JP2003048279A - 高分子シートの製造方法およびこれを用いた高分子シート - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 高度なガス・水蒸気バリア性を持つ光学用高
分子シートを安価に製造できる方法、及びこうして得ら
れた光学用高分子シートを用いた表示素子用基板および
表示装置を提供する。 【解決手段】 少なくとも基材（ａ）とガス・水蒸気バ
リア層と保護層を有する光学用高分子シートにおいて、
２００℃での熱変形量が１％以下の耐熱剥離用基材
（ｂ）上に保護層とガス・水蒸気バリア層または保護層
とガス・水蒸気バリア層と密着層のみを形成した転写フ
ィルムを基材（ａ）にラミネートすることによって成形
されることを特徴とする光学用高分子シートであり、基
材（ａ）にガス・水蒸気バリア層との密着性を高めるた
めの密着層を塗工する事をも含む。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、主として表示装置
に用いられるプラスチック基板に使用可能な光学用高分
子シートに関する。

【０００２】

【従来の技術】液晶表示装置等に用いられるプラスチッ
ク基板では、枚葉シートに蒸着やスパッタリング等の真
空成膜プロセスで、ガス・水蒸気バリア層となる酸化珪
素膜や酸化アルミニウム膜を成膜する方法がよく用いら
れている。これに対し、シートが柔軟で巻き取り可能で
しかもシート厚が０．３ｍｍ程度より薄い場合にはロー
ル・ツー・ロールで蒸着やスパッタリングで同様の成膜
を行う方法も可能であり、特に厚みが０．１ｍｍ以下の
場合にはこのロール・ツー・ロールによる方法が一般的
である。一般にロール・ツー・ロールによる方法は枚葉
シートに成膜する方法より生産性が高い。しかしながら
耐熱性、寸法安定性の優れる基板は一般的にガラスのよ
うに硬く、脆いものが多く、基板シートそのものをロー
ル・ツー・ロールで処理できないものが多いが、成膜コ
スト低下のためには、より生産性を上げることが重要で
ある。

【０００３】特開平８−２３４１８１号公報には、ガス
バリア層と接着層をフィルム上に形成し、これを基材で
あるシートに転写する方法が提案されている。前記公報
に記載の方法を利用し、転写フィルムの厚さを薄くした
場合には、ガス・水蒸気バリア層を薄い転写フィルム上
に成形できるので、ガス・水蒸気バリア層の生産性を向
上することができ、結果として、プラスチック表示素子
用基板の製造コストを下げることが可能となる。しか
し、近年のアクティブ方式の基板のように直接基板上に
半導体素子を形成する場合、基板そのものに２００℃以
上の耐熱性を要求されるが、一般に耐熱性のある樹脂素
材を形成するにはそれに見合った熱処理を施す必要があ
る。すなわち転写フィルムに一般のプラスチックフィル
ムを使用すると高耐熱が要求されるバリア保護層（以下
保護層）の熱処理温度に耐えられず、転写フィルムが
ライン上で伸びきってしまい使用できないといった問題
があった。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、高度なガス
・水蒸気バリア性を持つ光学用高分子シートを安価に製
造できる方法を提供するものであり、こうして得られた
光学用高分子シートを用いた表示素子用基板および表示
装置を提供するものである。

【０００５】

【課題を解決するための手段】すなわち本発明は、少な
くとも基材（ａ）とガス・水蒸気バリア層を有する光学
用高分子シートにおいて、２００℃での熱変形量が１０
％以下の耐熱剥離用基材（ｂ）上に保護層とガス・水蒸
気バリア層または保護層とガス・水蒸気バリア層と密着
層のみを形成した転写フィルムを基材（ａ）にラミネー
トすることによって成形されることを特徴とする光学用
高分子シートであり、基材（ａ）にガス・水蒸気バリア
層との密着性を高めるための密着層を塗工する事をも含
むものである。

