JP2003048913A - オレフィン重合用触媒及びそれを用いたオレフィン重合体の製造方法 - Google Patents
オレフィン重合用触媒及びそれを用いたオレフィン重合体の製造方法Info
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- JP2003048913A JP2003048913A JP2001242614A JP2001242614A JP2003048913A JP 2003048913 A JP2003048913 A JP 2003048913A JP 2001242614 A JP2001242614 A JP 2001242614A JP 2001242614 A JP2001242614 A JP 2001242614A JP 2003048913 A JP2003048913 A JP 2003048913A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高立体規則性を有する高分子量のオレフィン
重合体を、高い触媒活性で製造できるオレフィン重合用
触媒及びそれを用いたオレフィン重合体の製造方法を提
供する。 【解決手段】 （Ａ）（ａ）チタン化合物、（ｂ）マグ
ネシウム化合物、及び（ｃ）電子供与性化合物を含む固
体触媒成分、（Ｂ）遷移金属化合物ＬlＭ1Ｘm［Ｍ1はII
IＡ〜VIＡ族の遷移金属を示す。Ｌは置換又は未置換の
シクロペンタジエニル基を示す。Ｘ1は水素、アルキル
基、芳香族基、ハロゲン、ＯＲ1基又はＮＲ2 2基（Ｒ1及
びＲ2は、アルキル基又は芳香族基を示す。）を示す。
ｌ＋ｍはＭ1の原子価と等しい。］、（Ｃ）有機金属化
合物、及び（Ｄ）電子供与性化合物を含むオレフィン重
合用触媒。（Ｂ）遷移金属化合物を加えることにより、
水素の量を減らさなくても高分子量のオレフィン重合体
が得られる。
重合体を、高い触媒活性で製造できるオレフィン重合用
触媒及びそれを用いたオレフィン重合体の製造方法を提
供する。 【解決手段】 （Ａ）（ａ）チタン化合物、（ｂ）マグ
ネシウム化合物、及び（ｃ）電子供与性化合物を含む固
体触媒成分、（Ｂ）遷移金属化合物ＬlＭ1Ｘm［Ｍ1はII
IＡ〜VIＡ族の遷移金属を示す。Ｌは置換又は未置換の
シクロペンタジエニル基を示す。Ｘ1は水素、アルキル
基、芳香族基、ハロゲン、ＯＲ1基又はＮＲ2 2基（Ｒ1及
びＲ2は、アルキル基又は芳香族基を示す。）を示す。
ｌ＋ｍはＭ1の原子価と等しい。］、（Ｃ）有機金属化
合物、及び（Ｄ）電子供与性化合物を含むオレフィン重
合用触媒。（Ｂ）遷移金属化合物を加えることにより、
水素の量を減らさなくても高分子量のオレフィン重合体
が得られる。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、オレフィン重合用
触媒及びそれを用いたオレフィン重合体の製造方法に関
する。さらに詳しくは、オレフィン、特に炭素数３以上
のα−オレフィンの重合又は共重合に用いる、特定の遷
移金属化合物を含むオレフィン重合用触媒及びそれを用
いたオレフィン重合体の製造方法に関する。
触媒及びそれを用いたオレフィン重合体の製造方法に関
する。さらに詳しくは、オレフィン、特に炭素数３以上
のα−オレフィンの重合又は共重合に用いる、特定の遷
移金属化合物を含むオレフィン重合用触媒及びそれを用
いたオレフィン重合体の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】オレフィン重合体、特に結晶性高分子で
あるポリプロピレンは、剛性、引張り強度、耐熱性、耐
薬品性、光学特性、加工性等に優れ、かつ比重が小さい
ことから各種射出成形品、容器、包装材料等の分野で広
く利用されている。特にブロー成形やシート成形に適し
た重合体は、比較的高分子量の重合体が利用される。
あるポリプロピレンは、剛性、引張り強度、耐熱性、耐
薬品性、光学特性、加工性等に優れ、かつ比重が小さい
ことから各種射出成形品、容器、包装材料等の分野で広
く利用されている。特にブロー成形やシート成形に適し
た重合体は、比較的高分子量の重合体が利用される。
【０００３】一般に、オレフィン重合体、特にポリプロ
ピレンは、チタン化合物と有機アルミニウム化合物から
なるチーグラー・ナッタ触媒により重合されている。最
近では、チタン化合物として、マグネシウム、チタン、
塩素、及び電子供与性化合物を含有する担持型触媒も多
く開示されている。
ピレンは、チタン化合物と有機アルミニウム化合物から
なるチーグラー・ナッタ触媒により重合されている。最
近では、チタン化合物として、マグネシウム、チタン、
塩素、及び電子供与性化合物を含有する担持型触媒も多
く開示されている。
【０００４】一方、このようなチタン化合物に対して、
有機アルミニウム化合物と共に特定の構造を持つ電子供
与性化合物、例えば、有機ケイ素化合物やジエーテル化
合物を用いると、高立体規則性のポリプロピレンが得ら
れることが広く知られている。
有機アルミニウム化合物と共に特定の構造を持つ電子供
与性化合物、例えば、有機ケイ素化合物やジエーテル化
合物を用いると、高立体規則性のポリプロピレンが得ら
れることが広く知られている。
【０００５】また、一般に、オレフィン重合体の分子量
を調節するためには、分子量調節剤である水素等を添加
して重合を行うことが広く知られている。この場合、高
分子量のオレフィン重合体を得るためには、水素の添加
量を少なくする必要がある。
を調節するためには、分子量調節剤である水素等を添加
して重合を行うことが広く知られている。この場合、高
分子量のオレフィン重合体を得るためには、水素の添加
量を少なくする必要がある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、水素の添加量
を減らすと、高分子量のオレフィン重合体を得ることは
できるが、一般に触媒活性が低下する。このため、従来
の触媒系では、分子量調節剤を用いた場合、高立体規則
性、高分子量及び高触媒活性のすべてを必ずしも十分満
足することはできなかった。従って、分子量調節剤の影
響を受けることなく、これらのすべてを満足することが
できる触媒系が求められていた。
を減らすと、高分子量のオレフィン重合体を得ることは
できるが、一般に触媒活性が低下する。このため、従来
の触媒系では、分子量調節剤を用いた場合、高立体規則
性、高分子量及び高触媒活性のすべてを必ずしも十分満
足することはできなかった。従って、分子量調節剤の影
響を受けることなく、これらのすべてを満足することが
できる触媒系が求められていた。
【０００７】本発明は、高立体規則性を有する高分子量
のオレフィン重合体を、高い触媒活性で製造できるオレ
フィン重合用触媒及びそれを用いたオレフィン重合体の
製造方法を提供することを目的とする。
のオレフィン重合体を、高い触媒活性で製造できるオレ
フィン重合用触媒及びそれを用いたオレフィン重合体の
製造方法を提供することを目的とする。
【０００８】本発明者らは、上記目的を達成するために
鋭意研究を重ねた結果、チーグラー・ナッタ触媒を含む
触媒系に、特定の遷移金属化合物をさらに含むことによ
り、上記の課題が解決できることを見出し、本発明を完
成させた。
鋭意研究を重ねた結果、チーグラー・ナッタ触媒を含む
触媒系に、特定の遷移金属化合物をさらに含むことによ
り、上記の課題が解決できることを見出し、本発明を完
成させた。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、（Ａ）
（ａ）チタン化合物、（ｂ）マグネシウム化合物、及び
（ｃ）電子供与性化合物を反応させて得られる固体触媒
成分、（Ｂ）下記一般式（Ｉ）で表される遷移金属化合
物、（Ｃ）下記一般式（II）で表される有機金属化合
物、及び（Ｄ）下記一般式（III）及び／又は（IV）で
表される電子供与性化合物を含むオレフィン重合用触媒
が提供される。
（ａ）チタン化合物、（ｂ）マグネシウム化合物、及び
（ｃ）電子供与性化合物を反応させて得られる固体触媒
成分、（Ｂ）下記一般式（Ｉ）で表される遷移金属化合
物、（Ｃ）下記一般式（II）で表される有機金属化合
物、及び（Ｄ）下記一般式（III）及び／又は（IV）で
表される電子供与性化合物を含むオレフィン重合用触媒
が提供される。
【００１０】ＬlＭ1Ｘ1 m ・・・（Ｉ）
［一般式（Ｉ）中、Ｍ1は周期律表のIIIＡ〜VIＡ族の遷
移金属を示す。Ｌは、同一でも異なってもよく、η5で
Ｍ1に結合する置換又は未置換のシクロペンタジエニル
基を示す。Ｘ1は、同一でも異なってもよく、水素、炭
素数１〜２０の直鎖、分岐又は環状のアルキル基、炭素
数６〜２０の芳香族基、ハロゲン、ＯＲ1基又はＮＲ2 2
基を示す。Ｒ1及びＲ2は、炭素数１〜２０の直鎖、分岐
又は環状のアルキル基又は炭素数６〜２０の芳香族基を
示し、他の基と結合して環を形成してもよい。Ｒ2は同
一でも異なってもよい。ｌ及びｍは１以上の整数で、ｌ
＋ｍはＭ1の原子価と等しい。］
移金属を示す。Ｌは、同一でも異なってもよく、η5で
Ｍ1に結合する置換又は未置換のシクロペンタジエニル
基を示す。Ｘ1は、同一でも異なってもよく、水素、炭
素数１〜２０の直鎖、分岐又は環状のアルキル基、炭素
数６〜２０の芳香族基、ハロゲン、ＯＲ1基又はＮＲ2 2
基を示す。Ｒ1及びＲ2は、炭素数１〜２０の直鎖、分岐
又は環状のアルキル基又は炭素数６〜２０の芳香族基を
示し、他の基と結合して環を形成してもよい。Ｒ2は同
一でも異なってもよい。ｌ及びｍは１以上の整数で、ｌ
＋ｍはＭ1の原子価と等しい。］
【００１１】Ｒ3 nＭ2 ・・・（II）
［一般式（II）中、Ｍ2は周期律表Ｉ〜III（Ａ又はＢ）
族の元素を示す。Ｒ3は、同一でも異なってもよく、水
素、炭素数１〜２０の直鎖、分岐又は環状のアルキル
基、炭素数６〜２０の芳香族基、ハロゲン又はＯＲ4基
を示す。Ｒ4は炭素数１〜２０の直鎖、分岐又は環状の
アルキル基、又は炭素数６〜２０の芳香族基を示す。ｎ
はＭ2の原子価と等しい。］
族の元素を示す。Ｒ3は、同一でも異なってもよく、水
素、炭素数１〜２０の直鎖、分岐又は環状のアルキル
基、炭素数６〜２０の芳香族基、ハロゲン又はＯＲ4基
を示す。Ｒ4は炭素数１〜２０の直鎖、分岐又は環状の
アルキル基、又は炭素数６〜２０の芳香族基を示す。ｎ
はＭ2の原子価と等しい。］
【００１２】Ｒ5 pＳｉ(ＯＲ6)4-p ・・・（III）
Ｒ5 2Ｃ(ＣＨ2ＯＲ6)2 ・・・（IV）
［一般式（III）又は（IV）中、Ｒ5は、同一でも異なっ
てもよく、水素、炭素数１〜２０の直鎖、分岐又は環状
のアルキル基、炭素数６〜２０の芳香族基、又はＮＲ7 2
基を示す。Ｒ6及びＲ7は、同一でも異なってもよく、炭
素数１〜２０の直鎖、分岐又は環状のアルキル基、又は
炭素数６〜２０の芳香族基を示し、他の基と結合して環
を形成してもよい。ｐは０〜４の整数を示す。］
てもよく、水素、炭素数１〜２０の直鎖、分岐又は環状
のアルキル基、炭素数６〜２０の芳香族基、又はＮＲ7 2
基を示す。Ｒ6及びＲ7は、同一でも異なってもよく、炭
素数１〜２０の直鎖、分岐又は環状のアルキル基、又は
炭素数６〜２０の芳香族基を示し、他の基と結合して環
を形成してもよい。ｐは０〜４の整数を示す。］
【００１３】このような遷移金属を含むことにより、高
立体規則性を有する高分子量のオレフィン重合体を高い
触媒活性で製造できるオレフィン重合用触媒を得ること
ができる。
立体規則性を有する高分子量のオレフィン重合体を高い
触媒活性で製造できるオレフィン重合用触媒を得ること
ができる。
【００１４】また、固体触媒成分（Ａ）に含まれる電子
供与性化合物（ｃ）が、エステル基を有する化合物であ
ることが好ましい。このような電子供与性化合物を用い
ることにより、遷移金属化合物（Ｂ）と組み合わせた場
合に、高分子量のオレフィン重合体を得ることができ
る。
供与性化合物（ｃ）が、エステル基を有する化合物であ
ることが好ましい。このような電子供与性化合物を用い
ることにより、遷移金属化合物（Ｂ）と組み合わせた場
合に、高分子量のオレフィン重合体を得ることができ
る。
【００１５】また、電子供与性化合物（Ｄ）が、アルコ
キシ基を２個以上含むケイ素化合物であることが好まし
い。このような電子供与性化合物を用いることにより、
高い活性で高立体規則性かつ高分子量のオレフィン重合
体を製造することができる。
キシ基を２個以上含むケイ素化合物であることが好まし
い。このような電子供与性化合物を用いることにより、
高い活性で高立体規則性かつ高分子量のオレフィン重合
体を製造することができる。
【００１６】また、遷移金属化合物（Ｂ）が、アルコキ
シ基を少なくとも１個含む遷移金属化合物であることが
好ましい。このような遷移金属化合物を用いることによ
り、高い活性で高立体規則性かつ高分子量のオレフィン
重合体を製造することができる。
シ基を少なくとも１個含む遷移金属化合物であることが
好ましい。このような遷移金属化合物を用いることによ
り、高い活性で高立体規則性かつ高分子量のオレフィン
重合体を製造することができる。
【００１７】本発明の別の態様は、上記のオレフィン重
合用触媒を用いて、オレフィンを重合又は共重合するオ
レフィン重合体の製造方法である。このような製造方法
により、高立体規則性を有する高分子量のオレフィン重
合体を高い触媒活性で製造することができる。
合用触媒を用いて、オレフィンを重合又は共重合するオ
レフィン重合体の製造方法である。このような製造方法
により、高立体規則性を有する高分子量のオレフィン重
合体を高い触媒活性で製造することができる。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の各触媒成分、調製
方法、重合方法等について説明する。 １．触媒成分 （Ａ)固体触媒成分 固体触媒成分は、チタン、マグネシウム及び電子供与性
化合物からなり、以下の（ａ）チタン化合物、（ｂ）マ
グネシウム化合物、及び（ｃ）電子供与性化合物を反応
させて得られる。
方法、重合方法等について説明する。 １．触媒成分 （Ａ)固体触媒成分 固体触媒成分は、チタン、マグネシウム及び電子供与性
化合物からなり、以下の（ａ）チタン化合物、（ｂ）マ
グネシウム化合物、及び（ｃ）電子供与性化合物を反応
させて得られる。
【００１９】（ａ）チタン化合物
チタン化合物としては、特に制限はないが、例えば、下
記一般式（V） ＴｉＸ2 q（ＯＲ8)4-q ・・・・・（V） で表されるチタン化合物を好ましく用いることができ
る。
記一般式（V） ＴｉＸ2 q（ＯＲ8)4-q ・・・・・（V） で表されるチタン化合物を好ましく用いることができ
る。
【００２０】上記一般式（V）において、Ｘ2はハロゲン
原子を示し、これらの中で塩素原子及び臭素原子が好ま
しく、塩素原子が特に好ましい。Ｒ8は炭化水素基であ
