JP2003046874A - 固体撮像素子の製造方法 - Google Patents

固体撮像素子の製造方法

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Abstract

(57)【要約】 【課題】中間層の膜厚を薄くしても、半導体基板上の段
差を平坦化することができ、またカラーフィルタによる
段差を0.1μmレベルにまで平坦化することのできる
固体撮像素子の製造方法を提供すること。これにより、
中間層での光の吸収を低減し、受光部に入射する光の強
度を高めた固体撮像素子を得る。 【解決手段】第一中間層、カラーフィルター、第二中間
層、マイクロレンズが順次積層された固体撮像素子にお
いて、第一中間層16及び第二中間層18を熱リフロー
性を有する樹脂を熱硬化させて形成すること。樹脂の熱
硬化温度を、その樹脂の熱リフロー温度以上とするこ
と。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、固体撮像素子の製
造に関ものであり、特に、固体撮像素子に形成される中
間層を薄くして感度を向上させた固体撮像素子の製造方
法に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、固体撮像素子においては、デジタ
ルカメラ用途等で小型化や画素の微細化が進んでおり、
画素サイズ3×3μmの固体撮像素子も開発されてい
る。しかし、このような微細化が進むとそれぞれの受光
部に入射する光の強度が弱くなり、十分な感度が得られ
なくなる。そこで、各受光部上にマイクロレンズを形成
し、受光部周辺の光を集光し、感度を増大させる方法が
一般的に使用されている。
【0003】このようなカラーフィルタとマイクロレン
ズを組み合わせた固体撮像素子の構造の断面は、例え
ば、図2に示すようなものである。Si基板(1)上に
は、周知の技術により、受光部(2)、転送電極
(3)、層間絶縁膜(4)、遮光膜(5)等が形成され
ているので、その表面には段差(d0 )が生じている。
この段差は通常1〜2μmにも及び、このような段差の
ある基板に直接カラーーフィルタを形成すると、クラッ
クや段切れが発生する。
【0004】そこで、この表面の段差を平坦化するため
に、図2のように第一中間層(26)を形成し、その上
にRGBからなるカラーフィルタ(27)を形成する。
しかし、各色の分光仕様,各色の画素の形状等により、
カラーフィルタ(27)上には、再度、0.2〜0.5
μm程度の段差が生じる。この0.2〜0.5μm程度
の段差であっても、第二中間層(28)による平坦化が
必要であり、図2の第二中間層(28)により平坦化を
行う。その理由は以下の通りである。
【0005】固体撮像素子の微細化で画素が小さくなる
に従い、高開口率のマイクロレンズを形成することが必
須のものとなる。高開口率のマイクロレンズを形成する
に際し、例えば、3〜5μmの画素であれば、マイクロ
レンズ間ギャップとしては0.1〜0.2μm程度のも
のが必要とされる。マイクロレンズを形成する方法とし
ては熱リフロー法が一般的であり、この熱リフロー法に
よってマイクロレンズ間ギャップ0.1〜0.2μm程
度を形成しようとすると、0.3〜0.4μm程度のギ
ャップを有するレジストパターンをフォトリソグラフィ
法により形成することとなる。すなわち、この0.3〜
0.4μm程度のギャップに解像したレジストパターン
を安定して形成するには、フォトレジストのフォーカス
マージンを考慮しても、第二中間層上の平坦性は0.2
〜0.5μm程度のレベルでは不十分であり、0.1μ
mレベルの平坦性が要求されるためである。
【0006】このように、固体撮像素子中の中間層は、
半導体基板上の段差を平坦化する第一中間層と、カラー
フィルタによる段差を平坦化する第二中間層の二層が設
けられている。半導体基板上の段差は、通常1〜2μm
あり、この段差を平坦化するには、従来の透明樹脂を用
いて、図2の第一中間層(26)を2〜3μmの膜厚
(d21)にする必要があった。また、カラーフィルタに
よる段差は0.2〜0.5μmあり、この段差を0.1
μmレベルまで平坦化するには、従来の透明樹脂を用い
て、図2の第二中間層(28)を1〜1.5μmの膜厚
(d22)にする必要があった。
【0007】従って、両中間層の膜厚の合計は、最大
4.5μmにもなっていた。中間層がこのような厚い膜
厚になると、中間層による光の吸収や拡散、及びレンズ
集光効率の低下が無視出来ない大きさになる。そして、
マイクロレンズから入射し、中間層、カラーフィルタを
通過して各受光部に入射する光の強度は低下し、素子感
度の低下を引き起こすという問題が生じていた。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記問題を
解決するためになされたものであり、中間層の膜厚を薄
くしても、半導体基板上の段差を平坦化することがで
き、またカラーフィルタによる段差を0.1μmレベル
にまで平坦化することのできる固体撮像素子の製造方法
を提供することを課題する。これにより、中間層での光
の吸収を低減し、受光部に入射する光の強度を高めた固