【０００６】

【発明の実施の形態】本発明の基材（ａ）に使用される
高分子材料としては、配向膜焼成工程において、約１５
０℃加熱が行われ、また、外部回路との接続のために異
方性導電フィルムと熱圧着させるときも、１５０℃程度
の加熱がさらには半導体素子を形成するためには２００
℃以上の加熱が必要であるため、その材料に関しては、
ガラス転移温度が２００℃以上であることが必要であ
る。ガラス転移温度が２００℃以上の耐熱性樹脂として
は、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリアミドイミ
ド、ポリエーテルスルホン、アクリル樹脂、シアネート
エステル樹脂、環状ポリオレフィン及びそのコポリマー
等が挙げられるが、透過型のＴＦＴ基板として用いるに
は光学特性の優れるアクリル樹脂、ポリエーテルスルホ
ンが特に好ましい。一方反射型基板のＴＦＴ素子を形成
する方には耐熱性、寸法安定性の優れるポリイミド、シ
アネートエステル樹脂が特に好ましい。また、ガラス転
移温度が２００℃を下回らなければ、ポリエステル、ポ
リアミド、ポリカーボネイトなどの他の樹脂や、滑剤、
耐熱安定剤、耐候安定剤、顔料、染料、無機質充填剤な
どを適宜ブレンドしても良い。

【０００７】これらの基材（ａ）の中には、ガス・水蒸
気バリア層との密着性が良いものもあるが、より高い信
頼性を得るためには、基材（ａ）またはガス・水蒸気バ
リア層上に密着層を塗工した後に、転写フィルムをラミ
ネートしても良い。前記密着層は、熱硬化樹脂又は光硬
化樹脂を主成分とする樹脂組成物が好ましく、熱硬化樹
脂の例としては、オルトクレゾールノボラック型エポキ
シ，ビスフェノールＡ型エポキシ，ビスフェノールＦ型
エポキシ，ビスフェノールＳ型エポキシ，ビフェニル型
エポキシ，ジシクロペンタジエン型エポキシ、脂環式エ
ポキシ等のエポキシ樹脂や、フェノール樹脂，ビスマレ
イミド，不飽和ポリエステル等を挙げることができ、ま
た、光硬化樹脂としては、エポキシアクリレート，ウレ
タンアクリレート，ポリエチレングリコールアクリレー
ト，グリセロールメタクリレート等のアクリル樹脂や脂
環式エポキシ樹脂を挙げることができるが、特に限定は
しない。また、これらを同時に用いることも構わない。

【０００８】本発明の転写フィルムは、２００℃での熱
変形量が１０％以下の耐熱剥離用基材（ｂ）上に保護層
とガス・水蒸気バリア層のみを形成したものである。本
発明の耐熱剥離用基材（ｂ）は２００℃での熱変形量が
１０％以下であるが、２００℃での熱変形量とは２００
℃での単位幅あたりの張力が０．１Ｎ／ｃｍのときの伸
び率が１０％以下であることを意味する。保護層は剥離
用基材に塗布、乾燥（硬化）させ連続的にロール・ツー
・ロールで製造されるが、前記耐熱剥離用基材（ｂ）
は、保護層を形成するときの熱処理温度下での張力によ
り伸びてしまうと生産上問題をきたす。一般的に耐熱性
の保護層を形成するためには２００℃以上の処理温度が
必要であるが、このときの張力での変形が１０％以下で
ある必要がある。すなわち２００℃での単位幅あたりの
張力が０．０１Ｎ／ｃｍのときの伸び率が１０％以下で
ある必要がある。真空プロセス１バッチあたりの生産性
を高め、バリアの成膜コストを低下させるために、耐熱
剥離用基材（ｂ）はできるだけ薄い方が望ましく、その
厚さは、０．１ｍｍ以下が望ましい。ただし、厚さが
０．０１ｍｍ未満と著しく薄くなると、製造ライン搬送
中や剥離する際に取り扱いの困難さを生じることがある
ので０．０１ｍｍ以上であることが好ましい。またその
材質としては、銅箔、アルミ箔、ステンレス箔等の金属
箔の他に、ポリイミドシート、ポリエーテルエーテルケ
トンシート、ポリエーテルスルホンシート、ポリエチレ
ンナフタレートシート、ポリエチレンテレフタレートシ
ート等の耐熱性樹脂シートを例として挙げることができ
る。密着層に光硬化樹脂を使用する場合には、硬化に必
要な波長の光を通過させることが可能な材質であること
が望ましく、例えばポリエーテルスルホン，ポリエーテ
ルイミド等を好ましい例として挙げることができる。さ
らに、前記剥離用基材（ｂ）は、ラミネートした後に剥
離することが可能であることが必要で、隣接する保護層
との密着性は低い方が好ましい。場合によっては隣接層
との間に離型剤等の離型層を形成しても良い。

