JP2003042983A - 熱伝導度検出器 - Google Patents
熱伝導度検出器Info
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- JP2003042983A JP2003042983A JP2001235804A JP2001235804A JP2003042983A JP 2003042983 A JP2003042983 A JP 2003042983A JP 2001235804 A JP2001235804 A JP 2001235804A JP 2001235804 A JP2001235804 A JP 2001235804A JP 2003042983 A JP2003042983 A JP 2003042983A
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- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】特にシングルフローセルの場合に効果的な、温
度ドリフト等の補正が可能なＴＣＤを提供する 【解決手段】フィラメント（感温素子）Ｒ１が定電流源
２から給電される抵抗ブリッジ回路１の少なくとも一辺
を形成するように構成されたＴＣＤにおいて、定電流源
２から抵抗ブリッジ回路１に給電される電圧Ｖｏの変化
に基づいて出力信号Ｓを補正する補正回路４を設けた。
これにより、従来、何ら補正手段の無かったシングルフ
ローセルＴＣＤにおいても、温度によるドリフトを相殺
することが可能となり、高感度分析にも適用できる安定
なＴＣＤを提供できる。
度ドリフト等の補正が可能なＴＣＤを提供する 【解決手段】フィラメント（感温素子）Ｒ１が定電流源
２から給電される抵抗ブリッジ回路１の少なくとも一辺
を形成するように構成されたＴＣＤにおいて、定電流源
２から抵抗ブリッジ回路１に給電される電圧Ｖｏの変化
に基づいて出力信号Ｓを補正する補正回路４を設けた。
これにより、従来、何ら補正手段の無かったシングルフ
ローセルＴＣＤにおいても、温度によるドリフトを相殺
することが可能となり、高感度分析にも適用できる安定
なＴＣＤを提供できる。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ガスクロマトグラ
フ等の分析装置で用いられる熱伝導度検出器に関する。 【０００２】 【従来の技術】ガスクロマトグラフィにおいて最も広範
囲の物質の検出に用いられる検出器として熱伝導度検出
器（以下、ＴＣＤと記す）がよく知られている。ＴＣＤ
では、タングステンフィラメントなど温度に依存して電
気抵抗が変化する感温素子が分析ガスの流路中に挿入さ
れ、ガスの種類によりガスの熱伝導度が異なることを利
用してガスの検出を行う。 【０００３】図２は従来のＴＣＤの基本的な構成の一例
を示したものである。図において、フィラメントＲ１及
びＲ２’は、他の固定抵抗Ｒ３、Ｒ４と共に抵抗ブリッ
ジ回路１を構成する。抵抗ブリッジ回路１は、定電流源
（または定電圧源）２から電流Ｉが供給されている。検
出側のフィラメントＲ１は、ガスクロマトグラフの分離
カラム（図示しない）から流出する分析ガス（分析成分
を含むキャリアガス）の流路中に、また、参照側のフィ
ラメントＲ２’はキャリアガスのみが流れる流路中に置
かれている。分離カラムから分析成分が流出していない
とき、即ち検出側、参照側共にキャリアガスのみが流れ
ている状態でこの抵抗ブリッジ回路１はバランスしてい
るものとする。実際にはたとえば固定抵抗Ｒ３とＲ４の
間に可変抵抗を設けてバランスを調整するのであるが、
図ではこれを省略してある。つまり、この状態では検出
出力ΔＶはゼロである。 【０００４】いま、キャリアガスに比べて熱伝導度の低
い分析ガスが検出側のフィラメントＲ１の付近を流れる
と、フィラメントＲ１からの熱放散が減少するため温度