って、飽和基や不飽和基であってもよく、直鎖状のもの
や分枝鎖を有するもの、あるいは環状のものであっても
よく、さらにはイオウ、窒素、酸素、ケイ素、リン等の
ヘテロ原子を有するものであってもよい。好ましくは炭
素数１〜１０の炭化水素基、特にアルキル基、アルケニ
ル基、シクロアルケニル基、アリール基及びアラルキル
基であり、直鎖又は分岐鎖のアルキル基が特に好まし
い。ＯＲ8が複数存在する場合には、それらは互いに同
一でも異なってもよい。Ｒ8の具体例としては、メチル
基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−
ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、イソブチル基、ｎ−ペン
チル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチ
ル基、ｎ−デシル基、アリル基、ブテニル基、シクロペ
ンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘキセニル基、フ
ェニル基、トリル基、ベンジル基、フェネチル基等が挙
げられる。ｑは０〜４の整数を示す。
原子を示し、これらの中で塩素原子及び臭素原子が好ま
しく、塩素原子が特に好ましい。Ｒ8は炭化水素基であ
って、飽和基や不飽和基であってもよく、直鎖状のもの
や分枝鎖を有するもの、あるいは環状のものであっても
よく、さらにはイオウ、窒素、酸素、ケイ素、リン等の
ヘテロ原子を有するものであってもよい。好ましくは炭
素数１〜１０の炭化水素基、特にアルキル基、アルケニ
ル基、シクロアルケニル基、アリール基及びアラルキル
基であり、直鎖又は分岐鎖のアルキル基が特に好まし
い。ＯＲ8が複数存在する場合には、それらは互いに同
一でも異なってもよい。Ｒ8の具体例としては、メチル
基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−
ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、イソブチル基、ｎ−ペン
チル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチ
ル基、ｎ−デシル基、アリル基、ブテニル基、シクロペ
ンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘキセニル基、フ
ェニル基、トリル基、ベンジル基、フェネチル基等が挙
げられる。ｑは０〜４の整数を示す。
【００２１】上記一般式（V）で示されるチタン化合物
の具体例としては、テトラメトキシチタン，テトラエト
キシチタン，テトラ−ｎ−プロポキシチタン，テトライ
ソプロポキシチタン，テトラ−ｎ−ブトキシチタン，テ
トライソブトキシチタン，テトラシクロヘキシロキシチ
タン，テトラフェノキシチタン等のテトラアルコキシチ
タン；四塩化チタン，四臭化チタン，四ヨウ化チタン等
のテトラハロゲン化チタン；メトキシチタントリクロリ
ド，エトキシチタントリクロリド，ｎ−プロポキシチタ
ントリクロリド，ｎ−ブトキシチタントリクロリド，エ
トキシチタントリブロミド等のトリハロゲン化アルコキ
シチタン；ジメトキシチタンジクロリド，ジエトキシチ
タンジクロリド，ジイソプロポキシチタンジクロリド，
ジ−ｎ−プロポキシチタンジクロリド，ジエトキシチタ
ンジブロミド等のジハロゲン化ジアルコキシチタン；ト
リメトキシチタンクロリド，トリエトキシチタンクロリ
ド，トリイソプロポキシチタンクロリド，トリ−ｎ−プ
ロポキシチタンクロリド，トリ−ｎ−ブトキシチタンク
ロリド等のモノハロゲン化トリアルコキシチタン等を挙
げることができる。これらの中で、高ハロゲン含有チタ
ン化合物、特に四塩化チタンが好ましい。これらのチタ
ン化合物は、それぞれ単独で用いてもよく、また２種以
上を組み合わせて用いてもよい。
の具体例としては、テトラメトキシチタン，テトラエト
キシチタン，テトラ−ｎ−プロポキシチタン，テトライ
ソプロポキシチタン，テトラ−ｎ−ブトキシチタン，テ
トライソブトキシチタン，テトラシクロヘキシロキシチ
タン，テトラフェノキシチタン等のテトラアルコキシチ
タン；四塩化チタン，四臭化チタン，四ヨウ化チタン等
のテトラハロゲン化チタン；メトキシチタントリクロリ
ド，エトキシチタントリクロリド，ｎ−プロポキシチタ
ントリクロリド，ｎ−ブトキシチタントリクロリド，エ
トキシチタントリブロミド等のトリハロゲン化アルコキ
シチタン；ジメトキシチタンジクロリド，ジエトキシチ
タンジクロリド，ジイソプロポキシチタンジクロリド，
ジ−ｎ−プロポキシチタンジクロリド，ジエトキシチタ
ンジブロミド等のジハロゲン化ジアルコキシチタン；ト
リメトキシチタンクロリド，トリエトキシチタンクロリ
ド，トリイソプロポキシチタンクロリド，トリ−ｎ−プ
ロポキシチタンクロリド，トリ−ｎ−ブトキシチタンク
ロリド等のモノハロゲン化トリアルコキシチタン等を挙
げることができる。これらの中で、高ハロゲン含有チタ
ン化合物、特に四塩化チタンが好ましい。これらのチタ
ン化合物は、それぞれ単独で用いてもよく、また２種以
上を組み合わせて用いてもよい。
【００２２】（ｂ）マグネシウム化合物
マグネシウム化合物としては特に制限はないが、例え
ば、下記一般式（VI） ＭｇＲ9 2 ・・・・・（VI） で表されるマグネシウム化合物を好ましく用いることが
できる。
ば、下記一般式（VI） ＭｇＲ9 2 ・・・・・（VI） で表されるマグネシウム化合物を好ましく用いることが
できる。
【００２３】上記一般式（VI）において、Ｒ9は炭化水
素基、ＯＲ10基（Ｒ10は炭化水素基）又はハロゲン原子
を示す。Ｒ9及びＲ10の炭化水素基としては、炭素１〜
２０のアルキル基、炭素数３〜２０のシクロアルキル
基、炭素数６〜２０のアリール基又は炭素数７〜２０の
アラルキル基等が挙げられる。また、ハロゲン原子とし
てはフッ素、塩素、臭素、ヨウ素が挙げられる。また、
二つのＲ9は互いに同一でも異なってもよい。
素基、ＯＲ10基（Ｒ10は炭化水素基）又はハロゲン原子
を示す。Ｒ9及びＲ10の炭化水素基としては、炭素１〜
２０のアルキル基、炭素数３〜２０のシクロアルキル
基、炭素数６〜２０のアリール基又は炭素数７〜２０の
アラルキル基等が挙げられる。また、ハロゲン原子とし
てはフッ素、塩素、臭素、ヨウ素が挙げられる。また、
二つのＲ9は互いに同一でも異なってもよい。
【００２４】上記一般式（VI）で示されるマグネシウム
化合物の具体例としては、ジメチルマグネシウム、ジエ
チルマグネシウム、ジイソプロピルマグネシウム、ジブ
チルマグネシウム、ジヘキシルマグネシウム、ジオクチ
ルマグネシウム、エチルブチルマグネシウム、ジフェニ
ルマグネシウム、ジシクロヘキシルマグネシウム等のア
ルキルマグネシウム、アリールマグネシウム；ジメトキ
シマグネシウム、ジエトキシマグネシウム、ジプロポキ
シマグネシウム、ジブトキシマグネシウム、ジシクロヘ
キシロキシマグネシウム、ジフェノキシマグネシウム等
のジアルコキシマグネシウム、ジアリーロキシマグネシ
ウム；エチルマグネシウムクロリド、ブチルマグネシウ
ムクロリド、イソプロピルマグネシウムクロリド、イソ
ブチルマグネシウムクロリド、ｔ−ブチルマグネシウム
クロリド、ヘキシルマグネシウムクロリド、フェニルマ
グネシウムクロリド、ベンジルマグネシウムクロリド、
ブチルマグネシウムブロミド、ブチルマグネシウムアイ
オダイド等のアルキルマグネシウムハライド、アリール
マグネシウムハライド；エトキシマグネシウムクロリ
ド、ブトキシマグネシウムクロリド、フェノキシマグネ
シウムクロリド、エトキシマグネシウムブロミド、ブト
キシマグネシウムブロミド、フェノキシマグネシウムブ
ロミド、エトキシマグネシウムイオダイド等のアルコキ
シマグネシウムハライド、アリーロキシマグネシウムハ
ライド；塩化マグネシウム、臭化マグネシウム、沃化マ
グネシウム等のハロゲン化マグネシウム等を挙げること
ができる。これらのマグネシウム化合物の中でも、ハロ
ゲン化マグネシウム、アルコキシマグネシウム、アルキ
ルマグネシウム、アルキルマグネシウムハライドが好適
に使用できる。
化合物の具体例としては、ジメチルマグネシウム、ジエ
チルマグネシウム、ジイソプロピルマグネシウム、ジブ
チルマグネシウム、ジヘキシルマグネシウム、ジオクチ
ルマグネシウム、エチルブチルマグネシウム、ジフェニ
ルマグネシウム、ジシクロヘキシルマグネシウム等のア
ルキルマグネシウム、アリールマグネシウム；ジメトキ
シマグネシウム、ジエトキシマグネシウム、ジプロポキ
シマグネシウム、ジブトキシマグネシウム、ジシクロヘ
キシロキシマグネシウム、ジフェノキシマグネシウム等
のジアルコキシマグネシウム、ジアリーロキシマグネシ
ウム；エチルマグネシウムクロリド、ブチルマグネシウ
ムクロリド、イソプロピルマグネシウムクロリド、イソ
ブチルマグネシウムクロリド、ｔ−ブチルマグネシウム
クロリド、ヘキシルマグネシウムクロリド、フェニルマ
グネシウムクロリド、ベンジルマグネシウムクロリド、
ブチルマグネシウムブロミド、ブチルマグネシウムアイ
オダイド等のアルキルマグネシウムハライド、アリール
マグネシウムハライド；エトキシマグネシウムクロリ
ド、ブトキシマグネシウムクロリド、フェノキシマグネ
シウムクロリド、エトキシマグネシウムブロミド、ブト
キシマグネシウムブロミド、フェノキシマグネシウムブ
ロミド、エトキシマグネシウムイオダイド等のアルコキ
シマグネシウムハライド、アリーロキシマグネシウムハ
ライド；塩化マグネシウム、臭化マグネシウム、沃化マ
グネシウム等のハロゲン化マグネシウム等を挙げること
ができる。これらのマグネシウム化合物の中でも、ハロ
ゲン化マグネシウム、アルコキシマグネシウム、アルキ
ルマグネシウム、アルキルマグネシウムハライドが好適
に使用できる。
【００２５】上記のマグネシウム化合物は、金属マグネ
シウム、又はマグネシウムを含有する化合物から調整す
ることができる。一例としては、金属マグネシウムにハ
ロゲン及びアルコール類を接触させる方法が挙げられ
る。ここで、ハロゲンとは、ヨウ素、塩素、臭素、フッ
素が挙げられる。これらの中では、ヨウ素が好ましい。
アルコールとしては、メタノール、エタノール、プロパ
ノール、ブタノール、シクロヘキサノール、オクタノー
ル等が挙げられる。また、他の一例として、Ｍｇ（ＯＲ
10）2で表されるマグネシウムアルコキサイド化合物
（Ｒ10は、前記と同様）にハロゲン化合物を接触させる
方法が挙げられる。ハロゲン化合物としては、四塩化ケ
イ素、四臭化ケイ素、四塩化スズ、四臭化スズ、塩化水
素等が挙げられる。これらの中では、四塩化ケイ素が好
ましい。さらに、上記マグネシウム化合物は、シリカ、
アルミナや、モンモリロナイト、スメクタイト、雲母等
の粘土鉱物、ポリスチレン等の樹脂に担持されてもよ
い。以上のマグネシウム化合物は、単独で用いてもよい
し、２種以上を組合わせて用いてもよく、アルコール、
エーテル、エステル等の電子供与性化合物を含有しても
よい。
シウム、又はマグネシウムを含有する化合物から調整す
ることができる。一例としては、金属マグネシウムにハ
ロゲン及びアルコール類を接触させる方法が挙げられ
る。ここで、ハロゲンとは、ヨウ素、塩素、臭素、フッ
素が挙げられる。これらの中では、ヨウ素が好ましい。
アルコールとしては、メタノール、エタノール、プロパ
ノール、ブタノール、シクロヘキサノール、オクタノー
ル等が挙げられる。また、他の一例として、Ｍｇ（ＯＲ
10）2で表されるマグネシウムアルコキサイド化合物
（Ｒ10は、前記と同様）にハロゲン化合物を接触させる
方法が挙げられる。ハロゲン化合物としては、四塩化ケ
イ素、四臭化ケイ素、四塩化スズ、四臭化スズ、塩化水
素等が挙げられる。これらの中では、四塩化ケイ素が好
ましい。さらに、上記マグネシウム化合物は、シリカ、
アルミナや、モンモリロナイト、スメクタイト、雲母等
の粘土鉱物、ポリスチレン等の樹脂に担持されてもよ
い。以上のマグネシウム化合物は、単独で用いてもよい
し、２種以上を組合わせて用いてもよく、アルコール、
エーテル、エステル等の電子供与性化合物を含有しても
よい。
【００２６】（ｃ）電子供与性化合物
電子供与性化合物としては、アルコール類、フェノール
類、ケトン類、アルデヒド類、カルボン酸、マロン酸、
有機酸もしくは無機酸のエステル類、モノエーテル、ジ
エーテルもしくはポリエーテル等のエーテル類等の含酸
素電子供与性化合物や、アンモニア、アミン、ニトリ
ル、イソシアネート等の含窒素電子供与性化合物を挙げ
ることができる。これらの中では、多価カルボン酸のエ
ステル類が好ましく、さらに好ましくは、芳香族多価カ
ルボン酸又はマロン酸のエステル類である。また、エス
テル部の有機基が炭素数４以上の直鎖、分岐又は環状の
脂肪族炭化水素が好ましい。
類、ケトン類、アルデヒド類、カルボン酸、マロン酸、
有機酸もしくは無機酸のエステル類、モノエーテル、ジ
エーテルもしくはポリエーテル等のエーテル類等の含酸
素電子供与性化合物や、アンモニア、アミン、ニトリ
ル、イソシアネート等の含窒素電子供与性化合物を挙げ
ることができる。これらの中では、多価カルボン酸のエ
ステル類が好ましく、さらに好ましくは、芳香族多価カ
ルボン酸又はマロン酸のエステル類である。また、エス
テル部の有機基が炭素数４以上の直鎖、分岐又は環状の
脂肪族炭化水素が好ましい。
【００２７】具体的には、フタル酸、ナフタレン−１,
２−ジカルボン酸、ナフタレン−２，３−ジカルボン
酸、５，６，７，８−テトラヒドロナフタレン−１，２
−ジカルボン酸、５，６，７，８−テトラヒドロナフタ
レン−２，３−ジカルボン酸、インダン−４，５−ジカ
ルボン酸、インダン−５，６−ジカルボン酸、２，２−
ジイソプロピルマロン酸、２，２−ジイソブチルマロン
酸、２，２−ジイソペンチルマロン酸、２−イソプロピ
ル−２−イソペンチルマロン酸、２−イソプロピル−２
−イソブチルマロン酸、２，２−ジイソヘキシルマロン
酸、２，２−ジシクロペンチルマロン酸、２，２−ジシ
クロヘキシルマロン酸、２−イソプロピル−２−シクロ
ペンチルマロン酸、２−イソプロピル−２−シクロヘキ
シルマロン酸、２−イソペンチル−２−シクロペンチル
マロン酸、２−イソペンチル−２−シクロペンチルマロ
ン酸等のジカルボン酸のメチル、エチル、ｎ−プロピ
ル、イソプロピル、ｎ−ブチル、イソブチル、ｔ−ブチ
ル、ｎ−ペンチル、１−メチルブチル、２−メチルブチ
ル、３−メチルブチル、１，１−ジメチルプロピル、１
−メチルペンチル、２−メチルペンチル、３−メチルペ
ンチル、４−メチルペンチル、１−エチルブチル、２−
エチルブチル、ｎ−ヘキシル、シクロヘキシル、ｎ−ヘ
プチル、ｎ−オクチル、ｎ−ノニル、２−メチルヘキシ
ル、３−メチルヘキシル、４−メチルヘキシル、２−エ