【０００９】本発明の保護層は、ガス・水蒸気バリア層
を保護するもので、ガス・水蒸気バリア層との密着性が
良く、ある程度の表面高度を持つ材質であることが好ま
しい。一例としては、熱硬化樹脂を主成分とする樹脂組
成物が好ましく、熱硬化樹脂の例としては、オルソクレ
ゾールノボラック型エポキシ，ビスフェノールＡ型エポ
キシ，ビスフェノールＦ型エポキシ，ビスフェノールＳ
型エポキシ，ビフェニル型エポキシ，ジシクロペンタジ
エン型エポキシ、脂環式エポキシ等のエポキシ樹脂や、
シアネート樹脂、フェノール樹脂，ビスマレイミド，不
飽和ポリエステル等およびこれらにシリカ等の無機フィ
ラーを含有させたものを挙げることができ、これらにシ
リカ等の無機フィラーを含有させたものを挙げることが
できる。特に脂環式エポキシ、シアネート樹脂は耐熱性
が高く熱処理温度を高くする必要があるので、本発明が
有効である。

【００１０】本発明のガス・水蒸気バリア層は、液晶等
の保護のため又は基板自体の寸歩変化を防ぐためのもの
で、ポリビニルアルコールやポリ（エチレンビニルアル
コール）のような有機材料や酸化珪素，酸化アルミニウ
ム，酸化錫，酸化インジウム錫等の無機材料が挙げられ
るが、これらの中でもガスバリア性の湿度依存性を有し
ない無機材料の薄膜を成膜する事によって得られるもの
が望ましく、成膜方法の例としては、ゾル−ゲル法，真
空蒸着，イオンプレーティング，スパッタリング，ＣＶ
Ｄ等を挙げることができるが、緻密でガスバリア性に優
れる膜が得られやすいとこから真空蒸着，イオンプレー
ティング，スパッタリング，ＣＶＤ等の真空成膜法が好
ましい。

【００１１】本発明の転写フィルムは、基材（ａ）の片
面もしくは両面にラミネートすることができ、片面にラ
ミネートした場合はその裏面に、両面にラミネートした
場合は一面に、場合によってはアンダーコート層を介し
て透明導電層を形成して表示素子用基板が完成する。

【００１２】

【実施例】以下実施例に基づき説明するが、本発明はこ
れらにより何ら制限されるものではない。 （１）基材（ａ）の作製 （基材１：アクリル系）ジシクロペンタジエニルジメタ
クリレート（東亞合成(株)製）１００重量部に、光重合
開始剤として１−ヒドロキシ−シクロヘキシル−フェニ
ル−ケトン（チバスペシャリティケミカル製のイルガキ
ュア１８４）を０．６重量部添加し、溶解させた混合物
をメタクリレート単独基材シート用組成物とした。得ら
れた基材シート用組成物をそれぞれ８０℃のオーブンで
加熱し、ガラス板上に作成した厚み０．４ｍｍの枠内に
注入し、上部よりガラス板をのせ枠内に組成物を充填し
た。得られたガラス板に挟んだ組成物に、両面から約５
００ｍＪ／ｃｍ²のＵＶ光を照射して硬化させ、ガラス
からシートを剥離した。さらにこのシートをステンレス
板上で、約２７５℃、３時間加熱し、基材シート１を得
た。