が上昇し、その温度変化に応じて電気抵抗が増大し、そ
の結果、フィラメントＲ１とＲ２’の接続点の電位Ｖ１
が上昇することによりブリッジのバランスが崩れ、分析
ガスに対応した検出出力ΔＶが得られる。この検出出力
ΔＶを測定回路３により適宜処理して出力信号Ｓとし、
これを表示、または記録することにより定量的に分析を
行うことができる。 【０００５】上記は、検出側と参照側にそれぞれフィラ
メントＲ１、Ｒ２’を有するデュアルフローセルの例で
あるが、参照側流路を持たず、図２におけるフィラメン
トＲ２’を固定抵抗で置き換えたシングルフローセルも
しばしば用いられる。 【０００６】 【発明が解決しようとする課題】上述のように、ＴＣＤ
は温度を介してガスの濃度を検出するものであるから、
周囲温度の影響を受けやすい。このため、ＴＣＤは精密
に温度調節された恒温槽に収容して使用されるのが普通
であるが、特に高感度分析を行う場合等は、恒温槽に収
容してもなお温度によるドリフトを防ぎ切れない。デュ
アルフローセルの場合は、同程度に温度の影響を受ける
検出側と参照側から差動的に信号を取り出すので、周囲
温度の影響は殆ど相殺され、温度ドリフトが補正され
る。しかし、装置の小型化、簡易化のために近年多く用
いられるようになったシングルフローセルの場合は、こ
のような補正手段を備えていないので温度によるドリフ
トが避けられず、用途は比較的低感度の分析に限定され
ていた。本発明は、このような事情に鑑みてなされたも
のであり、特にシングルフローセルの場合に効果的な、
温度ドリフト等の補正が可能なＴＣＤを提供することを
目的とする。 【０００７】 【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するために、感温素子が定電流源から給電される抵抗
ブリッジ回路の少なくとも一辺を形成するように構成さ
れたＴＣＤにおいて、前記定電流源から前記抵抗ブリッ
ジ回路に給電される電圧の変化に基づいて検出出力を補
正する補正回路を設けたものである。これにより、従
来、何ら補正手段の無かったシングルフローセルＴＣＤ
においても、温度によるドリフトを相殺することが可能
となり、高感度分析にも適用できる安定なＴＣＤを提供
することができる。 【０００８】 【発明の実施の形態】本発明の一実施形態を図１に示
す。図において、Ｒ１は分析ガスの流路中に設けられた
フィラメント（感温素子）であって、固定抵抗Ｒ２〜Ｒ
４と共に抵抗ブリッジ回路１を構成している。即ち、フ
ィラメントＲ１を含む４つの抵抗Ｒ１〜Ｒ４を環状に接
続することによって生じる４箇所の接続点のうち、隣り
合わない２つの接続点を給電端として、ここに定電流源
２から一定の電流Ｉを給電する。残る２つの接続点の電
位Ｖ１とＶ２との差を検出出力ΔＶとし、これを測定回
路３で処理して補正前の信号Ｓを得る。４は後述するド
リフトの補正回路である。 【０００９】図１の回路で、分析ガスの熱伝導度の違い
に応じて補正前の信号Ｓを得る動作過程は、基本的に前
述の従来の場合と同じである。ただし、本発明において
は抵抗ブリッジ回路１に給電する電源は定電流源である
ことが必要である。 【００１０】次に、本実施形態におけるドリフト補正に
ついて式の解析により説明する。なお、以下の式中のＲ
１、Ｒ２、…は、各抵抗の抵抗値を表すものとする。抵
抗ブリッジ回路１に給電される電流Ｉは、Ｒ１、Ｒ２を
流れる電流Ｉ１とＲ３、Ｒ４を流れる電流Ｉ２に分かれ
る。即ち、 Ｉ＝Ｉ１＋Ｉ２………（１） 給電電圧をＶｏとすると、Ｉ１、Ｉ２は次式で表され
る。 Ｉ１＝Ｖｏ／（Ｒ１＋Ｒ２）………（２） Ｉ２＝Ｖｏ／（Ｒ３＋Ｒ４）………（３） （１）に（２）（３）を代入してＶｏを求めると、 Ｖｏ＝Ｊ（Ｒ１＋Ｒ２）（Ｒ３＋Ｒ４）………（４）但