チルヘキシル、３−エチルヘキシル、４−エチルヘキシ
ル、２−メチルペンチル、３−メチルペンチル、２−エ
チルペンチル、３−エチルペンチル等のジアルキルエス
テルが挙げられる。
２−ジカルボン酸、ナフタレン−２，３−ジカルボン
酸、５，６，７，８−テトラヒドロナフタレン−１，２
−ジカルボン酸、５，６，７，８−テトラヒドロナフタ
レン−２，３−ジカルボン酸、インダン−４，５−ジカ
ルボン酸、インダン−５，６−ジカルボン酸、２，２−
ジイソプロピルマロン酸、２，２−ジイソブチルマロン
酸、２，２−ジイソペンチルマロン酸、２−イソプロピ
ル−２−イソペンチルマロン酸、２−イソプロピル−２
−イソブチルマロン酸、２，２−ジイソヘキシルマロン
酸、２，２−ジシクロペンチルマロン酸、２，２−ジシ
クロヘキシルマロン酸、２−イソプロピル−２−シクロ
ペンチルマロン酸、２−イソプロピル−２−シクロヘキ
シルマロン酸、２−イソペンチル−２−シクロペンチル
マロン酸、２−イソペンチル−２−シクロペンチルマロ
ン酸等のジカルボン酸のメチル、エチル、ｎ−プロピ
ル、イソプロピル、ｎ−ブチル、イソブチル、ｔ−ブチ
ル、ｎ−ペンチル、１−メチルブチル、２−メチルブチ
ル、３−メチルブチル、１，１−ジメチルプロピル、１
−メチルペンチル、２−メチルペンチル、３−メチルペ
ンチル、４−メチルペンチル、１−エチルブチル、２−
エチルブチル、ｎ−ヘキシル、シクロヘキシル、ｎ−ヘ
プチル、ｎ−オクチル、ｎ−ノニル、２−メチルヘキシ
ル、３−メチルヘキシル、４−メチルヘキシル、２−エ
チルヘキシル、３−エチルヘキシル、４−エチルヘキシ
ル、２−メチルペンチル、３−メチルペンチル、２−エ
チルペンチル、３−エチルペンチル等のジアルキルエス
テルが挙げられる。
【００２８】これらの中では、フタル酸ジエステル類、
及びマロン酸エステル類が好ましく、また、エステル部
の有機基の炭素数が４個以上の直鎖又は分岐の脂肪族炭
化水素が好ましい。この具体例としては、フタル酸ジ−
ｎ−ブチル、フタル酸ジイソブチル、フタル酸ジ−ｎ−
ヘプチル、フタル酸ジエチル、２，２−ジイソプロピル
マロン酸ジエチル、２，２−ジイソブチルマロン酸ジエ
チル、２，２−ジイソペンチルマロン酸ジエチル、２−
イソプロピル−２−イソペンチルマロン酸ジエチル、２
−イソプロピル−２−イソブチルマロン酸ジエチル、
２，２−ジイソヘキシルマロン酸ジエチル、２，２−ジ
シクロペンチルマロン酸ジエチル、２，２−ジシクロヘ
キシルマロン酸ジエチル、２−イソプロピル−２−シク
ロペンチルマロン酸ジエチル、２−イソプロピル−２−
シクロヘキシルマロン酸ジエチル、２−イソペンチル−
２−シクロペンチルマロン酸ジエチル、２−イソペンチ
ル−２−シクロペンチルマロン酸ジエチル等を好ましく
挙げることができる。また、これらの化合物はそれぞれ
単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いて
もよい。
及びマロン酸エステル類が好ましく、また、エステル部
の有機基の炭素数が４個以上の直鎖又は分岐の脂肪族炭
化水素が好ましい。この具体例としては、フタル酸ジ−
ｎ−ブチル、フタル酸ジイソブチル、フタル酸ジ−ｎ−
ヘプチル、フタル酸ジエチル、２，２−ジイソプロピル
マロン酸ジエチル、２，２−ジイソブチルマロン酸ジエ
チル、２，２−ジイソペンチルマロン酸ジエチル、２−
イソプロピル−２−イソペンチルマロン酸ジエチル、２
−イソプロピル−２−イソブチルマロン酸ジエチル、
２，２−ジイソヘキシルマロン酸ジエチル、２，２−ジ
シクロペンチルマロン酸ジエチル、２，２−ジシクロヘ
キシルマロン酸ジエチル、２−イソプロピル−２−シク
ロペンチルマロン酸ジエチル、２−イソプロピル−２−
シクロヘキシルマロン酸ジエチル、２−イソペンチル−
２−シクロペンチルマロン酸ジエチル、２−イソペンチ
ル−２−シクロペンチルマロン酸ジエチル等を好ましく
挙げることができる。また、これらの化合物はそれぞれ
単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いて
もよい。
【００２９】（Ｂ）遷移金属化合物
本発明のオレフィン重合用触媒に含まれる遷移金属化合
物は、下記一般式（Ｉ）で表される。 ＬlＭ1Ｘ1 m ・・・（Ｉ） ［一般式（Ｉ）中、Ｍ1は周期律表のIIIＡ〜VIＡ族の遷
移金属を示す。Ｌは、同一でも異なってもよく、η5で
Ｍ1に結合する置換又は未置換のシクロペンタジエニル
基を示す。Ｘ1は、同一でも異なってもよく、水素、炭
素数１〜２０の直鎖、分岐又は環状のアルキル基、炭素
数６〜２０の芳香族基、ハロゲン、ＯＲ1基又はＮＲ2 2
基を示す。Ｒ1及びＲ2は、炭素数１〜２０の直鎖、分岐
又は環状のアルキル基又は炭素数６〜２０の芳香族基を
示し、他の基と結合して環を形成してもよい。Ｒ2は同
一でも異なってもよい。ｌ及びｍは１以上の整数で、ｌ
＋ｍはＭ1の原子価と等しい。］
物は、下記一般式（Ｉ）で表される。 ＬlＭ1Ｘ1 m ・・・（Ｉ） ［一般式（Ｉ）中、Ｍ1は周期律表のIIIＡ〜VIＡ族の遷
移金属を示す。Ｌは、同一でも異なってもよく、η5で
Ｍ1に結合する置換又は未置換のシクロペンタジエニル
基を示す。Ｘ1は、同一でも異なってもよく、水素、炭
素数１〜２０の直鎖、分岐又は環状のアルキル基、炭素
数６〜２０の芳香族基、ハロゲン、ＯＲ1基又はＮＲ2 2
基を示す。Ｒ1及びＲ2は、炭素数１〜２０の直鎖、分岐
又は環状のアルキル基又は炭素数６〜２０の芳香族基を
示し、他の基と結合して環を形成してもよい。Ｒ2は同
一でも異なってもよい。ｌ及びｍは１以上の整数で、ｌ
＋ｍはＭ1の原子価と等しい。］
【００３０】一般式（Ｉ）において、Ｍ1としては、チ
タン、ジルコニウム及びハフニウム等のIVＡ族の遷移金
属が好ましい。また、Ｌとしては、炭化水素基で置換さ
れたシクロペンタジエニル基が好ましく、オクタヒドロ
フルオレニル基及びペンタメチルシクロペンタジエニル
基等が好ましく挙げられる。Ｘ1としては、特に制限は
無いが、少なくともＸ1の一つがアルコキシ基、アリー
ロキシ基（ＯＲ1基）であることが好ましい。
タン、ジルコニウム及びハフニウム等のIVＡ族の遷移金
属が好ましい。また、Ｌとしては、炭化水素基で置換さ
れたシクロペンタジエニル基が好ましく、オクタヒドロ
フルオレニル基及びペンタメチルシクロペンタジエニル
基等が好ましく挙げられる。Ｘ1としては、特に制限は
無いが、少なくともＸ1の一つがアルコキシ基、アリー
ロキシ基（ＯＲ1基）であることが好ましい。
【００３１】Ｍ1がチタンの場合、具体例として、モノ
シクロペンタジエニルチタニウム化合物である、シクロ
ペンタジエニルチタニウムトリクロライド、シクロペン
タジエニルチタニウムトリブロマイド、シクロペンタジ
エニルチタニウムトリフルオライド、シクロペンタジエ
ニルチタニウムトリアイオダイド、メチルシクロペンタ
ジエニルチタニウムトリクロライド、メチルシクロペン
タジエニルチタニウムトリブロマイド、メチルシクロペ
ンタジエニルチタニウムトリフルオライド、メチルシク
ロペンタジエニルチタニウムトリアイオダイド、テトラ
メチルシクロペンタジエニルチタニウムトリクロライ
ド、テトラメチルシクロペンタジエニルチタニウムトリ
ブロマイド、テトラメチルシクロペンタジエニルチタニ
ウムトリフルオライド、テトラメチルシクロペンタジエ
ニルチタニウムトリアイオダイド、エチルテトラメチル
シクロペンタジエニルチタニウムトリクロライド、エチ
ルテトラメチルシクロペンタジエニルチタニウムトリブ
ロマイド、エチルテトラメチルシクロペンタジエニルチ
タニウムトリフルオライド、エチルテトラメチルシクロ
ペンタジエニルチタニウムトリアイオダイド、ペンタメ
チルシクロペンタジエニルチタニウムトリクロライド、
ペンタメチルシクロペンタジエニルチタニウムトリブロ
マイド、ペンタメチルシクロペンタジエニルチタニウム
トリフルオライド、ペンタメチルシクロペンタジエニル
チタニウムトリアイオダイド、インデニルチタニウムト
リクロライド、インデニルチタニウムトリブロマイド、
インデニルチタニウムトリフルオライド、インデニルチ
タニウムトリアイオダイド、１，２，３−トリメチルイ
ンデニルチタニウムトリクロライド、１，２，３−トリ
メチルインデニルチタニウムトリブロマイド、１，２，
３−トリメチルインデニルチタニウムトリフルオライ
ド、１，２，３−トリメチルインデニルチタニウムトリ
アイオダイド、ヘプタメチルインデニルチタニウムトリ
クロライド、ヘプタメチルインデニルチタニウムトリブ
ロマイド、ヘプタメチルインデニルチタニウムトリフル
オライド、ヘプタメチルインデニルチタニウムトリアイ
オダイド、テトラヒドロインデニルチタニウムトリクロ
ライド、テトラヒドロインデニルチタニウムトリブロマ
イド、テトラヒドロインデニルチタニウムトリフルオラ
イド、テトラヒドロインデニルチタニウムトリアイオダ
イド、２−メチルテトラヒドロインデニルチタニウムト
リクロライド、２−メチルテトラヒドロインデニルチタ
ニウムトリブロマイド、２−メチルテトラヒドロインデ
ニルチタニウムトリフルオライド、２−メチルテトラヒ
ドロインデニルチタニウムトリアイオダイド、１，２−
ジメチルテトラヒドロインデニルチタニウムトリクロラ
イド、１，２−ジメチルテトラヒドロインデニルチタニ
ウムトリブロマイド、１，２−ジメチルテトラヒドロイ
ンデニルチタニウムトリフルオライド、１，２−ジメチ
ルテトラヒドロインデニルチタニウムトリアイオダイ
ド、１，３−ジメチルテトラヒドロインデニルチタニウ
ムトリクロライド、１，３−ジメチルテトラヒドロイン
デニルチタニウムトリブロマイド、１，３−ジメチルテ
トラヒドロインデニルチタニウムトリフルオライド、
１，３−ジメチルテトラヒドロインデニルチタニウムト
リアイオダイド、１，２，３−トリメチルテトラヒドロ
インデニルチタニウムトリクロライド、１，２，３−ト
リメチルテトラヒドロインデニルチタニウムトリブロマ
イド、１，２，３−トリメチルテトラヒドロインデニル
チタニウムトリフルオライド、１，２，３−トリメチル
テトラヒドロインデニルチタニウムトリアイオダイド、
オクタヒドロフルオレニルチタニウムトリクロライド、
オクタヒドロフルオレニルチタニウムトリブロマイド、
オクタヒドロフルオレニルチタニウムトリフルオライ
ド、オクタヒドロフルオレニルチタニウムトリアイオダ
イド等のチタニウムハライド化合物；シクロペンタジエ
ニルチタニウムトリメトキサイド、シクロペンタジエニ
ルチタニウムトリエトキサイド、シクロペンタジエニル
チタニウムトリイソプロポキサイド、シクロペンタジエ
ニルチタニウムトリフェノキサイド、メチルシクロペン
タジエニルチタニウムトリメトキサイド、メチルシクロ
ペンタジエニルチタニウムトリエトキサイド、メチルシ
クロペンタジエニルチタニウムトリイソプロポキサイ
ド、メチルシクロペンタジエニルチタニウムトリフェノ
キサイド、テトラメチルシクロペンタジエニルチタニウ
ムトリメトキサイド、テトラメチルシクロペンタジエニ
ルチタニウムトリエトキサイド、テトラメチルシクロペ
ンタジエニルチタニウムトリイソプロポキサイド、テト
ラメチルシクロペンタジエニルチタニウムトリフェノキ
サイド、エチルテトラメチルシクロペンタジエニルチタ
ニウムトリメトキサイド、エチルテトラメチルシクロペ
ンタジエニルチタニウムトリエトキサイド、エチルテト
ラメチルシクロペンタジエニルチタニウムトリイソプロ
ポキサイド、エチルテトラメチルシクロペンタジエニル
チタニウムトリフェノキサイド、ペンタメチルシクロペ
ンタジエニルチタニウムトリメトキサイド、ペンタメチ
ルシクロペンタジエニルチタニウムトリエトキサイド、
ペンタメチルシクロペンタジエニルチタニウムトリイソ
プロポキサイド、ペンタメチルシクロペンタジエニルチ
タニウムトリフェノキサイド、テトラヒドロインデニル
チタニウムトリメトキサイド、テトラヒドロインデニル
チタニウムトリエトキサイド、テトラヒドロインデニル
チタニウムトリイソプロポキサイド、テトラヒドロイン
デニルチタニウムトリフェノキサイド、２−メチルテト
ラヒドロインデニルチタニウムトリメトキサイド、２−
メチルテトラヒドロインデニルチタニウムトリエトキサ
イド、２−メチルテトラヒドロインデニルチタニウムト
リイソプロポキサイド、２−メチルテトラヒドロインデ
ニルチタニウムトリフェノキサイド、１，２−ジメチル
テトラヒドロインデニルチタニウムトリメトキサイド、
１，２−ジメチルテトラヒドロインデニルチタニウムト
リエトキサイド、１，２−ジメチルテトラヒドロインデ
ニルチタニウムトリイソプロポキサイド、１，２−ジメ
チルテトラヒドロインデニルチタニウムトリフェノキサ
イド、１，３−ジメチルテトラヒドロインデニルチタニ
ウムトリメトキサイド、１，３−ジメチルテトラヒドロ
インデニルチタニウムトリエトキサイド、１，３−ジメ
チルテトラヒドロインデニルチタニウムトリイソプロポ
キサイド、１，３−ジメチルテトラヒドロインデニルチ
タニウムトリフェノキサイド、１，２，３−トリメチル
テトラヒドロインデニルチタニウムトリメトキサイド、
１，２，３−トリメチルテトラヒドロインデニルチタニ
ウムトリエトキサイド、１，２，３−トリメチルテトラ
ヒドロインデニルチタニウムトリイソプロポキサイド、
１，２，３−トリメチルテトラヒドロインデニルチタニ
ウムトリフェノキサイド、オクタヒドロフルオレニルチ
タニウムトリメトキサイド、オクタヒドロフルオレニル
チタニウムトリエトキサイド、オクタヒドロフルオレニ
ルチタニウムトリイソプロポキサイド、オクタヒドロフ
ルオレニルチタニウムトリフェノキサイド等のチタニウ
ムアルコキサイド及びアリーロキサイド化合物；シクロ
ペンタジエニルチタニウムトリメチル、シクロペンタジ
エニルチタニウムトリベンジル、メチルシクロペンタジ
エニルチタニウムトリメチル、メチルシクロペンタジエ
ニルチタニウムトリベンジル、テトラメチルシクロペン
タジエニルチタニウムトリメチル、テトラメチルシクロ
ペンタジエニルチタニウムトリベンジル、エチルテトラ
メチルシクロペンタジエニルチタニウムトリメチル、エ
チルテトラメチルシクロペンタジエニルチタニウムトリ
ベンジル、ペンタメチルシクロペンタジエニルチタニウ
ムトリメチル、ペンタメチルシクロペンタジエニルチタ
ニウムトリベンジル、テトラヒドロインデニルチタニウ
ムトリメチル、テトラヒドロインデニルチタニウムトリ
ベンジル、２−メチルテトラヒドロインデニルチタニウ
ムトリメチル、２−メチルテトラヒドロインデニルチタ
ニウムトリベンジル、１，２−ジメチルテトラヒドロイ
ンデニルチタニウムトリメチル、１，２−ジメチルテト
ラヒドロインデニルチタニウムトリベンジル、１，３−
ジメチルテトラヒドロインデニルチタニウムトリメチ
ル、１，３−ジメチルテトラヒドロインデニルチタニウ