【００１３】（基材２：シアネートエステル系）ノボラ
ック型シアネート樹脂（ロンザジャパン株式会社製ＰＴ
６０）１００重量部及びフェノールノボラック樹脂（住
友デュレズ製ＰＲ−５１７１４）２重量部をメチルエチ
ルケトンに常温で溶解し、エポキシシランカップリング
剤（日本ユニカー製Ａ−１８７）１重量部、球状溶融シ
リカ（株式会社アドマテックス製ＳＯ−２５Ｒ 平均粒
径０．５μｍ ）１５０部を添加し、高速攪拌機を用い
て１０分攪拌した。調製したワニスをガラスクロス（厚
さ２００μｍ、日東紡績製、ＷＥＡ−７６２８）に含浸
し、１２０℃の加熱炉で２分乾燥してワニス固形分（プ
リプレグ中に樹脂とシリカの占める成分）が約５０％の
プリプレグを得た。このプリプレグを２枚重ね、離型処
理した鏡面のステンレス板を当て板として、圧力４ＭＰ
ａ、温度２２０℃で１時間加熱加圧成形を行い、２５０
℃の乾燥機で窒素雰囲気下１時間後硬化することによっ
て基材シート２を得た。

【００１４】（基材３：ポリイミド系）ｏ−トリジン４
２．４６重量部をＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミド８００
重量部に完全に溶解させた後、ピロメリット酸二無水物
４３．２０重量部を加え、１５℃で２時間攪拌した。得
られたワニスをガラス板上にキャストし、乾燥させた
後、さらに減圧下のオーブン中で１５０℃＊３０分＋２
００℃＊３０分＋２５０℃＊３０分＋３００℃＊３時間
減圧加熱してイミド化させ、厚さ０．４ｍｍの基材シー
ト３を得た。

【００１５】（２）転写フィルムの作製 （転写フィルム１：ポリエーテルスルホン）保護層とし
て、固形分換算で脂環式エポキシ（ダイセル社製：セロ
キサイド２０２１Ｐ）１００重量部に対して硬化剤ビス
フェノールＳ（ダイセル社製：開発名ＥＸ−１（Ｂ））
３重量部、カチオン触媒（ダイセル社製：開発名ＥＸ−
１（Ａ））を０．５重量部、界面活性剤Ｆ−１７７（大
日本インキ社製）を１重量部添加し、２−ブトキシエタ
ノールに溶解させ樹脂溶液を得た。得られた樹脂溶液を
厚さ０．２ｍｍのポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）シー
ト（耐熱剥離用基材（ｂ））上に厚み０．５μｍでグラ
ビアコートさせた。これを１７０℃、３０分−２００
℃、２時間連続的に熱処理（熱硬化）し保護層を形成さ
せ、さらにＳｉＯ2をターゲットとして、反応性スパッ
タリング法により厚さ５００オングストロームのケイ素
酸化物を無機質層として形成して、転写フィルム１を得
た。なお、この時耐熱剥離用基材（ｂ）として用いたＰ
ＥＳシートの２００℃での熱変形量は０．６％であり上
記工程を問題なく通すことができた。

【００１６】（転写フィルム２：ポリエーテルイミド）
耐熱剥離用基材（ｂ）として０．１ｍｍのポリエーテル
イミド（ＰＥＩ）シートを用いる以外は全て転写フィル
ム１と同様の原材料、装置で転写フィルム２を得た。こ
の時耐熱剥離用基材（ｂ）として用いたＰＥＩシートの
２００℃での熱変形量は０．５％であり上記工程を問題
なく通すことができた。

【００１７】（転写フィルム３：ポリイミド）耐熱剥離
用基材（ｂ）として０．１ｍｍのポリイミド（ＰＩ）シ
ート（ユーピレックス５０Ｓ）を用いる以外は全て転写
フィルム１と同様の原材料、装置で転写フィルム２を得
た。この時耐熱剥離用基材（ｂ）として用いたＰＩシー
トの２００℃での熱変形量は０．２％であり上記工程を
問題なく通すことができた。