体撮像素子を得ることができるものとなる。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明は、受光部と電荷
転送部が形成された半導体基板上に、第一中間層、カラ
ーフィルター、第二中間層、マイクロレンズが順次積層
された固体撮像素子において、該第一中間層及び第二中
間層を熱リフロー性を有する樹脂を熱硬化させて形成す
ることを特徴とする固体撮像素子の製造方法である。
【0010】また、本発明は、上記発明による固体撮像
素子の製造方法において、前記第一中間層及び第二中間
層を形成する樹脂の熱硬化温度を、その樹脂の熱リフロ
ー温度より高くすることを特徴とする固体撮像素子の製
造方法である。
【0011】
【発明の実施の形態】以下に本発明による固体撮像素子
の製造方法を、その実施形態に基づいて説明する。本発
明者は、鋭意検討の結果、中間層での光の吸収を低減
し、受光部に入射する光の強度を高めるために、中間層
の膜厚を薄膜化した固体撮像素子の製造方法を見出し
た。受光部と電荷転送部を形成した半導体基板上に、第
一中間層、カラーフィルタ、第二中間層、マイクロレン
ズが順次積層された固体撮像素子において、上記第一中
間層及び第二中間層を熟リフロー性を有する透明樹脂を
用いて熱硬化させて形成することで、第二中間層上の平
坦性を0.1μm以下に出来、かつ、両中間層の膜厚の
合計を3μm以下に形成出来ることを見いだした。
【0012】また、本発明者は、上記第一中間層及び第
二中間層を形成する樹脂をその樹脂が有している熱リフ
ロー温度よりも高い温度で熱硬化させることで、その樹
脂の熱軟化、熱硬化反応が瞬時に起こり、その結果、硬
化後の中間層上の平坦性が良好になることを見いだし
た。
【0013】
【実施例】以下に、本発明による固体撮像素子の製造方
法を実施例により詳細に説明する。 <実施例1>本発明による固体撮像素子の製造方法の実
施例1の断面図を図1に示す。図1に示すように、固体
撮像素子の画素ピッチ(P1)は5μmで、受光部の幅
(P2)は1.5μm、表面の段差(d0 )は2μmの
構成である。
【0014】半導体基板(10)上に熱リフロー性を有
する樹脂としてジェイエスアール(株)製の感光性樹脂
(商品名:MFR−380H)を塗布回転数1100r
pmによりスピンコートにより塗布し、その後、ホット
プレートにより100℃で90秒のプレべークを実施し
た。その後、UV光を用いて、半導体基板全面に、30
0mJ/cm2 の露光量を照射して、感光剤を分解し
て透明性を向上させた。さらに、ホットプレートによ
り、200℃で10分の熱処理を行い、第一中間層(1
6)を形成した。この時の第一中間層(16)の膜厚
(d11)は、1.5μmで、その時の第一中間層(1
6)上の表面平坦性は0.2μmであった。
【0015】続いて、第一中間層(16)上に顔料分散
レジストを用いて、R、G、Bからなるカラーフィルタ
(17)をフォトリソグラフィ法により形成した。さら
に、カラーフィルタ(17)上にジェイエスアール
(株)製の感光性樹脂(商品名:MFR−380H)を
用いて、塗布回転数2500rpmによりスピンコート
で塗布を実施し、その後、ホットプレートにより100
℃で90秒のプレベ−クを実施した。
【0016】続いて、UV光を用いて、半導体基板全面
に300mJ/cm2 露光量を照射した。その後、ホ
ットプレートを用いて、200℃で10分の熱処理を実
施し、樹脂の硬化を実施し、第二中間層(18)を形成
した。この時の第二中間層(18)の膜厚(d12)は1
μmで、その時の第二中間層(18)上の表面の平坦性
は0.08μmであった。
【0017】最後に、第二中間層(18)上に、周知の
技術である熱フロー法により、高開口率のマイクロレン
ズを形成した。この時のマイクロレンズ膜厚は、1.2
μm、マイクロレンズ間ギャップは0.3μmであり、
高開口率マイクロレンズが半導体基板内でレンズ同士の
融着がなく、良好に形成することが出来た。実施例1で
は、熱リフロー性を有している感光性樹脂(例えば、M
FR380H)を用いて、第一中間層、第二中間層を形
成したが、特に感光性樹脂にこだわることなく、他の樹
脂、例えば、アクリル系、フエノール系、カルド系、エ
ポキシ系等の樹脂に熱リフロー性を持たせた樹脂でも構
わない。
【0018】<比較例1>比較例1における固体撮像素
子の断面図を図2に示す。実施例1で用いた半導体基板
と同一の半導体基板(10)上に富士薬品(株)製の樹
脂(商品名:TP−10)を塗布回転数500rpmに
よりスピンコートにより塗布し、その後、ホットプレー
トにより200℃で10分の熱処理を行い、第一中間層
(26)を形成した。この時の第一中間層(26)の膜
厚(d21)は1.5μmで、その時の第一中間層上の表
面平坦性は0.63μmであった。
【0019】続いて、第一中間層上に顔料分散レジスト
を用いて、R、G、Bからなるカラーフィルタ(27)
をフォトリソグラフィ法により形成した。さらに、カラ
ーフィルタ上に富士薬品(株)製の樹脂(商品名:TO
C−1)を用いて、塗布回転数1000rpmによりス