ムトリベンジル、１，２，３−トリメチルテトラヒドロ
インデニルチタニウムトリメチル、１，２，３−トリメ
チルテトラヒドロインデニルチタニウムトリベンジル、
オクタヒドロフルオレニルチタニウムトリメチル、オク
タヒドロフルオレニルチタニウムトリベンジル等のチタ
ニウムアルキル及びチタニウムアリール化合物；シクロ
ペンタジエニルチタニウムトリ（ジメチルアミド）、メ
チルシクロペンタジエニルチタニウムトリ（ジメチルア
ミド）、テトラメチルシクロペンタジエニルチタニウム
トリ（ジメチルアミド）、エチルテトラメチルシクロペ
ンタジエニルチタニウムトリ（ジメチルアミド）、ペン
タメチルシクロペンタジエニルチタニウムトリ（ジメチ
ルアミド）、テトラヒドロインデニルチタニウムトリ
（ジメチルアミド）、２−メチルテトラヒドロインデニ
ルチタニウムトリ（ジメチルアミド）、１，２−ジメチ
ルテトラヒドロインデニルチタニウムトリ（ジメチルア
ミド）、１，３−ジメチルテトラヒドロインデニルチタ
ニウムトリ（ジメチルアミド）、１，２，３−トリメチ
ルテトラヒドロインデニルチタニウムトリ（ジメチルア
ミド）、オクタヒドロフルオレニルチタニウムトリ（ジ
メチルアミド）等のチタニウムアミド化合物；ジメチル
シリレン（ｔ−ブチルアミノ）テトラメチルシクロペン
タジエニルチタニウムジクロライド、ジメチルシリレン
（ｔ−ブチルアミノ）テトラメチルシクロペンタジエニ
ルチタニウムジメチル、９−（ジメチルシリレン）（ｔ
−ブチルアミノ）オクタヒドロフルオレニルチタニウム
ジクロライド、９−（ジメチルシリレン）（ｔ−ブチル
アミノ）オクタヒドロフルオレニルチタニウムジメチ
ル、ジメチルシリレン（３−イソプロピル−２−フェノ
キシ）テトラメチルシクロペンタジエニルチタニウムジ
クロライド、ジメチルシリレン（３−イソプロピル−２
−フェノキシ）テトラメチルシクロペンタジエニルチタ
ニウムジメチル等の化合物が挙げられる。
シクロペンタジエニルチタニウム化合物である、シクロ
ペンタジエニルチタニウムトリクロライド、シクロペン
タジエニルチタニウムトリブロマイド、シクロペンタジ
エニルチタニウムトリフルオライド、シクロペンタジエ
ニルチタニウムトリアイオダイド、メチルシクロペンタ
ジエニルチタニウムトリクロライド、メチルシクロペン
タジエニルチタニウムトリブロマイド、メチルシクロペ
ンタジエニルチタニウムトリフルオライド、メチルシク
ロペンタジエニルチタニウムトリアイオダイド、テトラ
メチルシクロペンタジエニルチタニウムトリクロライ
ド、テトラメチルシクロペンタジエニルチタニウムトリ
ブロマイド、テトラメチルシクロペンタジエニルチタニ
ウムトリフルオライド、テトラメチルシクロペンタジエ
ニルチタニウムトリアイオダイド、エチルテトラメチル
シクロペンタジエニルチタニウムトリクロライド、エチ
ルテトラメチルシクロペンタジエニルチタニウムトリブ
ロマイド、エチルテトラメチルシクロペンタジエニルチ
タニウムトリフルオライド、エチルテトラメチルシクロ
ペンタジエニルチタニウムトリアイオダイド、ペンタメ
チルシクロペンタジエニルチタニウムトリクロライド、
ペンタメチルシクロペンタジエニルチタニウムトリブロ
マイド、ペンタメチルシクロペンタジエニルチタニウム
トリフルオライド、ペンタメチルシクロペンタジエニル
チタニウムトリアイオダイド、インデニルチタニウムト
リクロライド、インデニルチタニウムトリブロマイド、
インデニルチタニウムトリフルオライド、インデニルチ
タニウムトリアイオダイド、１，２，３−トリメチルイ
ンデニルチタニウムトリクロライド、１，２，３−トリ
メチルインデニルチタニウムトリブロマイド、１，２，
３−トリメチルインデニルチタニウムトリフルオライ
ド、１，２，３−トリメチルインデニルチタニウムトリ
アイオダイド、ヘプタメチルインデニルチタニウムトリ
クロライド、ヘプタメチルインデニルチタニウムトリブ
ロマイド、ヘプタメチルインデニルチタニウムトリフル
オライド、ヘプタメチルインデニルチタニウムトリアイ
オダイド、テトラヒドロインデニルチタニウムトリクロ
ライド、テトラヒドロインデニルチタニウムトリブロマ
イド、テトラヒドロインデニルチタニウムトリフルオラ
イド、テトラヒドロインデニルチタニウムトリアイオダ
イド、２−メチルテトラヒドロインデニルチタニウムト
リクロライド、２−メチルテトラヒドロインデニルチタ
ニウムトリブロマイド、２−メチルテトラヒドロインデ
ニルチタニウムトリフルオライド、２−メチルテトラヒ
ドロインデニルチタニウムトリアイオダイド、１，２−
ジメチルテトラヒドロインデニルチタニウムトリクロラ
イド、１，２−ジメチルテトラヒドロインデニルチタニ
ウムトリブロマイド、１，２−ジメチルテトラヒドロイ
ンデニルチタニウムトリフルオライド、１，２−ジメチ
ルテトラヒドロインデニルチタニウムトリアイオダイ
ド、１，３−ジメチルテトラヒドロインデニルチタニウ
ムトリクロライド、１，３−ジメチルテトラヒドロイン
デニルチタニウムトリブロマイド、１，３−ジメチルテ
トラヒドロインデニルチタニウムトリフルオライド、
１，３−ジメチルテトラヒドロインデニルチタニウムト
リアイオダイド、１，２，３−トリメチルテトラヒドロ
インデニルチタニウムトリクロライド、１，２，３−ト
リメチルテトラヒドロインデニルチタニウムトリブロマ
イド、１，２，３−トリメチルテトラヒドロインデニル
チタニウムトリフルオライド、１，２，３−トリメチル
テトラヒドロインデニルチタニウムトリアイオダイド、
オクタヒドロフルオレニルチタニウムトリクロライド、
オクタヒドロフルオレニルチタニウムトリブロマイド、
オクタヒドロフルオレニルチタニウムトリフルオライ
ド、オクタヒドロフルオレニルチタニウムトリアイオダ
イド等のチタニウムハライド化合物；シクロペンタジエ
ニルチタニウムトリメトキサイド、シクロペンタジエニ
ルチタニウムトリエトキサイド、シクロペンタジエニル
チタニウムトリイソプロポキサイド、シクロペンタジエ
ニルチタニウムトリフェノキサイド、メチルシクロペン
タジエニルチタニウムトリメトキサイド、メチルシクロ
ペンタジエニルチタニウムトリエトキサイド、メチルシ
クロペンタジエニルチタニウムトリイソプロポキサイ
ド、メチルシクロペンタジエニルチタニウムトリフェノ
キサイド、テトラメチルシクロペンタジエニルチタニウ
ムトリメトキサイド、テトラメチルシクロペンタジエニ
ルチタニウムトリエトキサイド、テトラメチルシクロペ
ンタジエニルチタニウムトリイソプロポキサイド、テト
ラメチルシクロペンタジエニルチタニウムトリフェノキ
サイド、エチルテトラメチルシクロペンタジエニルチタ
ニウムトリメトキサイド、エチルテトラメチルシクロペ
ンタジエニルチタニウムトリエトキサイド、エチルテト
ラメチルシクロペンタジエニルチタニウムトリイソプロ
ポキサイド、エチルテトラメチルシクロペンタジエニル
チタニウムトリフェノキサイド、ペンタメチルシクロペ
ンタジエニルチタニウムトリメトキサイド、ペンタメチ
ルシクロペンタジエニルチタニウムトリエトキサイド、
ペンタメチルシクロペンタジエニルチタニウムトリイソ
プロポキサイド、ペンタメチルシクロペンタジエニルチ
タニウムトリフェノキサイド、テトラヒドロインデニル
チタニウムトリメトキサイド、テトラヒドロインデニル
チタニウムトリエトキサイド、テトラヒドロインデニル
チタニウムトリイソプロポキサイド、テトラヒドロイン
デニルチタニウムトリフェノキサイド、２−メチルテト
ラヒドロインデニルチタニウムトリメトキサイド、２−
メチルテトラヒドロインデニルチタニウムトリエトキサ
イド、２−メチルテトラヒドロインデニルチタニウムト
リイソプロポキサイド、２−メチルテトラヒドロインデ
ニルチタニウムトリフェノキサイド、１，２−ジメチル
テトラヒドロインデニルチタニウムトリメトキサイド、
１，２−ジメチルテトラヒドロインデニルチタニウムト
リエトキサイド、１，２−ジメチルテトラヒドロインデ
ニルチタニウムトリイソプロポキサイド、１，２−ジメ
チルテトラヒドロインデニルチタニウムトリフェノキサ
イド、１，３−ジメチルテトラヒドロインデニルチタニ
ウムトリメトキサイド、１，３−ジメチルテトラヒドロ
インデニルチタニウムトリエトキサイド、１，３−ジメ
チルテトラヒドロインデニルチタニウムトリイソプロポ
キサイド、１，３−ジメチルテトラヒドロインデニルチ
タニウムトリフェノキサイド、１，２，３−トリメチル
テトラヒドロインデニルチタニウムトリメトキサイド、
１，２，３−トリメチルテトラヒドロインデニルチタニ
ウムトリエトキサイド、１，２，３−トリメチルテトラ
ヒドロインデニルチタニウムトリイソプロポキサイド、
１，２，３−トリメチルテトラヒドロインデニルチタニ
ウムトリフェノキサイド、オクタヒドロフルオレニルチ
タニウムトリメトキサイド、オクタヒドロフルオレニル
チタニウムトリエトキサイド、オクタヒドロフルオレニ
ルチタニウムトリイソプロポキサイド、オクタヒドロフ
ルオレニルチタニウムトリフェノキサイド等のチタニウ
ムアルコキサイド及びアリーロキサイド化合物；シクロ
ペンタジエニルチタニウムトリメチル、シクロペンタジ
エニルチタニウムトリベンジル、メチルシクロペンタジ
エニルチタニウムトリメチル、メチルシクロペンタジエ
ニルチタニウムトリベンジル、テトラメチルシクロペン
タジエニルチタニウムトリメチル、テトラメチルシクロ
ペンタジエニルチタニウムトリベンジル、エチルテトラ
メチルシクロペンタジエニルチタニウムトリメチル、エ
チルテトラメチルシクロペンタジエニルチタニウムトリ
ベンジル、ペンタメチルシクロペンタジエニルチタニウ
ムトリメチル、ペンタメチルシクロペンタジエニルチタ
ニウムトリベンジル、テトラヒドロインデニルチタニウ
ムトリメチル、テトラヒドロインデニルチタニウムトリ
ベンジル、２−メチルテトラヒドロインデニルチタニウ
ムトリメチル、２−メチルテトラヒドロインデニルチタ
ニウムトリベンジル、１，２−ジメチルテトラヒドロイ
ンデニルチタニウムトリメチル、１，２−ジメチルテト
ラヒドロインデニルチタニウムトリベンジル、１，３−
ジメチルテトラヒドロインデニルチタニウムトリメチ
ル、１，３−ジメチルテトラヒドロインデニルチタニウ
ムトリベンジル、１，２，３−トリメチルテトラヒドロ
インデニルチタニウムトリメチル、１，２，３−トリメ
チルテトラヒドロインデニルチタニウムトリベンジル、
オクタヒドロフルオレニルチタニウムトリメチル、オク
タヒドロフルオレニルチタニウムトリベンジル等のチタ
ニウムアルキル及びチタニウムアリール化合物；シクロ
ペンタジエニルチタニウムトリ（ジメチルアミド）、メ
チルシクロペンタジエニルチタニウムトリ（ジメチルア
ミド）、テトラメチルシクロペンタジエニルチタニウム
トリ（ジメチルアミド）、エチルテトラメチルシクロペ
ンタジエニルチタニウムトリ（ジメチルアミド）、ペン
タメチルシクロペンタジエニルチタニウムトリ（ジメチ
ルアミド）、テトラヒドロインデニルチタニウムトリ
（ジメチルアミド）、２−メチルテトラヒドロインデニ
ルチタニウムトリ（ジメチルアミド）、１，２−ジメチ
ルテトラヒドロインデニルチタニウムトリ（ジメチルア
ミド）、１，３−ジメチルテトラヒドロインデニルチタ
ニウムトリ（ジメチルアミド）、１，２，３−トリメチ
ルテトラヒドロインデニルチタニウムトリ（ジメチルア
ミド）、オクタヒドロフルオレニルチタニウムトリ（ジ
メチルアミド）等のチタニウムアミド化合物；ジメチル
シリレン（ｔ−ブチルアミノ）テトラメチルシクロペン
タジエニルチタニウムジクロライド、ジメチルシリレン
（ｔ−ブチルアミノ）テトラメチルシクロペンタジエニ
ルチタニウムジメチル、９−（ジメチルシリレン）（ｔ
−ブチルアミノ）オクタヒドロフルオレニルチタニウム
ジクロライド、９−（ジメチルシリレン）（ｔ−ブチル
アミノ）オクタヒドロフルオレニルチタニウムジメチ
ル、ジメチルシリレン（３−イソプロピル−２−フェノ
キシ）テトラメチルシクロペンタジエニルチタニウムジ
クロライド、ジメチルシリレン（３−イソプロピル−２
−フェノキシ）テトラメチルシクロペンタジエニルチタ
ニウムジメチル等の化合物が挙げられる。
【００３２】また、同様に、ビスシクロペンタジエニル
チタニウム化合物である、ビスシクロペンタジエニルチ
タニウムジクロライド、ビスペンタメチルシクロペンタ
ジエニルチタニウムジクロライド、ビスシクロペンタジ
エニルチタニウムジメチル、ビスペンタメチルシクロペ
ンタジエニルチタニウムジメチル、ビスシクロペンタジ
エニルチタニウムビス（ジメチルアミド）、ビスペンタ
メチルシクロペンタジエニルチタニウムビス（ジメチル
アミド）等の架橋基を含まない化合物；イソプロピリデ
ンビスシクロペンタジエニルチタニウムジクロライド、
イソプロピリデンビステトラメチルシクロペンタジエニ
ルチタニウムジクロライド、イソプロピリデン（シクロ
ペンタジエニル）（フルオレニル）チタニウムジクロラ
イド、イソプロピリデンビスシクロペンタジエニルチタ
ニウムジメチル、イソプロピリデンビステトラメチルシ
クロペンタジエニルチタニウムジメチル、イソプロピリ
デン（シクロペンタジエニル）（フルオレニル）チタニ
ウムジメチル、イソプロピリデンビスシクロペンタジエ
ニルチタニウムビス（ジメチルアミド）、イソプロピリ
デンビステトラメチルシクロペンタジエニルチタニウム
ビス（ジメチルアミド）、イソプロピリデン（シクロペ
ンタジエニル）（フルオレニル）チタニウムビス（ジメ
チルアミド）等のアルキリデン基で架橋された化合物：
ジメチルシリレンビスシクロペンタジエニルチタニウム
ジクロライド、ジメチルシリレンビステトラメチルシク
ロペンタジエニルチタニウムジクロライド、ジメチルシ
リレン（シクロペンタジエニル）（フルオレニル）チタ
ニウムジクロライド、ジメチルシリレンビスシクロペン
タジエニルチタニウムジメチル、ジメチルシリレンビス
テトラメチルシクロペンタジエニルチタニウムジメチ
ル、ジメチルシリレン（シクロペンタジエニル）（フル
オレニル）チタニウムジメチル、ジメチルシリレンビス
シクロペンタジエニルチタニウムビス（ジメチルアミ
ド）、ジメチルシリレンビステトラメチルシクロペンタ
ジエニルチタニウムビス（ジメチルアミド）、ジメチル
シリレン（シクロペンタジエニル）（フルオレニル）チ
タニウムビス（ジメチルアミド）等の、ケイ素等のヘテ
ロ元素を介して架橋した化合物が挙げられる。また、こ
れらのチタニウム化合物のチタンを、ジルコニウム及び
ハフニウムにそれぞれ置き換えたジルコニウム化合物及
びハフニウム化合物が挙げられる。これらの遷移金属化
合物はそれぞれ単独で用いてもよいし、２種以上を組み
合わせて用いてもよい。
チタニウム化合物である、ビスシクロペンタジエニルチ
タニウムジクロライド、ビスペンタメチルシクロペンタ
ジエニルチタニウムジクロライド、ビスシクロペンタジ
エニルチタニウムジメチル、ビスペンタメチルシクロペ
ンタジエニルチタニウムジメチル、ビスシクロペンタジ