【００１８】（転写フィルム４：ポリエーテルエーテル
ケトン）耐熱剥離用基材（ｂ）として０．１ｍｍのポリ
エーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）シートを用いる以
外は全て転写フィルム１と同様の原材料、装置で転写フ
ィルム２を得た。この時耐熱剥離用基材（ｂ）として用
いたＰＥＥＫシートの２００℃での熱変形量は０．２％
であり上記工程を問題なく通すことができた。

【００１９】（転写フィルム５：ポリエチレンナフタレ
ート）耐熱剥離用基材（ｂ）として０．１８８ｍｍのポ
リエチレンナフタレート（ＰＥＮ）シートを用いる以外
は全て転写フィルム１と同様の原材料、装置で転写フィ
ルム２を得た。この時耐熱剥離用基材（ｂ）として用い
たＰＥＮシートの２００℃での熱変形量は１．２％であ
り上記工程を問題なく通すことができた。

【００２０】（転写フィルム６：ポリエチレンテレフタ
レート）耐熱剥離用基材（ｂ）として０．１８８ｍｍの
ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）シートを用いる
以外は全て転写フィルム１と同様の原材料、装置で転写
フィルム２を得た。この時耐熱剥離用基材（ｂ）として
用いたＰＥＴシートの２００℃での熱変形量は２．２％
であり上記工程を問題なく通すことができた。

【００２１】（転写フィルム７：銅箔）耐熱剥離用基材
（ｂ）として０．３５ｍｍの両面無粗化の圧延銅箔（Ｃ
ｕ）シートを用いる以外は全て転写フィルム１と同様の
原材料、装置で転写フィルム２を得た。この時耐熱剥離
用基材（ｂ）として用いたＣｕシートの２００℃での熱
変形量は０．２％であり上記工程を問題なく通すことが
できた。

【００２２】（転写フィルム８：アルミ箔）耐熱剥離用
基材（ｂ）として０．０５ｍｍの両面無粗化のアルミニ
ウム（ＡＬ）シートを用いる以外は全て転写フィルム１
と同様の原材料、装置で転写フィルム２を得た。この時
耐熱剥離用基材（ｂ）として用いたＡＬシートの２００
℃での熱変形量は０．１％であり上記工程を問題なく通
すことができた。

【００２３】（転写フィルム９：ステンレス箔）耐熱剥
離用基材（ｂ）として０．０３ｍｍの両面無粗化のステ
ンレス（ＳＵＳ）シートを用いる以外は全て転写フィル
ム１と同様の原材料、装置で転写フィルム２を得た。こ
の時耐熱剥離用基材（ｂ）として用いたＣｕシートの２
００℃での熱変形量は０．１％であり上記工程を問題な
く通すことができた。

【００２４】（比較例１） （転写フィルム１０：ＰＰ）耐熱剥離用基材（ｂ）とし
て０．２ｍｍのポリプロピレン（ＰＰ）シートを用いる
以外は全て転写フィルム１と同様の原材料、装置で転写
フィルムの製造を試みたが、２００℃での熱処理工程で
基材が伸びきってしまい。熱処理を行うことができなか
った。なおこの時耐熱剥離用基材（ｂ）として用いたＰ
Ｐシートの２００℃での熱変形量を測定しようと試みた
が伸びきってしまい測定できなかった。