ピンコートで塗布を実施し、その後、ホットプレート
で、200℃で10分の熱処理を実施し、樹脂の硬化を
実施し、第二中間層(28)を形成した。この時の第二
中間層の膜厚(d22)は1μmで、その時の第二中間層
上の表面の坦性は、0.25μmであった。
【0020】最後に、第二中間層上に、周知の技術であ
る熱フロー法により、高開口率のマイクロレンズを形成
した。この時のマイクロレンズ膜厚は1.2μm、マイ
クロレンズ間ギャップは0.3μmであり、高開口率マ
イクロレンズが形成出来たが、半導体基板内で部分的に
レンズ同士の融着が発生し、良好に形成することが出来
なかった。比較例1で用いた樹脂のうちTP−10はア
クリル系、TOC−1はエポキシ系樹脂であるが、共に
熱リフロー性を有していない。
【0021】<比較例2>比較例2における固体撮像素
子の断面図を図2に示す。実施例1で用いた半導体基板
と同一の半導体基板(10)上にJSR(株)製の感光
性樹脂(商品名:MFR−380H)を塗布回転数11
00rpmによりスピンコートにより塗布し、その後、
ホットプレートにより100℃で90秒のプレベークを
実施した。その後、UV光を用いて、半導体基板全面に
300mJ/cm2 露光量を照射して、感光剤を分解
して透明性を向上させた。さらに、ホットプレートによ
り、この樹脂の熱リフロー温度(160℃)より若干低
い温度である150℃で10分の熱処理を行い、第一中
間層(26)を形成した。この時の第一中間層の膜厚
(d21)は1.5μmで、その時の第一中間層上の表面
平坦性は、0.3μmであった。
【0022】続いて、第一中間層上に顔料分散レジスト
を用いて、R、G、Bからなるカラーフィルタ(27)
をフォトリソグラフィ法により形成した。さらに、カラ
ーフィルタ上にJSR(株)製の感光性樹脂(商品名:
MFR−380H)を用いて、塗布回転数2500rp
mによりスピンコートで塗布を実施し、その後、ホット
プレートで100℃で90秒のプレベークを実施した。
【0023】続いて、UV光を用いて、半導体基板全面
に300mJ/cm2 露光量を照射した。その後、ホ
ットプレートを用いて、この樹脂の熱リフロー温度より
も若干低い温度である150℃で10分の熱処理を実施
し、樹脂の硬化を実施し、第二中間層(28)を形成し
た。この時の第二中間層の膜厚(d22)は1μmで、そ
の時の第二中間層上の表面平坦性は0.15μmであっ
た。
【0024】最後に、第二中間層(28)上に、周知の
技術である熱フロー法により、高開口率のマイクロレン
ズを形成した。この時のマイクロレンズ膜厚は1.2μ
m、マイクロレンズ間ギャップは0.3μmであり、高
開口率マイクロレンズが半導体基板内でレンズ同士の枇
着が若干見られ良好に形成することが出来なかった。
【0025】また、実施例1及び比較例1に用いた樹脂
の塗布膜厚と表面平坦性の関係は図3に示すようなもの
である。すなわち、図3は、図2に示す表面の段差(d
0 )に相当する約2μm程度の段差を有する半導体基板
上に各樹脂を1〜2.5μm塗布した際の、各樹脂層上
の表面平坦性を示したものであるが、図3からわかるよ
うに、熱リフロー性を有している樹脂:MFR380H
が、熱リフロー性を有していない樹脂:TP−10、T
OC−1と比べて、半導体基板上の段差を平坦にする効
果が高い。
【0026】
【発明の効果】本発明は、第一中間層及び第二中間層を
熱リフロー性を有する樹脂を熱硬化させて形成する固体
撮像素子の製造方法であるので、中間層の膜厚を薄くし
ても、半導体基板上の段差を平坦化することができ、ま
たカラーフィルタによる段差を0.1μmレベルにまで
平坦化することのできる固体撮像素子の製造方法とな
る。すなわち、第二中間層上の表面平坦性を0.1μm
以下、かつ、中間層の膜厚の合計を3μm以下に形成出
来、中間層での光の吸収を低減し、受光部に入射する光
の強度を高めた固体撮像素子を得ることができる。
【0027】また、第一中間層及び第二中間層を形成す
る樹脂をその樹脂が有している熱リフロー温度よりも高
い温度で熱硬化させるので、その樹脂の熱軟化、熱硬化
反応が瞬時に起こり硬化後の中間層上の平坦性が良好に
なる。
【図面の簡単な説明】
【図1】実施例1における固体撮像素子の断面図であ
る。
【図2】従来法、比較例1、及び比較例2における固体
撮像素子の断面図である。
【図3】樹脂の塗布膜厚と表面平坦性の関係を示す説明
図である。
【符号の説明】
1・・・Si基板 2・・・受光部 3・・・転送電極 4・・・層間絶縁膜 5・・・遮光膜 9・・・マイクロレンズ 10・・・半導体基板 16、26・・・第一中間層 17、27・・・カラーフィルタ 18、28・・・第二中間層 d0 ・・・表面の段差 d11、d21・・・第一中間層の膜厚 d21、d22・・・第二中間層の膜厚
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 2H048 BA02 BA45 BB02 BB10 BB13 BB28 BB46 4M118 AA01 AB01 BA10 CA03 CA40 GC08 GD04 5C024 CX41 CY47 EX43 EX52