エニルチタニウムビス（ジメチルアミド）、ビスペンタ
メチルシクロペンタジエニルチタニウムビス（ジメチル
アミド）等の架橋基を含まない化合物；イソプロピリデ
ンビスシクロペンタジエニルチタニウムジクロライド、
イソプロピリデンビステトラメチルシクロペンタジエニ
ルチタニウムジクロライド、イソプロピリデン（シクロ
ペンタジエニル）（フルオレニル）チタニウムジクロラ
イド、イソプロピリデンビスシクロペンタジエニルチタ
ニウムジメチル、イソプロピリデンビステトラメチルシ
クロペンタジエニルチタニウムジメチル、イソプロピリ
デン（シクロペンタジエニル）（フルオレニル）チタニ
ウムジメチル、イソプロピリデンビスシクロペンタジエ
ニルチタニウムビス（ジメチルアミド）、イソプロピリ
デンビステトラメチルシクロペンタジエニルチタニウム
ビス（ジメチルアミド）、イソプロピリデン（シクロペ
ンタジエニル）（フルオレニル）チタニウムビス（ジメ
チルアミド）等のアルキリデン基で架橋された化合物：
ジメチルシリレンビスシクロペンタジエニルチタニウム
ジクロライド、ジメチルシリレンビステトラメチルシク
ロペンタジエニルチタニウムジクロライド、ジメチルシ
リレン（シクロペンタジエニル）（フルオレニル）チタ
ニウムジクロライド、ジメチルシリレンビスシクロペン
タジエニルチタニウムジメチル、ジメチルシリレンビス
テトラメチルシクロペンタジエニルチタニウムジメチ
ル、ジメチルシリレン（シクロペンタジエニル）（フル
オレニル）チタニウムジメチル、ジメチルシリレンビス
シクロペンタジエニルチタニウムビス（ジメチルアミ
ド）、ジメチルシリレンビステトラメチルシクロペンタ
ジエニルチタニウムビス（ジメチルアミド）、ジメチル
シリレン（シクロペンタジエニル）（フルオレニル）チ
タニウムビス（ジメチルアミド）等の、ケイ素等のヘテ
ロ元素を介して架橋した化合物が挙げられる。また、こ
れらのチタニウム化合物のチタンを、ジルコニウム及び
ハフニウムにそれぞれ置き換えたジルコニウム化合物及
びハフニウム化合物が挙げられる。これらの遷移金属化
合物はそれぞれ単独で用いてもよいし、２種以上を組み
合わせて用いてもよい。
【００３３】（Ｃ）有機金属化合物
本発明のオレフィン重合用触媒に含まれる有機金属化合
物は、下記一般式（II）で表される。 Ｒ3 nＭ2 ・・・（II） ［一般式（II）中、Ｍ2は周期律表Ｉ〜III（Ａ又はＢ）
族の元素を示す。Ｒ3は、同一でも異なってもよく、水
素、炭素数１〜２０の直鎖、分岐又は環状のアルキル
基、炭素数６〜２０の芳香族基、ハロゲン又はＯＲ4基
を示す。Ｒ4は炭素数１〜２０の直鎖、分岐又は環状の
アルキル基、又は炭素数６〜２０の芳香族基を示す。ｎ
はＭ2の原子価と等しい。］
物は、下記一般式（II）で表される。 Ｒ3 nＭ2 ・・・（II） ［一般式（II）中、Ｍ2は周期律表Ｉ〜III（Ａ又はＢ）
族の元素を示す。Ｒ3は、同一でも異なってもよく、水
素、炭素数１〜２０の直鎖、分岐又は環状のアルキル
基、炭素数６〜２０の芳香族基、ハロゲン又はＯＲ4基
を示す。Ｒ4は炭素数１〜２０の直鎖、分岐又は環状の
アルキル基、又は炭素数６〜２０の芳香族基を示す。ｎ
はＭ2の原子価と等しい。］
【００３４】このような有機金属化合物としては、特
に、アルキル基、ハロゲン原子、水素原子、アルコキシ
基、アミド基を有する有機アルミニウム化合物及びそれ
らの混合物を好ましく用いることができる。具体的に
は、トリメチルアルミニウム，トリエチルアルミニウ
ム，トリイソプロピルアルミニウム，トリイソブチルア
ルミニウム，トリオクチルアルミニウム等のトリアルキ
ルアルミニウム；ジエチルアルミニウムモノクロリド，
ジイソプロピルアルミニウムモノクロリド，ジイソブチ
ルアルミニウムモノクロリド，ジオクチルアルミニウム
モノクロリド等のジアルキルアルミニウムモノクロリ
ド；エチルアルミニウムセスキクロリド等のアルキルア
ルミニウムセスキハライド等を挙げることができる。こ
れらの有機アルミニウム化合物の中では、炭素数１〜５
の低級アルキル基を有するトリアルキルアルミニウム、
特にトリメチルアルミニウム，トリエチルアルミニウ
ム，トリプロピルアルミニウム及びトリイソブチルアル
ミニウムが好ましい。また、これらの有機アルミニウム
化合物はそれぞれ単独で用いてもよいし、２種以上を組
み合わせて用いてもよい。
に、アルキル基、ハロゲン原子、水素原子、アルコキシ
基、アミド基を有する有機アルミニウム化合物及びそれ
らの混合物を好ましく用いることができる。具体的に
は、トリメチルアルミニウム，トリエチルアルミニウ
ム，トリイソプロピルアルミニウム，トリイソブチルア
ルミニウム，トリオクチルアルミニウム等のトリアルキ
ルアルミニウム；ジエチルアルミニウムモノクロリド，
ジイソプロピルアルミニウムモノクロリド，ジイソブチ
ルアルミニウムモノクロリド，ジオクチルアルミニウム
モノクロリド等のジアルキルアルミニウムモノクロリ
ド；エチルアルミニウムセスキクロリド等のアルキルア
ルミニウムセスキハライド等を挙げることができる。こ
れらの有機アルミニウム化合物の中では、炭素数１〜５
の低級アルキル基を有するトリアルキルアルミニウム、
特にトリメチルアルミニウム，トリエチルアルミニウ
ム，トリプロピルアルミニウム及びトリイソブチルアル
ミニウムが好ましい。また、これらの有機アルミニウム
化合物はそれぞれ単独で用いてもよいし、２種以上を組
み合わせて用いてもよい。
【００３５】（Ｄ）電子供与性化合物
本発明のオレフィン重合用触媒に含まれる電子供与性化
合物は、下記一般式（III）及び／又は（IV）で表され
る。 Ｒ5 pＳｉ(ＯＲ6)4-p ・・・（III） Ｒ5 2Ｃ(ＣＨ2ＯＲ6)2 ・・・（IV） ［一般式（III）又は（IV）中、Ｒ5は、同一でも異なっ
てもよく、水素、炭素数１〜２０の直鎖、分岐又は環状
のアルキル基、炭素数６〜２０の芳香族基、又はＮＲ7 2
基を示す。Ｒ6及びＲ7は、同一でも異なってもよく、炭
素数１〜２０の直鎖、分岐又は環状のアルキル基、又は
炭素数６〜２０の芳香族基を示し、他の基と結合して環
を形成してもよい。ｐは０〜４の整数を示す。］
合物は、下記一般式（III）及び／又は（IV）で表され
る。 Ｒ5 pＳｉ(ＯＲ6)4-p ・・・（III） Ｒ5 2Ｃ(ＣＨ2ＯＲ6)2 ・・・（IV） ［一般式（III）又は（IV）中、Ｒ5は、同一でも異なっ
てもよく、水素、炭素数１〜２０の直鎖、分岐又は環状
のアルキル基、炭素数６〜２０の芳香族基、又はＮＲ7 2
基を示す。Ｒ6及びＲ7は、同一でも異なってもよく、炭
素数１〜２０の直鎖、分岐又は環状のアルキル基、又は
炭素数６〜２０の芳香族基を示し、他の基と結合して環
を形成してもよい。ｐは０〜４の整数を示す。］
【００３６】具体的には、Ｒ5としては、メチル基、エ
チル基、ｎ−プロピル基等の直鎖状炭化水素基、イソプ
ロピル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、テキシル基等
の分岐状炭化水素基、シクロブチル基、シクロペンチル
基、シクロヘキシル基等の飽和環状炭化水素基、フェニ
ル基、ペンタメチルフェニル基等の不飽和環状炭化水素
基が挙げられる。これらのうち、好ましくは少なくとも
１個のＲ5が分岐状アルキル基又は環状アルキル基であ
る。また、Ｒ6及びＲ7としては、メチル基、エチル基、
ｎ−プロピル基が好ましく、メチル基がより好ましい。
チル基、ｎ−プロピル基等の直鎖状炭化水素基、イソプ
ロピル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、テキシル基等
の分岐状炭化水素基、シクロブチル基、シクロペンチル
基、シクロヘキシル基等の飽和環状炭化水素基、フェニ
ル基、ペンタメチルフェニル基等の不飽和環状炭化水素
基が挙げられる。これらのうち、好ましくは少なくとも
１個のＲ5が分岐状アルキル基又は環状アルキル基であ
る。また、Ｒ6及びＲ7としては、メチル基、エチル基、
ｎ−プロピル基が好ましく、メチル基がより好ましい。
【００３７】電子供与性化合物が上記一般式（III）で
表されるケイ素化合物の場合、アルコキシ基を２個以上
（ｐが０〜２）含む多アルコキシシラン化合物が好まし
い。好ましい化合物としては具体的に、ジシクロペンチ
ルジメトキシシラン、ジシクロヘキシルジメトキシシラ
ン、シクロペンチルメチルジメトキシシラン、シクロヘ
キシルメチルジメトキシシラン、ジイソプロピルジメト
キシシラン、ジイソブチルジメトキシシラン、ジ−ｓｅ
ｃ−ブチルジメトキシシラン、ネオペンチルｎ−プロピ
ルジメトキシシラン、ネオペンチルｎ−ブチルジメトキ
シシラン、ネオペンチルｎ−ペンチルジメトキシシラ
ン、ネオペンチルｎ−ヘキシルジメトキシシラン、ネオ
ペンチルｎ−ヘプチルジメトキシシラン、イソブチルｎ
−プロピルジメトキシシラン、イソブチルｎ−ブチルジ
メトキシシラン、イソブチルｎ−ペンチルジメトキシシ
ラン、イソブチルｎ−ヘキシルジメトキシシラン、イソ
ブチルｎ−ヘプチルジメトキシシラン、２−シクロヘキ
シルプロピルｎ−プロピルジメトキシシラン、２−シク
ロヘキシルブチルｎ−プロピルジメトキシシラン、２−
シクロヘキシルペンチルｎ−プロピルジメトキシシラ
ン、２−シクロヘキシルヘキシルｎ−プロピルジメトキ
シシラン、２−シクロヘキシルヘプチルｎ−プロピルジ
メトキシシラン、２−シクロペンチルプロピルｎ−プロ
ピルジメトキシシラン、２−シクロペンチルブチルｎ−
プロピルジメトキシシラン、２−シクロペンチルペンチ
ルｎ−プロピルジメトキシシラン、２−シクロペンチル
ヘキシルｎ−プロピルジメトキシシラン、２−シクロペ
ンチルヘプチルｎ−プロピルジメトキシシラン、イソペ
ンチルｎ−プロピルジメトキシシラン、イソペンチルｎ
−ブチルジメトキシシラン、イソペンチルｎ−ペンチル
ジメトキシシラン、イソペンチルｎ−ヘキシルジメトキ
シシラン、イソペンチルｎ−ヘプチルジメトキシシラ
ン、イソペンチルイソブチルジメトキシシラン、イソペ
ンチルネオペンチルジメトキシシラン、ジイソペンチル
ジメトキシシラン、ジイソヘプチルジメトキシシラン、
ジイソヘキシルジメトキシシラン、シクロペンチルトリ
メトキシシラン、シクロヘキシルトリメトキシシラン、
ネオペンチルトリメトキシシラン、（２，３−ジメチル
−２−ブチル）メシチルジメトキシラン、（２，３−ジ
メチル−２−ブチル）トリメトキシラン等が挙げられ
る。特に好ましい化合物の具体例としては、ジシクロペ
ンチルジメトキシシラン、シクロヘキシルメチルジメト
キシシラン、ネオペンチルｎ−プロピルジメトキシシラ
ン、ネオペンチルｎ−ペンチルジメトキシシラン、イソ
ペンチルネオペンチルジメトキシシラン、ジイソペンチ
ルジメトキシシラン、ジイソヘプチルジメトキシシラ
ン、ジイソヘキシルジメトキシシラン、（２，３−ジメ
チル−２−ブチル）メシチルジメトキシラン、（２，３
−ジメチル−２−ブチル）トリメトキシランが挙げられ
る。
表されるケイ素化合物の場合、アルコキシ基を２個以上
（ｐが０〜２）含む多アルコキシシラン化合物が好まし
い。好ましい化合物としては具体的に、ジシクロペンチ
ルジメトキシシラン、ジシクロヘキシルジメトキシシラ
ン、シクロペンチルメチルジメトキシシラン、シクロヘ
キシルメチルジメトキシシラン、ジイソプロピルジメト
キシシラン、ジイソブチルジメトキシシラン、ジ−ｓｅ
ｃ−ブチルジメトキシシラン、ネオペンチルｎ−プロピ
ルジメトキシシラン、ネオペンチルｎ−ブチルジメトキ
シシラン、ネオペンチルｎ−ペンチルジメトキシシラ
ン、ネオペンチルｎ−ヘキシルジメトキシシラン、ネオ
ペンチルｎ−ヘプチルジメトキシシラン、イソブチルｎ
−プロピルジメトキシシラン、イソブチルｎ−ブチルジ
メトキシシラン、イソブチルｎ−ペンチルジメトキシシ
ラン、イソブチルｎ−ヘキシルジメトキシシラン、イソ
ブチルｎ−ヘプチルジメトキシシラン、２−シクロヘキ
シルプロピルｎ−プロピルジメトキシシラン、２−シク
ロヘキシルブチルｎ−プロピルジメトキシシラン、２−
シクロヘキシルペンチルｎ−プロピルジメトキシシラ
ン、２−シクロヘキシルヘキシルｎ−プロピルジメトキ
シシラン、２−シクロヘキシルヘプチルｎ−プロピルジ
メトキシシラン、２−シクロペンチルプロピルｎ−プロ
ピルジメトキシシラン、２−シクロペンチルブチルｎ−
プロピルジメトキシシラン、２−シクロペンチルペンチ
ルｎ−プロピルジメトキシシラン、２−シクロペンチル
ヘキシルｎ−プロピルジメトキシシラン、２−シクロペ
ンチルヘプチルｎ−プロピルジメトキシシラン、イソペ
ンチルｎ−プロピルジメトキシシラン、イソペンチルｎ
−ブチルジメトキシシラン、イソペンチルｎ−ペンチル
ジメトキシシラン、イソペンチルｎ−ヘキシルジメトキ
シシラン、イソペンチルｎ−ヘプチルジメトキシシラ
ン、イソペンチルイソブチルジメトキシシラン、イソペ
ンチルネオペンチルジメトキシシラン、ジイソペンチル
ジメトキシシラン、ジイソヘプチルジメトキシシラン、
ジイソヘキシルジメトキシシラン、シクロペンチルトリ
メトキシシラン、シクロヘキシルトリメトキシシラン、
ネオペンチルトリメトキシシラン、（２，３−ジメチル
−２−ブチル）メシチルジメトキシラン、（２，３−ジ
メチル−２−ブチル）トリメトキシラン等が挙げられ
る。特に好ましい化合物の具体例としては、ジシクロペ
ンチルジメトキシシラン、シクロヘキシルメチルジメト
キシシラン、ネオペンチルｎ−プロピルジメトキシシラ
ン、ネオペンチルｎ−ペンチルジメトキシシラン、イソ
ペンチルネオペンチルジメトキシシラン、ジイソペンチ
ルジメトキシシラン、ジイソヘプチルジメトキシシラ
ン、ジイソヘキシルジメトキシシラン、（２，３−ジメ
チル−２−ブチル）メシチルジメトキシラン、（２，３
−ジメチル−２−ブチル）トリメトキシランが挙げられ
る。
【００３８】また、電子供与性化合物が上記一般式（I
V）で表されるジエーテル化合物の場合、具体例とし
て、２−（２−エチルヘキシル）−１，３−ジメトキシ
プロパン、２−イソプロピル−１，３−ジメトキシプロ
パン、２−ブチル−１，３−ジメトキシプロパン、２−
ｓ−ブチル−１，３−ジメトキシプロパン、２−イソペ
ンチル−１，３−ジメトキシプロパン、２−シクロヘキ
シル−１，３−ジメトキシプロパン、２−シクロペンチ
ル−１，３−ジメトキシプロパン、２−（１−デカヒド
ロナフチル）−１，３−ジメトキシプロパン、２−フェ
ニル−１，３−ジメトキシプロパン、２−クミル−１，
３−ジメトキシプロパン、２，２−ジ（２−エチルヘキ
シル）−１，３−ジメトキシプロパン、２，２−ジイソ
プロピル−１，３−ジメトキシプロパン、２，２−ジブ
チル−１，３−ジメトキシプロパン、２，２−ジイソブ
チル−１，３−ジメトキシプロパン、２，２−ジ（ｓ−
ブチル）−１，３−ジメトキシプロパン、２，２−ジイ
ソペンチル−１，３−ジメトキシプロパン、２，２−ジ