【００２５】（実施例１）基材シート１を基材として用
い、巻出装置、コーター部、加熱乾燥ゾーン、ラミネー
トロール、高圧水銀灯、巻取装置を有する製造装置を用
いて次の加工を行った。まず、紫外線硬化性樹脂組成物
として融点７０℃のエポキシアクリレートプレポリマー
１００重量部、酢酸ブチル３００重量部，プロピレング
リコールモノメチルエーテルアセテート１００重量部，
ベンゾインエチルエーテル２重量部を５０℃にて撹拌、
溶解して均一な溶液としたものをスピンコーターを用い
て基材シート１上に乾燥後膜厚５μｍとなるように塗布
し、加熱乾燥ゾーン中１００℃で５分間加熱して溶媒を
除去した。続いて温度を８０℃に設定したラミネートロ
ールを用いて、前記転写フィルム１をガスバリア層と塗
布面をあわせてラミネートし、転写フィルム面側から高
圧水銀灯を用いて紫外線を５００ｍＪ／ｃｍ²照射し、
紫外線硬化性樹脂組成物を硬化した。ラミネート後、剥
離用シートを剥離し、光学用高分子シートを得た。得ら
れた光学用高分子シートに半導体素子を形成しＴＦＴ基
板を作成した。この基板を用いた液晶表示素子はガスバ
リア性不足による気泡の発生がなく表示欠点は観察され
なかった。

【００２６】（実施例２）巻出装置、コーター部、加熱
乾燥ゾーン、ラミネートロール、巻取装置を有する製造
装置を用いて次の加工を行った。まず、熱硬化性樹脂組
成物としてポリエステル−ウレタンジオール７０重量
部、ポリイソシアネート１０重量部、酢酸エチル１００
重量部を２５℃にて撹拌、溶解して均一な溶液としたも
のを転写フィルム２のガスバリア層上にコーター部のグ
ラビヤロールコーターで乾燥後膜厚５μｍとなるように
塗布し、加熱乾燥ゾーン中６０℃で５分間加熱して溶媒
を除去した。続いて温度を８０℃に設定したラミネート
ロールを用いて、前記の基材シート２と塗布面をあわせ
てラミネートし、４０℃、１２０時間で熱硬化性樹脂組
成物を硬化した。ラミネート後、剥離用シートを剥離
し、光学用高分子シートを得た。得られた光学用高分子
シートに半導体素子を形成しＴＦＴ基板を作成した。こ
の基板を用いた液晶表示素子はガスバリア性不足による
気泡の発生がなく表示欠点は観察されなかった。

【００２７】（実施例３）巻出装置、コーター部、加熱
乾燥ゾーン、ラミネートロール、巻取装置を有する製造
装置を用いて次の加工を行った。まず、熱硬化性樹脂組
成物としてポリエステル−ウレタンジオール７０重量
部、ポリイソシアネート１０重量部、酢酸エチル１００
重量部を２５℃にて撹拌、溶解して均一な溶液としたも
のを転写フィルム３のガスバリア層上にコーター部のグ
ラビヤロールコーターで乾燥後膜厚５μｍとなるように
塗布し、加熱乾燥ゾーン中６０℃で５分間加熱して溶媒
を除去した。続いて温度を８０℃に設定したラミネート
ロールを用いて、前記の基材シート３と塗布面をあわせ
てラミネートし、４０℃、１２０時間で熱硬化性樹脂組
成物を硬化した。ラミネート後、剥離用シートを剥離
し、光学用高分子シートを得た。得られた光学用高分子
シートに半導体素子を形成しＴＦＴ基板を作成した。こ
の基板を用いた液晶表示素子はガスバリア性不足による
気泡の発生がなく表示欠点は観察されなかった。

【００２８】（実施例４〜９）転写フィルムとして転写
フィルム４〜９を使用する以外は実施例３と同様の装
置、条件で光学用高分子シートを得た。得られたシート
を用いて実施例１と同様に液晶表示素子を作製した。こ
の液晶表示素子はガスバリア性不足による気泡の発生が
なく表示欠点は観察されなかった。