し、Ｊ＝Ｉ／（Ｒ１＋Ｒ２＋Ｒ３＋Ｒ４）………（５） （４）式を用いて（２）（３）を書き換えると、 Ｉ１＝Ｊ（Ｒ３＋Ｒ４）………（６） Ｉ２＝Ｊ（Ｒ１＋Ｒ２）………（７） 検出出力ΔＶは（６）（７）を適用して、 ΔＶ＝Ｖ１−Ｖ２ ＝Ｉ１Ｒ１−Ｉ２Ｒ４ ＝Ｊ｛Ｒ１（Ｒ３＋Ｒ４）−Ｒ４（Ｒ１＋Ｒ２）｝………（８） ここで、フィラメントＲ１の抵抗値が温度変化によりド
リフトしてＲ１＋ｒに変化したときの出力をΔＶ’とす
ると、 ΔＶ’＝Ｊ｛（Ｒ１＋ｒ）（Ｒ３＋Ｒ４）＋Ｒ４（Ｒ１＋Ｒ２＋ｒ）｝…… …（９） 検出出力のドリフトは、（８）（９）および（５）から
次式で表される。 ΔＶ’−ΔＶ＝Ｊ｛ｒ（Ｒ３＋Ｒ４）−Ｒ４ｒ｝ ＝ＪＲ３ｒ ＝ＩＲ３ｒ／（Ｒ１＋Ｒ２＋Ｒ３＋Ｒ４）………（１０） 【００１１】フィラメントＲ１に流れる電流Ｉ１は大き
いほど検出感度が高くなるのに対し、Ｒ３、Ｒ４を流れ
る電流Ｉ２は検出に寄与しないから、給電される電流Ｉ
はＩ１の方がＩ２よりもできるだけ大きくなるように配
分されるのが従来から一般的である。即ち、Ｒ３、Ｒ４
の抵抗値はＲ１、Ｒ２のそれよりも非常に大きく設定さ
れる。このような条件下では（１０）は近似的に次式で
表すことができる。 ΔＶ’−ΔＶ≒ｋＩｒ………（１１） 但し、 ｋ＝Ｒ３／（Ｒ３＋Ｒ４） この式から、検出出力ΔＶのドリフトはフィラメントＲ
１のドリフトｒにほぼ比例することがわかる。 【００１２】上記のＩ１がＩ２よりも非常に大きい場合
（Ｉ１≒Ｉ）は、（２）式を変形して、 Ｖｏ≒Ｉ（Ｒ１＋Ｒ２）………（１２） と表すことができる。フィラメントＲ１の抵抗値が温度
変化によりドリフトしてＲ１＋ｒに変化したときの給電
電圧Ｖｏ’とすると、 Ｖｏ’≒Ｉ（Ｒ１＋Ｒ２＋ｒ）………（１３） 給電電圧Ｖｏのドリフト量は（１２）（１３）から、 Ｖｏ’−Ｖｏ＝Ｉｒ………（１４） となり、給電電圧ＶｏのドリフトもまたフィラメントＲ
１のドリフトｒにほぼ比例する。従って、検出出力ΔＶ
のドリフトは給電電圧Ｖｏのドリフトに比例することに
なるから、給電電圧Ｖｏに基づいて検出出力ΔＶのドリ
フトを補正することが可能である。 【００１３】この補正を行うのが図１に示す補正回路４
である。補正の元となる信号として給電電圧Ｖｏを導入
し、適切な演算回路（その構成は設計的事項である）を
通すことにより容易にドリフト補正を行い、その結果と
して補正後の出力信号Ｓｏを得ることができる。 【００１４】図１において、固定抵抗Ｒ３とＲ４の接続
点の電位Ｖ２は、給電電圧Ｖｏを固定抵抗Ｒ３とＲ４と
で分圧した値であるから、給電電圧Ｖｏと同様にドリフ
ト量に比例する情報を含んでいる。従って、図中に破線
で示すように、Ｖｏの代わりにＶ２をドリフト補正用信
号として利用することも可能である。 【００１５】本発明は上記の例のようにシングルフロー
セルＴＣＤに適用して効果的であるが、デュアルフロー
セルＴＣＤに対しても適用可能である。図１において、
固定抵抗Ｒ２を参照側流路のフィラメント（感温素子）
で置き換えればデュアルフローセルＴＣＤの回路とな
る。 【００１６】上記の解析に当たっては、Ｒ３、Ｒ４の抵
抗値がＲ１、Ｒ２のそれよりも非常に大きい（多くの場
合、実際にも当てはまる）ものとしたが、必ずしもこの
条件が成立しない場合であっても、その程度に応じた相
応の補正効果が得られる。即ち、Ｒ３、Ｒ４の抵抗値を
Ｒ１、Ｒ２のそれよりも非常に大きく設定することは本
発明構成上の必須要件ではない。なお、図１は本発明の
一実施形態を示したものであって、本発明をこれに限定
するものではない。 【００１７】 【発明の効果】以上詳述したように、本発明によればＴ
ＣＤにおける温度ドリフト等を簡単に補正することがで
きるので、安定した検出出力を得ることが可能となる。
フ等の分析装置で用いられる熱伝導度検出器に関する。 【０００２】 【従来の技術】ガスクロマトグラフィにおいて最も広範
囲の物質の検出に用いられる検出器として熱伝導度検出
器（以下、ＴＣＤと記す）がよく知られている。ＴＣＤ