シクロヘキシル−１，３−ジメトキシプロパン、２，２
−ジシクロペンチル−１，３−ジメトキシプロパン、
２，２−ジ（１−デカヒドロナフチル）−１，３−ジメ
トキシプロパン、２，２−ジフェニル−１，３−ジメト
キシプロパン、２，２−ジクミル−１，３−ジメトキシ
プロパン、９，９−ジメトキシメチルフルオレン、２−
イソプロピル−２−（２−エチルヘキシル）−１，３−
ジメトキシプロパン、２−イソプロピル−２−ブチル−
１，３−ジメトキシプロパン、２−イソプロピル−２−
イソブチル−１，３−ジメトキシプロパン、２−イソプ
ロピル−２−ｓ−ブチル−１，３−ジメトキシプロパ
ン、２−イソプロピル−２−イソペンチル−１，３−ジ
メトキシプロパン、２−イソプロピル−２−シクロヘキ
シル−１，３−ジメトキシプロパン、２−イソプロピル
−２−シクロペンチル−１，３−ジメトキシプロパン、
２−イソプロピル−２−（１−デカヒドロナフチル）−
１，３−ジメトキシプロパン、２−イソプロピル−２−
フェニル−１，３−ジメトキシプロパン、２−イソプロ
ピル−２−クミル−１，３−ジメトキシプロパン、２−
ブチル−２−（２−エチルヘキシル）−１，３−ジメト
キシプロパン、２−ブチル−２−イソブチル−１，３−
ジメトキシプロパン、２−ブチル−２−ｓ−ブチル−
１，３−ジメトキシプロパン、２−ブチル−２−イソペ
ンチル−１，３−ジメトキシプロパン、２−ブチル−２
−シクロヘキシル−１，３−ジメトキシプロパン、２−
ブチル−２−シクロペンチル−１，３−ジメトキシプロ
パン、２−ブチル−２−（１−デカヒドロナフチル）−
１，３−ジメトキシプロパン、２−ブチル−２−フェニ
ル−１，３−ジメトキシプロパン、２−ブチル−２−ク
ミル−１，３−ジメトキシプロパン、２−イソブチル−
２−ｓ−ブチル−１，３−ジメトキシプロパン、２−イ
ソブチル−２−イソペンチル−１，３−ジメトキシプロ
パン、２−イソブチル−２−シクロヘキシル−１，３−
ジメトキシプロパン、２−イソブチル−２−シクロペン
チル−１，３−ジメトキシプロパン、２−イソブチル−
２−（１−デカヒドロナフチル）−１，３−ジメトキシ
プロパン、２−イソブチル−２−フェニル−１，３−ジ
メトキシプロパン、２−イソブチル−２−クミル−１，
３−ジメトキシプロパン、２−（ｓ−ブチル）−２−イ
ソペンチル−１，３−ジメトキシプロパン、２−（ｓ−
ブチル）−２−シクロヘキシル−１，３−ジメトキシプ
ロパン、２−（ｓ−ブチル）−２−シクロペンチル−
１，３−ジメトキシプロパン、２−（ｓ−ブチル）−２
−（１−デカヒドロナフチル）−１，３−ジメトキシプ
ロパン、２−（ｓ−ブチル）−２−フェニル−１，３−
ジメトキシプロパン、２−（ｓ−ブチル）−２−クミル
−１，３−ジメトキシプロパン、２−イソペンチル−２
−シクロヘキシル−１，３−ジメトキシプロパン、２−
イソペンチル−２−シクロペンチル−１，３−ジメトキ
シプロパン、２−イソペンチル−２−（１−デカヒドロ
ナフチル）−１，３−ジメトキシプロパン、２−イソペ
ンチル−２−フェニル−１，３−ジメトキシプロパン、
２−イソペンチル−２−クミル−１，３−ジメトキシプ
ロパン等が挙げられる。これらの電子供与性化合物はそ
れぞれ単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて
用いてもよい。
V）で表されるジエーテル化合物の場合、具体例とし
て、２−（２−エチルヘキシル）−１，３−ジメトキシ
プロパン、２−イソプロピル−１，３−ジメトキシプロ
パン、２−ブチル−１，３−ジメトキシプロパン、２−
ｓ−ブチル−１，３−ジメトキシプロパン、２−イソペ
ンチル−１，３−ジメトキシプロパン、２−シクロヘキ
シル−１，３−ジメトキシプロパン、２−シクロペンチ
ル−１，３−ジメトキシプロパン、２−（１−デカヒド
ロナフチル）−１，３−ジメトキシプロパン、２−フェ
ニル−１，３−ジメトキシプロパン、２−クミル−１，
３−ジメトキシプロパン、２，２−ジ（２−エチルヘキ
シル）−１，３−ジメトキシプロパン、２，２−ジイソ
プロピル−１，３−ジメトキシプロパン、２，２−ジブ
チル−１，３−ジメトキシプロパン、２，２−ジイソブ
チル−１，３−ジメトキシプロパン、２，２−ジ（ｓ−
ブチル）−１，３−ジメトキシプロパン、２，２−ジイ
ソペンチル−１，３−ジメトキシプロパン、２，２−ジ
シクロヘキシル−１，３−ジメトキシプロパン、２，２
−ジシクロペンチル−１，３−ジメトキシプロパン、
２，２−ジ（１−デカヒドロナフチル）−１，３−ジメ
トキシプロパン、２，２−ジフェニル−１，３−ジメト
キシプロパン、２，２−ジクミル−１，３−ジメトキシ
プロパン、９，９−ジメトキシメチルフルオレン、２−
イソプロピル−２−（２−エチルヘキシル）−１，３−
ジメトキシプロパン、２−イソプロピル−２−ブチル−
１，３−ジメトキシプロパン、２−イソプロピル−２−
イソブチル−１，３−ジメトキシプロパン、２−イソプ
ロピル−２−ｓ−ブチル−１，３−ジメトキシプロパ
ン、２−イソプロピル−２−イソペンチル−１，３−ジ
メトキシプロパン、２−イソプロピル−２−シクロヘキ
シル−１，３−ジメトキシプロパン、２−イソプロピル
−２−シクロペンチル−１，３−ジメトキシプロパン、
２−イソプロピル−２−（１−デカヒドロナフチル）−
１，３−ジメトキシプロパン、２−イソプロピル−２−
フェニル−１，３−ジメトキシプロパン、２−イソプロ
ピル−２−クミル−１，３−ジメトキシプロパン、２−
ブチル−２−（２−エチルヘキシル）−１，３−ジメト
キシプロパン、２−ブチル−２−イソブチル−１，３−
ジメトキシプロパン、２−ブチル−２−ｓ−ブチル−
１，３−ジメトキシプロパン、２−ブチル−２−イソペ
ンチル−１，３−ジメトキシプロパン、２−ブチル−２
−シクロヘキシル−１，３−ジメトキシプロパン、２−
ブチル−２−シクロペンチル−１，３−ジメトキシプロ
パン、２−ブチル−２−（１−デカヒドロナフチル）−
１，３−ジメトキシプロパン、２−ブチル−２−フェニ
ル−１，３−ジメトキシプロパン、２−ブチル−２−ク
ミル−１，３−ジメトキシプロパン、２−イソブチル−
２−ｓ−ブチル−１，３−ジメトキシプロパン、２−イ
ソブチル−２−イソペンチル−１，３−ジメトキシプロ
パン、２−イソブチル−２−シクロヘキシル−１，３−
ジメトキシプロパン、２−イソブチル−２−シクロペン
チル−１，３−ジメトキシプロパン、２−イソブチル−
２−（１−デカヒドロナフチル）−１，３−ジメトキシ
プロパン、２−イソブチル−２−フェニル−１，３−ジ
メトキシプロパン、２−イソブチル−２−クミル−１，
３−ジメトキシプロパン、２−（ｓ−ブチル）−２−イ
ソペンチル−１，３−ジメトキシプロパン、２−（ｓ−
ブチル）−２−シクロヘキシル−１，３−ジメトキシプ
ロパン、２−（ｓ−ブチル）−２−シクロペンチル−
１，３−ジメトキシプロパン、２−（ｓ−ブチル）−２
−（１−デカヒドロナフチル）−１，３−ジメトキシプ
ロパン、２−（ｓ−ブチル）−２−フェニル−１，３−
ジメトキシプロパン、２−（ｓ−ブチル）−２−クミル
−１，３−ジメトキシプロパン、２−イソペンチル−２
−シクロヘキシル−１，３−ジメトキシプロパン、２−
イソペンチル−２−シクロペンチル−１，３−ジメトキ
シプロパン、２−イソペンチル−２−（１−デカヒドロ
ナフチル）−１，３−ジメトキシプロパン、２−イソペ
ンチル−２−フェニル−１，３−ジメトキシプロパン、
２−イソペンチル−２−クミル−１，３−ジメトキシプ
ロパン等が挙げられる。これらの電子供与性化合物はそ
れぞれ単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて
用いてもよい。
【００３９】２．固体触媒成分の調製
固体触媒成分（Ａ）の調製は、特に制限はないが、上記
の（ａ）チタン化合物、（ｂ）マグネシウム化合物、
（ｃ）電子供与性化合物、及び必要に応じて（ｄ）四塩
化ケイ素等のハロゲン化物を通常の方法で接触させれば
よい。
の（ａ）チタン化合物、（ｂ）マグネシウム化合物、
（ｃ）電子供与性化合物、及び必要に応じて（ｄ）四塩
化ケイ素等のハロゲン化物を通常の方法で接触させれば
よい。
【００４０】公知の方法には、特開昭５３−４３０９４
号公報、特開昭５５−１３５１０２号公報、特開昭５５
−１３５１０３号公報、特開昭５６−１８６０６号公報
記載の方法等が挙げられる。例えば、（１）マグネシウ
ム化合物（ｂ）又はマグネシウム化合物（ｂ）と電子供
与性化合物（ｃ）との錯化合物を、電子供与性化合物
（ｃ）及び所望に応じて用いられる粉砕助剤等の存在下
に粉砕して、チタン化合物（ａ）と反応させる方法、
（２）還元能を有しないマグネシウム化合物（ｂ）の液
状物と液状チタン化合物（ａ）とを、電子供与性化合物
（ｃ）の存在下において反応させて、固体状のチタン複
合体を析出させる方法、（３）前記（１）又は（２）で
得られたものにチタン化合物（ａ）を反応させる方法、
（４）前記（１）又は（２）で得られたものに、さら
に、電子供与性化合物（ｃ）及びチタン化合物（ａ）を
反応させる方法、（５）マグネシウム化合物（ｂ）又は
マグネシウム化合物（ｂ）と電子供与性化合物（ｃ）と
の錯化合物を、電子供与性化合物（ｃ）、チタン化合物
（ａ）及び所望に応じて用いられる粉砕助剤等の存在下
で粉砕したのち、ハロゲン又はハロゲン化合物（ｄ）で
処理する方法等によって調製することができる。
号公報、特開昭５５−１３５１０２号公報、特開昭５５
−１３５１０３号公報、特開昭５６−１８６０６号公報
記載の方法等が挙げられる。例えば、（１）マグネシウ
ム化合物（ｂ）又はマグネシウム化合物（ｂ）と電子供
与性化合物（ｃ）との錯化合物を、電子供与性化合物
（ｃ）及び所望に応じて用いられる粉砕助剤等の存在下
に粉砕して、チタン化合物（ａ）と反応させる方法、
（２）還元能を有しないマグネシウム化合物（ｂ）の液
状物と液状チタン化合物（ａ）とを、電子供与性化合物
（ｃ）の存在下において反応させて、固体状のチタン複
合体を析出させる方法、（３）前記（１）又は（２）で
得られたものにチタン化合物（ａ）を反応させる方法、
（４）前記（１）又は（２）で得られたものに、さら
に、電子供与性化合物（ｃ）及びチタン化合物（ａ）を
反応させる方法、（５）マグネシウム化合物（ｂ）又は
マグネシウム化合物（ｂ）と電子供与性化合物（ｃ）と
の錯化合物を、電子供与性化合物（ｃ）、チタン化合物
（ａ）及び所望に応じて用いられる粉砕助剤等の存在下
で粉砕したのち、ハロゲン又はハロゲン化合物（ｄ）で
処理する方法等によって調製することができる。
【００４１】さらには、これらの方法以外に、特開昭５
６−１６６２０５号公報、特開昭５７−６３３０９号公
報、特開昭５７−１９０００４号公報、特開昭５７−３
００４０７号公報、特開昭５８−４７００３号公報記載
の方法等によっても、固体触媒成分（Ａ）を調製するこ
とができる。
６−１６６２０５号公報、特開昭５７−６３３０９号公
報、特開昭５７−１９０００４号公報、特開昭５７−３
００４０７号公報、特開昭５８−４７００３号公報記載
の方法等によっても、固体触媒成分（Ａ）を調製するこ
とができる。
【００４２】また、周期律表II〜IV族に属する元素の酸
化物、例えば、酸化ケイ素、酸化マグネシウム等の酸化
物又は周期律表II〜IV族に属する元素の酸化物の少なく
とも１種を含む複合酸化物、例えば、シリカアルミナ等
にマグネシウム化合物（ｂ）を担持させた固形物と電子
供与性化合物（ｃ）とチタン化合物（ａ）とを、溶媒中
で、０〜２００℃、好ましくは１０〜１５０℃の範囲の
温度にて２分〜２４時間接触させることにより、固体触
媒成分（Ａ）を調製することができる。
化物、例えば、酸化ケイ素、酸化マグネシウム等の酸化
物又は周期律表II〜IV族に属する元素の酸化物の少なく
とも１種を含む複合酸化物、例えば、シリカアルミナ等
にマグネシウム化合物（ｂ）を担持させた固形物と電子
供与性化合物（ｃ）とチタン化合物（ａ）とを、溶媒中
で、０〜２００℃、好ましくは１０〜１５０℃の範囲の
温度にて２分〜２４時間接触させることにより、固体触
媒成分（Ａ）を調製することができる。
【００４３】チタン化合物（ａ）の使用量は、マグネシ
ウム化合物（ｂ）のマグネシウム１モルに対して、通
常、０．５〜１００モル、好ましくは、１〜５０モルの
範囲にするとよい。また、電子供与性化合物（ｃ）の使
用量は、マグネシウム化合物（ｂ）のマグネシウム１モ
ルに対して、通常、０．０１〜１０モル、好ましくは、
０．０５〜０．１５モルの範囲にするとよい。さらに、
ハロゲン化物（ｄ）として四塩化ケイ素を添加してもよ
い。
ウム化合物（ｂ）のマグネシウム１モルに対して、通
常、０．５〜１００モル、好ましくは、１〜５０モルの
範囲にするとよい。また、電子供与性化合物（ｃ）の使
用量は、マグネシウム化合物（ｂ）のマグネシウム１モ
ルに対して、通常、０．０１〜１０モル、好ましくは、
０．０５〜０．１５モルの範囲にするとよい。さらに、
ハロゲン化物（ｄ）として四塩化ケイ素を添加してもよ
い。
【００４４】これらの接触温度は、通常、−２０〜２０
０℃、好ましくは、２０〜１５０℃の範囲にするとよ
く、接触時間は、通常、１分〜２４時間、好ましくは、
１０分〜６時間の範囲にするとよい。
０℃、好ましくは、２０〜１５０℃の範囲にするとよ
く、接触時間は、通常、１分〜２４時間、好ましくは、
１０分〜６時間の範囲にするとよい。
【００４５】また、これらの接触手順については特に問
わない。例えば、各成分を炭化水素等の不活性溶媒の存
在下で接触させてもよいし、予め炭化水素等の不活性溶
媒で各成分を希釈して接触させてもよい。この不活性溶
媒としては、例えば、ｎ−ペンタン，イソペンタン，ｎ
−ヘキサン，ｎ−ヘプタン，ｎ−オクタン，イソオクタ
ン等の脂肪族炭化水素；ベンゼン，トルエン，キシレン
等の芳香族炭化水素又はこれらの混合物を挙げることが
できる。
わない。例えば、各成分を炭化水素等の不活性溶媒の存
在下で接触させてもよいし、予め炭化水素等の不活性溶
媒で各成分を希釈して接触させてもよい。この不活性溶
媒としては、例えば、ｎ−ペンタン，イソペンタン，ｎ
−ヘキサン，ｎ−ヘプタン，ｎ−オクタン，イソオクタ
ン等の脂肪族炭化水素；ベンゼン，トルエン，キシレン
等の芳香族炭化水素又はこれらの混合物を挙げることが
できる。
【００４６】尚、固体触媒成分（Ａ）の調製時には、チ
タン化合物（ａ）の接触を２回以上行い、触媒担体とし
ての役割をするマグネシウム化合物（ｂ）に十分担持さ
せるとよい。
タン化合物（ａ）の接触を２回以上行い、触媒担体とし
ての役割をするマグネシウム化合物（ｂ）に十分担持さ
せるとよい。
【００４７】以上の接触で得られた固体触媒成分（Ａ）
は、炭化水素等の不活性溶媒で洗浄してもよい。この不
活性溶媒は、上記と同じでよい。また、この固体触媒成
分（Ａ）は、乾燥状態又は炭化水素等の不活性溶媒中で