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】受光部と電荷転送部が形成された半導体基
    板上に、第一中間層、カラーフィルター、第二中間層、
    マイクロレンズが順次積層された固体撮像素子におい
    て、該第一中間層及び第二中間層を熱リフロー性を有す
    る樹脂を熱硬化させて形成することを特徴とする固体撮
    像素子の製造方法。
  2. 【請求項2】前記第一中間層及び第二中間層を形成する
    樹脂の熱硬化温度を、その樹脂の熱リフロー温度より高
    くすることを特徴とする請求項1記載の固体撮像素子の
    製造方法。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005142468A (ja) * 2003-11-10 2005-06-02 Toppan Printing Co Ltd 固体撮像素子
JP2008153331A (ja) * 2006-12-15 2008-07-03 Toppan Printing Co Ltd カラー固体撮像素子及びその製造方法

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04273475A (ja) * 1991-02-28 1992-09-29 Sony Corp 固体撮像装置の製造方法
JPH05251674A (ja) * 1992-03-05 1993-09-28 Sony Corp 固体撮像装置及びその製造方法
JPH0980423A (ja) * 1995-09-18 1997-03-28 Hitachi Ltd 液晶表示装置
JP2000028824A (ja) * 1998-07-15 2000-01-28 Toppan Printing Co Ltd 液晶表示装置用カラーフィルタ及びそれに用いるオーバーコート用樹脂組成物
JP2000156485A (ja) * 1998-11-19 2000-06-06 Sony Corp 固体撮像素子およびその製造方法
JP2000196052A (ja) * 1998-12-25 2000-07-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd 固体撮像装置およびその製造方法
JP2001064337A (ja) * 1999-09-01 2001-03-13 Jsr Corp 硬化性組成物およびカラーフィルタ保護膜

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04273475A (ja) * 1991-02-28 1992-09-29 Sony Corp 固体撮像装置の製造方法
JPH05251674A (ja) * 1992-03-05 1993-09-28 Sony Corp 固体撮像装置及びその製造方法
JPH0980423A (ja) * 1995-09-18 1997-03-28 Hitachi Ltd 液晶表示装置
JP2000028824A (ja) * 1998-07-15 2000-01-28 Toppan Printing Co Ltd 液晶表示装置用カラーフィルタ及びそれに用いるオーバーコート用樹脂組成物
JP2000156485A (ja) * 1998-11-19 2000-06-06 Sony Corp 固体撮像素子およびその製造方法
JP2000196052A (ja) * 1998-12-25 2000-07-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd 固体撮像装置およびその製造方法
JP2001064337A (ja) * 1999-09-01 2001-03-13 Jsr Corp 硬化性組成物およびカラーフィルタ保護膜

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005142468A (ja) * 2003-11-10 2005-06-02 Toppan Printing Co Ltd 固体撮像素子
JP4547894B2 (ja) * 2003-11-10 2010-09-22 凸版印刷株式会社 固体撮像素子の製造方法
JP2008153331A (ja) * 2006-12-15 2008-07-03 Toppan Printing Co Ltd カラー固体撮像素子及びその製造方法

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