では、タングステンフィラメントなど温度に依存して電
気抵抗が変化する感温素子が分析ガスの流路中に挿入さ
れ、ガスの種類によりガスの熱伝導度が異なることを利
用してガスの検出を行う。 【０００３】図２は従来のＴＣＤの基本的な構成の一例
を示したものである。図において、フィラメントＲ１及
びＲ２’は、他の固定抵抗Ｒ３、Ｒ４と共に抵抗ブリッ
ジ回路１を構成する。抵抗ブリッジ回路１は、定電流源
（または定電圧源）２から電流Ｉが供給されている。検
出側のフィラメントＲ１は、ガスクロマトグラフの分離
カラム（図示しない）から流出する分析ガス（分析成分
を含むキャリアガス）の流路中に、また、参照側のフィ
ラメントＲ２’はキャリアガスのみが流れる流路中に置
かれている。分離カラムから分析成分が流出していない
とき、即ち検出側、参照側共にキャリアガスのみが流れ
ている状態でこの抵抗ブリッジ回路１はバランスしてい
るものとする。実際にはたとえば固定抵抗Ｒ３とＲ４の
間に可変抵抗を設けてバランスを調整するのであるが、
図ではこれを省略してある。つまり、この状態では検出
出力ΔＶはゼロである。 【０００４】いま、キャリアガスに比べて熱伝導度の低
い分析ガスが検出側のフィラメントＲ１の付近を流れる
と、フィラメントＲ１からの熱放散が減少するため温度
が上昇し、その温度変化に応じて電気抵抗が増大し、そ
の結果、フィラメントＲ１とＲ２’の接続点の電位Ｖ１
が上昇することによりブリッジのバランスが崩れ、分析
ガスに対応した検出出力ΔＶが得られる。この検出出力
ΔＶを測定回路３により適宜処理して出力信号Ｓとし、
これを表示、または記録することにより定量的に分析を
行うことができる。 【０００５】上記は、検出側と参照側にそれぞれフィラ
メントＲ１、Ｒ２’を有するデュアルフローセルの例で
あるが、参照側流路を持たず、図２におけるフィラメン
トＲ２’を固定抵抗で置き換えたシングルフローセルも
しばしば用いられる。 【０００６】 【発明が解決しようとする課題】上述のように、ＴＣＤ
は温度を介してガスの濃度を検出するものであるから、
周囲温度の影響を受けやすい。このため、ＴＣＤは精密
に温度調節された恒温槽に収容して使用されるのが普通
であるが、特に高感度分析を行う場合等は、恒温槽に収
容してもなお温度によるドリフトを防ぎ切れない。デュ
アルフローセルの場合は、同程度に温度の影響を受ける
検出側と参照側から差動的に信号を取り出すので、周囲
温度の影響は殆ど相殺され、温度ドリフトが補正され
る。しかし、装置の小型化、簡易化のために近年多く用
いられるようになったシングルフローセルの場合は、こ
のような補正手段を備えていないので温度によるドリフ
トが避けられず、用途は比較的低感度の分析に限定され
ていた。本発明は、このような事情に鑑みてなされたも
のであり、特にシングルフローセルの場合に効果的な、
温度ドリフト等の補正が可能なＴＣＤを提供することを
目的とする。 【０００７】 【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するために、感温素子が定電流源から給電される抵抗
ブリッジ回路の少なくとも一辺を形成するように構成さ
れたＴＣＤにおいて、前記定電流源から前記抵抗ブリッ
ジ回路に給電される電圧の変化に基づいて検出出力を補
正する補正回路を設けたものである。これにより、従
来、何ら補正手段の無かったシングルフローセルＴＣＤ
においても、温度によるドリフトを相殺することが可能
となり、高感度分析にも適用できる安定なＴＣＤを提供
することができる。 【０００８】 【発明の実施の形態】本発明の一実施形態を図１に示
す。図において、Ｒ１は分析ガスの流路中に設けられた
フィラメント（感温素子）であって、固定抵抗Ｒ２〜Ｒ
４と共に抵抗ブリッジ回路１を構成している。即ち、フ
ィラメントＲ１を含む４つの抵抗Ｒ１〜Ｒ４を環状に接
続することによって生じる４箇所の接続点のうち、隣り
