径を所定の大きさにする手段と、 前記発光素子のＯＮ・ＯＦＦタイミングおよび発光強度
   のいずれか一方を制御する照射エネルギー制御手段とを
   有することを特徴とする潜像形成装置。
3. 【請求項３】 前記ビーム径は、ビームの干渉領域を利
   用して潜像ドットを形成する際に、前記潜像ドットに与
   えられる照射エネルギーが、該潜像ドットの中心で最大
   となるように設定されることを特徴とする請求項１また
   は２記載の潜像形成装置。
4. 【請求項４】 前記ビーム径は、ドット間隔の３倍以
   上、かつ、６倍以下の大きさに設定されることを特徴と
   する請求項１または２記載の潜像形成装置。
5. 【請求項５】 前記照射エネルギー制御手段は、干渉領
   域を利用して形成される潜像ドットと、非干渉領域を利
   用して形成される潜像ドットとが略同一となるように調
   整することを特徴とする請求項１から４のいずれか１項
   記載の潜像形成装置。