保存することもできる。
は、炭化水素等の不活性溶媒で洗浄してもよい。この不
活性溶媒は、上記と同じでよい。また、この固体触媒成
分（Ａ）は、乾燥状態又は炭化水素等の不活性溶媒中で
保存することもできる。
【００４８】３．重合
本発明のオレフィン重合用触媒の各成分の使用量につい
ては、特に制限はないが、固体触媒成分（Ａ）は、チタ
ン原子に換算して、反応容積１リットル当たり、通常
０．０００５〜１ミリモルの範囲になるような量が用い
られる。
ては、特に制限はないが、固体触媒成分（Ａ）は、チタ
ン原子に換算して、反応容積１リットル当たり、通常
０．０００５〜１ミリモルの範囲になるような量が用い
られる。
【００４９】また、遷移金属化合物（Ｂ）は、（Ｂ）／
（Ａ）（チタン原子換算）（モル比）が、通常０．０１
〜１００、好ましくは０．２〜２０の範囲になるような
量が用いられる。このモル比が前記範囲を逸脱すると十
分な触媒活性が得られないことがある。
（Ａ）（チタン原子換算）（モル比）が、通常０．０１
〜１００、好ましくは０．２〜２０の範囲になるような
量が用いられる。このモル比が前記範囲を逸脱すると十
分な触媒活性が得られないことがある。
【００５０】また、有機金属化合物（Ｃ）は、（Ｃ）
（金属原子換算）／（Ａ）（チタン原子換算）（モル
比）が、通常１〜１０００、好ましくは１０〜５００の
範囲になるような量が用いられる。このモル比が前記範
囲を逸脱すると触媒活性が不十分となることがある。
（金属原子換算）／（Ａ）（チタン原子換算）（モル
比）が、通常１〜１０００、好ましくは１０〜５００の
範囲になるような量が用いられる。このモル比が前記範
囲を逸脱すると触媒活性が不十分となることがある。
【００５１】また、電子供与性化合物（Ｄ）は、（Ｄ）
／（Ｃ）（モル比）が、通常０．０２〜２．０、好まし
くは０．０５〜１．０の範囲になるような量が用いられ
る。このモル比が前記範囲を逸脱すると十分な触媒活性
が得られないことがある。
／（Ｃ）（モル比）が、通常０．０２〜２．０、好まし
くは０．０５〜１．０の範囲になるような量が用いられ
る。このモル比が前記範囲を逸脱すると十分な触媒活性
が得られないことがある。
【００５２】本発明に用いられるオレフィンとしては、
特に制限はないが、例えば、下記一般式（VII）で表さ
れるα−オレフインが好ましい。 Ｒ11−ＣＨ＝ＣＨ2 ・・・（VII）
特に制限はないが、例えば、下記一般式（VII）で表さ
れるα−オレフインが好ましい。 Ｒ11−ＣＨ＝ＣＨ2 ・・・（VII）
【００５３】上記一般式（VII）において、Ｒ11は水素
原子又は炭化水素基であって、炭化水素基は飽和基や不
飽和基であってもよいし、直鎖状のものや分枝鎖を有す
るもの、あるいは環状のものであってもよい。具体的に
はエチレン、プロピレン、１−ブテン、１−ペンテン、
１−ヘキセン、１−ヘプテン、１−オクテン、１−デセ
ン、３−メチル−１−ペンテン、４−メチル−１−ペン
テン、ビニルシクロヘキサン等を挙げることができる。
これらのオレフィンは１種用いてもよいし、２種以上を
組み合わせて用いてもよい。上記オレフィンの中で、特
にプロピレンが好適である。また、プロピレン単独重合
でもよいし、エチレン、１−ブテン、１−ヘキセン等の
α−オレフィンと共重合してもよい。さらに、ブタジエ
ン等のジエン類、その他各種オレフィン類も用いること
ができる。
原子又は炭化水素基であって、炭化水素基は飽和基や不
飽和基であってもよいし、直鎖状のものや分枝鎖を有す
るもの、あるいは環状のものであってもよい。具体的に
はエチレン、プロピレン、１−ブテン、１−ペンテン、
１−ヘキセン、１−ヘプテン、１−オクテン、１−デセ
ン、３−メチル−１−ペンテン、４−メチル−１−ペン
テン、ビニルシクロヘキサン等を挙げることができる。
これらのオレフィンは１種用いてもよいし、２種以上を
組み合わせて用いてもよい。上記オレフィンの中で、特
にプロピレンが好適である。また、プロピレン単独重合
でもよいし、エチレン、１−ブテン、１−ヘキセン等の
α−オレフィンと共重合してもよい。さらに、ブタジエ
ン等のジエン類、その他各種オレフィン類も用いること
ができる。
【００５４】本発明におけるオレフィンの重合において
は、所望に応じ、先ずオレフィンの予備重合を行ったの
ち、本重合を行ってもよい。この場合、固体触媒成分
（Ａ）、遷移金属化合物（Ｂ）、有機金属化合物
（Ｃ）、及び電子供与性化合物（Ｄ）を、それぞれ所定
の割合で混合してなる触媒の存在下に、オレフィンを通
常１〜１００℃の範囲の温度において、常圧ないし５０
ｋｇ／ｃｍ2Ｇ程度の圧力で予備重合させ、次いで触媒
と予備重合生成物との存在下に、オレフィンを本重合さ
せるか又は、固体触媒成分（Ａ）、有機金属化合物
（Ｃ）及び電子供与性化合物（Ｄ）を、それぞれ所定の
割合で混合してなる触媒の存在下に、オレフィンを通常
１〜１００℃の範囲の温度において、常圧ないし５０ｋ
ｇ／ｃｍ2Ｇ程度の圧力で予備重合させ、次いで遷移金
属化合物（Ｂ）を含む上記触媒と予備重合生成物との存
在下に、オレフィンを本重合させる。
は、所望に応じ、先ずオレフィンの予備重合を行ったの
ち、本重合を行ってもよい。この場合、固体触媒成分
（Ａ）、遷移金属化合物（Ｂ）、有機金属化合物
（Ｃ）、及び電子供与性化合物（Ｄ）を、それぞれ所定
の割合で混合してなる触媒の存在下に、オレフィンを通
常１〜１００℃の範囲の温度において、常圧ないし５０
ｋｇ／ｃｍ2Ｇ程度の圧力で予備重合させ、次いで触媒
と予備重合生成物との存在下に、オレフィンを本重合さ
せるか又は、固体触媒成分（Ａ）、有機金属化合物
（Ｃ）及び電子供与性化合物（Ｄ）を、それぞれ所定の
割合で混合してなる触媒の存在下に、オレフィンを通常
１〜１００℃の範囲の温度において、常圧ないし５０ｋ
ｇ／ｃｍ2Ｇ程度の圧力で予備重合させ、次いで遷移金
属化合物（Ｂ）を含む上記触媒と予備重合生成物との存
在下に、オレフィンを本重合させる。
【００５５】本重合における重合形式については特に制
限はなく、溶液重合、スラリー重合、気相重合、バルク
重合等のいずれにも適用可能であり、特にスラリー重合
が好ましい。さらに、回分式重合や連続重合のどちらに
も適用可能であり、異なる条件での２段階重合や２段目
にエチレン、１−ブテン、１−ヘキセン等のα−オレフ
ィンを用いてブロック重合を行ってもよい。さらに、多
段重合にも適用可能である。
限はなく、溶液重合、スラリー重合、気相重合、バルク
重合等のいずれにも適用可能であり、特にスラリー重合
が好ましい。さらに、回分式重合や連続重合のどちらに
も適用可能であり、異なる条件での２段階重合や２段目
にエチレン、１−ブテン、１−ヘキセン等のα−オレフ
ィンを用いてブロック重合を行ってもよい。さらに、多
段重合にも適用可能である。
【００５６】さらに、反応条件については、その重合圧
は、特に制限はなく、通常、大気圧〜８０ｋｇ／ｃｍ2
Ｇ、好ましくは２〜５０ｋｇ／ｃｍ2Ｇ、重合温度は、
通常、２０〜９０℃、好ましくは、４０〜９０℃の範囲
で適宜選ばれる。重合時間は原料のオレフィンの種類や
重合温度によるが、通常、５分〜２０時間、好ましく
は、１０分〜１０時間程度である。分子量は、連鎖移動
剤の添加、好ましくは水素やジアルキル亜鉛化合物の添
加を行うことで調節することができる。また、窒素等の
不活性ガスを存在させてもよい。
は、特に制限はなく、通常、大気圧〜８０ｋｇ／ｃｍ2
Ｇ、好ましくは２〜５０ｋｇ／ｃｍ2Ｇ、重合温度は、
通常、２０〜９０℃、好ましくは、４０〜９０℃の範囲
で適宜選ばれる。重合時間は原料のオレフィンの種類や
重合温度によるが、通常、５分〜２０時間、好ましく
は、１０分〜１０時間程度である。分子量は、連鎖移動
剤の添加、好ましくは水素やジアルキル亜鉛化合物の添
加を行うことで調節することができる。また、窒素等の
不活性ガスを存在させてもよい。
【００５７】また、本発明における触媒成分について
は、固体触媒成分（Ａ）、遷移金属化合物（Ｂ）、有機
金属化合物（Ｃ）、及び電子供与性化合物（Ｄ）を所定
の割合で混合し、接触させた後、ただちにオレフィンを
導入して重合を行ってもよいし、（Ａ）〜（Ｄ）の接触
物を０．２〜３時間程度熟成させたのち、オレフィンを
導入して重合を行ってもよい。また、遷移金属化合物
（Ｂ）、有機金属化合物（Ｃ）、及び電子供与性化合物
（Ｄ）を予め接触後、直ちに固体触媒成分（Ａ）を接触
させてオレフィンを導入し、重合を行ってもよいし、
（Ｂ）〜（Ｄ）の接触物を０．２〜３時間程度熟成させ
たのち、固体触媒成分（Ａ）を接触させてオレフィンを
導入し、重合を行ってもよいし、遷移金属化合物
（Ｂ）、有機金属化合物（Ｃ）、及び電子供与性化合物
（Ｄ）とオレフィンを予め接触後、固体触媒成分（Ａ）
を接触させて重合を行ってもよい。さらに、この各触媒
成分は不活性溶媒やオレフィン等に懸濁して供給するこ
とができる。
は、固体触媒成分（Ａ）、遷移金属化合物（Ｂ）、有機
金属化合物（Ｃ）、及び電子供与性化合物（Ｄ）を所定
の割合で混合し、接触させた後、ただちにオレフィンを
導入して重合を行ってもよいし、（Ａ）〜（Ｄ）の接触
物を０．２〜３時間程度熟成させたのち、オレフィンを
導入して重合を行ってもよい。また、遷移金属化合物
（Ｂ）、有機金属化合物（Ｃ）、及び電子供与性化合物
（Ｄ）を予め接触後、直ちに固体触媒成分（Ａ）を接触
させてオレフィンを導入し、重合を行ってもよいし、
（Ｂ）〜（Ｄ）の接触物を０．２〜３時間程度熟成させ
たのち、固体触媒成分（Ａ）を接触させてオレフィンを
導入し、重合を行ってもよいし、遷移金属化合物
（Ｂ）、有機金属化合物（Ｃ）、及び電子供与性化合物
（Ｄ）とオレフィンを予め接触後、固体触媒成分（Ａ）
を接触させて重合を行ってもよい。さらに、この各触媒
成分は不活性溶媒やオレフィン等に懸濁して供給するこ
とができる。
【００５８】本発明においては、重合後の後処理は常法
により行うことができる。即ち、気相重合法において
は、重合後、重合器から導出されるポリマー粉体に、そ
の中に含まれるオレフィン等を除くために、窒素気流等
を通過させてもよいし、また、所望に応じて押出機によ
りペレット化してもよく、その際、触媒を完全に失活さ
せるために、少量の水、アルコール等を添加することも
できる。また、バルク重合法においては、重合後、重合
器から導出されるポリマーから完全にモノマーを分離し
たのち、ペレット化することができる。
により行うことができる。即ち、気相重合法において
は、重合後、重合器から導出されるポリマー粉体に、そ
の中に含まれるオレフィン等を除くために、窒素気流等
を通過させてもよいし、また、所望に応じて押出機によ
りペレット化してもよく、その際、触媒を完全に失活さ
せるために、少量の水、アルコール等を添加することも
できる。また、バルク重合法においては、重合後、重合
器から導出されるポリマーから完全にモノマーを分離し
たのち、ペレット化することができる。
【００５９】
【実施例】次に、実施例により本発明を具体的に示す
が、本発明は下記の実施例に限定されるものではない。
尚、メルトインデックス（ＭＩ）、及び沸騰ヘプタン不
溶部量（Ｉ．Ｉ）は次のようにして求めた。 （１）ＭＩ：ＪＩＳ Ｋ−７２１０に準拠した。測定条
件は条件１４（試験荷重：２．１６ｋｇｆ、試験温度２
３０℃）を用いた。 （２）Ｉ．Ｉ：予め精秤した円筒ろ紙に、５グラムのポ
リマーを量りとり、１４０ミリリットルの沸騰ヘプタン
還流下に６時間ソックスレー抽出を行った。降温後、円
筒ろ紙を取出し、７０℃の乾燥窒素気流下で、１２時間
乾燥して残ったポリマーを量った。この円筒ろ紙に残っ
たポリマーの重量％をＩ．Ｉ（％）とした。
が、本発明は下記の実施例に限定されるものではない。
尚、メルトインデックス（ＭＩ）、及び沸騰ヘプタン不
溶部量（Ｉ．Ｉ）は次のようにして求めた。 （１）ＭＩ：ＪＩＳ Ｋ−７２１０に準拠した。測定条
件は条件１４（試験荷重：２．１６ｋｇｆ、試験温度２
３０℃）を用いた。 （２）Ｉ．Ｉ：予め精秤した円筒ろ紙に、５グラムのポ
リマーを量りとり、１４０ミリリットルの沸騰ヘプタン
還流下に６時間ソックスレー抽出を行った。降温後、円
筒ろ紙を取出し、７０℃の乾燥窒素気流下で、１２時間
乾燥して残ったポリマーを量った。この円筒ろ紙に残っ
たポリマーの重量％をＩ．Ｉ（％）とした。
【００６０】〔実施例１〕
（１）固体触媒成分の調製
窒素で置換した内容積５リットルの攪拌器付三つ口フラ
スコにジエトキシマグネシウム１６０ｇ（１．４モル）
を投入し、さらに脱水処理したヘプタンを５００ミリリ
ットル加えた。４０℃に加熱し四塩化ケイ素２８．５ミ
リリットル（２２５ミリモル）を加え、２０分間攪拌
し、フタル酸ジエチルを１２７ミリモル加えた。溶液を
８０℃まで昇温し、引き続き四塩化チタンを滴下ロート
を用いて４６１ミリリットル（４．２モル）滴下した。
内温を１１０℃とし、２時間攪拌して担持操作とした。
その後、脱水ヘプタンを用いて十分洗浄を行った。さら
に四塩化チタンを７６８ミリリットル（７モル）加え、
内温を１１０℃とし、２時間攪拌して２回目の担持操作
とした。その後、脱水ヘプタンを用いて十分洗浄を行い
固体触媒成分を得た。
スコにジエトキシマグネシウム１６０ｇ（１．４モル）
を投入し、さらに脱水処理したヘプタンを５００ミリリ
ットル加えた。４０℃に加熱し四塩化ケイ素２８．５ミ
リリットル（２２５ミリモル）を加え、２０分間攪拌
し、フタル酸ジエチルを１２７ミリモル加えた。溶液を
８０℃まで昇温し、引き続き四塩化チタンを滴下ロート
を用いて４６１ミリリットル（４．２モル）滴下した。
内温を１１０℃とし、２時間攪拌して担持操作とした。
その後、脱水ヘプタンを用いて十分洗浄を行った。さら
に四塩化チタンを７６８ミリリットル（７モル）加え、
内温を１１０℃とし、２時間攪拌して２回目の担持操作
とした。その後、脱水ヘプタンを用いて十分洗浄を行い
固体触媒成分を得た。
【００６１】（２）固体触媒成分の予備重合
窒素で置換した内容積１リットルの攪拌機付きの三つ口
フラスコに上記の固体状チタン触媒成分６０グラム（３
７．６ミリモル−Ｔｉ）を含むヘプタンスラリーを投入
し、さらに脱水したヘプタンを加えて、全量を５００ミ
リリットルとした。これを４０℃に制御しながら攪拌
し、トリエチルアルミニウム２４．８ミリモル、シクロ
ヘキシルジメトキシシラン６．２ミリモルを加えた。４
０℃のまま、１２０分間プロピレンを所定量吸収させ、
残留プロピレンを窒素で置換して、ヘプタンを用いて充
分洗浄を行い、予備重合固体触媒成分を８５グラム得た
（シール量：０．４３グラム−ＰＰ／グラム固体状Ｔｉ
触媒成分）。
フラスコに上記の固体状チタン触媒成分６０グラム（３
７．６ミリモル−Ｔｉ）を含むヘプタンスラリーを投入
し、さらに脱水したヘプタンを加えて、全量を５００ミ
リリットルとした。これを４０℃に制御しながら攪拌