合わない２つの接続点を給電端として、ここに定電流源
２から一定の電流Ｉを給電する。残る２つの接続点の電
位Ｖ１とＶ２との差を検出出力ΔＶとし、これを測定回
路３で処理して補正前の信号Ｓを得る。４は後述するド
リフトの補正回路である。 【０００９】図１の回路で、分析ガスの熱伝導度の違い
に応じて補正前の信号Ｓを得る動作過程は、基本的に前
述の従来の場合と同じである。ただし、本発明において
は抵抗ブリッジ回路１に給電する電源は定電流源である
ことが必要である。 【００１０】次に、本実施形態におけるドリフト補正に
ついて式の解析により説明する。なお、以下の式中のＲ
１、Ｒ２、…は、各抵抗の抵抗値を表すものとする。抵
抗ブリッジ回路１に給電される電流Ｉは、Ｒ１、Ｒ２を
流れる電流Ｉ１とＲ３、Ｒ４を流れる電流Ｉ２に分かれ
る。即ち、 Ｉ＝Ｉ１＋Ｉ２………（１） 給電電圧をＶｏとすると、Ｉ１、Ｉ２は次式で表され
る。 Ｉ１＝Ｖｏ／（Ｒ１＋Ｒ２）………（２） Ｉ２＝Ｖｏ／（Ｒ３＋Ｒ４）………（３） （１）に（２）（３）を代入してＶｏを求めると、 Ｖｏ＝Ｊ（Ｒ１＋Ｒ２）（Ｒ３＋Ｒ４）………（４）但
し、Ｊ＝Ｉ／（Ｒ１＋Ｒ２＋Ｒ３＋Ｒ４）………（５） （４）式を用いて（２）（３）を書き換えると、 Ｉ１＝Ｊ（Ｒ３＋Ｒ４）………（６） Ｉ２＝Ｊ（Ｒ１＋Ｒ２）………（７） 検出出力ΔＶは（６）（７）を適用して、 ΔＶ＝Ｖ１−Ｖ２ ＝Ｉ１Ｒ１−Ｉ２Ｒ４ ＝Ｊ｛Ｒ１（Ｒ３＋Ｒ４）−Ｒ４（Ｒ１＋Ｒ２）｝………（８） ここで、フィラメントＲ１の抵抗値が温度変化によりド
リフトしてＲ１＋ｒに変化したときの出力をΔＶ’とす
ると、 ΔＶ’＝Ｊ｛（Ｒ１＋ｒ）（Ｒ３＋Ｒ４）＋Ｒ４（Ｒ１＋Ｒ２＋ｒ）｝…… …（９） 検出出力のドリフトは、（８）（９）および（５）から
次式で表される。 ΔＶ’−ΔＶ＝Ｊ｛ｒ（Ｒ３＋Ｒ４）−Ｒ４ｒ｝ ＝ＪＲ３ｒ ＝ＩＲ３ｒ／（Ｒ１＋Ｒ２＋Ｒ３＋Ｒ４）………（１０） 【００１１】フィラメントＲ１に流れる電流Ｉ１は大き
いほど検出感度が高くなるのに対し、Ｒ３、Ｒ４を流れ
る電流Ｉ２は検出に寄与しないから、給電される電流Ｉ
はＩ１の方がＩ２よりもできるだけ大きくなるように配
分されるのが従来から一般的である。即ち、Ｒ３、Ｒ４
の抵抗値はＲ１、Ｒ２のそれよりも非常に大きく設定さ
れる。このような条件下では（１０）は近似的に次式で
表すことができる。 ΔＶ’−ΔＶ≒ｋＩｒ………（１１） 但し、 ｋ＝Ｒ３／（Ｒ３＋Ｒ４） この式から、検出出力ΔＶのドリフトはフィラメントＲ
１のドリフトｒにほぼ比例することがわかる。 【００１２】上記のＩ１がＩ２よりも非常に大きい場合
（Ｉ１≒Ｉ）は、（２）式を変形して、 Ｖｏ≒Ｉ（Ｒ１＋Ｒ２）………（１２） と表すことができる。フィラメントＲ１の抵抗値が温度
変化によりドリフトしてＲ１＋ｒに変化したときの給電
電圧Ｖｏ’とすると、 Ｖｏ’≒Ｉ（Ｒ１＋Ｒ２＋ｒ）………（１３） 給電電圧Ｖｏのドリフト量は（１２）（１３）から、 Ｖｏ’−Ｖｏ＝Ｉｒ………（１４） となり、給電電圧ＶｏのドリフトもまたフィラメントＲ
１のドリフトｒにほぼ比例する。従って、検出出力ΔＶ
のドリフトは給電電圧Ｖｏのドリフトに比例することに
なるから、給電電圧Ｖｏに基づいて検出出力ΔＶのドリ
フトを補正することが可能である。 【００１３】この補正を行うのが図１に示す補正回路４
である。補正の元となる信号として給電電圧Ｖｏを導入
し、適切な演算回路（その構成は設計的事項である）を
通すことにより容易にドリフト補正を行い、その結果と
して補正後の出力信号Ｓｏを得ることができる。 【００１４】図１において、固定抵抗Ｒ３とＲ４の接続
点の電位Ｖ２は、給電電圧Ｖｏを固定抵抗Ｒ３とＲ４と
で分圧した値であるから、給電電圧Ｖｏと同様にドリフ
ト量に比例する情報を含んでいる。従って、図中に破線
で示すように、Ｖｏの代わりにＶ２をドリフト補正用信