【００２９】

【発明の効果】本発明は、耐熱性に優れ、ガス・水蒸気
バリア性の良好なプラスチック表示素子用基板に最適な
光学用高分子シートを安価に生産性良く製造できるもの
であり、この方法により製造されたプラスチック表示素
子用基板を用いた表示素子は、ガラス基板を用いた表示
素子に劣らない良好な表示性能を示した。本発明は、ガ
ラス基板に比べて軽く割れにくい特徴を持つプラスチッ
ク表示素子用基板のコストダウンに極めて有効である。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4F100 AB01D AB02D AB10D AB17D AB33D AK01C AK25A AK41A AK42D AK49A AK49D AK51A AK55D AK56D AL01A AL05C AR00B AR00C AT00A AT00D BA03 BA07 BA10A BA10C EC18 EC182 EH23 EH232 EH46 EH462 EJ30 EJ302 GB41 JA04D JA05A JB13C JB14C JD02B JD04B JJ03D JL14D JN01 JN08 YY00A YY00D 5C094 AA15 AA43 AA44 EB02 FA02 FB01 FB15 GB10 JA20

Claims (15)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 少なくとも基材（ａ）とガス・水蒸気バ
   リア層と保護層を有する高分子シートにおいて、２００
   ℃での熱変形量が１０％以下の耐熱剥離用基材（ｂ）上
   に保護層とガス・水蒸気バリア層のみを形成した転写フ
   ィルム（ｃ）を基材（ａ）にラミネートした後に耐熱剥
   離用基材（ｂ）のみを除去することによって成形するこ
   とを特徴とする高分子シートの製造方法および高分子シ
   ート。
2. 【請求項２】 全光線透過率が８０％以上である請求項
   １記載の光学用高分子シート。
3. 【請求項３】 基材（ａ）のガラス転移温度（Ｔｇ）が
   ２００℃以上の高分子フィルムからなることを特徴とし
   た請求項１または２記載の光学用高分子シート。
4. 【請求項４】 基材（ａ）がアクリル樹脂を含む高分子
   フィルムから成ることを特徴とした請求項３記載の光学
   用高分子シート。
5. 【請求項５】 基材（ａ）がシアネートエステル樹脂を
   含む高分子フィルムから成ることを特徴とした請求項３
   記載の光学用高分子シート。
6. 【請求項６】 基材（ａ）がポリイミド樹脂を含む高分
   子フィルムから成ることを特徴とした請求項３記載の光
   学用高分子シート。
7. 【請求項７】 基材（ａ）にガス・水蒸気バリア層との
   密着性を高めるための密着層を塗工した後に転写フィル
   ム（ｃ）を張り合わせることによって成形されることを
   特徴とする請求項１〜６いずれか１項に記載の光学用高
   分子シート。
8. 【請求項８】 転写フィルム（ｃ）にガス・水蒸気バリ
   ア層との密着性を高めるための密着層を塗工した後に基
   材（ａ）を張り合わせることによって成形されることを
   特徴とする請求項１〜６いずれか１項に記載の光学用高
   分子シート。
9. 【請求項９】 密着層が熱硬化樹脂または光硬化性樹脂
   を主成分とする樹脂組成物である請求項７または８記載
   の光学用高分子シート。
10. 【請求項１０】 保護層が熱硬化樹脂または光硬化性樹
    脂を主成分とする樹脂組成物である請求項１〜９のいず
    れか１項に記載の光学用高分子シート。
11. 【請求項１１】 剥離用基材（ｂ）がラミネート後に、
    剥離することが可能であることを特徴とする請求項１〜
    １０のいずれか１項に記載の光学用高分子シート。
12. 【請求項１２】 剥離用基材（ｂ）が金属箔である請求
    項１〜１１のいずれか１項に記載の光学用高分子シー
    ト。
13. 【請求項１３】 金属箔が銅箔、アルミ箔、ステンレス
    箔の何れかである請求項１２記載の光学用高分子シー
    ト。
14. 【請求項１４】 剥離用基材（ｂ）が耐熱性樹脂シート
    である請求項１〜１１のいずれか１項に記載の光学用高
    分子シート。
15. 【請求項１５】 耐熱性樹脂シートがポリイミドシー
    ト、ポリエーテルエーテルケトンシート、ポリエーテル
    スルホンシート、ポリエチレンナフタレートシート、ポ
    リエチレンテレフタレートシートの何れかである請求項
    １２記載の光学用高分子シート。