し、トリエチルアルミニウム２４．８ミリモル、シクロ
ヘキシルジメトキシシラン６．２ミリモルを加えた。４
０℃のまま、１２０分間プロピレンを所定量吸収させ、
残留プロピレンを窒素で置換して、ヘプタンを用いて充
分洗浄を行い、予備重合固体触媒成分を８５グラム得た
（シール量：０．４３グラム−ＰＰ／グラム固体状Ｔｉ
触媒成分）。
【００６２】（３）プロピレンスラリー重合
内容積１リットルの攪拌機付ステンレス製オートクレー
ブを十分乾燥し、窒素置換の後、内部に脱水処理したヘ
プタン４００ミリリットルを加えた。このオートクレー
ブ温度を８０℃に加温し、トリエチルアルミニウム１．
０ミリモル、続いてジシクロペンチルジメトキシシラン
０．１ミリモル及びオクタヒドロフルオレニルチタニウ
ムトリメトキサイド０．０５ミリモルを加え、ついで、
水素１．０ｋｇ／ｃｍ２ Ｇ、続いてプロピレンを導入
し、全圧を８．０ｋｇ／ｃｍ２ Ｇとした。ＳＵＳ製投
入管に（２）で調製した予備重合固体触媒成分をＴｉ当
たりで０．００５ミリモル加え、投入管よりオートクレ
ーブへ添加して重合を開始し、温度８０℃で１時間、重
合を実施した。その後、降温、脱圧して内容物を取り出
し、２リットルのメタノールに投入の後、固体をろ取
し、７０℃の乾燥窒素気流下に１２時間乾燥を行い、ポ
リプロピレンを４０．２ｇ得た。このとき、固体触媒当
りの活性は１６８ｋｇ−ＰＰ／ｇ−Ｔｉであった。ま
た、得られたポリプロピレンのＭＩは５．７ｇ／１０ｍ
ｉｎ、Ｉ．Ｉは９７．１％であり、規則性が高く高分子
量であった。
ブを十分乾燥し、窒素置換の後、内部に脱水処理したヘ
プタン４００ミリリットルを加えた。このオートクレー
ブ温度を８０℃に加温し、トリエチルアルミニウム１．
０ミリモル、続いてジシクロペンチルジメトキシシラン
０．１ミリモル及びオクタヒドロフルオレニルチタニウ
ムトリメトキサイド０．０５ミリモルを加え、ついで、
水素１．０ｋｇ／ｃｍ２ Ｇ、続いてプロピレンを導入
し、全圧を８．０ｋｇ／ｃｍ２ Ｇとした。ＳＵＳ製投
入管に（２）で調製した予備重合固体触媒成分をＴｉ当
たりで０．００５ミリモル加え、投入管よりオートクレ
ーブへ添加して重合を開始し、温度８０℃で１時間、重
合を実施した。その後、降温、脱圧して内容物を取り出
し、２リットルのメタノールに投入の後、固体をろ取
し、７０℃の乾燥窒素気流下に１２時間乾燥を行い、ポ
リプロピレンを４０．２ｇ得た。このとき、固体触媒当
りの活性は１６８ｋｇ−ＰＰ／ｇ−Ｔｉであった。ま
た、得られたポリプロピレンのＭＩは５．７ｇ／１０ｍ
ｉｎ、Ｉ．Ｉは９７．１％であり、規則性が高く高分子
量であった。
【００６３】〔比較例１〕オクタヒドロフルオレニルチ
タニウムトリメトキサイドを添加しなかった以外は実施
例１と同様にプロピレンの重合を行った。結果を表１に
示す。
タニウムトリメトキサイドを添加しなかった以外は実施
例１と同様にプロピレンの重合を行った。結果を表１に
示す。
【００６４】〔実施例２〕オクタヒドロフルオレニルチ
タニウムトリメトキサイドの投入量を０．０２５ミリモ
ルとした以外は実施例１と同様にプロピレンの重合を行
った。結果を表１に示す。
タニウムトリメトキサイドの投入量を０．０２５ミリモ
ルとした以外は実施例１と同様にプロピレンの重合を行
った。結果を表１に示す。
【００６５】〔実施例３〕水素圧力を２．０ｋｇ／ｃｍ
２ Ｇとした以外は実施例１と同様にプロピレンの重合
を行った。結果を表１に示す。
２ Ｇとした以外は実施例１と同様にプロピレンの重合
を行った。結果を表１に示す。
【００６６】〔比較例２〕水素圧力を２．０ｋｇ／ｃｍ
２ Ｇとした以外は比較例１と同様にプロピレンの重合
を行った。結果を表１に示す。
２ Ｇとした以外は比較例１と同様にプロピレンの重合
を行った。結果を表１に示す。
【００６７】〔実施例４〕ジシクロペンチルジメトキシ
シランの代わりに（２，３−ジメチル−２−ブチル）メ
シチルジメトキシシランを添加した以外は実施例１と同
様にプロピレンの重合を行った。結果を表１に示す。
シランの代わりに（２，３−ジメチル−２−ブチル）メ
シチルジメトキシシランを添加した以外は実施例１と同
様にプロピレンの重合を行った。結果を表１に示す。
【００６８】〔実施例５〕ジシクロペンチルジメトキシ
シランの代わりに（２，３−ジメチル−２−ブチル）ト
リメトキシシランを添加した以外は実施例１と同様にプ
ロピレンの重合を行った。結果を表１に示す。
シランの代わりに（２，３−ジメチル−２−ブチル）ト
リメトキシシランを添加した以外は実施例１と同様にプ
ロピレンの重合を行った。結果を表１に示す。
【００６９】〔実施例６〕
（１）固体触媒成分の調製
窒素で置換した内容積５００ミリリットルの攪拌器付三
つ口フラスコに塩化マグネシウム（無水物）１３．３ｇ
（０．１４モル）、デカン７０ミリリットル及び２−エ
チルヘキシルアルコール６５．５ミリリットル（０．４
２モル）を投入、１３０℃で２時間加熱反応を行い均一
溶液とした。その後、この溶液に無水フタル酸３．１２
ｇ（０．０２１モル）を添加し、１３０℃にてさらに１
時間攪拌混合を行い、無水フタル酸を上記の均一溶液に
溶解させた。このようにして得られた均一溶液を室温ま
で冷却した後、−２０℃に保持された四塩化チタン３７
３ミリリットル（３．３６モル）中に１時間にわたって
全量滴下した。滴下後、得られた均一溶液の温度を４時
間かけて１１０℃に昇温し、１１０℃に達したところで
ジイソブチルフタレート５．３９ミリリットル（０．０
３５モル）を添加し、その後、１１０℃に保ちながら２
時間攪拌した。２時間の反応終了後、熱時濾過にて固体
部を採取し、この固体部を２７５ミリリットルの四塩化
チタンにて再懸濁させた後、再び１１０℃で２時間、加
熱反応を行った。反応終了後、再び熱時濾過にて固体部
を採取し、１１０℃のデカン及びヘキサンを用いて洗浄
した。この洗浄を、洗浄液中にチタン化合物が検出され
なくなるまで行い、固体触媒成分を得た。
つ口フラスコに塩化マグネシウム（無水物）１３．３ｇ
（０．１４モル）、デカン７０ミリリットル及び２−エ
チルヘキシルアルコール６５．５ミリリットル（０．４
２モル）を投入、１３０℃で２時間加熱反応を行い均一
溶液とした。その後、この溶液に無水フタル酸３．１２
ｇ（０．０２１モル）を添加し、１３０℃にてさらに１
時間攪拌混合を行い、無水フタル酸を上記の均一溶液に
溶解させた。このようにして得られた均一溶液を室温ま
で冷却した後、−２０℃に保持された四塩化チタン３７
３ミリリットル（３．３６モル）中に１時間にわたって
全量滴下した。滴下後、得られた均一溶液の温度を４時
間かけて１１０℃に昇温し、１１０℃に達したところで
ジイソブチルフタレート５．３９ミリリットル（０．０
３５モル）を添加し、その後、１１０℃に保ちながら２
時間攪拌した。２時間の反応終了後、熱時濾過にて固体
部を採取し、この固体部を２７５ミリリットルの四塩化
チタンにて再懸濁させた後、再び１１０℃で２時間、加
熱反応を行った。反応終了後、再び熱時濾過にて固体部
を採取し、１１０℃のデカン及びヘキサンを用いて洗浄
した。この洗浄を、洗浄液中にチタン化合物が検出され
なくなるまで行い、固体触媒成分を得た。
【００７０】（２）固体触媒成分の予備重合
窒素で置換した内容積１リットルの攪拌機付きの三つ口
フラスコに上記の固体状チタン触媒成分３．８グラム
（１．７６ミリモル−Ｔｉ）を含むヘプタンスラリーを
投入し、さらに脱水したヘプタンを加えて、全量を５０
０ミリリットルとした。これを２０℃に制御しながら攪
拌し、トリエチルアルミニウム１７．６ミリモル、ジシ
クロペンチルジメトキシシラン３．５ミリモルを加え
た。２０℃のまま、１２０分間プロピレンを所定量吸収
させ、残留プロピレンを窒素で置換して、ヘプタンを用
いて充分洗浄を行い、予備重合固体触媒成分を１１．７
グラム得た（シール量：２．１グラム−ＰＰ／グラム固
体状Ｔｉ触媒成分）。
フラスコに上記の固体状チタン触媒成分３．８グラム
（１．７６ミリモル−Ｔｉ）を含むヘプタンスラリーを
投入し、さらに脱水したヘプタンを加えて、全量を５０
０ミリリットルとした。これを２０℃に制御しながら攪
拌し、トリエチルアルミニウム１７．６ミリモル、ジシ
クロペンチルジメトキシシラン３．５ミリモルを加え
た。２０℃のまま、１２０分間プロピレンを所定量吸収
させ、残留プロピレンを窒素で置換して、ヘプタンを用
いて充分洗浄を行い、予備重合固体触媒成分を１１．７
グラム得た（シール量：２．１グラム−ＰＰ／グラム固
体状Ｔｉ触媒成分）。
【００７１】（３）プロピレンスラリー重合
オクタヒドロフルオレニルチタニウムトリメトキサイド
の代わりに、ペンタメチルシクロペンタジエニルチタニ
ウムトリメトキサイドを使用し、固体触媒成分として前
記（２）で調製した予備重合固体触媒成分を用いた以外
は、実施例１のプロピレンスラリー重合と同様の方法で
プロピレンの重合を行った。結果を表１に示す。
の代わりに、ペンタメチルシクロペンタジエニルチタニ
ウムトリメトキサイドを使用し、固体触媒成分として前
記（２）で調製した予備重合固体触媒成分を用いた以外
は、実施例１のプロピレンスラリー重合と同様の方法で
プロピレンの重合を行った。結果を表１に示す。
【００７２】〔比較例３〕ペンタメチルシクロペンタジ
エニルチタニウムトリメトキサイドを用いなかったこと
以外は実施例６と同様にプロピレンの重合を行なった。
結果を表１に示す。
エニルチタニウムトリメトキサイドを用いなかったこと
以外は実施例６と同様にプロピレンの重合を行なった。
結果を表１に示す。
【００７３】
【表１】
【００７４】
【発明の効果】本発明によれば、高立体規則性を有する
高分子量のオレフィン重合体を、高い触媒活性で製造で
きるオレフィン重合用触媒及びそれを用いたオレフィン
重合体の製造方法が提供できる。
高分子量のオレフィン重合体を、高い触媒活性で製造で
きるオレフィン重合用触媒及びそれを用いたオレフィン
重合体の製造方法が提供できる。
【図１】本発明のオレフィン重合用触媒及びオレフィン
重合体の製造方法を示す模式図である。
重合体の製造方法を示す模式図である。
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フロントページの続き
Ｆターム(参考） 4J028 AA02A AB02A AC01A AC04A
AC05A AC06A AC07A AC09A
AC22A BA00A BA02B BB01B
BC05B BC06B BC07B BC15B
BC16B BC19B CB22C CB25C
CB27C CB43C CB52C CB53C
CB54C CB62C CB68C CB92C
CB93C EB02 EB04 EB05
EB07 EB08 EB09 EB10 GA12
Claims (5)
- 【請求項１】 （Ａ）（ａ）チタン化合物、（ｂ）マグ
ネシウム化合物、及び（ｃ）電子供与性化合物を反応さ
せて得られる固体触媒成分、（Ｂ）下記一般式（Ｉ）で
表される遷移金属化合物、（Ｃ）下記一般式（II）で表
される有機金属化合物、及び（Ｄ）下記一般式（III）
及び／又は（IV）で表される電子供与性化合物を含むオ
レフィン重合用触媒。 ＬlＭ1Ｘ1 m ・・・（Ｉ） ［一般式（Ｉ）中、Ｍ1は周期律表のIIIＡ〜VIＡ族の遷
移金属を示す。Ｌは、同一でも異なってもよく、η5で
Ｍ1に結合する置換又は未置換のシクロペンタジエニル
基を示す。Ｘ1は、同一でも異なってもよく、水素、炭
素数１〜２０の直鎖、分岐又は環状のアルキル基、炭素
数６〜２０の芳香族基、ハロゲン、ＯＲ1基又はＮＲ2 2
基を示す。Ｒ1及びＲ2は、炭素数１〜２０の直鎖、分岐
又は環状のアルキル基又は炭素数６〜２０の芳香族基を
示し、他の基と結合して環を形成してもよい。Ｒ2は同
一でも異なってもよい。ｌ及びｍは１以上の整数で、ｌ
＋ｍはＭ1の原子価と等しい。］ Ｒ3 nＭ2 ・・・（II） ［一般式（II）中、Ｍ2は周期律表Ｉ〜III（Ａ又はＢ）
族の元素を示す。Ｒ3は、同一でも異なってもよく、水
素、炭素数１〜２０の直鎖、分岐又は環状のアルキル
基、炭素数６〜２０の芳香族基、ハロゲン又はＯＲ4基
を示す。Ｒ4は炭素数１〜２０の直鎖、分岐又は環状の
アルキル基、又は炭素数６〜２０の芳香族基を示す。ｎ
はＭ2の原子価と等しい。］ Ｒ5 pＳｉ(ＯＲ6)4-p ・・・（III） Ｒ5 2Ｃ(ＣＨ2ＯＲ6)2 ・・・（IV） ［一般式（III）又は（IV）中、Ｒ5は、同一でも異なっ
てもよく、水素、炭素数１〜２０の直鎖、分岐又は環状
のアルキル基、炭素数６〜２０の芳香族基、又はＮＲ7 2
基を示す。Ｒ6及びＲ7は、同一でも異なってもよく、炭
素数１〜２０の直鎖、分岐又は環状のアルキル基、又は
炭素数６〜２０の芳香族基を示し、他の基と結合して環
を形成してもよい。ｐは０〜４の整数を示す。］ - 【請求項２】 前記固体触媒成分（Ａ）に含まれる電子
供与性化合物（ｃ）が、エステル基を有する化合物であ
る請求項１に記載のオレフィン重合用触媒。 - 【請求項３】 前記電子供与性化合物（Ｄ）が、アルコ
キシ基を２個以上含むケイ素化合物である請求項１又は
２に記載のオレフィン重合用触媒。 - 【請求項４】 前記遷移金属化合物（Ｂ）が、アルコキ
シ基を少なくとも１個含む遷移金属化合物である請求項
１〜３のいずれか一項に記載のオレフィン重合用触媒。 - 【請求項５】 請求項１〜４のいずれか一項に記載のオ
レフィン重合用触媒を用いて、オレフィンを重合又は共
重合するオレフィン重合体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001242614A JP2003048913A (ja) | 2001-08-09 | 2001-08-09 | オレフィン重合用触媒及びそれを用いたオレフィン重合体の製造方法 |
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| JP2001242614A JP2003048913A (ja) | 2001-08-09 | 2001-08-09 | オレフィン重合用触媒及びそれを用いたオレフィン重合体の製造方法 |
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8329306B2 (en) | 2009-03-03 | 2012-12-11 | Fujifilm Corporation | Barrier laminate, gas barrier film, and device using the same |
-
2001
- 2001-08-09 JP JP2001242614A patent/JP2003048913A/ja active Pending
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