号として利用することも可能である。 【００１５】本発明は上記の例のようにシングルフロー
セルＴＣＤに適用して効果的であるが、デュアルフロー
セルＴＣＤに対しても適用可能である。図１において、
固定抵抗Ｒ２を参照側流路のフィラメント（感温素子）
で置き換えればデュアルフローセルＴＣＤの回路とな
る。 【００１６】上記の解析に当たっては、Ｒ３、Ｒ４の抵
抗値がＲ１、Ｒ２のそれよりも非常に大きい（多くの場
合、実際にも当てはまる）ものとしたが、必ずしもこの
条件が成立しない場合であっても、その程度に応じた相
応の補正効果が得られる。即ち、Ｒ３、Ｒ４の抵抗値を
Ｒ１、Ｒ２のそれよりも非常に大きく設定することは本
発明構成上の必須要件ではない。なお、図１は本発明の
一実施形態を示したものであって、本発明をこれに限定
するものではない。 【００１７】 【発明の効果】以上詳述したように、本発明によればＴ
ＣＤにおける温度ドリフト等を簡単に補正することがで
きるので、安定した検出出力を得ることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態を示す図である。
【図２】従来のＴＣＤの一例を示す図である。
【符号の説明】
１…抵抗ブリッジ回路
２…定電流源
３…測定回路
４…補正回路
Ｒ１、Ｒ２’…フィラメント
Ｒ２〜Ｒ４…固定抵抗
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】加熱された感温素子の表面に分析ガスを接
触させ、分析ガスの熱伝導度に応じて感温素子の温度変
化を生ぜしめ、そのときの感温素子の電気抵抗の変化か
ら被測定ガスの検出を行う検出器であって、前記感温素
子が定電流源から給電される抵抗ブリッジ回路の少なく
とも一辺を形成するように構成された熱伝導度検出器に
おいて、前記定電流源から前記抵抗ブリッジ回路に給電
される電圧の変化に基づいて検出出力を補正する補正回
路を設けたことを特徴とする熱伝導度検出器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001235804A JP2003042983A (ja) | 2001-08-03 | 2001-08-03 | 熱伝導度検出器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001235804A JP2003042983A (ja) | 2001-08-03 | 2001-08-03 | 熱伝導度検出器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003042983A true JP2003042983A (ja) | 2003-02-13 |
Family
ID=19067191
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001235804A Pending JP2003042983A (ja) | 2001-08-03 | 2001-08-03 | 熱伝導度検出器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003042983A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101813658A (zh) * | 2010-03-08 | 2010-08-25 | 北京纳克分析仪器有限公司 | 一对热敏电阻的热导检测器 |
| JP2010230592A (ja) * | 2009-03-27 | 2010-10-14 | Horiba Ltd | ガスセンサ |
| JP2010230591A (ja) * | 2009-03-27 | 2010-10-14 | Horiba Ltd | 熱伝導率センサ |
| DE102010012434A1 (de) | 2009-03-27 | 2010-10-28 | Horiba Ltd. | Thermischer Leitfähigkeitssensor |
| CN105765378A (zh) * | 2014-04-14 | 2016-07-13 | 西门子公司 | 热导检测器 |
| JP2017003441A (ja) * | 2015-06-11 | 2017-01-05 | 新コスモス電機株式会社 | 気体熱伝導式ガスセンサおよび気体熱伝導式ガスセンサの出力補正方法 |
| CN109444226A (zh) * | 2018-11-10 | 2019-03-08 | 郑州迪邦科技有限公司 | 一种热导式sf6纯度检测仪调理电路 |
| CN110161160A (zh) * | 2018-02-13 | 2019-08-23 | 横河电机株式会社 | 气相色谱仪用检测器 |
| CN112764447A (zh) * | 2021-04-07 | 2021-05-07 | 上海艾为微电子技术有限公司 | 动态失调校准电路、方法、芯片及电子设备 |
-
2001
- 2001-08-03 JP JP2001235804A patent/JP2003042983A/ja active Pending
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010230592A (ja) * | 2009-03-27 | 2010-10-14 | Horiba Ltd | ガスセンサ |
| JP2010230591A (ja) * | 2009-03-27 | 2010-10-14 | Horiba Ltd | 熱伝導率センサ |
| DE102010012434A1 (de) | 2009-03-27 | 2010-10-28 | Horiba Ltd. | Thermischer Leitfähigkeitssensor |
| US8302459B2 (en) | 2009-03-27 | 2012-11-06 | Horiba, Ltd. | Thermal conductivity sensor |
| CN101813658A (zh) * | 2010-03-08 | 2010-08-25 | 北京纳克分析仪器有限公司 | 一对热敏电阻的热导检测器 |
| CN101813658B (zh) * | 2010-03-08 | 2012-09-05 | 北京纳克分析仪器有限公司 | 一对热敏电阻的热导检测器 |
| CN105765378A (zh) * | 2014-04-14 | 2016-07-13 | 西门子公司 | 热导检测器 |
| CN105765378B (zh) * | 2014-04-14 | 2017-12-08 | 西门子公司 | 热导检测器 |
| JP2017003441A (ja) * | 2015-06-11 | 2017-01-05 | 新コスモス電機株式会社 | 気体熱伝導式ガスセンサおよび気体熱伝導式ガスセンサの出力補正方法 |
| CN110161160A (zh) * | 2018-02-13 | 2019-08-23 | 横河电机株式会社 | 气相色谱仪用检测器 |
| CN110161160B (zh) * | 2018-02-13 | 2022-08-26 | 横河电机株式会社 | 气相色谱仪用检测器 |
| CN109444226A (zh) * | 2018-11-10 | 2019-03-08 | 郑州迪邦科技有限公司 | 一种热导式sf6纯度检测仪调理电路 |
| CN112764447A (zh) * | 2021-04-07 | 2021-05-07 | 上海艾为微电子技术有限公司 | 动态失调校准电路、方法、芯片及电子设备 |
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